JP2003017935A - 発振回路及び周波数変調回路 - Google Patents
発振回路及び周波数変調回路Info
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- JP2003017935A JP2003017935A JP2001199159A JP2001199159A JP2003017935A JP 2003017935 A JP2003017935 A JP 2003017935A JP 2001199159 A JP2001199159 A JP 2001199159A JP 2001199159 A JP2001199159 A JP 2001199159A JP 2003017935 A JP2003017935 A JP 2003017935A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 広帯域で発振周波数の変化特性が直線にな
り、また、高精度の周波数変調を行う。 【解決手段】 共振回路４３はインダクタ１８と、可変
容量ダイオード群１９と、コンデンサ２０、２１と、補
正容量として働く可変容量ダイオード２２、２３と、直
流成分をカットするコンデンサ２４、２５により構成さ
れ、可変容量ダイオード群、可変容量ダイオード２２、
２３の各アノードには共通に、端子３９から電圧Ｖ1が
印加され、各カソードには共通に端子４０から基準電位
Ｖ2が印加される。可変容量ダイオード群、可変容量ダ
イオード２２、２３には逆電圧Ｖ（Ｖ＝Ｖ2−Ｖ1）が加
わり、これにより、共振回路４３が電圧Ｖに対する可変
容量で共振し、また、可変容量ダイオードにより、可変
容量ダイオード群の容量変化特性が直線になるように補
正される。
り、また、高精度の周波数変調を行う。 【解決手段】 共振回路４３はインダクタ１８と、可変
容量ダイオード群１９と、コンデンサ２０、２１と、補
正容量として働く可変容量ダイオード２２、２３と、直
流成分をカットするコンデンサ２４、２５により構成さ
れ、可変容量ダイオード群、可変容量ダイオード２２、
２３の各アノードには共通に、端子３９から電圧Ｖ1が
印加され、各カソードには共通に端子４０から基準電位
Ｖ2が印加される。可変容量ダイオード群、可変容量ダ
イオード２２、２３には逆電圧Ｖ（Ｖ＝Ｖ2−Ｖ1）が加
わり、これにより、共振回路４３が電圧Ｖに対する可変
容量で共振し、また、可変容量ダイオードにより、可変
容量ダイオード群の容量変化特性が直線になるように補
正される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、非安定マルチバイ
ブレータ方式の発振回路及びそれを用いた周波数変調回
路に関する。
ブレータ方式の発振回路及びそれを用いた周波数変調回
路に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、非安定マルチバイブレータ方式の
電圧制御発振器を用いた周波数変調回路としては特開平
１−１５５５０６号公報に記載されたものが知られてい
る。図５はその構成を示し、この従来の周波数変調回路
は、変調信号電圧としての映像信号電圧を、電圧−電流
変換回路によって変調信号電流に変換し、その変調信号
電流に応じて、非安定マルチバイブレータの制御電流を
制御する構成により発振周波数を制御して、周波数変調
された出力信号を得るように構成されている。
電圧制御発振器を用いた周波数変調回路としては特開平
１−１５５５０６号公報に記載されたものが知られてい
る。図５はその構成を示し、この従来の周波数変調回路
は、変調信号電圧としての映像信号電圧を、電圧−電流
変換回路によって変調信号電流に変換し、その変調信号
電流に応じて、非安定マルチバイブレータの制御電流を
制御する構成により発振周波数を制御して、周波数変調
された出力信号を得るように構成されている。
【０００３】図５を参照して、従来の非安定マルチバイ
ブレータについて詳しく説明する。ＮＰＮ形トランジス
