JP2003045671A5 - - Google Patents

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  1. 基板の絶縁表面に設けられたＴＦＴと、ＴＦＴと電気的に接続する発光素子とを有する半導体装置において、
    前記発光素子は、有機化合物層と、陽極と、アルカリ金属を含む陰極を備え、前記ＴＦＴと前記発光素子との間に前記アルカリ金属を吸着する絶縁層を有することを特徴とする発光装置。
  2. 基板の絶縁表面に設けられたＴＦＴと、ＴＦＴと電気的に接続する発光素子とを有する半導体装置において、
    前記発光素子は、アルカリ金属を含む有機化合物層と、陽極と、陰極を備え、前記ＴＦＴと前記発光素子との間に前記アルカリ金属を吸着する絶縁層を有することを特徴とする発光装置。
  3. 基板の絶縁表面に設けられたＴＦＴと、ＴＦＴと電気的に接続する発光素子とを有する半導体装置において、
    前記発光素子は、有機化合物層と、陽極と、アルカリ金属を含むバッファー層と、陰極を備え、前記ＴＦＴと前記発光素子との間に前記アルカリ金属を吸着する絶縁層を有することを特徴とする発光装置。
  4. 基板の絶縁表面に設けられたＴＦＴと、ＴＦＴと電気的に接続する発光素子とを有する半導体装置において、
    前記発光素子は、有機化合物層と、陽極と、アルカリ土類金属を含む陰極を備え、前記ＴＦＴと前記発光素子との間に前記アルカリ土類金属を吸着する絶縁層を有することを特徴とする発光装置。
  5. 基板の絶縁表面に設けられたＴＦＴと、ＴＦＴと電気的に接続する発光素子とを有する半導体装置において、
    前記発光素子は、アルカリ土類金属を含む有機化合物層と、陽極と、陰極を備え、前記ＴＦＴと前記発光素子との間に前記アルカリ土類金属を吸着する絶縁層を有することを特徴とする発光装置。
  6. 基板の絶縁表面に設けられたＴＦＴと、ＴＦＴと電気的に接続する発光素子とを有する半導体装置において、
    前記発光素子は、有機化合物層と、陽極と、アルカリ土類金属を含むバッファー層と、陰極を備え、前記ＴＦＴと前記発光素子との間に前記アルカリ土類金属を吸着する絶縁層を有することを特徴とする発光装置。
  7. 請求項１乃至６のいずれか一において、前記絶縁層は、フッ素を１×１０19／ｃｍ3以上含む窒化シリコン膜からなることを特徴とする発光装置。
  8. 請求項１乃至６のいずれか一において、前記絶縁層は、アンチモン化合物、スズ化合物、またはインジウム化合物からなる粒子を含む有機樹脂膜であることを特徴とする発光装置。
  9. 請求項１乃至６のいずれか一において、前記絶縁層は、フッ素を１×１０19／ｃｍ3以上含む窒化シリコン膜と、アンチモン化合物、スズ化合物、またはインジウム化合物からなる粒子を含む有機樹脂膜との積層膜であることを特徴とする発光装置。
  10. 請求項８または請求項９において、前記アンチモン化合物は五酸化アンチモンであるこ とを特徴とする発光装置。
  11. 請求項１乃至６のいずれか一において、前記絶縁層は、フッ素を１×１０19／ｃｍ3以上含む窒化酸化シリコン膜または酸化シリコンからなることを特徴とする発光装置。
  12. 請求項１乃至請求項１１のいずれか一に記載の発光装置を表示部に用いていることを特徴とする電気器具。
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