JP2003041009A - 固形フェノール樹脂系ブラック酸化チタンマスターバッチ及びその製造方法 - Google Patents
固形フェノール樹脂系ブラック酸化チタンマスターバッチ及びその製造方法Info
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Abstract
止材用マスターバッチの提供。 【解決手段】 分散に供する物質をメディアを用いて加
熱分散させる攪拌翼を備えた装置と、得られた分散体を
加熱濾過する装置とを装備した分散機中において、粒子
径0.1〜4.0mmのメディアを用い、50〜250
℃の温度、1.6m/秒以上の攪拌翼の周速度の条件
で、フェノール樹脂及びブラック酸化チタンを着色材と
して含む充填材を熱溶融分散し、溶融濾過して、充填材
をフェノール樹脂に10μm以下の粒径で分散させる。
Description
grated Circuit)チップとの間の僅かな空隙を封止する
半導体デバイス封止材用の充填材マスターバッチ、及び
その製造方法に関する。
は、IT(Information Technology)時代を迎えて益々
強くなっている。これに伴って電子機器に使用される半
導体素子の形態も小型化、薄型化、多ピン化が進んでい
る。
で複雑な電子回路を、外部からの悪環境条件から遮断や
機械的に保護する必要がある。具体的には、各種の塵
埃、水分、衝撃、振動、有害ガスなどから保護するため
に封止材による封止が行われている。
クス、ガラスなどが当初は使用されてきたが、近年では
樹脂系封止材が大部分を占めるようになってきた。これ
は、金属やセラミックスを用いたものは気密性に優れ高
い信頼性を有するものの、コストが高いこと及び加工作
業性などの面において、樹脂系封止材より大幅に劣って
いることによる。そのため、現状では金属やセラミック
スは、一部の特殊用途にのみ使用されるにすぎない。
ータの心臓部である中央処理装置(CPU)において、
該CPUのクロック周波数が200MHzを超えるもの
については、特に信号電圧の減衰が少ないという効果が
発揮されるために、CPU封止材市場の90%以上が樹
脂系封止材を使用するに至っている事実が物語ってい
る。ここに、封止材に使用される樹脂としては、エポキ
シ樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド
樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂などがある。
高接着性、高電気絶縁性、低湿度性、高機械的強度性、
高耐薬品性、耐熱性の面から、樹脂成分として、フェノ
ール樹脂を硬化剤として用いたエポキシ−フェノール樹
脂系が用いられている。
めには、封止材とICチップとの線膨張率の差により発
生する応力を低減させる必要がある。そのため、封止材
にシリカフィラーを多量に配合し、封止材の線膨張率を
小さくするなどの工夫が施されているのが通例である。
すなわち、一般に封止材は、上記した樹脂成分及びシリ
カ等の無機充填材フィラー、更に硬化剤、着色材、各種
添加剤等から構成される複合材料である。
用したエポキシ樹脂系封止材は、従来のモールド成型、
最近ではP−PGA(Plastic-Ball Grid Array)、P−
BGA(Plastic-Pin Grid Array)、フリップチップ
(Flip Chip)あるいはCSP(Chip Size Package/Chi
p Scale Package)等の最先端半導体デバイスの封止材
として使用され始めてきているのも周知の通りである。
較すると、小型で複雑な構造のものが多い。CSPの基
板とICチップ間のギャップは、従来の75〜100μ
m程度が主流であったものが、近年、多ピッチ化に伴う
狭ピッチ化するためにバンプサイズが小さくなり、ギャ
ップも30〜50μm程度のものが増えつつあり、更に
最先端半導体デバイスでは、ギャップ寸法が1ミル(2
5.4μm)以下のものが開発されている。さらに近年
では、リードフレーム間隔が10μmに迫ろうとし、近
い将来的では10μmをきるといわれている。
材には、これまで以上の繊細な加工性が求められてい
る。更にまた、硬化剤として配合されるフェノール樹脂
由来の封止材の黄変を着色力の大きな顔料で緩和できる
こと、及びその着色を与える顔料(着色材)が封止工程
での加熱溶融時において凝集して異物とならないことも
