JP2002534795A - プラズマエッチング装置 - Google Patents
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Abstract
Description
DE4241045に開示された方法を使用する高速エッチングによるシリコン
ディープエッチングに適し、多種多様に公知である。前記装置は簡単にはICP
コイル(ICP = inductively coupled plasma)を有し、このコイルはプラズマ容
積の周囲に巻回されており、高周波の交流電圧が給電される。ICPコイルを流
れる高周波電流はプラズマ容積へ高周波の交番磁界を誘導し、その電気的渦野は
誘導の法則(rotE=−dB/dt)に従いさらにプラズマを励起する。使用
される高周波は600kHzから27MHzの間の値を有し、通常は13.56
MHzの周波数が使用される。
マ源が使用され、フッ素を放出するエッチングガスからフッ素基と、テフロン化
合物モノマーから送出されるパッシブガス(CF2)x基を放出させる。ここでプ
ラズマ源は、イオンエネルギーは低いが比較的イオン濃度の高い(1010〜10 12 cm-3)高密度プラズマを発生し、エッチングガスおよびパッシブガスに交互
に曝される。このイオンのエネルギーは比較的低い。形成されたイオンを基板表
面に加速するイオンエネルギーも同じように比較的低く、1〜50eV、有利に
は5〜30eVである。図2は、従来技術から公知の通常使用される、このよう
なプラズマ源のICPコイルの非対称給電を示す。このようなICPコイルは最
も簡単な場合、リアクタ周囲のただ1つの巻線からなり、これは例えば直径40
cmのセラミック材料からなるケットルの形状である。一方のコイル端部は接地
されており、他方のコイル端部には高周波の交流電圧が給電され、“ホット”と
称される。なぜならこのコイル端部では非常に高い電圧、例えば1000〜30
00Vが形成されるからである。このような高電圧は、給電される高周波高電圧
の振幅に対しては通例のものである。
部の非対称50Ω同軸ケーブル出力側のインピーダンスを非対称駆動されるIC
Pコイルのインピーダンスにマッチングするため使用される(いわゆるマッチボ
ックス、またはマッチングキャパシタンス)。コンデンサC4はICPコイルに
対して並列に接続されており、マッチングキャパシタンスと共に共振条件を形成
する。
の中にも生じる。このプラズマは平均的に、発生する容量性結合の大きさに応じ
て、アース電位より数Vから数10V上にある。したがってICPコイルの一方
のコイル端部はアース電位(0V)であり、対向する“ホット”コイル端部は数
千Vまでの高周波電圧である。このことによりとりわけ“ホット”コイル端部で
は強電界がリアクタのセラミックケットル壁を通ってプラズマに誘導される。こ
のこともまたセラミックケットル壁を通ってプラズマへの変位電流を引き起こす
。ここで既に述べた“容量性結合”を取り扱う。一方、本来のプラズマ形成は誘
導性である。すなわち時間が可変の磁界に基づくメカニズムである。
合によって電流がリアクタのセラミックケットル壁を通ってプラズマへ流れる。
この電流は、平均プラズマ電位がアース電位(アース電位には“コールド”コイ
ル端部も設定されている)の近傍で変動するため、プラズマと“コールド”コイ
ル端部との間の電位差は、変位電流がセラミックケットル壁を通ってコイルに流
れるようにし、接地されたコイル端部には流れないようにするには小さすぎる。
したがって変位電流は“ホット”コイル端部の領域からプラズマへ流れ込み、そ
してプラズマと直接接触しているアースを介してプラズマから再び流れ出なけれ
ばならない。例えば基板としてウェハを支持し、固有の高周波給電を介して、プ
ラズマに対して1〜50Vの低い負のDCバイアス電位に駆動されるものは従来
の技術ではこれまで実質的に基板電極である。したがって基板電極は前記の変位
