JP2003064240A - エポキシ樹脂組成物および半導体装置 - Google Patents
エポキシ樹脂組成物および半導体装置Info
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- JP2003064240A JP2003064240A JP2001255246A JP2001255246A JP2003064240A JP 2003064240 A JP2003064240 A JP 2003064240A JP 2001255246 A JP2001255246 A JP 2001255246A JP 2001255246 A JP2001255246 A JP 2001255246A JP 2003064240 A JP2003064240 A JP 2003064240A
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- epoxy resin
- resin composition
- ceramic powder
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 高周波領域の誘電率が高く、樹脂流動性も良
好で、高周波用半導体装置の薄型化が可能である半導体
封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置を提供する。 【解決手段】 （Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、
（Ｃ）セラミック粉末、及び（Ｄ）硬化促進剤を必須成
分とするエポキシ樹脂組成物において、（Ｃ）セラミッ
ク粉末が誘電率５０から３００００のセラミック粉末で
あり、全エポキシ樹脂組成物中に３０から９０ｖｏｌ％
で含まれることを特徴とするエポキシ樹脂組成物、及
び、その硬化物で封止された半導体装置。
好で、高周波用半導体装置の薄型化が可能である半導体
封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置を提供する。 【解決手段】 （Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、
（Ｃ）セラミック粉末、及び（Ｄ）硬化促進剤を必須成
分とするエポキシ樹脂組成物において、（Ｃ）セラミッ
ク粉末が誘電率５０から３００００のセラミック粉末で
あり、全エポキシ樹脂組成物中に３０から９０ｖｏｌ％
で含まれることを特徴とするエポキシ樹脂組成物、及
び、その硬化物で封止された半導体装置。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、エポキシ樹脂組成
物および半導体装置に関するものである。
物および半導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年の電子機器の高機能化、並びに、軽
薄短小化の要求に伴い、電子部品の高密度集積化、さら
には、高密度実装化が進んできており、これらの電子機
器に使用される半導体パッケージは、従来にも増して、
益々、小型化が進んでいる。特に、携帯電話などの通信
機器では高周波化が進んでおり、使用される高周波用デ
バイスにも、高周波における電気特性を維持しながら、
小型化、薄型化することが求められている。
薄短小化の要求に伴い、電子部品の高密度集積化、さら
には、高密度実装化が進んできており、これらの電子機
器に使用される半導体パッケージは、従来にも増して、
益々、小型化が進んでいる。特に、携帯電話などの通信
機器では高周波化が進んでおり、使用される高周波用デ
バイスにも、高周波における電気特性を維持しながら、
小型化、薄型化することが求められている。
【０００３】このような高周波用デバイスの小型化に
は、複数の機能素子をひとつの基板上に形成するマルチ
チップモジュール技術や、高誘電率基板技術が用いられ
ている。この時に使用される高誘電率基板の材料として
は、高周波領域で高い誘電率を有し、優れた電気特性を
もつセラミック基板が用いられている。
は、複数の機能素子をひとつの基板上に形成するマルチ
チップモジュール技術や、高誘電率基板技術が用いられ
ている。この時に使用される高誘電率基板の材料として
は、高周波領域で高い誘電率を有し、優れた電気特性を
もつセラミック基板が用いられている。
【０００４】セラミック基板材料は、通常１０００℃以
上の高温で焼成することによって、その高誘電率の性能
が発揮される。しかしながら、半導体素子の中でも、特
