JP2002528927A - ダイシングソーの監視システム - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 プロセスの解析に対してダイシングデータを蓄積する、プロセスの安定性および基板における切断品質を監視するための方法および装置である。その装置は、スピンドルモーターに装着された刃を備えたスピンドルモーターを有する。スピンドルドライバは、所定の回転速度でスピンドルを駆動するためにスピンドルに接続されている。センサは、スピンドルの回転速度を決定するためにスピンドルモータに接続されている。コントローラは、基板から刃に生じる荷重に応答するスピンドルドライバを制御するために、モニタに接続されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】 （発明の分野） 本発明は一般に、半導体、および硬くてもろい物体を切断する電子産業で使用
されるタイプののこぎりに関する。より詳細には、本発明は、切断操作の間の高
速のダイシングソーの性能、およびパラメータを監視するシステムに関する。

【０００２】 （発明の背景） ソーイングによるダイ型分離、またはダイシングは、回転する円形の研磨用の
のこぎり刃で超小型電子基板をそれぞれの円形ダイに切断するプロセスである。
このプロセスは、現在用いられているものの中で最も効率的で、経済的な方法で
あると証明されてきた。それは、切断深さおよび切断幅（切口）の選択、ならび
に表面仕上げの選択において多能であると証明されている。そしてウエハーまた
は基板を部分的に、または完全に切断するために用いられ得る。

【０００３】 ウエハーダイシング技術は、急速に発達してきた。そしてダイシングは、現在
、半導体パッケージング作業のほとんどの初期段階において必須の手順である。
それは、シリコン集積回路ウエハー上のダイを分離するために広く使用されてい
る。

【０００４】 マイクロ波、ハイブリッド回路、メモリー、コンピュータ、防衛ならびに医用
電子工学における超小型電子技術の使用の増加が、産業に対する一連の新しい問
題および難題を与えてきた。サファイヤ、ガーネット、アルミナ、セラミック、
ガラス、石英、フェライト、および他の硬くてもろい基板のようなより高価で新
種の材料が用いられている。それらは、多層の非同類材料を作成するためにしば
しば組み合わされる。従って、ダイシング問題にさらに加えられる。材料上に作
成された回路の価格を伴なう、これらの基板の高いコストのために、ダイ分離相
において高い収量でないいかなるものも受け入れられることが困難になる。

【０００５】 ダイシングは、研磨剤粒子で機械加工する機械的なプロセスである。このプロ
セスのメカニズムは、クリープ研削と同じであると考えられている。このように
、類似性がダイシングと研削との間の物質的な移動の振る舞いにおいて発見され
得る。もろい材料研削の理論は、機械的な移動速度と研削ホイールに入力する力
との間に線形的な比例を予見する。しかしながら、ダイ分離に用いられるダイシ
ングの刃のサイズは、プロセスを固有のものとする。典型的に、刃の厚みは０．
６ｍｉｌ〜５０ｍｉｌ（０．０１５ｍｍ〜１．２７ｍｍ）の範囲である。そして
、ダイヤモンドの粒子（最も硬い材料として知られている）が研磨材料の成分と
して使用されている。ダイヤモンドダイシングの刃の極端な精密さのために、パ
ラメータの厳密なセットに伴なうたわみが避けられず、基準からのわずかなずれ
でさえ全面的な破損を生じ得る。

【０００６】 図１は、半導体デバイスの製造中の半導体ウエハー１００の等角図である。従
来の半導体ウエハー１００は、その上面に形成された複数のチップまたはダイ（
１００ａ、１００ｂ、・・・）を有し得る。チップ１００ａ、１００ｂ、・・・
を相互に、かつウエハー１００から分離するために、一連の直交する直線、すな
わち「ストリート」１０２、１０４がウエハー１００を切り分けられる。このプ
ロセスはまた、ウエハーのダイシング工程として公知である。

【０００７】 ダイシングソーの刃は、ハブのフランジ間にクランプされるか、または薄い可
撓性ののこぎりの刃を正確に配置しているハブ上に形成された環状の円盤の形状
で作製されている。上述したように、のこぎりの刃は、半導体ウエハーを切断す
るための硬い物質として、のこぎりの刃に捕捉されたダイヤモンド粒子の微粒子
粉末を利用する。この刃は、半導体材料を切断するために一体型のＤＣスピンド
ルモーターによって回転する。

