JP2003045785A - ステージ装置及び露光装置、並びにデバイス製造方法 - Google Patents

ステージ装置及び露光装置、並びにデバイス製造方法

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JP2003045785A
JP2003045785A JP2001233216A JP2001233216A JP2003045785A JP 2003045785 A JP2003045785 A JP 2003045785A JP 2001233216 A JP2001233216 A JP 2001233216A JP 2001233216 A JP2001233216 A JP 2001233216A JP 2003045785 A JP2003045785 A JP 2003045785A
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stage
reticle
thrust
movement stage
wafer
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JP2001233216A
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Takechika Nishi
健爾 西
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Original Assignee
Nikon Corp
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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高効率なステージ駆動を実現する。 【解決手段】 粗動ステージ34がリニアモータ69に
より加速(及び減速)されるときに、ガスフロー装置7
3から微動ステージ32に対して加速(減速)方向の推
力を与えることで、微動ステージに作用する粗動ステー
ジの駆動による反力を抑制する。これにより微動ステー
ジを駆動するボイスコイルモータ71A〜71Cが従来
のボイスコイルモータのような大きな推力を発生しなく
ても両ステージを所定の位置関係に維持することができ
る。すなわちボイスコイルモータは微動ステージを僅か
に駆動する推力のみを発生すれば良いので、従来のボイ
スコイルモータ等に比べ、要求される推力は非常に小さ
い。従って、粗動ステージを高加速度化する場合であっ
ても、ボイスコイルモータの小型化ひいてはステージ全
体の小型、軽量化が可能で、効率的なステージ駆動が可
能である。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、ステージ装置及び
露光装置、並びにデバイス製造方法に係り、さらに詳し
くは、マスクと基板とを同期移動してマスクのパターン
を基板上に転写する走査型露光装置に用いて好適なステ
ージ装置及び該ステージ装置を備える露光装置、並びに
該露光装置を用いるデバイス製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体素子、液晶表示素子等を製造する
リソグラフィ工程では、近時における半導体素子等の高
集積化、ウエハ等の基板やマスクあるいはレチクル(以
下、「レチクル」と総称する)の大型化などに伴い、レ
チクルと基板とを所定の走査方向(スキャン方向)に沿
って同期移動しつつ、レチクルのパターンを投影光学系
を介して基板上に逐次転写する、ステップ・アンド・ス
キャン方式の走査型露光装置(いわゆるスキャニング・
ステッパ)などの走査型露光装置が、今や主流となりつ
つある。
【0003】走査型露光装置では、基板(ウエハ)を駆
動する基板側のステージ装置に加え、レチクル側にも、
レチクルを駆動するステージ装置が必要である。最近の
走査型露光装置では、リニアモータによって走査方向に
所定ストローク範囲で駆動されるレチクル粗動ステージ
と、該レチクル粗動ステージに対して、スキャン方向及
び非スキャン方向及びヨーイング方向にボイスコイルモ
ータ等によって微少駆動されるレチクル微動ステージと
を有する粗微動構造のレチクルステージ装置が比較的多
く用いられている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】最近、半導体露光装置
に対する高スループット化の要求は、ますます厳しくな
り、これに対応するためにはレチクルステージや基板ス
テージの更なる高加速度化が必要である。
【0005】しかるに、例えばレチクル微動ステージを
レチクル粗動ステージに対して前述のボイスコイルモー
タを用いて駆動する場合には、レチクル粗動ステージの
高加速時(減速時を含む)にレチクル微動ステージに対
して作用する反力に耐える推力をボイスコイルモータで
発生する必要がある。このため、ボイスコイルモータを
大型化する必要があり、ボイスコイルモータ自体の重量
増加、ひいてはレチクル微動ステージ、レチクルステー
ジ全体の重量が必然的に大きくなってしまっていた。こ
の結果、最近では、レチクルステージ(レチクル粗動ス
テージ及びボイスコイルモータ等の全体)を駆動するリ
ニアモータの消費電力が非常に大きくなっており、許容
できない状況となりつつある。
【0006】また、軽量化の観点からレチクル微動ステ
ージを電磁石と鉄板等の磁性体部材から成る機構を用い
て制御する制御方法も提案されているが、制御ストロー
クが小さく、またその制御も難しい。
【0007】本発明は、かかる従来技術の有する不都合
に鑑みてなされたものであり、その第1の目的は、小型
軽量化及び消費電力の低減を同時に実現することができ
るステージ装置を提供することにある。
【0008】本発明の第2の目的は、露光の際のスルー
プットの向上を図ることができる露光装置を提供するこ
とにある。
【0009】本発明の第3の目的は、微細パターンが形
成された高集積度のマイクロデバイスの生産性を向上す
ることが可能なデバイス製造方法を提供することにあ
る。
【0010】
【課題を解決するための手段】請求項1に記載の発明
は、所定の移動面に沿って第1軸方向に移動可能な第1
ステージ(34)と;前記第1ステージを前記第1軸方
向に駆動する第1駆動装置(69)と;前記第1ステー
ジに一部が接続され、物体(R)が載置される第2ステ
ージ(32)を少なくとも前記第1軸方向に駆動する第
2駆動装置(71A〜71C)と;前記第1ステージの
加速時と減速時との少なくとも一方の間に、前記第2ス
テージに対して前記第1軸方向に沿った推力を発生する
推力発生装置(73,73’)と;を備えるステージ装
置である。
【0011】これによれば、第1ステージは第1駆動装
置により、所定の移動面に沿って第1軸方向に駆動可能
であり、また、物体が載置される第2ステージは、第1
ステージにその一部が接続された第2駆動装置により、
少なくとも第1軸方向に駆動可能である。さらに、第1
ステージの加速時と減速時との少なくとも一方の間に、
第2ステージに対して第1軸方向に沿った推力を発生す
る推力発生装置を備えている。このため、第1駆動装置
による第1ステージの加速時(及び減速時)にはその第
1ステージの駆動による反力が第2ステージに作用する
が、推力発生装置により第2ステージに対して反力を抑
制する前記第1軸方向に沿った推力を発生することによ
り、第2ステージと第1ステージとを所定の位置関係に
維持することが可能である。このため、第2駆動装置に
は、従来のボイスコイルモータのように反力の作用を抑
制できるだけの大きな推力の発生は必要とされず、第2
ステージを所定の位置関係から僅かに第1軸方向に駆動
する推力の発生が必要とされるのみである。従って、従
来のボイスコイルモータ等に比べて第2駆動装置に要求
される推力は小さいので、物体を高加速度で駆動するた
め第1ステージを高加速度化する場合においても、第2
駆動装置の小型化、ひいてはステージ全体の小型、軽量
化が可能となり、第1駆動装置の消費電力の低減が可能
となる。
【0012】この場合において、請求項2に記載のステ
ージ装置の如く、前記第1ステージを移動させている間
に、前記第2駆動装置と前記推力発生装置とを併用して
前記第2ステージを駆動する駆動制御装置(99)を備
えることとすることができる。
【0013】また、上記請求項1及び2に記載の各ステ
ージ装置において、請求項3に記載のステージ装置の如
く、前記推力発生装置は、前記第2ステージの重心点に
その推力の作用点が設定されていることとすることがで
きる。
【0014】上記請求項1〜3に記載の各ステージ装置
において、請求項4に記載のステージ装置の如く、前記
推力発生装置は、前記第2ステージに接続された第1部
材(81,81’)と、前記第1ステージに接続され、
前記第1軸方向に所定間隔を隔てて配置された一対の第
2部材(79A,79B,79A’,79B’)とを有
し、前記第1部材と前記一対の第2部材の一方とにより
前記推力を発生することとすることができる。
【0015】この場合において、請求項5に記載のステ
ージ装置の如く、前記第2ステージは、前記第1ステー
ジの加速開始時に前記第1ステージの移動方向に関して
オフセットされて位置決めされていることとすることが
できる。
【0016】上記請求項4及び5に記載の各ステージ装
置において、推力発生装置としては様々な機構を採用す
ることができるが、請求項6に記載のステージ装置の如
く、前記第1部材及び前記一対の第2部材の一方が、他
方の部材の対向面に加圧気体を噴出する気体噴出機構
(79A,79B)を有することとしても良いし、請求
項7に記載のステージ装置の如く、前記第1部材及び前
記一対の第2部材の一方が、電磁石(79A’,79
B’)を有する電磁石ユニット(75A’)であり、他
方が前記電磁石ユニットが発生する磁気的吸引力によっ
て吸引される磁性体(81’)を有する磁性体ユニット
(75B’)であることとしても良い。
【0017】請求項8に記載の発明は、マスク(R)と
基板(W1,W2)とを同期移動して前記マスクのパタ
ーンを前記基板上に転写する露光装置であって、前記物
体として前記マスク及び前記基板の一方が前記第2ステ
ージに載置される請求項1〜7のいずれか一項に記載の
ステージ装置と;前記マスク及び基板の他方が載置され
る第3ステージ(WST1,WST2)と;前記パター
ンの転写に際して、前記マスクと前記基板とが並行して
前記第1軸方向に関して加速状態、等速同期移動状態、
及び減速状態に順次遷移するように、前記ステージ装置
と前記第3ステージとを制御する制御装置と;を備える
ことを特徴とする露光装置である。
【0018】これによれば、マスクのパターンを基板上
に転写するに際し、制御装置により、マスクと基板とが
並行して第1軸方向に関して加速状態、等速同期移動状
態、及び減速状態に順次遷移するように、物体としてマ
スク及び基板の一方が第2ステージに載置される請求項
1〜7のいずれか一項に記載のステージ装置と、マスク
