JP2002530894A - 光起電性セル上に金属被覆パターンを製造する方法 - Google Patents

光起電性セル上に金属被覆パターンを製造する方法

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JP2002530894A JP2000584535A JP2000584535A JP2002530894A JP 2002530894 A JP2002530894 A JP 2002530894A JP 2000584535 A JP2000584535 A JP 2000584535A JP 2000584535 A JP2000584535 A JP 2000584535A JP 2002530894 A JP2002530894 A JP 2002530894A
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ブルヘルス，アントニウス・ラードボウド
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スティックティング・エネルギーオンデルズーク・セントルム・ネーデルランド
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Abstract

(57)【要約】 光起電性エレメントの少なくとも１つの外面上で電荷キャリアを移動させるために、所定の直列抵抗を示すと共に所定の程度のカバレッジに基づいて前記少なくとも１つの表面の一部をカバーする、相互接続された電気導体のシステムのパターンに従って金属被覆を行う方法が、（ｉ）この光起電性エレメントに、金属被覆をそこに行うように適合された少なくとも１つの外面を設けるステップと、（ｉｉ）所定のパターンに基づいて、関連する表面上に金属被覆を行うステップとを含み、このエレメントの電力がこの形状の関数として最大になるように定義される形状の最適化パターンに基づいて 第２のステップ（ｉｉ）内で金属被覆が行われ、また光起電性エレメントはこの方法に基づいて行われた金属被覆を備えている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】 本発明は、光起電性エレメントの少なくとも１つの外面上で電荷キャリアを移
動させるために、相互接続された電気導体のシステムのパターンに従って、金属
被覆化を行う方法に関する。これらの導体は所定の直列抵抗を示し、少なくとも
１つの面の所定の部分をカバーする。この方法は、 （ｉ）少なくとも１つの外面がそこへの金属被覆を行うように適合された、光
起電性エレメントを提供するステップと、 （ｉｉ）関連する外面の所定のパターンに従って、金属被覆化を行うステップ
と、から成る。
【０００２】 光起電性エレメント（太陽電池）は、一般に、ｐ型の半導体材料の少なくとも
１つの層とｎ型の半導体材料の層との積重ね構造体から成り、これらの層の界面
に入る光子の影響のもとで、電荷キャリアを発生する。相互接続された導体のシ
ステムのパターンは、以後金属被覆パターンと呼ぶが、そのようなエレメントの
本質的な部分を形成する。金属被覆パターンは、このセルと電気的接触を行うた
めに、例えばスクリーンプリント技術を用いて、通常、太陽電池の前面及び背面
に利用される。利用された金属被覆パターンは、一般に、不透明であり、日光を
受ける側（さらにまた、前面側と呼ばれる）の太陽電池内に陰影損失の原因とな
る。
【０００３】 太陽電池の前面側にスクリーンプリンティングによって行われた金属被覆パタ
ーンの設計は、一般に、この金属被覆に起因する陰影損失と金属被覆パターンの
電気的直列抵抗との間の妥協の結果である。抵抗が小さければそれだけ、パター
ンの全体の表面領域及びそれにより生じる陰影損失は大きくなる。太陽電池の背
面側では、陰影損失は一般に問題にはならないが、金属被覆層で背面側を完全に
カバーすることは、太陽電池の固有な機能に対して厳密に言えば必要ではなく、
一方、そのような完全な金属被覆層の生産コストは、一般に、背面側を完全には
カバーしない金属被覆パターンのコストよりも高くなる。
【０００４】 金属被覆パターンは、一般に、フィンガと呼ばれる細いラインのウェブから成
る。光起電性エレメントの材料内の抵抗（エミッタ抵抗）から結果として生じる
損失を減らすために、これらのラインは、互いに近接して配置できるように細く
する必要がある。フィンガ自体の導電率は、一般に、大きな損失なしに光電流を
光起電性エレメントのエッジに伝導するには不十分である。フィンガ内の損失を
減少させるために、タブと呼ばれている接触ストリップは、通常、フィンガの上
に配置される。これにより、全体の伝導率が増加し、また太陽電池を別の太陽電
池に接続するのに役に立つ。
【０００５】 フィンガのウェブは、原則的には、何らかのトポロジー及び寸法を持っている
ので、一般的に最適なパターンを見つけることは特に難しい。このため、金属被
覆パターンの最適化は、一般に所定のトポロジー内のパターンのグループについ
て行われる。横方向に伸びる平行なフィンガ及びタブからアセンブルされたＨ形
の金属被覆メッシュにおいて、フィンガ距離を最適にする方法は周知である。フ
ィンガの方向は、この特定のパターンを選択すると固定され、最適な選択は行わ
れない。周知の最適化方法についての別の欠点は、その方法が特に、概ね長方形
の形状をした太陽電池に限定されていることである。
【０００６】 本発明の目的は、関連する光起電性エレメントの形状とは無関係に、抵抗損失
及び陰影損失に対して最適化された金属被覆パターンを適用する方法を提供する
ことである。
【０００７】 この目的は、プリアンブルの中で述べたタイプの方法を用いて達成され、また
他の利点が得られる。ここでは金属被覆は、本発明によれば、最適化されたパタ
ーンに従って、第２のステップ（ｉｉ）の中で適用される。このパターンの形状
は、このエレメントの電力がこの形状の関数として最大になるように定義される
。
【０００８】 本発明は、太陽電池上の相互接続された電気導体のシステムの周知の金属被覆
パターンを、少なくとも部分的に透明な金属被覆の中で表現することができると
いう、驚くべき洞察力に基づいている。この少なくとも部分的に透明な金属被覆
は、この周知の金属被覆パターン内と同じ陰影損失及び抵抗損失が発生している
この太陽電池を完全にカバーしている。
【０００９】 相互接続された電気導体のシステムを、少なくとも部分的に透明な金属被覆か
ら構成することが逆に可能であることが、ここで見出されている。この少なくと
も部分的に透明な金属被覆は、この少なくとも部分的に透明な金属被覆内と同じ
陰影損失及び抵抗損失が発生する太陽電池を完全にカバーしている。
【００１０】 本発明による方法の実施形態においては、入射光を受けるように適合された光
起電性エレメントの前面上で陰影損失及び抵抗損失を発生させる金属被覆パター
ンに適用する目的の最適化パターンは、この前面を完全にカバーすると共にカバ
ーリングの程度に応じた入射光のわずかな量が通過できる光透過金属被覆層の前
面上の位置の関数として、動作状態ではこのエレメント内で生じる陰影損失及び
抵抗損失の合計が最小になるような方法で厚さを決定すること、またこれにより
、厚さの数列を決定すること、及びこの厚さから位置の関数として、相互接続さ
れた光が透過しない電気導体のシステムのパターンの形状を得ることによって得
られる。
【００１１】 本発明による方法の別の実施形態においては、入射光を受けるように適合され
た前面の反対側にある、光起電性エレメントの背面上で抵抗損失を発生する金属
被覆パターンに適用する目的の最適化パターンは、この背面を完全にカバーする
と共にカバーリングの程度に応じた入射光のわずかな量が通過できる光透過金属
被覆層の背面上の位置の関数として、動作状態ではこのエレメント内で生じる抵
抗損失及び金属被覆用材料の量についての能率の損失で表現された尺度の合計が
最小になるような方法で厚さを決定すること、及びこの厚さから位置の関数とし
て、相互接続された光が透過しない電気導体のシステムのパターンの形状を得る
ことによって得られる。
