DE10023946A1 - Vorrichtung zum anisotropen Plasmaätzen - Google Patents

Abstract

Es wird eine Vorrichtung zum anisotropen Ätzen eines Substrates (9) mittels eines Plasmas (8) vorgeschlagen. Dazu wird mit einer Plasmaquelle (6) zum Generieren eines hochfrequenten elektromagnetischen Wechselfeldes in einem Reaktor (2) ein Plasma (8) aus reaktiven Teilchen generiert, indem das hochfrequente elektromagnetische Wechselfeld auf ein Reaktivgas oder ein Reaktivgasgemisch einwirkt. Weiter ist eine Substratelektrode (10) zum Beschleunigen eines im Plasma (8) enthaltenen Ionenstroms in Richtung auf das Substrat (9) vorgesehen, wobei zwischen der Plasmaquelle (6) und dem Substrat (9) eine als Lochblende ausgebildete Apertur (14) angeordnet ist. Diese Apertur (14) weist eine Mehrzahl von Öffnungen (30, 30', 30'', 31, 31', 32, 32', 32'', 33, 33') auf, die derart angeordnet sind, dass die Ionen aus dem Plasma (8) auf der gesamten, dem Ionenstrom ausgesetzten Oberfläche des Substrates (9) zumindest nahezu senkrecht auftreffen.

Description

Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum anisotropen Ät­ zen eines Substrates mittels eines Plasmas nach der Gattung des Hauptanspruches.

Stand der Technik

Aus dem Patent DE 197 34 278 C1 ist eine Vorrichtung zum anisotropen Ätzen eines Substrates mittels eines Plasmas be­ kannt, wobei mittels einer induktiven Plasmaquelle ein hoch­ frequentes elektromagnetisches Wechselfeld generiert und ein Reaktivgas oder Reaktivgasgemisch zur Erzeugung des Plasmas diesem Wechselfeld ausgesetzt wird. Weiter ist dort vorgese­ hen, die erzeugten elektrisch geladenen Teilchen in dem Plasma in Richtung auf das Substrat zu beschleunigen, wobei zwischen der Plasmaquelle und dem Substrat eine Apertur ein­ gesetzt ist. Durch diese Apertur in Form einer bevorzugt me­ tallischen Blende in Verbindung mit einem aufgesetzten Zy­ linder wird insbesondere in Kombination mit einer Plas­ maquelle nach Art der DE 199 00 179 Cl eine deutliche Ver­ besserung der Uniformität der erzielten Ätzraten über der Oberfläche des geätzten Substrates erreicht. Weiter führt der Einsatz dieser Apertur mit einem zusätzlichen zylindri­ schen Aufsatz zur Minimierung einer Seitenwandhinterschnei­ dung und Ätzprofilverwölbung über der Oberfläche des geätzten Substrates, was in diesem Zusammenhang als sogenannter "Beaking"-Effekt bekannt ist. Insofern wird durch die in DE 197 34 278 C1 vorgeschlagene Apertur neben einer Uniformi­ tätsverbesserung auch eine signifikante Verbesserung der Profilformen und der Profilhinterschneidungen gerade im Sub­ stratrandbereich erreicht.

Andererseits gelingt es trotz der durch die Apertur gemäß DE 197 34 278 C1 bereits erreichten deutlichen Verbesserungen vielfach nicht, den "Beaking"-Effekt auf der gesamten Ober­ fläche des zu ätzenden Wafers vollständig zu unterdrücken, d. h. es werden trotz dieser Apertur immer noch geringe, je­ doch störende Profilabweichungen im Waferrandbereich beob­ achtet. Zudem tritt durch die ringförmige Austrittsöffnung in der dort eingesetzten Apertur eine Plasmaexpansion zum Substrat hin auf, die zu einer elektrischen Linsenwirkung im Plasma und zu einem nach außen, d. h. von der Wafermitte weg gerichteten Schrägeinfall von Ionen auf die Waferoberfläche führt. Infolgedessen sind die Seitenwände geätzter Struktu­ ren teilweise unsymmetrisch hinterschnitten und leicht zur Wafermitte hin verkippt, d. h. eine Profilseitenwand, die zur Wafermitte hinblickt weist eine stärkere Profilschräge oder Hinterschneidung auf als eine Profilseitenwand, die von der Wafermitte wegblickt.

