JP2003001208A - 洗浄方法およびその装置 - Google Patents
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Abstract
ことが困難であり、また溶媒の粒径を小さくすることが
難しいため、被洗浄物を傷つけることがあったという課
題を解決する。 【解決手段】溶媒(CO2)の気体をラインフィルタに
通してごみなどの粒子を除去し、ノズルから噴射して固
体粒子または液滴に変換して被洗浄物に噴射して粒子ま
たは有機物を洗浄するようにした。ノズルと被洗浄物の
間のギャップを調節することにより、溶媒を固体粒子ま
たは液滴状にできるので、汚れの程度に応じて最適の溶
媒の状態を選択することができる。また溶媒中のごみ等
の粒子をフィルタで容易に除くことができるので、高価
な純度の高い溶媒を使用しなくてもよくなり、ランニン
グコストを低減することができる。
Description
の媒体やシリコンウエハーの表面上の微細な粒子や有機
物を洗浄して除去する洗浄方法およびその装置に関する
ものである。
ーあるいは液晶ディスプレイを加工するガラス板など
は、表面の凹凸を最小限にし、また微細加工する関係上
その表面を完全に洗浄して、微細な粒子や有機物が残存
しないようにしなければならない。
洗浄する洗浄装置の1つとして、CO 2の粉末(ドライ
アイス)を洗浄物の表面に吹き付ける洗浄装置が用いら
れていた。このような洗浄装置では、高圧の液体CO2
を細いノズルから噴射させてCO2粉末を生成する。す
なわち、ノズルから噴射したCO2は大半が液滴にな
り、その表面が気化して気化熱を奪う。気化熱を奪われ
た液滴は固化してドライアイスになり、CO2粉末が生
成される。このCO2粉末を被洗浄物に吹き付けて、そ
の表面を洗浄する。CO2粉末の粒径の大きさはほぼ液
滴の大きさによって決定される。
CO2を3重点まで冷却して、固体、液体、気体の混合
物をノズルから噴射させて洗浄するという方法も考案さ
れている。3重点以下の温度では液体は存在できないた
め、液体は直ぐに固化し、また気体の一部は冷えて凝集
して固体化する。この場合も、CO2粉末の粒径はほぼ
液滴のそれによって決定される。
3重点まで冷却して、固体、液体、気体の混合物をノズ
ルから噴射させて洗浄する方法も用いられていた。この
場合、アルゴンの3重点は大気圧以下であるので、減圧
した容器内で洗浄を行わなければならないという制約が
ある。
が被洗浄物にあたると冷えて結露する。そのため、被洗
浄物をのせるステージをヒータで暖めなければならな
い。アルゴンを用いた洗浄では、被洗浄物を大気中に戻
したときに結露しないように暖めることは必須である。
また、周囲の雰囲気の湿度を下げるために、洗浄する領
域を密閉して低露点のガスを充満させるようにしてい
た。更に、イオナイザで静電気を除去して帯電防止を図
っていた。
うな洗浄装置には次のような課題があった。
O2中にごみなどの粒子が存在するとこの粒子が被洗浄
物を傷つけることがあるが、この粒子を除去するのが困
難であるという課題があった。
タを入れることにより除去することができるが、このフ
ィルタの目を細かくしすぎるとフィルタ通過時の圧損が
大きくなり、フィルタ下流側でドライアイスを生成して
しまうという問題があるために、フィルタの目を細かく
することができなかった。このため、微細な粒子を除去
することができなかった。
体CO2を用いていたが、高価であるためにランニング
コストが高くなってしまうという課題もあった。
粒径はノズルの径と流速で決定されるが、機械加工の精
度上ノズル径を小さくすることが困難であるためにドラ
イアイスの粒径を小さくすることができず、被洗浄物を
傷つけてしまうという課題もあった。
を使用する場合でも、密閉容器や真空容器中に被洗浄物
を保持する必要があるために、装置が大掛かりになり、
コスト高になってしまうという課題もあった。
