JP2002526664A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2002526664A5 JP2002526664A5 JP2000575093A JP2000575093A JP2002526664A5 JP 2002526664 A5 JP2002526664 A5 JP 2002526664A5 JP 2000575093 A JP2000575093 A JP 2000575093A JP 2000575093 A JP2000575093 A JP 2000575093A JP 2002526664 A5 JP2002526664 A5 JP 2002526664A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- angular motion
- magnetic angular
- alloy
- eas marker
- proportion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000003550 marker Substances 0.000 description 50
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 34
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 34
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 16
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 12
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 12
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 12
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 12
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 12
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 12
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 12
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 12
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 11
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 11
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 6
- 229910000808 amorphous metal alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000012190 activator Substances 0.000 description 4
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 4
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
Description
【特許請求の範囲】
【請求項１】 磁気角運動ＥＡＳマーカーであって、
本質的にＦｅａＣｏｂＮｉｃＭｄＢｅＳｉｆＣｇから成る組成を持つアモルファス磁気ひずみ金属合金のストリップの形をとる賦活要素と、
レベルＨＢで前記賦活要素に磁気バイアスを適用するための手段であって、ＨＢは、３エルステッドよりも大きい、前記手段とを備え、
前記賦活要素は、応力を軽減するように焼き鈍され、適用されるバイアスレベルＨ Ｂ で０．２８≦ｋ≦０．４となる磁気角運動結合係数ｋを持ち、４５≦ａ≦８２、０≦ｂ≦４０、０≦ｃ≦３０、２≦ｄ≦１７、０≦ｅ≦２８、０≦ｆ≦８、０≦ｇ≦４（ａ〜ｇは原子百分率）であり、Ｍは、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｖの１つ以上であり、
（ｉ）もし、存在するならば、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｖの結合割合は、１０％を越えず、
（ii）もし、存在するならば、ＺｒとＨｆの結合割合は、１５％を超えないことを特徴とする磁気角運動ＥＡＳマーカー。
【請求項２】 ａ≧５０であることを特徴とする請求項１記載の磁気角運動ＥＡＳマーカー。
【請求項３】 ａ≧５５であることを特徴とする請求項２記載の磁気角運動ＥＡＳマーカー。
【請求項４】 ａ≧６０であることを特徴とする請求項３記載の磁気角運動ＥＡＳマーカー。
【請求項５】 ａ≧６５であることを特徴とする請求項４記載の磁気角運動ＥＡＳマーカー。
【請求項６】 ａ≧７０であることを特徴とする請求項５記載の磁気角運動ＥＡＳマーカー。
【請求項７】 ｂ＋ｃ≧１０であることを特徴とする請求項１記載の磁気角運動ＥＡＳマーカー。
【請求項８】 ｂ、ｃ≧５であることを特徴とする請求項７記載の磁気角運動ＥＡＳマーカー。
【請求項９】 ｂ＋ｃ≧２０であることを特徴とする請求項８記載の磁気角運動ＥＡＳマーカー。
【請求項１０】 Ｍが排他的にＺｒであることを特徴とする請求項１記載の磁気角運動ＥＡＳマーカー。
【請求項１１】 ｄ≧８であることを特徴とする請求項１０記載の磁気角運動ＥＡＳマーカー。
【請求項１２】 ｅ、ｆ、ｇ＝０であることを特徴とする請求項１１記載の磁気角運動ＥＡＳマーカー。
【請求項１３】 ｂ、ｃ、ｆ、ｇ＝０であることを特徴とする請求項１０記載の磁気角運動ＥＡＳマーカー。
【請求項１４】 磁気角運動電子商品監視マーカー内の賦活要素として使用するための磁気ひずみ要素であって、該要素は、アモルファス金属合金のストリップであり、該要素内の応力を軽減するように焼き鈍され、該要素の最小共鳴周波数に対応するバイアス磁界レベルでおよそ０．２８〜０．４の範囲の磁気角運動結合係数ｋを持ち、前記合金は、本質的にＦｅａＣｏｂＮｉｃＭｄＢｅＳｉｆＣｇの組成を持ち、４５≦ａ≦８２、０≦ｂ≦４０、０≦ｃ≦３０、２≦ｄ≦１７、０≦ｅ≦２８、０≦ｆ≦８、０≦ｇ≦４（ａ〜ｇは原子百分率）であり、Ｍは、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｖの１つ以上であり、
（ｉ）もし、存在するならば、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｖの結合割合は、１０％を越えず、
（ii）もし、存在するならば、ＺｒとＨｆの結合割合は、１５％を超えない
ことを特徴とする磁気ひずみ要素。
【請求項１５】 ａ≧５０であることを特徴とする請求項１４記載の磁気ひずみ要素。
【請求項１６】 ａ≧５５であることを特徴とする請求項１５記載の磁気ひずみ要素。
【請求項１７】 ａ≧６０であることを特徴とする請求項１６記載の磁気ひずみ要素。
【請求項１８】 ａ≧６５であることを特徴とする請求項１７記載の磁気ひずみ要素。
【請求項１９】 ａ≧７０であることを特徴とする請求項１８記載の磁気ひずみ要素。
【請求項２０】 ｂ＋ｃ≧１０あることを特徴とする請求項１４記載の磁気ひずみ要素。
【請求項２１】 ｂ、ｃ≧５でであることを特徴とする請求項１５記載の磁気ひずみ要素。