Obwohl es sich dabei um verhältnismäßig geringe Störeffekte handelt, führen diese beispielsweise bei Drehratensensoren zu einer Verstärkung einer parasitären Modenkopplung von der sogenannten Grundschwingungsmode in die sogenannte Detekti­ onsschwingungsmode, was als Quadratureffekt bezeichnet wird. Dabei hat sich gezeigt, dass bereits sehr kleine Profilasym­ metrien genügen, um sehr große Quadraturwerte zu verursa­ chen, was die Funktionstüchtigkeit derartiger Sensoren er­ heblich beeinträchtigt.

Aufgabe der vorliegenden Erfindung war die aus DE 197 34 278 C1 bekannte Aperturkonstruktion derart zu verbessern, dass bei Beibehaltung oder weiterer Verbesserung der Uniformität der Ätzraten über der gesamten Waferoberfläche der sogenann­ te "Beaking"-Effekt und das Auftreten von Asymmetrien in den erzeugten Profilen unterdrückt oder ausgeschaltet wird. Ziel der vorliegenden Erfindung war somit insbesondere, die Schrägablenkung der Ionen beim Durchtritt durch die Aper­ turöffnung infolge der Linsenwirkung zu vermeiden, um so senkrechte Profile ohne Profilverkippung und Asymmetrien vor allem im Waferrandbereich sicherzustellen.

Vorteile der Erfindung

Die erfindungsgemäße Vorrichtung zum anisotropen Ätzen eines Substrates mittels eines Plasmas hat gegenüber dem Stand der Technik den Vorteil, dass systematische Profilabweichungen insbesondere am Rand des zu ätzenden Substrates bzw. Seiten­ wandhinterschneidungen oder Ätzprofilverwölbungen deutlich reduziert werden, so dass zumindest nahezu senkrechte Profi­ le ohne Profilverkippung und Asymmetrien über der gesamten Oberfläche des Substrates erreicht werden können. Darüber hinaus wird durch die erfindungsgemäße Vorrichtung die Uni­ formität der über die gesamte Oberfläche des zu ätzenden Substrates auftretenden Ätzraten beibehalten bzw. teilweise sogar über die gemäß der Lehre von DE 197 34 278 C1 schon erreichte Uniformität hinaus verbessert.

Dadurch, dass die eingesetzte Apertur nun eine Mehrzahl von insbesondere kreisförmigen Öffnungen aufweist, wird weiter erreicht, dass das Plasma unterhalb der Apertur nicht aus einer einzigen, sondern aus einer Vielzahl von Öffnungen in Richtung auf die Substratoberfläche austritt, wobei sich die Expansionskegel der verschiedenen Aperturöffnungen überla­ gern, so dass im Ergebnis die Linsenwirkung einer einzigen Öffnung in der Aperturblende beseitigt oder zumindest we­ sentlich abgeschwächt wird. Insgesamt werden somit der soge­ nannte "Beaking"-Effekt und das Auftreten von Profilschrägen zumindest weitgehend beseitigt. Insbesondere ist nun mög­ lich, beispielsweise in Silizium anisotrope Strukturen mit extrem hohen Ätzraten einzuätzen, ohne dass von der induktiv gekoppelten Plasmaquelle verursachte Inhomogenitäten im Plasma zu Profilausbauchungen führen.

Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den in den Unteransprüchen genannten Maßnahmen.

So ist besonders vorteilhaft, wenn die eingesetzte Apertur lateral soweit ausgedehnt ist, dass der äußere Aperturrand mit der Plasmaquelle bündig abschließt, so dass alles mit Ionen und Radikalen durchmischte Gas aus dem Volumen der Plasmaquelle durch die Apertur mit ihrer Mehrzahl von Öff­ nungen hindurch in Richtung auf das Substrat austreten muss. Dadurch wird erreicht, dass die Position der Apertur relativ zum zu ätzenden Substrat unkritisch wird, d. h., es ist nicht mehr erforderlich, die Apertur nahe am Substrat zu platzieren. Daher kann nun der Abstand der eingesetzten Apertur vom Substrat wesentlich freier gewählt werden. Dies beruht darauf, dass durch das bündige Abschließen um die Apertur herumgreifende Randströmungen des erzeugten Plasmas nicht mehr auftreten bzw. das zu ätzende Substrat erreichen.