要求されており、そのような封止材の開発が望まれてい
る。
合される着色材としては、主にカーボンブラックが用い
られてきた。封止材の典型的な製造方法である、カーボ
ンブラックとエポキシ樹脂、フェノール樹脂(硬化
剤)、硬化促進剤、シリカフィラー、離型剤およびその
他の添加剤を配合し、混合後、加熱混練して、封止材を
製造した場合、カーボンブラックが充分に分散できず、
凝集塊として残り、リードフレーム間の挟まってチャー
ジを引き起こしたり、コネクタワイヤの断線を引き起こ
したりしやすいという欠点があった。
めカーボンブラックをエポキシ樹脂に分散させたマスタ
ーバッチ、すなわち樹脂分散体を作製しておき、これを
封止材のベース樹脂として用いられる多量の樹脂で希釈
する手法を取っている。この方法は、カーボンブラック
を樹脂分散体にするので、封止材製造工程でカーボンブ
ラック粉等の顔料飛散による汚染もなく、製造環境上き
わめて良好な方法である。
る封止材は、モールド型では極めて有効である。しかし
ながら、ワイヤ接続やビーム接続、新技術のパンプ接続
やスルーホール接続のテープタイプ、キャリヤタイプ及
び樹脂封止タイプのCSP各種では、樹脂分散体中のカ
ーボンブラック凝集塊の大きさを厳密に管理し製造して
も、実際使用するときに、エポキシ樹脂や硬化剤である
フェノール樹脂で希釈して加熱しておくと、カーボンブ
ラックは凝集してしまい、封止時には、結果として、 1)リードフレーム間に挟まってチャージを引き起こし
たりする、 2)コネクタワイヤの断線を引き起こしたりする ということが判ってきた。
着色材の凝集が起こらないように着色材を分散媒である
エポキシ樹脂に分散するマスターバッチ法を活用し、着
色材にブラック酸化チタンを用いたマスターバッチが開
発されている。ところが、着色材であるブラック酸化チ
タンを封止材のベース樹脂であるエポキシ樹脂に配合し
たため、使用上、封止材の用途毎にエポキシ樹脂を変更
する必要性から、用途毎のエポキシ樹脂マスターバッチ
が必要となり、生産管理の複雑化や在庫量アップにつな
がっていた。したがって、上記欠点の全てを解消でき
る、汎用性の高いフェノール樹脂系のマスターバッチ、
すなわち、着色材の高濃度分散体の開発が切望されてい
た。
決するためになされたものであり、その技術思想は次の
点に要約される。 (1)封止材として着色材の高濃度分散体(マスターバ
ッチ)を活用するが、封止の際、封止条件に近い温度条
件で着色材が分散するようにし、相変化に伴って生ずる
着色材の分散状態の変化、着色材の凝集を緩和させる。 (2)そのために、着色材の高温加熱分散時には、最高
の微分散条件で着色材を分散させる。 (3)この微分散条件で、凝集の核となる粗粒を完全に
近い条件で除去する。 (4)無機系の着色材を用い、極性の違う分散媒で分散
粒子を包み、粒子の凝集力から隔離する。
によって、理想に近い半導体デバイス封止材用のフェノ
ール樹脂系マスターバッチ、及びその製造方法を完成し
た。
希釈できる希釈樹脂とから構成される半導体デバイス封
止材用に供しうる充填材マスターバッチであって、前記
充填材マスターバッチは、フェノール樹脂と充填材とを
50〜250℃の温度で熱溶融分散し、充填材をフェノ
ール樹脂に10μm以下の粒径で分散させたものであ
り、充填材は、少なくとも着色材を含んでおり、着色材
は、一般式 TiwOx (1) (ここにWは1〜3の整数を表し、Xは1.0〜7.0
の数を表す)で表される化合物の混合物であるブラック
酸化チタンであり、フェノール樹脂は、25℃で固形で
あり、60〜250g/eqの水酸基当量、50〜12
0℃の軟化点、及び45〜250℃の融点を有し、着色
材及びフェノール樹脂の量は、フェノール樹脂と着色材
の合計量に対し、それぞれ5〜70重量%及び95〜3
0重量%であり、充填材マスターバッチを希釈樹脂で溶
融希釈し、半導体デバイスを高温下で封止する封止材と
したときに、充填材の凝集による粗粒の発生を防止でき
る、半導体デバイス封止材用充填材マスターバッチ。
(2)で表される3官能フェノール樹脂と(3)で表さ
れる4官能フェノールとの混合物(液体クロマトグラフ
分析によるピーク面積比率(面積比)は(2)が約65
%、(3)が約35%である)を挙げることができる;
11、R7〜R14は、水素原子又はメチル基を表し、互い
に同じであっても異なってもよい)
用いて加熱分散させる攪拌翼を備えた装置と、得られた