【請求項２２】 ｂ＋ｃ≧２０であることを特徴とする請求項２１記載の磁気ひずみ要素。
【請求項２３】 Ｍが排他的にＺｒであることを特徴とする請求項１４記載の磁気ひずみ要素。
【請求項２４】 ｄ≧８であることを特徴とする請求項２３記載の磁気ひずみ要素。
【請求項２５】 ｅ、ｆ、ｇ＝０であることを特徴とする請求項２４記載の磁気ひずみ要素。
【請求項２６】 ｂ、ｃ、ｆ、ｇ＝０であることを特徴とする請求項２３記載の磁気ひずみ要素。
【請求項２７】 磁気角運動ＥＡＳマーカーであって、
本質的にＦｅａＭ１ｂＭ２ｃＭ３ｄＣｅの組成を持つアモルファス磁気ひずみ金属合金のストリップの形状である賦活要素と、
レベルＨＢで前記賦活要素に磁気バイアスを適用するための手段であって、ＨＢは、３エルステッドより大きい、前記手段とを備え、
前記賦活要素は、応力を軽減するように焼き鈍され、適用されるバイアスレベルＨＢで０．２８≦ｋ≦０．４の磁気角運動結合係数ｋを持ち、Ｍ１はＣｏとＮｉの１つ又は両方であり、Ｍ２は、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｖの１つ以上であり、Ｍ３は、ＢとＳｉの１つ又は両方であり、５０≦ａ≦７５、１５≦ｂ≦３５、３≦ｃ≦１２、０≦ｄ≦２０、０≦ｅ≦４（ａ〜ｅは原子百分率）であることを特徴とする磁気角運動ＥＡＳマーカー。
【請求項２８】 ａ≧６０であることを特徴とする請求項２７記載の磁気角運動ＥＡＳマーカー。
【請求項２９】 前記合金は、少なくとも約１５原子百分率の割合でコバルトを含むことを特徴とする請求項２８記載の磁気角運動ＥＡＳマーカー。
【請求項３０】 前記コバルトの割合は、およそ２５原子百分率を超えないことを特徴とする請求項２９記載の磁気角運動ＥＡＳマーカー。
【請求項３１】 Ｍ２が排他的にＺｒであることを特徴とする請求項２７記載の磁気角運動ＥＡＳマーカー。
【請求項３２】 ｃ≧８であることを特徴とする請求項２８記載の磁気角運動ＥＡＳマーカー。
【請求項３３】 ｄ≧１０であることを特徴とする請求項２８記載の磁気角運動ＥＡＳマーカー。
【請求項３４】 磁気角運動電子商品監視マーカー内の賦活要素として使用するための磁気ひずみ要素であって、該要素は、アモルファス金属合金のストリップであり、該要素内の応力を軽減するように焼き鈍され、該要素の最小共鳴周波数に対応するバイアス磁界レベルでおよそ０．２８〜０．４の範囲の磁気角運動結合係数ｋを持ち、前記合金は、本質的にＦｅａＭ１ｂＭ２ｃＭ３ｄＣｅの組成を持ち、Ｍ１はＣｏとＮｉの１つ又は両方であり、Ｍ２は、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｖの１つ以上であり、Ｍ３は、ＢとＳｉの１つ又は両方であり、５０≦ａ≦７５、１５≦ｂ≦３５、３≦ｃ≦１２、０≦ｄ≦２０、０≦ｅ≦４（ａ〜ｅは原子百分率）であることを特徴とする磁気ひずみ要素。
【請求項３５】 ａ≧６０であることを特徴とする請求項３４記載の磁気ひずみ要素。
【請求項３６】 前記合金は、少なくとも約１５原子百分率の割合でコバルトを含むことを特徴とする請求項３５記載の磁気ひずみ要素。
【請求項３７】 前記コバルトの割合は、およそ２５原子百分率を超えないことを特徴とする請求項３６記載の磁気ひずみ要素。
【請求項３８】 Ｍ２が排他的にＺｒであることを特徴とする請求項３４記載の磁気ひずみ要素。
【請求項３９】 ｃ≧８であることを特徴とする請求項３５記載の磁気ひずみ要素。
【請求項４０】 ｄ≧１０であることを特徴とする請求項３５記載の磁気ひずみ要素。
【請求項４１】 磁気角運動ＥＡＳマーカーであって、
本質的にＦｅａＭｂＢｃＳｉｄＣｅの組成を持つアモルファス磁気ひずみ金属合金のストリップの形状である賦活要素と、
レベルＨＢで前記賦活要素に磁気バイアスを適用するための手段であって、ＨＢは、３エルステッドより大きい、前記手段とを備え、
前記賦活要素は、応力を軽減するように焼き鈍され、適用されるバイアスレベルＨＢで０．２８≦ｋ≦０．４の磁気角運動結合係数ｋを持ち、Ｍは、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｖの１つ以上であり、７０≦ａ≦８０、２≦ｂ≦８、１５≦ｃ≦２６、０≦ｄ≦４、０≦ｅ≦４（ａ〜ｅは原子百分率におけるａ〜ｅ）であることを特徴とする磁気角運動ＥＡＳマーカー。
【請求項４２】 ａ≧７５であることを特徴とする請求項４１記載の磁気角運動ＥＡＳマーカー。
【請求項４３】 ｃ＋ｄ≧２０であることを特徴とする請求項４１記載の磁気角運動ＥＡＳマーカー。
【請求項４４】 磁気角運動電子商品監視マーカー内の賦活要素として使用するための磁気ひずみ要素であって、該要素は、アモルファス金属合金のストリップであり、該要素内の応力を軽減するように焼き鈍され、該要素の最小共鳴周波数に対応するバイアス磁界レベルでおよそ０．２８〜０．４の範囲の磁気角運動結合係数ｋを持ち、前記合金は、本質的にＦｅａＭｂＢｃＳｉｄＣｅの組成を持ち、Ｍは、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｖの１つ以上であり、７０≦ａ≦８０、２≦ｂ≦８、１５≦ｃ≦２６、０≦ｄ≦４、０≦ｅ≦４（ａ〜ｅは原子百分率）であることを特徴とする磁気ひずみ要素。
【請求項４５】 ａ≧７５であることを特徴とする請求項４４記載の磁気ひずみ要素。
【請求項４６】 ｃ＋ｄ≧２０であることを特徴とする請求項４１記載の磁気ひずみ要素。
【請求項４７】 磁気角運動ＥＡＳマーカーであって、
本質的に（ＦｅＮｉＣｏ）１００−ｘ−ｚＴＥ１ｘＭｚの組成を持つアモルファス磁気ひずみ金属合金のストリップの形状である賦活要素であって、ＴＥ１は、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔａの１つ以上であり、Ｍは、Ｂ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｃ、Ｐの１つ以上であり、ｘ、ｚ及び（１００−ｘ−ｚ）は、すべて原子百分率である、前記賦活要素と、
レベルＨＢで前記賦活要素に磁気バイアスを適用するための手段であって、ＨＢは、３エルステッドより大きい、前記手段とを備え、
前記賦活要素は、応力を軽減するように焼き鈍され、適用されるバイアスレベルＨＢで０．２８≦ｋ≦０．４の磁気角運動結合係数ｋを持ち、５≦ｘ≦１６、０≦ｚ≦１２であり、
（ｉ）前記合金中のＦｅの割合は、少なくとも０．４×（１００−ｘ−ｚ）、
（ii）前記合金中のＣｏの割合は、０．４×（１００−ｘ−ｚ）以下、
（iii）前記合金中のＮｉの割合は、０．４×（１００−ｘ−ｚ）以下、
であることを特徴とする磁気角運動ＥＡＳマーカー。
【請求項４８】 前記合金内のＦｅの割合は、少なくとも０．６×（１００−ｘ−ｚ）であることを特徴とする請求項４７記載の磁気角運動ＥＡＳマーカー。
【請求項４９】 前記合金内のＦｅの割合は、少なくとも０．８×（１００−ｘ−ｚ）であることを特徴とする請求項４８記載の磁気角運動ＥＡＳマーカー。
【請求項５０】 前記合金内のＦｅの割合は、少なくとも０．９×（１００−ｘ−ｚ）であることを特徴とする請求項４９記載の磁気角運動ＥＡＳマーカー。
【請求項５１】 ＴＥ１が排他的にＺｒであることを特徴とする請求項４７記載の磁気角運動ＥＡＳマーカー。
【請求項５２】 磁気角運動電子商品監視マーカー内の賦活要素として使用するための磁気ひずみ要素であって、該要素は、アモルファス金属合金のストリップであり、該要素内の応力を軽減するように焼き鈍され、該要素の最小共鳴周波数に対応するバイアス磁界レベルでおよそ０．２８〜０．４の範囲の磁気角運動結合係数ｋを持ち、
