JP2002527886A - 半導体の銅ボンドパッドの表面保護 - Google Patents
半導体の銅ボンドパッドの表面保護Info
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- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
- H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
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- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
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- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45147—Copper (Cu) as principal constituent
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- H01L2224/48599—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au)
- H01L2224/486—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/48638—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/48647—Copper (Cu) as principal constituent
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- H01L2224/487—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Aluminium (Al) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/48738—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Aluminium (Al) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
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- H01L2224/48838—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Copper (Cu) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
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Abstract
Description
−金属コンタクトを得るための、ボール、ウェッジ、若しくはフリップチップボ
ンディングのときに、十分な脆性を有するセラミックコーティングにより半導体
の銅ボンドパッド表面を保護する方法に関する。この方法は、水分や水溶液に対
して長期間さらされる間、例えばソーイングが行われる間に、銅ボンドパッドを
保護する。
なければ、アルミニウムの使用に対する魅力的な代替手段となりうる。この汚染
は、容易に表面を酸化し、ワイヤボンディング装置の標準的方法によっては取り
除くことができず、フリップチップボンディングのようなハンダ付けの接続にお
いてはフラックスの使用を必要とするようなコーティングを形成する。この問題
を解決するために行われている試みには、避けがたく高価で複雑な、ボンドヘッ
ドとワークホルダの動きを制限するカバーガスの使用が含まれ、又はさらに高価
であり、ボンドパッド境界面に不要な合金化合物を形成する貴金属又は不活性な
金属のオーバーメッキの使用が含まれる。
に対するアルミニウムワイヤのウェッジボンドを樹脂で密閉する。ウェッジボン
ディングの前には銅パッドの酸化防止の保護はなされていない。
ムの表面層により酸化から保護する。このことは、アルミニウムボンドパッドを
銅ボンドパッドに置き換えることにより得られる長所よりも劣る。