【０００８】 切断の質を最適化すること、およびプロセスの変動を削減することは、ダイシ
ングツールと切断される材料（基板）との間の相関を理解する必要がある。磨耗
によって材料が除去されることに対して最も認められているモデルは、Ｗｅａｒ
Ｍｅｃｈａｎｉｓｍｓ ｉｎ Ｃｅｒａｍｉｃｓ、Ａ．Ｇ Ｅｖａｎｓ ａｎ
ｄ Ｄ．Ｂ Ｍａｒｓｈａｌ、ＡＳＭＥ Ｐｒｅｓｓ １９８１年、ｐｐ．４３
９−４５２に記述されている。このモデルは、研磨剤粒子によって、もろいセラ
ミックの破壊を引き起こすために適用されなければならない閾値荷重を予見して
いる。クラックは、予見された方向で材料に局在化した破壊を形成する。いくつ
かのクラックが３次元でつながると、材料は粒子として除去される。Ｅｖａｎｓ
とＭａｒｓｈａｌのモデルは、研磨剤粒子によって除去された材料の体積とこの
粒子によって受けた荷重の間に、次式に従う線形関係を予見している。

【０００９】 式（１）

【００１０】

【数１】 ここで、Ｖは除去された材料の体積、Ｐｎはピークノーマル荷重、αは材料に
固有な定数、Ｋは材料の定数、そしてｌは切断長である。α／Ｋの値は０．１〜
１．０の範囲である。

【００１１】 公式の相互関係を仮定すると、測定された荷重は、除去された材料との線形関
係を有するべきであるということになる。言い換えれば、公知の材料の体積が除
去されると、ホイールを切断する研磨剤により、基板上に公知の荷重がはたらく
。

【００１２】 Ｇｒｉｎｄｉｎｇ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ、Ｓ．Ｍａｌｋｉｎ、Ｅｌｌｉｓ
Ｈｏｒｗｏｏｄ Ｌｔｄ．、１９８９年、ｐｐ．１２９−１３９によれば、高い
割合の力学的エネルギー入力が、研磨のプロセスの間に熱に変化する。材料の除
去と荷重との間の線形関係からのずれとして観測され得る摩擦による過剰な熱の
発生は、ワークピースおよび／またはダイシングの刃にダメージを与え、おそら
くその一方または両方を破壊することになり得る。

【００１３】 ダイシング操作を監視するための従来技術のシステムは、基板における切断の
品質を決定するための視覚的手段に依存する。これらの従来技術のシステムは、
切断プロセスが視覚的に切り口を検査するために中断されなければならない欠点
を有する。さらに、切断の短いセクションのみだけが、１００％の検査に対して
過剰な時間の必要量を避けるために評価される。この短いセクションの検査の結
果が、十分な評価を提供するために推定されなければならない。加えて、底面が
さらにチッピングを受けたとしても、これらの視覚的なシステムだけが上面の検
査を可能にする。従って、半導体ウエハーの底面の評価は、オフラインで実施さ
れなければならない。すなわち、プロセスを終了させることで、およびダイシン
グソーからウエハーを取り除くことでウエハーの底面を検査する。

【００１４】 ダイシングプロセスを最適化するため、および材料（しばしば何千ドルもの価
値のある電子チップを含む）にダメージを与えないように、高い品質の切断を維
持するためにウエハーまたは基板のダイシングの間、刃の荷重を監視する必要が
ある。また、切断の長さ全体にわたって監視を実施する必要性と、監視の間プロ
セスを中断する必要性を避ける必要性もある。

【００１５】 （発明の要旨） 従来技術の欠点を考慮すると、ダイシングプロセス、および非可視性の手段に
よって基板に形成された切り口の品質を監視することを最適化するのに役立てる
ことが本発明の目的である。

【００１６】 本発明は、ダイシングプロセス、および基板を切断する切り口の品質を監視す
ることを最適化するためのダイシングソーモニタである。そのモニタは、スピン
ドルモーターに装着された刃を備えたスピンドルモーターを有する。スピンドル
ドライバは、所定の回転速度でスピンドルを駆動するためにスピンドルモーター
に接続されている。センサは、スピンドルの回転速度を決定するためにスピンド
ルモータに接続されている。コントローラは、基板から刃に生じる荷重に応答す
るスピンドルドライバを制御するために、モニタに接続されている。

【００１７】 本発明の別の局面によれば、コントローラは、スピンドルの速度、基板の供給
速度、切断深さ、および刃の上に生じた荷重に応答する冷却水供給速度のうち少
なくとも１つを自動的に制御する。