浄物に衝突すると表面との摩擦で静電気が発生し、この
静電気のために除去された粒子が再付着したり、表面に
作成されたFETなどのデバイスを静電破壊する場合が
あるが、イオナイザでは静電気を完全に除去することが
困難であるという課題もあった。
溶媒中のごみなどの粒子を除去することができ、被洗浄
物に付着している有機物や粒子を効率よく除去すること
ができる洗浄方法およびその装置を提供することにあ
る。
るために、本発明のうち請求項1記載の発明は、ノズル
と被洗浄物との間の距離を所定の値に制御することによ
り、被洗浄物に到達する前記溶媒の状態を調節するよう
にしたものである。粒子を効率的に除去できる微粒子状
態と、有機物の除去能力が高い液滴状態を適宜選択する
ことができる。
値に保持する保温機構と、溶媒気体を導出する導管と、
この導管の途中に設置されたフィルタと、導管の他端に
配置されたノズルとを具備し、被洗浄物とノズルとの間
の距離を一定に保ってこのノズルから被洗浄物に溶媒を
噴射させると共に、被洗浄物とノズルとの間の距離を制
御することにより、被洗浄物に到達する溶媒の状態を調
節するようにしたものである。効率よく溶媒中のゴミな
どの微粒子を除去することができ、かつ粒子を効率的に
除去できる微粒子状態と、有機物の除去能力が高い液滴
状態を適宜選択することができる。
明において、ノズルと被洗浄物をほぼ垂直に配置し、こ
の被洗浄物と前記ノズルとの間の距離を、
除去できる微粒子状態と、有機物の除去能力が高い液滴
状態を適宜選択することができる。
求項3記載の発明において、容器中の溶媒気体の圧力が
一定になるように保温機構を制御するようにしたもので
ある。直接温度を制御するより簡単に制御できる。
求項4記載の発明において、フィルタとノズルとの間に
エアオペレート弁を配置したものである。フィルタが大
気開放されず、常に高圧側に保持される。
求項5記載の発明において、ノズルを2重管構造とし、
このノズルの内管から溶媒を噴射させ、このノズルの外
管からパージ用の気体を噴射させるようにしたものであ
る。コンパクトに構成することができる。
求項6記載の発明において、被洗浄物周辺にパージ用の
気体を吹き付けて被洗浄物周辺をパージ用気体の雰囲気
にするパージ機構と、被洗浄物を加熱して結露を防止す
る加熱機構を具備したものである。結露を防ぐことがで
きる。
明において、ノズルとパージ機構と加熱機構を一体構成
としたものである。コンパクトに構成することができ
る。
求項8記載の発明において、被洗浄物を回転させるスピ
ンドルと、このスピンドルへ被洗浄物をロードし、また
アンロードする搬送機構を具備したものである。均一に
洗浄でき、かつ効率化を図ることができる。
る軟X線発生部を有し、この軟X線発生部で発生した軟
X線を被洗浄物に照射して、この被洗浄物を除電するよ
うにしたものである。完全に除電する事ができる。
細に説明する。図1は本発明に係る洗浄装置の一実施例
を示す構成図である。この図において、11は溶媒であ
るCO2のボンベであり、その内部のCO2は温度Tの
液体部分111と圧力P0の気体部分112に分かれて
いる。12はボンベ11を一定温度に保温するヒータで
ある。
り出す。14は導管13の途中に設置された圧力計であ
り、導管13内の圧力を測定する。この圧力は気体部分
112の圧力P0と同じである。15はバルブであり、
導管13に取り付けられている。16はラインフィル
タ、17はエアオペレート弁であり、いずれも導管13
に取り付けられている。また、ボンベ11、ラインフィ
ルタ16、エアオペレート弁17はこの順に取り付けら
れている。
であり、スピンドル20によって回転させられる。18
はノズルであり、被洗浄物19と所定のギャップdだけ
離して取り付けられている。ノズル18は2重管になっ
ており、内側の管には導管13により導かれた気体CO
2が、外側の管には窒素ガスN2が通される。21は赤
外線ヒータであり、被洗浄物19を暖める。22はパー
