JP2003078225A - ラミネートフィルム - Google Patents
ラミネートフィルムInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】接着剤層による厚さ方向の寸法の増大を抑える
ようにしたラミネートフィルムを提供することを目的と
する。 【解決手段】一方の面に易着性の接着層を備える共押出
しされた高分子フィルムを用いるようにし、上記接着層
を介してこの高分子フィルムを金属箔に接合するように
したものである。
ようにしたラミネートフィルムを提供することを目的と
する。 【解決手段】一方の面に易着性の接着層を備える共押出
しされた高分子フィルムを用いるようにし、上記接着層
を介してこの高分子フィルムを金属箔に接合するように
したものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はラミネートフィルム
に係り、とくに金属箔と高分子フィルムとの接合構造か
ら成るラミネートフィルムに関する。
に係り、とくに金属箔と高分子フィルムとの接合構造か
ら成るラミネートフィルムに関する。
【０００２】
【従来の技術】回路基板間の接続のためにフレキシブル
プリント基板が用いられる。フレキシブルプリント基板
はポリイミドから成るベースフィルムの表面に銅箔を接
着層を介して接合し、その後に上記銅箔をエッチングす
ることによって所定の配線パターンを形成している。
プリント基板が用いられる。フレキシブルプリント基板
はポリイミドから成るベースフィルムの表面に銅箔を接
着層を介して接合し、その後に上記銅箔をエッチングす
ることによって所定の配線パターンを形成している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このように金属箔と高
分子フィルムの接合構造から成るラミネートフィルム
は、電気の配線材として広く用いられており、有用な工
業材料を構成している。ところが従来のこの種のラミネ
ートフィルムは、金属箔と高分子フィルムとの接合構造
を形成するために、両者の間に接着剤層を介在させ、こ
の接着剤層によって金属箔と高分子フィルムとを互いに
強固に接合するようにしていた。ここで接着剤層の厚さ
をあまり薄くすることができず、これによってラミネー
トフィルムの厚さが大きくなる欠点があった。従ってフ
レキシブルプリント基板として用いた場合における基板
の厚さが厚くなり、あるいはまた包装用資材として用い
た場合においても、そのフィルムの厚さを薄くすること
ができないという問題があった。
分子フィルムの接合構造から成るラミネートフィルム
は、電気の配線材として広く用いられており、有用な工
業材料を構成している。ところが従来のこの種のラミネ
ートフィルムは、金属箔と高分子フィルムとの接合構造
を形成するために、両者の間に接着剤層を介在させ、こ
の接着剤層によって金属箔と高分子フィルムとを互いに
強固に接合するようにしていた。ここで接着剤層の厚さ
をあまり薄くすることができず、これによってラミネー
トフィルムの厚さが大きくなる欠点があった。従ってフ
レキシブルプリント基板として用いた場合における基板
の厚さが厚くなり、あるいはまた包装用資材として用い
た場合においても、そのフィルムの厚さを薄くすること
ができないという問題があった。
【０００４】本発明はこのような問題点に鑑みてなされ
たものであって、接着剤層を介することなく金属箔と高
分子フィルムとを接合し、これによって厚さを薄くする
ようにしたラミネートフィルムを提供することを目的と
する。
たものであって、接着剤層を介することなく金属箔と高
分子フィルムとを接合し、これによって厚さを薄くする
ようにしたラミネートフィルムを提供することを目的と
する。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本願の主要な発明は、金
属箔と高分子フィルムとの接合構造から成るラミネート
フィルムにおいて、前記高分子フィルムが共押出しされ
たフィルムであって少なくともその一方の面に易着性接
着層を備え、該接着層を介して前記高分子フイルムが前
記金属箔に接合され、前記金属箔によって配線パターン