分散体を加熱濾過する装置とを装備した分散機中におい
て、粒子径0.1〜4.0mmのメディアを用い、50
〜250℃の温度、1.6m/秒以上の攪拌翼の周速度
の条件で、フェノール樹脂及び少なくとも着色材を含む
充填材を熱溶融分散し、溶融濾過して、充填材をフェノ
ール樹脂に10μm以下の粒径で分散させることを特徴
とする、半導体デバイス封止材用充填材マスターバッチ
の製造方法であって、着色材が、一般式 TiwOx (1) (ここにWは1〜3の整数を表し、Xは1.0〜7.0
の数を表す)で表される化合物の混合物であるブラック
酸化チタンであり、フェノール樹脂が、25℃で固形で
あり、60〜250g/eqの水酸基当量、50〜12
0℃の軟化点、及び45〜250℃の融点を有し、着色
材及びフェノール樹脂の量が、フェノール樹脂と着色材
の合計量に対し、それぞれ5〜70重量%及び95〜3
0重量%である、上記製造方法。
フェノール樹脂と充填材とからなり、充填材として着色
材を少なくとも含んでいる。また、かかる着色材として
は、一般式 TiwOx (1) (ここにWは1〜3の整数を表し、Xは1.0〜7.0
の数を表す)で表される化合物の混合物であるブラック
酸化チタンが用いられる。ここで、ブラック酸化チタン
とは、粉状であり、粉体特性のうち、電子顕微鏡による
一次平均粒子径が0.03〜0.5nmであり、比表面
積が20〜60m2/gの範囲、吸油量が30〜40m
l/100g範囲にある。
は、TiO、Ti2O3、Ti3O5からなる群から選択さ
れる2種以上の混合物から構成されていることが好まし
い。特に、TiOとTi2O3との混合物であるブラック
酸化チタンか、Ti3O5とTi 2O3との混合物であるブ
ラック酸化チタンが好ましい。更にまた、Ti3Ox(X
は、Tiに対するOの比率をX線回折から求めた値であ
り、5〜5.2の数を表す)の混合物であるブラック酸
化チタン、TiOx(Xは、Tiに対するOの比率をT
G−DTAから求めた値であり、1.0〜1.5の数を
表す)の混合物であるブラック酸化チタンも好適であ
る。
は、上記した着色材の他に、他の充填材として、効果促
進剤、難燃化剤等を配合することができる。
ける分散媒体であるフェノール樹脂は、25℃で固形を
示すものであれば特に制限はなく、各種のフェノール樹
脂を用いることができる。但し、60〜250g/eq
の水酸基当量、50〜120℃の軟化点、及び45〜2
50℃の融点を有しているものが好ましい。
中のOH基の総数が3個以上である多官能フェノール樹
脂を挙げることができ、例えば、上記した式(2)で表
される3官能フェノール樹脂や式(3)で表される4官
能フェノール樹脂等が用いられる。
用いても、2種以上組み合わせて用いてもよいが、本発
明においては、単独で用いた場合でも、2種以上組み合
わせた場合でも、最終的なフェノール樹脂成分として、
25℃で固形を示すことが必要である。
は、充填材が、フェノール樹脂に10μm以下、好まし
くは3μm以下の粒径で分散している。充填材の粒径に
ついては、かかるマスターバッチを構成するフェノール
樹脂と同一のフェノール樹脂、エポキシ樹脂、又はフェ
ノール樹脂とエポキシ樹脂との混合樹脂を用いて、得ら
れたマスターバッチを希釈して、その一部をガラス製プ
レパラートの上にのせ、それをステンレス板上で常温ま
で急冷させ、光学顕微鏡で観察することで測定すること
ができる。
ける着色材及びフェノール樹脂の量は、フェノール樹脂
と着色材の合計量に対し、それぞれ5〜70重量%及び
95〜30重量%とすることが好ましい。
脂により溶融希釈され半導体デバイス封止材として好適
に用いられるが、この場合の希釈樹脂としては、上述の
フェノール樹脂を用いてもよいし、エポキシ樹脂を用い
てもよく、これらの混合物を用いることもできる。ま
た、上記エポキシ樹脂は、常温で固形状を呈するもので
も液状を呈するものでもよく、各種のエポキシ樹脂を用
いることが出来る。例えば、ビスフェノールA型エポキ
シ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、アリル化ビスフェノール
エポキシ多官能エポキシ樹脂等が挙げられる。これらは
単独で、あるいは2種以上組み合わせて用いることがで
きる。
形であり、エポキシ当量が140〜250g/eq 、
軟化点及び融点がそれぞれ50〜120℃及び45〜2
50℃であるものを用いることが好適である。