ジ管であり、窒素ガスN 2を噴射する。
計14により導管13内の圧力を測定して、この圧力が
一定になるようにヒータ12を制御する。ボンベ11内
はCO 2の液体と気体が共存しているので、気体部分1
12の圧力P0は液体部分111の温度Tにおける飽和
蒸気圧になっている。液温と飽和蒸気圧との間には1対
1の関係があるので、ヒータ12によって液体部分11
1の温度を制御することにより、飽和蒸気圧すなわち導
管13の圧力を制御することができる。例えば、液温を
22℃に制御すると、飽和蒸気圧は60MPaになる。
す。この図で、上側の曲線は液体CO2の密度の変化
を、下側の曲線は気体CO2の密度の変化を表したもの
である。CO2の液体および気体の密度は温度によって
変化し、特に臨界温度付近ではその変化は顕著になる。
飽和蒸気圧およびガスの密度の変化はドライアイスの生
成密度に大きく影響するので、液体CO2の温度の制御
はこの装置の安定性を確保する上で重要である。
直接制御する方法、および飽和蒸気圧と液温の間に1対
1の関係があることを利用して、タンク11の内圧が一
定になるようにヒータ12を制御する方法がある。図1
の実施例では、後者の方法を用いている。
子はラインフィルタ16で除去され、ノズル18から被
洗浄物19に噴射される。導管13内を流れるCO2は
気体なので、ラインフィルタ16に目の細かいフィルタ
を用いても圧損が増えることはない。従って、CO2内
の細かい粒子をも除去することができる。また、エアオ
ペレート弁17をラインフィルタ16に対してタンク1
1と反対側に置くことにより、ラインフィルタ16が大
気開放されず、常に高圧側に保持されるようにしてい
る。
の内管を介して被洗浄物19に噴射される。ノズル18
と被洗浄物19との間のギャップdは一定に保たれる。
また、被洗浄物19はスピンドル20によって回転され
るので、CO2は均一に被洗浄物19に噴射される。更
に、ノズル18の外管およびパージ管22から低露点の
窒素ガスを噴射させ、また赤外線ヒータ21で被洗浄物
19を暖めることにより、結露を防いでいる。
2は熱膨張により冷却され、最終的に固体(ドライアイ
ス)の微粒子になる。この様子を図3を用いて説明す
る。図3はCO2の温度と圧力の関係を表した図であ
り、横軸は温度(℃)、縦軸は圧力(MPa)である。
この図のA点はノズル18から噴射されたときの状態で
あり、気体になっている。この気体CO2は熱膨張によ
って冷却され、過冷却状態を経てB点で微小な液滴にな
る。
圧力に比べて蒸気圧は低いので、周囲の圧力が低下して
液滴の蒸気圧と等しくなるまで液滴は成長する。周囲の
圧力が低下して液滴の蒸気圧より低くなると液滴表面か
らの蒸発が活発になり、気化熱によって液滴の温度が低
下して、固体(ドライアイス)の微粒子になる。つま
り、ノズル18から噴射されたCO2は、気体のみの状
態から気体と液体の混合状態を経て、気体と固体と液体
が同時に存在する気液固混合状態になり、気体と固体粒
子が同時に存在する気固混合状態を経て気体に戻る。
O2の膨張によるガス圧力の変化とも密接に関係する。
図3からわかるように、6〜4MPaでは気体のみが存
在し、4〜3MPaでは気体と液体が同時に存在する気
液混合状態になり、2〜1MPaでは気体と液体と固体
が同時に存在する気液固混合状態になる。また、1MP
a以下では気体と固体粒子が同時に存在する気固混合状
態になり、ノズル18から十分離れて大気圧になると、
気体のみの状態に戻る。ただし、これらの状態は定常的
に存在するのではなく、噴射されてから数秒以内の短い
時間内にのみ存在することができる。
離を調節することにより、被洗浄物19に到達するCO
2の状態を選択することができる。図4はこのことを説
明するための図である。なお、図1と同じ要素には同一
符号を付し、説明を省略する。ノズル18の先端から噴
射したCO2は、ノズル先端に近い所で圧力が一番高
