JP2001085163A5 - - Google Patents

Description

【特許請求の範囲】
【特許請求の範囲】
【請求項１】 陽極と、陰極と、両者の間に保持された有機層とからなり、前記有機層は該陽極から供給される正孔と該陰極から供給される電子との再結合によって発光する発光層を含んでいる有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、
基板の上に陽極を形成する陽極形成工程と、
該陽極の上に有機層を形成する有機層形成工程と、
該有機層の上に該発光が透過可能な厚みで陰極を形成する陰極形成工程と、
該陰極を被覆するように透明導電膜をスパッタリングで成膜する透明導電膜形成工程とからなり、
前記透明導電膜形成工程は、成膜の初期にはスパッタリングに要する電力を低く設定し、成膜の進行に応じて該電力を高く設定することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項２】 前記透明導電膜形成工程は、成膜の初期にはスパッタリングに要する電力を０．４Ｗ／ｃｍ^２未満に設定し、成膜の進行に応じて該電力を０．４Ｗ／ｃｍ^２以上に設定することを特徴とする請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項３】 前記透明導電膜形成工程は、成膜の進行に伴って該電力を段階的に高く設定すること特徴とする請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項４】 前記透明導電膜形成工程は、成膜の進行に伴って該電力を連続的に高く上げていくことを特徴とする請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項５】 前記透明導電膜形成工程は、Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ系の透明導電膜を成膜することを特徴とする請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項６】 前記透明導電膜形成工程は、Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ系の透明導電膜を室温で成膜することを特徴とする請求項５記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項７】 陽極と、陰極と、両者の間に保持された有機層とからなり、前記有機層は該陽極から供給される正孔と該陰極から供給される電子との再結合によって発光する発光層を含んでいる有機エレクトロルミネッセンス素子であって、
基板の上に陽極を形成し、該陽極の上に有機層を形成し、該有機層の上に該発光が透過可能な厚みで陰極を形成し、該陰極を被覆するように透明導電膜をスパッタリングで成膜した積層構造を有し、
前記透明導電膜は、該陰極と接する下方部分がスパッタリングに要する電力を低く設定して成膜されたものであり、陰極と接しない上方部分が該電力を高く設定して成膜されたものであることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項８】 画素を選択するための走査線と、画素を駆動するための輝度情報を与えるデータ線とが基板の上にマトリクス状に配設され、
各画素は、供給される電流量に応じて発光する有機エレクトロルミネッセンス素子と、走査線によって制御され且つデータ線から与えられた輝度情報を画素に書き込む機能を有する第一の能動素子と、該書き込まれた輝度情報に応じて該有機エレクトロルミネッセンス素子に供給する電流量を制御する機能を有する第二の能動素子とを含む表示装置において、
前記有機エレクトロルミネッセンス素子は、陽極と、陰極と、両者の間に保持された有機層とからなり、前記有機層は該陽極から供給される正孔と該陰極から供給される電子との再結合によって発光する発光層を含んでおり、
前記有機エレクトロルミネッセンス素子は、該基板の上に陽極を形成し、該陽極の上に有機層を形成し、該有機層の上に該発光が透過可能な厚みで陰極を形成し、該陰極を被覆するように透明導電膜をスパッタリングで成膜した積層構造を有し、
前記透明導電膜は、該陰極と接する下方部分がスパッタリングに要する電力を低く設定して成膜されたものであり、陰極と接しない上方部分が該電力を高く設定して成膜されたものであることを特徴とする表示装置。