表面を酸化から保護する方法に対する必要性は依然として存在している。 (発明の概要) この必要性は、本発明により満足される。ボンディング表面と、そこに接着さ
れるワイヤとの間に金属−金属コンタクトを得るために十分な脆性を有し、フラ
ックスを使用しないハンダ付けに適合する表面を得るための、銅ボンドパッドの
ボンディング表面に使用するセラミックコーティングが開発された。
一般的に使用可能であることも発見された。即ち、本発明は、有機基板パッケー
ジ、金属基板パッケージ、セラミック基板パッケージ等における銅表面の保護の
ためのセラミックコーティングを提供する。
他の金属表面と接着するときに不利となる環境的汚染から保護する方法が提供さ
れ、この方法は、フラックスを必要としないハンダ付けに適切な厚さを有し、表
面の間に金属−金属コンタクトを得るべく接着されるときに十分な脆性を有する
セラミック材料の層により、表面をコーティングする工程を備える。
本発明の好適な実施形態において、銅回路において絶縁されていない部分は、銅
からなる半導体ボンドパッドのボンディング表面である。
を備えた、絶縁されていない銅回路表面を有する電子パッケージを提供する。従
って、本発明の他の実施形態によると、フラックスを使用しないハンダ付けに適
合する厚さを有し、上述の硬さを備えたセラミック材料の層によりコーティング
された、少なくとも1つの絶縁されていない銅回路を有する電子パッケージが提
供される。好適な実施形態において、電子パッケージは、絶縁されていない銅ボ
ンドパッドを備えた半導体である。
ングされた、絶縁されていない部分を有する銅回路を備えた電子パッケージを含
む。この層は、銅錯体の形成、及び水素を含む還元性環境に曝すことにより、フ
ラックスを使用しないハンダ付けに適合する厚さと、前述の硬さとを有する水素
化物セラミック層を形成することになる厚さを有する。
えた銅回路の絶縁されていない部分を有する電子パッケージが含まれる。従って
、本発明の他の実施形態によると、銅−希土類金属錯体の金属水素化合物、銅と
非固溶である金属の金属水素化物から選択される金属水素化合物の表面層により
コーティングされた、銅回路の絶縁されていない部分を備え、この表面層がフラ
ックスを使用しないハンダ付けに適合する厚さと上述の硬さとを有する、電子パ
ッケージが提供される。好適な電子パッケージは少なくとも1つの銅ボンドパッ
ドを有する半導体である。
ーガス技術及びハードウエアを制約することなく、現存する装置を使用した、銅
回路に対するワイヤの接着を可能とする。本発明の前述の、及び他の目的、特徴
、及び長所は、添付の図面に関連して以下に記載される好適な実施形態の詳細な
説明によりさらに容易に明確となる。
を使用しないハンダ付けに適合する厚さを有する保護セラミックコーティング層
が形成される。セラミック層の厚さは、少なくとも各ボンディング表面とそこに
接着されるワイヤとの間に金属−金属コンタクトを得るべくボンディングされる
際に、十分な脆性を有するために、最低限の硬さを与えるように選択される。
衝撃を受けると柔軟に変形するためである。セラミック材料は塑性域においては
変形されることがないため、ワイヤボンディングの間に衝撃によりその層は打ち
砕かれ、横へ押しやられる。
合する硬さを有する。セラミックの硬さに対する1つの指標は、ロックウェルス
ーパーフィシャル硬さ(45−N)であり、ソミヤ (Somiya) 、Advanced Techn
ical Ceramics (Prentice Hall, Engl ewood Cliffs, NJ 1996)に規定される。
本発明への適用に適合するセラミック材料は約38以上のロックウェル固さ(N
−45)を有する。
ter)、Materials Science and Engineering, An Introduction (3rd Ed., John
Wiley & Sons, New York 1994)第4頁に規定されるものを採用する。カリスター
は、セラミック材料を、金属と非金属元素との化合物であり、最も一般的には酸
化物、窒化物、及び炭化物の形態である化合物、と規定する。この分類における
セラミック材料には、粘度鉱物、セメント及びガラスからなる材料が含まれる。
セラミック材料は電気と熱の伝導に対して絶縁性を有し、金属及びポリマーより
も、高温や過酷な環境に対して耐性を有する。機械的な性質としては、セラミッ
ク材料は硬いが、非常に脆弱である。
の銅ボンドパッド10のボンディング表面12がクリーニングされる(工程1)
。銅表面が新しく、汚染する空気にさらされていないときは、工程1のクリーニ