く、先端から離れるに従って圧力が低下する。従って、
図4に示すように、ノズル18に一番近いところは気体
と液体が混在する領域であり、中間領域は気体と液体と
固体が混在する領域、被洗浄物19に一番近い領域は気
体と固体が混在する領域になる。
を自由噴流と言う。自由噴流では噴射圧力P0が噴射側
の圧力の2倍以上になると流速が超音速に達し、マッハ
ディスクと呼ばれる衝撃波が発生する。経験的に、ノズ
ルの先端を原点としたときのマッハディスクが発生する
位置χMD(mm)は、
なると、この間の微小領域の圧力Pbが上昇する。これ
はマッハディスクの発生位置を観測することから見積も
ることができ、
0.3mmとして、噴射圧力P0を6MPaとすると、
マッハディスクは約1.5mmのところに発生する。
1.5mm以下にすると、ノズルと被洗浄物との間の微
小領域の圧力が上昇し、この圧力は被洗浄物とノズル間
の距離よって変わる。すなわち、図4で説明したよう
に、この距離を調節することによって、被洗浄物には固
体のCO2だけでなく、液滴のCO2をも照射すること
ができる。
物の表面に付着した微粒子の除去能力は若干劣るが、有
機物の溶解力が高いので、有機物の除去能力の向上や被
洗浄物に対する衝撃度が軽減され、傷つけることがなく
なることが期待できる。従って、被洗浄物の物性や汚れ
の程度によって被洗浄物とノズルの距離を調整して、固
体の微粒子、液滴あるいは固体と液滴の混合物を選択し
て被洗浄物に照射することができる。
を示す。図5において、30は被洗浄物であるハードデ
ィスク媒体、31は被洗浄物を回転させるスピンドルと
被洗浄物30を固定するクランプ部である。32はハー
ドディスク媒体30を暖める赤外線ランプ、33は赤外
線を反射する反射板、34は反射板33を固定する反射
板固定部である。35はパージ用の窒素ガスをハードデ
ィスク媒体30に噴射する窒素ガスパージパイプであ
る。この窒素ガスパージパイプ35は図1のパージ管2
2に相当する。
噴射するノズルブロック、37はノズルブロック36を
固定するノズル固定ブロック、38はノズルブロック3
6を移動させるリニアステージである。ノズルブロック
36の詳細は後述する。赤外線ランプ32および窒素ガ
スパージパイプ35は、ノズルブロック36を囲み、か
つハードディスク媒体30の両面に位置するように、各
4本設置されている。
O2はこのパイプ39から導入され、ノズルブロック3
6からハードディスク媒体30に噴射される。40は窒
素ガス用のラインフィルタ、41は反射板固定ブロック
34とリニアステージ38を固定するノズル固定用ベー
スプレート、42はノズル固定用ベースプレート41を
固定するベースプレートである。
35は反射板33に固定され、反射板固定部34でノズ
ル固定用ベースプレート41に固定されて、常にノズル
ブロック36と一定の位置関係になるようにされる。ノ
ズル固定用ベースプレート41は2枚に分割され、各々
のノズル固定用ベースプレート41には2個の赤外線ラ
ンプ32と2本の窒素ガスパージパイプ35が取り付け
られている。これら分割されたノズル固定用ベースプレ
ート41は、各々ハードディスク媒体30の表裏面を暖
め、またパージする。
プレート42上にスライドできるように取り付けられて
おり、これによってハードディスク媒体30との位置関
係を調整できるようになっている。このベースプレート
42は図示しないリニアステージに固定され、全体がハ
ードディスク媒体30の半径方向に直線移動できるよう
になっている。このため、ノズル361はハードディス
ク媒体30を挟み込むようにその外周から内周に向かっ
て移動し、その表面にCO2を噴射する。ハードディス
ク媒体は回転しているので、その全表面を洗浄すること
ができる。
なお、図の寸法は参考である。図6において、(A)は
上面図、(B)は正面図、(C)は側面図である。36
1はCO2を噴射するノズルであり、先端に内径約0.