【００１８】 さらに本発明の別の局面によれば、刃の荷重は、刃の所定の回転速度を維持す
るために必要とされる電流に基づいて測定される。

【００１９】 本発明のなお別の局面によれば、スピンドルモーターの電流または電圧は、周
期的に測定される。

【００２０】 本発明のさらなる局面によれば、ディスプレイは、リアルタイムでダイシング
ソーの種々の条件を表示するために使用される。

【００２１】 本発明のこれらの局面および別の局面は、本発明の例示の実施形態の図面およ
び記載を参照して、以下に示される。

【００２２】 （詳細な説明） 半導体デバイスの製造において、個々のチップは、非常に高速で回転している
ソーの刃を用いて、大きなウエハから切断される。本質的に、ソーの刃は、第１
の方向で、続いて直交方向の第２の操作で、直線または切り口（図１に示されて
いる１０２、１０４）に沿ってウエハの一部を研削する。

【００２３】 チップの品質は、ダイシング操作中にチッピングを最小化することに直接関係
する。発明者は、ソーの刃−駆動しているスピンドルに関する荷重における変化
は、モータに対する電流において予測可能な関連した変化を引き起こすというこ
とを決定してきた。これらの変化は、必要とされる調整がダイシングプロセスを
中断することなしになされ得るように、オペレーターに対してリアルタイムで表
示され得る。

【００２４】 図２に関して、本発明の例示の実施形態が示されている。図２において、モニ
タ２００は、シャフト２０３を介してソーの刃２０４に接続したスピンドルモー
タ２０２を含む。スピンドルドライバ２０６によって供給された電流は、約２，
０００ＲＰＭ〜約８０，０００ＲＰＭの間の速度でスピンドルモータ２０２を駆
動する。スピンドルモータ２０２の回転は、ＲＰＭセンサ２０８によって監視さ
れ、続いて、ノード２１８を即座に判断する（ｓｕｍｍｉｎｇ）ためのスピンド
ルモータ２０２の回転速度を表わす出力２０９を発生する。続いて、サミングノ
ード２１８は、スピンドルモータ２０２の回転を制御するために、スピンドルモ
ータ２０６に制御信号２１９を提供し、その結果、スピンドルモータが実質的に
一定速度で回転する。

【００２５】 スピンドルモータ２０２は、荷重モニタ２１０によって監視される帰還電流２
１１を発生する。荷重モニタ２１０は、所望される場合、約１０Ｈｚ〜２５００
Ｈｚの間の速度で帰還電流を周期的に決定する。荷重モニタ２１０の出力２１３
は、制御ロジック２１２に接続されている。制御ロジック２１２はまた、プロセ
スパラメータ２１４を受け取る。これらのプロセスパラメータ２１４は、例えば
、同種のダイシングプロセスから集められたヒストリカルデータに基づき得る。
必要に応じて、制御ロジック２１２は、サミングノード２１８で、ＲＰＭセンサ
２０８の出力２０９と結合される制御信号２１５を発生する。サミングノード２
１８は、これらの信号を操作し、かつ、プロセスパラメータ２１４、荷重モニタ
２１０からのリアルタイム情報、およびＲＰＭセンサ２０８の出力２０９によっ
て定義されるようなスピンドルモータ２０２の回転速度に基づいてスピンドルモ
ータ２０２を制御する信号２１９を供給する。

【００２６】 制御ロジック２１２はまた、基板に刃によって形成されたそれぞれの切断に対
するＲＭＳ値を決定するためにフィルタに備えられ得る。加えて、制御ロジック
２１２はまた、表示モニタ２１６のディスプレイに対して信号を発生し得る。表
示された情報は、いくつかのパラメータ、例えば、現在のスピンドルモータ速度
、切断深さ、刃の荷重、基板供給速度、冷却水供給速度、およびプロセスパラメ
ータ２１４を含み得る。ディスプレイはまた、以下のプロセスに関係する情報、
例えば、ネットワークを経由してダイシングソーモニタに接続され得る他のプロ
セス設備（ｓｔａｔｉｏｎ）から受け取った情報を提供し得る。表示された情報
およびプロセスパラメータは、制御ロジック２１２の一部としてのメモリにおい
て、あるいは、（表示されていないが）磁気媒体または光媒体のような外部メモ
リにおいて保持され得る。

