TWI643352B - 光電電池 - Google Patents

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Abstract

一光電電池包含一半導體疊層，具有一上表面；以及一上電極包含複數條電極柵線位於半導體疊層的上表面上，該複數條電極柵線包含複數條第一電極柵線及複數條第二電極柵線，其中該複數條第一電極柵線較該複數條第二電極柵線靠近該上表面之中心，且該複數條第二電極柵線置於該複數條第一電極柵線的四周且包圍該複數條第一電極柵線，其中該複數條第一電極柵線的其中之一具有均勻的一第一寬度，該複數條第二電極柵線的其中之一具有均勻且大於該第一寬度的一第二寬度。

Description

光電電池
本發明係關於一聚光型光電電池，尤其是一聚光型光電電池包含一半導體疊層，具有一上表面；及一上電極，且上電極具有週期距或寬度相異的複數條第一電極柵線及複數條第二電極柵線。
由於石化能源短缺，且世界各國對環保重要性的認知提高，因此近年來替代能源與再生能源的相關技術不斷地發展，其中光電電池(photovoltaic cell)最受矚目。光電電池可直接將太陽能轉換成電能，尤其當日照量越大及模組聚光率越高時，光電電池單位面積的發電量越高，發電成本越便宜。
光電電池由不同材料製成時，具有不同的轉換效率，例如矽材料光電電池為12%~20%，III-V族材料光電電池則為31%~41%。III-V族材料因可吸收太陽光譜中300~1900nm波長之能量，相較於一般矽材料僅能吸收太陽光譜中400~1100nm波長之能量，III-V族材料光電電池轉換效率大幅提升。
聚光型光電電池的發電方式主要係利用光學透鏡將太陽 光聚集在III-V族材料光電電池上，除了可提高光電電池的發電效率，還有節省經濟成本的效益。以4吋晶圓之Ⅲ-V族材料光電電池為例，如不使用聚光方式，在一個太陽(one sun)下可產生2.4W電力，若使用聚光型發電方式，在500個太陽下，4吋晶圓之Ⅲ-V族材料光電電池約可產生650W電力。在此，光學透鏡的聚光倍率係用一個太陽強度的倍數來表示，以500個太陽為例，指的是在相同的光電電池受光面積下，光電電池接受到的太陽光強度是不使用聚光方式(正常強度)的500倍。
圖1所示係習知之一聚光模組1，包含一第一光學聚光器13、一第二光學聚光器11及一光電電池10。圖2所示係習知光電電池10之上視圖，包含複數條匯流排電極102及複數條電極柵線103位於一上表面101上。圖2A所示係複數條電極柵線103的部分放大圖，每一條電極柵線103的寬度w相同，且複數條電極電極柵線103之間的間距s相同。第一條電極柵線103a與第二條電極柵線103b之間的週期距d為寬度w與間距s的總和，如圖2A所示，複數條電極柵線103之間的週期距d相同。
第一光學聚光器13及第二光學聚光器11能將一太陽光線12以高倍率聚焦於光電電池10的上表面101上，達到高的光電轉換效率及得到高的電能輸出，降低發電成本。
但是現行的聚光模組1有聚光不均勻的現象，使得太陽 光線12入射到光電電池10的上表面101上時，因太陽光線12在上表面101上的強度分佈不一致，導致光電電池10阻值偏高，降低光電電池10整體的發電效率。圖3係習知之光電電池10在聚光模組1下的聚光情形。如圖3所示，以邊長5mm×5mm的光電電池10為例，光電電池10接收來自聚光模組1的太陽光線12，在離光電電池10上表面101的中心半徑1mm內，第一光學聚光器13及第二光學聚光器11能聚集強度1000倍以上的太陽光線12於光電電池10上，而在離光電電池10上表面101的中心半徑1mm以外，第一光學聚光器13及第二光學聚光器11聚集到光電電池10上的太陽光線12的強度驟降到200倍以下。
依據本發明一實施例的一光電電池包含一半導體疊層，具有一上表面；以及一上電極包含複數條電極柵線位於半導體疊層的上表面上，該複數條電極柵線包含複數條第一電極柵線及複數條第二電極柵線，其中該複數條第一電極柵線較該複數條第二電極柵線靠近該上表面之中心，且該複數條第二電極柵線置於該複數條第一電極柵線的四周且包圍該複數條第一電極柵線，其中該複數條第一電極柵線的其中之一具有均勻的一第一寬度，該複數條第二電極柵線的其中之一 具有均勻且大於該第一寬度的一第二寬度。