【００１２】 本発明による方法の実施形態では、それぞれの金属被覆層の位置の関数として
の厚さは、一般に、それぞれの表面を完全にカバーする金属被覆層が等方性の導
電率を有する場合について決定される。
【００１３】 例えば、関連する太陽電池内で所定の方向に発生する電流を流すラインのパタ
ーンを用いて、金属被覆パターンを最適にするような特定の場合では、それぞれ
の金属被覆の位置の関数としての厚さは、それぞれの表面を完全にカバーする金
属被覆層が異方性の導電率を有する場合について決定される。
【００１４】 この方法の以下の実施形態では、最適化パターンは、それぞれの光が透過する
金属被覆層の厚さをそれぞれの表面上の位置の関数として、このエレメントの電
力がエレメントの表面と金属被覆との間のトランジションにおける電気抵抗の関
数としても最大になるように決定することによって得られる。
【００１５】 さらに別の実施形態では、最適化パターンは、それぞれの光が透過する金属被
覆層の厚さをそれぞれの表面上の位置の関数として、このエレメントの電力がま
た、エレメントの表面抵抗の関数として最大になるように決定することによって
得られる。
【００１６】 さらに別の以下の実施形態においては、最適化パターンは、それぞれの光が透
過する金属被覆層の厚さをそれぞれの表面上の位置の関数として、このエレメン
トの電力がまた、それぞれの金属被覆材料の関数として最大になるように決定す
ることによって得られる。
【００１７】 前面上に分布した多数のポートについての金属被覆の厚さを、この前面を完全
にカバーする金属被覆が存在する場合に、動作状態でこのエレメント内で発生す
る陰影損失及び抵抗損失の合計が最小になるように決定することは、例えば、以
下のように行われる。
【００１８】 光起電性エレメントの前面側の表面上で座標(x,y)で示されるポイントにおい
て、このエレメントが発生した最大電力における局所電流密度及び電圧を、それ
ぞれJmp及びVmpで示す場合、金属被覆層に起因する陰影損失がない場合の全発生
電力Pgは、以下の方程式で示される。
【数１】 ここで、Sはエレメントの表面である。
【００１９】 方程式（１）によって照明された最大電力は、実際は、陰影損失及び抵抗損失
が発生する結果、この値より小さい。エレメントの前面側上では、必然的に存在
する金属被覆に起因する陰影効果の結果として、電流密度は減少する。
【数２】 ここで、PS(x,y)は、次の方程式で与えられる陰影部分を示す。
【数３】 ここで、d(x,y)は、少なくとも部分的に透明な金属被覆層の位置の関数としての
厚さであり、d0は、相互接続された導体のシステム内の導体の厚さである。
【００２０】 PS(x,y)から、位置に依存する有効表面抵抗ρSm(x,y)は、次の方程式によって
決定することができる。
【数４】 ここで、ρSm,0は、金属被覆パターンを形成するラインの表面抵抗である。
【００２１】 金属被覆内の抵抗損失は、電圧分布V(x,y)についての偏微分方程式を解くこと
によって決定される。
【数５】
【００２２】 この微分方程式（５）の解から生ずる電流のパターンは、抵抗分布が最小にな
るパターンである。この微分方程式は、関連する太陽電池の外部接点用の接続ポ
イント上の電圧によって与えられる境界条件を用いて解く必要がある。
【００２３】 方程式（５）によって、太陽電池の形状、表面抵抗ρSm(x,y)及び局所電流密
度J'mp(x,y)から、金属被覆内の電圧分布V(x,y)及び電流の方向の計算を行うこ
とができる。金属被覆内で消費される電力は、次の式によって与えられる。
【数６】
【００２４】 抵抗損失も同様に、エレメントの表面（エミッタ）と金属被覆との間のトラン
ジションの中で発生する。エミッタと金属被覆との間の接触は、有効接触抵抗ρ ce によって示される。この有効接触抵抗は、関連する金属被覆のフィンガ幅及び
エミッタの下の表面抵抗に依存する。接触抵抗により消費された電力は、次の式
によって示される。
【数７】 ここで、PS(x,y)は、部分的な金属被覆の結果である接触表面の減少係数を示す
。
【００２５】 抵抗損失の別の原因は、エミッタ表面抵抗ρeによってもたらされる。幅がwの
平行フィンガの金属被覆パターンに対して消費されるユニット当たりの領域の電
力Peは、次の式によって与えられることが分かる。
【数８】
【００２６】 金属被覆パターンによってカバーされた太陽電池の表面部分では、無論、電力
は発生しない。太陽電池表面をカバーする結果として発生しない電力量は、陰影
損失Psと呼ばれて、次の式によって示される。
【数９】
【００２７】 陰影損失は、一般に、太陽電池の背面側では重要な役割を演じない。しかしな
がら、それは背面側の金属被覆層用の材料の量を制限するために重要である。最
適にすべき材料の量は、次の方程式のように、陰影損失によって示すことができ
ることが分かる。
【数１０】 ここで、Fcは効率損失に対する材料の量に関する無次元パラメータである。
【００２８】 太陽電池内で発生する電力の全損失Ptは、次の式のように、陰影損失及び発生
する抵抗損失によって表すことができる。
【数１１】
【００２９】 本発明によれば、最適な位置に依存する陰影部分Po(x,y)が決定される。発生
する接触抵抗及びエミッタ表面抵抗からそれぞれ結果として生じる損失Pc及びPe 、並びに陰影損失PSは、方程式（７）及び（８）を用いて、この陰影部分から直
接得ることができる。陰影部分から、表面抵抗ρSm(x,y)を方程式（４）を用い
て計算することができ、電流密度J'mpを方程式（２）を用いて計算することがで
きる。偏微分方程式（５）を表面抵抗ρSm(x,y)を用いて解くことができる。い
ったんこの方程式を解くと、金属被覆中の抵抗損失を決定することができる。陰
影部分PS(x,y)は、全損失Ptが最小になるように選択しなければならない。
【００３０】 最適化は以下のように実行される。Ｃ言語で書かれたメインプログラムは、フ
ォートラン言語で書かれたサブルーチンをアドレスする。このサブルーチンは、
自由に選択することができる多数のパラメータの連続し微分可能な関数の局所的
最適点を見出す。このサブルーチンは、パラメータに対して上限及び下限を有し
ている。パラメータは、以後粗目として表される、ユーザが定義する一組のポイ
ント(xi,yi)における陰影部分PS(xi,yi)である。
【００３１】 関数は、この場合、関連する粗目上の陰影部分から全損失Ptを計算する、比較
的複雑な構造をしている。任意のポイント(x,y)に対して、PS(x,y)が値PS(xi,yi )から補間法によって定義される。偏微分方程式（５）が、有限要素法（ＦＥＭ
）を用いて解かれる。
【００３２】 接触抵抗の損失（７）に対する被積分関数、エミッタ表面抵抗の損失（８）、
及び発生した電力が有限要素法の細目ネットワーク上で評価される。ここでは、
それぞれの被積分関数について、次に積分されるインターポラント（interpolan
t）が作られる。
【００３３】 一度、最適な陰影部分PS(x,y)が決定されると、等価の金属被覆パターンへ変
換を行うことができる。フィンガの向きは、電界強度
【数１２】 によって与えられる。平均陰影部分は、位置依存のフィンガ距離s(x,y)に変換す
ることができる。
【数１３】
【００３４】 スクリーンプリントされた金属被覆パターンを備えた本発明による太陽電池に
おいて、従来技術によるパターンでは約１２〜１３％に達する金属被覆損失が、
約７％に減少することが判明された。
【００３５】 実施形態に基づいてまた添付の図面を参照して、本発明を以下に説明する。
【００３６】 図１は、従来技術による正方形の結晶シリコンの太陽電池１（寸法は、12.5×
12.5 cm2）の、入射日光を受けるように適合された前面側を示している。この
太陽電池１は、周知のスクリーンプリント技術に従って適用された、平行なフィ
ンガ２のＨ形金属被覆パターン、及び接触ストリップ（タブ）３を備えている。
これらの折衝苦ストリップの導電率は、フィンガよりも高い。さらに、座標系(x
,y)が示されている。
【００３７】 図２は、本発明による正方形の結晶シリコンの太陽電池１０（寸法は、12.5×