電流を直接受け取ることがある。しかしこのことにより基板表面上へのそれぞれ
のプラズマ処理法が非均質的になり、ひいては部分的にエッチングの際に個々の
領域でのプロフィール偏差が非常に大きくなる。
位置と密度分布を歪ませる。プラズマはリアクタの中央からシフトされ、例えば
“ホット”コイル端部の方向へ移動する。ここではいわゆる“バルズアイシフト
(Bull's eye shift)”が生じる。なぜならプラズマの非均質性が基板として使
用されるウェハに眼球状に形成され、この“眼”がウェハ中央からウェハ縁部へ
シフトされる。
は、DE4241045から公知のプロセスに対して、未公開の特許願DE19
734278.7に記載されている。この特許願では、引き延ばされたイオン再
結合ゾーンを介して、アパーチャに取り付けされた金属シリンダの内壁で、基板
へのイオン流をそれぞれの基板表面上で均質にするアパーチャ構造が提案されて
いる。この均質化は、基板に達したプラズマの外側領域にイオン損失機構を組み
込み、プラズマを再びセンタリングし、電界をプラズマ源領域から基板への途中
で部分的にシールドすることにより行われる。
とは部分的に障害電界により発生する)のを低減する別の手段は、未公開の特許
願DE19736370.9に提案されている。ここではいわゆる“パラメータ
ランピング(Parameter-Ramping)”が使用される。
術では接地されたコイル端部も問題となるゾーンである。なぜならこの端部は、
形成されるプラズマへの容量性結合による最小変位電流の入力結合ないし出力結
合の箇所だからである。さらにICPコイルの所属の“コールド”給電点(これ
は“コールド”コイル端部と接続されている)の接地をこれまでは注意深く行わ
なければならない。なぜならとりわけ垂直方向に流れる電流、すなわちICPコ
イルからの電流が下方へ、接地されたケーシングまで、プラズマリアクタの作用
周辺に流れることを絶対に回避しなければならないからである。このような垂直
の電流、すなわちICPコイルにより定義されるコイル面を流れる電流に対して
平行でない電流は90゜傾いた時間可変の磁界を生じさせ、この磁界は電気的渦
野を越えた相応の電気誘導作用を備えている。そのため、プラズマの局所的障害
が甚だしくなり、この障害もまたプロフィール偏差(ポケット形成、負のエッチ
ングエッジ、マスク後縁部切断)につながる。
障害作用は、リアクタ側壁の内側にイオン打ち込みによりスパッタリングされる
ことである。すなわち室壁への強電界により加速された正の荷電イオンがスパッ
タリングされてしまう。ここではスパッタリングされた壁材料もウェハないしは
基板に到達することができ、そこで微細マスクとして作用する。このことは公知
のように、シリコンニードル、微細な粗、またはシリコン粒子を形成する原因と
なる。リアクタ側壁のスパッタ崩壊は印加される高周波電圧の電位関数によりス
ケーリングされるから、ICPコイルに印加される高周波電圧をプラズマに向か
ってはできるだけ小さく維持することが最小のスパッタ率の点から所望される。
ランスを使用し、このトランスの一次側に高周波交流電圧を、高周波給電部を介
して供給し、このトランスは接地された中間タップを備えた二次コイルを有する
。これによりトランスは、プラズマ加工装置のICPコイルの両端部に少なくと
もほぼ同じ振幅の高周波逆相高電圧を供給することができる。このようなトラン
スは通常、フェライトコア材料に巻回されたリッツワイヤからなるコイル巻線に
よって構成される。ここでフェライトコアとして鉢形コアまたはリングコアが使
用される。しかしこの種のトランスは大きな欠点を有している。すなわち、コア
材料の磁化損失が例えば13.56MHzの周波数で発生し、この損失は10〜
20%の大きさとなるのである。このことにより、ICPプラズマ加工装置では
通常である500Wから3000Wまでの高周波電力が使用されると、甚だしい