ングは必要ない。この実施の態様において、ボンディング表面12は、水素化物
を形成する、銅と非固溶である金属、若しくは銅と錯体を形成する希土類金属の
層14によりコーティングされる(工程2)。表面層14の適切なコーティング
のためには、パッド10の表面12上に形成される酸化物、水酸化物、及び硫化
物を除去することが必要である。この除去が完全になされたときに限り、表面の
コーティングが適切になされる。表面12は、水素を含む雰囲気のような還元雰
囲気にさらすことにより、あるいはプラズマクリーニングのようなクリーニング
技術を含む、他のあらゆる従来技術の表面還元技術により本質的に、還元可能で
ある。
)及びニオビウム(Nb)が含まれるが、これらに限定されない。銅と錯体を形
成する希土類金属の例には、ランタン(La)、イットリウム(Y)、及びセリ
ウム(Ce)が含まれるが、これらに限定されない。
より、金属層14でコーティングされる。希土類金属は、銅錯体を形成するため
に被着後の加熱工程を必要とすることもある。
る。銅と非固溶である金属は、銅ボンドパッドがウエハ製作において形成される
ときに銅と二元堆積されてもよい。製作後にウエハを加熱することにより、二元
堆積された非固溶な金属は、銅ボンドパッドの表面に移動し、酸化保護層を形成
する。無電解、又は電着技術を使用してもよい。
らない。すなわち、形成されたセラミック層は、ロックウェル固さ(N−45)
が約38以上である層を提供することに十分な厚さである必要がある。適切なセ
ラミック層は、約10〜1000オングストロームの厚さ、好適には25〜50
0オングストロームである。
被着されることが望ましい。これは、約10〜1000オングストロームの厚さ
の希土類金属層を適用することにより達成可能である。
可能とするために十分に薄いことが望ましい。この目的のため、層12はパッド
10と層14を合わせた厚さの1/10を越えない厚さでなければならない。約
10〜100オングストロームの厚さが好適である。
マクリーニング処理のように、水素を含むプラズマにボンドパッドを曝すかの、
いずれかの、水素を用いた還元により水素化物層に変換される(工程3)。一旦
形成されると、水素化物層16は、室温で安定である。層14の被着又は水素化
物への変換は、ウエハ製作時においてされる必要はない。両方の工程は、後で行
うこともある。上述のように、層14の適切な被着のためには、被着の前にボン
ドパッド10の表面12はクリーニングされる必要がある。
に、還元雰囲気が十分に強力である限り、ワイヤボンディング又はフリップチッ
プボンディングの前の、いずれの工程においても実施可能である。適切な還元の
条件は、過度に実験しなくても、当業者により容易に決定されるものである。
れにも関わらず、水素化物層は脆性を有するため、表面12とそこにボンディン
グされるワイヤ(図示せず)との間に金属−金属コンタクトを得るために、従来
のボール若しくはウェッジワイヤボンディングを行うことが可能であり、またハ
ンダ付けの処理のために準備された表面も供給する。
ときに急激に分解する。1つの機構は機械的であり、水素化物層の脆性に起因す
る。水素化物は、ボンディングの間に熱により脱水素化し、ボンドパッド上に水
素のカバーを形成するので、これによっても酸化が防止される。
素を含む雰囲気が、表面層からあらゆる汚染物を還元した後、表面層を水素化す
ることに十分に強力である限り、ワイヤボンディング又はハンダ付けの前の、い
ずれの工程においても行うことが可能である。
合の、単一の工程のプロセスも含まれる。代わりに、清浄な銅ボンドパッドは、
フラックスを使用しないハンダ付けに適合し、ロックウェル固さ(N−45)が
約38以上の層を与える厚さを有するセラミック材料の層でコーティングされる
ため、この層がボール若しくはウェッジワイヤボンディングのときに十分な脆性
を有し、各ボンディング表面とそこに接着されるワイヤとの間の金属−金属コン
タクトが得られる。
酸化物;アルミニウム、マグネシウム、及びジルコニウムの酸化物;珪素及びチ
タンの二酸化物;タングステン及びホウ素の炭化物; 及び立方晶窒化ホウ素及び
ダイヤモンドが含まれる。
により形成される。 本発明は、半導体のボンドパッド以外の、銅回路の絶縁されていない表面に対
する、同一の材料及び方法の工程を使用したコーティングに、適用可能である。
従って、ボンディングの前に、例えば、ポリマーボールグリッドアレイ(PBG