12.5 cm2）の実施形態の、入射日光を受けるように適合された前面側を示して
いる。この太陽電池１０は、タブ３及び金属被覆メッシュ６，７を備えている。
フィンガ６の密度は、左手側の電流テークオフポイントの方向に増加する。異な
る密度の領域におけるフィンガを相互接触させるために、等価電位の経路に沿っ
て伸びる接続ストリップ７が使用される。接続ストリップ７は、太陽電池の効率
において、個々のフィンガ６の破損による悪影響が減少されるという付加的な利
点をもたらす。その理由は、破損の場合、一部のフィンガ６が常にそれぞれのタ
ブ３に接続されたままになるからである。フィンガ６は、図１に示した太陽電池
１のパターンを開始点として採用するパターンの中で適用されるが、このパター
ンに対して、本発明によれば、フィンガに起因する陰影部分についての電力損失
が最適化される。
【００３８】 図１のＨ形金属被覆パターン内のフィンガは、ｙ方向に電流を流すだけなので
、異方性の伝導率を可能にするために、方程式（５）を以下の式のように最適化
手順の中で一般化する必要がある。
【数１４】 ここで、電流密度のベクトルは次の式によって与えられる。
【数１５】
【００３９】 次に、任意方向の最良の導電率を、計算の中に、第２の混合して導かれた項
【数１６】 を含むことによってモデル化することができる。このように、異方性の導電率は
、この異方性の導電率をフィンガを有するラインの中に持ち込むことによって、
任意の方向に伸びるフィンガを有する別の金属被覆パターンの分析に使用される
。
【００４０】 タブ（y≧y0）は、表面導電率σtを有する。（y＜y0）については、導電率σx は、ｘ方向ではゼロに設定されて、
【数１７】 が適用される。
【００４１】 この場合、金属被覆パターンの導電率は、１つのパラメータだけによって、す
なわち、太陽電池が発生した電力を最適にすることによって発見される、フィン
ガ距離ｓによって決定される。
【００４２】 図３は、図２の太陽電池１０の表面より下の部分を示している。この太陽電池
は、計算する目的ではユニットセルと見なされる。この図には、計算され正規化
された電流密度のベクトル
【数１８】 、及び金属被覆ラインによるカバレッジの計算されたパーセンテージを表す等高
線５が示されている。
【００４３】 図１と、図２及び図３との間を比較すると、太陽電池１０内の最適化された金
属被覆パターンは、図１の太陽電池１内のテーパなしのフィンガを有するＨ形金
属被覆パターンとは、わずかに異なっているだけであることが分かる。最適化さ
れたセルでは、電流の方向はまた、タブ３の方向にほぼ垂直である。タブ３の抵
抗は、金属被覆の抵抗と比較すると小さいので、電流が最短ルートに沿ってタブ
３に流れる場合、金属被覆内の抵抗損失は最小になる。最適化されたユニットセ
ルでは、金属被覆は、ユニットセルのエッジの方向において、タブ３に近い領域
にわずかにシフトされる。
【００４４】 図４は、金属被覆メッシュ６，７を備えた太陽電池２０の背面側を示している
。この金属被覆メッシュは、最適化する場合、本発明に基づいて、太陽電池の背
面側全体をカバーする金属被覆メッシュから始めることによって得られる。フィ
ンガ６の密度は、左手側の電流テークオフポイントの方向に増加する。異なる密
度の領域におけるフィンガを相互接触させるために、等価電位を有する経路に沿
って伸びる接続ストリップ７が使用される。別の方法では、分岐構造を有するパ
ターンを選択することが可能である。この構造によると、フィンガ４は、最大電
流密度を有するパターンに完全に平行して伸びていない。図示したパターンは、
太陽電池の背面側の２４％の金属被覆によるカバレッジの結果として得られる。
これは、方程式（９）内の無次元パラメータについて値Fc = 0.03に相当する。
【００４５】 図５は、図４の太陽電池２０の表面より下の部分を示している。この図には、
計算され正規化された電流密度のベクトル
【数１９】 、及び金属被覆ラインによるカバレッジの計算されたパーセンテージを表す等高
線５が示されている。
【００４６】 図６は、直径が２mmの９つのホール８を有する、ＭＲＴ（「金属被覆ラップス
ルー」（metallization wrap through））タイプの、12.5×12.5 cm2の正方形の
太陽電池の、入射日光を受けるように適合された前面側を示している。ＭＲＴの
太陽電池では、前面側の陰影損失を減らすために、負及び正の接点は両方ともセ
ルの背面側に配置される。ここでは、太陽電池の表面内に導体の通し用の通路が
使用される。図示した太陽電池３０は、９つの等しい正方形の物理的ユニットの
セルに再分割することができ、それらのセルは、それぞれ、８つの数学的ユニッ
トのセルに再分割することができる。
【００４７】 図７は、金属被覆パターン１１，１２，１３，１４，１５を有する、図６のＭ
ＲＴ太陽電池３０の物理的ユニットのセルＰＱＲＳを詳細に示している。これら
の金属被覆パターンは、厚さが変化する完全金属被覆と思われた方法に基づいて
得られる。パターンの平均陰影部分又は光伝送金属被覆は、分析関数μ／ｒと、
数学的ユニットのセル９の６つのポイントに基づくインターポラント（interpol
ant）との一次結合から成る。関数μ／ｒにおいて、ｒはホール８のセンタから
ユニットセルＰＱＲＳ上のポイントまでの距離であり、μは値がフィッティング
によって決定されるスカラー量である。フィンガの幅は、ホール８からユニット
セルＰＱＲＳに向かう方向のそれぞれのブランチにおいて減少している、すなわ
ち、図示した実施例では、フィンガ１１，１２，１３のライン幅は、それぞれ、
３００，１５０及び１００μmである。
【００４８】 図８は、図６のＭＲＴ太陽電池の数学的ユニットのセル９を詳細に示している
。この図は、ホール８の周辺、ラインセグメントＱＲの中心のポイントＴ、及び
ポイントＲによって囲まれた、図９のセクタに対応している。
【００４９】 図９は、図６の太陽電池３０の数学的ユニットのセル９の表面を示している。
この図では、計算され正規化された電流密度のベクトル
【数２０】 、及び金属被覆ラインによるカバレッジの計算されたパーセンテージを表す等高
線５が示されている。フィンガは、陰影部分がホール８の近くで著しく増加して
いることを示している。ホール８から最も離れたユニットセル９の部分では、エ
ミッタ抵抗及び接触抵抗が支配的である。これは陰影部分に対して、約５％の一
定値を結果として生じている。太陽電池がより多くのホールをユニット当たりの
領域に含む場合、ライン抵抗の貢献度はそれだけ低くなる。エミッタ抵抗及び接
触抵抗から結果として生ずる損失は一定であるため、ホールの数がさらに増加す
るにつれて、それらの抵抗が支配的になるため、ユニット領域当たりのホールの
数には上限がある。表面領域が12.5×12.5 cm2の本発明の太陽電池の場合は、こ
の上限は約２５になる。
【００５０】 図１０は、ＭＲＴタイプの正方形太陽電池４０の、入射日光を受けるように適
合された前面側を示している。この太陽電池は、図６に示した太陽電池３０の別
の実施形態である。太陽電池３０では、互いの距離が異なるフィンガ１３と１５
との間の接続は、周辺方向で閉じた連続的なライン１４を用いて行われる。太陽
電池４０においては、フィンガ１３，１５は、隣接するユニットセル内の対応す
るフィンガと一致して伸びるような方法で、物理的なユニットセルに対して分岐
しており、また周辺方向で閉じているライン１４が省かれている。
【００５１】 前述した実施形態は、本発明を説明するために有用であることに注意されたい
。本発明は、原理的に、この太陽電池内の電流の方向又は金属被覆のトポロジー
を規定することを要求されないような、どのようなタイプの太陽電池上の金属被
覆パターンをも最適化することに適用することができる。本発明による方法を用
いると、例えば、入射日光の所定のレベルにおける最大効率、最大の年次エネル
ギー収量、又は金属被覆パターンのコストとそのパターンの電気抵抗との間の最
適なバランスに対して、金属被覆パターンを最適にすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 従来技術による正方形の太陽電池の平面図である。この太陽電池は、Ｈ形の金