タ１、２は交互にオンオフし、その各エミッタ間にコン
デンサ（その容量をＣとする）３が接続される。トラン
ジスタ１、２の各エミッタはまた、互いに等しい定電流
の定電流源（その定電流をＩo／２とする）１１、１２
を通じて接地されている。そして、この定電流源１１、
１２の各定電流Ｉo／２を変調信号によって変調する。
ブレータについて詳しく説明する。ＮＰＮ形トランジス
タ１、２は交互にオンオフし、その各エミッタ間にコン
デンサ（その容量をＣとする）３が接続される。トラン
ジスタ１、２の各エミッタはまた、互いに等しい定電流
の定電流源（その定電流をＩo／２とする）１１、１２
を通じて接地されている。そして、この定電流源１１、
１２の各定電流Ｉo／２を変調信号によって変調する。
【０００４】バッファ用のＮＰＮ形トランジスタ９、１
０は、各ベースがそれぞれトランジスタ１、２のコレク
タに接続され、各コレクタが共に電源（その電圧をＶcc
とする）＋Ｂに接続され、各エミッタがそれぞれ互いに
等しい定電流の定電流源１３、１４を通じて接地されて
いる。そして、トランジスタ９、１０の各エミッタから
被ＦＭ変調映像信号が取り出されて、それぞれトランジ
スタ２、１のベースに印加される。
０は、各ベースがそれぞれトランジスタ１、２のコレク
タに接続され、各コレクタが共に電源（その電圧をＶcc
とする）＋Ｂに接続され、各エミッタがそれぞれ互いに
等しい定電流の定電流源１３、１４を通じて接地されて
いる。そして、トランジスタ９、１０の各エミッタから
被ＦＭ変調映像信号が取り出されて、それぞれトランジ
スタ２、１のベースに印加される。
【０００５】ＮＰＮ形トランジスタ４、５はそれぞれ、
トランジスタ１、２を飽和させないようにして、非安定
マルチバイブレータの動作を速くするためのものであ
る。トランジスタ４、５は、各エミッタがそれぞれトラ
ンジスタ１、２のコレクタに接続され、その各コレクタ
が共に電源＋Ｂに接続されている。ダイオード接続のＮ
ＰＮ形トランジスタ６は、そのコレクタ及びベースが共
に電源＋Ｂに接続され、そのエミッタが抵抗値の等しい
抵抗器（その抵抗値をＲとする）７、８を通じてそれぞ
れトランジスタ４、５のエミッタに接続される。
トランジスタ１、２を飽和させないようにして、非安定
マルチバイブレータの動作を速くするためのものであ
る。トランジスタ４、５は、各エミッタがそれぞれトラ
ンジスタ１、２のコレクタに接続され、その各コレクタ
が共に電源＋Ｂに接続されている。ダイオード接続のＮ
ＰＮ形トランジスタ６は、そのコレクタ及びベースが共
に電源＋Ｂに接続され、そのエミッタが抵抗値の等しい
抵抗器（その抵抗値をＲとする）７、８を通じてそれぞ
れトランジスタ４、５のエミッタに接続される。
【０００６】抵抗電圧分圧器１７は電源＋Ｂ及び接地間
に直列接続された抵抗器１５、１６から構成され、トラ
ンジスタ４、５の各ベースにバイアス電圧＝Ｖcc−Ｖr
を与えるためにその接続中点がトランジスタ４、５の各
ベースに接続される。この非安定マルチバイブレータの
発振周波数Ｆoは次式のように表される。 Ｆo＝Ｉo／４Ｖab・Ｃ ここで、Ｖabは、非安定マルチバイブレータの反転直前
のトランジスタ１、２の各エミッタａ、ｂ間の電圧を示
す。この電圧Ｖabは、抵抗器１５の両端の降下電圧Ｖr
に近似した電圧である。
に直列接続された抵抗器１５、１６から構成され、トラ
ンジスタ４、５の各ベースにバイアス電圧＝Ｖcc−Ｖr
を与えるためにその接続中点がトランジスタ４、５の各
ベースに接続される。この非安定マルチバイブレータの
発振周波数Ｆoは次式のように表される。 Ｆo＝Ｉo／４Ｖab・Ｃ ここで、Ｖabは、非安定マルチバイブレータの反転直前
のトランジスタ１、２の各エミッタａ、ｂ間の電圧を示
す。この電圧Ｖabは、抵抗器１５の両端の降下電圧Ｖr
に近似した電圧である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図５に