前記合金は、本質的に（ＦｅＮｉＣｏ）１００−ｘ−ｚＴＥ１ｘＭｚの組成を持ち、ここで、ＴＥ１は、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔａの１つ以上であり、Ｍは、Ｂ、Ｓｉ、Ｇe、Ｃ、Ｐの１つ以上であり、ｘ、ｚ及び（１００−ｘ−ｚ）は、すべて原子百分率であり、５≦ｘ≦１６、０≦ｚ≦１２であり、
（ｉ）前記合金中のＦｅの割合は、少なくとも０．４×（１００−ｘ−ｚ）であり、
（ii）前記合金中のＣｏの割合は、０．４×（１００−ｘ−ｚ）以下であり、
（iii）前記合金中のＮｉの割合は、０．４×（１００−ｘ−ｚ）以下であることを特徴とする磁気ひずみ要素。
【請求項５３】 前記合金内のＦｅの割合は、少なくとも０．６×（１００−ｘ−ｚ）であることを特徴とする請求項５２記載の磁気ひずみ要素。
【請求項５４】 前記合金内のＦｅの割合は、少なくとも０．８×（１００−ｘ−ｚ）であることを特徴とする請求項５３記載の磁気ひずみ要素。
【請求項５５】 前記合金内のＦｅの割合は、少なくとも０．９×（１００−ｘ−ｚ）であることを特徴とする請求項５４記載の磁気ひずみ要素。
【請求項５６】 ＴＥ１が排他的にＺｒであることを特徴とする請求項５２記載の磁気ひずみ要素。
【請求項５７】 磁気角運動ＥＡＳマーカーであって、
本質的に（ＦｅＮｉＣｏ）１００−ｙ−ｚＴＥ２ｙＭｚの組成を持つアモルファス磁気ひずみ金属合金のストリップの形状である賦活要素であって、ＴＥ２は、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｖの１つ以上であり、Ｍは、Ｂ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｃ、Ｐの１つ以上であり、ｙ、ｚ及び（１００−ｙ−ｚ）は、すべて原子百分率である前記賦活要素と、
レベルＨＢで前記賦活要素に磁気バイアスを適用するための手段であって、
ＨＢは、３エルステッドより大きい、前記手段とを備え、
前記賦活要素は、応力を軽減するために焼き鈍され、適用されるバイアスレベルＨＢで０．２８≦ｋ≦０．４の磁気角運動結合係数ｋを持ち、２≦ｙ≦１４、４≦ｚ≦１６、ｙ＋ｚ≦２５であり、前記合金中のＦｅの割合が（１００−ｙ−ｚ）の少なくとも２／３であることを特徴とする磁気角運動ＥＡＳマーカー。
【請求項５８】 前記合金内のＦｅの割合は、０．８×（１００−ｙ−ｚ）であることを特徴とする請求項５７記載の磁気角運動ＥＡＳマーカー。
【請求項５９】 前記合金内のＦｅの割合は、０．９×（１００−ｙ−ｚ）であることを特徴とする請求項５８記載の磁気角運動ＥＡＳマーカー。
【請求項６０】 磁気角運動電子商品監視マーカー内の賦活要素として使用するための磁気ひずみ要素であって、該要素は、アモルファス金属合金のストリップであり、該要素内の応力を軽減するように焼き鈍され、該要素の最小共鳴周波数に対応するバイアス磁界レベルでおよそ０．２８〜０．４の範囲の磁気角運動結合係数ｋを持ち、
前記合金は、本質的に（ＦｅＮｉＣｏ）１００−ｙ−ｚＴＥ２ｙＭｚの組成を持ち、ここで、ＴＥ２は、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｖの１つ以上であり、Ｍは、Ｂ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｃ、Ｐの１つ以上であり、ｙ、ｚ及び（１００−ｙ−ｚ）はすべて原子百分率であり、２≦ｙ≦１４、４≦ｚ≦１６、ｙ＋ｚ≦２５であり、
前記合金中のＦｅの割合が（１００−ｙ−ｚ）の少なくとも２／３であることを特徴とする磁気ひずみ要素。
【請求項６１】 前記合金内のＦｅの割合は、０．８×（１００−ｙ−ｚ）であることを特徴とする請求項６０記載の磁気角運動ＥＡＳマーカー。
【請求項６２】 前記合金内のＦｅの割合は、０．９×（１００−ｙ−ｚ）であることを特徴とする請求項６１記載の磁気角運動ＥＡＳマーカー。
【請求項６３】 磁気角運動ＥＡＳマーカーであって、
本質的に（ＦｅＮｉＣｏ）１００−ｘ−ｙ−ｚＴＥ１ｘＴＥ２ｙＭｚの組成を持つアモルファス磁気ひずみ金属合金のストリップの形状である賦活要素であって、ここでＴＥ１は、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔａの１つ以上であり、ＴＥ２は、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｖの１つ以上であり、Ｍは、Ｂ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｃ、Ｐの１つ以上であり、ｘ、ｙ、ｚ及び（１００−ｘ−ｙ−ｚ）は、すべて原子百分率である、前記賦活要素と、
レベルＨＢで前記賦活要素に磁気バイアスを適用するための手段であって、ＨＢは、３エルステッドより大きい、前記手段とを備え、
前記賦活要素は、応力を軽減するために焼き鈍され、適用されるバイアスレベルＨＢで０．２８≦ｋ≦０．４の磁気角運動結合係数ｋを持ち、５≦ｘ≦１６、２≦ｙ≦１２、４≦ｚ≦１６、ｘ＋ｙ≦２０、ｘ＋ｙ＋ｚ≦３０であり、
前記合金中のＦｅの割合が少なくとも０．４×（１００−ｘ−ｙ−ｚ）であることを特徴とする磁気角運動ＥＡＳマーカー。
【請求項６４】 前記合金内のＦｅの割合は、少なくとも０．６×（１００−ｘ−ｙ−ｚ）であることを特徴とする請求項６３記載の磁気角運動ＥＡＳマーカー。
【請求項６５】 前記合金内のＦｅの割合は、少なくとも０．８×（１００−ｘ−ｙ−ｚ）であることを特徴とする請求項６４記載の磁気角運動ＥＡＳマーカー。
【請求項６６】 前記合金内のＦｅの割合は、少なくとも０．９×（１００−ｘ−ｙ−ｚ）であることを特徴とする請求項６５記載の磁気角運動ＥＡＳマーカー。
【請求項６７】 ＴＥ１が排他的にＺｒであることを特徴とする請求項６３記載の磁気角運動ＥＡＳマーカー。
【請求項６８】 磁気角運動電子商品監視マーカー内の賦活要素として使用するための磁気ひずみ要素であって、該要素は、アモルファス金属合金のストリップであり、該要素内の応力を軽減するように焼き鈍され、該要素の最小共鳴周波数に対応するバイアス磁界レベルでおよそ０．２８〜０．４の範囲の磁気角運動結合係数ｋを持ち、前記合金は、本質的に（ＦｅＮｉＣｏ）１００−ｘ−ｙ−ｚＴＥ１ｘＴＥ２ｙＭｚの組成を持ち、ここで、ＴＥ１は、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔａの１つ以上であり、ＴＥ２は、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｖの１つ以上であり、Ｍは、Ｂ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｃ、Ｐの１つ以上であり、ｘ、ｙ、ｚ及び（１００−ｘ−ｙ−ｚ）は、すべて原子百分率であり、５≦ｘ≦１６、２≦ｙ≦１２、４≦ｚ≦１６、ｘ＋ｙ≦２０、ｘ＋ｙ＋ｚ≦３０であり、前記合金中のＦｅの割合が少なくとも０．４×（１００−ｘ−ｙ−ｚ）であることを特徴とする磁気ひずみ要素。
【請求項６９】 前記合金内のＦｅの割合は、少なくとも０．６×（１００−ｘ−ｙ−ｚ）であることを特徴とする請求項６８記載の磁気ひずみ要素。
【請求項７０】 前記合金内のＦｅの割合は、少なくとも０．８×（１００−ｘ−ｙ−ｚ）であることを特徴とする請求項６９記載の磁気ひずみ要素。
【請求項７１】 前記合金内のＦｅの割合は、少なくとも０．９×（１００−ｘ−ｙ−ｚ）であることを特徴とする請求項７０記載の磁気ひずみ要素。
【請求項７２】 ＴＥ１が排他的にＺｒであることを特徴とする請求項６８記載の磁気ひずみ要素。
【請求項１】 磁気角運動ＥＡＳマーカーであって、