属被覆メッシュ、平行なフィンガ及びそれらの上を横方向に伸びる２つのタブを
備えている。
【図２】 本発明による方法の第１の実施形態に基づいて、図１に示したＨ形の金属被覆
メッシュを最適化することによって得られた、金属被覆メッシュを備えた正方形
の太陽電池の平面図である。
【図３】 図２の太陽電池の表面の詳細を示す平面図である。この図では、計算され正規
化された電流密度のベクトル及び金属被覆ラインによるカバレッジの計算された
パーセンテージを表す等高線が示されている。
【図４】 本発明による方法の第２の実施形態に基づいて、太陽電池の背面側全体をカバ
ーする金属被覆メッシュを最適にすることによって得られた、金属被覆メッシュ
を備えた正方形の太陽電池の底面図である。
【図５】 図４の太陽電池の表面の底面図である。この図では、計算され正規化された電
流密度のベクトル及び金属被覆ラインによるカバレッジの計算されたパーセンテ
ージを表す等高線が示されている。
【図６】 ＭＲＴ（「金属被覆ラップスルー」（metallization wrap through））タイプ
の正方形の太陽電池の第１の実施形態を示す平面図である。この太陽電池は、図
７に示す金属被覆メッシュを備えており、本発明による方法の第３の実施形態に
基づいて、最適化する場合、太陽電池の上面すなわち前面側全体をカバーする金
属被覆メッシュから始めることによって得られる。
【図７】 図６に示した、金属被覆メッシュを備えた太陽電池の詳細を示す平面図である
。
【図８】 図６に示した、金属被覆メッシュを備えた太陽電池のさらに拡大した詳細を示
す平面図である。
【図９】 図６の太陽電池の表面の詳細を示す平面図である。この図では、計算され正規
化された電流密度のベクトル及び金属被覆ラインによるカバレッジの計算された
パーセンテージを表す等高線が示されている。
【図１０】 ＭＲＴ（「金属被覆ラップスルー」）タイプの正方形の太陽電池の第２の実施
形態を示す平面図である。この太陽電池は、本発明による方法の第３の実施形態
に基づいて、最適化する場合、太陽電池の上面すなわち前面側全体をカバーする
金属被覆メッシュから始めることによって得られた金属被覆メッシュを備えてい
る。
【手続補正書】特許協力条約第３４条補正の翻訳文提出書
【提出日】平成１２年１１月２０日（２０００．１１．２０）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【数１】 及び抵抗損失
【数２】 の合計、又は前記抵抗損失
【数３】 及び前記金属被覆用の材料の量についての能率の損失
【数４】 で表現された尺度の合計が最小になるような方法で厚さd(x,y)を決定すること、
及び、前記厚さd(x,y)から位置(x,y)の関数として、相互接続された電気導体の
システムのパターンの形状を引き出すことによって得られる最適化パターンに基
づいて前記第２のステップ（ｉｉ）内で金属被覆が行われる（ここで、方程式S
は前記エレメントの前記表面であり、PS(x,y)は陰影部分を示し、Jmp及びVmpは
、それぞれ、局所電流密度及び前記エレメントが発生した最大電力における電圧
を示し、ρSm(x,y)は表面抵抗を示し、PS(x,y)は陰影部分を示し、またFcは効率
損失に対する材料の量に関する無次元パラメータである） ことを特徴とする方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００５】 フィンガのウェブは、原則的には、何らかのトポロジー及び寸法を持っている
ので、一般的に最適なパターンを見つけることは特に難しい。このため、金属被
覆パターンの最適化は、一般に所定のトポロジー内のパターンのグループについ
て行われる。 固体エレクトロニクス３７、１９９４年１月、Ｎｏ．１、ページ２２０〜２２
２、において、単一のパラメータ、すなわち、キャリア平均経路（carrier mean
path）の計算に基づいて決定される、最適なグリッドラインのパターンを可能
にする方法が開発されている。このパラメータの最小値を有する太陽電池のグリ
ッドパターンは最も効果的である。この方法は、種々の形状、同じシャドーイン
グファクタ（shadowing factor）及び全グリッドライン長のグリッドパターンを
有する太陽電池を比較する場合に特に望ましい。 フィンガの方向が特別なパターンの選択によって固定され、最適に選択されな
いことは、この周知の方法の欠点である。この周知の最適化方法の別の欠点は、
この方法が特定の、形状が大体長方形の太陽電池に限定されることである。 JP-A-06053531から、すなわち、対応する日本特許抄録によれば、サブ電極が
メイン電極から最も離れた場所で最も薄く、このメイン電極に向かって厚くなる
ような太陽電池を提供することによって、ジュール熱及び光学損失を抑制するこ
とにより、光電変換器の光電変換効率を向上させることは周知である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ，ＭＬ， ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＧＭ，Ｋ Ｅ，ＬＳ，ＭＷ，ＳＤ，ＳＬ，ＳＺ，ＴＺ，ＵＧ，ＺＷ )，ＥＡ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ，ＲＵ， ＴＪ，ＴＭ)，ＡＥ，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ， ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，Ｃ Ｒ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，ＤＭ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ ，ＧＢ，ＧＤ，ＧＥ，ＧＨ，ＧＭ，ＨＲ，ＨＵ，ＩＤ， ＩＬ，ＩＮ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，Ｋ Ｚ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＡ ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ，ＮＯ，ＮＺ， ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，Ｓ Ｋ，ＳＬ，ＴＪ，ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ，ＴＺ，ＵＡ，ＵＧ ，ＵＳ，ＵＺ，ＶＮ，ＹＵ，ＺＡ，ＺＷ

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 光起電性エレメントの少なくとも１つの外面上で電荷キャリ
    アを移動させるために、所定の直列抵抗を示すと共に所定の程度のカバーリング
    に基づいて前記少なくとも１つの表面の一部をカバーする相互接続された電気導
    体のシステムのパターンに従って金属被覆を行う方法であって、 （ｉ）その外面の少なくとも１つが金属被覆をそこに行うように適合された、
    前記光起電性エレメントを設けるステップと、 （ｉｉ）所定のパターンに基づいて、前記関連する表面上に金属被覆を行うス
    テップと、 を含み、 前記エレメントの電力が形状の関数として最大になるように定義される形状の
    最適化パターンに基づいて 前記第２のステップ（ｉｉ）内で金属被覆が行われ
    る、 ことを特徴とする方法。
  2. 【請求項２】 入射光を受けるように適合された前記光起電性エレメントの
    前面上で陰影損失及び抵抗損失を結果として生ずる金属被覆パターンに適用する
    ための、請求項１に記載の方法であって、前記最適化パターンが、前記前面を完
    全にカバーすると共に前記カバーリングの程度に応じた入射光のわずかな量が通
    過できる光透過金属被覆層の前記前面上の位置の関数として、動作状態では前記