が形成されることを特徴とするラミネートフィルムに関
するものである。ここで金属箔が銅またはアルミニウム
から成り、厚さが５〜１００μｍの範囲内であることが
好適である。また高分子フィルムの接着層が非接着層の
部分より結晶性が低いことを特徴としている。また電子
部品が実装されるとともに、該電子部品の電極が前記配
線パターンを介して他の電子部品と接続され、所定の電
子回路が形成されるようになる。
属箔と高分子フィルムとの接合構造から成るラミネート
フィルムにおいて、前記高分子フィルムが共押出しされ
たフィルムであって少なくともその一方の面に易着性接
着層を備え、該接着層を介して前記高分子フイルムが前
記金属箔に接合され、前記金属箔によって配線パターン
が形成されることを特徴とするラミネートフィルムに関
するものである。ここで金属箔が銅またはアルミニウム
から成り、厚さが５〜１００μｍの範囲内であることが
好適である。また高分子フィルムの接着層が非接着層の
部分より結晶性が低いことを特徴としている。また電子
部品が実装されるとともに、該電子部品の電極が前記配
線パターンを介して他の電子部品と接続され、所定の電
子回路が形成されるようになる。
【０００６】本願のラミネートフィルムの構造は、図１
Ａに示すように金属箔１１とポリエステルフィルム１２
とから成り、しかも両者が互いに接着剤層を介すること
なく直接接合されていることを特徴とする。すなわちポ
リエステルフィルム１２は非接着層から成るＡ層と接着
層から成るＢ層とを備え、これらが共押出しによって一
体となってポリエステルフィルム１２を構成している。
そして接着層から成るＢ層によってポリエステルフィル
ム１２が金属箔１１に直接接合された構造をなしてい
る。
Ａに示すように金属箔１１とポリエステルフィルム１２
とから成り、しかも両者が互いに接着剤層を介すること
なく直接接合されていることを特徴とする。すなわちポ
リエステルフィルム１２は非接着層から成るＡ層と接着
層から成るＢ層とを備え、これらが共押出しによって一
体となってポリエステルフィルム１２を構成している。
そして接着層から成るＢ層によってポリエステルフィル
ム１２が金属箔１１に直接接合された構造をなしてい
る。
【０００７】なお金属箔１１とポリエステルフィルム１
２の接合構造は図１Ｂに示すように、中間のポリエステ
ルフィルム１２を挟んでその両側に金属箔１１を接合し
た構造であってよい。この場合にはポリエステルフィル
ム１２の中間部分のＡ層に対してその両側にＢ層が形成
され、これらのＢ層が金属箔１１に接合される構造にす
ることが好適である。このような構造によると、両面に
配線パターンを形成することが可能になる。
２の接合構造は図１Ｂに示すように、中間のポリエステ
ルフィルム１２を挟んでその両側に金属箔１１を接合し
た構造であってよい。この場合にはポリエステルフィル
ム１２の中間部分のＡ層に対してその両側にＢ層が形成
され、これらのＢ層が金属箔１１に接合される構造にす
ることが好適である。このような構造によると、両面に
配線パターンを形成することが可能になる。
【０００８】図１Ｃに示す構成は、中間の金属箔１１の
両面にポリエステルフィルム１２が接合された構造にな
っている。上側のポリエステルフィルム１２はその下面
の接着層から成るＢ層によって金属箔１１に接合され、
下側のポリエステルフィルム１２はその上面の接着層を
構成するＢ層によって金属箔１１に接合される構造とな
っている。
両面にポリエステルフィルム１２が接合された構造にな
っている。上側のポリエステルフィルム１２はその下面
の接着層から成るＢ層によって金属箔１１に接合され、
下側のポリエステルフィルム１２はその上面の接着層を
構成するＢ層によって金属箔１１に接合される構造とな
っている。
【０００９】図１Ｄに示す構成は、２枚の金属箔１１と
２枚のポリエステルフィルム１２とを交互に接合した構
造をなしており、上側のポリエステルフィルム１２と上
側の金属箔１１とはポリエステルフィルム１２の下面の
接着層を構成するＢ層によって接合されている。これに
対して上下の金属箔１１間のポリエステルフィルム１２
はその両面にそれぞれ形成されている接着層から成るＢ
層によって上下の金属箔１１に接合される構造になって
いる。
２枚のポリエステルフィルム１２とを交互に接合した構