示す従来の周波数変調回路では、トランジスタ１、２の
エミッタ抵抗が温度によって変化するため、電圧−電流
変換の直線性が悪く、このため、発振周波数の変化特性
が直線にならないという問題があった。
示す従来の周波数変調回路では、トランジスタ１、２の
エミッタ抵抗が温度によって変化するため、電圧−電流
変換の直線性が悪く、このため、発振周波数の変化特性
が直線にならないという問題があった。
【０００８】本発明は、従来の問題を解決するためにな
されたもので、発振周波数の変化特性が直線になるよう
に補正することのできる発振回路を提供することを目的
とする。本発明はまた、広帯域にわたる高精度の周波数
変調を行うことができる周波数変調回路を提供すること
を目的とする。
されたもので、発振周波数の変化特性が直線になるよう
に補正することのできる発振回路を提供することを目的
とする。本発明はまた、広帯域にわたる高精度の周波数
変調を行うことができる周波数変調回路を提供すること
を目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の発振回路は、非
安定マルチバイブレータと、前記非安定マルチバイブレ
ータの発振周波数を決定する共振回路とを備え、前記共
振回路は、制御電圧に応じて容量が変化して前記共振回
路の共振周波数を決定する可変容量ダイオードと、前記
制御電圧に応じて容量が変化して前記可変容量ダイオー
ドの容量変化特性が直線になるように補正する可変容量
手段とを、有する構成とした。上記構成により、非安定
マルチバイブレータの発振周波数を決定する共振回路の
容量変化特性が直線になるように補正するので、発振周
波数の変化特性が直線になるように補正することができ
る。
安定マルチバイブレータと、前記非安定マルチバイブレ
ータの発振周波数を決定する共振回路とを備え、前記共
振回路は、制御電圧に応じて容量が変化して前記共振回
路の共振周波数を決定する可変容量ダイオードと、前記
制御電圧に応じて容量が変化して前記可変容量ダイオー
ドの容量変化特性が直線になるように補正する可変容量
手段とを、有する構成とした。上記構成により、非安定
マルチバイブレータの発振周波数を決定する共振回路の
容量変化特性が直線になるように補正するので、発振周
波数の変化特性が直線になるように補正することができ
る。
【００１０】また本発明の発振回路は、前記可変容量手
段が前記制御電圧に応じて容量が変化する第２の可変容
量ダイオードにより構成されているものである。また本
発明の発振回路は、前記可変容量手段が前記制御電圧に
応じて固定容量を切り替えることにより容量が変化する
ように構成されているものである。
段が前記制御電圧に応じて容量が変化する第２の可変容
量ダイオードにより構成されているものである。また本
発明の発振回路は、前記可変容量手段が前記制御電圧に
応じて固定容量を切り替えることにより容量が変化する
ように構成されているものである。
【００１１】また本発明の発振回路は、前記共振回路
が、発振周波数の変化特性が直線になるようにインダク
タンスを補正する可変インダクタンスをさらに備えたも
のである。上記構成により、発振周波数の変化特性が直
線になるように補正することができる。
が、発振周波数の変化特性が直線になるようにインダク
タンスを補正する可変インダクタンスをさらに備えたも
のである。上記構成により、発振周波数の変化特性が直
線になるように補正することができる。
【００１２】また本発明の周波数変調回路は、制御電圧
を変調信号に応じて変化させることにより発振周波数を
制御して、周波数変調された信号を出力するよう構成さ
れたものである。
を変調信号に応じて変化させることにより発振周波数を
制御して、周波数変調された信号を出力するよう構成さ
れたものである。
【００１３】
【発明の実施の形態】＜第１の実施の形態＞本発明の第
１の実施の形態の発振回路及び周波数変調回路を図１に
示す。図１に示す回路は概略的に、図の下方に示す非安
定マルチバイブレータと、図の上方に示すＬＣ型の共振