ーバッチに、希釈樹脂として上記エポキシ樹脂又はフェ
ノール樹脂塗エポキシ樹脂との混合物を用いた場合、エ
ポキシ樹脂とフェノール樹脂との割合は、エポキシ基1
当量当り、フェノール樹脂中の水酸基又は酸無水物基が
0.5〜1.4当量となる様に配合することが好適であ
る。なお、この場合には、フェノール樹脂がエポキシ樹
脂の硬化剤として作用することになり、硬化促進剤を併
用することも可能である。硬化促進剤としては、マイク
ロカプセル型潜在的硬化促進剤を含めて、公知のものを
用いることができ、特に限定されるものではない。
粒径で分散している、本発明の半導体デバイス封止材用
充填材マスターバッチは、分散に供する物質をメディア
を用いて加熱分散させる攪拌翼を備えた装置と、得られ
た分散体を加熱濾過する装置とを装備した分散機中にお
いて、粒子径0.1〜4.0mmのメディアを用い、温
度:50〜250℃、攪拌翼の周速度:1.6m/秒以
上の条件で、フェノール樹脂及び少なくとも着色材を含
む充填材を熱溶融分散し、溶融濾過することによって得
られる。
る装置は、装置温度を上記したフェノール樹脂の軟化点
または融点に設定できる加熱手段を具備している。ま
た、加熱温度としては、50〜250℃、好ましくは8
0〜180℃である。
すなわち、フェノール樹脂と充填材を入れる容器を有し
ており、この容器の材質は、ガラス、フッ素樹脂やステ
ンレス等の金属で腐食が生じない材質であれば特に限定
するものではない。しかし、伝熱性の面からは金属容器
が好適に使用できる。
ノール樹脂と充填材との攪拌ができ、且つ内部のフェノ
ール樹脂を加熱溶融することができれば、特に制限はな
いが、形状は円筒形が好ましい。円筒形の筒の一方を閉
鎖し、閉鎖部分を下にして立てた状態で、攪拌翼で容器
内部を攪拌してもよい。また、横型として、円筒の両端
を閉鎖し、その一部を開孔し、循環式としてもよい。し
かし、この場合には別の溶解槽と循環装置を具備しなけ
ればならない。要するに、加熱分散装置は、溶融したフ
ェノール樹脂と着色材であるブラック酸化チタンとを所
望の分散状態に分散させることができればよい。
径であることが好ましい。また、攪拌翼の周速度は、
1.6m/秒以上、好ましくは1.6〜140m/秒の
範囲とする。攪拌翼は1枚でも良いが、分散媒体である
メディアの攪拌を均一にするのには複数枚を直列に翼を
配列してフェノール樹脂と着色材であるブラック酸化チ
タンとを分散させることが好ましい。
ましくは0.3〜1.0mmのものが好適に使用でき
る。また、メディアの使用量は、分散機の有効空間に対
して、30〜95体積%、好ましくは50〜90体積%
であることが好ましい。
系、アルミナ系、チタニア系の無機材系、又はテフロン
(登録商標)系の樹脂系等、フェノール樹脂及びブラッ
ク酸化チタンに不活性なメディアを使用することが好ま
しい。なお、ガラス系のメディアを用いる場合には、攪
拌によるメディアの損傷が少なく且つ不純物の少ないハ
イビータイプのものを使用することが好ましい。
そのまま速やかに、予め加熱されたフィルターで濾過さ
れ、分散体中の異物を取り除く。すなわち、得られた分
散体を加熱濾過する装置としては、加熱温度50〜25
0℃、好ましくは80〜180℃の間の温度設定できる
フィルター式濾過装置を用いることができる。濾過に際
して、加圧または減圧、機械振動や音波振動を加えるこ
とによって、濾過スピードが速くなり効率があがるの
で、装置はそのような設備を具備していてもよい。
るフィルターの開孔としては、好ましくは10μm以
下、より好ましくは8μm以下、さらに好ましくは3μ
m以下のものを使用する。また、大きな開孔のフィルタ
ーで予め予備濾過してから、上述のフィルターを用いて
濾過を行ってもよい。なお、フィルターの加熱温度につ
いては、フェノール樹脂の軟化点や融点によって定めら
れるが、50〜250℃、好ましくは80〜180℃の
間の温度に設定することが望ましい。
μm径程度までは綾織を使用できるが、開孔が10μm
以下の場合にはステンレス鋼繊維を高温真空下において
燒結したものを用いることが好ましい。例えば、日本精
線(株)製ナスロンフィルターNF−03、NF−0
5、NF−06などが好適に使用できる。その他、所望
の開孔が得られれば、シリカやアルミナの焼結体を用い
ても良い。
おいては、温度によって分散体の粘度が変化し、分散の
不均一性が発生することから、加熱分散装置及び加熱濾