造をなしており、上側のポリエステルフィルム１２と上
側の金属箔１１とはポリエステルフィルム１２の下面の
接着層を構成するＢ層によって接合されている。これに
対して上下の金属箔１１間のポリエステルフィルム１２
はその両面にそれぞれ形成されている接着層から成るＢ
層によって上下の金属箔１１に接合される構造になって
いる。
【００１０】このように金属箔１１とポリエステルフィ
ルム１２との接合構造は、図１Ａに示すような単純な１
層ずつの積層構造ばかりでなく、各種の接合構造が可能
であって、図１に示す構造以外の他の多層構造をも採用
することが可能である。そしてここで金属箔１１はポリ
エステルフィルム１２の接着層を構成するＢ層によって
接合されるようになっており、これによって接着剤層を
介することなく金属箔１１とポリエステルフィルム１２
とを接合することが可能になる。
ルム１２との接合構造は、図１Ａに示すような単純な１
層ずつの積層構造ばかりでなく、各種の接合構造が可能
であって、図１に示す構造以外の他の多層構造をも採用
することが可能である。そしてここで金属箔１１はポリ
エステルフィルム１２の接着層を構成するＢ層によって
接合されるようになっており、これによって接着剤層を
介することなく金属箔１１とポリエステルフィルム１２
とを接合することが可能になる。
【００１１】ここで金属箔１１としては、各種の金属が
用いられる。一般に広く用いられる金属箔としては、電
解銅箔、無電解銅箔、アルミニウム箔等である。これら
の金属箔は、その厚さが５〜１００μｍの範囲内のもの
が好適に利用される。とくに１０〜３０μｍの金属箔１
１がより好適に用いられ、これによってより薄い積層構
造をなすラミネートフィルムが提供される。
用いられる。一般に広く用いられる金属箔としては、電
解銅箔、無電解銅箔、アルミニウム箔等である。これら
の金属箔は、その厚さが５〜１００μｍの範囲内のもの
が好適に利用される。とくに１０〜３０μｍの金属箔１
１がより好適に用いられ、これによってより薄い積層構
造をなすラミネートフィルムが提供される。
【００１２】これに対してポリエステルフィルム１２
は、テレフタル酸および／または２，６−ナフタレンジ
カルボン酸を７０ｍｏｌ％以上含むジカルボン酸成分と
ジヒドロキシ化合物成分から作られたポリエステルのＡ
層の少なくとも片面に、フェニルインダンジカルボン酸
を３０ｍｏｌ％以上含むジカルボン酸成分とジヒドロキ
シ化合物から作られたポリエステルのＢ層を共押出しに
よって積層させた積層未延伸フィルムを２軸方向に延伸
し、次いで８０〜２００℃の温度で少なくとも１軸方向
に再延伸したものが用いられることが好適である。
は、テレフタル酸および／または２，６−ナフタレンジ
カルボン酸を７０ｍｏｌ％以上含むジカルボン酸成分と
ジヒドロキシ化合物成分から作られたポリエステルのＡ
層の少なくとも片面に、フェニルインダンジカルボン酸
を３０ｍｏｌ％以上含むジカルボン酸成分とジヒドロキ
シ化合物から作られたポリエステルのＢ層を共押出しに
よって積層させた積層未延伸フィルムを２軸方向に延伸
し、次いで８０〜２００℃の温度で少なくとも１軸方向
に再延伸したものが用いられることが好適である。
【００１３】ここでＡ層のポリエステルはテレフタル酸
および／または２，６−ナフタレンジカルボン酸を７０
ｍｏｌ％以上、好ましくは８０ｍｏｌ％以上含むジカル
ボン酸成分とジヒドロキシ化合物成分から作られたポリ
エステルである。３０ｍｏｌ％未満の割合で使用し得る
ジカルボン酸としてはイソフタル酸、フタル酸、アジピ
ン酸、セバシン酸等を例示することができる。ヒドロキ
シ化合物としては、エチレングリコール、１，４−ブタ
ンジオール、１，３−プロパンジオール、１，６−ヘキ
サンジオール、ネオペンチルグリコール、ジエチレング
リコール、１，６−シクロヘキサンジメタノール、ｐ−
キシリレングリコール、ポリエチレングリコール等が用
いられてよい。
および／または２，６−ナフタレンジカルボン酸を７０
ｍｏｌ％以上、好ましくは８０ｍｏｌ％以上含むジカル
ボン酸成分とジヒドロキシ化合物成分から作られたポリ
エステルである。３０ｍｏｌ％未満の割合で使用し得る
ジカルボン酸としてはイソフタル酸、フタル酸、アジピ