Eine weitere vorteilhafte Weiterbildung der Erfindung sieht vor, die Anordnung der Öffnungen in der Apertur so zu wäh­ len, dass die wirksame Durchtrittsfläche vom Zentrum der Apertur nach außen hin abnimmt. Auf diese Weise werden in­ tensivere Teile des Plasmas im Außenbereich vermöge der re­ duzierten Durchtrittsflächen wirksamer vom zu ätzenden Sub­ strat abgeschirmt als die weniger intensiven Plasmaanteile im Zentrum der Apertur, die eine große effektive Durch­ trittsöffnung vorfinden.

Weiter ist vorteilhaft, dass die erfindungsgemäße Vorrich­ tung nun auch ermöglicht, auf den aus DE 197 34 278 C1 be­ kannten zylindrischen Aufsatz in Verbindung mit der Apertur zu verzichten, ohne dass daraus Inhomogenitäten des Plasmas bzw. Inhomogenitäten der Ätzrate über der gesamten Oberflä­ che des zu ätzenden Substrates resultieren. Dadurch ergeben sich Kostenersparnisse und eine Vereinfachung der Herstel­ lung der Apertur. In diesem Zusammenhang sei jedoch auch an­ gemerkt, dass der aus DE 197 34 278 Cl bekannte zylindrische Aufsatz auf der Apertur auch weiterhin eingesetzt werden kann, d. h. dieser ist damit ohne Weiteres kombinierbar.

Insgesamt lässt sich somit die Homogenisierung des Ionen­ flusses zum Substrat und die Abschwächung des Ionenflusses in den Außenbereichen vorteilhaft auch einzig durch die Geo­ metrie der Durchtrittsöffnungen oder Lochgrößen sowie der wirksamen Durchtrittsfläche bewerkstelligen.

Zeichnungen

Die Erfindung wird anhand der Zeichnungen und in der nach­ folgenden Beschreibung näher erläutert. Es zeigen Fig. 1a eine Draufsicht auf ein erstes Ausführungsbeispiel einer Apertur, Fig. 1b einen Schnitt durch Fig. 1a, Fig. 2a und Fig. 2b ein zweites Ausführungsbeispiel der Apertur, Fig. 3a und Fig. 3b ein drittes Ausführungsbei­ spiel der Apertur, Fig. 4a und Fig. 4b ein viertes Ausfüh­ rungsbeispiel, Fig. 5a und Fig. 5b ein fünftes Ausfüh­ rungsbeispiel und Fig. 6a und Fig. 6b ein sechstes Ausfüh­ rungsbeispiel der Apertur. Die Fig. 7 zeigt eine schemati­ sche Darstellung einer Plasmabearbeitungsanlage mit einer erfindungsgemäßen Apertur.

Ausführungsbeispiele

Die Erfindung geht gemäß Fig. 7 zunächst von einer Plasma - bearbeitungsanlage 1 aus, wie sie prinzipiell aus DE 19 73 4 278 C1 bereits bekannt ist. Die Plasmabearbeitungsanlage 1 weist dazu einen Reaktor 2 auf, in den über einen Zuführ­ stutzen 3 beispielsweise ein fluorlieferndes reaktives Gas bzw. eine fluorliefernde reaktive Gasmischung eingeleitet wird. Über einen Absaugstutzen 4 mit einem Regelventil 5 kann weiter der gewünschte Druck in dem Reaktor 2 einge­ stellt werden. Ferner ist eine Hochfrequenz-Plasmaquelle mit einer ICP-Spule 6 zur Generierung eines hochdichten Plasmas 8, vorzugsweise entsprechend der Lehre der DE 199 00 179 C1, vorgesehen. Die Einkopplung des durch die Spule 6 erzeugten hochfrequenten Magnetfeldes in den mit reaktivem Gas be­ schickten Reaktor 2 führt zur Zündung des Plasmas 8. Das Substrat 9, das im erläuterten Beispiel ein 6-Zoll- Siliziumwafer ist, befindet sich auf einer Substratelektrode 10, welche mit einer Hochfrequenz-Spannungsquelle 12 verbun­ den ist.