熱的問題が生じる。さらにコア材料による周波数依存性のエネルギー吸収の結果
、トランスには位相エラーも発生する。この位相エラーは、逆相入力結合に対し
て必要な、入力結合すべき2つの高電圧の180゜位相に、対称性出力側におい
て部分的に大きな障害を与える。さらにこの種のトランスは、プラズマに入力結
合される使用可能な高周波電力を不所望に制限する。
のコイル端部に対称性コイル給電部を介して、同じ周波数の高周波電圧を供給す
ることができるという利点を有する。ここでICPコイルの対称給電は、相互に
逆相の2つの高周波交流電圧により第1のコイル端部と第2のコイル端部でλ/
2遅延線路(いわゆるケーブルBALUM)を用いて行われる。この遅延線路は
第1の給電点と第2の給電点との間に設けられており、これらを接続する。λ/
2遅延線路は、電圧および電力に依存しないで、第1の給電点に入力結合される
電圧U(t)を180゜位相シフトさせ、ひいては−U(t)を第2の給電点に
入力結合する。したがって大きな技術的コストなしに、また付加的にコストの掛
かる構成部材なしで、高周波給電により準備される1つの電圧から、周波数が等
しく、振幅も少なくともほぼ等しい相互に逆相の2つの高周波交流電圧が発生さ
れる。これによりとりわけ誘導性プラズマ源に対して、特に簡単で損失が少なく
、高周波電力(数kW)に適したプラズマ加工方法ないしプラズマエッチング方
法が可能となる。
となる。すなわち、2つのコイル端部が理想的には等しい振幅を有する交流電圧
を導き、この交流電圧は両方のコイル端部で正確に逆相に発生する。第1のコイ
ル端部に電圧U(t)が印加されれば、第2のコイル端部には相応して電圧−U
(t)が印加され、それらの振幅は従来技術の非対称給電に対して半分の大きさ
である。なぜならアースに対するの元の交流電圧2*U(t)が、アースに対し
てU(t)と−U(t)とに分割されるからである。両方のコイル端部における
この電圧振幅の半分化によって、障害となるリアクタ内壁の壁スパッタ率が有利
には格段に低減する。
のイオンは通常、強電界によりリアクタ壁に向かって加速され、そこで反射され
、形成されるプラズマに再び戻り、そこで処理される基板上で多数の障害作用の
原因となる。これは例えばエッチングされるウェハ上の酸化層のプロフィール障
害また損傷である。同時に有利には、形成されるプラズマ中の高エネルギー電子
の割合も減少する。なぜなら、形成されるプラズマへの容量性電流結合が対称コ
イル給電により格段に(少なくとも係数2だけ)低減され、これにより電子ガス
が無視できない程度に加熱されることがなくなるからである。したがって形成さ
れるプラズマは有利には比較的に冷たくなる。高エネルギーの電子はプラズマプ
ロセスに対しては一般的に不所望のものである。なぜならこれが不必要に高周波
電力を吸収するからである。
は有利には均等化され、このことによりいわゆる“ブルズアイシフト”が発生し
なくなる。
格段に小さくなり、同じように逆相で等しいので、すなわちコイル端部間で均等
化されるので、非常に有利にはこの電流が、プラズマと直接接触するアース、例
えば基板電極および加工される基板を介して流れなくなる。
には、いずれかの時点でそれぞれ他方のコイル端部の負の電圧値が印加されるか
ら、一方のコイル端部から誘電体としてのセラミックリアクタ壁を介して、形成
されるプラズマに誘導される変位電流を、他方のコイル端部により同じように誘
電体としてのセラミックリアクタ壁を介して吸収することができる。これにより
アース電位を介した電荷調整、すなわち例えば基板表面を介した電荷調整を行う
必要がない。これにより基板表面上でのエッチング速度およびプロフィールの均
質性が改善され、プロフィール偏差の発生が減少する。
の電気的入力結合が格段に減少し、残りの入力結合もその対称性のため均等化さ
れるからである。さらにプラズマ対称性も有利に増大する。なぜなら、プラズマ