及び基板の他方が載置される第3ステージとが制御され
る。このため、走査露光方式によりマスクのパターンを
基板上に転写することができる。ここで、請求項1〜7
に記載の各ステージ装置では、第2ステージに載置され
る物体(マスク及び基板の一方)を第1ステージを介し
て高加速度で駆動する場合においても、第2駆動装置の
小型化、ひいてはステージ装置全体の小型、軽量化が可
能となり、第1駆動装置の消費電力の低減が可能とな
る。従って、無理なく第1ステージの高加速度化を実現
できるので、走査露光時間の短縮によるスループットの
向上が可能となる。また、ステージ装置全体の小型化に
より物体の位置制御性の向上が期待され、結果的にマス
クと基板との位置合わせ精度の向上による露光精度の向
上も期待される。
【0019】この場合において、請求項9に記載の露光
装置の如く、前記第2ステージの前記第1軸方向の位置
を計測する位置計測装置(66X,66Y1、66Y2
を更に備え、前記制御装置は、前記位置計測装置の出力
と制御目標値とに基づいて、前記推力発生装置の発生推
力及び前記第2駆動装置の前記第1軸方向の発生推力の
重みを変化させることとしても良い。あるいは、請求項
10に記載の露光装置の如く、前記第1ステージと前記
第2ステージとの間隔を計測する間隔計測センサを更に
備え、前記制御装置は、前記間隔計測センサの出力と制
御目標値とに基づいて、前記推力発生装置の発生推力及
び前記第2駆動装置の前記第1軸方向の発生推力の重み
を変化させることとしても良い。
【0020】請求項11に記載の発明は、リソグラフィ
工程を含むデバイス製造方法であって、前記リソグラフ
ィ工程において、請求項8〜10のいずれか一項に記載
の露光装置を用いて露光を行うことを特徴とする。
【0021】
【発明の実施の形態】《第1の実施形態》以下、本発明
の第1の実施形態を図1〜図7に基づいて説明する。図
1には、第1の実施形態に係る露光装置10の構成が一
部断面して概略的に示されている。
【0022】露光装置10は、マスク(物体)としての
レチクルRと基板としてのウエハW1、W2とを一次元
方向(ここでは、図1における紙面内左右方向であるY
軸方向とする)に同期移動しつつ、レチクルRに形成さ
れた回路パターンを投影光学系PLを介してウエハW1
(又はW2)上の各ショット領域に転写する、ステップ
・アンド・スキャン方式の走査型露光装置、すなわちい
わゆるスキャニング・ステッパである。
【0023】露光装置10は、クリーンルームの床面F
上に配置された露光用光源(以下、単に「光源」と呼
ぶ)11、該光源11のY軸方向一側(−Y側)に配置
された露光装置本体10A、光源11と露光装置本体1
0Aを構成する照明光学系IOPとを接続する引き回し
光学系、該露光装置本体10Aの−Y側に隣接して配置
されたローダチャンバ57、及びローダチャンバ57と
接続され、露光装置本体10Aの+X側(図1における
紙面手前側)に配置されたウエハローダチャンバ61
(図1中に仮想線にて示されている)等を備えている。
ここで、引き回し光学系の内部には、ビーム・マッチン
グ・ユニット(BMU)と呼ばれる光軸調整用の光学系
が収容されているので、以下においては引き回し光学系
を「引き回し光学系BMU」と記述するものとする。
【0024】前記光源11としては、例えばKrFエキ
シマレーザ(波長248nm)やArFエキシマレーザ
(波長193nm)、あるいはF2レーザ(波長157
nm)等のパルス紫外光を出力するパルスレーザ光源が
用いられる。この光源11には、光源制御装置107
(図1では不図示、図5参照)が接続されており、主制
御装置99(図1では不図示、図5参照)からの指示の
下、光源制御装置107によって光源11から射出され
るパルス紫外光の発振中心波長の制御、パルス発振のト
リガ制御、レーザチャンバ内のガスの制御等が行われる
ようになっている。
【0025】前記引き回し光学系BMUは、本実施形態
では、図1からも明らかなように、床上配置となってい
るが、床面F下方の床下にその大部分を配置することも
可能である。
【0026】ローダチャンバ57は、筐体157と、該
筐体157内の下半部に設けられた不図示のウエハ受け
渡し部と、筐体157内の上半部に設けられた不図示の
レチクルローダ系とを備えている。
【0027】筐体157内の前記ウエハ受け渡し部で
は、前述したウエハローダ部61内の不図示のウエハロ
ーダとの間でウエハの授受が行われる。また、ウエハロ
ーダは、露光装置本体10A内の後述するウエハステー
ジWST1、WST2との間でウエハの授受を行う。
【0028】一方、筐体157内の前記レチクルローダ
系は、ローダチャンバ57とレチクルステージRSTと
の間に設けられた不図示のレチクル回転受け渡し部を介
して、レチクルステージRSTへのレチクルのロード及
びレチクルのアンロードを行う。
【0029】ローダチャンバ57の−Y側(ウエハロー
ダ部61と反対側)の下端部には、インタフェース部3
1が設けられている。このインタフェース部31には、
ウエハ搬送系がその内部に収容されており、不図示のコ
ータ・デベロッパ(C/D)とローダチャンバ57内の
前記ウエハ受け渡し部との間のウエハの搬送を行う。
【0030】露光装置本体10Aは、光源11からの照
明光によりレチクルRを照明する照明光学系IOP、レ
チクルRを保持するレチクルステージRST、レチクル
Rから射出される照明光ILをウエハW1、W2上に投
射する投影光学系PL、ウエハW1,W2をそれぞれ保
持する第3ステージとしてのウエハステージWST1,
WST2、及びレチクルステージRST及びウエハステ
ージWST1,WST2をそれぞれ移動可能に支持する
とともに、投影光学系PL等を保持する本体コラムBD
等を備えている。
【0031】前記照明光学系IOPは、床面F上に設置
されたベースプレートBPの+Y側端部の上面に設けら
れた上下方向(Z軸方向)に延びる第1照明ユニット4
4と、該第1照明ユニット44の上方にほぼ水平に配設
された第2照明ユニット46とを備えている。
【0032】前記第1照明ユニット44は、第1照明ハ
ウジング160と、この内部に所定の位置関係で配置さ
れたビーム整形光学系、照度分布均一化用のオプティカ
ル・インテグレータ(ユニフォマイザ、又はホモジナイ
ザ)、光量モニタ、可変開口絞り、及びリレーレンズ系
等(いずれも不図示)から成る第1部分照明光学系とを
備えている。この第1部分照明光学系の射出面は、レチ
クルRのパターン面(以下、適宜「レチクル面」とも呼
ぶ)とほぼ共役であり、この射出面には可動レチクルブ
ラインド48が配置され、該可動レチクルブラインド4
8の入射面側の近傍の面(レチクル面との共役面から僅
かにデフォーカスした面)に、照明領域での照度分布を
補正するための照度分布補正フィルタ50が配置されて
いる。
【0033】前記可動レチクルブラインド48は、ウエ
ハ上の各ショット領域への走査露光の開始時及び終了時
に主制御装置99(図5参照)の指示の下、ブラインド
駆動装置105(図1では不図示、図5参照)により開
閉制御され、照明領域を更に制限することにより、回路
パターンが形成されたパターン領域以外の余分な領域に
照明光(露光光)が照射されるのを防止するようになっ
ている。
【0034】前記第2照明ユニット46は、第2照明系
ハウジング162と、その内部に所定の位置関係で配置
されたリレーレンズ系、光路折り曲げ用ミラー、コンデ
ンサレンズ系等から成る第2部分照明光学系とを備えて
いる。なお、この第2照明ユニット46は、前記本体コ
ラムBDを構成する後述するレチクルステージベース3
0の上面に固定された上下方向に伸びる照明系支持部材
54によって支持されている。
【0035】本実施形態では、図1に示されるように、
固定レチクルブラインド52は、レチクルRのアライメ
ントを行うためのレチクルアライメント部62の底面に
固定されている。すなわち、固定レチクルブラインド5
2は、レチクルRに近接した上面、すなわちレチクル面
から所定量だけデフォーカスした面に配置されている。
固定レチクルブラインド52には、レチクル面での照明
領域を走査方向に直交する非走査方向に細長いスリット
状の領域に規定するための開口が形成されている。な
お、固定レチクルブラインド52を、レチクル面との共
役面との近傍、例えば可動レチクルブラインド48の設
置面の近傍に配置しても良い。
【0036】上述の照明系によると、光源11から射出
されたレーザビームは、引き回し光学系BMUを介して
第1照明ユニット44内に入射する。そして、このレー
ザビームは、第1照明ユニット44内部の第1部分照明
光学系を通過する際に、断面形状が整形されるとともに
照度分布がほぼ均一な照明光(露光光)ILとなって、
可動レチクルブラインド48の開口を通過する。この可
動レチクルブラインド48を通過した照明光ILは、第
2照明ユニット46内に入射し、該照明ユニット46内
部の第2部分照明光学系を通過して固定レチクルブライ
ンド52をほぼ均一な照度分布で照明する。そして、こ
の固定レチクルブラインド52の開口を通過した照明光
ILがレチクルR上の前記固定レチクルブラインド52
によって規定された照明領域をほぼ均一な照度で照明す
る。
【0037】前記本体コラムBDは、クリーンルームの
床面F上に水平に載置された矩形板状のベースプレート
BP、該ベースプレートBP上面の4つのコーナー部分
に設けられた上下方向に所定の長さで伸びる4本の第1
支柱14(但し、図1の紙面手前側に位置する2本の第
1支柱については不図示)、これらの第1支柱14によ
り第1防振ユニット16(但し、図1の紙面手前側の2
つの第1防振ユニットについては不図示)をそれぞれ介
して4点で支持された第1架台ST1、該第1架台ST
1上に配置された4つの第2防振ユニット24(但し、
図1の紙面手前側に位置する2つの第2防振ユニットに
ついては不図示)により4点で支持された第2架台ST
2、及び第1架台ST1の下方に吊り下げ支持された第
3架台ST3等を備えている。このうち、ベースプレー
トBPと4本の第1支柱14とによってフレームキャス
タFCが構成されている。
【0038】前記第1架台ST1は、その底板部を構成
するベースフレーム18と、このベースフレーム18上
面の図1の紙面奥側に位置する2つのコーナー近傍にそ
れぞれ固定された上下方向に延びる2本の第2支柱20
A,20Bと、これら2本の第2支柱20A,20Bに
よりほぼ水平に支持された矩形板状のY軸固定子支持板
60とを備えている。
【0039】前記ベースフレーム18は、その中央部に
矩形の開口18aが形成された矩形枠状の板部材から成
り、その底面の4つのコーナー近傍にて、前述した第1
防振ユニット16によりほぼ水平に支持されている。こ
れらの第1防振ユニット16のそれぞれは、第1支柱1
4の上部に直列(又は並列)に配置されたエアダンパ又
は油圧式のダンパ等の大重量に耐える機械式のダンパ
と、ボイスコイルモータ等の電磁式のアクチュエータよ
り成る電磁式のダンパとを含んで構成されている。そし