In Fig. 7 ist weiter schematisch dargestellt, dass eine Apertur 14 zwischen der induktiven Plasmaquelle und dem Sub­ strat 9 eingesetzt ist. Die Apertur 14 besteht beispielswei­ se aus 2 mm bis 15 mm dickem Aluminium. Alternativ kommt für die Apertur 14 jedoch auch ein anderes elektrisch leitfähi­ ges bzw. teilweise auch elektrisch isolierendes Material wie eine Keramik in Frage. Die Befestigung der Apertur 14 in der Plasmabearbeitungsanlage 1 erfolgt beispielsweise an einem nicht dargestellten Flanschteil. Daneben ist in Fig. 7 vor­ gesehen, dass sich oberhalb der Apertur 14 ein vertikaler Zylinder 16 befindet, der beispielsweise aus Aluminium mit einer Wandstärke von 10 mm besteht. Der zylindrische Aufsatz 16 kann dabei entweder an der Apertur 14 fixiert oder auch separat innerhalb der Plasmabearbeitungsanlage 1 befestigt sein. Auf der Substratelektrode 10 ist ferner ein Absorber 17 installiert, der thermisch gut an die Substratelektrode 10 angekoppelt ist. Das Material des Absorbers 17 ist so ge­ wählt, dass die jeweils dort auftreffenden reaktiven Teil­ chen absorbiert und damit verbraucht werden. Im vorliegenden Fall können zur Absorption von Fluorteilchen beispielsweise Silizium oder Graphit eingesetzt werden.

Hinsichtlich weiterer bekannter Details zu der Plasmabear­ beitungsanlage 1 gemäß Fig. 7 sei, abgesehen von der im Folgenden ausführlich beschriebenen Apertur 14, weiter auf DE 197 34 278 Cl verwiesen.

Die Fig. 1a zeigt als erstes Ausführungsbeispiel die Aper­ tur 14 mit einer Mehrzahl von Öffnungen 30 in Form von kreisrunden Löchern mit einem Durchmesser von jeweils ca. 3 cm bis 4 cm. Im Einzelnen ist gemäß Fig. 1a vorgese­ hen, dass sich eine Öffnung 30 im Bereich des Mittelpunktes der Apertur 14 befindet, während die übrigen vier Öffnungen 30 konzentrisch und symmetrisch um diesen Mittelpunkt ange­ bracht sind. Der Abstand der vier äußeren Öffnungen 30 von dem Mittelpunkt der Apertur 14 beträgt beispielsweise 4 cm bis 6 cm. Weiter besteht die Apertur 14 gemäß Fig. 1a aus Aluminium mit einer Dicke von typischerweise 2 mm bis 20 mm, vorzugsweise 5 mm bis 10 mm. Fig. 1b zeigt einen Schnitt durch Fig. 1a, wobei zusätzlich der zylindrische Aufsatz 16 erkennbar ist, der sich auf der dem Plasma 8 zugewandten Seite der Apertur 14 befindet. Dieser zylindrische Aufsatz 16 ist im erläuterten Beispiel ebenfalls als Aluminium ge­ fertigt und mit der Apertur 14 verbunden. Er hat, angepasst an einen Durchmesser des Substrates 9 von ca. 150 mm, einen Durchmesser von typischerweise 16 cm bei einer Wandstärke von 5 mm bis 20 mm. Die Höhe des zylindrischen Aufsatzes 16 beträgt weiterhin 20 mm bis 80 mm.

Die Fig. 2a erläutert ein zweites Ausführungsbeispiel der Apertur 14, wobei abweichend von den Fig. 1a bzw. 1b nun­ mehr auf den zylindrischen Aufsatz 16 verzichtet wird. Wei­ ter sind in Fig. 2a die Öffnungen 30 nun stärker im Bereich des Zentrums der Apertur 14 konzentriert, wobei deren Durch­ messer beispielsweise 2 cm bis 4 cm beträgt. Die Fig. 2b zeigt einen Schnitt durch Fig. 2a.

Die Fig. 3a zeigt ein drittes Ausführungsbeispiel der Er­ findung, wobei sich nunmehr im Zentrum der Apertur 14 eine Öffnung 30 " befindet, die einen Durchmesser von 2 cm bis 3 cm aufweist. Um diese Öffnung 30 " herum sind in radial symmetrischer Anordnung vier Öffnungen 30' mit einem Durch­ messer von jeweils 4 cm bis 5 cm gruppiert. Eine besonders bevorzugte Ausführung der Erfindung sieht weiter vor, dass abweichend von Fig. 3a auf die Öffnung 30 " im Zentrum der Apertur 14 verzichtet wird, so dass lediglich vier radial symmetrisch um den Mittelpunkt der Apertur 14 angeordnete Öffnungen 30' vorhanden sind. In diesem Fall haben die Öff­ nungen 30' einen Durchmesser von typischerweise 4 cm bis 5 cm und befinden sich in einem Abstand ihres Mittelpunktes von dem Mittelpunkt der Apertur 14 von typischerweise 4 cm bis 6 cm bei einem Durchmesser des Substrates 9 von ca. 150 mm.