本質的にＦｅａＣｏｂＮｉｃＭｄＢｅＳｉｆＣｇから成る組成を持つアモルファス磁気ひずみ金属合金のストリップの形をとる賦活要素と、
レベルＨＢで前記賦活要素に磁気バイアスを適用するための手段であって、ＨＢは、３エルステッドよりも大きい、前記手段とを備え、
前記賦活要素は、応力を軽減するように焼き鈍され、適用されるバイアスレベルＨ Ｂ で０．２８≦ｋ≦０．４となる磁気角運動結合係数ｋを持ち、４５≦ａ≦８２、０≦ｂ≦４０、０≦ｃ≦３０、２≦ｄ≦１７、０≦ｅ≦２８、０≦ｆ≦８、０≦ｇ≦４（ａ〜ｇは原子百分率）であり、Ｍは、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｖの１つ以上であり、
（ｉ）もし、存在するならば、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｖの結合割合は、１０％を越えず、
（ii）もし、存在するならば、ＺｒとＨｆの結合割合は、１５％を超えないことを特徴とする磁気角運動ＥＡＳマーカー。
【請求項２】 ａ≧５０であることを特徴とする請求項１記載の磁気角運動ＥＡＳマーカー。
【請求項３】 ａ≧５５であることを特徴とする請求項２記載の磁気角運動ＥＡＳマーカー。
【請求項４】 ａ≧６０であることを特徴とする請求項３記載の磁気角運動ＥＡＳマーカー。
【請求項５】 ａ≧６５であることを特徴とする請求項４記載の磁気角運動ＥＡＳマーカー。
【請求項６】 ａ≧７０であることを特徴とする請求項５記載の磁気角運動ＥＡＳマーカー。
【請求項７】 ｂ＋ｃ≧１０であることを特徴とする請求項１記載の磁気角運動ＥＡＳマーカー。
【請求項８】 ｂ、ｃ≧５であることを特徴とする請求項７記載の磁気角運動ＥＡＳマーカー。
【請求項９】 ｂ＋ｃ≧２０であることを特徴とする請求項８記載の磁気角運動ＥＡＳマーカー。
【請求項１０】 Ｍが排他的にＺｒであることを特徴とする請求項１記載の磁気角運動ＥＡＳマーカー。
【請求項１１】 ｄ≧８であることを特徴とする請求項１０記載の磁気角運動ＥＡＳマーカー。
【請求項１２】 ｅ、ｆ、ｇ＝０であることを特徴とする請求項１１記載の磁気角運動ＥＡＳマーカー。
【請求項１３】 ｂ、ｃ、ｆ、ｇ＝０であることを特徴とする請求項１０記載の磁気角運動ＥＡＳマーカー。
【請求項１４】 磁気角運動電子商品監視マーカー内の賦活要素として使用するための磁気ひずみ要素であって、該要素は、アモルファス金属合金のストリップであり、該要素内の応力を軽減するように焼き鈍され、該要素の最小共鳴周波数に対応するバイアス磁界レベルでおよそ０．２８〜０．４の範囲の磁気角運動結合係数ｋを持ち、前記合金は、本質的にＦｅａＣｏｂＮｉｃＭｄＢｅＳｉｆＣｇの組成を持ち、４５≦ａ≦８２、０≦ｂ≦４０、０≦ｃ≦３０、２≦ｄ≦１７、０≦ｅ≦２８、０≦ｆ≦８、０≦ｇ≦４（ａ〜ｇは原子百分率）であり、Ｍは、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｖの１つ以上であり、
（ｉ）もし、存在するならば、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｖの結合割合は、１０％を越えず、
（ii）もし、存在するならば、ＺｒとＨｆの結合割合は、１５％を超えない
ことを特徴とする磁気ひずみ要素。
【請求項１５】 ａ≧５０であることを特徴とする請求項１４記載の磁気ひずみ要素。
【請求項１６】 ａ≧５５であることを特徴とする請求項１５記載の磁気ひずみ要素。
【請求項１７】 ａ≧６０であることを特徴とする請求項１６記載の磁気ひずみ要素。
【請求項１８】 ａ≧６５であることを特徴とする請求項１７記載の磁気ひずみ要素。
【請求項１９】 ａ≧７０であることを特徴とする請求項１８記載の磁気ひずみ要素。
【請求項２０】 ｂ＋ｃ≧１０あることを特徴とする請求項１４記載の磁気ひずみ要素。
【請求項２１】 ｂ、ｃ≧５でであることを特徴とする請求項１５記載の磁気ひずみ要素。
【請求項２２】 ｂ＋ｃ≧２０であることを特徴とする請求項２１記載の磁気ひずみ要素。
【請求項２３】 Ｍが排他的にＺｒであることを特徴とする請求項１４記載の磁気ひずみ要素。
【請求項２４】 ｄ≧８であることを特徴とする請求項２３記載の磁気ひずみ要素。
【請求項２５】 ｅ、ｆ、ｇ＝０であることを特徴とする請求項２４記載の磁気ひずみ要素。
【請求項２６】 ｂ、ｃ、ｆ、ｇ＝０であることを特徴とする請求項２３記載の磁気ひずみ要素。
【請求項２７】 磁気角運動ＥＡＳマーカーであって、
本質的にＦｅａＭ１ｂＭ２ｃＭ３ｄＣｅの組成を持つアモルファス磁気ひずみ金属合金のストリップの形状である賦活要素と、
レベルＨＢで前記賦活要素に磁気バイアスを適用するための手段であって、ＨＢは、３エルステッドより大きい、前記手段とを備え、
前記賦活要素は、応力を軽減するように焼き鈍され、適用されるバイアスレベルＨＢで０．２８≦ｋ≦０．４の磁気角運動結合係数ｋを持ち、Ｍ１はＣｏとＮｉの１つ又は両方であり、Ｍ２は、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｖの１つ以上であり、Ｍ３は、ＢとＳｉの１つ又は両方であり、５０≦ａ≦７５、１５≦ｂ≦３５、３≦ｃ≦１２、０≦ｄ≦２０、０≦ｅ≦４（ａ〜ｅは原子百分率）であることを特徴とする磁気角運動ＥＡＳマーカー。
【請求項２８】 ａ≧６０であることを特徴とする請求項２７記載の磁気角運動ＥＡＳマーカー。
【請求項２９】 前記合金は、少なくとも約１５原子百分率の割合でコバルトを含むことを特徴とする請求項２８記載の磁気角運動ＥＡＳマーカー。
【請求項３０】 前記コバルトの割合は、およそ２５原子百分率を超えないことを特徴とする請求項２９記載の磁気角運動ＥＡＳマーカー。
【請求項３１】 Ｍ２が排他的にＺｒであることを特徴とする請求項２７記載の磁気角運動ＥＡＳマーカー。
【請求項３２】 ｃ≧８であることを特徴とする請求項２８記載の磁気角運動ＥＡＳマーカー。
【請求項３３】 ｄ≧１０であることを特徴とする請求項２８記載の磁気角運動ＥＡＳマーカー。
【請求項３４】 磁気角運動電子商品監視マーカー内の賦活要素として使用するための磁気ひずみ要素であって、該要素は、アモルファス金属合金のストリップであり、該要素内の応力を軽減するように焼き鈍され、該要素の最小共鳴周波数に対応するバイアス磁界レベルでおよそ０．２８〜０．４の範囲の磁気角運動結合係数ｋを持ち、前記合金は、本質的にＦｅａＭ１ｂＭ２ｃＭ３ｄＣｅの組成を持ち、Ｍ１はＣｏとＮｉの１つ又は両方であり、Ｍ２は、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｖの１つ以上であり、Ｍ３は、ＢとＳｉの１つ又は両方であり、５０≦ａ≦７５、１５≦ｂ≦３５、３≦ｃ≦１２、０≦ｄ≦２０、０≦ｅ≦４（ａ〜ｅは原子百分率）であることを特徴とする磁気ひずみ要素。
【請求項３５】 ａ≧６０であることを特徴とする請求項３４記載の磁気ひずみ要素。
【請求項３６】 前記合金は、少なくとも約１５原子百分率の割合でコバルトを含むことを特徴とする請求項３５記載の磁気ひずみ要素。
【請求項３７】 前記コバルトの割合は、およそ２５原子百分率を超えないことを特徴とする請求項３６記載の磁気ひずみ要素。
【請求項３８】 Ｍ２が排他的にＺｒであることを特徴とする請求項３４記載の磁気ひずみ要素。
【請求項３９】 ｃ≧８であることを特徴とする請求項３５記載の磁気ひずみ要素。
【請求項４０】 ｄ≧１０であることを特徴とする請求項３５記載の磁気ひずみ要素。
【請求項４１】 磁気角運動ＥＡＳマーカーであって、
本質的にＦｅａＭｂＢｃＳｉｄＣｅの組成を持つアモルファス磁気ひずみ金属合金のストリップの形状である賦活要素と、