回路４３により構成されている。共振回路４３は、基板
上の配線パターン又はコイルにより構成するインダクタ
１８と、可変容量ダイオード群１９と、コンデンサ２
０、２１と、補正容量として働く可変容量ダイオード２
２、２３と、直流成分をカットするコンデンサ２４、２
５により構成されている。可変容量ダイオード群１９
は、それぞれ５つの可変容量ダイオードが並列に接続さ
れた可変容量ダイオード群１９ａ、１９ｂを有し、可変
容量ダイオード群１９ａ、１９ｂの各カソードがさらに
共通に接続されて並列に接続されている。
１の実施の形態の発振回路及び周波数変調回路を図１に
示す。図１に示す回路は概略的に、図の下方に示す非安
定マルチバイブレータと、図の上方に示すＬＣ型の共振
回路４３により構成されている。共振回路４３は、基板
上の配線パターン又はコイルにより構成するインダクタ
１８と、可変容量ダイオード群１９と、コンデンサ２
０、２１と、補正容量として働く可変容量ダイオード２
２、２３と、直流成分をカットするコンデンサ２４、２
５により構成されている。可変容量ダイオード群１９
は、それぞれ５つの可変容量ダイオードが並列に接続さ
れた可変容量ダイオード群１９ａ、１９ｂを有し、可変
容量ダイオード群１９ａ、１９ｂの各カソードがさらに
共通に接続されて並列に接続されている。
【００１４】インダクタ１８はその中央部が接地点４２
で接地され、各一端がそれぞれコンデンサ２０、２１を
介して可変容量ダイオード群１９ａ、１９ｂの各アノー
ドに接続されている。可変容量ダイオード群１９ａ、１
９ｂの各アノードは、それぞれ可変容量ダイオード２
２、２３、コンデンサ２４、２５を介してインダクタ１
８の各一端と、非安定マルチバイブレータの抵抗３４、
３６及びコンデンサ２８、２９の各一端に接続されてい
る。可変容量ダイオード群１９、可変容量ダイオード２
２、２３の各アノードには共通に、端子３９から電圧Ｖ
1が印加され、各カソードには共通に端子４０から基準
電位Ｖ2が印加される。これにより、可変容量ダイオー
ド群１９、可変容量ダイオード２２、２３には逆電圧Ｖ
（Ｖ＝Ｖ2−Ｖ1）が加わり、電圧Ｖに対する可変容量で
共振する。図１の構成で共振回路として動作する条件は
Ｖ＞０となる。
で接地され、各一端がそれぞれコンデンサ２０、２１を
介して可変容量ダイオード群１９ａ、１９ｂの各アノー
ドに接続されている。可変容量ダイオード群１９ａ、１
９ｂの各アノードは、それぞれ可変容量ダイオード２
２、２３、コンデンサ２４、２５を介してインダクタ１
８の各一端と、非安定マルチバイブレータの抵抗３４、
３６及びコンデンサ２８、２９の各一端に接続されてい
る。可変容量ダイオード群１９、可変容量ダイオード２
２、２３の各アノードには共通に、端子３９から電圧Ｖ
1が印加され、各カソードには共通に端子４０から基準
電位Ｖ2が印加される。これにより、可変容量ダイオー
ド群１９、可変容量ダイオード２２、２３には逆電圧Ｖ
（Ｖ＝Ｖ2−Ｖ1）が加わり、電圧Ｖに対する可変容量で
共振する。図１の構成で共振回路として動作する条件は
Ｖ＞０となる。
【００１５】次に図１の下方に示す非安定マルチバイブ
レータについて簡単に説明する。ＮＰＮ形トランジスタ
（以下単にトランジスタともいう）２６、２７は交互に
オンオフし、トランジスタ２６、２７のベースには、端
子４１より印加される直流電圧Ｖ3を抵抗３０、３１に
よりそれぞれ分圧した直流電圧がそれぞれ抵抗３２、３
３を通して印加される。コンデンサ２８、２９は発振出
力を帰還する働きがあり、発振出力をトランジスタ２
６、２７の各ベースに帰還する働きをする。定電流源３
８は発振回路に流れる電流を一定にする働きがあり、定
電流源３８により決定する直流電流をＩとしたとき、Ｉ
／２の電流がそれぞれのトランジスタ２６、２７を流れ
る。抵抗３４、３６は接地点４２を基準に電流Ｉ／２に
よる電圧降下を生じる働きがある。抵抗３５、３７はエ
ミッタ電位を基準に電流Ｉ／２により電圧降下を生じる
働きがある。
レータについて簡単に説明する。ＮＰＮ形トランジスタ