Die Fig. 4a bzw. 4b zeigen ein weiteres Ausführungsbei­ spiel, wobei abweichend von Fig. 2a bzw. Fig. 2b nunmehr eine kreisförmige Öffnung 31 im Zentrum der Apertur 14 vor­ gesehen ist, die beispielsweise einen Durchmesser von 6 cm bis 8 cm hat. Um diese Öffnung 31 sind insgesamt 8 kreisför­ mige Öffnungen 31' konzentrisch und symmetrisch angeordnet. Die Öffnungen 31' haben einen typischen Durchmesser von 2 cm bis 4 cm.

Als besonders vorteilhaft hat sich dabei herausgestellt, wenn sich die Abnahme der wirksamen Durchtrittsfläche der Summe der Öffnungen 31' im Vergleich zu der wirksamen Durch­ trittsfläche der Öffnung 31 von der Mitte der Apertur 14 zum Rand ungefähr proportional zu α/r verhält, wobei r der Ab­ stand des Mittelpunktes der Öffnungen vom Aperturzentrum und α eine empirisch zu ermittelte Proportionalitätskonstante ist, die von der Geometrie der Plasmaquelle abhängt.

Die Fig. 5a und 5b zeigen eine Apertur 14, bei der um ei­ ne zentrale kreisförmige Öffnung 32 mit einem Durchmesser von ca. 3 cm eine Anordnung von ringförmigen Schlitzen plat­ ziert ist, wobei die Ringstruktur durch sogenannte Halteste­ ge unterbrochen wird. Auf diese Weise entstehen Schlitze 32', 32 " bzw. Ringsegmente, die konzentrisch um den Mittel­ punkt der Apertur 14 angeordnet sind. Weiter ist hier eben­ falls vorgesehen, dass die wirksame Oberfläche innerhalb ei­ nes Ringes bevorzugt wie α/r von innen nach außen abnimmt. Die Breite der Schlitze 32', 32 " gemäß Fig. 5a bzw. 5b be­ trägt beispielsweise 2 cm, wobei die Abnahme der wirksamen Durchtrittsfläche in diesem Fall durch die Segmentierung der Ringstrukturen, d. h. die von innen nach außen abnehmende Größe der Haltestege erreicht wird.

Die Fig. 6a bzw. 6b erläutern ein weiteres Ausführungs­ beispiel, wobei nunmehr vorgesehen ist, neben einer zentra­ len, kreisförmigen Öffnung 32 im Zentrum der Apertur 14 mit einem Durchmesser von typischerweise 5 cm weitere ringförmi­ ge Öffnungen 33 bzw. 33' in Form von Ringsegmenten vorzuse­ hen, die konzentrisch um den Mittelpunkt der Apertur 14 an­ geordnet sind. Auch hier sind Haltestege im Bereich der Ringstrukturen erforderlich, damit die inneren Teile der Apertur am äußeren Teil befestigt bleiben und nicht nach un­ ten durchfallen. In diesem Fall wird die Abnahme der effektiven Durchtrittsfläche weiter durch eine von innen nach au­ ßen abnehmende Breite der Öffnungen 33, 33' gewährleistet.

Im Übrigen sei betont, dass die gemäß den Fig. 1 bis 6 erläuterten Ausführungsbeispiele für die Apertur 14 auch miteinander kombiniert werden können, indem beispielsweise von innen nach außen abwechselnd Ringstrukturen und Loch­ strukturen vorgesehen sind.

Die Gegenwart von insbesondere kreisförmigen Lochstrukturen in der Apertur hat den Vorzug, dass damit eine besonders wirksame Vermeidung des Aufbaus einer Linsenwirkung durch die Apertur 14 im Plasma erreicht wird, da die Plasmaexpan­ sionskegel unterhalb von kreisförmigen Öffnungen dem Aufbau einer elektrischen Linsenwirkung im Plasma unterhalb der Apertur 14 mit den erläuterten schädlichen Effekten beson­ ders effektiv entgegen wirken.