を歪ませる容量性入力結合が減少することにより、ないしはそれらの均等化によ
り、比較的に冷たい、理想的には回転対称のプラズマが、プラズマ中の個々の点
での目立った電位差なしで得られるからである。
ICPコイルの作用周囲で、ICPコイルにより定義されるコイル面に対して平
行に案内すると有利である。ここで周囲とは、リアクタおよびICPコイルの周
りの領域と理解されたい。この領域では、導体を流れる電流と形成されるプラズ
マとの間の電磁的交互作用を介して重大な障害的影響が発生する。したがって有
利には平行に導かれた集中的電流だけが、形成されるプラズマの近傍で流れるよ
うにする。この電流はプラズマへ障害的磁界を誘導せず、したがって障害程度が
比較的小さく、比較的冷えている。その結果、高エネルギーのイオンまたは電子
により生じ得る基板損傷も格段に減少する。同時にプラズマ電位も低下し、アー
ス電位に接近する。
には対称の容量性電源と組み合わせ、形成される誘導性プラズマへのインピーダ
ンスマッチングに使用することによって、非常に有利にはICPコイルをほとん
ど損失なしで対称給電することができるようになる。両方のコイル端部において
給電電圧の振幅を低減することと組み合わせることにより本発明のICPコイル
の対称給電は、誘導性プラズマ源として形成されるプラズマへの非常に大きな給
電電力を達成することができ、この電力は数kWの領域まで達する。さらにプラ
ズマ加工装置の電力パラメータのハイスケーリングが達成され、このことは最終
的にエッチング速度の上昇につながる。
“ホット”であるから、2つの“ホット”コイル端部を、セラミックケットルへ
の間隔を拡大して配置すると有利である。このセラミックケットルは、形成され
る高密度のプラズマをリアクタの形態で取り囲む。このことは最も簡単には、プ
ラズマを形成するICPコイルがリアクタケットルを外側で領域的に少なくとも
ほぼ取り囲み、このICPコイルがリアクタ外径よりやや大きな直径を有し、さ
らに、2つのコイル端部に対向する側のICPコイルがリアクタケットルのセラ
ミックにちょうど接触するようにICPコイルをリアクタの周囲に位置決めする
ことにより達成される。したがってリアクタケットル円は、これを取り囲む比較
的大きなコイル円に、コイル端部の反対側のコイル側で接触する。このようにし
て有利にはICPコイルと、リアクタの内側に形成されるプラズマとの間隔が電
位の上昇と共に増大する。ここで2つのコイル端部は電位の最も高い箇所として
リアクタへの最大間隔部を有する。これは約1〜2cmで十分である。この場合
も、電流を導く全ての導体がリアクタの周囲で、ICPコイルにより定義される
コイル面で平行に延在し、これにより障害となる高周波磁界をプラズマから遠ざ
けることが重要である。
に提案されたアパーチャ構造と組合せると有利である。このアパーチャ構造はI
CPコイルの高周波磁界を基板の箇所でさらに低減し、プラズマ密度分布を均一
化する。
リアクタ側壁に嵌め込み、この間隔部材によりプラズマ源と基板電極との間で高
周波磁界の影響を低減することができる。この影響は、形成される高密度プラズ
マの領域またはICPコイルの領域から基板、またはそこに配置されたシリコン
ウェハへ及ぼされるものである。この間隔部材は、前記のアパーチャ構造に付加
的にまたは択一的に使用することができる。間隔部材は有利には約10〜30c
mの高さを有し、有利にはアルミニウムまたはプラズマプロセスに対して耐久性
のある他の金属からなる。間隔部材を使用することにより、プラズマ源、すなわ
ち高密度のプラズマが誘導性結合により形成される箇所と、基板を支持する基板
電極との間隔が増大し、ひいては磁界および電界の影響が間隔rの関数として少
なくとも1/rに減少する。
はkW領域の非常に大きなソース電力をほぼ無損失で駆動することができる。エ
ネルギー吸収性の要素がないから、コイル端子間の所要の位相関係は供給される