て、ベースフレーム18の上面の水平面に対する傾斜角
が第1変位センサ109(図1では不図示、図5参照)
によって検出され、この第1変位センサ109の検出値
に基づいて、主制御装置99(図5参照)により、前記
の傾斜角が許容範囲内に収まるように、4つの第1防振
ユニット16を構成する電磁式のダンパが駆動され、必
要に応じて機械式のダンパの空気圧又は油圧等が制御さ
れる。この場合、機械式のダンパによって、床からの高
い周波数の振動は露光装置本体10Aに伝わる前に減衰
され、残存している低い周波数の振動は電磁的なダンパ
によって減衰される。上記の変位センサとしては、例え
ば、ベースフレーム18に取り付けられた電気式の水準
器、又は光学式の傾斜角検出器等を用いることができ
る。
【0040】前記Y軸固定子支持板60は、上方から見
て矩形の板部材から構成され、その上面には後述するY
軸固定子が配置されている。
【0041】前記第2架台ST2は、ベースフレーム1
8の上面に配置された4つの第2防振ユニット24によ
って下方から4点で支持された投影光学系支持部材26
と、該投影光学系支持部材26の上面の第2防振ユニッ
ト24にそれぞれ対向する位置にそれぞれ固定された上
下方向に所定長さで伸びる4本の第3支柱28A,28
B,28C,28D(但し、図1における紙面手前側に
位置する第3支柱28C,28Dについては不図示、図
3参照)と、これら4本の第3支柱28A〜28Dによ
りほぼ水平に支持されたレチクルステージベース30と
を備えている。
【0042】前記投影光学系支持部材26は、上端部に
フランジ部が形成された筒状の部材によって構成されて
いる。この投影光学系支持部材26の中央には、平面視
(上から見て)円形の段付き開口26aが上下方向(Z
軸方向)に連通して形成されている。この段付き開口2
6aには、前記投影光学系PLが上方から挿入され、投
影光学系PLはその高さ方向の中央やや上方に設けられ
たフランジFLGを介して投影光学系支持部材26によ
って支持されている。
【0043】また、投影光学系支持部材26には、段つ
き開口26a以外にも、上下方向(Z軸方向)に複数の
貫通孔が設けられており、該貫通孔には、各種検出系を
構成する複数の鏡筒が挿入されている。なお、これら検
出系については後に詳述する。
【0044】前記第2防振ユニット24のそれぞれは、
前述した第1防振ユニット16と同様の構成となってい
る(但し、耐荷重性は第1防振ユニット16よりも低く
設定されている)。そして、投影光学系支持部材26上
面又はレチクルステージベース30上面の水平面に対す
る傾斜角が第2変位センサ111(図1では不図示、図
5参照)によって検出され、この第2変位センサ111
の検出値に基づいて、主制御装置99(図5参照)によ
り、前記傾斜角が許容範囲内に収まるように、4つの第
2防振ユニット24が制御される。上記の変位センサと
しては、例えば、投影光学系支持部材26又はレチクル
ステージベース30に取り付けられた電気式の水準器、
又は光学式の傾斜角検出器等を用いることができる。
【0045】前記レチクルステージベース30は、図3
に示されるように、平面視(上方から見て)矩形の板部
材から構成されており、その中央部には照明光ILを通
過させるための開口30a(図3では不図示、図1参
照)が形成されている。このレチクルステージベース3
0上面のX軸方向両端部にはY軸方向に沿ってエアガイ
ド92A,92Bが延設されている。これらエアガイド
92A,92Bの上面は平坦度の極めて良好なガイド面
に加工されている。
【0046】前記レチクルステージRSTは、レチクル
ステージベース30の上面に気体静圧軸受け90を介し
て浮上支持され、レチクルRを真空吸着等によって保持
する第2ステージとしてのレチクル微動ステージ32
と、該レチクル微動ステージ32と一体で走査方向であ
るY軸方向に所定ストロークで移動する第1ステージと
してのレチクル粗動ステージ34とを備えている。な
お、図1では、レチクル微動ステージ32とレチクル粗
動ステージ34とが1つのレチクルステージRSTとし
て示されている。
【0047】また、レチクルステージベース30には、
レチクル微動ステージ32の位置を計測する位置計測装
置としてのレチクルY軸干渉計66Y1、66Y2、レチ
クルX軸干渉計66Xが設けられており、これらの干渉
計によってレチクル微動ステージ32の2次元的な位置
及び回転角が高精度に計測され、この計測結果に基づい
て主制御装置99(図5参照)は、レチクル微動ステー
ジ32の位置及び速度を制御する。なお、図1では、計
3つの干渉計が代表してレチクル干渉計66として示さ
れている。
【0048】また、図3では不図示であるが各レチクル
干渉計66X,66Y1、66Y2に対応して、計測の基
準となる固定鏡がそれぞれ投影光学系PLの鏡筒の側面
に設けられている。これら固定鏡が、図1では代表的に
固定鏡Mrとして示されている。なお、レチクル干渉計
については更に後述する。
【0049】更に、前記本体コラムBDを構成するY軸
固定子支持板60の上方には、図3に示されるように、
レチクル粗動ステージ34をY軸方向に駆動するための
リニアモータの固定子であって、駆動時に発生する反力
をキャンセルするためにY軸方向に沿ってレチクル粗動
ステージ34とは反対方向に移動するカウンタマスとし
ての機能を有するY軸固定子74が配置されている。な
お、レチクルステージRST及びこの周辺の各部の構成
等については更に後述する。
【0050】図1に戻り、前記投影光学系PLとして
は、物体面側(レチクル側)と像面側(ウエハ側)の両
方がテレセントリックで1/4(又は1/5)縮小倍率
の縮小系が用いられている。このため、レチクルRに照
明光学系IOPから照明光(紫外パルス光)ILが照射
されると、レチクルR上に形成された回路パターン領域
のうちの紫外パルス光によって照明された部分からの結
像光束が投影光学系PLに入射し、その回路パターンの
部分倒立像が紫外パルス光の各パルス照射の度に投影光
学系PLの像面側の視野の中央にX軸方向に細長いスリ
ット状又は矩形状(多角形)に制限されて結像される。
これにより、投影された回路パターンの部分倒立像は、
投影光学系PLの結像面に配置されたウエハW1(又は
ウエハW2)上の複数のショット領域のうちの1つのシ
ョット領域表面のレジスト層に縮小転写される。
【0051】投影光学系PLとして、光源としてArF
エキシマレーザ光源を用いる場合には、屈折光学素子
(レンズ素子)のみから成る屈折系が主として用いられ
るが、F2レーザ光源等を用いる場合には、例えば特開
平3−282527号公報に開示されるような、屈折光
学素子と反射光学素子(凹面鏡やビームスプリッタ等)
とを組み合わせたいわゆるカタディオプトリック系(反
射屈折系)、あるいは反射光学素子のみから成る反射光
学系が主として用いられる。但し、F2レーザ光源を用
いる場合に、屈折系を用いることは可能である。
【0052】前記第3架台ST3は、投影光学系PLの
下方にベースプレートBPにほぼ平行に配置されたステ
ージベースSBと、該ステージベースSBをベースフレ
ーム18の底面に吊り下げ支持する4本のベース支持部
材42(但し、紙面手前側に位置する2つのベース支持
部材は不図示)とを有している。ステージベースSBの
上面の上方に不図示の非接触ベアリング、例えば気体静
圧軸受けを介して前記ウエハステージWST1,WST
2が浮上支持されている。
【0053】ウエハステージWST1,WST2は、そ
れぞれ、例えばリニアモータ等より構成されるウエハス
テージ駆動系70(図5参照)により駆動され、Y軸方
向に連続移動するとともに、X軸方向及びY軸方向にス
テップ移動する。
【0054】さらに、ウエハステージWST1,WST
2の内部には、ウエハW1,W2のレベリング及びフォ
ーカシングをそれぞれ行うためにウエハW1,W2をZ
軸方向、θx方向(X軸回りの回転方向)、及びθy方
向(Y軸回りの回転方向)の3自由度方向に微小駆動す
るための試料台(不図示)がそれぞれ組み込まれてい
る。また、これらウエハステージWST1,WST2の
近傍には、各ステージを駆動する際に生じる反力をキャ
ンセルするためのカウンタマス機構(不図示)が設けら
れている。
【0055】本実施形態の露光装置本体10Aでは、照
明光ILのもとで、レチクルRの照明領域内のパターン
の像が、投影光学系PLを介して投影倍率β(βは、1
/4倍又は1/5倍等)で表面にレジストが塗布された
ウエハW1(又はW2)上のスリット状の露光領域(前
記照明領域に共役な領域)に投影される。この状態でレ
チクルRとウエハW1(又はW2)とを同期して所定の
走査方向(Y軸方向)に移動することで、ウエハW1
(又はW2)上の一つのショット領域にレチクルRのパ
ターンが転写される。
【0056】次に、図1の投影光学系支持部材26の近
傍を拡大して示す図2に基づいて、ウエハステージWS
T1、WST2近傍に位置する各種センサ類について説
明する。
【0057】この図2に示されるように、投影光学系支
持部材26に上下方向に貫通状態で形成された貫通孔1
66aには、アライメント系ALG1を構成する鏡筒1
72aが挿入されており、投影光学系支持部材26上面
の鏡筒172aと対応する位置には、アライメント系A
LG1を構成するセンサヘッド174aが配置されてい
る。また、投影光学系PLに対して貫通孔166aとは
反対側に形成された貫通孔166bには、アライメント
系ALG2を構成する鏡筒172bが挿入されており、
投影光学系支持部材26上面の鏡筒172bと対応する
位置には、アライメント系ALG2を構成するセンサヘ
ッド174bが配置されている。
【0058】投影光学系PLの周囲において投影光学系
PLの中心からX軸及びY軸に対して斜め45°の位置
には、ウエハW1(又はW2)の表面の露光領域内部分
及びその近傍の領域のZ軸方向(光軸AX方向)の位置
を検出するための斜入射方式のフォーカス検出系(焦点
検出系)の1つである多点フォーカス位置検出系が設け
られている。この多点フォーカス位置検出系は、センサ
ヘッド41及び鏡筒43から構成され、これらの内部に
光ファイバー束、パターン形成板、ミラー、レンズ等
(何れも不図示)を備える照射光学系160aと、内部
に回転方向振動板、受光用スリット板、レンズ及び多数
のフォトセンサを有する受光器等(何れも不図示)を備
える受光光学系160b(但し、受光光学系160bは
鏡筒部分のみを図示)とから構成されている。
【0059】この多点フォーカス位置検出系(160
a、160b)では、照射光学系160aからウエハW
1(又はW2)上のフォトレジストに対する感光性の低
い、比較的広い波長帯の検出ビームがウエハW1(又は
W2)に対して斜めから照射され、この検出ビームのウ
エハW1(又はW2)面からの反射光が受光光学系16
0bにより受光される。ここで受光された光(像)は、
信号処理装置103(図1では不図示、図5参照)によ
り、回転振動周波数の信号で同期検波される。そして、
この信号処理装置103により同期検波して得られた多