に高周波で使用されるガリウム砒素系の半導体は、耐熱
性が低い為、未焼成のセラミック基板に半導体素子を搭
載してから、基板を焼成することが出来ない。このた
め、予め、高温で焼成を行ったセラミック基板を作製
し、これに半導体チップを搭載することが行われてい
る。
上の高温で焼成することによって、その高誘電率の性能
が発揮される。しかしながら、半導体素子の中でも、特
に高周波で使用されるガリウム砒素系の半導体は、耐熱
性が低い為、未焼成のセラミック基板に半導体素子を搭
載してから、基板を焼成することが出来ない。このた
め、予め、高温で焼成を行ったセラミック基板を作製
し、これに半導体チップを搭載することが行われてい
る。
【０００５】ところがセラミックを用いて薄型化しよう
とすると、セラミックは可撓性が無く、曲げや局所的な
力がかかると、容易に割れてしまう為、加工工程や組み
立て工程中で取り扱う為には、ある程度の厚みを必要と
するので、薄型化に限界があった。
とすると、セラミックは可撓性が無く、曲げや局所的な
力がかかると、容易に割れてしまう為、加工工程や組み
立て工程中で取り扱う為には、ある程度の厚みを必要と
するので、薄型化に限界があった。
【０００６】高誘電率を維持しながら、セラミックの上
記の欠点を改良する方法として、特開平８−２３１２７
４号には、特定の誘電体セラミック粉末と有機高分子樹
脂を混合した樹脂―セラミック複合材が開示されてい
る。しかしながら、ここで開示された方法により得られ
る樹脂―セラミック複合体は、加熱プレスや射出成型
法、シートロール法などによって、シート状に成型する
ことは出来るが、トランスファー成型によって、半導体
を封入封止する為には、樹脂の流動性が悪く、薄い隙間
をうまく充填させることが出来ない。また、熱硬化性の
有機高分子樹脂をセラミック粉末と混合することが開示
されているが、熱硬化性の有機高分子樹脂だけでは、硬
化させるのに長時間を必要とし、生産効率が悪い。
記の欠点を改良する方法として、特開平８−２３１２７
４号には、特定の誘電体セラミック粉末と有機高分子樹
脂を混合した樹脂―セラミック複合材が開示されてい
る。しかしながら、ここで開示された方法により得られ
る樹脂―セラミック複合体は、加熱プレスや射出成型
法、シートロール法などによって、シート状に成型する
ことは出来るが、トランスファー成型によって、半導体
を封入封止する為には、樹脂の流動性が悪く、薄い隙間
をうまく充填させることが出来ない。また、熱硬化性の
有機高分子樹脂をセラミック粉末と混合することが開示
されているが、熱硬化性の有機高分子樹脂だけでは、硬
化させるのに長時間を必要とし、生産効率が悪い。
【０００７】また、特開平９−６９７０２号には、高誘
電率セラミックを含有する樹脂接着剤を使用した誘電体
フィルタが開示されている。エポキシ樹脂接着剤に高誘
電率セラミックの粉末を混合する方法が開示されている
が、液状接着剤であり、半導体を封入封止するためには
流動性や硬化速度が十分ではない。
電率セラミックを含有する樹脂接着剤を使用した誘電体
フィルタが開示されている。エポキシ樹脂接着剤に高誘
電率セラミックの粉末を混合する方法が開示されている
が、液状接着剤であり、半導体を封入封止するためには
流動性や硬化速度が十分ではない。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、高周波用デ
バイスの薄型化における、上記のような問題点に鑑み、
低温で容易に成形できる高誘電率のエポキシ樹脂組成
物、および、高周波電気特性の優れた半導体装置を提供
することを目的とする。
バイスの薄型化における、上記のような問題点に鑑み、
低温で容易に成形できる高誘電率のエポキシ樹脂組成
物、および、高周波電気特性の優れた半導体装置を提供
することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、特定のセ
ラミック粉末を含むエポキシ樹脂組成物が、高周波電気
特性に優れることを見いだし、更に、検討を進めて、本
発明を完成するに至った。即ち、本発明は、（（Ａ）エ
ポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）セラミック粉末、及
び（Ｄ）硬化促進剤を必須成分とするエポキシ樹脂組成
物において、（Ｃ）セラミック粉末が５０から３０００
０の誘電率を有し、全エポキシ樹脂組成物中に３０から
９０ｖｏｌ％で含まれることを特徴とするエポキシ樹脂
組成物、およびこれを用いて、その硬化物で半導体素子