電力に依存しないで完全に維持され、要素を冷却するための特別手段も必要ない
。これにより本発明のプラズマ加工装置の優れた再現性と信頼性が得られる。と
りわけ高電圧振幅を両方のコイル端部で半分にすることにより、出力パラメータ
のハイスケーリングによるさらに高いプラズマ出力に対するさらなる自由空間が
創り出される。これによりシリコンでの最高のエッチング速度が達成される。
ッタリング、スパッタリングされた粒子による微細マスク、高エネルギーイオン
の形成、またはプラズマ中の高温電子、不所望のエネルギー消失、変位電流の容
量性入力結合、電界によるプラズマの歪み、プラズマ分布の変位、プラズマ電位
の上昇と歪み、形成されるプラズマ内の不均質、および基板と基板電極を介して
アースへ流れる平衡電流が格段に低減する。
本図であり、このプラズマ加工装置はリアクタ2,例えば反応ガスまたはエッチ
ングガスを供給するための供給パイプ3,制御弁5を備えた排気パイプ4,IC
Pコイル6を有している。制御弁5を介してリアクタ2には所望のプロセス圧を
調整することができる。ICPコイルは巻線を備えたコイルとして構成されてお
り、リアクタ2を上部で部分的に少なくともほぼ取り囲む。リアクタ2はICP
コイル6の領域ではほぼセラミック材料からなり、典型的には直径40cm、高
さ20cmに構成されており、さらにリアクタ側壁7を有する。リアクタ側壁に
は、セラミックケットルの下方で金属間隔部材11が周回するリングの形態で嵌
め込まれている。間隔部材11は約10cm〜30cmの高さを有し、例えばア
ルミニウムからなる。リアクタ2内には上部にICPコイル6によって、それ自
体公知のように誘導性に結合された高密度のプラズマ8が形成される。このプラ
ズマ形成は、リアクタ2にICPコイル6を介して高周波の交番磁界を発生し、
この交番磁界が反応ガスに作用し、リアクタ2内に誘導性に結合されたプラズマ
源18として高密度のプラズマ8を反応性粒子とイオンから形成することにより
行われる。
例えばプラズマエッチングにより処理すべきシリコンウェハである。基板9は基
板電極10の上に配置されており、側方からそれ自体公知の吸収部材17によ取
り囲まれている。吸収部材は熱的に良好に基板電極に結合され、プラズマ8から
発生した過剰の反応性粒子を消費する。エッチングガス構成成分としてのフッ素
粒子に対する吸収材料として、例えばシリコンまたはグラファイトが適する。し
かし吸収部材17は択一的実施例では省略することができる。または水晶カバー
またはセラミックカバーにより置換することができる。基板電極10はさらにそ
れ自体公知のように高周波電圧源12と接続されている。プラズマ密度とイオン
流密度を均質化するために、高密度プラズマ8と基板9との間にアパーチャ13
が嵌め込まれる。このアパーチャはホール絞り14を有し、例えば15mm厚の
アルミニウムから作製される。ホール絞り14の開口部15の直径は、基板電極
10上にある加工すべきウェハの直径よりも大きい。さらにホール絞り14の上
方には円筒状のシールド16が配置されており、このシールドはホール絞り14
の縁部に固定されている。シールドはアルミニウムからなり、10mmの壁厚と
25〜49mmの高さを有する。
めの電気回路、図1の断面ラインIIに沿ったICPコイル6の断面、およびリ
アクタ側壁を取り除いた高密度プラズマ8を示す。ここでは高周波給電部23を
介して高周波の給電高電圧が、それ自体公知で市販されている同軸ケーブルを介
してICPコイル6の“ホット”コイル端部20に供給される。同軸ケーブルの
インピーダンスは50Ωである。これによりそこには例えばアースに対して30
00Vの高周波高電圧V(t)が印加される。第2の“クール”コイル端部はア
ース22と接続されている。ICPコイル6はコイル面41を定める。高周波電
圧の“ホット”コイル端部20への供給と、“クール”コイル端部21の接地は