数のフォーカス信号が図5の主制御装置99に供給され
る。
【0060】また、投影光学系支持部材26下半部のY
軸方向両側の側壁には、ウエハY軸干渉計80、82が
設けられている。また、投影光学系支持部材26下半部
の−X側の側壁には、ウエハステージWST1、WST
2のX軸方向位置を検出するためのウエハX軸干渉計8
4(図2では不図示、図5参照)が設けられている。こ
れら干渉計80,82,84では、投影光学系支持部材
26の上面に配置されたレーザヘッド144にて発生し
たレーザ光を、投影光学系支持部材26内部に設けられ
たビームスプリッタ、ミラー等から成る不図示のリレー
光学系を介して、ウエハステージWST1,WST2に
向けて出射するようになっている。
【0061】また、ステージベースSBの上面の上方に
は、プリアライメント機構63A,63Bが配置されて
いる。これらのプリアライメント機構63A,63B
は、ウエハの中心位置ずれ、及び回転ずれの検出及び位
置合わせを行うためのものである。
【0062】更に、ステージベースSBを吊り下げ支持
するベース支持部材42の高さ方向ほぼ中央部には、上
方から下方に向けてほぼ一定温度の気体を噴出するダウ
ンフローユニット65が設けられている。このダウンフ
ローユニット65によると、ダウンフローユニット65
から噴き出された気体(空気)により、ウエハY軸干渉
計80、82及びウエハX軸干渉計84(図5参照)の
干渉計ビームの光路の熱による影響が抑制されるので、
干渉計ビームの光路上の空気揺らぎ(空気の温度揺ら
ぎ)に起因する計測誤差等を効果的に抑制することがで
きる。
【0063】図3には、レチクルステージRST及びそ
の近傍の構成部分が斜視図にて概略的に示されている。
レチクルステージRSTは、前述の如く、レチクル微動
ステージ32とレチクル粗動ステージ34とを含んで構
成されており、該レチクル粗動ステージ34が第1駆動
装置としてのY軸リニアモータ69によってY軸方向に
駆動される。
【0064】前記Y軸リニアモータ69は、Y軸固定子
支持板60上方に設けられたY軸固定子74と、該Y軸
固定子74に沿ってY軸方向に移動するY軸可動子72
とを備えている。
【0065】前記Y軸固定子74は、Y軸方向を長手方
向とする角柱状の形状を有し、その内部にはY軸方向に
沿って所定間隔で配置された複数の電機子コイル(不図
示)が配置されている。このY軸固定子74の質量は、
レチクルステージRST及びY軸可動子72を合わせた
重量よりも数倍程度重く設定されている。なお、Y軸固
定子74の質量を重くするために、複数の電機子コイル
に変えて、複数の永久磁石をY軸固定子74に設け、ム
ービングコイルタイプのY軸リニアモータを構成しても
良い。
【0066】Y軸固定子74の下面における長手方向両
端部近傍には、一対の気体静圧軸受け76a、76bが
設けられている。これら気体静圧軸受け76a,76b
の軸受け面は、Y軸固定子支持板60のガイド面(上
面)に対向しており、該ガイド面に向けて加圧気体、例
えば加圧空気を噴出し、その加圧気体の静圧と、Y軸固
定子74、Y軸可動子72及びレチクル粗動ステージ3
4等全体の自重とのバランスにより、Y軸固定子74が
ガイド面の上方に数μm程度のクリアランスを介して浮
上支持されている。なお、静圧軸受けとして加圧気体と
真空吸引とを用いた真空予圧型軸受け、若しくは加圧気
体と磁気吸引とを用いた磁気予圧型軸受けを用いて、高
剛性を得るようにしても良い。
【0067】また、Y軸固定子74は、Y軸固定子支持
板60の上面のY軸方向両端部に固定された枠体94A
及び枠体94Bに挿入された状態で非接触にて保持され
ている。すなわち、枠体94A,94BのX軸方向両内
面には不図示の気体静圧軸受け、例えばエアベアリング
がそれぞれ設けられており、これらのエアベアリングか
らY軸固定子74のX軸方向の両側面に向けて噴出され
る加圧気体の静圧同士のバランスにより、Y軸固定子7
4が枠体94A,94Bとの間にX軸方向に数μmのク
リアランスを介して保持されている。なお、Y軸固定子
74は、Z軸方向に関して、気体静圧軸受け76a,7
6bにより、Y軸固定子支持板60のガイド面のみなら
ず、枠体94A,94Bに対しても数μmの間隔をあけ
て非接触保持されている。このように、Y軸固定子74
は、X軸方向及びZ軸方向の両方向について非接触で拘
束されている。なお、不図示の気体静圧軸受けとして、
前述の真空予圧型軸受け又は磁気予圧型軸受けを用いて
も良い。
【0068】また、Y軸固定子74のY軸方向一端部
(+Y側端部)には、Y軸固定子74を上下から挟持す
るように上板部材96A、下板部材96Bが固定されて
おり、また、Y軸固定子74のY軸方向他端部(−Y側
端部)には、Y軸固定子74を上下から挟持するように
上部ユニット保持部材98A、及び下部ユニット保持部
材98Bが固定されている。上部ユニット保持部材98
Aは、XZ断面がU字状の薄肉部材から成り、その中央
の凹溝部には、電機子ユニット101Bが埋め込まれて
いる。電機子ユニット101Bは、Y軸方向に沿って所
定の間隔で配置された電機子コイルをその内部に有して
いる。下部ユニット保持部材98Bも上部ユニット保持
部材98Aと同様に構成され、同様の電機子ユニットが
埋め込まれている。更に、前記枠体94Bの電機子ユニ
ット101Bに対向する位置には、磁極ユニット101
Aが設けられている。これら電機子ユニット101B
と、磁極ユニット101Aとにより、Y軸固定子74を
Y軸方向に駆動するY軸位置補正機構102Aが構成さ
れている。なお、下部ユニット保持部材98B側にも同
様にしてY軸位置補正機構102B(図3では不図示、
図5参照)が構成されている。
【0069】この場合、Y軸固定子74のY軸方向一端
部の上板部材96Aと下板部材96Bとを合わせた質
量、他端部の上部ユニット保持部材98Aと電機子ユニ
ット101Aと下部ユニット保持部材98Bと電機子ユ
ニット101Bとを合わせた質量とが同一に設定されて
いる。従って、Y軸固定子74の重心位置に重力が作用
するため、重心から等距離にある同一の作用を有する気
体静圧軸受けの制御を簡易に行うことができる。
【0070】このように、Y軸固定子74はX軸方向及
びZ軸方向に非接触にて拘束されているが、Y軸方向に
は一切拘束されていない。このため、レチクルステージ
RSTが後述するY軸可動子72とともにY軸方向へ駆
動されると、Y軸固定子74にはレチクルステージRS
Tの駆動方向とは反対方向の反力が作用するが、その
際、Y軸固定子74はそのY軸方向の反力に応じ、レチ
クルステージRSTの駆動方向とは逆のY軸方向に移動
する。この場合、運動量保存則が成立し、Y軸固定子7
4に作用する反力がほぼ完全に吸収される。また、重心
の移動に起因する偏荷重も生じない。従って、レチクル
ステージRSTの駆動時に生じる反力による振動の発生
がほぼ完全に防止されるようになっている。
【0071】なお、本実施形態では、レチクルステージ
RSTの駆動時に作用する反力によるY軸固定子74の
Y軸方向の移動量が、上述のY軸位置補正機構102
A,102Bのストローク範囲から外れないように、図
5の主制御装置99により、Y軸位置補正機構102
A,102BのY軸方向駆動用の電機子ユニットに供給
される電流が制御され、Y軸固定子74が、適当なタイ
ミングでY軸方向の原位置に復帰されるようになってい
る。
【0072】前記Y軸可動子72は、平面視(上から見
て)X軸方向に短くY軸方向に長い長方形状で、XZ断
面が逆U字状(コ字状)の形状を有する磁性体部材と、
この磁性体部材の内側の一対の対向面に、Y軸方向に沿
って所定の間隔で交互に配置されたN極永久磁石とS極
永久磁石とを備えている。この場合、X軸方向に対向す
る磁石同士の極性は、相互に異なる(すなわちX軸方向
に対向する1対の磁石がN極永久磁石とS極永久磁石で
ある)ようになっている。ここで、N極永久磁石、S極
永久磁石とは、Y軸固定子74に対向する側の面がそれ
ぞれN磁極面、S磁極面である永久磁石を指すものであ
る。
【0073】すなわち、Y軸可動子72は、図3の状態
では、Y軸固定子74との間の空隙内にX軸方向に沿っ
て所定周期の交番磁界を発生させるようになっており、
このY軸可動子72とY軸固定子74とによって前記レ
チクル粗動ステージ34をY軸方向に所定ストロークで
駆動する第1駆動装置としてのムービングマグネット型
のY軸リニアモータ69が構成されている。このY軸リ
ニアモータ69のY軸固定子74を構成する電機子コイ
ルに供給される電流値(方向を含む)が図5の主制御装
置99によって制御されるようになっている。
【0074】前記レチクル粗動ステージ34は、平面視
(上から見て)L字状の形状を有しており、Y軸リニア
モータ69の可動子72の+X側の側面にレチクルステ
ージベース30上に張り出した片持ち支持状態で固定さ
れている。
【0075】前記レチクル微動ステージ32は、平面視
(上から見て)長方形状の部材から成り、そのほぼ中央
部分には、照明光ILの通過路となる矩形の開口(不図
示)が形成されている。この開口の周辺の上面側には、
不図示のバキュームチャックが複数(例えば4つ)設け
られており、これらバキュームチャックによってレチク
ルRが真空吸着により保持されるようになっている。
【0076】また、レチクル微動ステージ32の下面の
4隅部には、前述したY軸固定子74に設けられた気体
静圧軸受け76a,76bと同様の気体静圧軸受け90
がそれぞれ設けられている(但し、図3における奥側の
気体静圧軸受けは不図示)。これらの気体静圧軸受け9
0は、レチクルステージベース30上のエアガイド92
A,92Bのガイド面(上面)に対向した位置に設けら
れており、該ガイド面に向けて加圧気体(例えば加圧空
気)を噴き出すことで、その加圧気体の静圧と、レチク
ル微動ステージ32の自重とのバランスにより、ガイド
面の上方に数μm程度のクリアランスを介して、レチク
ル微動ステージ32が浮上支持されている。なお、気体
静圧軸受け90として前述の真空予圧型軸受け、若しく
は磁気予圧型軸受けを用いても良い。
【0077】さらに、レチクル微動ステージ32上面の
+X側端部には、図3に示されるように、平面ミラーか
ら成るレチクルX移動鏡64Xが固定されている。この
X移動鏡64Xに対して、前記レチクルX軸干渉計66
Xからの測長ビームが垂直に照射されている。また、レ
チクル微動ステージ32上面の+Y側端部には、一対の
コーナーキューブ64Y1,64Y2が固定されており、
これらのコーナーキューブ64Y1,64Y2に対して、
前記レチクルY軸干渉計66Y1,66Y2からの測長ビ
ームがそれぞれ照射されている。なお、干渉計66X、
66Y1,66Y2からの測長ビームは、レチクルステー
ジベース30上面に固定された干渉計レーザ68で発生
されるレーザビームが分岐されたものである。
【0078】そして、レチクルY軸干渉計66Y1,6
6Y2によって、レチクル微動ステージ32のY軸方向
の位置及びθz回転が、固定鏡を基準として例えば0.