ン酸、セバシン酸等を例示することができる。ヒドロキ
シ化合物としては、エチレングリコール、１，４−ブタ
ンジオール、１，３−プロパンジオール、１，６−ヘキ
サンジオール、ネオペンチルグリコール、ジエチレング
リコール、１，６−シクロヘキサンジメタノール、ｐ−
キシリレングリコール、ポリエチレングリコール等が用
いられてよい。
【００１４】またポリエステルは具体的には、ポリエチ
レンテレフタレート、ポリエチレン−２，６−ナフタレ
ンジカルボキシレート、ポリテトラメチレン−２，６−
ナフタレンジカルボキシレート、テレフタル酸−２，６
−ナフタレンジカルボン酸−エチレングリコール共重合
体、テレフタル酸−２，６−ナフタレンジカルボン酸−
１，４−ブタンジオール−エチレングリコール共重合体
等を好ましく挙げることができる。これらの内ポリエチ
レンテレフタレート、ポリエチレン−２，６−ナフタレ
ンジカルボキシレートがとくに好適である。
レンテレフタレート、ポリエチレン−２，６−ナフタレ
ンジカルボキシレート、ポリテトラメチレン−２，６−
ナフタレンジカルボキシレート、テレフタル酸−２，６
−ナフタレンジカルボン酸−エチレングリコール共重合
体、テレフタル酸−２，６−ナフタレンジカルボン酸−
１，４−ブタンジオール−エチレングリコール共重合体
等を好ましく挙げることができる。これらの内ポリエチ
レンテレフタレート、ポリエチレン−２，６−ナフタレ
ンジカルボキシレートがとくに好適である。
【００１５】また非接着層を構成するＢ層のポリエステ
ルは、フェニルインダンジカルボン酸を３０ｍｏｌ％、
好ましくは５０ｍｏｌ％以上含むジカルボン酸成分とジ
ヒドロキシ化合物成分から作られるポリエステルであ
る。
ルは、フェニルインダンジカルボン酸を３０ｍｏｌ％、
好ましくは５０ｍｏｌ％以上含むジカルボン酸成分とジ
ヒドロキシ化合物成分から作られるポリエステルであ
る。
【００１６】フェニルインダンジカルボン酸以外のカル
ボン酸としては、テレフタル酸、イソフタル酸、フタル
酸、無水フタル酸、２，６−ナフタレンジカルボン酸、
４，４´−ビフェニルジカルボン酸、１，４−シクロヘ
キサンジカルボン酸、アジピン酸、セバシン酸、トリメ
リット酸、ピロメリット酸、ダイマー酸等が使用でき
る。これらは２成分以上用いることができる。またこれ
らの成分とともにマレイン酸、フマール酸、イタコン酸
等の如き不飽和多塩基酸やｐ−ヒドロキシ安息香酸、ｐ
−（β−ヒドロキシエトキシ）安息香酸等の如きヒドロ
キシカルボン酸を小割合用いることができる。
ボン酸としては、テレフタル酸、イソフタル酸、フタル
酸、無水フタル酸、２，６−ナフタレンジカルボン酸、
４，４´−ビフェニルジカルボン酸、１，４−シクロヘ
キサンジカルボン酸、アジピン酸、セバシン酸、トリメ
リット酸、ピロメリット酸、ダイマー酸等が使用でき
る。これらは２成分以上用いることができる。またこれ
らの成分とともにマレイン酸、フマール酸、イタコン酸
等の如き不飽和多塩基酸やｐ−ヒドロキシ安息香酸、ｐ
−（β−ヒドロキシエトキシ）安息香酸等の如きヒドロ
キシカルボン酸を小割合用いることができる。
【００１７】非接着層を構成するＡ層のポリエステルと
接着層を構成するＢ層のポリエステルとを溶融共押出し
してＡ層の少なくとも片面にＢ層を積層させた積層未延
伸フィルムを製造する。そしてこの積層未延伸フィルム
を２軸方向に延伸し、その後に８０〜２２０℃の温度で
少なくとも１軸方向、すなわち縦方向および／または横
方向に再延伸を行なう。
接着層を構成するＢ層のポリエステルとを溶融共押出し
してＡ層の少なくとも片面にＢ層を積層させた積層未延
伸フィルムを製造する。そしてこの積層未延伸フィルム
を２軸方向に延伸し、その後に８０〜２２０℃の温度で
少なくとも１軸方向、すなわち縦方向および／または横
方向に再延伸を行なう。
【００１８】積層未延伸フィルムの延伸は面積倍率で６
〜１０倍程度にするのが好ましい。また再延伸は面積倍
率で１２〜２２倍程度の値で行なうことが好ましい。ま
た再延伸の温度は８０〜２２０℃程度の値であることが
好適である。
〜１０倍程度にするのが好ましい。また再延伸は面積倍
率で１２〜２２倍程度の値で行なうことが好ましい。ま
た再延伸の温度は８０〜２２０℃程度の値であることが