電気導体40を介して行われる。さらにインピーダンスマッチングのために、調
整可能な2つのコンデンサC325とC224が設けられている。別のコンデンサ
C426は、ICPコイル6と共に形成される共振回路の共振条件を定める。
CPコイル21’の対称給電が第1のコイル端部20’と第2のコイル端部21
’を介して行われる。これらのコイル端部は“ホット”コイル端部として作用す
る。高周波交流高電圧の給電は高周波給電部23を介して、第1の給電点32と
これと接続された第2の給電点31で行われる。交流高電圧は高周波給電部23
に、インピーダンスが50Ωの通常の同軸ケーブルを介して供給される。
波交流高電圧を供給する。第1の給電点32と第2の給電点31とをλ/2遅延
線路30が接続しており、この遅延線路は選択された高周波に依存し、13.5
6MHzの場合は長さ7.2mを有する。遅延線路は有利には同じようにインピ
ーダンスが50Ωの通常の同軸ケーブルからなる。この場合にケーブルでの損失
が最小となり、λ/2遅延線路30での定在波による放射が発生しない。λ/2
遅延線路の長さはλ/2*Vの選定されており、ここでVはケーブルに依存する
短縮係数であり、通常の同軸ケーブルに対しては0.65である。λは真空中を
伝播する高周波電圧の波長である。λ/2遅延線路30によって、2つの給電点
31,32にはそれぞれ周波数は同じで、振幅の絶対値もほぼ等しい高周波交流
高電圧が印加されるが、これらの交流高電圧は相互に180゜位相がずれており
、したがって逆相である。全体としてλ/2遅延線路30は、第1の給電点32
に印加される高周波高電圧の鏡像を形成し、これを第2の給電点31に供給する
。同時に遅延線路は供給される高周波電力を対称にする。高周波給電部23と給
電点31,32を介してICPコイル6の2つの端部20’、21’に供給され
る高周波の逆相高電圧U(t)と−U(t)は、例えばアースに対してそれぞれ
1500Vの振幅を有する。この振幅は、図2でのICPコイルの“ホット”端
部に印加される電圧V(t)の半分の大きさである。
第1の給電点32の高周波給電ケーブルでの電圧経過は+U(t)であり、第2
の給電点31での遅延線路の出力側では電圧経過が−U(t)である。ここで電
圧点31,32は相互に200Ωのインピーダンスを有している(非対称の入力
インピーダンス50Ωに対してインピーダンスは4倍になる)。これにより第1
のコイル端部20’には電圧U(t)が、第2のコイル端部には電圧−U(t)
が供給される。
り形成される誘導性プラズマ8との間のインピーダンスマッチングのために、さ
らに3つのコンデンサC224,C325およびC127が設けられている。これ
らのキャパシタンスはC224とC127の場合、調整可能であり、これらはいわ
ゆる“マッチボックス”を形成する。ここでICPコイル6に正確に対称給電を
行うためには、コンデンサC127とコンデンサC325のキャパシタンスが等し
いと有利である。しかしこの対称性の僅かな偏差は有害なプロセス影響もなく、
許容できる。2つのコンデンサの一方、例えばC127をいわゆる負荷キャパシ
タC2と同じように可変回転コンデンサとして構成して、インピーダンスマッチ
ングのために調整し、他方のコンデンサ、例えばC325を固定値に維持し、こ
の固定値が近似的に、適合された位置での前者のキャパシタンスとなるようにす
ることができる。
な値、および達成される対称性ないし非対称性が示されている。対称性ないし非
対称性は、C1のC3に対するキャパシタンスの比により与えられる。所要の最適
キャパシタンスを検出するために有利には反復的に実行し、まず例えばコンデン
サC325のキャパシタンスに対して妥当な固定値を選択する。これに基づきイ
ンピーダンスマッチング手続きを、“マッチボックス”内のコンデンサC127
とC224を用いて実行する。これにより給電点32と31との間の入力インピ