5〜1nm程度の分解能で常時検出され、レチクルX軸
干渉計66Xによって、レチクル微動ステージ32のX
軸方向の位置が、固定鏡を基準として例えば0.5〜1
nm程度の分解能で常時検出されている。
【0079】この場合、レチクルY軸干渉計66Y1
66Y2として、コーナーキューブ64Y1,64Y2
対して測長ビームを投射し、それぞれの反射光を受光し
てコーナーキューブ64Y1,64Y2のY軸方向の位置
を検出する一対のダブルパス干渉計を用いているので、
レチクル微動ステージ32にθz回転が存在しても、そ
れぞれの測長ビームの投射位置のY軸方向位置を精度良
く検出することができる。
【0080】レチクル微動ステージ32とレチクル粗動
ステージ34との間には、レチクル微動ステージ32を
レチクル粗動ステージ34に対して非接触で保持させる
非接触保持装置115(図5参照)が設けられている。
この非接触保持装置115は、本実施形態では、図3に
示される第2駆動装置としてのボイスコイルモータ71
A,71B,71Cと、推力発生装置としてのガスフロ
ー装置73とを備えている。
【0081】前記ボイスコイルモータ71A〜71Cの
うちの1つのボイスコイルモータ71Bは、図4(A)
に断面して示されるように、その固定子67Aがレチク
ル粗動ステージ34に固定され、その可動子67Bがレ
チクル微動ステージ32の−Y側の側壁に固定されてい
る。
【0082】前記固定子67Aは、磁性体部材から成
り、YZ断面が略U字状(コ字状)の形状を有するヨー
ク95と、該ヨーク95内部の一対の対向面(上下の対
向面)に配設された、N極永久磁石59N及びS極永久
磁石59Sとを備えている。このN極永久磁石59N,
S極永久磁石59Sは、通常の永久磁石から構成され、
各々が対向する側の磁極がN極、及びS極に設定されて
いる。また、前記可動子67Bは、ほぼ平板状の形状を
有し、その内部に空間を有する筐体93と、その内部空
間に収容された電機子コイル91とを備えている。
【0083】すなわち、固定子67Aと可動子67Bと
が図4(A)のように係合した状態では、固定子67A
内に形成されるZ軸方向の磁界と、可動子67B内の電
機子コイル91を流れるX軸方向の電流との間の電磁相
互作用(ローレンツ力)により、Y軸方向の力を発生す
ることができ、これにより、レチクル粗動ステージ34
に対してレチクル微動ステージ32をY軸方向に相対的
に微小駆動することが可能となっている。
【0084】なお、本実施形態では、ボイスコイルモー
タ71Bの推力の作用点は、レチクル微動ステージ34
の重心と同一高さ位置の点に設定されている。このた
め、ボイスコイルモータ71Bの力によっては、レチク
ル微動ステージ32をθx方向(X軸回りの回転方向)
に回転させる回転モーメントは発生しない。
【0085】その他のボイスコイルモータ71A、71
Cもボイスコイルモータ71Bと同様に構成されてい
る。すなわち、ボイスコイルモータ71Aにより、レチ
クル微動ステージ32をθy方向(Y軸回りの回転方
向)に回転させる回転モーメントを発生させることな
く、レチクル粗動ステージ34に対してX軸方向に相対
的に微小駆動することができるようになっている。ま
た、ボイスコイルモータ71Cにより、ボイスコイルモ
ータ71Bと同様に、θx方向に回転させる回転モーメ
ントを発生させることなく、レチクル微動ステージ32
をレチクル粗動ステージ34に対して、Y軸方向に相対
的に微小駆動することが可能となっている。また、ボイ
スコイルモータ71B、71Cの発生推力を異ならせる
ことにより、レチクル微動ステージ32をZ軸回りの回
転方向(θz方向)に微小駆動することも可能となって
いる。
【0086】前記ガスフロー装置73は、図3に示され
るように、レチクル粗動ステージ34の、前記ボイスコ
イルモータ71B,71Cの各固定子間の中央位置に設
けられたガスフロー固定部75Aと、レチクル微動ステ
ージ32に接続されたガスフロー可動部75Bとを備え
ている。
【0087】前記ガスフロー固定部75Aは、実際に
は、図4(B)に断面して示されるように、直方体状の
形状を有する中空の筐体77と、該筐体77のY軸方向
両内面に固定された一対の第2部材としての気体噴出機
構79A、79Bとを備えている。また、前記ガスフロ
ー可動部75Bは、レチクル微動ステージ32の−Y側
面に突設された平面視(上から見て)U字状(図6
(A)参照)の形状を有するアーム部材83と、一対の
気体噴出機構79A,79Bの間に配置されアーム部材
83の先端(−Y側端)に固定された第1部材としての
板状部材81とを備えている。アーム部材83は、筐体
77に設けられた2つの矩形開口101(但し、図4で
は一方の開口のみを図示し、他方の開口は不図示)を介
して筐体77内部に挿入されている。
【0088】板状部材81の−Y側の面、+Y側の面に
対して、気体噴出機構79A、79Bから加圧気体(空
気、窒素あるいはヘリウム等)が常時又は適宜噴出され
るようになっている。
【0089】ここで、ガスフロー装置73では、その発
生推力がレチクル微動ステージ32に与えられる点と、
レチクル微動ステージ32の重心とは、Z軸方向位置及
びX軸方向位置とが同一となるように設定されている。
このように、ガスフロー装置73はレチクル微動ステー
ジ32の重心を押す構成となっていることから、ガスフ
ロー装置73から与えられる推力によっては、レチクル
微動ステージ32に対してθx方向、及びθz方向への
回転モーメントは一切発生しない。
【0090】次に、ボイスコイルモータ71B(及び7
1C)と、ガスフロー装置73との発生推力の関係につ
いて、図4(A),(B)に基づいて説明する。なお、
図4(A)、図4(B)は、レチクル微動ステージ32
とレチクル粗動ステージ34との相対位置が同一の場合
におけるボイスコイルモータ71B及びガスフロー装置
73の状態が示されている。
【0091】ガスフロー装置73側においては、板状部
材81の気体噴出機構79A,79Bからの距離の2乗
に比例した力で板状部材81を押し戻すので、図4
(B)に示されるように、板状部材81が2つの気体噴
出機構79A,79Bから離れたほぼ等距離の位置にあ
るため、気体噴出し機構79A,79Bから同一量の気
体を噴出する本実施形態のような場合には、板状部材8
1に対して与えられる両者の推力が釣り合うか、あるい
は推力が共に小さいかのいずれかであり、実質的にガス
フロー装置73の発生推力が板状部材81に対して実質
的に影響を及ぼさないようになっている。
【0092】ここで、(i)図4(A),図4(B)の
状態(中立状態)からレチクル微動ステージ32が左側
に寄った場合、(ii)図4(A),図4(B)の状態
(中立状態)からレチクル微動ステージ32が右側に寄
った場合について、簡単に説明する。
【0093】(i)では、ガスフロー装置73において
は、板状部材81が図4(B)の状態から左側にずれる
ので、板状部材81が気体噴出機構79Aに近づく。従
って、板状部材81には、気体噴出機構79Aから噴出
される気体の力により右側(+Y側)への推力が与えら
れる。気体噴出機構79A、79Bから板状部材81に
与えられる推力は、板状部材81の気体噴出機構79
A,79Bからの距離の2乗に反比例する。このため、
気体噴出機構79Bから噴出される気体は板状部材81
に対して実質的に影響を及ぼさない。一方、気体噴出機
構79Aから噴出される気体の力による右側への推力
は、上記の距離の2乗に反比例した大きさの力となって
板状部材81を押し戻す。すなわち、レチクル微動ステ
ージ32が左側に寄った位置ではボイスコイルモータ7
1Bは大きな力は必要としない。
【0094】(ii)では、レチクル微動ステージ32が
図4(A)よりも、右側に位置するので、ボイスコイル
モータ71Bにおいては、可動子67Bが中立状態から
右側にずれるため、図4(A)の場合と比べ、永久磁石
59N,59S間を流れる電流が小さくなる。従って中
立状態ほどの応答性を発揮することはできない。一方、
ガスフロー装置73においては、板状部材81が図4
(B)の状態から右側にずれるので、板状部材81が気
体噴出機構79Bに近づく。従って、板状部材81に
は、気体噴出機構79Bから噴出される気体の力により
左側(−Y側)への推力が与えられる。このとき、前述
と同様の理由により、気体噴出機構79Aから噴出され
る気体は板状部材81に対して実質的に影響を及ぼさな
い。一方、気体噴出機構79Bから噴出される気体の力
による左側への推力は、上記の距離の2乗に反比例した
大きさの力となって板状部材81を押し戻す。すなわ
ち、レチクル微動ステージ32が右側に寄った位置では
ボイスコイルモータ71Bは大きな力は必要としない。
従って、板状部材81が左側若しくは右側に存在すると
き、すなわち、レチクル粗動ステージ34が大きな加速
度で左右に移動するときのレチクル微動ステージ32を
同期して動かすための推力の大半を気体噴出機構79
A,79Bがまかなうので、ボイスコイルモータ71B
は大きな推力を必要としない。
【0095】次に、本実施形態の露光装置本体10Aに
おける処理について説明する。
【0096】本実施形態では、ウエハステージWST1
が投影光学系PLの直下において露光動作を行っている
間に、ウエハステージWST2側ではウエハ交換、アラ
イメント系ALG2直下におけるアライメント動作が行
われる。同様に、ウエハステージWST2が投影光学系
PLの直下において露光動作を行っている間に、ウエハ
ステージWST1側ではウエハ交換、アライメント系A
LG1直下におけるアライメント動作が行われる。すな
わち、ウエハステージWST1、WST2では並行処理
動作が行われる。
【0097】前記ウエハ交換では、ウエハローダ部61
内の不図示のウエハローダによって、ウエハステージW
ST1(又はウエハステージWST2)上に載置された
露光済みのウエハのアンロード及び新たなウエハのロー
ドが行なわれる。
【0098】また、アライメント動作では、アライメン
ト系ALG1,ALG2を用いて例えば特開昭61−4
4429号公報などに開示されるEGA(エンハンスト
・グローバル・アライメント)等のウエハアライメント
が実行される。このようなアライメントの終了後、以下
のようにしてステップ・アンド・スキャン方式の露光動
作が行なわれる。
【0099】以下、各ウエハステージWST1、WST
2の露光動作(ステップ・アンド・スキャン露光)につ
いて図5及び適宜その他の図面を参照しつつ説明する。
【0100】まず、主制御装置99ではアライメント結
果に基づいて、前述したウエハY軸干渉計80,82,
ウエハX軸干渉計84の計測値をモニタしつつ、ウエハ
ステージ駆動系70を構成するリニアモータを制御して
ウエハW1(又はW2)の第1ショットの露光のための
走査開始位置(加速開始位置)にウエハステージWST
1(又はWST2)を移動する。
【0101】次に、主制御装置99ではレチクルRとウ
エハW1(又はW2)、すなわちレチクルステージRS
TとウエハステージWST1(又はWST2)とのY軸
方向の相対走査を開始し、両ステージRST,WST1
(又はWST2)がそれぞれの目標走査速度に達し、等
速同期状態に達すると、照明光学系IOPからの紫外パ
ルス光によってレチクルRのパターン領域が照明され始
め、走査露光が開始される。上記の相対走査は、主制御
装置99が、ウエハ干渉計80(又は82),84及び
レチクル干渉計66Y1,66Y2、66Xの計測値をモ
ニタしつつ、Y軸リニアモータ69、及びウエハステー
ジ駆動系70を構成するリニアモータを制御することに
より行われる。
【0102】主制御装置99では、特に上記の走査露光
時にレチクルステージRSTのY軸方向の移動速度Vr