過装置の温度は、設定温度の±4℃以内、好ましくは±
2℃以内、さらに好ましくは±1℃以内に制御すること
が好ましい。
熱手段としては、電気炉、バンドヒーター、熱媒体循環
式加熱機や面発熱体等が好ましい。また、上記理由よ
り、設定温度おける温度の制御範囲は±2℃、好適には
±1℃で制御できるような温度制御装置を用いることが
好ましい。更に、発熱域が上部と下部で温度差が発生す
る場合には、分割して上部と下部とを別々に制御して加
熱することが好ましい。加熱温度は、50〜250℃の
範囲でフェノール樹脂の軟化点や融点によって定められ
るが、80〜180℃の間に設定することが好適であ
る。
粒または粉砕して本発明の充填材マスターバッチとす
る。造粒方式の場合は、濾過後の溶融液をノズルから滴
下し、冷風または冷却板に接触させて凝固し、所定の粒
に造粒する。また、粉砕方式の場合には、濾過後の溶融
液を常温まで冷却してブロックを成形し、所望の大きさ
に粉砕される。粉砕は異物が混入しなければ公知の粉砕
機が使用できる。たとえば、少量規模であれば家庭用電
気ミキサーが、また、大量規模であれば株式会社ダルト
ン製パワーミル等が使用可能である。粉砕粒子径を4m
m以下、好ましくは2mm以下とすると、希釈樹脂への
配合が行いやすい。
ール樹脂系ブラック酸化チタンマスターバッチ中、ブラ
ック酸化チタンがすべて10μm以下の粒径で分散して
おり、また再加熱、希釈樹脂との混合分散においても凝
集することのない、分散安定性に優れたマスターバッチ
である。
に説明するが、これは単なる例示であって、本発明を制
限するものではない。先ず、実施例に先立ち、下記の材
料と測定基準を示す。
チタン(TiO2)とを1600℃、真空中で黒色度が
一定になるまで加熱して得られた赤味系黒色粉体であ
り、X線回折から主にTiOとTi2O3からなり、TG
−DTA分析からTiO1.33である酸化チタン。
(TiCl2)と水素(H2)との混合気体中において、
1000℃で反応させて得られる青味系黒色粉体であ
り、X線回折から主にTi3O4とTi4O7からなり、T
G−DTA分析からTi3O4.02である酸化チタン。
三菱カーボンブラック#3030。窒素吸着による比表
面積35m2/g、DBP吸油量134ml/100
g、一次粒子径53nmの特性を有する。
410。窒素吸着による比表面積22m2/g、DBP
吸油量73ml/100g、一次粒子径85nmの特性
を有する。
イエンス製X線回折装置、加速電圧40kV、電流値2
0mA、1.0deg/min。
学電機製熱分析装置、サンプル重量70〜80mg、P
an 白金製、雰囲気 空気、昇温 20℃/min、
サンプリング 0.8秒、リファレンッスアルミナ。
ブラック便覧 昭和46年11月25日発行P178−
183に準ずる。
便覧 昭和46年11月25日発行P440−441記
載のA法。
測定、カーボンブラック便覧 昭和46年11月25日
発行P510−512に準ずる。
学式(4)で表される3官能フェノール樹脂と、化学式
(5)で表される4官能フェノール樹脂との混合物(融
点132℃、水酸基当量87g/eq)。なお、液体ク
ロマトグラフ分析によるピーク面積比率(全ピーク面積
に対しての面積比)は、式(4)が約65%、式(5)
が約35%である。
性エポキシ樹脂。(エポキシ当量:174g/eq、融
点79℃)
スターバッチ中に含まれる着色材の分散・凝集状態を、
着色材の粒径を測定することにより判定した。着色材の
粒径の測定方法としては、以下のいずれかの方法に従っ
た。
ェノール樹脂と同一のフェノール樹脂で希釈し、170
℃で15分静置後、その一部をガラス製プレパラートに
乗せて常温になるまで冷却した。なお、希釈に用いたフ
ェノール樹脂の量はマスターバッチの25倍量とした。
これを光学顕微鏡で観察し、マスターバッチに分散した
着色材の粒径を測定した。着色材の粒径が15μm以上
である場合を×(使用不可)、着色材の粒径が15〜1
0μmである場合を△、着色材の粒径が5〜10μm以
下である場合を〇、着色材の粒径が5μm以下である場
合を◎として評価した。
70℃で15分静置後、その一部をガラス製プレパラー
トに乗せて常温になるまで冷却した。なお、希釈に用い
たエポキシ樹脂の量は、マスターバッチの25倍量とし
た。これを、光学顕微鏡で観察し、マスターバッチに分
散した着色材の粒径を測定した。着色材の粒径が15μ