を封止してなることを特徴とする半導体装置である。
ラミック粉末を含むエポキシ樹脂組成物が、高周波電気
特性に優れることを見いだし、更に、検討を進めて、本
発明を完成するに至った。即ち、本発明は、（（Ａ）エ
ポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）セラミック粉末、及
び（Ｄ）硬化促進剤を必須成分とするエポキシ樹脂組成
物において、（Ｃ）セラミック粉末が５０から３０００
０の誘電率を有し、全エポキシ樹脂組成物中に３０から
９０ｖｏｌ％で含まれることを特徴とするエポキシ樹脂
組成物、およびこれを用いて、その硬化物で半導体素子
を封止してなることを特徴とする半導体装置である。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明で用いるエポキシ樹脂は、
特に制限されるものではなく、例えば、クレゾールノボ
ラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹
脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、スチルベン型エ
ポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフタレン型
エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、
ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂、
フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ブロム含有型エ
ポキシ樹脂等が挙げられ、これらは単独でも混合して用
いても良いが、分子量が小さく、溶融時の粘度が低いも
のが好ましい。
特に制限されるものではなく、例えば、クレゾールノボ
ラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹
脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、スチルベン型エ
ポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフタレン型
エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、
ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂、
フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ブロム含有型エ
ポキシ樹脂等が挙げられ、これらは単独でも混合して用
いても良いが、分子量が小さく、溶融時の粘度が低いも
のが好ましい。
【００１１】本発明で用いる硬化剤は、エポキシ樹脂と
反応して硬化させるものであれば、特に制限されるもの
ではなく、例えば、フェノールノボラック樹脂、フェノ
ールアラルキル樹脂、ナフトールアラルキル樹脂、ビフ
ェニルアラルキル樹脂、テルペン変性フェノール樹脂、
ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂等のフェノー
ル樹脂、酸無水物、イミダゾール類等が挙げられ、これ
らは単独でも混合して用いても良い。これらの内、フェ
ノール樹脂は、分子量、軟化点、水酸基当量等に制限な
く使用することができるが、軟化点９０℃以下の比較的
低粘度のものが好ましい。
反応して硬化させるものであれば、特に制限されるもの
ではなく、例えば、フェノールノボラック樹脂、フェノ
ールアラルキル樹脂、ナフトールアラルキル樹脂、ビフ
ェニルアラルキル樹脂、テルペン変性フェノール樹脂、
ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂等のフェノー
ル樹脂、酸無水物、イミダゾール類等が挙げられ、これ
らは単独でも混合して用いても良い。これらの内、フェ
ノール樹脂は、分子量、軟化点、水酸基当量等に制限な
く使用することができるが、軟化点９０℃以下の比較的
低粘度のものが好ましい。
【００１２】本発明において、硬化剤の配合量として
は、全エポキシ樹脂のエポキシ基と全フェノール樹脂の
フェノール性水酸基との当量比が、好ましくは０．５〜
２．０、特に好ましくは０．７〜１．５である。前記範
囲を外れると、硬化性、耐湿信頼性等が低下する恐れが
ある。
は、全エポキシ樹脂のエポキシ基と全フェノール樹脂の
