JP2003004794A - 電子部品、回路基板及び電子部品と回路基板のはんだ付け接合の検査方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】電子部品と回路基板が対向する電極ではんだ接
合する電子回路装置において、非破壊検査方法で、はん
だ接合形状を検出しはんだ接合部のはんだ未溶融不良を
検出しはんだ接合不良のない信頼性の高い電子回路装置
を提供する。 【解決手段】 電子部品１と回路基板２が対抗する電極
構造の電子部品において、検査対象の電極に近い位置に
導通構造体５０１，５０２を設ける。一方回路基板に
は、相通構造体に対応する位置にはんだづけ探針用ラン
ド６０１，６０２を設ける。そして、はんだ接合後、探
針ランドに探針し、探針１０間の電気的な導通状態を検
出することで、はんだ接合不良を検査する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電子部品および電
子部品を搭載する回路基板およびそのはんだ接合を検査
する方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】電子機器の小型、軽量、多機能化の流れ
の中で、電子部品と回路基板のはんだ付けについて、電
子部品は、狭ピッチ多ピン化に対応し、ＢＧＡ，ＣＳＰ
等のボール状の電極を有する電子部品が多く利用される
ようになってきている。これらの電子部品のはんだ接合
部は微細であり、回路基板にスクリーン印刷等の方法に
より塗布されたはんだペーストとを一括にリフロ加熱す
ることにより電子部品の電極とはんだペーストが合金化
されはんだ接合部が形成されるのが一般的である。

【０００３】図８ａ、図８ｂは、従来から一般的に用い
られている多数のボール状はんだ電極を有するＢＧＡと
回路基板とのはんだ接合部をあらわす図である。図８ａ
はＢＧＡと回路基板のはんだ接合前の図であり、図８ｂ
はＢＧＡと回路基板のはんだ接合後をあらわす図であ
る。

【０００４】図９は、ＢＧＡと回路基板のはんだ接合部
がはんだ未溶融による接合不良である場合をあらわす図
である。

【０００５】図８ａ、図８ｂ及び図９において、１は電
子部品、２は電子部品を搭載する回路基板、３は電子部
品１の電極、６は回路基板２上のはんだつけランド、７
ははんだつけランドに供給されたはんだペースト、１１
はＢＧＡ１のレジスト、１２は回路基板２上のレジスト
である。

【０００６】ＢＧＡ１のボール状のはんだ電極３と対応
する回路基板２上の銅ランド６に塗布されたはんだペー
スト７とを位置決め後、ＢＧＡ１を回路基板２上に搭載
する。その後リフロー工程を通すことにより、はんだ電
極３とはんだペースト７はリフロー工程の熱で溶融し、
ＢＧＡ１の電極３と回路基板２の銅ランド６とのはんだ
接合部が形成される。この接合部の形状は、ＢＧＡ１の
はんだ電極３がリフロー加熱とＢＧＡ１の重量によりつ
ぶれた形状となり、はんだ接合形状の高さは、リフロー
前のＢＧＡのはんだ電極の高さより低くなる。

【０００７】また、リフローの加熱が不足あるいははん
だの濡れ不足によるはんだ接合部のはんだ不良の場合、
はんだ接合高さ（Ｄ’）は、正常にはんだ接合された場
合（Ｄ）に比較して、高いのが一般的である。

【０００８】ＢＧＡと回路基板のはんだ接合部の不良の
検査方法としては、目視または顕微鏡によるはんだ接合
部形状の外観を検査する方法と特開平８−２０３９７２
号公報に示される様なＸ線による透過画像観察する非破
壊検査方法とはんだ接合周辺を樹脂で封止し研磨して断
面を観察する破壊検査法がある。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ＢＧＡのはんだ電極に対応した回路基板上のはんだ付け
ランドでは、ＢＧＡと回路基板と対向した位置に電極が
あるため、ＢＧＡの電極と回路基板とにより構成される
はんだ接合部は、ＱＦＰ、ＳＯＰなどの電極構造を有す
る電子部品のはんだ接合部と異なり、電極間のはんだ接
合状態（形状）を目視あるいは顕微鏡等による外観検査
により確認できないため、図９に示すようなはんだの未
溶融によるはんだ接合部の未はんだ不良を外観検査にて
検出することができない。