【００２７】 図３に関して、例示の荷重モニタリングの原理が示されている。図３において
、刃２０４は速度Ｖｓで回転する。一方、基板３００は速度Ｖｗで刃２０４に供
給される。切断力（Ｆ）３０２は、基板３００上の刃２０４によって働く。切断
力３００は、（図２に示されている）スピンドル２０３上の荷重に比例し、同様
に、回転速度Ｖｓを維持するために必要とされるスピンドルモータ２０２の電流
消費に比例する。

【００２８】 このモデルを使用して、本発明者らは、刃２０４上の荷重が次式 式（２）

【００２９】

【数２】 に従う帰還制御電流２１１に関係するというシミュレーションによって決定して
きた。

【００３０】 ここで、荷重はグラムで測定され、ＦＢは増幅器における帰還制御電流であり
、ＶＳはＫＲＭＰにおけるスピンドル速度であり、Ｌｓｉｍはシミュレータディ
スク半径であり、そしてＬｂｌａｄｅは刃の半径である。当業者が理解するよう
に、ＦＢはまた、電流および電圧がオーム則に従って互いに比例する場合に、ボ
ルトで測定され得る。

【００３１】 ダイシング操作の間にウエハから除去された材料の量Ｍは、次式 式（３） Ｍ＝Ｄ＊Ｗ＊ＦＲ に従って測定される。

【００３２】 ここで、Ｄは刃の切断深さであり、Ｗは切り口幅であり、そしてＦＲは刃に対
するウエハの供給速度である。

【００３３】 材料除去速度を試験するために、本発明者らは表１に従って一連の実験を行っ
た。

【００３４】

【表１】 その試験は、シリコンウエハを使用して８回行なわれた。試験の間、１つのフ
ァクター（Ｄ、Ｗ、またはＦＲ）は一定に保たれ、一方、他のファクターは変化
した。例えば、スピンドル速度は一定であった。そして、切断深さは０．００２
インチの増分で変化した。試験の結果が図４に示されている。図４に示されてい
るように、試験の点４０２は、種々に行った一連の試験に対してプロットされて
いる。示された種々の記号（黒三角、黒四角、白丸、白四角等）はそれぞれ、別
々のテストランを示している。これらのテストランの結果は、上記の式３におい
て示された仮定を支持する、基本的に直線プロットである。試験は上記の表１に
おいて概説されたように実行されたが、通常のプロセス操作において、切断深さ
は、約０．５インチ（１２．７ｍｍ）と同じ深さであり得るか、あるいは特定の
プロセスに依存してそれより大きくなり得る。

【００３５】 図５は、ベースラインより上のＲＭＳ荷重対刃に対するウエハの供給速度のグ
ラフである。図５において、以下のパラメータが使用された。

【００３６】 スピンドル速度−３０，０００ＲＰＭ 刃の厚み−０．００２インチ ウエハの型−６インチのブランク 冷却水フロー−メイン噴射１．６リットル／分 クリーニング−噴射０．８リットル／分 スプレー圧（Ｓｐｒａｙ ｂａｒｓ）−０．８リットル／分 図５において、プロット５００は、材料除去荷重対刃で測定された場合の基板
の供給速度である。図５に示されているように、供給速度がおよそ３．０インチ
／秒（７８．６ｍｍ／秒）を超えると、点５０２によって示されているように予
測される直線的な振る舞いから逸脱するということがわかった。従って、所望の
直線的な材料除去速度（これは、ダイシング操作の間、基板の底部でのチッピン
グに直接関係する）を維持するために、制御され得る１つのプロセスパラメータ
は、ウエハの供給速度である。供給速度は、所望される場合、切断される材料の
タイプと刃の状態に依存して、約０．０５インチ／秒（１．２７ｍｍ／秒）〜約
２０．０インチ／秒（５０８ｍｍ／秒）の間で変化し得る。

【００３７】 図６は、切断操作の間の刃の荷重を示したグラフである。図６において、グラ
フ６００は、ボルトで測定された荷重ＲＭＳ対ウエハに配置された切断のプロッ
トである。図６に示されているように、グラフ６００の部分６０２、６０４、６
０６は、部分６０８、６１０と比較した場合、刃の荷重における減少を示す。こ
れは、ウエハが円形であるという特徴に起因し、つまりウエハ１００に与えられ
たどのような方向においても、最初、および最後の数個の切断１０２、１０４（
図１に示される）が短い。結果として、切断１０２、１０４はウエハ１００を設
置するために用いられるテープ（示されず）で開始および終結し、ウエハ１００
から除去された材料の量は少なく、これは次に、より小さい刃の荷重として示さ
れる。