フェノール性水酸基との当量比が、好ましくは０．５〜
２．０、特に好ましくは０．７〜１．５である。前記範
囲を外れると、硬化性、耐湿信頼性等が低下する恐れが
ある。
【００１３】本発明で用いる硬化促進剤としては、エポ
キシ樹脂と硬化剤との硬化反応を促進するものであれば
良く、例えば、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）
ウンデセン−７等のアミン系化合物、トリフェニルホス
フィン、テトラフェニルホスフォニウム・テトラフェニ
ルボレート塩等の有機リン系化合物、２−メチルイミダ
ゾール等のイミダゾール化合物等が挙げられるが、これ
らに限定されるものではない。これらの硬化促進剤は、
単独でも併用しても差し支えない。
キシ樹脂と硬化剤との硬化反応を促進するものであれば
良く、例えば、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）
ウンデセン−７等のアミン系化合物、トリフェニルホス
フィン、テトラフェニルホスフォニウム・テトラフェニ
ルボレート塩等の有機リン系化合物、２−メチルイミダ
ゾール等のイミダゾール化合物等が挙げられるが、これ
らに限定されるものではない。これらの硬化促進剤は、
単独でも併用しても差し支えない。
【００１４】本発明において、硬化促進剤の配合量とし
ては、全エポキシ樹脂と全フェノール樹脂との合計量１
００重量部当たり、０．４〜２０重量部が好ましい。
０．４重量部未満だと、十分な硬化性が得られないおそ
れがあり、一方、２０重量部を越えると、硬化が速すぎ
て流動性の低下による充填不良等を生じるおそれがあ
る。
ては、全エポキシ樹脂と全フェノール樹脂との合計量１
００重量部当たり、０．４〜２０重量部が好ましい。
０．４重量部未満だと、十分な硬化性が得られないおそ
れがあり、一方、２０重量部を越えると、硬化が速すぎ
て流動性の低下による充填不良等を生じるおそれがあ
る。
【００１５】本発明で用いるセラミック粉末としては、
誘電率が、３０から３００００の範囲を有するものであ
り、得られる樹脂組成物の誘電率特性により選ばれる。
具体的な種類としては、酸化チタンやチタン酸バリウム
系セラミック、チタン酸ストロンチウム系セラミック、
チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）系セラミックなどが挙
げられ、チタン酸バリウムやチタン酸ジルコン亜鉛（Ｂ
ＺＴ）が好ましい。特に、チタン酸バリウム系セラミッ
クは、高い誘電率をもつので好ましい。また、これらの
セラミックは、あらかじめ１０００度以上の高温度で焼
成して高誘電率セラミックとしたものを粉砕すること
で、安定した高誘電率の粉末が得られるので好ましい。
誘電率が、３０から３００００の範囲を有するものであ
り、得られる樹脂組成物の誘電率特性により選ばれる。
具体的な種類としては、酸化チタンやチタン酸バリウム
系セラミック、チタン酸ストロンチウム系セラミック、
チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）系セラミックなどが挙
げられ、チタン酸バリウムやチタン酸ジルコン亜鉛（Ｂ
ＺＴ）が好ましい。特に、チタン酸バリウム系セラミッ
クは、高い誘電率をもつので好ましい。また、これらの
セラミックは、あらかじめ１０００度以上の高温度で焼
成して高誘電率セラミックとしたものを粉砕すること
で、安定した高誘電率の粉末が得られるので好ましい。
【００１６】セラミック粉末の粒径は、０．５μｍから
３０μｍが好ましい。前記上限値を越えると、薄型の半
導体装置の封止時に金型の間隙にセラミック粉末が詰る
など充填性に影響を及ぼす恐れがある。前記下限値を下
回ると、樹脂との混練時に粘度が高くなりすぎ、樹脂組
成物の流動性調整が困難になったり、また、得られた樹
脂組成物の溶融粘度も高くなると、成形時金型内での流
動性に影響を及ぼす恐れがある。
３０μｍが好ましい。前記上限値を越えると、薄型の半
導体装置の封止時に金型の間隙にセラミック粉末が詰る
など充填性に影響を及ぼす恐れがある。前記下限値を下
回ると、樹脂との混練時に粘度が高くなりすぎ、樹脂組
成物の流動性調整が困難になったり、また、得られた樹
脂組成物の溶融粘度も高くなると、成形時金型内での流
動性に影響を及ぼす恐れがある。
【００１７】セラミック粉末の形態は、球状に近い方が
流動性や混練性がよく、好ましい。セラミックの場合、
その結晶形態から、必ずしも球形にはならないものもあ
るが、磨砕などによって、角がとれたものであることが