【００１０】また、これらはんだ接合部の不良を検査を
するためには、Ｘ線透過装置による検査方法もあるが、
はんだ接合部の形状、はんだ接合部のボイド等は比較的
観察しやすいが、接合部のはんだが十分濡れず適正な合
金が形成されていないような場合、不良検出が困難であ
り、またＸ線透過装置はかなり高価なため、従来の検査
方法に比べてコストＵＰとなるという欠点がある。

【００１１】（発明の目的）本発明の目的は、上記課題
を解決するもので、電子部品のはんだ接合する電極構造
や形状を大きく変更することなく、電子部品の小変更及
び回路基板の小変更にて、比較的容易に非破壊な方法で
電子部品の電極と回路基板のはんだランドにより構成さ
れるはんだ接合部のはんだ未溶融不良を検出する電子部
品、回路基板及び検査方法を提供することである。

【００１２】以下に、本発明の目的を請求項ごとに記載
する。

【００１３】請求項１の発明の目的は、「電子部品と回
路基板が対向して形成される電子部品と回路基板のはん
だ接合部において、検査対象のはんだ接合部に隣接した
位置に少なくとも２箇所以上の突起状の電気的に導通す
る構造体を有し、その導通構造体が電気的に導通してい
る電子部品」を提供することである。

【００１４】請求項２の発明の目的は、「電子部品と回
路基板が対向して形成される電子部品と回路基板とのは
んだ接合部において、前記導通構造体に対応した位置に
銅ランドを有し、各々の銅ランドから探針用のランドま
での配線及びランドを有している回路基板」を提供する
ことである。

【００１５】請求項３の発明の目的は、「電子部品を回
路基板に搭載しはんだ接合された電子回路装置におい
て、突起状の導通構造体と対応する前記回路基板の銅ラ
ンド上から配線にて引き出されたランド上に探針して電
子部品の電極と回路基板上の銅ランドにて構成されるは
んだ接合部の良し悪しを検査する検査方法」を提供する
ことである。

【００１６】請求項４の発明の目的は、「電子部品にお
いて、前記電子部品の突起状の導通構造体の長さは電子
部品の電極高さより低く、はんだ接合後の接合部の高さ
より高い電子部品」を提供することである。

【００１７】請求項５の発明の目的は、「電子部品の突
起状の導通構造体が円柱形状で、その先端が球面状であ
り、はんだ濡れ性が良好であることを特徴とする請項１
記載の電子部品」を提供することである。

【００１８】請求項６の発明の目的は、「電子部品の中
心に対して点対称の４箇所に隣接する突起状の導通構造
体が設けてあり、その長さが等しく、電子部品の電子部
品の電極とは電気的に独立している電子部品」を提供す
ることである。

【００１９】請求項７の発明の目的は、「電子部品のは
んだ接合部付近に、相隣接する突起状導通構造体が設け
てあり、その長さが異なる電子部品」を提供することで
ある。

【００２０】

【課題を解決するための手段および作用】前記課題を解
決するために請求項１の発明は、「電子部品と回路基板
が対向して形成される電子部品と回路基板のはんだ接合
部において、検査対象のはんだ接合部に隣接した位置に
少なくとも２箇所以上の突起状の電気的に導通する構造
体を有し、その導通構造体が電気的に導通している電子
部品」を提供することである。

【００２１】前記課題を解決するために請求項２の発明
は、「電子部品と回路基板が対向して形成される電子部
品と回路基板とのはんだ接合部において、前記導通構造
体に対応した位置に銅ランドを有し、各々の銅ランドか
ら探針用のランドまでの配線及びランドを有している回
路基板」を提供することである。

【００２２】前記課題を解決するために請求項３の発明
は、「電子部品を回路基板に搭載しはんだ接合された電
子回路装置において、突起状の導通構造体と対応する前
記回路基板の銅ランド上から配線にて引き出されたラン
ド上に探針して電子部品の電極と回路基板上の銅ランド
にて構成されるはんだ接合部の良し悪しを検査する検査
方法」を提供することである。

【００２３】前記請求項１、請求項２、請求項３によれ
ば、請求項１記載の電子部品のはんだ電極と請求項２記
載の回路基板の銅ランド上のはんだとのはんだ接合部に
おいて、被検査位置の近くに設けた相隣接する導通構造
体と回路基板のはんだつけランド上のはんだとの導通状
態を、各々の導通構造体に対応した回路基板上のはんだ
のはんだつけランドより引きだされた配線パターンを介
した探針用ランドに接触した探針を通して電気的に検出
することで、はんだ接合のはんだ未溶融、はんだ濡れ不
足によるはんだ接合高さ不良を検査できる。