【００３８】 図６において、ウエハの直径は約６インチ（１５２．４ｍｍ）であり、かつ切
断指数は０．２インチ（５．０８ｍｍ）である。従って、約切断３０で、ウエハ
の末端は、刃の荷重が減少する結果となる第１の一連の切断に到達する。同様に
、第２の一連の切断がウエハにおいて第２の方向に実行されたとき（通常第１の
一連の切断に対して直交する）、最初の切断および最後の切断はそれぞれ、減衰
した刃の荷重６０４および６０６として検出される。従って、ウエハの予想され
る末端と比較される場合、例示の実施形態はまた、ウエハの末端が刃の減衰した
荷重に基づいて、いつ到達されるかを決定するために用いられ得る。加えて、刃
の荷重が、ウエハの末端が予想されない点においてあまりにも低い場合、このこ
とはオペレーターの注意を必要とするプロセスの故障を示し得る。この場合にお
いて、オペレーターは、可視および／または可聴式の表示器によってこの状況に
対して警告され得る。所望であれは、このプロセスはまた自動的に停止され得る
。

【００３９】 図７は、ダイシング操作の間の刃の荷重を示した別のグラフである。図７にお
いて、縦軸は所定の基準線より上の荷重電圧を測定したものである。そのベース
ラインは例えば、理論的、歴史的、または経験的データから決定され得る。図７
に示されているように、ベースラインより上の荷重は、最初の数個の切断７０２
、および最後の数個の切断７０４に対して低い。切断が最大荷重７０６へとウエ
ハを横断して進行すると、荷重が増加する。帰還電圧が所定の閾値７０８に達し
た場合、または超えた場合、例示の実施形態は、（オーム則に従う電流に直接関
係する）帰還電圧を監視し、かつオペレーターに警告し得る、または操作のパラ
メータ（例えば、供給速度または切断深さ）を変化させ得る。本発明者らは、ウ
エハの底面のチッピングは、所定の値を超える荷重に直接関係するということを
発見した。従って、帰還電圧を監視することで、本発明の例示の実施形態はまた
、ウエハの底面の可視的な点検を行えるように、ウエハを移動するためのプロセ
スを止める必要性なしにウエハのチッピングを決定することができる。その上、
過剰な荷重は、基板にネガティブに影響し得る刃の損傷、または磨耗を示し得る
。

【００４０】 本発明者らは、例示の実施形態を参照して記載してきたが、それらに限定され
ない。むしろ、特許請求の範囲は、本発明の真の意図および範囲から逸脱するこ
となく、当該者によりなされ得る本発明の他の改変および実施形態を含むことが
解釈されるべきである。

【００４１】 本発明は、添付の図面を読むことにより、上記の詳細な説明から最良に理解さ
れる。共通の実施に従って、図面の種々の特徴は、スケールによらないことが強
調される。これに反して、種々の特徴の寸法は、明瞭のために任意に拡大または
縮小される。図面に含まれているものは、以下の図である。