ーダンス200Ωが形成される誘導性プラズマ8に最適にマッチングされる。
ンピーダンスマッチングに対して重要な全体容量が2つのコンデンサの直列回路
から得られるC’=(C1 -1+C3 -1)-1。次に、固定コンデンサC3のキャパシ
タンスをキャパシタンスC3’に次式に従い新たに選択する。
変コンデンサC127を正確に同じ値に調整する。すなわちC1=C3=C’とす
る。このことを直列回路の同じ全体容量で、ひいては同じインピーダンス変換で
前と同じように実行し、とりわけ2つのコンデンサC1とC3の対称配置構成、お
よびひいては2つのコイル端部21’と20’での2つコイル電圧の対称配置構
成で実行する。ただ1回の反復によって、誘導性ソース構成の対称的適合動作に
対するコンデンサC325の最適固定値が見出される。コンデンサC224とC4
26はここでは重要でない。なぜならこれらは対称性に影響を及ぼさないからで
ある。
例と同じように構成されているが、2つのコンデンサC127とC325に対して
2連回転コンデンサが使用されている。これにより両方の容量値は同時に変化す
る。この2連構成は例えば、2つの回転コンデンサC127とC325を電気的に
絶縁した機械的クラッチにより相互に連結し、これにより同時に変化させるか、
または並置して、チェーンまたはベルト駆動により同時に運動することにより実
現される。
2つの回転コンデンサ軸を機械的に相互に結合することができる。さらに2つの
自立型回転コンデンサC127とC325を使用し、これらをサーボモータを介し
て同時に制御することもできる。必要ならば、とりわけ小型で付加的なトリマコ
ンデンサを使用し、これらを固定値コンデンサとして回転コンデンサC127と
C325に並列に接続し、完全な対称調整を達成することもできる。このように
していずれの場合でも、常に対称性のコイル給電がICPコイル6で行われ、こ
れにより多種多様なプロセスに対し、常に最適の対称関係がICPコイル6と形
成されるプラズマ8とで得られる。このようにして、多数の構造化プロセスを1
つの同じ装置構成によって最適にカバーすることができる。
る理想的なキャパシタンス組合せ集合が示されている。
なわちコイル中央部42に常に0Vの電圧がかかるのである。したがってコイル
中央部42を明示的にコイルアース33によって接地することができる。このこ
とを図5を用いて、図4の発展実施例として説明する。コイル中央部42の明示
的アースは、アース電位と固定的に接続されたないICPコイル6に発生する問
題、すなわちICPコイル6に発生するいわゆる高周波同相電圧の問題を解決す
る。この高周波同相電圧はICPコイル6内を駆動される高周波逆相電圧の電流
に重畳され、ICPコイル6の各点において等しく、コイル回路内に電流が流れ
ないように作用する。
れる高周波高電圧間に位相差が僅かに存在すること、高密度プラズマ8からIC
Pコイル6への逆作用、並びに僅かな対称性エラーが挙げられる。同相電圧の減
衰は、高密度プラズマ8への容量性結合と、誘電性リアクトル側壁による誘導性
の変位電流によってのみ行われる。したがってICPコイル8は部分的に、容量
性結合されるサイドプラズマを駆動する電極のように作用し、ちょうどアノード
とプラズマとの間に誘電体を有する公知の三極管装置のように作用する。プラズ
マ8中の前記の誘導性変位電流は、誘導性の高密度プラズマ8を駆動するコイル
電流に対して比較的に小さい。相応してこのことにより付加的にプラズマ8に入
力結合されるエネルギー量は差し当たり小さい。それにもかかわらず、この同相
電圧はプラズマ特性を、とりわけICPコイル6に非常に大きな高周波電力(6
00W以上)が存在する場合、有意に悪化させる。コイルアース33をコイル中
央部42に設けることによって、ICPコイル6でのいわゆる同相電圧が効果的
に抑圧され、とりわけ大きな高周波電力でのプラズマエッチングプロセスにおい
てプロフィール精度およびエッチング速度均一性が改善される。