【００２４】前記課題を解決するために請求項４の発明
は、「電子部品において、前記電子部品の突起状の導通
構造体の長さは電子部品の電極高さより低く、はんだ接
合後の接合部の高さより高い電子部品」を提供すること
である。

【００２５】本発明によれば、導通構造体はリフロー加
熱により長さが大きく変化しない材質で構成することに
より導通構造体の高さをはんだ接合後のねらいの接合高
さに応じた長さにすることで、はんだ電極の過溶融等に
よるはんだ接合高さが低くなりすぎることを防止できる
ので、導通構造体の長さを調整することで、はんだ接合
高さ不良を検出するしきい値を変えることができる。ま
た、はんだ接合形状のつぶれ過ぎによるはんだ接合高さ
の規制ができるのではんだ接合のつぶれ過ぎ等形状不良
によるはんだ接合信頼性の低下を防止できる。

【００２６】前記課題を解決するために請求項５の発明
は、「電子部品の突起状の導通構造体が円柱形状で、そ
の先端が球面状であり、はんだ濡れ性が良好である電子
部品」を提供することである。

【００２７】本発明によれば、突起状の導通構造体は、
先端が球面形状であり、はんだ濡れ性が良好であり、は
んだつけランド上のはんだペーストと球面にて接触する
ので、はんだ接合界面のはんだ溶融初期において、被検
査対象の電子部品のボール状はんだ電極のはんだ接合部
と同等のはんだ接合形状を形成しやすく、はんだ電極の
はんだ接合部と同等の導通状態の検出が可能である。ま
た、円柱形状をしているので、加工性が良好であること
と、はんだつけランドの形状が、はんだ電極用ランドと
同形状の円形状にできるので、はんだペースト印刷の条
件出しが容易である。

【００２８】前記課題を解決するために請求項６の発明
は、「電子部品の中心に対して点対称の４箇所に隣接す
る突起状の導通構造体が設けてあり、その長さが等し
く、電子部品の電子部品の電極とは電気的に独立してい
る電子部品」を提供することである。

【００２９】本発明によれば、隣接する突起状の導通構
造体が、電子部品の４隅４箇所に設けてあるので、４系
統を各々電気的に独立に設けることで、電子部品の回路
基板への搭載の傾きなどの接合高さのバラツキ等による
部分的なはんだ接合不良を検出できる。

【００３０】また、４隅に設けた導通構造体長さを等し
くすることで、電子部品と回路基板のはんだ接合部の高
さを均一にできる。また、導通構造体にて構成されるは
んだ接合部にて、電子部品と回路基板との位置を固定で
きるので、はんだ加熱溶融時の振動による位置ずれ、は
んだ電極間のブリッジ等の不良発生を防止できる。

【００３１】前記課題を解決するために請求項７の発明
は、「電子部品のはんだ接合部付近に、相隣接する突起
状の導通構造体が設けてあり、その長さが異なる電子部
品」を提供することである。

【００３２】本発明によれば、相隣接する導通構造体の
長さを違えることで、はんだの溶融状態の違いをはんだ
の接合高さを測定する代わりに段階的に電気的に検出で
きるので、電子部品のはんだ接合部の不良をより感度良
く検出できる。

【００３３】

【発明の実施の形態】（実施例１）図１は本発明の第１
の実施例をあらわすＢＧＡ形状の電子部品と回路基板の
はんだ接合部の検査方法を説明する要部断面図である。
図２ａは、本発明の第１の実施例をあらわす回路基板の
平面図である。図２ｂは、本発明の第１の実施例をあら
わす回路基板の要部平面図である。図３は、本発明の第
１の実施例をあらわすはんだ接合前の要部断面図であ
る。図４は本発明の第１の実施例のはんだ接合不良をあ
らわす要部断面図である。