A)、低熱抵抗ポリマーボールグリッドアレイ(EPBGA)、テープボールグ
リッドアレイ(TBGA)等のプラスチック基板パッケージ、金属クワッドフラ
ットパッケージ(MQFP)、メタルリードチップキャリア(Metal Le
aded Chip Carrier,MLCC)、薄小型パッケージ(TSO
P)等の金属基板パッケージ、及びセラミッククワッドフラットパッケージ(C
QFP)、セラミックDIP(CDIP)、リードレスセラミックチップキャリ
ア(LCCC)等のセラミック基板パッケージの絶縁されていない銅回路表面を
保護するために、同一のセラミックコーティングが使用可能である。
する。この表面は、現存するボール及びウェッジワイヤボンディング、又はフリ
ップチップボンディングプロセス及び装置に対して、変更又は付加を行うことな
く使用して、従来技術により、ボール又はウェッジワイヤボンディングされるこ
とができる表面である。
明の有効な技術的範囲を制限するものではない。特筆しない限り全ての部分及び
パーセントは重量によるものであり、全ての温度はセルシウス温度である。
長法により形成される。10〜1000オングストロームの厚さの窒化珪素の脆
性セラミックコーティングが、スパッタリングにより形成される。
ヤボールボンディングを行った。ワイヤボンディングのプロセス条件は以下のよ
うであった:
sec) 超音波レベル=35−250mAmp又は同等のエネルギー又は電圧設定 ボンディング時間=5−50msec ボンディング力=10−40g 自由大気ボール直径=1.4〜3.0mil(35.56〜76.2μm)
ことがわかった:AFW−8、AFW−14、AFW−88、AFW−FP、及
びAFW−FP2。比較的に硬いワイヤであるAFW−FP及びAFW−FP2
の特性が最も良かった。
ャピラリーが設計されたボンドボール領域にボンダビリティを与えることがわか
った。最も特性の良いキャピラリーは、部品番号414FA−2146−335
及び484FD−2053−335であった。
ル形成のために不活性カバーガスが使用された。接着パラメータは、接着された
同一のボールサイズの金のパラメータとは異なるが、接着パラメータレンジは、
金ボールの銅基板に対するボンディングのパラメータレンジと大きく違わなかっ
た。
レームにより規定される。上記の記載に対する多数の変更及び組み合わせは、本
発明の請求の範囲の発明から逸脱することなく使用されることができる。これら
の変更は、本発明の趣旨及び範囲からの逸脱と解されるべきではなく、請求の範
囲内に含まれるものである。
素化物形成材料及び金属水素化物によりコーティングされた銅ボンドパッドを備
えた本発明の半導体デバイスを示す断面図。
Claims (40)
- 【請求項1】 銅回路の絶縁されていない部分の表面を、この表面が他の金
属表面に接着されるときに有害な環境的汚染から保護する方法において、前記方
法は、フラックスを使用しないハンダ付けに適切である厚さを有し、表面の間に
金属−金属コンタクトを得るために表面が接着されるときに十分な脆性を有する
セラミック材料の層により、前記表面をコーティングする工程を有することを特
徴とする方法。 - 【請求項2】 請求項1に記載された方法において、前記表面は銅の半導体
ボンドパッドのボンディング表面であり、前記セラミック材料は、ボンディング
表面とそこにボンディングされるワイヤとの間で金属−金属コンタクトを得るた
めにボール若しくはウェッジワイヤボンディングをするときに十分な脆性を有す
る厚さを有することを特徴とする方法。 - 【請求項3】 請求項1に記載された方法において、前記コーティング層の
厚さにより、約38以上のロックウェル固さ(N−45)が与えられることを特
徴とする方法。 - 【請求項4】 請求項1に記載された方法において、前記コーティング層は
、約10〜1000オングストロームの厚さを有することを特徴とする方法。 - 【請求項5】 請求項1に記載された方法において、前記セラミック材料は
、窒化珪素、炭化珪素、窒化チタン、窒化タンタル、酸化アルミニウム、酸化マ
グネシウム、二酸化珪素、二酸化チタン、酸化ジルコニウム、炭化タンタル、炭
化タングステン、炭化チタン、炭化ホウ素、立方晶窒化ホウ素、及びダイヤモン
ドからなるグループから選択されることを特徴とする方法。 - 【請求項6】 請求項1に記載された方法において、前記銅回路の絶縁され
ていない部分の表面を、希土類−銅錯体、及び銅に非固溶であり、金属水素化合
物を形成する金属から選択された、材料の層によりコーティングした後、このコ