【図面の簡単な説明】

【図１】 半導体デバイスを形成するために用いられる半導体ウエハの等角図である。

【図２】 本発明の例示の実施形態のブロック図である。

【図３】 図２の例示の実施形態に従う荷重モニタリングの原理を示す図である。

【図４】 刃の荷重電圧対除去された基板材料を示す実験データのグラフである。

【図５】 刃の荷重電圧対基板の供給速度を示す実験データである。

【図６】 切断（ダイシング）操作の間の刃の荷重を示すグラフである。

【図７】 ダイシング操作の間の刃の荷重を示す別のグラフである。

Claims (19)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 プロセスの安定性と基板における切断の品質を監視するため
   にソーとともに使用するためのデバイスであって、該デバイスは、 ソーの刃の速度を決定するためのセンサと、 該基板によって該刃の上に配置された荷重を決定するためのモニタと、 該荷重に応答性の実質的に一定の速度で、該刃を維持するために、該モニタに
   接続されたコントローラーと、 を備える、デバイス。
2. 【請求項２】 請求項１に記載のデバイスであって、 前記ソーの前記刃に接続されたモータと、 該モータを駆動するための該モータに接続されたドライバと、 をさらに備え、該ドライバは前記コントローラーからの制御された信号に応答性
   の実質的に一定の速度で、該モータを駆動する、デバイス。
3. 【請求項３】 請求項２に記載のデバイスであって、i）前記モータの速度
   、ii）前記刃に対する前記基板の供給速度、iii）該基板の上の該刃の高さ、ｉ
   ｖ）冷却水供給速度、およびｖ）該モータの帰還電流、のうちの少なくとも１つ
   を表示するための前記コントローラーに接続されたディスプレイをさらに備える
   、デバイス。
4. 【請求項４】 請求項３に記載のデバイスであって、前記ディスプレイによ
   って表示された情報を格納するための記憶手段をさらに備える、デバイス。
5. 【請求項５】 請求項２に記載のデバイスであって、前記モニタは、該モニ
   タからの帰還制御電流および帰還制御電圧出力のうちの少なくとも１つを測定す
   る、デバイス。
6. 【請求項６】 請求項２に記載のデバイスであって、 前記センサの出力および前記コントローラーからの制御信号に基づいて前記ド
   ライバに駆動信号を供給する前記コントローラー、および該センサに接続された
   操作回路をさらに備え、 該コントローラーは、ｉ）前記モニタの出力、およびｉｉ）少なくとも１つの
   前記荷重に応答性の該ドライバを制御するための制御パラメータ、を受け取る、
   デバイス。
7. 【請求項７】 請求項２に記載のデバイスであって、前記コントローラーは
   、ｉ）前記モータの速度、ｉｉ）前記刃に対する前記基板の供給速度、ｉｉｉ）
   該基板に対しての該刃の切断深さ、およびｉｖ）前記荷重に応答性の冷却材供給
   速度、のうち少なくとも１つを自動的に制御する、デバイス。
8. 【請求項８】 請求項７に記載のデバイスであって、前記切断深さは、約０
   ．００２インチ（０．０５０ｍｍ）〜０．０５０インチ（１．２７ｍｍ）の間で
   ある、デバイス。
9. 【請求項９】 請求項７に記載のデバイスであって、前記基板の供給速度は
   、約０．０５インチ／秒（１．２７ｍｍ／秒）〜２０．０インチ／秒（５０８ｍ
   ｍ／秒）の間である、デバイス。
10. 【請求項１０】 請求項７に記載のデバイスであって、前記基板の供給速度
    は、約２．０インチ／秒（５０．８ｍｍ／秒）〜３．０インチ／秒（７６．２ｍ
    ｍ／秒）の間である、デバイス。
11. 【請求項１１】 請求項７に記載のデバイスであって、前記モータの前記速
    度は、約２，０００ｒｐｍ〜８０，０００ｒｐｍの間である、デバイス。
12. 【請求項１２】 請求項７に記載のデバイスであって、前記モータの前記速
    度は、約１０，０００ｒｐｍ〜５７，０００ｒｐｍの間である、デバイス。
13. 【請求項１３】 請求項２に記載のデバイスであって、前記モニタは、前記
    荷重を決定するための前記ドライバによって、前記モータに供給された電流を測
    定する、デバイス。
14. 【請求項１４】 請求項１３に記載のデバイスであって、前記電流は、約１
    ０Ｈｚ〜２５００Ｈｚの間の周波数で測定される、デバイス。
15. 【請求項１５】 請求項１３に記載のデバイスであって、前記測定された電
    流は、ｉ）前記基板のチッピングのサイズおよび周波数、ｉｉ）切り口幅、およ
    びｉｉｉ）切り口の直線性、のうちの少なくとも１つを決定するための基準電流
    と匹敵する、デバイス。
16. 【請求項１６】 請求項１３に記載のデバイスであって、前記基板の前記刃
    によって生じた複数の切断のそれぞれに対するＲＭＳあるいは平均値を決定する
    ためのフィルタをさらに備える、デバイス。
17. 【請求項１７】 請求項１に記載のデバイスであって、前記基板は、硬くて
    もろい基板であり、かつ該基板は、エッジの欠陥が最小である複数のダイに切断
    される、デバイス。
18. 【請求項１８】 請求項１に記載のデバイスであって、前記基板は、半導体
    であり、かつ該基板は、エッジの欠陥が最小である複数のダイに切断される、デ
    バイス。
19. 【請求項１９】 請求項１に記載のデバイスであって、前記刃および前記基
    板のうちの少なくとも１つの切迫した失敗を予想するための手段をさらに備える
    、デバイス。