【００３４】図１、図２ａ、図２ｂ、図３及び図４を参
照にして本発明の第１の実施例を説明する。

【００３５】図１、図２、図２ｂ、図３及び図４におい
て、１はＢＧＡ形状の電子部品（以後ＢＧＡ）、２はＢ
ＧＡ１を搭載しはんだ接合される回路基板、３はＢＧＡ
１のボール状のはんだ電極、４は、ＢＧＡ１の銅電極、
５０１から５０８はＢＧＡ１の四隅に隣り合って設けら
れた突起状の導通構造体、４１１は５０１と５０２を電
気的に接続するＢＧＡ１上の配線、同様に、４１２、４
１３、４１４は５０３と５０４、５０５と５０６、５０
７と５０８を接続するＢＧＡ１上の配線、６は、はんだ
電極３に対応して回路基板２上に設けられたはんだ付け
ランド、６０１、６０２は導通構造体５０１、５０２に
対応して回路基板２上に設けられた円形状のはんだ付け
ランド、７、７０１、７０２は、回路基板２上のはんだ
つけランド６、６０１、６０２に供給されたはんだペー
スト、８０１、８０２は回路基板１上のはんだ付けラン
ド６０１、６０２から引き出された配線、９０１、９０
２は配線８０１、８０２を介して引き出された探針用の
ランド、１０は探針、１１はＢＧＡ１のレジスト、１２
は回路基板２のレジストである。

【００３６】５０３と５０４、５０５と５０６、５０７
と５０８は５０１と５０２の他の３隅に設けられた隣接
する導通構造体であり、６０３から６０８は各々に対応
して、回路基板２上に設けられた円形状のはんだ付けラ
ンド、７０３から７０８ははんだペースト、８０３から
８０８は回路基板２上の配線、９０３から９０８は探針
用のランドである。

【００３７】上記構成において、図１、図２、図２ｂに
示す様に、４隅に同様な突起状の導通構造体を有してい
るので、図１、図３及び図４に示す様に、１箇所で本実
施例を説明する。

【００３８】図３に示す様に、回路基板２上のはんだ付
けランド６、６０１、６０２にはんだペースト７、７０
１、７０２をスクリーン印刷法にて供給する。次にＢＧ
Ａ１のボール状のはんだ電極３と対向する回路基板２上
のはんだ付けランド６の位置合わせをし、ＢＧＡ１を回
路基板２上に搭載する。この状態のＢＧＡ１が搭載され
た回路基板２をリフロー加熱することにより、ＢＧＡ１
のボール状のはんだ電極３とのはんだ付けランド６上に
供給されたはんだペースト７が溶融し、図１に示す様
に、回路基板２上のはんだつけランド６とＢＧＡ１の電
極３のはんだ接合部が形成される。その時、同様に、Ｂ
ＧＡ１の隣接する突起状の導通構造体５０１、５０２と
ランド６０１、６０２のランドとがはんだペースト７０
１、７０２の溶融によりはんだ接合されるので、導通構
造体５０１、５０２間の配線４１１および回路基板２上
のはんだ付けランド５０１、５０２から引き出された図
２に示される配線８０１、８０２を介して回路基板２上
に設けてある探針用のランド９０１、９０２に接触させ
た探針１０を介して導通構造体５０１、５０２と回路基
板上２のはんだつけランド６０１、６０２の導通状態を
確認できる。導通構造体５０３から５０８についても同
様である。

【００３９】リフロー加熱によるはんだ接合部の形成過
程で、はんだ電極３は加熱溶融されることではんだ接合
部の高さは低くなり、ＢＧＡ１と対向する回路基板２の
間隔は狭くなる。一方、ＢＧＡ１の銅ランド加熱不足、
濡れ不良等の接合不良の場合、図４に示すようにＢＧＡ
１と回路基板２の間隔Ｄ’は図１の場合（Ｄ）に比べて
広く、はんだ接合高さが高く、導通構造体５０１、５０
２とはんだつけランド６０１、６０２ははんだつけされ
ず探針１０間は電気的にオープン状態である。したがっ
て、ＢＧＡ１のはんだ電極３と回路基板２のはんだつけ
ランド６上のはんだ７とのはんだ接合高さを、ＢＧＡ１
に設けた隣接する導通構造体５０１、５０２と回路基板
２のはんだつけランド６０１、６０２上のはんだ７０
１、７０２との導通状態を、各々の導通構造体５０１、
５０２に対応したはんだつけランド６０１、６０２より
引きだされた配線パターン８０１、８０２を介して探針
用ランド９０１、９０２に接触した探針１０を通して電
気的に検出することで、はんだ接合のはんだ未溶融、は
んだ濡れ不足によるはんだ接合高さ不良を検査できる。

