JP2003059281A5 - - Google Patents
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- 第1組の電極及び第2組の電極を有するクロスポイントメモリアレイをアドレス指定するためのアドレス指定回路であって、該第1組の各電極が該第2組の各電極の上方で交差し、及び該第1組及び第2組の電極の各交点に各メモリ素子が形成されるよう構成されている、アドレス指定回路であって、
第1組のアドレス線、及び該第1組のアドレス線と前記第1組の電極との間に接続された複数の第1のダイオード素子であって、前記第1組の各電極が、該第1のダイオード素子により、前記第1組のアドレス線の一意の各サブセットに接続される、第1組のアドレス線及び複数の第1のダイオード素子と、
第2組のアドレス線、及び該第2組のアドレス線と前記第2組の電極との間に接続された複数の第2のダイオード素子であって、前記第2組の各電極が、該第2のダイオード素子により、前記第2組のアドレス線の一意の各サブセットに接続される、第2組のアドレス線及び複数の第2のダイオード素子と
を含む、アドレス指定回路。 - 前記第1組及び第2組のアドレス線の選択されたサブセットに所定の電圧を印加するよう構成されたアドレス電圧印加回路と、該印加された電圧に起因して生じた前記アドレス線内の電流をセンスし、及び該センスされた電流に基づいて前記アレイ内のアドレス指定されたメモリ素子の2値状態を判定する、前記第1組及び第2組のアドレス線に接続されたセンス回路とを含む、請求項1に記載のアドレス指定回路。
- 前記第1組及び第2組のアドレス線と前記第1組及び第2組の電極とに接続されたメモリ書込回路を含み、該メモリ書込回路が、前記第1組及び第2組の電極に所定の書込電圧を印加し、及び前記第1組及び第2組のアドレス線の選択されたサブセットに選択電圧を印加するよう構成され、前記所定の書込電圧が、前記選択されたサブセットにより決定される前記アレイ内のアドレス指定されたメモリ素子の抵抗値の永久的な及び大きな変化を生じさせるのに十分な電圧である、請求項2に記載のアドレス指定回路。
- 前記第1のダイオード素子が、前記メモリアレイ電極及びアドレス線に対して前記第2のダイオード素子 (124) とは異なる向きに向けられる、請求項3に記載のアドレス指定回路。
- 前記第1のダイオード素子が、前記第1組の各メモリアレイ電極に接続されたアノードと、前記第1組の各アドレス線に接続されたカソードとを有し、前記第2のダイオード素子が、前記第2組の各メモリアレイ電極に接続されたカソードと、前記第2組の各アドレス線に接続されたアノードとを有する、請求項4に記載のアドレス指定回路。
- 前記クロスポイントメモリアレイが、前記第1組及び第2組の電極の交点に形成されたダイオードベースのメモリ素子のアレイを含み、前記電極の端部が、それぞれの抵抗素子を介して電源接続に接続される、請求項5に記載のアドレス指定回路。
- 前記クロスポイントアレイの一部に電源を選択的に供給することが可能となるように前記電源接続が複数の電源ストライピンググループに構成される、請求項6に記載のアドレス指定回路。
- 請求項1に記載のクロスポイントダイオードメモリアレイ及びアドレス指定回路を含む集積回路。
- 前記クロスポイントダイオードメモリアレイ及び前記アドレス指定回路が同じ製造プロ セスで形成される、請求項8に記載の集積回路。
- メモリ回路であって、
第1組の横断電極及び第2組の横断電極を有し、該第1組及び第2組の電極の交点に各メモリ素子が形成される、クロスポイントメモリアレイであって、前記各メモリ素子が、その2値状態のうちの少なくとも1つの状態でダイオード素子を含む、クロスポイントメモリアレイと、
アドレス指定回路とを含み、該アドレス指定回路が、
第1組のアドレス線であって、該第1組のアドレス線と前記第1組のメモリアレイ電極との間に第1のダイオード接続を有しており、該第1のダイオード接続が、前記第1組のメモリアレイ電極の各々を前記第1組のアドレス線の一意の各サブセットに接続する、第1組のアドレス線と、