    エレメント内で生じる前記陰影損失及び前記抵抗損失の合計が最小になるような
    方法で前記厚さを決定すること、及び前記厚さから前記位置の関数として、相互
    接続された電気導体のシステムのパターンの形状を引き出すことによって得られ
    ることを特徴とする方法。
  3. 【請求項３】 入射光を受けるように適合された前記前面の反対側にある、
    前記光起電性エレメントの背面上で抵抗損失を結果として生ずる金属被覆パター
    ンに適用するための、請求項１に記載の方法であって、前記最適化パターンが、
    前記背面を完全にカバーすると共に前記カバーリングの程度に応じた入射光のわ
    ずかな量が通過できる光透過金属被覆層の前記背面上の位置の関数として、動作
    状態で前記エレメント内で生じる前記抵抗損失及び前記金属被覆用材料の量につ
    いての能率の損失で表現された尺度の合計が最小になるような方法で前記厚さを
    決定すること、及び前記厚さから前記位置の関数として、相互接続された電気導
    体のシステムのパターンの形状を引き出すことによって得られることを特徴とす
    る方法。
  4. 【請求項４】 請求項２又は３に記載の方法であって、前記それぞれの金属
    被覆層の前記位置の関数としての前記厚さが、前記それぞれの表面を完全にカバ
    ーする前記金属被覆層が等方性の導電率を有する場合について決定されることを
    特徴とする方法。
  5. 【請求項５】 請求項２〜請求項４のいずれかに記載の方法であって、前記
    最適化パターンが、前記それぞれの光が透過する金属被覆層の前記厚さを、前記
    それぞれの表面上の前記位置の関数として、前記エレメントの電力が前記エレメ
    ントの表面と前記金属被覆との間のトランジションにおける電気抵抗の関数とし
    ても最大になるように決定することによって得られることを特徴とする方法。
  6. 【請求項６】 請求項２〜請求項５のいずれかに記載の方法であって、前記
    最適化パターンが、前記それぞれの光が透過する金属被覆層の前記厚さを前記そ
    れぞれの表面上の前記位置の関数として、前記エレメントの電力が前記エレメン
    トの前記表面抵抗の関数としても最大になるように決定することによって得られ
    ることを特徴とする方法。
  7. 【請求項７】 請求項２〜請求項６のいずれかに記載の方法であって、前記
    最適化パターンが、前記それぞれの光が透過する金属被覆層の前記厚さを、前記
    それぞれの表面上の前記位置の関数として、前記エレメントの電力が前記それぞ
    れの金属被覆材料の関数としても最大になるように決定することによって得られ
    ることを特徴とする方法。
  8. 【請求項８】 請求項１〜請求項７のいずれかに記載の方法に従って適用さ
    れた金属被覆を備えた光起電性エレメント。
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WO (1) WO2000031803A1 (ja)

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003224289A (ja) * 2002-01-28 2003-08-08 Sharp Corp 太陽電池、太陽電池の接続方法、及び太陽電池モジュール
JP2005317886A (ja) * 2004-03-29 2005-11-10 Kyocera Corp 光電変換装置とこれを用いた太陽電池素子、並びに太陽電池モジュール
JP2008159895A (ja) * 2006-12-25 2008-07-10 Sanyo Electric Co Ltd 太陽電池セル及び太陽電池モジュール
CN102113130A (zh) * 2008-04-29 2011-06-29 应用材料股份有限公司 使用单石模块组合技术制造的光伏打模块
JP2011243936A (ja) * 2010-04-20 2011-12-01 Fuji Electric Co Ltd 太陽電池直列接続構造セル特性解析・評価装置
WO2014083846A1 (ja) * 2012-11-30 2014-06-05 三洋電機株式会社 太陽電池
KR101462699B1 (ko) 2007-03-16 2014-11-18 선파워 코포레이션 개선된 효율을 위한 태양 전지 접촉부 핑거 및 솔더 패드 구성
WO2015029657A1 (ja) * 2013-08-29 2015-03-05 三洋電機株式会社 太陽電池
US8975506B2 (en) 2004-03-29 2015-03-10 Kyocera Corporation Solar cell module and photovoltaic power generator using the same
WO2015151245A1 (ja) * 2014-04-02 2015-10-08 三菱電機株式会社 太陽電池および太陽電池モジュール
JP2017528926A (ja) * 2014-09-29 2017-09-28 レック ソーラー プライヴェート リミテッド 特定の前面電極設計をもつソーラーセル
WO2019163751A1 (ja) * 2018-02-23 2019-08-29 株式会社カネカ 太陽電池およびその太陽電池を備えた電子機器
WO2019163750A1 (ja) * 2018-02-23 2019-08-29 株式会社カネカ 太陽電池およびその太陽電池を備えた電子機器

Families Citing this family (86)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7507903B2 (en) 1999-03-30 2009-03-24 Daniel Luch Substrate and collector grid structures for integrated series connected photovoltaic arrays and process of manufacture of such arrays
US8076568B2 (en) * 2006-04-13 2011-12-13 Daniel Luch Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules
US8138413B2 (en) 2006-04-13 2012-03-20 Daniel Luch Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules
US8664030B2 (en) 1999-03-30 2014-03-04 Daniel Luch Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules
US20090111206A1 (en) 1999-03-30 2009-04-30 Daniel Luch Collector grid, electrode structures and interrconnect structures for photovoltaic arrays and methods of manufacture
US8222513B2 (en) 2006-04-13 2012-07-17 Daniel Luch Collector grid, electrode structures and interconnect structures for photovoltaic arrays and methods of manufacture
US7898054B2 (en) 2000-02-04 2011-03-01 Daniel Luch Substrate structures for integrated series connected photovoltaic arrays and process of manufacture of such arrays