とウエハステージWST1(又はWST2)のY軸方向
の移動速度Vwとが投影光学系PLの投影倍率(1/4
倍あるいは1/5倍)に応じた速度比に維持されるよう
にY軸リニアモータ69、及びウエハステージ駆動系7
0を介してレチクルステージRST及びウエハステージ
WST1(又はWST2)を同期制御する。
【0103】そして、レチクルRのパターン領域の異な
る領域が紫外パルス光で逐次照明され、パターン領域全
面に対する照明が完了することにより、ウエハW1(又
はW2)上の第1ショットの走査露光が終了する。これ
により、レチクルRのパターンが投影光学系PLを介し
て第1ショットに縮小転写される。
【0104】なお、上記の走査露光の開始直前及び露光
終了直後に、主制御装置99からの指示に基づいてブラ
インド駆動装置105により、可動レチクルブラインド
48が制御され、不要な部分の露光が防止されること
は、通常のスキャニング・ステッパと同様である。
【0105】上述のようにして、第1ショットの走査露
光が終了すると、主制御装置99により、ウエハステー
ジ駆動系70を介してウエハステージWST1(又はW
ST2)がX、Y軸方向にステップ移動され、第2ショ
ットの露光のための走査開始位置(加速開始位置)に移
動される。
【0106】そして、主制御装置99により、上述と同
様に各部の動作が制御され、ウエハW1(又はW2)上
の第2ショットに対して上記と同様の走査露光が行われ
る。
【0107】このようにして、ウエハW1(又はW2)
上のショットの走査露光と次ショット露光のためのステ
ッピング動作とが繰り返し行われ、ウエハ上の露光対象
ショットの全てにレチクルRのパターンが順次転写され
る。
【0108】次に、上記走査露光の際のレチクルステー
ジRSTの制御方法について図6(A)〜図6(C)、
及び図7(A),図7(B)に基づいて説明する。図6
(A)〜図6(C)には、様々な状況におけるボイスコ
イルモータ71B,71C、及びガスフロー装置の状態
が模式的に示されている。図7(A)には、レチクル粗
動ステージ34の加速度の時間変化が示されている。ま
た、図7(B)には、図7(A)に対応するレチクル粗
動ステージ34の速度の時間変化が示されている。な
お、図7(A),図7(B)において、範囲Accはレ
チクル粗動ステージ34が加速移動し、範囲Uniは等
速移動し、範囲Decは減速移動していることを示して
いる。
【0109】まず、レチクルステージRSTを右側に加
速する場合(図7(A),図7(B)の時間t0〜t1
について説明する。ここでは、前提として、レチクルス
テージRSTを加速するに際し、主制御装置99(図5
参照)により、ボイスコイルモータ71B,71Cの可
動子に電流が供給されることにより、前述した中立状態
から各可動子が所定量だけ左側に駆動されている。すな
わち、加速開始時(図7(A),図7(B)の時刻
0)に、レチクル微動ステージ32は、Y軸方向に関
して所定量だけ−Y側にオフセットされて位置決めされ
た図6(A)の状態に設定されている。この状態で図7
(A)に示されるようにレチクル粗動ステージ34の加
速が開始される。
【0110】レチクル微動ステージ32が左側(−Y
側)に寄った状態で、レチクル粗動ステージ34を右側
(+Y側)に加速すると、レチクル微動ステージ32に
は更に左側への反力が与えられることになるが、加速開
始と同時に主制御装置99により、気体噴出機構79
A,79Bから同一量かつ一定量の気体が噴出されるの
で、気体噴出機構79Aからの気体の噴出し圧力による
推力が板状部材81に加わり、それ以上左側へは移動し
ないようになっている。すなわち、板状部材81と気体
噴出機構79Aとの間には所定間隔以上の間隔が維持さ
れることになる。
【0111】ここで、本実施形態では、レチクル粗動ス
テージ34を加速する場合に、常に同一の加速度が維持
されるのではなく、例えば図7(A)に示されるよう
に、加速開始直後は平均加速度の倍程度に設定された最
高加速度で加速し、等速移動が開始される時間t1の直
前では、平均加速度よりも低い加速度で加速するシーケ
ンスが採用されている。
【0112】このため、加速範囲Accでは、加速開始
直後の最高加速度でのレチクル粗動ステージ34の移動
の際に、板状部材81と左側の気体噴出機構79Aとが
最接近したのを最後に、加速度低下に起因するレチクル
微動ステージ32に与えられる反力の低下、及び気体噴
出機構79Aからの一定の気体の噴出により、板状部材
81は気体噴出機構79Aから徐々に遠ざかっていくこ
とになる。
【0113】この場合、気体の剛性は、板状部材81と
気体噴出機構79Aとの間隔yが広がるのに伴って、1
/y2で弱まり、図6(A)に示される一点鎖線で挟ま
れる範囲内に板状部材81全体が位置すると、気体によ
る拘束力がほとんどなくなるが、その一方で、前述した
ように板状部材81と気体噴出機構79Aとの間隔が遠
ざかるので、ボイスコイルモータ71B,71Cを高応
答で制御することが可能となる。このようにして、加速
範囲Accの間に、レチクル微動ステージ32の制御を
ガスフロー装置73からボイスコイルモータ71B、7
1Cに徐々に切り換えることができる。
【0114】その後、レチクル粗動ステージ34をほぼ
等速で移動する場合(図7(A),図7(B)の時間t
1〜t2)には、図6(B)に示されるように一点鎖線で
挟まれた範囲内に板状部材81全体が位置するため、レ
チクル微動ステージ32をボイスコイルモータ71B,
71Cのみで高応答で制御することができる。従って、
ボイスコイルモータ71B,71Cにより、レチクルR
とウエハW1(又はW2)との同期をとることとしてい
る。ここで、等速移動中は、レチクル微動ステージ32
に対しては走査方向の力(反力)は加わらないため、ボ
イスコイルモータ71B、71Cにはそれ程大きな力は
必要とされない。
【0115】次に、レチクル粗動ステージ34を減速す
る場合(図7(A),図7(B)の時間t2〜t3)に
は、予めボイスコイルモータ71B,71Cの推力を幾
分弱めた状態で、図7(A),図7(B)の時刻t2
ら減速を開始する。この減速においては、前述した加速
時とは逆に、減速開始直後は平均減速度よりも小さい減
速度にて移動し、速度が0となる時刻t3の直前に、平
均減速度よりも2倍程度大きい減速度でレチクル粗動ス
テージ34を移動することとしている。このため、減速
開始時t2から減速終了時t3までの間に、レチクル微動
ステージ32に与えられる反力は徐々に大きくなるた
め、板状部材81は図6(C)に示されるように徐々に
右側の気体噴出機構79Bに近づき、速度が0となる時
刻t3で板状部材81と右側の気体噴出機構79Bとが
最接近することになる。なお、この場合においても、気
体噴出機構79Bからの一定の気体の噴出により、板状
部材81に対して左側への推力が与えられているので、
板状部材81と気体噴出機構79Bとの間に所定間隔以
上の間隔が保たれることになる。
【0116】このように、減速終了時t3においては、
レチクル微動ステージ32が前述した中立状態からY軸
方向に関して所定量だけ+Y側にオフセットされて位置
決めされた図6(C)の状態に設定されているため、こ
の状態から、レチクルステージRSTの左側(−Y方
向)への加速をスムーズに行うことができる。
【0117】以下、同様にして、左側への加速、等速、
左側への減速、右側への加速…、というようにレチクル
粗動ステージ34の移動が行われる。
【0118】これまでの説明から明らかなように、本実
施形態では、レチクル微動ステージ32、レチクル粗動
ステージ34、Y軸リニアモータ69、及びレチクル微
動ステージ32をレチクル粗動ステージ34に対して非
接触で保持させる非接触保持装置115、並びにこれら
各部を制御する制御装置としての主制御装置99によっ
て、ステージ装置が構成されている。また、本実施形態
では、主制御装置99によって、レチクル粗動ステージ
34を移動させている間に、ボイスコイルモータとガス
フロー装置73とを併用してレチクル微動ステージ32
を駆動する駆動制御装置が構成されている。
【0119】以上詳細に説明したように、本実施形態の
ステージ装置によると、Y軸リニアモータ69によるレ
チクル粗動ステージ34の加減速時には、レチクル粗動
ステージ34に非接触で保持されたレチクル微動ステー
ジ32に対して、レチクル粗動ステージ34の駆動によ
る反力が作用するが、ガスフロー装置73によりレチク
ル粗動ステージ34の加減速時にはその反力を抑制する
方向の推力が発生されるので、レチクル粗動ステージ3
4とレチクル微動ステージ32との間に所定の関係(す
なわち非接触で保持された状態)を維持することが可能
である。このため、レチクル粗動ステージ32を微小駆
動するボイスコイルモータ71A〜71Cには、反力の
作用を抑制するための力が必要とされない。従って、ガ
スフロー装置73を用いずに、ボイスコイルモータ71
A〜71Cのみを用いる場合と比べ、ボイスコイルモー
タ71A〜71Cに必要とされる推力は小さい。このた
め、レチクル粗動ステージ34を高加速度化する場合に
おいても、ボイスコイルモータ71A〜71Cを小型化
することが可能となり、ボイスコイルモータひいてはレ
チクルステージ全体の軽量化を図ることができる。
【0120】この場合、ボイスコイルモータの重量増加
が極力抑制されることにより、ボイスコイルモータを含
むレチクルステージ装置25全体の重量増加が抑制され
るので、レチクル粗動ステージ34を駆動するY軸リニ
アモータ69で消費される電力を極力小さく維持するこ
とができる。
【0121】また、レチクル微動ステージ32にガスフ
ロー装置73の板状部材81が接続され、レチクル粗動
ステージ34にY軸方向に所定間隔を隔ててかつ板状部
材81を挟んだ状態とされた一対の気体噴出機構79
A,79Bが接続されている。この場合、板状部材81
がいずれか一方の気体噴出機構に所定距離以内に接近す
る状態では、板状部材81に推力が実質的に作用し、板
状部材81が両気体噴出機構79A,79Bから同時に
所定距離以上離れた状態では、推力が板状部材81に実
質的に影響を及ぼさないような構成となっている。従っ
て、板状部材81の各気体噴出機構との位置関係を変更
するという簡易な方法を用いるのみで、レチクル微動ス
テージ32に対してレチクル粗動ステージ34の駆動に
より作用する反力に対抗することが可能となっている。
【0122】特に、板状部材81が両気体噴出機構79
A,79Bから同時に所定距離以上離れ、推力が板状部
材81に実質的に影響を及ぼさないような状態で、ボイ
スコイルモータ71B,71Cが高応答でレチクル微動
ステージ32を微小駆動することができることから、レ
チクル微動ステージ32に対してレチクル粗動ステージ
34の駆動による反力の影響のない等速同期移動中にウ
エハステージWST1(又はWST2)との同期を取る
ためのレチクル微動ステージの追従制御を高応答で行う
ことが可能となっている。
【0123】また、本実施形態の露光装置によると、主
制御装置99が、レチクルRのパターンをウエハW1
(又はW2)上に転写するに際し、レチクルRとウエハ
W1(又はW2)とが並行してY軸方向に関して加速状
態、等速同期移動状態、及び減速状態に順次遷移するよ
うに、ステージ装置、より具体的にはY軸リニアモータ
69、ボイスコイルモータ71A〜71C、及びガスフ
ロー装置73と前記ウエハステージWST1(又はWS
T2)とを制御する。このため、走査露光方式によりレ
チクルRのパターンをウエハW1(又はW2)上に転写
することができる。ここで、本実施形態に係るステージ
装置では、レチクル微動ステージ32に載置されレチク
ルをレチクル粗動ステージ34を介して高加速度で駆動