為了使本發明之敘述更加詳盡與完備，請參照下列描述並配合圖4至圖6之圖示。圖4係依據本發明一實施例之一聚光型光電電池20之剖面圖，圖5係依據本發明第一實施例之聚光型光電電池20之上視圖。圖4為沿圖5之X-X’線的剖面示意圖，如圖4所示，本發明一實施例之聚光型光電電池20可用以吸收一光線，例如太陽光。聚光型光電電池20包含一半導體疊層210，具有一上表面S1與一相對於上表面S1的下表面S2，其中上表面S1為靠近太陽光入射處之一側，用以吸收一光線，光線在上表面S1具有一光強度分佈；一上電極200位於半導體疊層210的上表面S1上；一下電極209位於半導體疊層210的下表面S2上；以及一抗反射層201位於半導體疊層210的上表面S1上。抗反射層201包含介電質材料，例如氮化矽(SiNx)、氧化矽(SiO2)、氧化鋁(Al2O3)、氧化鈦(TiOx)。抗反射層201可以減少光線在上表面S1上的反射。上電極200和下電極209的材料包含金屬，例如鈦、鉑、鎳、金或銀，藉由電鍍、蒸鍍或濺鍍的方式形成於半導體疊層210上。
半導體疊層210可包含一或多個光電接面 (multi-junction)。如圖4所示，半導體疊層210包含一窗層205位於靠近抗反射層201之一側、一上層子電池(top subcell)206、一中層子電池(middle subcell)207及一下層子電池(bottom subcell)208位於靠近下電極209之一側。半導體疊層210之材料包含III-V族材料，例如鎵(Ga)、鋁(Al)、銦(In)、磷(P)、氮(N)、鋅(Zn)、鎘(Cd)、或硒(Se)。形成半導體疊層210的方法沒有特別限制，除了有機金屬化學氣相沉積法(MOCVD)，亦可使用分子束磊晶(MBE)，氫化物氣相沉積法(HVPE)，蒸鍍法和離子電鍍方法。
窗層205可將入射到半導體疊層210上表面S1的光線導引到上層子電池206、中層子電池207及下層子電池208。上層子電池206、中層子電池207及下層子電池208吸收光線並轉換成電流，而上電極200及下電極209收集來自上層子電池206、中層子電池207及下層子電池208的電流並輸出。
如圖5所示，上電極200包含複數條匯流排電極202及複數條電極柵線203，上電極200的圖形會影響到聚光型光電電池20的阻值、填充因子(fill factor；FF)與短路電流(Isc)，而藉由調整複數條電極柵線203的柵線寬度和柵線週期距，可改變上電極200對光線的遮蔽面積。圖5係依據本發明第一實施例之聚光型光電電池20之上視圖。上 電極200具有一電極圖案大致對應於聚光型光電電池20上表面S1所吸收光線的光強度分佈，其中上表面S1上的光強度分佈包含一高聚光區I具有一第一光強度與一低聚光區Ⅱ具有一第二光強度，其中第二光強度低於第一光強度。電極圖案包含一第一電極區204及一相異於第一電極區204之第二電極區201，第一電極區204及第二電極區201大致分別對應於高聚光區I及低聚光區Ⅱ，其中第一電極區204包含一面積位於上表面S1的一中心區域。本發明第一實施例中聚光型光電電池20之複數條電極柵線203與複數條匯流排電極202係利用光微影技術形成，其中匯流排電極202具有一寬度大於50μm，較佳為大於100μm。
如圖5所示，第一電極區204占上表面S1的面積比例不大於80%。一光學聚光器(圖未示)置於半導體疊層210之上，靠近太陽光入射處之一側，具有一聚光倍率，例如可聚光至少200個太陽以上的強度。高聚光區I具有大於光學聚光器聚光倍率之聚光強度，例如200個太陽以上的聚光強度；低聚光區Ⅱ具有小於光學聚光器聚光倍率之聚光強度，例如200個太陽以下的聚光強度。複數條電極柵線203與複數條匯流排電極202互相垂直，且複數條電極柵線203彼此互相平行。複數條電 極柵線203在第一電極區204的寬度小於在第二電極區201的寬度。複數條電極柵線203在第一電極區204的週期距等於在第二電極區201的週期距。
圖6為依據圖5之複數條電極柵線203的部分放大圖。如圖6所示，位於第一電極區204(高聚光區I)中的複數條電極柵線203a之間的週期距為d1，而位於第二電極區201(低聚光區Ⅱ)中的複數條電極柵線203b之間的週期距為d2。於本實施例中，複數條電極柵線203a在第一電極區204的寬度w1小於在第二電極區201的寬度w2，且複數條電極柵線203a之間的週期距d1等於複數條電極柵線203b之間的週期距d2，其中複數條電極柵線203a在第一電極區204的週期距d1和複數條電極柵線203b在第二電極區201的週期距d2範圍在50μm~300μm之間，較佳為在90μm~200μm之間。於本實施例中，複數條電極柵線203在第一電極區204的寬度w1小於在第二電極區201的寬度w2，可減少高聚光區I中複數條電極柵線203對光線的遮蔽面積，提高聚光型光電電池20的短路電流(Isc)。