好ましい。粒径は、一様であるよりも、大きさの異なる
ものが混合されたものの方が、高充填とすることがで
き、より高い誘電率の樹脂組成物を得るのに好ましい。
また、上記の粒径範囲で、３μｍ以下の粒径のセラミッ
ク粉末を、積極的に添加することによって、より均一な
誘電率を得ることが出来る。
流動性や混練性がよく、好ましい。セラミックの場合、
その結晶形態から、必ずしも球形にはならないものもあ
るが、磨砕などによって、角がとれたものであることが
好ましい。粒径は、一様であるよりも、大きさの異なる
ものが混合されたものの方が、高充填とすることがで
き、より高い誘電率の樹脂組成物を得るのに好ましい。
また、上記の粒径範囲で、３μｍ以下の粒径のセラミッ
ク粉末を、積極的に添加することによって、より均一な
誘電率を得ることが出来る。
【００１８】本発明において、セラミック粉末の含有量
としては、全エポキシ樹脂組成物中に出来るだけ多く含
有させる方が、高誘電率の樹脂組成物が得られ、３０ｖ
ｏｌ％以上９０ｖｏｌ％が必要である。前記下限値を下
回ると、樹脂組成物の誘電率が十分に高くならず、前記
上限値を上回ると、樹脂組成物の硬化物が脆くなった
り、成形性に影響を及ぼす。
としては、全エポキシ樹脂組成物中に出来るだけ多く含
有させる方が、高誘電率の樹脂組成物が得られ、３０ｖ
ｏｌ％以上９０ｖｏｌ％が必要である。前記下限値を下
回ると、樹脂組成物の誘電率が十分に高くならず、前記
上限値を上回ると、樹脂組成物の硬化物が脆くなった
り、成形性に影響を及ぼす。
【００１９】本発明のエポキシ樹脂組成物は、（Ａ）〜
（Ｄ）成分の他、必要に応じて、臭素化エポキシ樹脂、
酸化アンチモン、リン化合物、水酸化マグネシウム、水
酸化アルミニウム、硼酸化合物等の難燃剤類、酸化ビス
マス水和物等の無機イオン交換体、γ-グリシドキシプ
ロピルトリメトキシシラン等のカップリング剤、カーボ
ンブラック、ベンガラ等の着色剤、シリコーンオイル、
シリコーンゴム等の低応力化成分、天然ワックス、合成
ワックス、高級脂肪酸及びその金属塩類もしくはパラフ
ィン等の離型剤、酸化防止剤等の各種添加剤を配合する
ことができる。
（Ｄ）成分の他、必要に応じて、臭素化エポキシ樹脂、
酸化アンチモン、リン化合物、水酸化マグネシウム、水
酸化アルミニウム、硼酸化合物等の難燃剤類、酸化ビス
マス水和物等の無機イオン交換体、γ-グリシドキシプ
ロピルトリメトキシシラン等のカップリング剤、カーボ
ンブラック、ベンガラ等の着色剤、シリコーンオイル、
シリコーンゴム等の低応力化成分、天然ワックス、合成
ワックス、高級脂肪酸及びその金属塩類もしくはパラフ
ィン等の離型剤、酸化防止剤等の各種添加剤を配合する
ことができる。
【００２０】本発明のエポキシ樹脂組成物は、（Ａ）〜
（Ｄ）成分、及び、必要に応じて、その他の添加剤等を
ミキサー等を用いて常温混合し、ロール、ニーダー、押
出機等の混練機で溶融混練し、冷却後粉砕する一般的な
方法で得られる。
（Ｄ）成分、及び、必要に応じて、その他の添加剤等を
ミキサー等を用いて常温混合し、ロール、ニーダー、押
出機等の混練機で溶融混練し、冷却後粉砕する一般的な
方法で得られる。
【００２１】本発明のエポキシ樹脂組成物を用いて、半
導体素子等の電子部品を封止し、半導体装置を製造する
には、トランスファーモールド、コンプレッションモー
ルド、インジェクションモールド等の成形方法で、成形
硬化すればよい。この時の硬化温度は、１４０℃から１
８０℃程度の低温度でよく、セラミックの焼成温度のよ
うに、１０００℃以上の高温度を必要とせずに、半導体
装置を得ることができる。
導体素子等の電子部品を封止し、半導体装置を製造する
には、トランスファーモールド、コンプレッションモー
ルド、インジェクションモールド等の成形方法で、成形
硬化すればよい。この時の硬化温度は、１４０℃から１
８０℃程度の低温度でよく、セラミックの焼成温度のよ
うに、１０００℃以上の高温度を必要とせずに、半導体
装置を得ることができる。
【００２２】
【実施例】以下、実施例により本発明を更に詳しく説明
するが、本発明はこれらに限定されない。
するが、本発明はこれらに限定されない。
【００２３】
[実施例]
ビフェニル型エポキシ樹脂（油化シェルエポキシ製YX-4000） １５重量部
フェノールノボラック樹脂（住友デュレズ製PR51470） ８重量部
トリフェニルホスフィン ０．３５重量部
カルナバワックス ０．３重量部
セラミック粉末（富士チタン工業製チタン酸バリウムBT206：
平均粒径１２μｍ、誘電率２００００） ７７重量部
（４９ｖｏｌ％）
を、ミキサーを用いて混合した後、表面温度が９０度と