【００４０】リフローエ程の加熱条件によっては、オー
プン状態として検出されず、数Ω以上高い抵抗値を示す
場合もあるが、これらはんだ接合部について、断面観察
により、それぞれの場合の測定抵抗値とはんだ未溶融不
良との対応を確認できた。すなわちリフロー温度がはん
だの融点に対して十分高くなくはんだが未溶融の場合、
ＢＧＡ１のはんだボール電極３とはんだつけランド６上
のはんだペースト７とのはんだ接合界面付近と十分に溶
融していないことが確認され、リフロー温度が十分高い
場合は良好なはんだ接合状態であることが確認できた。
従って、はんだの溶融不足によるＢＧＡ１と回路基板２
上のはんだつけランド６上のはんだ７との接合状態を非
破壊にて確実に検出できる。

【００４１】また、上記構成において、導通構造体５０
１から５０８はリフロー加熱により長さが大きく変化し
ないため、検出したい接合不良の高さに応じて、導通構
造体の高さをはんだ接合後のねらいの接合高さに応じた
長さにすることで、はんだ電極の過溶融等によるはんだ
接合高さが低くなりすぎることを防止できるので、はん
だ接合形状のつぶれ過ぎによるＢＧＡ１と回路基板２の
はんだ接合信頼性の低下を防止できる。

【００４２】さらに、図１に示すように、突起状の導通
構造体５０１から５０８は、先端が球面形状でありはん
だ濡れ性の良好な４２アロイにはんだメッキで構成され
ておりはんだペースト７０１から７０８と球面にて接触
するので、はんだの接合界面においてＢＧＡ１のボール
状はんだ電極３とはんだペースト７とのはんだ接合部と
同等のはんだ接合状態を形成し易く、はんだ電極３のは
んだ接合部と同等の導通状態の検出が可能である。

【００４３】また、円柱形状をしているので、加工性が
良好であることと、はんだつけランド６０１から６０８
の形状が、はんだ電極用ランド６と同形状の円形状にで
きるので、はんだペースト７、７０１から７０８の印刷
の条件出しが容易である。

【００４４】さらに、長さの等しい隣接する突起状の導
通構造体５０１から５０８が電子部品１の４隅４箇所に
設けてあるので、４系統を各々電気的に独立に設けるこ
とで、ＢＧＡ１の回路基板２への搭載の傾き等による部
分的なはんだ接合不良を検出できる。

【００４５】また、４隅に設けた導通構造体５０１から
５０８までの長さが等しいので、ＢＧＡ１と回路基板２
のはんだ接合部の高さのバラツキを軽減できる。なお、
導通構造体５０１から５０８にて構成されるはんだ接合
にて、ＢＧＡ１と回路基板２との位置を機械的に固定で
きるので、はんだ加熱溶融時の振動による位置ずれ、は
んだ電極間のブリッジ等のはんだ接合不良発生を防止で
きる。

【００４６】本実施例は、ＢＧＡ形状の電子部品と回路
基板のはんだ接合部についてであるが、ＣＳＰ等、電子
部品と回路基板が対向してはんだ接合部を形成する電極
構造の電子部品についても適用できる。

【００４７】なお、本実施例では導通構造体の材質はリ
ン青銅であるが、先端のはんだ濡れ性が良好であれば鉄
合金あるいはリン青銅等の銅合金ので構成してもかまわ
ないし、また、導通構造体の先端に、はんだメッキ、Ａ
ｕメッキやＰｄメッキ等の表面処理を施した構成でも良
い。

【００４８】本実施例において、回路基板は両面基板の
例であり、配線は表層の配線のみであったが、検査の検
出感度に問題がなければ、ＢＧＡ内の配線を含め、多層
基板の内層を使用したスルーホールを介した配線でもか
まわない。

【００４９】（実施例２）図５ａ、図５ｂは本発明の第
２の実施例をあらわすＢＧＡ形状の電子部品と回路基板
とのはんだ接合部の検査方法を説明する要部断面図であ
り、図６は、本発明の第２の実施例をあらわす回路基板
の要部平面図である。