圖7係依據本發明第二實施例之聚光型光電電池20之上視圖。圖8為依據圖7之複數條電極柵線203的部分放大圖。如圖8所示，位於第一電極區204(高聚 光區I)中的複數條電極柵線203a之間的週期距d1小於第二電極區201(低聚光區Ⅱ)中的複數條電極柵線203b之間的週期距d2，其中複數條電極柵線203a在第一電極區204(高聚光區I)的週期距d1大於50μm，較佳為大於90μm，複數條電極柵線203b在第二電極區201(低聚光區Ⅱ)的週期距d2小於300μm，較佳為小於200μm。於本實施例中，複數條電極柵線203a在第一電極區204的寬度w1小於複數條電極柵線203b在第二電極區201的寬度w2，可減少高聚光區I中複數條電極柵線203a對光線的遮蔽面積，且複數條電極柵線203在第二電極區201的週期距d2大於在第一電極區204的週期距d1，可減少低聚光區Ⅱ中複數條電極柵線203對光線的遮蔽面積，提高聚光型光電電池20的短路電流(Isc)。
圖9係依據本發明第三實施例之聚光型光電電池20之上視圖。圖10為依據圖9之複數條電極柵線203的部分放大圖。如圖10所示，位於第一電極區204(高聚光區I)中的複數條電極柵線203a之間的週期距d1小於第二電極區201(低聚光區Ⅱ)中的複數條電極柵線203b之間的週期距d2，其中複數條電極柵線203a在第一電極區204(高聚光區I)的週期距d1大於50μm，較 佳為大於90μm，複數條電極柵線203b在第二電極區201(低聚光區Ⅱ)的週期距d2小於300μm，較佳為小於200μm。於本實施例中，複數條電極柵線203a在第一電極區204的寬度w1等於複數條電極柵線203b在第二電極區201的寬度w2。於本實施例中，複數條電極柵線203在第二電極區201的週期距d2大於在第一電極區204的週期距d1，可減少低聚光區Ⅱ中複數條電極柵線203對光線的遮蔽面積，提高聚光型光電電池20的短路電流(Isc)。
圖11係依據本發明第四實施例之聚光型光電電池20之上視圖。圖12為依據圖11之複數條電極柵線203的部分放大圖。如圖12所示，位於第一電極區204(高聚光區I)中的複數條電極柵線203a之間的週期距d1等於第二電極區201(低聚光區Ⅱ)中的複數條電極柵線203b之間的週期距d2，其中複數條電極柵線203a在第一電極區204(高聚光區I)的週期距d1和複數條電極柵線203b在第二電極區201(低聚光區Ⅱ)的週期距d2範圍在50μm~300μm之間，較佳為在90μm~200μm之間。複數條電極柵線203a在第一電極區204的寬度w1小於複數條電極柵線203b在第二電極區201的寬度w2。於本實施例中，第二電極區201的複數條電極柵線203b’ 連接於匯流排電極202，並往遠離匯流排電極202的方向延伸，連接於第一電極區204的電極柵線203a，亦即第二電極區201電極柵線203b’的一端點連接於匯流排電極202，另一端點連接於第一電極區204的電極柵線203a。電極柵線203b’的寬度W2大於電極柵線203a的寬度w1，可減少光電流由高聚光區I流經低聚光區Ⅱ時的電阻損耗。
圖13係依據本發明第五實施例之聚光型光電電池20之上視圖。圖14為依據圖13之複數條電極柵線203的部分放大圖。如圖14所示，位於第一電極區204(高聚光區I)中的複數條電極柵線203a之間的週期距d1小於第二電極區201(低聚光區Ⅱ)中的複數條電極柵線203b之間的週期距d2，其中複數條電極柵線203a在第一電極區204(高聚光區I)的週期距d1大於50μm，較佳為大於90μm，複數條電極柵線203b在第二電極區201(低聚光區Ⅱ)的週期距d2小於300μm，較佳為小於200μm。複數條電極柵線203a在第一電極區204的寬度w1小於複數條電極柵線203b在第二電極區201的寬度w2。於本實施例中，第二電極區201的複數條電極柵線203b’連接於匯流排電極202，並往遠離匯流排電極202的方向延伸，分別連接於複數條第一電極區 204的電極柵線203a，亦即第二電極區201電極柵線203b’的一端點連接於匯流排電極202，另一端點連接於複數條第一電極區204的電極柵線203a。電極柵線203b’的寬度w2大於電極柵線203a的寬度w1，可減少光電流由高聚光區I流經低聚光區Ⅱ時的電阻損耗。
以上各圖式與說明雖僅分別對應特定實施例，然而，各個實施例中所說明或揭露之元件、實施方式、設計準則、及技術原理除在彼此顯相衝突、矛盾、或難以共同實施之外，吾人當可依其所需任意參照、交換、搭配、協調、或合併。