US7898053B2 (en) 2000-02-04 2011-03-01 Daniel Luch Substrate structures for integrated series connected photovoltaic arrays and process of manufacture of such arrays
US8198696B2 (en) 2000-02-04 2012-06-12 Daniel Luch Substrate structures for integrated series connected photovoltaic arrays and process of manufacture of such arrays
US7481267B2 (en) * 2003-06-26 2009-01-27 The Regents Of The University Of California Anisotropic thermal and electrical applications of composites of ceramics and carbon nanotubes
US20050172996A1 (en) * 2004-02-05 2005-08-11 Advent Solar, Inc. Contact fabrication of emitter wrap-through back contact silicon solar cells
US20060060238A1 (en) * 2004-02-05 2006-03-23 Advent Solar, Inc. Process and fabrication methods for emitter wrap through back contact solar cells
US7332817B2 (en) * 2004-07-20 2008-02-19 Intel Corporation Die and die-package interface metallization and bump design and arrangement
US7732229B2 (en) * 2004-09-18 2010-06-08 Nanosolar, Inc. Formation of solar cells with conductive barrier layers and foil substrates
US7838868B2 (en) * 2005-01-20 2010-11-23 Nanosolar, Inc. Optoelectronic architecture having compound conducting substrate
US7276724B2 (en) * 2005-01-20 2007-10-02 Nanosolar, Inc. Series interconnected optoelectronic device module assembly
US8927315B1 (en) 2005-01-20 2015-01-06 Aeris Capital Sustainable Ip Ltd. High-throughput assembly of series interconnected solar cells
JP5025135B2 (ja) * 2006-01-24 2012-09-12 三洋電機株式会社 光起電力モジュール
US9865758B2 (en) 2006-04-13 2018-01-09 Daniel Luch Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules
US9006563B2 (en) 2006-04-13 2015-04-14 Solannex, Inc. Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules
US8822810B2 (en) 2006-04-13 2014-09-02 Daniel Luch Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules
US8729385B2 (en) 2006-04-13 2014-05-20 Daniel Luch Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules
US9236512B2 (en) 2006-04-13 2016-01-12 Daniel Luch Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules
US8884155B2 (en) 2006-04-13 2014-11-11 Daniel Luch Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules
DE102006021990B4 (de) * 2006-05-10 2011-05-12 Sitec Solar Gmbh Verfahren zum Herstellen eines Photovoltaikmoduls mit mindestens einer Solarzelle
US20080150084A1 (en) * 2006-12-01 2008-06-26 Advent Solar, Inc. Phosphorus-Stabilized Transition Metal Oxide Diffusion Barrier
WO2008080160A1 (en) * 2006-12-22 2008-07-03 Advent Solar, Inc. Interconnect technologies for back contact solar cells and modules
CN101106163B (zh) * 2007-05-31 2011-12-21 常州亿晶光电科技有限公司 晶体硅太阳能电池背电极
WO2009064870A2 (en) * 2007-11-13 2009-05-22 Advent Solar, Inc. Selective emitter and texture processes for back contact solar cells
GB2459651A (en) * 2008-04-28 2009-11-04 Quantasol Ltd Concentrator photovoltaic cell
EP2325896A4 (en) * 2008-09-12 2017-10-18 LG Chem, Ltd. Front electrode for solar cell which minimizes power loss, and solar cell including the same
JP5569668B2 (ja) * 2008-10-20 2014-08-13 セイコーエプソン株式会社 電子腕時計
DE102009047778A1 (de) * 2009-02-24 2010-09-02 Bosch Solar Energy Ag MWT-Halbleiter-Solarzelle mit einer Vielzahl von das halbleitende Material kontaktierenden, parallel zueinander verlaufenden schmalen leitfähigen Fingern vorgegebener Länge
WO2010126038A1 (ja) 2009-04-27 2010-11-04 京セラ株式会社 太陽電池素子、分割太陽電池素子、太陽電池モジュールおよび電子機器
US8247243B2 (en) * 2009-05-22 2012-08-21 Nanosolar, Inc. Solar cell interconnection
JP5609310B2 (ja) * 2009-09-01 2014-10-22 セイコーエプソン株式会社 アンテナ内蔵式時計
NL2003482C2 (nl) * 2009-09-14 2011-03-15 Stichting Energie Zonnecel en samenstel van een aantal zonnecellen.