Claims (15)
- 【請求項1】 基板(9)を高密度プラズマ(8)を用いてリアクタ(2)
内でICPコイル(6)を使用してエッチングするプラズマ加工装置であって、 前記ICPコイル(6)は第1のコイル端部(20,20’)と第2のコイル
端部(21,21’)とを有し、 当該コイル端部はそれぞれ所属の第1の給電点(32)と、所属の第2の給電
点(31)を介して高周波給電部(23)と接続されており、 該高周波給電部(23)には給電点(31,32)を介してそれぞれ周波数の
等しい高周波交流電圧が印加される形式のプラズマ加工装置において、 第1の給電点(32)と第2の給電点(31)はλ/2遅延線路(30)によ
り相互に接続されており、 これにより両方のコイル端部(20,20’、21,21’)に印加される高
周波交流電圧は少なくともほぼ相互に逆相である、 ことを特徴とするプラズマ加工装置。 - 【請求項2】 2つのコイル端部(20,20’、21,21’)に印加さ
れる2つの交流電圧は少なくともほぼ同じ振幅を有する、請求項1記載のプラズ
マ加工装置。 - 【請求項3】 ICPコイル(6)はただ1つの巻線だけを有する、請求項
1記載のプラズマ加工装置。 - 【請求項4】 ICPコイル(6)はリアクタ(2)を領域的に少なくとも
ほぼ取り囲む、請求項1記載のプラズマ加工装置。 - 【請求項5】 リアクタ(2)内には、高密度プラズマ(8)の形成箇所と
してのプラズマ源(18)と基板(9)との間にアパーチャ(13)が設けられ
ている、請求項1記載のプラズマ加工装置。 - 【請求項6】 基板(9)は基板電極(10)上に配置されており、 該基板電極は高周波電圧源(12)と接続されている、請求項1記載のプラズ
マ加工装置。 - 【請求項7】 高周波交流電圧が第1のコイル端部(20,20’)と第2
のコイル端部(21,21’)に電気導体(40)を介して印加され、 該電気導体は、ICPコイル(6)により形成されるコイル面(41)に対し
て平行に案内されている、請求項1記載のプラズマ加工装置。 - 【請求項8】 ICPコイル(6)および/またはリアクタ(2)の周囲に
発生する電流は、これがICPコイル(6)により形成されるコイル面(41)
に対して平行に延在するように案内される、請求項1記載のプラズマ加工装置。 - 【請求項9】 2つの給電点(30,31)と、これらに接続された2つの
コイル端部(20’、21’)との間に、インピーダンスマッチングのための電
気回路が設けられている、請求項1記載のプラズマ加工装置。 - 【請求項10】 前記電気回路は、コンデンサ(24,25,26,27)
を有する容量性電源網である、請求項9記載のプラズマ加工装置。 - 【請求項11】 容量性電源網は少なくともほぼ対称であり、とりわけ調整
可能である、請求項10記載のプラズマ加工装置。 - 【請求項12】 ICPコイル(6)のコイル中央部(42)は接地されて
いる、請求項1記載のプラズマ加工装置。 - 【請求項13】 ICPコイル(6)は、とりわけ円形のセラミックケット
ルとして構成されたリアクタ(2)を次のように取り囲む、すなわちコイル端部
(20,20’、21,21’)がリアクタ(2)に対して最大間隔を有するよ
うに取り囲む、請求項1または4記載のプラズマ加工装置。 - 【請求項14】 基板(9)および/またはICPコイル(6)は、基板(
9)とICPコイル(6)との間隔がコイル面(41)に対して垂直で最大であ
るように配置されている、請求項1記載のプラズマ加工装置。 - 【請求項15】 リアクタ(2)に形成される、プラズマ源(18)として
の高密度プラズマ(8)と基板(9)との間で、リアクタ側壁(7)には周回す
る金属間隔部材(11)が嵌め込まれている、請求項1記載のプラズマ加工装置
。
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