ーティングされた表面を、水素を含有する還元環境下にさらすことを特徴とする
方法。 - 【請求項7】 請求項6に記載された方法において、前記コーティングは、
前記表面を還元環境下にさらす直前に形成されることを特徴とする方法。 - 【請求項8】 請求項6に記載された方法において、前記還元環境下にコー
ティングされた表面をさらす工程は、水素を含有する還元雰囲気中で前記コーテ
ィングされた表面を加熱する工程、又は前記コーティングされた表面に水素を含
有するプラズマに接触させる工程を有することを特徴とする方法。 - 【請求項9】 請求項6に記載された方法において、前記層は、気相成長法
、電着、又は化学的析出法によりコーティングされることを特徴とする方法。 - 【請求項10】 請求項1に記載された方法において、前記層は、気相成長
法により前記表面にコーティングされることを特徴とする方法。 - 【請求項11】 請求項9に記載された方法において、前記層は、銅錯体を
形成する希土類金属の前記表面上に、気相成長法、電着、又は化学的析出法によ
り形成された銅−希土類金属錯体からなることを特徴とする方法。 - 【請求項12】 請求項11に記載された方法において、前記銅錯体を形成
するために、前記被着された希土類金属表面層を加熱する工程を有することを特
徴とする方法。 - 【請求項13】 請求項11に記載された方法において、前記表面層は、大
部分が前記銅−希土類金属錯体からなることを特徴とする方法。 - 【請求項14】 請求項6に記載された方法において、前記表面層は、銅と
非固溶である金属からなることを特徴とする方法。 - 【請求項15】 請求項14に記載された方法において、前記銅と非固溶で
ある金属層は、銅と前記銅と非固溶である金属とを二元堆積することにより形成
し、加熱することにより前記銅と非固溶である金属が前記層の表面に移動するこ
とを特徴とする方法。 - 【請求項16】 請求項14に記載された方法において、前記表面層は、前
記絶縁されていない銅回路と前記表面層とを合計した厚さの約20%以下の厚さ
を有することを特徴とする方法。 - 【請求項17】 銅回路の絶縁されない部分が、フラックスを使用しないハ
ンダ付けに適切な厚さを有し、表面の間で金属−金属コンタクトを得るために接
着されるときに十分な脆性を有するセラミック材料の表面層によりコーティング
されたことを特徴とする電子パッケージ。 - 【請求項18】 請求項17に記載されたパッケージにおいて、前記セラミ
ック材料は、希土類−銅錯体の水素化物、水素化物を形成し銅と非固溶である金
属の水素化物、窒化珪素、炭化珪素、窒化チタン、窒化タンタル、酸化アルミニ
ウム、酸化マグネシウム、二酸化珪素、二酸化チタン、酸化ジルコニウム、炭化
タンタル、炭化タングステン、炭化チタン、炭化ホウ素、立方晶窒化ホウ素、及
びダイヤモンドからなるグループから選択されることを特徴とするパッケージ。 - 【請求項19】 請求項17に記載されたパッケージにおいて、前記セラミ
ック材料の層は、前記厚さにより、約38以上のロックウェル硬さ(N−45)
を与えられることを特徴とするパッケージ。 - 【請求項20】 請求項17に記載されたパッケージにおいて、前記層は、
約10〜1000オングストロームの厚さを有することを特徴とするパッケージ
。 - 【請求項21】 請求項17に記載されたパッケージにおいて、表面層でコ
ーティングされた絶縁されない銅ボンドパッドを有する少なくとも1つのデバイ
スと、この表面層は、各ボンディング表面、及びそこにボンディングされるワイ
ヤの間に金属−金属コンタクトを得るためのボール若しくはウェッジワイヤボン
ディングのときに十分な脆性を有することとを備える半導体ウエハを特徴とする
パッケージ。 - 【請求項22】 請求項21に記載されたウエハにおいて、前記ウエハデバ
イスの前記ボンドパッドに対してボール若しくはウェッジボンディングされた少
なくとも1本のワイヤを有することを特徴とするウエハ。 - 【請求項23】 請求項21に記載されたウエハにおいて、前記デバイスは
、少なくとも1本のワイヤリードが前記金属水素化物によりコーティングされた
ボンドパッドにハンダ付けされたフリップチップであることを特徴とするウエハ
。 - 【請求項24】 銅回路の絶縁されていない部分が、銅−希土類金属錯体、
及び銅と非固溶である金属から選択された、水素化物を形成する材料の表面層に
よりコーティングされたことを特徴とする電子パッケージにおいて、前記表面層