3mmの噴射ノズルが形成されている。362は窒素ガ
スを噴射するノズルである。ハードディスク媒体の洗浄
では両面同時に洗浄するので、これらのノズルはいずれ
も上下に対向して配置される。また、ノズル361の噴
射口はノズル362の噴射口の中に配置されており、2
重管構造になっている。
よび361のギャップを調整するスぺーサである。この
スペーサ363で各ノズルとハードディスク媒体30間
の距離を設定する。また、リニアステージ38を操作し
て、ハードディスク媒体30が、対向するノズル361
の中央に来るように調整する。
プから導入され、ノズル361からハードディスク媒体
30に噴射される。365はパイプであり、窒素ガスが
導入されてノズル362からハードディスク媒体30周
辺に噴射される。窒素ガスはラインフィルタ40で不純
物が除去される。被洗浄物は対向するノズル362の間
に配置され、回転される。
の断熱膨張のために冷却されて結露する。この結露を防
ぐために、2重管の外管であるノズル362から窒素ガ
スを吹き出してハードディスク媒体30全体を含む周辺
大気をパージし、赤外線ランプ32でハードディスク媒
体30を暖めることにより、結露を防いでいる。また、
反射板33によって赤外線ランプ32から放出する赤外
線によって周囲が加熱されないようにしている。
噴射用のノズル、結露防止の赤外線ランプ、パージ用の
窒素ガス噴射用のノズルをコンパクトにまとめることが
できる。
図1と同じ要素には同一符号を付し、説明を省略する。
図7において、50は軟X線発生器であり、軟X線を発
生する。この軟X線は被洗浄物19に照射される。この
軟X線によって被洗浄物19の表面にできたガスのよど
み層をイオン化して、被洗浄物19を除電する。
る。なお、図1と同じ要素には同一符号を付し、説明を
省略する。図8(A)は従来のイオナイザでイオン化し
た空気41を回転している被洗浄物(ハードディスク媒
体)19に吹き付ける場合を図式化したものである。イ
オン化された空気41は被洗浄物19表面に形成された
よどみ層(ガスの拡散層)42に邪魔されて、被洗浄物
19の表面まで到達しない。また、たとえ表面に到達し
ても除電されるまでに時間がかかるので、回転している
被洗浄物に対しては有効に除電できない。
場合である。本実施例では軟X線でよどみ層(ガスの拡
散層)42を直接イオン化するので、回転している被洗
浄物でも効果的に除電できる。
本発明によれば、次の効果が期待できる。請求項1記載
の発明によれば、ノズルと被洗浄物との間の距離を所定
の値に制御することにより、被洗浄物に到達する前記溶
媒の状態を調節するようにした。被洗浄物表面の粒子を
効率的に除去できる固体の微粒子状態と、有機物の除去
能力が高い液滴状態を適宜選択することができるという
効果がある。
て被洗浄物への衝撃度が軽減されるので、被洗浄物が傷
つくことがないという効果もある。
を一定値に保持する保温機構と、溶媒気体を導出する導
管と、この導管の途中に設置されたフィルタと、導管の
他端に配置されたノズルとを具備し、被洗浄物とノズル
との間の距離を一定に保ってこのノズルから被洗浄物に
溶媒を噴射させると共に、被洗浄物とノズルとの間の距
離を制御することにより、前記被洗浄物に到達する前記
溶媒の状態を調節するようにした。粒子を効率的に除去
できる微粒子状態と、有機物の除去能力が高い液滴状態
を適宜選択することができるので、被洗浄物の汚れの程
度に応じて最適な状態を選択することができるという効
果がある。
て被洗浄物への衝撃度が軽減されるので、被洗浄物が傷
つくことがないという効果もある。
ことができるので、目の細かいフィルタを使用しても圧
損が大きくなることはない。そのため、粒径の小さい微
粒子をも除去できるため、被洗浄物を傷つけることがな
くなるという効果がある。さらに、高純度溶媒を使う必
要がないので、ランニングコストを低く押さえることが
できるという効果もある。
載の発明において、ノズルと被洗浄物をほぼ垂直に配置
し、この被洗浄物と前記ノズルとの間の距離を、
微粒子状態と、有機物の除去能力が高い液滴状態を適宜
選択することができ、被洗浄物の状態に応じて最適な洗
浄ができるという効果がある。
たは請求項3記載の発明において、容器中の溶媒気体の
圧力が一定になるように保温機構を制御するようにし
た。直接温度を制御するより簡単に制御できるという効
果がある。
いし請求項4記載の発明において、フィルタとノズルと
の間にエアオペレート弁を配置するようにした。フィル
タが大気開放されず常に高圧側に保持されるので、フィ
ルタに過大な圧力差がかかって破損するというトラブル
を防ぐことができるという効果がある。
いし請求項5記載の発明において、ノズルを2重管構造
とし、このノズルの内管から溶媒を噴射させ、前記ノズ
ルの外管からパージ用の気体を噴射させるようにした。
パージと溶媒の噴射を1つのノズルで行うことができる
ので、コンパクトに構成することができるという効果が
ある。
いし請求項6記載の発明において、被洗浄物周辺にパー
ジ用の気体を吹き付けて被洗浄物周辺をパージ用気体の
雰囲気にするパージ機構と、前記被洗浄物を加熱して結
露を防止する加熱機構を具備するようにした。結露を完
全に防ぐことができるという効果がある。
載の発明において、ノズルとパージ機構と加熱機構を一
体構成とするようにした。コンパクトに構成することが
できるという効果がある。
いし請求項8記載の発明において、被洗浄物を回転させ
るスピンドルと、このスピンドルへ前記被洗浄物をロー
ドし、またアンロードする搬送機構を具備するようにし
た。均一に洗浄でき、かつ効率化を図ることができると
いう効果がある。
発生する軟X線発生部を有し、この軟X線発生部で発生
した軟X線を被洗浄物に照射して、この被洗浄物を除電
するようにした。回転する被洗浄物でも完全に除電する
事ができるので、ごみが再付着したり、形成した素子が
静電破壊されることがなくなるという効果がある。
の状態を説明するための図である。
Claims (10)