好適である。
【００１９】金属箔１１と接合されるポリエステルフィ
ルム１２の別の構成は、ジカルボン酸成分の７０ｍｏｌ
％以上がテレフタル酸および／またはナフタレンジカル
ボン酸から成り、２０〜１５０℃の２次転移点を有する
Ａ層と、５ｃａｌ／ｇ未満の結晶融解熱を有するＢ層と
から成り、共押出しの方法でＡ層の少なくとも片面にＢ
層を積層した構造の積層ポリエステルフィルムである。
ここでＢ層の２次転移温度がＡ層の２次転移温度より３
０℃高い温度以下であってＡ層の２次転移温度より５０
℃低い温度以上であることが好ましい。
ルム１２の別の構成は、ジカルボン酸成分の７０ｍｏｌ
％以上がテレフタル酸および／またはナフタレンジカル
ボン酸から成り、２０〜１５０℃の２次転移点を有する
Ａ層と、５ｃａｌ／ｇ未満の結晶融解熱を有するＢ層と
から成り、共押出しの方法でＡ層の少なくとも片面にＢ
層を積層した構造の積層ポリエステルフィルムである。
ここでＢ層の２次転移温度がＡ層の２次転移温度より３
０℃高い温度以下であってＡ層の２次転移温度より５０
℃低い温度以上であることが好ましい。
【００２０】積層ポリエステルフィルム１２の少なくと
も一方の表面に結晶性の低いポリエステルのＢ層を形成
しているために、高い接着性を有する表面を形成ができ
る。またこの表面の厚さを自由に調整することができる
ために、接着力を任意に調整することが可能になる。ま
た共押出し法での積層であるために、各層フィルムの層
間の接着力が極めて高い特徴を有する。
も一方の表面に結晶性の低いポリエステルのＢ層を形成
しているために、高い接着性を有する表面を形成ができ
る。またこの表面の厚さを自由に調整することができる
ために、接着力を任意に調整することが可能になる。ま
た共押出し法での積層であるために、各層フィルムの層
間の接着力が極めて高い特徴を有する。
【００２１】ここでＡ層を構成するポリエステルは、結
晶性のポリマであって、ジカルボン酸成分の７０ｍｏｌ
％以上がテレフタル酸および／またはナフタレンジカル
ボン酸から成り、しかも２０〜１５０℃の２次転移点を
有するものである。
晶性のポリマであって、ジカルボン酸成分の７０ｍｏｌ
％以上がテレフタル酸および／またはナフタレンジカル
ボン酸から成り、しかも２０〜１５０℃の２次転移点を
有するものである。
【００２２】上記テレフタル酸および／またはナフタレ
ンジカルボン酸以外のジカルボン酸成分としては、イソ
フタル酸、フタル酸、アジピン酸、セバシン酸等が用い
られてよい。また上記ポリエステルを構成するジヒドロ
キシ化合物としては、エチレングリコール、１，４−ブ
タンジオール、１，３−プロパンジオール、１，６−ヘ
キサンジオール、ネオペンチルグリコール、ジエチレン
グリコール、１，６−シクロヘキサンジメタノール、ｐ
−キシレングリコール、ポリエチレングリコール等が好
適である。
ンジカルボン酸以外のジカルボン酸成分としては、イソ
フタル酸、フタル酸、アジピン酸、セバシン酸等が用い
られてよい。また上記ポリエステルを構成するジヒドロ
キシ化合物としては、エチレングリコール、１，４−ブ
タンジオール、１，３−プロパンジオール、１，６−ヘ
キサンジオール、ネオペンチルグリコール、ジエチレン
グリコール、１，６−シクロヘキサンジメタノール、ｐ
−キシレングリコール、ポリエチレングリコール等が好
適である。
【００２３】またＡ層を構成するポリエステルは、上述
の如く２０〜１５０℃の２次転移点を有することが必要
であり、またＡ層は結晶融解熱が５ｃａｌ／ｇ以上であ
ることが好ましい。この結晶融解熱が５ｃａｌ／ｇ未満
であると、フィルム強度不足や熱収縮性が大となり、好
ましくない。
の如く２０〜１５０℃の２次転移点を有することが必要
であり、またＡ層は結晶融解熱が５ｃａｌ／ｇ以上であ
ることが好ましい。この結晶融解熱が５ｃａｌ／ｇ未満
であると、フィルム強度不足や熱収縮性が大となり、好
ましくない。
【００２４】次にポリエステルフィルム１２のＢ層を構
成するポリエステルは、難結晶性もしくは非結晶性ポリ
マであって、例えばテレフタル酸−イソフタル酸−エチ
レングリコール−ネオペンチルグリコール−１，４−ブ
タジオール共重合ポリエステル，２，６−ナフタレンジ