レベルＨＢで前記賦活要素に磁気バイアスを適用するための手段であって、ＨＢは、３エルステッドより大きい、前記手段とを備え、
前記賦活要素は、応力を軽減するように焼き鈍され、適用されるバイアスレベルＨＢで０．２８≦ｋ≦０．４の磁気角運動結合係数ｋを持ち、Ｍは、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｖの１つ以上であり、７０≦ａ≦８０、２≦ｂ≦８、１５≦ｃ≦２６、０≦ｄ≦４、０≦ｅ≦４（ａ〜ｅは原子百分率におけるａ〜ｅ）であることを特徴とする磁気角運動ＥＡＳマーカー。
【請求項４２】 ａ≧７５であることを特徴とする請求項４１記載の磁気角運動ＥＡＳマーカー。
【請求項４３】 ｃ＋ｄ≧２０であることを特徴とする請求項４１記載の磁気角運動ＥＡＳマーカー。
【請求項４４】 磁気角運動電子商品監視マーカー内の賦活要素として使用するための磁気ひずみ要素であって、該要素は、アモルファス金属合金のストリップであり、該要素内の応力を軽減するように焼き鈍され、該要素の最小共鳴周波数に対応するバイアス磁界レベルでおよそ０．２８〜０．４の範囲の磁気角運動結合係数ｋを持ち、前記合金は、本質的にＦｅａＭｂＢｃＳｉｄＣｅの組成を持ち、Ｍは、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｖの１つ以上であり、７０≦ａ≦８０、２≦ｂ≦８、１５≦ｃ≦２６、０≦ｄ≦４、０≦ｅ≦４（ａ〜ｅは原子百分率）であることを特徴とする磁気ひずみ要素。
【請求項４５】 ａ≧７５であることを特徴とする請求項４４記載の磁気ひずみ要素。
【請求項４６】 ｃ＋ｄ≧２０であることを特徴とする請求項４１記載の磁気ひずみ要素。
【請求項４７】 磁気角運動ＥＡＳマーカーであって、
本質的に（ＦｅＮｉＣｏ）１００−ｘ−ｚＴＥ１ｘＭｚの組成を持つアモルファス磁気ひずみ金属合金のストリップの形状である賦活要素であって、ＴＥ１は、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔａの１つ以上であり、Ｍは、Ｂ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｃ、Ｐの１つ以上であり、ｘ、ｚ及び（１００−ｘ−ｚ）は、すべて原子百分率である、前記賦活要素と、
レベルＨＢで前記賦活要素に磁気バイアスを適用するための手段であって、ＨＢは、３エルステッドより大きい、前記手段とを備え、
前記賦活要素は、応力を軽減するように焼き鈍され、適用されるバイアスレベルＨＢで０．２８≦ｋ≦０．４の磁気角運動結合係数ｋを持ち、５≦ｘ≦１６、０≦ｚ≦１２であり、
（ｉ）前記合金中のＦｅの割合は、少なくとも０．４×（１００−ｘ−ｚ）、
（ii）前記合金中のＣｏの割合は、０．４×（１００−ｘ−ｚ）以下、
（iii）前記合金中のＮｉの割合は、０．４×（１００−ｘ−ｚ）以下、
であることを特徴とする磁気角運動ＥＡＳマーカー。
【請求項４８】 前記合金内のＦｅの割合は、少なくとも０．６×（１００−ｘ−ｚ）であることを特徴とする請求項４７記載の磁気角運動ＥＡＳマーカー。
【請求項４９】 前記合金内のＦｅの割合は、少なくとも０．８×（１００−ｘ−ｚ）であることを特徴とする請求項４８記載の磁気角運動ＥＡＳマーカー。
【請求項５０】 前記合金内のＦｅの割合は、少なくとも０．９×（１００−ｘ−ｚ）であることを特徴とする請求項４９記載の磁気角運動ＥＡＳマーカー。
【請求項５１】 ＴＥ１が排他的にＺｒであることを特徴とする請求項４７記載の磁気角運動ＥＡＳマーカー。
【請求項５２】 磁気角運動電子商品監視マーカー内の賦活要素として使用するための磁気ひずみ要素であって、該要素は、アモルファス金属合金のストリップであり、該要素内の応力を軽減するように焼き鈍され、該要素の最小共鳴周波数に対応するバイアス磁界レベルでおよそ０．２８〜０．４の範囲の磁気角運動結合係数ｋを持ち、
前記合金は、本質的に（ＦｅＮｉＣｏ）１００−ｘ−ｚＴＥ１ｘＭｚの組成を持ち、ここで、ＴＥ１は、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔａの１つ以上であり、Ｍは、Ｂ、Ｓｉ、Ｇe、Ｃ、Ｐの１つ以上であり、ｘ、ｚ及び（１００−ｘ−ｚ）は、すべて原子百分率であり、５≦ｘ≦１６、０≦ｚ≦１２であり、
（ｉ）前記合金中のＦｅの割合は、少なくとも０．４×（１００−ｘ−ｚ）であり、
（ii）前記合金中のＣｏの割合は、０．４×（１００−ｘ−ｚ）以下であり、
（iii）前記合金中のＮｉの割合は、０．４×（１００−ｘ−ｚ）以下であることを特徴とする磁気ひずみ要素。
【請求項５３】 前記合金内のＦｅの割合は、少なくとも０．６×（１００−ｘ−ｚ）であることを特徴とする請求項５２記載の磁気ひずみ要素。
【請求項５４】 前記合金内のＦｅの割合は、少なくとも０．８×（１００−ｘ−ｚ）であることを特徴とする請求項５３記載の磁気ひずみ要素。
【請求項５５】 前記合金内のＦｅの割合は、少なくとも０．９×（１００−ｘ−ｚ）であることを特徴とする請求項５４記載の磁気ひずみ要素。
【請求項５６】 ＴＥ１が排他的にＺｒであることを特徴とする請求項５２記載の磁気ひずみ要素。
【請求項５７】 磁気角運動ＥＡＳマーカーであって、
本質的に（ＦｅＮｉＣｏ）１００−ｙ−ｚＴＥ２ｙＭｚの組成を持つアモルファス磁気ひずみ金属合金のストリップの形状である賦活要素であって、ＴＥ２は、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｖの１つ以上であり、Ｍは、Ｂ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｃ、Ｐの１つ以上であり、ｙ、ｚ及び（１００−ｙ−ｚ）は、すべて原子百分率である前記賦活要素と、
レベルＨＢで前記賦活要素に磁気バイアスを適用するための手段であって、
ＨＢは、３エルステッドより大きい、前記手段とを備え、
前記賦活要素は、応力を軽減するために焼き鈍され、適用されるバイアスレベルＨＢで０．２８≦ｋ≦０．４の磁気角運動結合係数ｋを持ち、２≦ｙ≦１４、４≦ｚ≦１６、ｙ＋ｚ≦２５であり、前記合金中のＦｅの割合が（１００−ｙ−ｚ）の少なくとも２／３であることを特徴とする磁気角運動ＥＡＳマーカー。
【請求項５８】 前記合金内のＦｅの割合は、０．８×（１００−ｙ−ｚ）であることを特徴とする請求項５７記載の磁気角運動ＥＡＳマーカー。
【請求項５９】 前記合金内のＦｅの割合は、０．９×（１００−ｙ−ｚ）であることを特徴とする請求項５８記載の磁気角運動ＥＡＳマーカー。
【請求項６０】 磁気角運動電子商品監視マーカー内の賦活要素として使用するための磁気ひずみ要素であって、該要素は、アモルファス金属合金のストリップであり、該要素内の応力を軽減するように焼き鈍され、該要素の最小共鳴周波数に対応するバイアス磁界レベルでおよそ０．２８〜０．４の範囲の磁気角運動結合係数ｋを持ち、
前記合金は、本質的に（ＦｅＮｉＣｏ）１００−ｙ−ｚＴＥ２ｙＭｚの組成を持ち、ここで、ＴＥ２は、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｖの１つ以上であり、Ｍは、Ｂ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｃ、Ｐの１つ以上であり、ｙ、ｚ及び（１００−ｙ−ｚ）はすべて原子百分率であり、２≦ｙ≦１４、４≦ｚ≦１６、ｙ＋ｚ≦２５であり、
前記合金中のＦｅの割合が（１００−ｙ−ｚ）の少なくとも２／３であることを特徴とする磁気ひずみ要素。
【請求項６１】 前記合金内のＦｅの割合は、０．８×（１００−ｙ−ｚ）であることを特徴とする請求項６０記載の磁気角運動ＥＡＳマーカー。