雖然本發明已說明如上，然其並非用以限制本發明之範圍、實施順序、或使用之材料與製程方法。對於本發明所作之各種修飾與變更，皆不脫本發明之精神與範圍。
1‧‧‧聚光模組
10‧‧‧光電電池
20‧‧‧聚光型光電電池
12‧‧‧光線
13‧‧‧第一光學聚光器
11‧‧‧第二光學聚光器
102、202‧‧‧匯流排電極
103、103a、103b、203、203a、203b、203b’‧‧‧電極柵線
101、S1‧‧‧上表面
S2‧‧‧下表面
200‧‧‧上電極
209‧‧‧下電極
210‧‧‧半導體疊層
208‧‧‧下層子電池
207‧‧‧中層子電池
206‧‧‧上層子電池
205‧‧‧窗層
201‧‧‧抗反射層
I‧‧‧高聚光區
Ⅱ‧‧‧低聚光區
204‧‧‧第一電極區
201‧‧‧第二電極區
d、d1、d2‧‧‧週期距
s‧‧‧間距
w、w1、w2‧‧‧寬度
圖1係習知之一聚光模組。
圖2係習知一光電電池之上視圖。
圖2A係習知光電電池之部分上視圖。
圖3係習知之光電電池在聚光模組下的聚光情形。
圖4係依據本發明一實施例之一聚光型光電電池之剖面圖。
圖5係依據本發明第一實施例之一聚光型光電電池之上視圖。
圖6係依據本發明第一實施例之一聚光型光電電池之部分上視圖。
圖7係依據本發明第二實施例之一聚光型光電電池之上視圖。
圖8係依據本發明第二實施例之一聚光型光電電池之部分上視圖。
圖9係依據本發明第三實施例之一聚光型光電電池之上視圖。
圖10係依據本發明第三實施例之一聚光型光電電池之部分上視圖。
圖11係依據本發明第四實施例之一聚光型光電電池之上視圖。
圖12係依據本發明第四實施例之一聚光型光電電池之部分上視圖。
圖13係依據本發明第五實施例之一聚光型光電電池之上視圖。
圖14係依據本發明第五實施例之一聚光型光電電池之部分上視圖。

Claims (9)

  1. 一種光電電池，包含：一半導體疊層，具有一上表面；以及一上電極包含複數條電極柵線位於該半導體疊層的該上表面上，該複數條電極柵線包含複數條第一電極柵線及複數條第二電極柵線，其中該複數條第一電極柵線較該複數條第二電極柵線靠近該上表面之中心，且該複數條第二電極柵線置於該複數條第一電極柵線的四周且包圍該複數條第一電極柵線，其中，該複數條第一電極柵線的其中之一具有均勻的一第一寬度，該複數條第二電極柵線的其中之一具有均勻且大於該第一寬度的一第二寬度。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的光電電池，其中該上電極包含複數條匯流排電極，且該複數條電極柵線設於該複數條匯流排電極之間。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的光電電池，其中該複數條電極柵線與該複數條匯流排電極互相垂直，且該複數條電極柵線彼此互相平行。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的光電電池，其中該複數條第一電極柵線占該上表面的面積比例不大於80%。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的光電電池，更包含一抗反射層位於該半導體疊層的該上表面上。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的光電電池，更包含一光學聚光器置於該半導體疊層之上，以接受或傳遞一光至該半導體疊層的該上表面，其中該光在該上表面具有一光強度分佈，且該光強度分佈具有一高聚光區靠近於該上表面的中心，以及一低聚光區靠近於該上表面的邊緣，其中該高聚光區之聚光倍率高於該低聚光區。
  7. 如申請專利範圍第6項所述的光電電池，其中該複數條第一電極柵線對應位於該高聚光區且該複數條第二電極柵線對應於該低聚光區。
  8. 一種光電電池，包含：一半導體疊層，具有一上表面；以及一上電極包含複數條電極柵線位於該半導體疊層的該上表面上，該複數條電極柵線包含不相交的一第一柵線、一第二柵線及一第三柵線，其中該第二柵線位於該第一柵線及該第三柵線之間，且該第三柵線較該第一柵線及該第二柵線靠近該上表面之中心；其中，該第一柵線與該第二柵線之間具有固定的間距，且該第二柵線與該第三柵線之間具有變化的間距，該第三柵線包含一第一部份及一第二部分，該第二部分較該第一部份遠離該上表面的中心，且該第一部份與該第二柵線的間距小於該第二部分與該第二柵線的間距。