【００５０】図５ａ、図５ｂ及び図６を参照にして本発
明の第２の実施例を説明する。

【００５１】なお、図５ｂは、図５ａに比較してはんだ
接合高さが低い例である。

【００５２】図５ａ、図５ｂ及び図６において、４１０
はＢＧＡ１の中央部の銅電極、４２１から４２６は導通
構造体５０１から５０６に対応したＢＧＡ１の電極、４
３１から４３６はＢＧＡ１の中央部の銅電極４１０から
各銅電極４２１から４２６に引き出された配線、６１０
は銅電極４１０に対応して回路基板２上に設けられた電
極、８１０は電極６１０から引き出された配線、９１０
は、配線８１０を介して引き出された探針用のランドで
ある。なお、ＢＧＡ１において、ＢＧＡ１の中央部の電
極４１０と各導通構造体５０１から５０６は各配線４３
１から４３６を介して電気的に導通している。また図６
の破線部は、ＢＧＡ１の回路基板２への搭載位置をあら
わし、点線は搭載されるＢＧＡ１の、電極４１０、配線
４３１から４３６をあらわす。

【００５３】図５ａ、図５ｂ、図６に図示する様に、検
査対象がＢＧＡ１の中央部に設けられたはんだ接合部な
ので、隣接する導通構造体の位置が第１の実施例とは異
なる。前述した第１の実施例の電子部品とは、突起状の
導通構造体を電子部品の中央部のはんだ電極に設けたこ
とと、また、導通構造体の設置数が異なり電子部品の中
央部付近の３箇所に設けられている点と、隣接する導通
構造体の長さが違う点が異なる。

【００５４】さらに、ＢＧＡ１の中央部の電極４１０は
各導通構造体５０１から５０６に対応した各銅電極４２
１から４２６へ、各配線４３１から４３６で電気的に導
通している点が異なる。

【００５５】図５ａに示されるように、第１の実施例同
様にＢＧＡ１のはんだ電極３と回路基板２のはんだ７が
溶融しはんだ接合され、９１０と９０１間、９１０と９
０２間は電気的に導通状態で検出される。一方、はんだ
接合が不十分で、はんだ接合高さが高い時、図５ｂに示
される様に導通構造体５０１の長さは５０２より短く構
成されており、９１０と９０２間は電気的に導通状態で
検出されるものの、９１０と９０１間は電気的にオープ
ン状態で検出される。

【００５６】また、図５ｂより９１０と９０１間、９１
０と９０２間共に電気的にオープン状態として、検出さ
れる場合もあり、各々導通構造体の高さを変えることに
より、はんだの溶融状態の違いをはんだの接合高さを測
定する代わりに段階的に電気的に検出できるので、電子
部品の中央部のはんだ接合部の不良を感度良く検出でき
る。

【００５７】又、相隣接する導通構造体は電子部品の中
央部付近の３箇所に設けてある点が第１の実施例とは異
なるが、回路基板２とＢＧＡ１とのはんだ接合部高さの
バラツキを本発明の第１の実施例と同等の検出が可能で
ある。

【００５８】（実施例３）図７は本発明の第３の実施例
をあらわすＢＧＡ形状の電子部品と回路基板のはんだ接
合部の検査方法を説明する要部断面図である。図７にお
いて、実施例１とは、導通構造体５１０の形状が異な
り、円柱状で先端が球面形状の２つの突起部より構成さ
れており、回路基板２上に各先端に対応したはんだ付け
ランド６０１、６０２を有していることが異なってい
る。それ以外は第１の実施例と同様である。

【００５９】上記構成に示すように、第１の実施例より
導通構造体の数を少なく第１の実施例と同等の検査がで
きるので、電子部品を安くできる。また電子部品への導
通構造体の取付け面積を減少できるので、電子部品の導
通構造体の設計の自由度が高くなる。

【００６０】なお、本実施例では、導通構造体５１０の
先端の長さは等しいが導通構造体の２つの先端の長さは
第２の実施例同様に違ってもよい。

【００６１】また、導通構造体５１０は、ＢＧＡ１の上
部に突き抜けた形状でも構わない。検査方法に問題がな
ければ、突き抜けた形状の頂部に探針し検査する方法も
ある。

【００６２】

【発明の効果】本発明によれば、電子部品の電極と回路
基板上の電極より構成されるはんだ接合部において、電
子部品に突起状の導通構造体を設け、対応する位置には
んだ付けランドを設けて、電子部品と回路基板のはんだ
接合高さを、突起状の導通構造体の導通状態を検出する
ことではんだ未溶融不良、はんだ濡れ不良等のはんだの
接合不良を非破壊で検査することができる。また、導通
構造体と銅ランドとのはんだ接合により、電子部品が導
通構造体を介して回路基板と機械固定できるので、はん
だ付け工程での部品の位置ずれや、はんだブリッジ等の
不良発生を回避できる。さらに、導通構造体の長さで、
はんだ接合高さを規定できるのではんだ接合形状不良の
ない信頼性の高いはんだ接合部を有する電子回路装置を
提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の第１の実施例をあらわす要部断面図