は、水素を含有する還元環境下にさらすことにより、フラックスを使用しないハ
ンダ付けに適切であり、表面の間に金属−金属コンタクトを得るために接着され
るときに十分な脆性を有する硬さの層を提供する厚さを有する水素化物層を形成
した電子パッケージ。 - 【請求項25】 請求項24に記載されたパッケージにおいて、前記表面層
は、銅と非固溶である金属からなることを特徴とするパッケージ。 - 【請求項26】 請求項25に記載されたパッケージであって、ウエハ工程
において前記ボンドパッドを形成するために、前記表面層を、前記銅の非固溶金
属と銅との二元堆積により形成し、前記ウエハを加熱することにより、前記銅と
非固溶である金属が前記ボンドパッドの表面に移動し、前記表面層が形成される
ことを特徴とするパッケージ。 - 【請求項27】 請求項26に記載されたパッケージにおいて、前記表面層
は、前記ボンディング表面上に対する、前記銅と非固溶である金属の気相成長法
、電着、又は化学的析出法により形成されることを特徴とする方法。 - 【請求項28】 請求項24に記載されたパッケージにおいて、前記表面層
は、その大部分が銅−希土類金属錯体からなることを特徴とするパッケージ。 - 【請求項29】 請求項28に記載されたパッケージにおいて、前記銅錯体
は、前記ボンドパッド表面上に前記希土類金属により、気相成長法、電着、又は
化学的析出法によって層状に形成されていることを特徴とするパッケージ。 - 【請求項30】 請求項29に記載されたパッケージにおいて、前記銅錯体
は、前記被着された希土類金属層を加熱することにより形成されたことを特徴と
するパッケージ。 - 【請求項31】 銅回路の絶縁されていない部分が銅錯体を形成する希土類
金属の表面層によりコーティングされることを特徴とする電子パッケージにおい
て、前記表面層は、前記銅錯体の形成および水素を含有する還元環境下にさらす
ことにより、フラックスを使用しないハンダ付けに適切であり、表面に金属−金
属コンタクトを得るために接着するときに十分な脆性を有する厚さの水素化物層
を形成する厚さを有する電子パッケージ。 - 【請求項32】 請求項31に記載されたパッケージにおいて、前記表面層
は、前記ボンドパッド表面上に、前記希土類金属を気相成長法、電着、又は化学
的析出法により層に形成されたことを特徴とするパッケージ。 - 【請求項33】 銅回路の絶縁されていない部分が、銅−希土類金属錯体の
金属水素化物、及び金属水素化物を形成し、銅と非固溶である金属の金属水素化
物から選択された金属水素化物の表面層によりコーティングされたことを特徴と
する電子パッケージにおいて、前記表面層は、フラックスを使用しないハンダ付
けに適切であり、表面の間で金属−金属コンタクトを得るために表面を接着する
ときに十分な脆性を有する厚さの電子パッケージ。 - 【請求項34】 請求項33に記載されたパッケージにおいて、前記表面層
は、銅と非固溶である金属の水素化物からなることを特徴とするパッケージ。 - 【請求項35】 請求項24又は36に記載されたパッケージにおいて、前
記銅と非固溶である金属は、Ta、V及びNbから選択されることを特徴とする
パッケージ。 - 【請求項36】 請求項33に記載されたパッケージにおいて、前記表面層
は、その大部分が銅−希土類金属錯体からなることを特徴とするパッケージ。 - 【請求項37】請求項28、31又は33に記載されたパッケージにおいて
、前記希土類金属は、La、Y及びCeから選択されることを特徴とするパッケ
ージ。 - 【請求項38】 請求項17、24、31、又は33に記載されたパッケー
ジにおいて、前記パッケージは、有機基板パッケージ、金属基板パッケージ、又
はセラミック基板パッケージを有することを特徴とするパッケージ。 - 【請求項39】 請求項24又は31において、絶縁されていない銅ボンド
パッドを有する少なくとも1つのデバイスを備える半導体ウエハを特徴とするパ
ッケージ。 - 【請求項40】 請求項33に記載されたパッケージにおいて、各ボンディ
ング表面とそこにボンディングされるワイヤとの間に金属−金属コンタクトを得
るためのボール若しくはウェッジワイヤボンディングのときに十分に脆性を有す
る表面層によりコーティングされ、絶縁されていない銅ボンドパッドを有する少
なくとも1つのデバイスを備える半導体ウエハを特徴とするパッケージ。
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