【請求項６２】 前記合金内のＦｅの割合は、０．９×（１００−ｙ−ｚ）であることを特徴とする請求項６１記載の磁気角運動ＥＡＳマーカー。
【請求項６３】 磁気角運動ＥＡＳマーカーであって、
本質的に（ＦｅＮｉＣｏ）１００−ｘ−ｙ−ｚＴＥ１ｘＴＥ２ｙＭｚの組成を持つアモルファス磁気ひずみ金属合金のストリップの形状である賦活要素であって、ここでＴＥ１は、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔａの１つ以上であり、ＴＥ２は、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｖの１つ以上であり、Ｍは、Ｂ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｃ、Ｐの１つ以上であり、ｘ、ｙ、ｚ及び（１００−ｘ−ｙ−ｚ）は、すべて原子百分率である、前記賦活要素と、
レベルＨＢで前記賦活要素に磁気バイアスを適用するための手段であって、ＨＢは、３エルステッドより大きい、前記手段とを備え、
前記賦活要素は、応力を軽減するために焼き鈍され、適用されるバイアスレベルＨＢで０．２８≦ｋ≦０．４の磁気角運動結合係数ｋを持ち、５≦ｘ≦１６、２≦ｙ≦１２、４≦ｚ≦１６、ｘ＋ｙ≦２０、ｘ＋ｙ＋ｚ≦３０であり、
前記合金中のＦｅの割合が少なくとも０．４×（１００−ｘ−ｙ−ｚ）であることを特徴とする磁気角運動ＥＡＳマーカー。
【請求項６４】 前記合金内のＦｅの割合は、少なくとも０．６×（１００−ｘ−ｙ−ｚ）であることを特徴とする請求項６３記載の磁気角運動ＥＡＳマーカー。
【請求項６５】 前記合金内のＦｅの割合は、少なくとも０．８×（１００−ｘ−ｙ−ｚ）であることを特徴とする請求項６４記載の磁気角運動ＥＡＳマーカー。
【請求項６６】 前記合金内のＦｅの割合は、少なくとも０．９×（１００−ｘ−ｙ−ｚ）であることを特徴とする請求項６５記載の磁気角運動ＥＡＳマーカー。
【請求項６７】 ＴＥ１が排他的にＺｒであることを特徴とする請求項６３記載の磁気角運動ＥＡＳマーカー。
【請求項６８】 磁気角運動電子商品監視マーカー内の賦活要素として使用するための磁気ひずみ要素であって、該要素は、アモルファス金属合金のストリップであり、該要素内の応力を軽減するように焼き鈍され、該要素の最小共鳴周波数に対応するバイアス磁界レベルでおよそ０．２８〜０．４の範囲の磁気角運動結合係数ｋを持ち、前記合金は、本質的に（ＦｅＮｉＣｏ）１００−ｘ−ｙ−ｚＴＥ１ｘＴＥ２ｙＭｚの組成を持ち、ここで、ＴＥ１は、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔａの１つ以上であり、ＴＥ２は、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｖの１つ以上であり、Ｍは、Ｂ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｃ、Ｐの１つ以上であり、ｘ、ｙ、ｚ及び（１００−ｘ−ｙ−ｚ）は、すべて原子百分率であり、５≦ｘ≦１６、２≦ｙ≦１２、４≦ｚ≦１６、ｘ＋ｙ≦２０、ｘ＋ｙ＋ｚ≦３０であり、前記合金中のＦｅの割合が少なくとも０．４×（１００−ｘ−ｙ−ｚ）であることを特徴とする磁気ひずみ要素。
【請求項６９】 前記合金内のＦｅの割合は、少なくとも０．６×（１００−ｘ−ｙ−ｚ）であることを特徴とする請求項６８記載の磁気ひずみ要素。
【請求項７０】 前記合金内のＦｅの割合は、少なくとも０．８×（１００−ｘ−ｙ−ｚ）であることを特徴とする請求項６９記載の磁気ひずみ要素。
【請求項７１】 前記合金内のＦｅの割合は、少なくとも０．９×（１００−ｘ−ｙ−ｚ）であることを特徴とする請求項７０記載の磁気ひずみ要素。
【請求項７２】 ＴＥ１が排他的にＺｒであることを特徴とする請求項６８記載の磁気ひずみ要素。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US09/165,566 US6057766A (en) | 1997-02-14 | 1998-10-02 | Iron-rich magnetostrictive element having optimized bias-field-dependent resonant frequency characteristic |
| US09/165,566 | 1998-10-02 | ||
| PCT/US1999/022565 WO2000021045A2 (en) | 1998-10-02 | 1999-09-30 | Iron-rich magnetostrictive element having optimized bias-field-dependent resonant frequency characteristic |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002526664A JP2002526664A (ja) | 2002-08-20 |
| JP2002526664A5 true JP2002526664A5 (ja) | 2006-11-24 |
| JP4481500B2 JP4481500B2 (ja) | 2010-06-16 |
Family
ID=22599465
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000575093A Expired - Lifetime JP4481500B2 (ja) | 1998-10-02 | 1999-09-30 | 最適化されたバイアス磁界依存の共鳴周波数特性を持つ鉄に富む磁気ひずみ要素 |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6057766A (ja) |
| EP (1) | EP1145202B1 (ja) |
| JP (1) | JP4481500B2 (ja) |
| AR (1) | AR020685A1 (ja) |
| AU (1) | AU757664B2 (ja) |
| BR (1) | BR9914189A (ja) |
| CA (1) | CA2345814C (ja) |
| DE (1) | DE69942373D1 (ja) |
| WO (1) | WO2000021045A2 (ja) |
Families Citing this family (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6011475A (en) | 1997-11-12 | 2000-01-04 | Vacuumschmelze Gmbh | Method of annealing amorphous ribbons and marker for electronic article surveillance |
| US6359563B1 (en) * | 1999-02-10 | 2002-03-19 | Vacuumschmelze Gmbh | ‘Magneto-acoustic marker for electronic article surveillance having reduced size and high signal amplitude’ |
| CN1388837A (zh) * | 2000-07-17 | 2003-01-01 | 日本发条株式会社 | 磁性标记与其制造方法 |