m以上である場合を×(使用不可)、着色材の粒径が1
5〜10μmである場合を△、着色材の粒径が5〜10
μm以下である場合を〇、着色材の粒径が5μm以下で
ある場合を◎として評価した。
ビーズを除去した後のマスターバッチ重量と、濾過後の
フィルターに残存した残存物の重量から濾過収率を求め
た。 濾過収率(%)=[(B−A)/B]×100 A:フィルター上の残存物の重量(g) B:150μmでビーズを除去した後のマスターバッチ
重量(g)
率99%以上の場合を◎、着色調節に顔料補正がほとん
どいらない濾過収率95〜98%の場合を〇、着色調節
に影響を及ぼす濾過収率90〜95%の場合を△、バス
ターバッチとして使用不可である濾過収率90%以下の
場合を×として評価した。
官能フェノール樹脂と、式(5)で表される4官能フェ
ノール樹脂との混合物(融点132℃、水酸基当量8
7)で、液体クロマトグラフ分析による面積比率(全ピ
ーク面積に対しての面積比)が3官能フェノール樹脂:
65%、4官能フェノール樹脂:35%であるフェノー
ル樹脂(PH−1)21gと、黒色顔料としてブラック
酸化チタンA49gと、粒子径1mmのジルコニアビー
ズ265gとを内径40mm、高さ15cmのステンレ
ス製容器に入れ、150℃に加熱し溶融後、攪拌翼(直
径35mm)の周速度を2.2m/秒として2時間攪拌
分散し、加温した状態であらかじめ開孔150μmのス
テンテス網でビーズを除去し、次いで開孔5μmの日本
精線製ステンレスフィルターNF−06を備えた120
℃に加熱した加圧加熱濾過装置に入れ、十分所定の温度
まで昇温してから、空気で1kg/に加圧して濾過し
た。得られたマスターバッチを、フェノール樹脂(PH
−1)を用いて希釈し、上記(1)の方法に従って着色
材の分散状態を判定した。
の量を21gとし、ブラック酸化チタンAの量を49g
とした以外は、実施例1と同一条件でマスターバッチを
製造し、着色材の分散状態を判定した。
秒とし、開孔3μmの日本精線製ステンレスフィルター
NF−03を用いた以外は、実施例2と同一条件でマス
ターバッチを製造し、着色材の分散状態を判定した。
/秒とした以外は、実施例1と同一条件でマスターバッ
チを製造し、着色材の分散状態を判定した。
1mm径のガラスビーズ180gを用い、攪拌翼の周速
度を0.3m/秒とし、フィルターを開孔が20μmの
日本精線製ステンレスフィルターNF−08とした以外
は、実施例2と同一条件でマスターバッチを製造し、着
色材の分散状態を判定した。
チタンBを用いた以外は、実施例2と同一条件でマスタ
ーバッチを製造し、着色材の分散状態を判定した。
0.5mmとした以外は、実施例2と同一条件でマスタ
ーバッチを製造し、着色材の分散状態を判定した。
式(6)のエポキシ樹脂を用いて希釈して、上記(2)
の方法に従って着色材の分散状態を判定した以外、実施
例2と同一条件でマスターバッチを製造し、着色材の分
散状態を判定した。
ボンブラックAを用いた以外は、実施例2と同一条件で
マスターバッチを製造し、着色材の分散状態を判定し
た。
ックBを用いた以外は、実施例2と同一条件でマスター
バッチを製造し、着色材の分散状態を判定した。
た加熱による再凝集が生じない高濃度の着色顔料が配合
されたフェノール樹脂系ブラック酸化チタンマスターバ
ッチが得られる。
釈して封止材を製造し、半導体デバイスを高温下で封止
するための封止材として用いた場合、着色材を含む充填
材の凝集による粗粒の発生を防止することができる。す
なわち、本発明のマスターバッチを用いた封止材は、高
い着色性を有し、使用時において着色材の再凝集の問題
が生じない優れた封止材である。
の高いフェノール樹脂系のマスターバッチであるため、
エポキシ樹脂系マスターバッチにおける生産管理の複雑
化や在庫量アップという問題を解消することが可能とな
る。
Claims (8)
- 【請求項1】 充填材マスターバッチと該マスターバッ
チを溶融希釈できる希釈樹脂とから構成される半導体デ
バイス封止材用に供しうる充填材マスターバッチであっ
て、 前記充填材マスターバッチは、フェノール樹脂と充填材
とを50〜250℃の温度で熱溶融分散し、充填材をフ
ェノール樹脂に10μm以下の粒径で分散させたもので
あり、 充填材は、少なくとも着色材を含んでおり、 着色材は、一般式 TiwOx (1) (ここにWは1〜3の整数を表し、Xは1.0〜7.0
の数を表す)で表される化合物の混合物であるブラック