（以下単にトランジスタともいう）２６、２７は交互に
オンオフし、トランジスタ２６、２７のベースには、端
子４１より印加される直流電圧Ｖ3を抵抗３０、３１に
よりそれぞれ分圧した直流電圧がそれぞれ抵抗３２、３
３を通して印加される。コンデンサ２８、２９は発振出
力を帰還する働きがあり、発振出力をトランジスタ２
６、２７の各ベースに帰還する働きをする。定電流源３
８は発振回路に流れる電流を一定にする働きがあり、定
電流源３８により決定する直流電流をＩとしたとき、Ｉ
／２の電流がそれぞれのトランジスタ２６、２７を流れ
る。抵抗３４、３６は接地点４２を基準に電流Ｉ／２に
よる電圧降下を生じる働きがある。抵抗３５、３７はエ
ミッタ電位を基準に電流Ｉ／２により電圧降下を生じる
働きがある。
【００１６】上記の構成の共振回路４３による発振周波
数をｆとすると
数をｆとすると
【数１】
となる。ただし
Ｌ：インダクタ１８によるインダクタンス
Ｃ：可変容量ダイオード群１９、コンデンサ２０、２
１、補正容量（可変容量ダイオード）２２、２３の合成
容量
１、補正容量（可変容量ダイオード）２２、２３の合成
容量
【００１７】式(1)においてインダクタンスＬ1を固定と
したとき、１／（２πＬ1/2）は固定値となり、発振周
波数ｆは１／Ｃ1/2により決定される。このため、制御
電圧Ｖが変化することにより可変容量ダイオード群１
９、コンデンサ２０、２１の容量が変化し、合成容量Ｃ
が変化することにより発振周波数ｆが制御される。そし
て、制御電圧Ｖを変調信号に応じて変化させることによ
り発振周波数ｆを制御して、周波数変調出力を得る。
したとき、１／（２πＬ1/2）は固定値となり、発振周
波数ｆは１／Ｃ1/2により決定される。このため、制御
電圧Ｖが変化することにより可変容量ダイオード群１
９、コンデンサ２０、２１の容量が変化し、合成容量Ｃ
が変化することにより発振周波数ｆが制御される。そし
て、制御電圧Ｖを変調信号に応じて変化させることによ
り発振周波数ｆを制御して、周波数変調出力を得る。
【００１８】以上のように構成された周波数変調回路に
ついて、図２を用いてその動作を説明する。図２は図１
の構成による周波数変調回路において制御電圧Ｖと合成
容量Ｃの関係を表したものである。まず、曲線４５は図
１の構成における周波数変調回路において制御電圧Ｖを
変化させたときの１／Ｃ1/2の変化をあらわしている。
曲線４４は合成容量Ｃ１の要素から補正容量２２、２３
を削除したときの特性を表している。補正容量として働
く可変容量ダイオード２２、２３を加えたことにより、
制御電圧Ｖに対する容量の逆数の特性において直線性が
改善される。発振器の制御電圧Ｖに対する容量の逆数の
特性において直線性が改善されることは、発振器の制御
電圧Ｖと出力周波数の直線性を改善することを意味す
る。このように制御電圧Ｖに対する出力周波数ｆの直線
性を改善することにより、広範囲の制御電圧Ｖにわたり
周波数変調を精度よく行うことが可能となる。
ついて、図２を用いてその動作を説明する。図２は図１
の構成による周波数変調回路において制御電圧Ｖと合成
容量Ｃの関係を表したものである。まず、曲線４５は図
１の構成における周波数変調回路において制御電圧Ｖを
変化させたときの１／Ｃ1/2の変化をあらわしている。
曲線４４は合成容量Ｃ１の要素から補正容量２２、２３
を削除したときの特性を表している。補正容量として働
く可変容量ダイオード２２、２３を加えたことにより、
制御電圧Ｖに対する容量の逆数の特性において直線性が
改善される。発振器の制御電圧Ｖに対する容量の逆数の
特性において直線性が改善されることは、発振器の制御
電圧Ｖと出力周波数の直線性を改善することを意味す
る。このように制御電圧Ｖに対する出力周波数ｆの直線
性を改善することにより、広範囲の制御電圧Ｖにわたり
周波数変調を精度よく行うことが可能となる。
【００１９】図３は図１の構成の周波数変調回路におい
て周波数＝９５ＭＨｚ〜１４０ＭＨｚを出力させ、ＦＭ