- 【請求項1】溶媒をノズルから被洗浄物に噴射して洗浄
する洗浄方法において、ノズルと被洗浄物との間の距離
を制御することにより、前記被洗浄物に到達する前記溶
媒の状態を調節するようにしたことを特徴とする洗浄方
法。 - 【請求項2】溶媒が封入された容器と、この溶媒の温度
を一定値に保持する保温機構と、前記容器内の溶媒気体
を導出する導管と、この導管の途中に設置されたフィル
タと、前記導管の他端に配置されたノズルとを有し、被
洗浄物と前記ノズルとの間の距離を一定に保ってこのノ
ズルから前記被洗浄物に前記溶媒を噴射させると共に、
前記被洗浄物と前記ノズルとの間の距離を制御すること
により、前記被洗浄物に到達する前記溶媒の状態を調節
するようにしたことを特徴とする洗浄装置。 - 【請求項3】ノズルと被洗浄物をほぼ垂直に配置し、こ
の被洗浄物と前記ノズルとの間の距離を、 【数1】 以下に制御するようにしたことを特徴とする請求項2記
載の洗浄装置。 - 【請求項4】容器中の溶媒気体の圧力が一定になるよう
に保温機構を制御するようにしたことを特徴とする請求
項2または請求項3記載の洗浄装置。 - 【請求項5】フィルタとノズルとの間にエアオペレート
弁を配置したことを特徴とする請求項2ないし請求項4
記載の洗浄装置。 - 【請求項6】ノズルを2重管構造とし、このノズルの内
管から溶媒を噴射させ、前記ノズルの外管からパージ用
の気体を噴射させるようにしたことを特徴とする請求項
2ないし請求項5記載の洗浄装置。 - 【請求項7】被洗浄物周辺にパージ用の気体を吹き付け
て被洗浄物周辺をパージ用気体の雰囲気にするパージ機
構と、前記被洗浄物を加熱して結露を防止する加熱機構
とを具備したことを特徴とする請求項2ないし請求項6
記載の洗浄装置。 - 【請求項8】ノズルとパージ機構と加熱機構を一体構成
としたことを特徴とする請求項7記載の洗浄装置。 - 【請求項9】被洗浄物を回転させるスピンドルと、この
スピンドルへ前記被洗浄物をロードし、またアンロード
する搬送機構とを具備したことを特徴とする請求項2な
いし請求項8記載の洗浄装置。 - 【請求項10】被洗浄物に溶媒を噴射してこの被洗浄物
を洗浄する洗浄装置において、軟X線を発生する軟X線
発生部を有し、この軟X線発生部で発生した軟X線を被
洗浄物に照射して、この被洗浄物を除電するようにした
ことを特徴とする洗浄装置。
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007004919A (ja) * | 2005-06-24 | 2007-01-11 | Toshiba Corp | パターンド媒体の製造方法及び製造装置 |
JP2007012118A (ja) * | 2005-06-28 | 2007-01-18 | Toshiba Corp | ディスクリートトラック媒体用基板の製造方法およびディスクリートトラック媒体の製造方法 |
JP2015050402A (ja) * | 2013-09-04 | 2015-03-16 | 株式会社ディスコ | 洗浄手段を備えた切削装置 |
WO2020110858A1 (ja) * | 2018-11-30 | 2020-06-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板洗浄方法、処理容器洗浄方法、および基板処理装置 |
CN111254858A (zh) * | 2020-03-06 | 2020-06-09 | 西南交通大学 | 一种液态二氧化碳清洗机和清洗方法 |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4074814B2 (ja) * | 2002-01-30 | 2008-04-16 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP4118194B2 (ja) * | 2003-06-02 | 2008-07-16 | 横河電機株式会社 | 洗浄装置 |
CA2531672A1 (en) * | 2003-07-10 | 2005-01-20 | Ag Tech Aps | Jet spray tool |
CN100350559C (zh) * | 2003-08-05 | 2007-11-21 | 大日本网目版制造株式会社 | 基板处理装置及基板处理方法 |
JP2005072559A (ja) * | 2003-08-05 | 2005-03-17 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
GB2412351A (en) * | 2004-03-24 | 2005-09-28 | Esselte | A tape printer having separate tape and ink ribbon cassettes |
CA2467316A1 (en) * | 2004-05-14 | 2005-11-14 | British Columbia Hydro And Power Authority | Dry ice blasting cleaning apparatus |
US8211242B2 (en) * | 2005-02-07 | 2012-07-03 | Ebara Corporation | Substrate processing method, substrate processing apparatus, and control program |
US20060201541A1 (en) * | 2005-03-11 | 2006-09-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Cleaning-drying apparatus and cleaning-drying method |
