JP2001035657A5 - エレクトロルミネッセンス表示装置及びその作製方法 - Google Patents

Description

【特許請求の範囲】
【請求項１】
陰極及び陽極で発光層を挟んだ構造を有するエレクトロルミネッセンス表示装置であって、
前記陽極の上にはパッシベーション膜が設けられ、
前記発光層と前記陽極との界面近傍において最も濃度が高くなるようにハロゲン元素が添加されていることを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項２】
陰極及び陽極で発光層を挟んだ構造を有するエレクトロルミネッセンス表示装置であって、
前記陽極の上にはパッシベーション膜が設けられ、
前記発光層と前記陽極との界面近傍にはハロゲン元素が含まれ、
前記ハロゲン元素は、前記パッシベーション膜を通して前記発光層に添加されていることを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項３】
薄膜トランジスタと電気的に接続された陰極及び陽極で発光層を挟んだ構造を有するエレクトロルミネッセンス表示装置であって、
前記陽極の上にはパッシベーション膜が設けられ、
前記発光層と前記陽極との界面近傍にはハロゲン元素が含まれ、
前記ハロゲン元素は、前記パッシベーション膜を通して前記発光層に添加されていることを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、前記陽極にはハロゲン元素が含まれていることを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、前記パッシベーション膜にはハロゲン元素が含まれていることを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、前記発光層と前記陽極との界面近傍には前記ハロゲン元素が含まれている領域と含まれていない領域とが存在することを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項７】
陰極及び陽極で発光層を挟んだ構造を有するエレクトロルミネッセンス表示装置であって、
前記陽極の上にはパッシベーション膜が設けられ、
前記発光層と前記陰極との界面近傍にはアルカリ金属元素又はアルカリ土類金属元素が含まれ、
前記アルカリ金属元素又は前記アルカリ土類金属元素は、前記パッシベーション膜を通して添加されていることを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項８】
薄膜トランジスタと電気的に接続された陰極及び陽極で発光層を挟んだ構造を有するエレクトロルミネッセンス表示装置であって、
前記陽極の上にはパッシベーション膜が設けられ、
前記発光層と前記陰極との界面近傍にはアルカリ金属元素又はアルカリ土類金属元素が含まれ、
前記アルカリ金属元素又は前記アルカリ土類金属元素は、前記パッシベーション膜を通して添加されていることを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項９】
請求項７又は請求項８において、前記パッシベーション膜にはアルカリ金属元素又はアルカリ土類金属元素が含まれていることを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項１０】
請求項７乃至請求項９のいずれか一において、前記発光層と前記陰極との界面近傍には前記アルカリ金属元素又はアルカリ土類金属元素が含まれている領域と含まれていない領域とが存在することを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一において、前記陰極はアルカリ金属元素又はアルカリ土類金属元素を含む金属膜で形成され、前記陽極は透明導電膜で形成されていることを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一において、前記パッシベーション膜は珪素を含む絶縁膜であることを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１２のいずれか一に記載のエレクトロルミネッセンス表示装置を含むことを特徴とする電子装置。
【請求項１４】
基板上に陰極を形成し、
前記陰極の上に発光層を形成し、
前記発光層の上に陽極を形成し、
前記陽極の上にパッシベーション膜を形成し、
前記発光層に対して前記パッシベーション膜を通してハロゲン元素を添加することを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示装置の作製方法。
【請求項１５】
基板上に薄膜トランジスタを形成し、
前記薄膜トランジスタと電気的に接続された陰極を形成し、
前記陰極の上に発光層を形成し、
前記発光層の上に陽極を形成し、
前記陽極の上にパッシベーション膜を形成し、
前記発光層に対して前記パッシベーション膜を通してハロゲン元素を添加することを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示装置の作製方法。
【請求項１６】
基板上に陰極を形成し、
前記陰極の上に発光層を形成し、
前記発光層の上に陽極を形成し、
前記陽極の上にパッシベーション膜を形成し、
前記パッシベーション膜の上にレジストを選択的に形成し、
前記レジストをマスクとして、前記発光層に対して前記パッシベーション膜を通してハロゲン元素を添加することを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示装置の作製方法。
【請求項１７】
請求項１４乃至請求項１６のいずれか一において、前記ハロゲン元素は前記陽極と前記発光層との界面近傍で最も濃度が高くなるように添加されることを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示装置の作製方法。
【請求項１８】
基板上に陰極を形成し、
前記陰極の上に発光層を形成し、
前記発光層の上に陽極を形成し、
前記陽極の上にパッシベーション膜を形成し、
前記発光層に対して前記パッシベーション膜を通してアルカリ金属元素又はアルカリ土類金属元素を添加することを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示装置の作製方法。
【請求項１９】
基板上に薄膜トランジスタを形成し、
前記薄膜トランジスタと電気的に接続された陰極を形成し、
前記陰極の上に発光層を形成し、
前記発光層の上に陽極を形成し、
前記陽極の上にパッシベーション膜を形成し、
前記発光層に対して前記パッシベーション膜を通してアルカリ金属元素又はアルカリ土類金属元素を添加することを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示装置の作製方法。
【請求項２０】
基板上に陰極を形成し、
前記陰極の上に発光層を形成し、
前記発光層の上に陽極を形成し、
前記陽極の上にパッシベーション膜を形成し、
前記パッシベーション膜の上にレジストを選択的に形成し、
前記レジストをマスクとして、前記発光層に対して前記パッシベーション膜を通してアルカリ金属元素又はアルカリ土類金属元素を添加することを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示装置の作製方法。
【請求項２１】
請求項１８乃至請求項２０のいずれか一において、前記アルカリ金属元素又はアルカリ土類金属元素は前記陰極と前記発光層との界面近傍で最も濃度が高くなるように添加されることを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示装置の作製方法。
【請求項２２】
請求項１４乃至請求項２１のいずれか一において、前記陰極はアルカリ金属元素又はアルカリ土類金属元素を含む金属膜で形成され、前記陽極は透明導電膜で形成されることを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示装置の作製方法。
【請求項２３】
請求項１４乃至請求項２１のいずれか一において、前記パッシベーション膜は珪素を含む絶縁膜で形成されることを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示装置の作製方法。