偏移７５ｋＨｚ付近としたときのＦＭ偏移特性を示して
いる。曲線４６は補正容量２２、２３による補正をおこ
なったとき、また、曲線４７は補正容量２２、２３を削
除したときの特性をあらわしている。補正容量２２、２
３により制御電圧Ｖに対する出力周波数の直線性がｆ＝
１００〜１１０ＭＨｚの区間において改善されている。
て周波数＝９５ＭＨｚ〜１４０ＭＨｚを出力させ、ＦＭ
偏移７５ｋＨｚ付近としたときのＦＭ偏移特性を示して
いる。曲線４６は補正容量２２、２３による補正をおこ
なったとき、また、曲線４７は補正容量２２、２３を削
除したときの特性をあらわしている。補正容量２２、２
３により制御電圧Ｖに対する出力周波数の直線性がｆ＝
１００〜１１０ＭＨｚの区間において改善されている。
【００２０】このような本発明の第１の実施の形態によ
れば、制御電圧Ｖに応じて容量が変化して共振回路４３
の共振周波数ｆを決定する可変容量ダイオード群１９
と、制御電圧Ｖに応じて容量が変化して可変容量ダイオ
ード群１９の容量変化特性が直線になるように補正する
可変容量ダイオード２２、２３を設けることにより、制
御電圧Ｖの変化分に対する出力周波数変化分の直線性の
変化を補正することができ、広帯域に高精度の周波数変
調を行うことができる。
れば、制御電圧Ｖに応じて容量が変化して共振回路４３
の共振周波数ｆを決定する可変容量ダイオード群１９
と、制御電圧Ｖに応じて容量が変化して可変容量ダイオ
ード群１９の容量変化特性が直線になるように補正する
可変容量ダイオード２２、２３を設けることにより、制
御電圧Ｖの変化分に対する出力周波数変化分の直線性の
変化を補正することができ、広帯域に高精度の周波数変
調を行うことができる。
【００２１】＜第２の実施の形態＞次に、本発明の第２
の実施の形態を説明する。図には示されていないが、補
正容量を可変容量ダイオード２２、２３の代わりに固定
容量のコンデンサにより構成し、制御電圧Ｖのレンジに
応じたバンド切換え信号によりこのコンデンサのオン又
はオフを行うことにより、制御電圧Ｖに対する出力周波
数ｆの直線性を改善することができる。
の実施の形態を説明する。図には示されていないが、補
正容量を可変容量ダイオード２２、２３の代わりに固定
容量のコンデンサにより構成し、制御電圧Ｖのレンジに
応じたバンド切換え信号によりこのコンデンサのオン又
はオフを行うことにより、制御電圧Ｖに対する出力周波
数ｆの直線性を改善することができる。
【００２２】＜第３の実施の形態＞本発明の第３の実施
の形態の周波数変調器を図４に示す。図４では、図１に
示す構成の共振回路４３に対してインダクタ切換え部４
８が追加されている。他の構成は同じである。インダク
タ切換え部４８は基板上の配線パターン又はコイルによ
り構成されたインダクタ４８ａとバンド切換えダイオー
ド５０、５１を有し、インダクタ４８ａはその中央部が
インダクタ切換え信号入力端子４９に接続され、各一端
がそれぞれダイオード５０、５１を介してインダクタ１
８の各一端に接続されている。そして、インダクタ切換
え信号入力端子４９より入力するバンド切換え信号によ
りダイオード５０、５１をオン又はオフすることによ
り、共振回路４３のインダクタンスＬを切り換える。
の形態の周波数変調器を図４に示す。図４では、図１に
示す構成の共振回路４３に対してインダクタ切換え部４
８が追加されている。他の構成は同じである。インダク
タ切換え部４８は基板上の配線パターン又はコイルによ
り構成されたインダクタ４８ａとバンド切換えダイオー
ド５０、５１を有し、インダクタ４８ａはその中央部が
インダクタ切換え信号入力端子４９に接続され、各一端
がそれぞれダイオード５０、５１を介してインダクタ１
８の各一端に接続されている。そして、インダクタ切換
え信号入力端子４９より入力するバンド切換え信号によ
りダイオード５０、５１をオン又はオフすることによ
り、共振回路４３のインダクタンスＬを切り換える。
【００２３】このように本発明の第３の実施の形態によ
れば、制御電圧Ｖに対する出力周波数の直線性補正回路