Im Übrigen ist es nunmehr auch möglich, denjenigen Apertur­ bereich, der mit Öffnungen versehen ist, auf einen inneren Bereich mit beispielsweise 7 cm bis 10 cm Durchmesser zu be­ grenzen. Der Durchtrittsbereich bzw. der Bereich der Apertur 14, der Öffnungen aufweist, darf also nun, abweichend von der Lehre von DE 197 34 278 C1, auch einen kleineren Aus­ trittsdurchmesser als der Durchmesser des Substrates 9 auf­ weisen, ohne dass Profilschrägen im Randbereich aufgrund von Linseneffekten im Plasma auftreten.

Claims (8)

1. Vorrichtung zum anisotropen Ätzen eines Substrates mittels eines Plasmas, mit einer Plasmaquelle zum Generieren eines hochfrequenten elektromagnetischen Wechselfeldes, ei­ nem Reaktor zum Erzeugen eines Plasmas aus reaktiven Teil­ chen durch Einwirken des hochfrequenten elektromagnetischen Wechselfeldes auf ein Reaktivgas oder ein Reaktivgasgemisch und einer Substratelektrode zum Beschleunigen eines im Plas­ ma enthaltenen Ionenstromes in Richtung auf das Substrat, wobei zwischen Plasmaquelle und Substrat eine als Lochblende ausgebildete Apertur angeordnet ist, dadurch gekennzeichnet, dass die Apertur (14) eine Mehrzahl von Öffnungen (30, 30', 30", 31, 31', 32, 32', 32", 33, 33') aufweist, die derart angeordnet sind, dass die Ionen aus dem Plasma (8) auf der dem Ionenstrom ausgesetzten Oberfläche des Substrates (9) zumindest nahezu senkrecht auftreffen.

2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Apertur (14) mindestens eine wirksame Oberfläche zur Elektronen-/Ionen-Rekombination zugeordnet ist, wobei die wirksame Oberfläche als etwa zylindrischer Aufsatz (16) auf der Apertur (14) ausgebildet ist.

3. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekenn­ zeichnet, dass die insbesondere kreisförmige Apertur (14) eine Mehrzahl kreisrunder Öffnungen (30, 30', 30 ", 31, 31', 32) aufweist, die insbesondere symmetrisch um einen Mittel­ punkt der Apertur (14) angeordnet sind.

4. Vorrichtung nach mindestens einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Mittelpunkt der Apertur (14) von einer kreisrunden Öffnung (30, 30 ", 31, 32) eingenommen wird.

5. Vorrichtung nach mindestens einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Berandung der Apertur (14) derart mit dem Reaktor (2) bündig abschließt, dass das mit Ionen und/oder Radikalen durchmischte Reaktiv­ gas aus dem Bereich der Plasmaquelle (6, 8) zumindest nähe­ rungsweise ausschließlich durch die Apertur (14) in Richtung auf das Substrat (9) austreten kann.

6. Vorrichtung nach mindestens einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Öffnungen (30, 30', 30 ", 31, 31', 32, 32', 32 ", 33, 33') in der insbeson­ dere kreisförmigen Apertur (14) derart angeordnet sind, dass die von den Öffnungen (31, 31', 32, 32', 32 ", 33, 33') ein­ genommene wirksame Durchtrittsfläche der Apertur (14) mit zunehmendem Abstand von dem Mittelpunkt der Apertur (14) ab­ n immt.

7. Vorrichtung nach mindestens einem der vorangehenden Ansprüche " dadurch gekennzeichnet, dass die Öffnungen (30, 30', 30", 31, 31', 32, 32', 32", 33, 33') in der Apertur zumindest teilweise die Form von Schlitzen (32', 32 ") und/oder Ringsegmenten (33, 33') aufweisen, die insbesondere konzentrisch um den Mittelpunkt der Apertur (14) angeordnet sind.

8. Vorrichtung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Ringsegmente (33, 33') oder die Schlitze (32', 32 ") mit zunehmendem Abstand von dem Mittelpunkt der Aper­ tur eine abnehmende Breite aufweisen und/oder dass die von Haltestegen zwischen den Ringsegmenten (33, 33') oder Schlitzen (32', 32 ") eingenommene Fläche mit zunehmendem Abstand von dem Mittelpunkt der Apertur zunimmt.