カルボン酸−イソフタル酸−１，４−ブタジオール−
１，６−ヘキサジオール共重合ポリエステル、４，４´
−ジフェニルジカルボン酸−アジピン酸−エチレングリ
コール−ジエチレングリコール共重合ポリエステル等が
好適である。
成するポリエステルは、難結晶性もしくは非結晶性ポリ
マであって、例えばテレフタル酸−イソフタル酸−エチ
レングリコール−ネオペンチルグリコール−１，４−ブ
タジオール共重合ポリエステル，２，６−ナフタレンジ
カルボン酸−イソフタル酸−１，４−ブタジオール−
１，６−ヘキサジオール共重合ポリエステル、４，４´
−ジフェニルジカルボン酸−アジピン酸−エチレングリ
コール−ジエチレングリコール共重合ポリエステル等が
好適である。
【００２５】ここでＡ層を構成するポリエステルとＢ層
を構成するポリエステルの２次転移温度については次の
ような関係を満たすことが必要になる。すなわちＢ層の
２次転移温度がＡ層の２次転移温度より３０℃高い温度
以下であってＡ層の２次転移温度より５０℃低い温度以
上であることを要する。前者の条件が満たされないと共
押出しの延伸特性が低下してフィルムの表面性が不良に
なる。これに対して後者の条件を満たさないと耐ブロキ
ング性が劣り、製膜時の工程適性が悪化する。
を構成するポリエステルの２次転移温度については次の
ような関係を満たすことが必要になる。すなわちＢ層の
２次転移温度がＡ層の２次転移温度より３０℃高い温度
以下であってＡ層の２次転移温度より５０℃低い温度以
上であることを要する。前者の条件が満たされないと共
押出しの延伸特性が低下してフィルムの表面性が不良に
なる。これに対して後者の条件を満たさないと耐ブロキ
ング性が劣り、製膜時の工程適性が悪化する。
【００２６】Ａ層を構成するポリエステルとＢ層を構成
するポリエステルとは共押出しによって積層され、これ
によって２層構造のポリエステルフィルム１２が得られ
る。共押出しされた多層未延伸フィルムは２軸延伸して
積層延伸フィルムとする。２軸延伸は２段、３段、４段
等の多段延伸が可能である。
するポリエステルとは共押出しによって積層され、これ
によって２層構造のポリエステルフィルム１２が得られ
る。共押出しされた多層未延伸フィルムは２軸延伸して
積層延伸フィルムとする。２軸延伸は２段、３段、４段
等の多段延伸が可能である。
【００２７】
【実施例１】平均分子量が２３０００のポリエチレンテ
レフタレートとフェニルインダンジカルボン酸−テレフ
タル酸−エチレングリコール−１，４−ブタジオール共
重合ポリエステルを２層ダイから共押出しして急冷し、
未延伸フィルムとした。そしてこの未延伸フィルムを２
段階に延伸してＡ層が１４μｍであってＢ層が１μｍの
ポリエステルフィルム１２を得た。
レフタレートとフェニルインダンジカルボン酸−テレフ
タル酸−エチレングリコール−１，４−ブタジオール共
重合ポリエステルを２層ダイから共押出しして急冷し、
未延伸フィルムとした。そしてこの未延伸フィルムを２
段階に延伸してＡ層が１４μｍであってＢ層が１μｍの
ポリエステルフィルム１２を得た。
【００２８】このようなポリエステルフィルム１２の上
記Ｂ層の接着性を利用し、厚さが２０μｍの銅箔と接合
した。
記Ｂ層の接着性を利用し、厚さが２０μｍの銅箔と接合
した。
【００２９】このようなラミネートフィルムの上記銅箔
１１をエッチングすることによって、図２に示すような
配線パターン２０がポリエステルフィルム１２上に形成
された。このような配線パターン２０を有するポリエス
テルフィルム１２は、従来のポリイミドフィルムから成
るフレキシブル基板に代替する性能を持つことが確認さ
れた。しかも全体の厚さが３０μｍ程度であって、従来
のポリイミドフィルム製のフレキシブル基板の約１／５
の厚さになった。
１１をエッチングすることによって、図２に示すような
配線パターン２０がポリエステルフィルム１２上に形成
された。このような配線パターン２０を有するポリエス
テルフィルム１２は、従来のポリイミドフィルムから成
るフレキシブル基板に代替する性能を持つことが確認さ
れた。しかも全体の厚さが３０μｍ程度であって、従来
のポリイミドフィルム製のフレキシブル基板の約１／５
の厚さになった。
【００３０】
【実施例２】テレフタル酸−２，６−ナフタレンジカル