酸化チタンであり、 フェノール樹脂は、25℃で固形であり、60〜250
g/eqの水酸基当量、50〜120℃の軟化点、及び
45〜250℃の融点を有し、 着色材及びフェノール樹脂の量は、フェノール樹脂と着
色材の合計量に対し、それぞれ5〜70重量%及び95
〜30重量%であり、 充填材マスターバッチを希釈樹脂で溶融希釈し、半導体
デバイスを高温下で封止する封止材としたときに、充填
材の凝集による粗粒の発生を防止できる、半導体デバイ
ス封止材用充填材マスターバッチ。 - 【請求項2】 希釈樹脂が、請求項1記載のフェノール
樹脂、及び/又は25℃で固形であり、140〜250
g/eqのエポキシ当量、50〜120℃の軟化点及び
45〜250℃の融点を有するエポキシ樹脂である、請
求項1記載のマスターバッチ。 - 【請求項3】 分散に供する物質をメディアを用いて加
熱分散させる攪拌翼を備えた装置と、得られた分散体を
加熱濾過する装置とを装備した分散機中において、粒子
径0.1〜4.0mmのメディアを用い、50〜250
℃の温度、1.6m/秒以上の攪拌翼の周速度の条件
で、フェノール樹脂及び少なくとも着色材を含む充填材
を熱溶融分散し、溶融濾過して、充填材をフェノール樹
脂に10μm以下の粒径で分散させることを特徴とす
る、半導体デバイス封止材用充填材マスターバッチの製
造方法であって、 着色材が、一般式 TiwOx (1) (ここにWは1〜3の整数を表し、Xは1.0〜7.0
の数を表す)で表される化合物の混合物であるブラック
酸化チタンであり、 フェノール樹脂が、25℃で固形であり、60〜250
g/eqの水酸基当量、50〜120℃の軟化点、及び
45〜250℃の融点を有し、 着色材及びフェノール樹脂の量が、フェノール樹脂と着
色材の合計量に対し、それぞれ5〜70重量%及び95
〜30重量%である、上記製造方法。 - 【請求項4】 充填材をフェノール樹脂に3μm以下の
粒径で分散させることを特徴とする、請求項3記載の製
造方法。 - 【請求項5】 ブラック酸化チタンがTiOとTi2O3
との混合物である請求項3記載の製造方法。 - 【請求項6】 ブラック酸化チタンがTi3O5とTi2
O3との混合物である請求項3記載の製造方法。 - 【請求項7】 ブラック酸化チタンがTi3Ox(Xは、
Tiに対するOの比率をX線回折から求めた値であり、
5〜5.2の数を表す)の混合物である請求項3記載の
製造方法。 - 【請求項8】 ブラック酸化チタンがTiOx(Xは、
Tiに対するOの比率をTG−DTAから求めた値であ
り、1.0〜1.5の数を表す)の混合物である請求項
3記載の製造方法。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003040980A (ja) * | 2001-07-31 | 2003-02-13 | Nitto Denko Corp | 半導体封止用樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置 |
JP2006294677A (ja) * | 2005-04-06 | 2006-10-26 | Kyocera Chemical Corp | 半導体素子封止用タブレットの製造方法 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62136861A (ja) * | 1985-12-10 | 1987-06-19 | Nitto Electric Ind Co Ltd | 樹脂封止半導体装置 |
JPH03195764A (ja) * | 1989-12-25 | 1991-08-27 | Matsushita Electric Works Ltd | エポキシ樹脂封止材の製造方法 |
JPH0472360A (ja) * | 1990-07-11 | 1992-03-06 | Sumitomo Chem Co Ltd | 半導体封止用熱硬化性樹脂組成物 |
JPH11133443A (ja) * | 1997-08-01 | 1999-05-21 | Nippon Kayaku Co Ltd | 黒色液晶シール剤及び硬化膜 |
JPH11236491A (ja) * | 1997-12-15 | 1999-08-31 | Hitachi Chem Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及びこれを用いた高圧電気電子部品 |