する場合においても、ボイスコイルモータの小型化、ひ
いてはステージ装置全体の小型、軽量化が可能となり、
リニアモータの消費電力の低減が可能となる。従って、
無理なくレチクル粗動ステージの高加速度化を実現でき
るので、走査露光時間の短縮によるスループットの向上
が可能となる。また、ステージ装置全体の小型化により
レチクルの位置制御性の向上が期待され、結果的にレチ
クルとウエハとの位置合わせ精度の向上による露光精度
の向上も期待される。
【0124】なお、上記実施形態では、レチクル微動ス
テージ32に接続されたガスフロー装置の可動部分が板
状部材であり、レチクル粗動ステージ34に接続された
ガスフロー装置の固定部分が1対の気体噴出機構である
場合について説明したが、例えば、レチクル微動ステー
ジ32に接続される可動部分がY軸方向の両側に気体を
噴出する気体噴出機構で、レチクル粗動ステージ34に
接続される固定部分が一対の板状部材であっても良い。
この場合にも、上記実施形態と同様の制御を行うこと
で、上記実施形態と同等の効果を得ることができる。
【0125】また、上記実施形態では、第1部材を板状
部材81とすることとしたが、本実施形態がこれに限ら
れるものではなく、第1部材をレチクル微動ステージ3
2の一部で構成しても良い。すなわち、例えば、レチク
ル粗動ステージ34の形状を断面L字状から断面コ字状
(U字状)とし、レチクル微動ステージ32に向けてY
軸方向両側から気体が吹き付けられるように気体噴出機
構を設けることとしても良い。また、レチクル粗動ステ
ージ34をレチクル微動ステージ32を取り囲むような
矩形枠状の形状とし、同様に気体噴出機構を設けること
としても良い。
【0126】《第2の実施形態》次に、本発明の第2の
実施形態を図8及び図9(A)〜図9(C)に基づいて
説明する。ここで、前述した第1の実施形態と同一若し
くは同等の構成部分については同一の符号を用いるとと
もに、その説明を簡略化し若しくは省略するものとす
る。
【0127】この第2の実施形態に係る露光装置は、前
述した第1の実施形態に係る露光装置10と比べて、ス
テージ装置の構成の一部及び制御方法が異なるのみで、
その他の構成等については同等となっている。従って、
以下では、この相違点を中心として説明することとす
る。
【0128】本第2の実施形態では、前述した第1の実
施形態におけるガスフロー装置73に代えて、推力発生
装置としてのEIコア装置73’が採用されているとこ
ろに特徴を有している。図8には、レチクル微動ステー
ジ32とレチクル粗動ステージ34との間に設けられ
た、前記EIコア装置73’が一部断面された斜視図に
て示されている。
【0129】この図8から分かるように、EIコア装置
73’は、レチクル粗動ステージ34に固定された電磁
石ユニット75A’と、磁性体ユニット75B’とを備
えている。磁性体ユニット75B’は実際にはレチクル
微動ステージ32の−Y側の側面に固定されている(図
9(A)等参照)。
【0130】前記電磁石ユニット75A’は、直方体状
の形状を有する中空の筐体77’と、該筐体77’内部
のY軸方向の一端部と他端部とにそれぞれ配置された一
対の第2部材としての電磁石79A’、79B’とを備
えている。また、前記磁性体ユニット75B’は、一対
の電磁石79A’,79B’の間に配置された第1部材
としての鉄板81’と、該鉄板81’の+Y側面に固定
された平面視(上から見て)U字状の形状を有するアー
ム部材83’とを備えている。アーム部材83’は、筐
体77’に設けられた開口101’を介して筐体77’
内部に挿入されている。
【0131】磁性体ユニット75B’を構成する鉄板8
1’と、電磁石ユニット75A’を構成する電磁石79
A’,79B’との間には、磁気的吸引力が生じるた
め、例えば電磁石79A’,79B’の発生する磁気的
吸引力が同一の場合には、より近い側の電磁石に吸引さ
れる方向への推力が鉄板81’に与えられることにな
る。
【0132】ここで、EIコア装置73’による推力が
レチクル微動ステージ32に与えられる位置(作用点)
と、レチクル微動ステージ32の重心とは、X軸方向及
びZ軸方向で一致している。すなわち、EIコア装置7
3’はレチクル微動ステージ32の重心を押す構成とな
っているため、EIコア装置73’の推力によっては、
レチクル微動ステージ32を回転させるモーメントは一
切発生しない。
【0133】また、第1の実施形態と同様、ボイスコイ
ルモータ71B,71Cが中立状態にある場合には、E
Iコア装置73’には、Y軸方向の推力は殆ど生じず、
ボイスコイルモータ71B,71Cが中立状態から左右
いずれかにずれたときは、そのずれた方向と同一の方向
に推力が生じるようになっている。
【0134】次に、EIコア装置73’の作用も含め、
本実施形態のレチクルステージRSTの駆動制御方法に
ついて説明する。
【0135】図9(A)には、レチクル粗動ステージ3
4を右側(+Y側)に加速するときの様子が示されてい
る。この図9(A)に示されるように、レチクル粗動ス
テージ34を右側に加速するときには、予め主制御装置
99(図5参照)により、ボイスコイルモータ71B,
71Cに電流が供給され、第1の実施形態とは逆の右側
の方向にレチクル微動ステージ32を移動する。すなわ
ち、加速開始時に、レチクル微動ステージ32は、Y軸
方向に関して所定量だけ+Y側にオフセットされて位置
決めされた図9(A)の状態に設定されている。この状
態でレチクル粗動ステージ34の加速が開始されると、
レチクル微動ステージ32には左側(−Y側)への反力
が加わることになるが、加速開始と同時に主制御装置9
9により右側の電磁石79B’に電流が供給され、鉄板
81’に対して磁気的吸引力(右側への推力)が与えら
れることにより、反力に抗して鉄板81’が電磁石79
B’により所定間隔を保った状態で非接触で保持され
る。これにより、鉄板81’と電磁石79B’との間
(すなわちレチクル粗動ステージ34とレチクル微動ス
テージ32との間)に所定間隔を確保した状態で、レチ
クル微動ステージ32をレチクル粗動ステージ34とと
もに一体的に移動することが可能となっている。
【0136】ここで、レチクル微動ステージ32のY軸
方向位置は、前述したように、レチクルY軸干渉計66
1,66Y2により計測されているので、この干渉計6
6Y 1,66Y2の計測値と、レチクル微動ステージ32
の目標値とに基づいて、主制御装置99が、電磁石79
B’の磁気的吸引力を徐々に弱め、ボイスコイルモータ
71B,71Cの駆動力を徐々に強めるように各推力の
重み付けを変更することにより、前述した第1の実施形
態と同様に、電磁石79B’からボイスコイルモータ7
1B,71Cへの切り換えがスムーズに行われることに
なる。
【0137】そして、等速同期移動中には、図9(B)
に示されるように、鉄板81’がほぼ中立状態に位置す
るので、主制御装置99は、レチクル微動ステージ32
のウエハステージに対する同期移動制御をボイスコイル
モータ71B,71Cによる高応答制御で行うこととし
ている。この場合にも、レチクル微動ステージ32には
反力が作用しないため、ボイスコイルモータの発生推力
をそれ程大きくする必要はない。
【0138】次に、図9(B)の状態から、レチクルス
テージRSTを減速する場合には、減速方向とは反対の
紙面右側(+Y側)に反力が作用することになるが、電
磁石79A’に電流を供給することにより、鉄板81’
に紙面左側方向の磁気的吸引力を与えることが可能とな
っている。この場合にも、加速時と同様にレチクル干渉
計66Y1,66Y2,66Xの計測値と制御目標値とに
基づいて電磁石79A’への電流の供給を制御すること
により、第1の実施形態と同様の制御をすることが可能
となっている。
【0139】以上説明したように、本第2の実施形態に
よると、前述した第1の実施形態と同等の効果を得るこ
とができる他、EIコア装置73’を構成する電磁石に
供給する電流量を制御することにより発生推力の調整を
行うので、レチクルステージRSTの加減速動作におけ
るレチクル微動ステージ32の制御性能をより高性能と
することができる。
【0140】なお、上記第2の実施形態では、電磁石に
よる発生推力と、ボイスコイルモータによる発生推力の
重み付けを、レチクル干渉計66Y1,66Y2,66X
の出力と制御目標値とに基づいて行うこととしたが、本
発明はこれに限られるものではなく、例えば、レチクル
微動ステージ32と、レチクル粗動ステージ34との間
の間隔を計測する間隔計測センサを設け、該間隔計測セ
ンサの出力と制御目標値とに基づいて、電磁石による発
生推力とボイスコイルモータによる発生推力との重み付
けを行うこととしても良い。また、レチクル干渉計の出
力及び間隔計測センサの出力の両方を用いて重み付けを
行うこととしても良い。
【0141】なお、上記第2の実施形態では、EIコア
装置73’が、レチクル微動ステージ32に接続された
可動部分が鉄板であり、レチクル粗動ステージ34に接
続された固定部分が1対の電磁石である場合について説
明したが、これに限らず、例えば、レチクル微動ステー
ジ32に接続される可動部分がY軸方向の両側に磁界を
発生する電磁石で、レチクル粗動ステージ34に接続さ
れる固定部分が一対の鉄板であっても良い。この場合に
も、上記実施形態と同様の制御を行うことにより、上記
第2の実施形態と同等の効果を得ることができる。
【0142】また、上記実施形態では、第1部材を1枚
の鉄板81’とすることとしたが、本実施形態がこれに
限られるものではなく、第1部材をレチクル微動ステー
ジ32(及びレチクル微動ステージ32のY軸方向両側
の側壁に設けられた磁性体部材)とすることとしても良
い。すなわち、例えば、レチクル粗動ステージ34の形
状を断面L字状から断面コ字状(U字状)とし、レチク
ル微動ステージ32のY軸方向両側の側壁(磁性体部
材)に対向して電磁石を設けることとしても良い。更
に、第1部材を電磁石とし、電磁石を挟んだ状態で第2
部材である一対の鉄板を設けるようにしても良い。
【0143】なお、上記各実施形態では、本発明のステ
ージ装置がレチクルステージ側に採用された場合につい
て説明したが、これに限らず基板ステージ側に採用する
ことも可能である。例えば、液晶用露光装置には、マス
クステージとプレートステージとを、同一方向に等速移
動して投影光学系を介してマスクのパターンの等倍正立
像として基板上に転写する走査型の露光装置があるが、
かかる装置では、マスクステージ側は勿論、プレートス
テージ側にも本発明のステージ装置を好適に採用するこ
とができる。この他、プロキシミティ方式のX線露光装
置などでも、基板ステージ側に本発明のステージ装置を
採用することができる。
【0144】なお、上記各実施形態では、レチクルステ
ージとして1枚のレチクルを載置可能なシングルホルダ
方式のレチクルステージに推力発生装置が設けられた場
合について説明したが、これに限らず、例えば2枚のレ
チクルを載置可能なダブルホルダ方式のレチクルステー
ジについても同様に推力発生装置を設けることが可能で
ある。
【0145】なお、上記各実施形態では、レチクル微動
ステージ32を微小駆動する第2駆動装置としてボイス
コイルモータを用いた場合について説明したが、第2駆
動装置としては、例えば、微動ステージ、粗動ステージ
のいずれか一方のステージに接続された鉄板と、該鉄板
を駆動方向両側から挟んだ状態となるように他方のステ
ージに接続された一対の電磁石とから成る、いわゆるE
Iコアを採用することも可能である。
【0146】なお、上記各実施形態では、2つのウエハ
ステージを用いて同時並行処理するダブルステージタイ
プの露光装置について説明したが、本発明の適用範囲が
これに限られるものではなく、シングルウエハステージ