ボン酸−エチレングリコール共重合ポリエステル（Ａ
層）とテレフタル酸イソフタル酸−エチレングリコール
−ネオペンチルグリコール共重合ポリエステル（Ｂ層）
を２層ダイから共押出しして延伸した後、２１０℃で熱
処理して積層フィルムを得た。この延伸フィルムはＡ層
が１０μｍであって、Ｂ層が１μｍであった。
ボン酸−エチレングリコール共重合ポリエステル（Ａ
層）とテレフタル酸イソフタル酸−エチレングリコール
−ネオペンチルグリコール共重合ポリエステル（Ｂ層）
を２層ダイから共押出しして延伸した後、２１０℃で熱
処理して積層フィルムを得た。この延伸フィルムはＡ層
が１０μｍであって、Ｂ層が１μｍであった。
【００３１】このような２層構造のポリエステルフィル
ム１２上に１０μｍのアルミニウム箔を接合し、この後
にアルミニウム箔をエッチングすることによって図３に
示すような接続用ランド２１をポリエステルフィルム１
２上に形成した。そして上記ポリエステルフィルム１２
の下面を粘着層２４を介して放熱用グラファイトシート
２５に接合した。そして上記ポリエステルフィルム１２
上にＩＣチップ２３をマウントし、このＩＣチップ２３
の電極を上記接続用ランド２１に接続し、これによって
所定の電子回路を形成した。
ム１２上に１０μｍのアルミニウム箔を接合し、この後
にアルミニウム箔をエッチングすることによって図３に
示すような接続用ランド２１をポリエステルフィルム１
２上に形成した。そして上記ポリエステルフィルム１２
の下面を粘着層２４を介して放熱用グラファイトシート
２５に接合した。そして上記ポリエステルフィルム１２
上にＩＣチップ２３をマウントし、このＩＣチップ２３
の電極を上記接続用ランド２１に接続し、これによって
所定の電子回路を形成した。
【００３２】ここでＩＣチップ２３は他の部品との接続
がポリエステルフィルム１２上の配線パターンによって
互いに接続されることになる。しかもグラファイトシー
ト２５が放熱板を構成しており、ＩＣチップ２３がマウ
ントされたポリエステルフィルム１２の下面を直接放熱
するようにしているために、高い放熱効果を有する回路
基板が提供された。
がポリエステルフィルム１２上の配線パターンによって
互いに接続されることになる。しかもグラファイトシー
ト２５が放熱板を構成しており、ＩＣチップ２３がマウ
ントされたポリエステルフィルム１２の下面を直接放熱
するようにしているために、高い放熱効果を有する回路
基板が提供された。
【００３３】
【発明の効果】本願の主要な発明は、金属箔と高分子フ
ィルムとの接合構造から成るラミネートフィルムにおい
て、高分子フィルムが共押出しされたフィルムであって
少なくともその一方の面に易着性接着層を備え、該接着
層を介して高分子フイルムが金属箔に接合され、しかも
金属箔によって配線パターンが形成されるようにしたラ
ミネートフィルムに関するものである。
ィルムとの接合構造から成るラミネートフィルムにおい
て、高分子フィルムが共押出しされたフィルムであって
少なくともその一方の面に易着性接着層を備え、該接着
層を介して高分子フイルムが金属箔に接合され、しかも
金属箔によって配線パターンが形成されるようにしたラ
ミネートフィルムに関するものである。
【００３４】従ってこのようなラミネートフィルムによ
れば、とくにその一方の面に備えられている易着性の接
着層を介して金属箔と接合されるために、接着層を必要
としないラミネートフィルムが得られ、このラミネート
フィルムによって配線パターンを有する薄いフィルムが
得られる。従ってこのことから、接合方向、すなわち厚
さ方向の寸法を小さくし、より薄いラミネート構造のフ
ィルムが提供されることになる。
れば、とくにその一方の面に備えられている易着性の接
着層を介して金属箔と接合されるために、接着層を必要
としないラミネートフィルムが得られ、このラミネート
フィルムによって配線パターンを有する薄いフィルムが
得られる。従ってこのことから、接合方向、すなわち厚
さ方向の寸法を小さくし、より薄いラミネート構造のフ
ィルムが提供されることになる。
【図１】ラミネートフィルムの構造を示す要部拡大断面
図である。
図である。
【図２】ラミネートフィルムを応用したフレキシブル基
板の斜視図である。
板の斜視図である。