４５度の２本ロールを用いて混練し、冷却後粉砕してエ
ポキシ樹脂組成物を得た。得られたエポキシ樹脂組成物
の流動性と誘電率を評価した。尚、上記のセラミック粉
末充填量（ｖｏｌ％）は、各原料の比重と配合割合から
体積を計算して求めた。
４５度の２本ロールを用いて混練し、冷却後粉砕してエ
ポキシ樹脂組成物を得た。得られたエポキシ樹脂組成物
の流動性と誘電率を評価した。尚、上記のセラミック粉
末充填量（ｖｏｌ％）は、各原料の比重と配合割合から
体積を計算して求めた。
【００２４】[比較例]実施例で用いたセラミック粉末に
変えて、溶融球状シリカ粉末７７重量部を用いて実施例
と同様にして、エポキシ樹脂組成物を得て、評価を行っ
た。
変えて、溶融球状シリカ粉末７７重量部を用いて実施例
と同様にして、エポキシ樹脂組成物を得て、評価を行っ
た。
【００２５】[流動性／スパイラルフローの評価]上記で
得たエポキシ樹脂組成物を、ＥＭＭＩ−１−６６に準じ
たスパイラルフロー測定用の金型を用いて、金型温度１
７５度、注入圧力６．９ＭＰａ、硬化時間１２０秒で測
定した。
得たエポキシ樹脂組成物を、ＥＭＭＩ−１−６６に準じ
たスパイラルフロー測定用の金型を用いて、金型温度１
７５度、注入圧力６．９ＭＰａ、硬化時間１２０秒で測
定した。
【００２６】[誘電率測定]上記で得たエポキシ樹脂組成
物を、トランスファー成型機を用いて、金型温度１７５
度、注入圧力６．９ＭＰａ、硬化時間１８０秒で直径５
０ｍｍφ、厚さ３ｍｍのディスク状に成型し、１７５
度、２時間で後硬化し、インピーダンスアナライザー
（アジレント・テクノロジー（株）製RF Inpedance/Mat
erial anayzerHP4291B）によって１ＭＨｚから１ＧＨｚ
までの誘電率を測定した。それぞれの結果を表１に示
す。
物を、トランスファー成型機を用いて、金型温度１７５
度、注入圧力６．９ＭＰａ、硬化時間１８０秒で直径５
０ｍｍφ、厚さ３ｍｍのディスク状に成型し、１７５
度、２時間で後硬化し、インピーダンスアナライザー
（アジレント・テクノロジー（株）製RF Inpedance/Mat
erial anayzerHP4291B）によって１ＭＨｚから１ＧＨｚ
までの誘電率を測定した。それぞれの結果を表１に示
す。
【００２７】
【表１】
【００２８】
【発明の効果】本発明によれば、流動性に優れ、短時間
で硬化でき、高周波領域での誘電率が高いエポキシ樹脂
組成物、およびこれを用いた高周波電気特性に優れた半
導体装置が得られる。
で硬化でき、高周波領域での誘電率が高いエポキシ樹脂
組成物、およびこれを用いた高周波電気特性に優れた半
導体装置が得られる。
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フロントページの続き
Ｆターム(参考） 4J002 CC031 CC042 CC052 CC071
CD001 CD041 CD051 CD061
CD071 CD121 DM006 EL137
EU038 EU117 EU118 EW018
EW178 EY018 FD016 FD142
FD147 FD158 GJ02 GQ05
4M109 AA01 BA01 CA21 EA02 EB02
EB04 EB12 EC07
Claims (5)
- 【請求項1】 （Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、
（Ｃ）セラミック粉末、及び（Ｄ）硬化促進剤を必須成
分とするエポキシ樹脂組成物において、（Ｃ）セラミッ
ク粉末が、５０から３００００の誘電率を有し、全エポ
キシ樹脂組成物中に３０から９０ｖｏｌ％で含まれるこ
とを特徴とするエポキシ樹脂組成物。 - 【請求項２】 セラミック粉末が、０．５から３０μｍ
の平均粒径を有する請求項１の樹脂組成物。 - 【請求項３】 セラミック粉末が、チタン酸バリウムか
らなる請求項１または請求項２記載の樹脂組成物。 - 【請求項４】 セラミック粉末が、チタン酸ジルコン酸
鉛（ＰＺＴ）からなる請求項１または請求項２記載の樹
脂組成物。 - 【請求項５】 請求項１、２、３、または４記載のエポ
キシ樹脂組成物の硬化物により半導体素子を封止してな
ることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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2001
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