【図２ａ】 本発明の第１の実施例をあらわす回路基板
の平面図

【図２ｂ】 本発明の第１の実施例をあらわす回路基板
の要部平面図

【図３】 本発明の第１の実施例をあらわすはんだ接合
前の要部断面図

【図４】 本発明の第１の実施例でのはんだ接合不良を
あらわす要部断面図

【図５ａ】 本発明の第２の実施例をあらわす要部断面
図

【図５ｂ】 本発明の第２の実施例をあらわす要部断面
図

【図６】 本発明の第２の実施例をあらわす回路基板の
要部平面図

【図７】 本発明の第３の実施例をあらわす要部断面図

【図８ａ】 従来のＢＧＡと回路基板のはんだ接合前の
図

【図８ｂ】 従来のＢＧＡと回路基板のはんだ接合後の
図

【図９】 従来のＢＧＡと回路基板のはんだ未溶融不良
をあらわす図

【符号の説明】

１ 電子部品（ＢＧＡ） ２ 回路基板 ３ はんだ電極（電子部品） ４ 銅ランド（電子部品） ４１０ 銅ランド（電子部品） ４１１、４１２、４１３、４１４、４１５、４１６ 銅
ランド間配線（電子部品） ４２１、４２２、４２３、４２４、４２５、４２６ 銅
ランド（電子部品） ４３１、４３２、４３３、４３５、４３６ 配線（電子
部品） ５０１、５０２、５０３、５０４、５０５、５０６、５
０７、５０８ 導通構造体 ６ はんだつけランド（回路基板上） ６０１、６０２，６０３，６０４ はんだつけランド
（回路基板上） ６０５、６０６，６０７，６０８ はんだつけランド
（回路基板上） ７ はんだペースト ７０１、７０２，７０３，７０４ はんだペースト ７０５、７０６，７０７，７０８ はんだペースト ８０１、８０２，８０３，８０４ 配線（回路基板上） ８０５、８０６，８０７，８０８ 配線（回路基板上） ８１０ 配線 ９０１、９０２，９０３，９０４ 深針用はんだつけラ
ンド ９０５、９０６，９０７，９０８、９１０ 深針用はん
だつけランド １０ 深針 １１ レジスト（電子部品上） １２ レジスト（回路基板上）

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 電子部品と回路基板が対向して形成され
   る電子部品と回路基板のはんだ接合部において、検査対
   象のはんだ接合部に隣接した位置に少なくとも２箇所以
   上の突起状の電気的に導通する構造体を有し、その導通
   構造体が電気的に導通していることを特徴とする電子部
   品。
2. 【請求項２】 前記電子部品と回路基板が対向して形成
   される電子部品と回路基板とのはんだ接合部において、
   前記導通構造体に対応した位置にはんだつけランドを有
   し、各々のはんだ付けランドから探針用のランドまでの
   配線を有していることを特徴とする回路基板。
3. 【請求項３】 前記電子部品を前記回路基板に搭載しは
   んだ接合された電子回路装置において、前記突起状の導
   通構造体と対応する前記回路基板のはんだつけランド上
   から配線にて引き出されたランド上に探針して電子部品
   の電極と回路基板上のランドにて構成されるはんだ接合
   部の良し悪しを検査することを特徴とする電子部品と回
   路基板のはんだ付け接合の検査方法。
4. 【請求項４】 前記電子部品の突起状の導通構造体の高
   さは電子部品の電極高さより低く、はんだ接合後の接合
   部の高さより高いことを特徴とする請求項１記載の電子
   部品。
5. 【請求項５】 前記電子部品の突起状の導通構造体が円
   柱形状で、その先端が球面状でありはんだ濡れ性が良好
   であることを特徴とする請項１記載の電子部品。
6. 【請求項６】 前記電子部品の中心に対して点対称の４
   箇所に隣接する突起状の導通構造体が設けてあり、その
   長さが等しく、電子部品の電極とは電気的に独立してい
   ることを特徴とする請求項１記載の電子部品。
7. 【請求項７】 前記電子部品のはんだ接合部付近に、相
   隣接する突起状の導通構造体が設けてあり、その長さが
   異なることを特徴とする請求項１記載の電子部品。