CN102576752A (zh) * 2009-10-26 2012-07-11 京瓷株式会社 太阳能电池元件及太阳能电池模块
TWI415277B (zh) * 2009-11-20 2013-11-11 Ind Tech Res Inst 太陽能電池結構
WO2011065611A1 (ko) * 2009-11-30 2011-06-03 경상대학교산학협력단 태양전지 및 태양전지 제조방법
CN101807609A (zh) * 2010-04-02 2010-08-18 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 适用于高倍聚光电池和薄膜电池的电极结构
US20110277835A1 (en) * 2010-07-23 2011-11-17 Cyrium Technologies Incorporated Solar cell with split gridline pattern
JP2010239167A (ja) * 2010-07-30 2010-10-21 Sanyo Electric Co Ltd 太陽電池モジュール
IT1403828B1 (it) * 2010-12-02 2013-10-31 Applied Materials Italia Srl Procedimento per la stampa di un substrato
KR20120062431A (ko) 2010-12-06 2012-06-14 엘지전자 주식회사 태양전지
JP5874011B2 (ja) * 2011-01-28 2016-03-01 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 太陽電池及び太陽電池モジュール
WO2012105155A1 (ja) * 2011-01-31 2012-08-09 三洋電機株式会社 光電変換装置及びその製造方法
TWI434427B (zh) * 2011-04-08 2014-04-11 Gintech Energy Corp 光伏面板及形成光伏面板之導電通道的方法
NL2006932C2 (en) 2011-06-14 2012-12-17 Stichting Energie Photovoltaic cell.
JP5014502B2 (ja) * 2011-06-20 2012-08-29 三洋電機株式会社 太陽電池セルの製造方法及び太陽電池モジュールの製造方法
JP5014503B2 (ja) * 2011-06-20 2012-08-29 三洋電機株式会社 太陽電池セル及び太陽電池モジュール
TWI585990B (zh) * 2011-08-26 2017-06-01 行政院原子能委員會核能研究所 用於光電元件之基板的剝離結構
TWI584485B (zh) 2011-10-29 2017-05-21 西瑪奈米技術以色列有限公司 於基材上對齊的網路
US20130206221A1 (en) * 2012-02-13 2013-08-15 John Anthony Gannon Solar cell with metallization compensating for or preventing cracking
EP2634814A2 (de) 2012-02-29 2013-09-04 SCHOTT Solar AG Rückseitenkontaktsolarzelle
TWI643352B (zh) * 2012-05-30 2018-12-01 晶元光電股份有限公司 光電電池
CN104756259B (zh) * 2012-11-01 2017-05-10 信越化学工业株式会社 太阳能电池以及太阳能电池模块
TWI464893B (zh) * 2012-12-17 2014-12-11 Motech Ind Inc 太陽能電池及其模組
US9780253B2 (en) 2014-05-27 2017-10-03 Sunpower Corporation Shingled solar cell module
US20140124014A1 (en) 2012-11-08 2014-05-08 Cogenra Solar, Inc. High efficiency configuration for solar cell string
USD933584S1 (en) 2012-11-08 2021-10-19 Sunpower Corporation Solar panel
US20140124013A1 (en) * 2012-11-08 2014-05-08 Cogenra Solar, Inc. High efficiency configuration for solar cell string
US9947820B2 (en) 2014-05-27 2018-04-17 Sunpower Corporation Shingled solar cell panel employing hidden taps
USD1009775S1 (en) 2014-10-15 2024-01-02 Maxeon Solar Pte. Ltd. Solar panel
CN102969369A (zh) * 2012-12-10 2013-03-13 山东力诺太阳能电力股份有限公司 一种太阳能电池正面电极结构及电池片和组件
US8901689B1 (en) 2013-05-10 2014-12-02 International Business Machines Corporation Graphene photodetector
US20140352773A1 (en) * 2013-05-31 2014-12-04 Neo Solar Power Corp. Solar cell
KR102098113B1 (ko) * 2013-09-17 2020-04-08 엘지이노텍 주식회사 태양전지
USD746769S1 (en) * 2014-02-25 2016-01-05 Stichting Energieonderzoek Centrum Nederland Solar cell array
USD933585S1 (en) 2014-10-15 2021-10-19 Sunpower Corporation Solar panel
USD913210S1 (en) 2014-10-15 2021-03-16 Sunpower Corporation Solar panel
USD999723S1 (en) 2014-10-15 2023-09-26 Sunpower Corporation Solar panel
USD896747S1 (en) 2014-10-15 2020-09-22 Sunpower Corporation Solar panel
NL2014040B1 (en) * 2014-12-23 2016-10-12 Stichting Energieonderzoek Centrum Nederland Method of making a curent collecting grid for solar cells.