US20060237043A1 (en) * | 2005-04-25 | 2006-10-26 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for cleaning semiconductor substrates |
US20090255555A1 (en) * | 2008-04-14 | 2009-10-15 | Blakely, Sokoloff, Taylor & Zafman | Advanced cleaning process using integrated momentum transfer and controlled cavitation |
JP6048043B2 (ja) * | 2012-09-28 | 2016-12-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板洗浄方法、基板洗浄装置及び真空処理システム |
CN105750272B (zh) * | 2016-04-20 | 2018-02-06 | 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 | 一种自动化干法清洗装置 |
CN109107997A (zh) * | 2018-09-30 | 2019-01-01 | 上海钥熠电子科技有限公司 | Oled蒸镀用挡板的干冰清洗装置及其工艺 |
CN112235927B (zh) * | 2020-09-26 | 2021-05-25 | 江苏亚电科技有限公司 | 一种晶圆去静电和清洗装置 |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2587241B1 (fr) * | 1985-05-28 | 1988-07-29 | Outillages Scient Laboratoir | Appareil de nettoyage pour composants electroniques et/ou pour pieces mecaniques de precision |
US4806171A (en) | 1987-04-22 | 1989-02-21 | The Boc Group, Inc. | Apparatus and method for removing minute particles from a substrate |
CA2026298A1 (en) * | 1989-09-27 | 1991-03-28 | Alex C. Kuo | Method and apparatus for metering and mixing non-compressible and compressible fluids |
US5062898A (en) | 1990-06-05 | 1991-11-05 | Air Products And Chemicals, Inc. | Surface cleaning using a cryogenic aerosol |
US5306350A (en) * | 1990-12-21 | 1994-04-26 | Union Carbide Chemicals & Plastics Technology Corporation | Methods for cleaning apparatus using compressed fluids |
US5315793A (en) | 1991-10-01 | 1994-05-31 | Hughes Aircraft Company | System for precision cleaning by jet spray |
JPH05134397A (ja) * | 1991-11-14 | 1993-05-28 | Nikon Corp | ガラス基板の洗浄方法、及び洗浄装置 |
US5339844A (en) * | 1992-08-10 | 1994-08-23 | Hughes Aircraft Company | Low cost equipment for cleaning using liquefiable gases |
US5372652A (en) | 1993-06-14 | 1994-12-13 | International Business Machines Corporation | Aerosol cleaning method |
US5390450A (en) * | 1993-11-08 | 1995-02-21 | Ford Motor Company | Supersonic exhaust nozzle having reduced noise levels for CO2 cleaning system |
US5598861A (en) * | 1995-03-07 | 1997-02-04 | Safety-Kleen Corp. | Parts washer with solvent flow control |
JP3504023B2 (ja) * | 1995-05-26 | 2004-03-08 | 株式会社ルネサステクノロジ | 洗浄装置および洗浄方法 |
US6239038B1 (en) * | 1995-10-13 | 2001-05-29 | Ziying Wen | Method for chemical processing semiconductor wafers |
DE19540373A1 (de) | 1995-10-30 | 1997-05-07 | Henkel Kgaa | Reinigung mit Ultraschall und dazu geeignete Reinigungsmittel |
US5847441A (en) * | 1996-05-10 | 1998-12-08 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor junction antifuse circuit |