  9. 如申請專利範圍第8項所述的光電電池，其中，該第一柵線與該第二柵線的其中之一具有固定的一寬度，且該第三柵線具有變化的一寬度。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI535039B (zh) * 2015-03-27 2016-05-21 新日光能源科技股份有限公司 太陽能電池
WO2024048332A1 (ja) * 2022-09-02 2024-03-07 京セラ株式会社 太陽電池素子、および太陽電池モジュール

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWM370833U (en) * 2009-07-07 2009-12-11 Epistar Corp Solar cell
EP2219226A2 (en) * 2009-02-11 2010-08-18 Neo Solar Power Corp. Electrode structure and solar cell comprising the same
US20110247688A1 (en) * 2008-09-12 2011-10-13 Lg Chem, Ltd. Front electrode for solar cell having minimized power loss and solar cell containing the same
WO2011162406A1 (ja) * 2010-06-25 2011-12-29 京セラ株式会社 太陽電池素子およびその製造方法ならびに太陽電池モジュール
US20120125420A1 (en) * 2009-08-26 2012-05-24 Mitsubishi Electric Corporation Solar cell and manufacturing method thereof

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3622844A (en) * 1969-08-18 1971-11-23 Texas Instruments Inc Avalanche photodiode utilizing schottky-barrier configurations
US4115149A (en) * 1976-03-12 1978-09-19 Varian Associates, Inc. Concentrator arrangement for photovoltaic cell
US4180414A (en) * 1978-07-10 1979-12-25 Optical Coating Laboratory, Inc. Concentrator solar cell array module
US4227940A (en) * 1978-08-21 1980-10-14 Optical Coating Laboratory, Inc. Solar cell for use in concentrator
US4320250A (en) * 1980-07-17 1982-03-16 The Boeing Company Electrodes for concentrator solar cells, and methods for manufacture thereof
US4487989A (en) * 1983-07-25 1984-12-11 Atlantic Richfield Company Contact for solar cell
US4834805A (en) * 1987-09-24 1989-05-30 Wattsun, Inc. Photovoltaic power modules and methods for making same
NL1010635C2 (nl) * 1998-11-23 2000-05-24 Stichting Energie Werkwijze voor het vervaardigen van een metallisatiepatroon op een fotovoltaïsche cel.