JP2000309682A (ja) * | 1999-02-25 | 2000-11-07 | Nitto Denko Corp | 半導体封止用樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置ならびに半導体装置の製法 |
JP2002363380A (ja) * | 2001-05-31 | 2002-12-18 | Taisei Kako Kk | エポキシ樹脂系ブラック酸化チタンマスターバッチ及びその製造方法 |
JP2002363379A (ja) * | 2001-05-31 | 2002-12-18 | Nitto Denko Corp | 半導体封止用樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置 |
JP2003040980A (ja) * | 2001-07-31 | 2003-02-13 | Nitto Denko Corp | 半導体封止用樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置 |
-
2001
- 2001-07-31 JP JP2001230914A patent/JP2003041009A/ja active Pending
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62136861A (ja) * | 1985-12-10 | 1987-06-19 | Nitto Electric Ind Co Ltd | 樹脂封止半導体装置 |
JPH03195764A (ja) * | 1989-12-25 | 1991-08-27 | Matsushita Electric Works Ltd | エポキシ樹脂封止材の製造方法 |
JPH0472360A (ja) * | 1990-07-11 | 1992-03-06 | Sumitomo Chem Co Ltd | 半導体封止用熱硬化性樹脂組成物 |
JPH11133443A (ja) * | 1997-08-01 | 1999-05-21 | Nippon Kayaku Co Ltd | 黒色液晶シール剤及び硬化膜 |
JPH11236491A (ja) * | 1997-12-15 | 1999-08-31 | Hitachi Chem Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及びこれを用いた高圧電気電子部品 |
JP2000309682A (ja) * | 1999-02-25 | 2000-11-07 | Nitto Denko Corp | 半導体封止用樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置ならびに半導体装置の製法 |
JP2002363380A (ja) * | 2001-05-31 | 2002-12-18 | Taisei Kako Kk | エポキシ樹脂系ブラック酸化チタンマスターバッチ及びその製造方法 |
JP2002363379A (ja) * | 2001-05-31 | 2002-12-18 | Nitto Denko Corp | 半導体封止用樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置 |
JP2003040980A (ja) * | 2001-07-31 | 2003-02-13 | Nitto Denko Corp | 半導体封止用樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003040980A (ja) * | 2001-07-31 | 2003-02-13 | Nitto Denko Corp | 半導体封止用樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置 |
JP2006294677A (ja) * | 2005-04-06 | 2006-10-26 | Kyocera Chemical Corp | 半導体素子封止用タブレットの製造方法 |
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