を構成した非安定マルチバイブレータにおいて、インダ
クタンスＬを切り換えることにより、発振器がより広帯
域な発振が可能となり、このため、広帯域にわたる高精
度の周波数変調を行うことができる。
れば、制御電圧Ｖに対する出力周波数の直線性補正回路
を構成した非安定マルチバイブレータにおいて、インダ
クタンスＬを切り換えることにより、発振器がより広帯
域な発振が可能となり、このため、広帯域にわたる高精
度の周波数変調を行うことができる。
【００２４】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、発振周波
数の変化特性が直線になるように補正することができ、
また、広帯域にわたる高精度の周波数変調を行うことが
できる。
数の変化特性が直線になるように補正することができ、
また、広帯域にわたる高精度の周波数変調を行うことが
できる。
【図１】本発明の第１の実施の形態における発振回路及
び周波数変調回路を示す回路図
び周波数変調回路を示す回路図
【図２】本発明の第１の実施の形態における発振回路及
び周波数変調回路の動作説明のための特性図
び周波数変調回路の動作説明のための特性図
【図３】本発明の第１の実施の形態における発振回路及
び周波数変調回路の動作説明のための特性図
び周波数変調回路の動作説明のための特性図
【図４】本発明の第３の実施の形態における発振回路及
び周波数変調回路を示す回路図
び周波数変調回路を示す回路図
【図５】従来の非安定マルチバイブレータ方式の発振回
路を示す回路図
路を示す回路図
１８、４８ａ インダクタ
１９ 可変容量ダイオード群
２０、２１、２４、２５、２８、２９ コンデンサ
２２、２３ 可変容量ダイオード（補正容量）
２６、２７ ＮＰＮ型トランジスタ
３０、３１、３２、３３、３４、３５、３６、３７ 抵
抗 ３８ 定電流源 ３９、４０、４１ 端子 ４３ 共振回路
抗 ３８ 定電流源 ３９、４０、４１ 端子 ４３ 共振回路
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 5J081 AA02 BB09 CC02 DD03 DD11
EE02 EE03 EE18 KK02 KK09
KK22 LL05 MM01
Claims (5)
- 【請求項１】 非安定マルチバイブレータと、前記非安
定マルチバイブレータの発振周波数を決定する共振回路
とを備え、 前記共振回路は、 制御電圧に応じて容量が変化して前記共振回路の共振周
波数を決定する可変容量ダイオードと、 前記制御電圧に応じて容量が変化して前記可変容量ダイ
オードの容量変化特性が直線になるように補正する可変
容量手段とを、有する発振回路。 - 【請求項２】 前記可変容量手段は、前記制御電圧に応
じて容量が変化する第２の可変容量ダイオードにより構
成されている請求項１に記載の発振回路。 - 【請求項３】 前記可変容量手段は、前記制御電圧に応
じて固定容量を切り替えることにより容量が変化するよ
うに構成されている請求項１に記載の発振回路。 - 【請求項４】 前記共振回路は、発振周波数の変化特性
が直線になるようにインダクタンスを補正する可変イン
ダクタンスをさらに備えた請求項１から３のいずれか１
つに記載の発振回路。 - 【請求項５】 請求項１から４のいずれか１つに記載の
前記制御電圧を変調信号に応じて変化させることにより
発振周波数を制御して、周波数変調された信号を出力す
るよう構成された周波数変調回路。
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-
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- 2001-06-29 JP JP2001199159A patent/JP3923753B2/ja not_active Expired - Fee Related
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