US6900468B2 (en) * 2001-02-20 2005-05-31 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Indium chalcogenide, gallium chalcogenide, and indium-gallium chalcogenide phase-change media for ultra-high-density data-storage devices
US20070256725A1 (en) 2006-05-05 2007-11-08 Palo Alto Research Center Incorporated Solar Concentrating Photovoltaic Device With Resilient Cell Package Assembly
BRPI0714924A2 (pt) * 2006-07-28 2013-05-21 Megawatt Solar Llc conjunto refletor, sistemas e mÉtodos para coleta de radiaÇço solar para geraÇço de eletricidade fotovoltaica
US20080092942A1 (en) * 2006-10-13 2008-04-24 The Boeing Company Front contact design for high-intensity solar cells and optical power converters
US20110017263A1 (en) * 2007-09-05 2011-01-27 Solaria Corporation Method and device for fabricating a solar cell using an interface pattern for a packaged design
US20090235976A1 (en) * 2008-03-18 2009-09-24 Michael Ludowise Solar cell
AU2010278623B2 (en) * 2009-07-29 2015-09-03 Aton Optronics Inc Solar cell and method of fabrication thereof
US20110277835A1 (en) * 2010-07-23 2011-11-17 Cyrium Technologies Incorporated Solar cell with split gridline pattern
WO2012135915A1 (en) * 2011-04-07 2012-10-11 Newsouth Innovations Pty Limited Hybrid solar cell contact
GB2509097A (en) * 2012-12-19 2014-06-25 Rec Cells Pte Ltd Photovoltaic cell element having a specific electrode configuration

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110247688A1 (en) * 2008-09-12 2011-10-13 Lg Chem, Ltd. Front electrode for solar cell having minimized power loss and solar cell containing the same
EP2219226A2 (en) * 2009-02-11 2010-08-18 Neo Solar Power Corp. Electrode structure and solar cell comprising the same
TWM370833U (en) * 2009-07-07 2009-12-11 Epistar Corp Solar cell
US20120125420A1 (en) * 2009-08-26 2012-05-24 Mitsubishi Electric Corporation Solar cell and manufacturing method thereof
WO2011162406A1 (ja) * 2010-06-25 2011-12-29 京セラ株式会社 太陽電池素子およびその製造方法ならびに太陽電池モジュール

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