| US6645314B1 (en) * | 2000-10-02 | 2003-11-11 | Vacuumschmelze Gmbh | Amorphous alloys for magneto-acoustic markers in electronic article surveillance having reduced, low or zero co-content and method of annealing the same |
| ATE429522T1 (de) * | 2002-01-16 | 2009-05-15 | Nakagawa Special Steel Co Ltd | Magnetisches grundmaterial, laminat aus magnetischem grundmaterial und herstellungsverfahren dafür |
| CN1646718A (zh) * | 2002-02-11 | 2005-07-27 | 弗吉尼亚大学专利基金会 | 体相固化的高锰非铁磁性非晶形合金钢及其使用和制备的相关方法 |
| KR100479128B1 (ko) * | 2002-07-22 | 2005-03-28 | 학교법인 한양학원 | 디앤에이 교배 검출을 위한 자기변형 바이오센서 및 그 제조방법 |
| US7585459B2 (en) * | 2002-10-22 | 2009-09-08 | Höganäs Ab | Method of preparing iron-based components |
| JP4210986B2 (ja) * | 2003-01-17 | 2009-01-21 | 日立金属株式会社 | 磁性合金ならびにそれを用いた磁性部品 |
| US7763125B2 (en) * | 2003-06-02 | 2010-07-27 | University Of Virginia Patent Foundation | Non-ferromagnetic amorphous steel alloys containing large-atom metals |
| US7517415B2 (en) * | 2003-06-02 | 2009-04-14 | University Of Virginia Patent Foundation | Non-ferromagnetic amorphous steel alloys containing large-atom metals |
| USRE47863E1 (en) | 2003-06-02 | 2020-02-18 | University Of Virginia Patent Foundation | Non-ferromagnetic amorphous steel alloys containing large-atom metals |
| US7188007B2 (en) * | 2003-12-24 | 2007-03-06 | The Boeing Company | Apparatuses and methods for displaying and receiving tactical and strategic flight guidance information |
| US8998973B2 (en) * | 2004-03-02 | 2015-04-07 | Boston Scientific Scimed, Inc. | Medical devices including metallic films |
| US20060142838A1 (en) * | 2004-12-29 | 2006-06-29 | Masoud Molaei | Medical devices including metallic films and methods for loading and deploying same |
| JP4636365B2 (ja) * | 2004-07-05 | 2011-02-23 | 日立金属株式会社 | Ｆｅ基非晶質合金薄帯および磁心体 |
| WO2006091875A2 (en) * | 2005-02-24 | 2006-08-31 | University Of Virginia Patent Foundation | Amorphous steel composites with enhanced strengths, elastic properties and ductilities |
| US20080030339A1 (en) * | 2006-08-07 | 2008-02-07 | Tci, Ltd. | Electronic article surveillance marker |
| DE102006047022B4 (de) | 2006-10-02 | 2009-04-02 | Vacuumschmelze Gmbh & Co. Kg | Anzeigeelement für ein magnetisches Diebstahlsicherungssystem sowie Verfahren zu dessen Herstellung |
| WO2009055710A2 (en) * | 2007-10-26 | 2009-04-30 | University Of Utah Research Foundation | Strong and ductile low-field magnetostrictive alloys |
| CN102298815B (zh) * | 2011-05-20 | 2014-03-12 | 宁波讯强电子科技有限公司 | 一种高矫顽力偏置片、其制造方法及用其制成的声磁防盗标签 |
| KR101509638B1 (ko) | 2013-02-25 | 2015-04-08 | 주식회사 포스코 | 철계 고탄소 비정질 합금 |
| US9275529B1 (en) | 2014-06-09 | 2016-03-01 | Tyco Fire And Security Gmbh | Enhanced signal amplitude in acoustic-magnetomechanical EAS marker |
| US9640852B2 (en) | 2014-06-09 | 2017-05-02 | Tyco Fire & Security Gmbh | Enhanced signal amplitude in acoustic-magnetomechanical EAS marker |
| KR102367916B1 (ko) * | 2014-06-09 | 2022-02-25 | 삼성전자주식회사 | 비정질 합금 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04500985A (ja) * | 1988-09-26 | 1992-02-20 | アライド―シグナル・インコーポレーテッド | 機械的共鳴ターゲット監視系用の金属ガラス合金 |
| US5252144A (en) * | 1991-11-04 | 1993-10-12 | Allied Signal Inc. | Heat treatment process and soft magnetic alloys produced thereby |
| US5395460A (en) * | 1992-10-16 | 1995-03-07 | Alliedsignal Inc. | Harmonic markers made from Fe-Ni based soft magnetic alloys having nanocrystalline structure |