タイプの露光装置にも本発明は好適に適用できる。
【0147】露光装置の用途としては半導体製造用の露
光装置に限定されることなく、例えば、角型のガラスプ
レートに液晶表示素子パターンを転写する液晶用の露光
装置や、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン及びDNAチ
ップなどを製造するための露光装置にも広く適用でき
る。また、半導体素子などのマイクロデバイスだけでな
く、光露光装置、EUV露光装置、X線露光装置、及び
電子線露光装置などで使用されるレチクル又はマスクを
製造するために、ガラス基板又はシリコンウエハなどに
回路パターンを転写する露光装置にも本発明を適用でき
る。
【0148】また、DFB半導体レーザ又はファイバー
レーザから発振される赤外域、又は可視域の単一波長レ
ーザ光を、例えばエルビウム(又はエルビウムとイッテ
ルビウムの両方)がドープされたファイバーアンプで増
幅し、非線形光学結晶を用いて紫外光に波長変換した高
調波を用いても良い。また、投影光学系の倍率は縮小系
のみならず等倍および拡大系のいずれでも良い。
【0149】《デバイス製造方法》次に上述の露光装置
をリソグラフィ工程で使用するデバイスの製造方法の実
施形態について説明する。
【0150】図10には、デバイス(ICやLSI等の
半導体チップ、液晶パネル、CCD、薄膜磁気ヘッド、
マイクロマシン等)の製造例のフローチャートが示され
ている。図10に示されるように、まず、ステップ20
1(設計ステップ)において、デバイスの機能・性能設
計(例えば、半導体デバイスの回路設計等)を行い、そ
の機能を実現するためのパターン設計を行う。引き続
き、ステップ202(マスク製作ステップ)において、
設計した回路パターンを形成したマスクを製作する。一
方、ステップ203(ウエハ製造ステップ)において、
シリコン等の材料を用いてウエハを製造する。
【0151】次に、ステップ204(ウエハ処理ステッ
プ)において、ステップ201〜ステップ203で用意
したマスクとウエハを使用して、後述するように、リソ
グラフィ技術等によってウエハ上に実際の回路等を形成
する。次いで、ステップ205(デバイス組立てステッ
プ)において、ステップ204で処理されたウエハを用
いてデバイス組立てを行う。このステップ205には、
ダイシング工程、ボンディング工程、及びパッケージン
グ工程(チップ封入)等の工程が必要に応じて含まれ
る。
【0152】最後に、ステップ206(検査ステップ)
において、ステップ205で作成されたデバイスの動作
確認テスト、耐久テスト等の検査を行う。こうした工程
を経た後にデバイスが完成し、これが出荷される。
【0153】図11には、半導体デバイスにおける、上
記ステップ204の詳細なフロー例が示されている。図
11において、ステップ211(酸化ステップ)におい
てはウエハの表面を酸化させる。ステップ212(CV
Dステップ)においてはウエハ表面に絶縁膜を形成す
る。ステップ213(電極形成ステップ)においてはウ
エハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップ214
(イオン打ち込みステップ)においてはウエハにイオン
を打ち込む。以上のステップ211〜ステップ214そ
れぞれは、ウエハ処理の各段階の前処理工程を構成して
おり、各段階において必要な処理に応じて選択されて実
行される。
【0154】ウエハプロセスの各段階において、上述の
前処理工程が終了すると、以下のようにして後処理工程
が実行される。この後処理工程では、まず、ステップ2
15(レジスト形成ステップ)において、ウエハに感光
剤を塗布する。引き続き、ステップ216(露光ステッ
プ)において、上で説明したリソグラフィシステム(露
光装置)及び露光方法によってマスクの回路パターンを
ウエハに転写する。次に、ステップ217(現像ステッ
プ)においては露光されたウエハを現像し、ステップ2
18(エッチングステップ)において、レジストが残存
している部分以外の部分の露出部材をエッチングにより
取り去る。そして、ステップ219(レジスト除去ステ
ップ)において、エッチングが済んで不要となったレジ
ストを取り除く。
【0155】これらの前処理工程と後処理工程とを繰り
返し行うことによって、ウエハ上に多重に回路パターン
が形成される。
【0156】以上説明した本実施形態のデバイス製造方
法を用いれば、露光工程(ステップ216)において上
記実施形態の露光装置が用いられるので、高スループッ
トでレチクルとウエハとの位置合わせ精度の良好な露光
が行われる。従って、微細パターンが形成された高集積
度のマイクロデバイスの生産性を向上することができ
る。
【0157】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のステージ
装置によれば、高加速度化による重量増加を低減し、ス
テージの駆動を効率良く行うことができるという効果が
ある。
【0158】本発明の露光装置によれば、高スループッ
トで走査露光を行うことができるという効果がある。
【0159】本発明のデバイス製造方法によれば、微細
パターンが形成された高集積度のマイクロデバイスの生
産性を向上することができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1の実施形態に係る露光装置の全体構成を一
部断面して概略的に示す図である。
【図2】図1の投影光学系支持部材の近傍を拡大して示
す図である。
【図3】レチクルステージ及びその近傍を示す斜視図で
ある。
【図4】図4(A)はボイスコイルモータの構成を説明
するための図であり、図4(B)は、ガスフロー装置の
構成を説明するための図である。
【図5】第1の実施形態に係る露光装置の制御系を示す
図である。
【図6】図6(A)〜図6(C)は、レチクルステージ
の加速移動時、等速同期移動時、減速移動時のボイスコ
イルモータ及びガスフロー装置の状態を説明するための
図である。
【図7】図7(A)は、レチクル粗動ステージの加速度
の変化を示す図であり、図7(B)は、レチクル粗動ス
テージの速度の変化を示す図である。
【図8】EIコア装置を一部断面して示す斜視図であ
る。
【図9】図9(A)〜図9(C)は、第2の実施形態に
係るレチクルステージの加速移動時、等速同期移動時、
減速移動時のボイスコイルモータ及びEIコア装置の状
態を説明するための図である。
【図10】本発明に係るデバイス製造方法を説明するた
めのフローチャートである。
【図11】図10のステップ204の具体例を示すフロ
ーチャートである。
【符号の説明】
10…露光装置、32…レチクル微動ステージ(第2ス
テージ)、34…レチクル粗動ステージ(第1ステー
ジ)、66Y1,66Y2,66X…レチクル干渉計(位
置計測装置)、69…Y軸リニアモータ(第1駆動装
置)、71A〜71C…ボイスコイルモータ(第2駆動
装置)、73…ガスフロー装置(推力発生装置)、7
3’…EIコア装置(推力発生装置)、75A’…電磁
石ユニット、75B’…磁性体ユニット、79A,79
B…気体噴出機構(第2部材)、79A’,79B’…
電磁石(第2部材、電磁石ユニットの一部)、81…板
状部材(第1部材)、81’…鉄板(第1部材、磁性
体)、99…主制御装置(駆動制御装置、制御装置)、
R…レチクル(マスク,物体)、W1,W2…ウエハ
(基板、物体)、WST1,WST2…ウエハステージ
(第3ステージ)。

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 所定の移動面に沿って第1軸方向に移動
    可能な第1ステージと;前記第1ステージを前記第1軸
    方向に駆動する第1駆動装置と;前記第1ステージに一
    部が接続され、物体が載置される第2ステージを少なく
    とも前記第1軸方向に駆動する第2駆動装置と;前記第
    1ステージの加速時と減速時との少なくとも一方の間
    に、前記第2ステージに対して前記第1軸方向に沿った
    推力を発生する推力発生装置と;を備えることを特徴と
    するステージ装置。
  2. 【請求項2】 前記第1ステージを移動させている間
    に、前記第2駆動装置と前記推力発生装置とを併用して
    前記第2ステージを駆動する駆動制御装置を、備えるこ
    とを特徴とする請求項1に記載のステージ装置。
  3. 【請求項3】 前記推力発生装置は、前記第2ステージ
    の重心点にその推力の作用点が設定されていることを特
    徴とする請求項1又は2に記載のステージ装置。
  4. 【請求項4】 前記推力発生装置は、前記第2ステージ
    に接続された第1部材と、前記第1ステージに接続され
    前記第1軸方向に所定間隔を隔てて配置された一対の第
    2部材とを有し、前記第1部材と前記一対の第2部材の
    一方とにより前記推力を発生することを特徴とする請求
    項1〜3のいずれか一項に記載のステージ装置。
  5. 【請求項5】 前記第2ステージは、前記第1ステージ
    の加速開始時に前記第1ステージの移動方向に関してオ
    フセットされて位置決めされていることを特徴とする請
    求項1〜4のいずれか一項に記載のステージ装置。
  6. 【請求項6】 前記第1部材及び前記一対の第2部材の
    一方が、他方の部材の対向面に加圧気体を噴出する気体
    噴出機構を有することを特徴とする請求項4又は5に記
    載のステージ装置。
  7. 【請求項7】 前記第1部材及び前記一対の第2部材の
    一方が、電磁石を有する電磁石ユニットであり、他方が
    前記電磁石ユニットが発生する磁気的吸引力によって吸
    引される磁性体を有する磁性体ユニットであることを特
    徴とする請求項4又は5に記載のステージ装置。
  8. 【請求項8】 マスクと基板とを同期移動して前記マス
    クのパターンを前記基板上に転写する露光装置であっ
    て、 前記物体として前記マスク及び前記基板の一方が前記第
    2ステージに載置される請求項1〜7のいずれか一項に
    記載のステージ装置と;前記マスク及び基板の他方が載
    置される第3ステージと;前記パターンの転写に際し
    て、前記マスクと前記基板とが並行して前記第1軸方向
    に関して加速状態、等速同期移動状態、及び減速状態に
    順次遷移するように、前記ステージ装置と前記第3ステ
    ージとを制御する制御装置と;を備えることを特徴とす
    る露光装置。
  9. 【請求項9】 前記第2ステージの前記第1軸方向の位
    置を計測する位置計測装置を更に備え、 前記制御装置は、前記位置計測装置の出力と制御目標値
    とに基づいて、前記推力発生装置の発生推力及び前記第
    2駆動装置の前記第1軸方向の発生推力の重みを変化さ
    せることを特徴とする請求項8に記載の露光装置。
  10. 【請求項10】 前記第1ステージと前記第2ステージ
    との間隔を計測する間隔計測センサを更に備え、 前記制御装置は、前記間隔計測センサの出力と制御目標
    値とに基づいて、前記推力発生装置の発生推力及び前記
    第2駆動装置の前記第1軸方向の発生推力の重みを変化
    させることを特徴とする請求項8に記載の露光装置。
  11. 【請求項11】 リソグラフィ工程を含むデバイス製造
    方法であって、 前記リソグラフィ工程において、請求項8〜10のいず
    れか一項に記載の露光装置を用いて露光を行うことを特
    徴とするデバイス製造方法。
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