第2組のアドレス線であって、該第2組のアドレス線と前記第2組のメモリアレイ電極との間に第2のダイオード接続を有しており、該第2のダイオード接続が、前記第2組のメモリアレイ電極の各々を前記第2組のアドレス線の一意の各サブセットに接続する、第2組のアドレス線と、
前記第1組及び第2組のアドレス線の選択されたサブセットに所定の電圧を印加するよう構成された読出/書込回路であって、該印加した電圧に起因する前記アドレス線内の電流をセンスし、及び該センスした電流に基づいて前記アレイ内のアドレス指定されたメモリ素子の2値状態を判定する、前記第1組及び第2組のアドレス線に接続されたセンス回路を含む、読出/書込回路と
を含む、メモリ回路。 - 前記読出/書込回路が更に、前記第1組及び第2組のアドレス線と前記第1組及び第2組の電極とに接続されたメモリ書込回路を含み、該メモリ書込回路が、前記第1組及び第2組の電極に所定の書込電圧を印加し、及び前記第1組及び第2組のアドレス線の選択されたサブセットに選択電圧を印加するよう構成され、前記所定の書込電圧が、前記選択されたサブセットにより決定される前記アレイ内のアドレス指定されたメモリ素子の抵抗値の永久的な及び大きな変化を生じさせるのに十分な電圧である、請求項10に記載のメモリ回路。
- 前記第1のダイオード接続の前記ダイオード素子が、前記メモリアレイ電極及びアドレス線に対して前記第2のダイオード接続の前記ダイオード素子とは異なる向きに向けられる、請求項11に記載のメモリ回路。
- 前記メモリアレイ電極の端部が、各抵抗素子を介して電源接続に接続され、該電源接続が、前記クロスポイントアレイの一部に電源を選択的に供給することを可能にするよう複数の電源ストライピンググループに構成される、請求項11に記載のメモリ回路。
- 前記第1のダイオード接続が、前記第1のアドレス線と前記第1のメモリアレイ電極との交点に形成され、前記第2のダイオード接続が、前記第2のアドレス線と前記第2のメモリアレイ電極との交点に形成される、請求項11に記載のメモリ回路。
- 請求項11に記載の少なくとも1つのメモリ回路を有する集積回路。
- 前記メモリアレイ及びアドレス指定回路が同じ製造プロセスで形成される、請求項15に記載の集積回路。
- 誘電体基板表面上に形成される、請求項15に記載の集積回路。
- 第1組及び第2組のアドレス線により第1組及び第2組の電極を有するクロスポイントメモリアレイからデータを読み出すための方法であって、
前記第1組のアドレス線と前記第1組のメモリアレイ電極との間に第1のダイオード接続を形成し、該第1のダイオード接続が、前記第1組の各メモリアレイ電極を前記第1組のアドレス線の一意の各サブセットに接続し、
前記第2組のアドレス線と前記第2組のメモリアレイ電極との間に第2のダイオード接続を形成し、該第2のダイオード接続が、前記第2組の各メモリアレイ電極を前記第2組のアドレス線の一意の各サブセットに接続し、
前記第1組及び第2組のアドレス線の選択されたサブセットに所定の電圧を印加し、該印加した電圧に起因する前記アドレス線内の電流をセンスし、該センスした電流に基づいて前記アレイ内のアドレス指定されたメモリ素子の2値状態を判定する、
という各ステップを含む方法。 - 第1組及び第2組のアドレス線により第1組及び第2組の電極を有するクロスポイントメモリアレイにデータを書き込むための方法であって、
前記第1組のアドレス線と前記第1組のメモリアレイ電極との間に第1のダイオード接続を形成し、該第1のダイオード接続が、前記第1組の各メモリアレイ電極を前記第1組のアドレス線の一意の各サブセットに接続し、
前記第2組のアドレス線と前記第2組のメモリアレイ電極との間に第2のダイオード接続を形成し、該第2のダイオード接続が、前記第2組の各メモリアレイ電極を前記第2組のアドレス線の一意の各サブセットに接続し、
前記第1組及び第2組の電極に所定の書込電圧を印加し、及び前記第1組及び第2組のアドレス線の選択されたサブセットに選択電圧を印加し、前記所定の書込電圧が、前記選択されたサブセットにより決定される前記アレイ内のアドレス指定されたメモリ素子の抵抗値の永久的な及び大きな変化を生じさせるのに十分な電圧である、
という各ステップを含む方法。
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