US5942037A (en) | 1996-12-23 | 1999-08-24 | Fsi International, Inc. | Rotatable and translatable spray nozzle |
WO1999049998A1 (en) * | 1998-03-30 | 1999-10-07 | The Regents Of The University Of California | Composition and method for removing photoresist materials from electronic components |
JPH11300293A (ja) | 1998-04-23 | 1999-11-02 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 表面洗浄装置 |
JP3490627B2 (ja) * | 1999-03-25 | 2004-01-26 | 京セラミタ株式会社 | 洗浄装置 |
US6612317B2 (en) * | 2000-04-18 | 2003-09-02 | S.C. Fluids, Inc | Supercritical fluid delivery and recovery system for semiconductor wafer processing |
TW503458B (en) * | 2000-07-11 | 2002-09-21 | Tokyo Electron Ltd | Cleaning method and cleaning apparatus for substrate |
US6706641B2 (en) * | 2001-09-13 | 2004-03-16 | Micell Technologies, Inc. | Spray member and method for using the same |
-
2001
- 2001-06-25 JP JP2001191202A patent/JP4210045B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-06-19 SG SG200203708A patent/SG102055A1/en unknown
- 2002-06-20 US US10/177,789 patent/US6899110B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-06-21 KR KR1020020034989A patent/KR20030001306A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007004919A (ja) * | 2005-06-24 | 2007-01-11 | Toshiba Corp | パターンド媒体の製造方法及び製造装置 |
JP4528677B2 (ja) * | 2005-06-24 | 2010-08-18 | 株式会社東芝 | パターンド媒体の製造方法及び製造装置 |
JP2007012118A (ja) * | 2005-06-28 | 2007-01-18 | Toshiba Corp | ディスクリートトラック媒体用基板の製造方法およびディスクリートトラック媒体の製造方法 |
JP4533809B2 (ja) * | 2005-06-28 | 2010-09-01 | 株式会社東芝 | ディスクリートトラック媒体用基板の製造方法およびディスクリートトラック媒体の製造方法 |
JP2015050402A (ja) * | 2013-09-04 | 2015-03-16 | 株式会社ディスコ | 洗浄手段を備えた切削装置 |
WO2020110858A1 (ja) * | 2018-11-30 | 2020-06-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板洗浄方法、処理容器洗浄方法、および基板処理装置 |
CN113169062A (zh) * | 2018-11-30 | 2021-07-23 | 东京毅力科创株式会社 | 基板清洗方法、处理容器清洗方法及基板处理装置 |
JPWO2020110858A1 (ja) * | 2018-11-30 | 2021-10-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板洗浄方法、処理容器洗浄方法、および基板処理装置 |
US11504751B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-11-22 | Tokyo Electron Limited | Substrate cleaning method, processing container cleaning method, and substrate processing device |
JP7179083B2 (ja) | 2018-11-30 | 2022-11-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板洗浄方法、処理容器洗浄方法、および基板処理装置 |
US11865590B2 (en) | 2018-11-30 | 2024-01-09 | Tokyo Electron Limited | Substrate cleaning method, processing container cleaning method, and substrate processing device |
CN111254858A (zh) * | 2020-03-06 | 2020-06-09 | 西南交通大学 | 一种液态二氧化碳清洗机和清洗方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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