【図３】ラミネートフィルムを応用した回路基板の要部
拡大断面図である。
拡大断面図である。
１１ 金属箔
１２ ポリエステルフィルム
２０ 配線パターン
２１ 接続用ランド
２３ ＩＣチップ
２４ 粘着層
２５ グラファイトシート
Ａ層 非接着層
Ｂ層 接着層
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０５Ｋ 3/00 Ｈ０５Ｋ 3/00 Ｒ
Claims (4)
- 【請求項１】金属箔と高分子フィルムとの接合構造から
成るラミネートフィルムにおいて、 前記高分子フィルムが共押出しされたフィルムであって
少なくともその一方の面に易着性接着層を備え、該接着
層を介して前記高分子フイルムが前記金属箔に接合さ
れ、 前記金属箔によって配線パターンが形成されることを特
徴とするラミネートフィルム。 - 【請求項２】前記金属箔が銅またはアルミニウムから成
り、厚さが５〜１００μｍの範囲内であることを特徴と
する請求項１に記載のラミネートフィルム。 - 【請求項３】前記高分子フィルムの接着層が非接着層の
部分より結晶性が低いことを特徴とする請求項１に記載
のラミネートフィルム。 - 【請求項４】電子部品が実装されるとともに、該電子部
品の電極が前記配線パターンを介して他の電子部品と接
続され、所定の電子回路が形成されることを特徴とする
ラミネートフィルム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001270516A JP2003078225A (ja) | 2001-09-06 | 2001-09-06 | ラミネートフィルム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001270516A JP2003078225A (ja) | 2001-09-06 | 2001-09-06 | ラミネートフィルム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003078225A true JP2003078225A (ja) | 2003-03-14 |
Family
ID=19096159
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001270516A Pending JP2003078225A (ja) | 2001-09-06 | 2001-09-06 | ラミネートフィルム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003078225A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009054523A1 (ja) * | 2007-10-26 | 2009-04-30 | Toyo Boseki Kabushiki Kaisha | フレキシブルプリント配線板、それを用いたインレットシート、ｒｆｉｄメディア及びその製造方法 |
| JP2009110988A (ja) * | 2007-10-26 | 2009-05-21 | Toyobo Co Ltd | フレキシブルプリント配線板、それを用いたインレットシート、ｒｆｉｄメディア及びその製造方法 |
-
2001
- 2001-09-06 JP JP2001270516A patent/JP2003078225A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009054523A1 (ja) * | 2007-10-26 | 2009-04-30 | Toyo Boseki Kabushiki Kaisha | フレキシブルプリント配線板、それを用いたインレットシート、ｒｆｉｄメディア及びその製造方法 |
| JP2009110988A (ja) * | 2007-10-26 | 2009-05-21 | Toyobo Co Ltd | フレキシブルプリント配線板、それを用いたインレットシート、ｒｆｉｄメディア及びその製造方法 |
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