US9806206B2 (en) 2015-04-28 2017-10-31 International Business Machines Corporation Optimized grid design for concentrator solar cell
CN104851927A (zh) * 2015-05-26 2015-08-19 苏州大学 Mwt晶硅太阳能电池的正面电极结构
US10084104B2 (en) 2015-08-18 2018-09-25 Sunpower Corporation Solar panel
US10673379B2 (en) 2016-06-08 2020-06-02 Sunpower Corporation Systems and methods for reworking shingled solar cell modules
CN106876503B (zh) * 2017-03-30 2018-04-24 隆基乐叶光伏科技有限公司 采用中心汇聚栅线电极的太阳能叠片组件
US11233162B2 (en) 2017-03-31 2022-01-25 The Boeing Company Method of processing inconsistencies in solar cell devices and devices formed thereby
WO2019035094A1 (en) * 2017-08-17 2019-02-21 California Institute Of Technology MANUFACTURING METHODS FOR EFFICIENTLY TRANSPARENT CONTACTS
US11227964B2 (en) 2017-08-25 2022-01-18 California Institute Of Technology Luminescent solar concentrators and related methods of manufacturing
US11362229B2 (en) 2018-04-04 2022-06-14 California Institute Of Technology Epitaxy-free nanowire cell process for the manufacture of photovoltaics
WO2020041522A1 (en) 2018-08-21 2020-02-27 California Institute Of Technology Windows implementing effectively transparent conductors and related methods of manufacturing
WO2020205800A1 (en) 2019-03-29 2020-10-08 California Institute Of Technology Apparatus and systems for incorporating effective transparent catalyst for photoelectrochemical application
CA3215477A1 (en) * 2021-04-14 2022-10-20 Eric Schneller Metallization patterns for photovoltaic cells

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03206670A (ja) * 1990-01-08 1991-09-10 Mitsubishi Electric Corp 太陽電池
JPH0653531A (ja) * 1992-07-29 1994-02-25 Sharp Corp 光電変換装置およびその製造方法
JPH06283736A (ja) * 1993-03-29 1994-10-07 Sharp Corp 太陽電池
JPH0982994A (ja) * 1995-09-11 1997-03-28 Canon Inc 光起電力装置とその製造方法
JPH09283779A (ja) * 1996-03-25 1997-10-31 Hitachi Ltd 太陽電池

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3903428A (en) * 1973-12-28 1975-09-02 Hughes Aircraft Co Solar cell contact design
WO1989005521A1 (en) * 1987-12-03 1989-06-15 Spectrolab, Inc. Solar cell panel

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03206670A (ja) * 1990-01-08 1991-09-10 Mitsubishi Electric Corp 太陽電池
JPH0653531A (ja) * 1992-07-29 1994-02-25 Sharp Corp 光電変換装置およびその製造方法
JPH06283736A (ja) * 1993-03-29 1994-10-07 Sharp Corp 太陽電池
JPH0982994A (ja) * 1995-09-11 1997-03-28 Canon Inc 光起電力装置とその製造方法
JPH09283779A (ja) * 1996-03-25 1997-10-31 Hitachi Ltd 太陽電池

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JPN6012049394; Ａ．　Ｆｌａｔ　ｅｔ　ａｌ．: 'Ｏｐｔｉｍｉｚａｔｉｏｎ　ｏｆ　Ｍｕｌｔｉ-ｌａｙｅｒ　Ｆｒｏｎｔ-ｃｏｎｔａｃｔ　Ｇｒｉｄ　Ｐａｔｔｅｒｎｓ　ｆｏｒ　Ｓｏｌａｒ　Ｃｅｌｌｓ' ＳＯＬＡＲ　ＥＮＥＲＧＹ Ｖｏｌ．２３，Ｎｏ．４, 1979, ｐｐ．２８９-２９９ *

Cited By (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003224289A (ja) * 2002-01-28 2003-08-08 Sharp Corp 太陽電池、太陽電池の接続方法、及び太陽電池モジュール
US8975506B2 (en) 2004-03-29 2015-03-10 Kyocera Corporation Solar cell module and photovoltaic power generator using the same
JP2005317886A (ja) * 2004-03-29 2005-11-10 Kyocera Corp 光電変換装置とこれを用いた太陽電池素子、並びに太陽電池モジュール
JP4593980B2 (ja) * 2004-03-29 2010-12-08 京セラ株式会社 光電変換装置とこれを用いた太陽電池素子、並びに太陽電池モジュール
JP2008159895A (ja) * 2006-12-25 2008-07-10 Sanyo Electric Co Ltd 太陽電池セル及び太陽電池モジュール
US8481844B2 (en) 2006-12-25 2013-07-09 Sanyo Electric Co., Ltd. Solar cell and solar cell module
KR101462699B1 (ko) 2007-03-16 2014-11-18 선파워 코포레이션 개선된 효율을 위한 태양 전지 접촉부 핑거 및 솔더 패드 구성
CN102113130A (zh) * 2008-04-29 2011-06-29 应用材料股份有限公司 使用单石模块组合技术制造的光伏打模块
JP2011243936A (ja) * 2010-04-20 2011-12-01 Fuji Electric Co Ltd 太陽電池直列接続構造セル特性解析・評価装置
JPWO2014083846A1 (ja) * 2012-11-30 2017-01-05 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 太陽電池
WO2014083846A1 (ja) * 2012-11-30 2014-06-05 三洋電機株式会社 太陽電池
US10269992B2 (en) 2012-11-30 2019-04-23 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Solar cell
US10002976B2 (en) 2013-08-29 2018-06-19 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Solar cell
JPWO2015029657A1 (ja) * 2013-08-29 2017-03-02 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 太陽電池
WO2015029657A1 (ja) * 2013-08-29 2015-03-05 三洋電機株式会社 太陽電池
JP2019033303A (ja) * 2013-08-29 2019-02-28 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 太陽電池モジュール
JPWO2015151245A1 (ja) * 2014-04-02 2017-04-13 三菱電機株式会社 太陽電池および太陽電池モジュール
WO2015151245A1 (ja) * 2014-04-02 2015-10-08 三菱電機株式会社 太陽電池および太陽電池モジュール
JP2017528926A (ja) * 2014-09-29 2017-09-28 レック ソーラー プライヴェート リミテッド 特定の前面電極設計をもつソーラーセル
WO2019163751A1 (ja) * 2018-02-23 2019-08-29 株式会社カネカ 太陽電池およびその太陽電池を備えた電子機器
WO2019163750A1 (ja) * 2018-02-23 2019-08-29 株式会社カネカ 太陽電池およびその太陽電池を備えた電子機器
JPWO2019163750A1 (ja) * 2018-02-23 2021-02-04 株式会社カネカ 太陽電池およびその太陽電池を備えた電子機器
JPWO2019163751A1 (ja) * 2018-02-23 2021-02-04 株式会社カネカ 太陽電池およびその太陽電池を備えた電子機器
JP7270598B2 (ja) 2018-02-23 2023-05-10 株式会社カネカ 太陽電池およびその太陽電池を備えた電子機器
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