| US5935347A (en) * | 1993-12-28 | 1999-08-10 | Alps Electric Co., Ltd. | FE-base soft magnetic alloy and laminated magnetic core by using the same |
| US5628840A (en) * | 1995-04-13 | 1997-05-13 | Alliedsignal Inc. | Metallic glass alloys for mechanically resonant marker surveillance systems |
| US6093261A (en) * | 1995-04-13 | 2000-07-25 | Alliedsignals Inc. | Metallic glass alloys for mechanically resonant marker surveillance systems |
| JP3954660B2 (ja) * | 1995-07-27 | 2007-08-08 | ユニチカ株式会社 | Ｆｅ族基非晶質金属薄帯 |
| EP0794581A4 (en) * | 1995-09-21 | 1999-10-06 | Tdk Corp | MAGNETIC CONVERTER |
| US5949334A (en) * | 1995-10-02 | 1999-09-07 | Sensormatic Electronics Corporation | Magnetostrictive element having optimized bias-field-dependent resonant frequency characteristic |
| DE19545755A1 (de) * | 1995-12-07 | 1997-06-12 | Vacuumschmelze Gmbh | Verwendung einer amorphen Legierung für magnetoelastisch anregbare Etiketten in auf mechanischer Resonanz basierenden Überwachungssystemen |
-
1998
- 1998-10-02 US US09/165,566 patent/US6057766A/en not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-09-30 AU AU23430/00A patent/AU757664B2/en not_active Ceased
- 1999-09-30 DE DE69942373T patent/DE69942373D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1999-09-30 BR BR9914189-2A patent/BR9914189A/pt not_active IP Right Cessation
- 1999-09-30 EP EP99967078A patent/EP1145202B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-09-30 JP JP2000575093A patent/JP4481500B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1999-09-30 WO PCT/US1999/022565 patent/WO2000021045A2/en active Search and Examination
- 1999-09-30 CA CA002345814A patent/CA2345814C/en not_active Expired - Fee Related
- 1999-10-01 AR ARP990104986A patent/AR020685A1/es active IP Right Grant
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2002526664A5 (ja) | ||
| JP3437573B2 (ja) | ナノ結晶質構造を有するＦｅ−Ｎｉ基軟磁性合金 | |
| EP1145202B1 (en) | Iron-rich magnetostrictive element having optimized bias-field-dependent resonant frequency characteristic | |
| Yamauchi et al. | Recent development of nanocrystalline soft magnetic alloys | |
| US5019190A (en) | Fe-based soft magnetic alloy | |
| EP0086485B1 (en) | Wound iron core | |
| JP3288725B2 (ja) | 磁気式盗難防護システムで使用するための表示素子 | |
| JPS5735657A (en) | Material for temperature sensitive element | |
| CA2210017A1 (en) | Method for making fe-base soft magnetic alloy | |
| JP2894561B2 (ja) | 軟磁性合金 | |
| KR100310125B1 (ko) | 미세결정구조를갖는철-니켈기초연자성합금으로제조된조파특성이개선된마커및그제조방법 | |
| US5192375A (en) | Fe-based soft magnetic alloy | |
| CA2304474A1 (en) | Metallic glass alloys for mechanically resonant marker surveillance systems | |
| EP1030392A3 (en) | Hydrogene storage alloy electrode and method for manufacturing the same | |
| JP2791564B2 (ja) | 磁歪材料 | |
| JP3228427B2 (ja) | 超微結晶軟磁性合金 | |
| JP2927826B2 (ja) | 軟磁性合金とその製造方法 | |
| Mackay et al. | Giant magnetostriction in amorphous(Tb sub 1-x Dy sub x)(Fe sub 0. 45 Co sub 0. 55) sub y films | |
| JP2934460B2 (ja) | パーミンバー特性を備えた超微結晶合金及びその製法 | |
| JPH01290746A (ja) | 軟磁性合金 | |
| JP3360938B2 (ja) | 永久磁石材料 | |
| JPH0794314A (ja) | パルストランス用磁心ならびにパルストランス | |
| Garcıa et al. | Anisotropy induced by the bowed-substrate sputtering technique in positive/negative magnetostriction FeB/CoSiB bilayers | |
| JPH07142220A (ja) | 永久磁石材料 | |
| Hi et al. | Magnetic Properties and Magnetostriction of Amorphous Rare-Earth--Fe Alloys |