JP2002526664A - 最適化されたバイアス磁界依存の共鳴周波数特性を持つ鉄に富む磁気ひずみ要素 - Google Patents
最適化されたバイアス磁界依存の共鳴周波数特性を持つ鉄に富む磁気ひずみ要素Info
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Abstract
Description
8/800,771号及び第08/800,772号の一部継続出願である。’
771及び’772出願の全開示は、参照によってここに組み込まれる。
用いられる賦活要素に関し、より詳しくは、そのような賦活要素が形成される合
金に関する。
89号は、磁気ひずみ賦活要素を含むマーカーが窃盗から守るべき商品に保証さ
れる磁気角運動EASシステムを開示する。賦活要素は、軟磁性体から形成され
、マーカーは、また、賦活要素を予め決められた周波数で機械的に共鳴させるバ
イアス磁界を供給するように、予め決められた程度磁化される制御要素(同じく
、「バイアス要素として言及される」)を含む。マーカーは、予め決められた共
鳴周波数で交番磁界を生成する呼びかけ信号生成装置によって検出され、磁気角
運動共鳴から結果として生じる信号は、受信装置によって検出される。
ON・OFFされ、あるいは「パルス状にされ」、各呼びかけ信号パルスの終結
後に賦活要素によって生成される「リングダウン」信号が検出される。
それによって賦活要素の共鳴周波数の実質的なシフトが生じるように、制御要素
を消磁することによって非活化される。この技術は、賦活要素の共鳴周波数が賦
活要素に適用されるバイアス磁界のレベルによって変化するという事実を利用す
る。図1Aの曲線20は、磁気角運動マーカーに用いられるある従来の賦活要素
の典型的なバイアス磁界依存共鳴周波数特性を示す。図1Aに示されるバイアス
磁界レベルHBは、磁気角運動マーカーが賦活状態であるときに制御要素によっ
て通常供給されるバイアス磁界のレベルを示す。バイアス磁界レベルHBは、し
ばしば動作点として言及される。従来の磁気角運動EASマーカーは、約6〜7
エルステッド(Oe)のバイアス磁界で作動する。
数は、矢印22によって示されるように実質的にシフトされる(増加される)。
従来のマーカーでは、非活化における典型的な周波数シフトは、1.5〜2kHz
のオーダーである。それに加えて、「リングダウン(信号式)」信号の振幅にお
ける実質的減少が通常ある。
モルファス金属合金のストリップが飽和直交磁界の存在下で焼き鈍される手順を
開示する。結果として生じる焼き鈍しストリップは、磁気角運動マーカー内の賦
活要素としての使用に適し、パルス磁気角運動EASシステムの性能を高める改
良リングダウン特性を持つ。’140特許に従って製造される賦活要素は、また
、高調波タイプのEASシステムに曝すことに起因する誤認警報を除去するか、
あるいは減少することにつながるヒステリシスループ特性を持つ。’140特許
の開示は、参照によってここに組み込まれる。
に注意されたい。結果として、もし、賦活要素に実際に適用されるバイアス磁界
が名目上の動作点HBから外れるならば、マーカーの共鳴周波数は、名目上の動
作周波数からある程度シフトされ、それゆえ、標準検出装置で検出することが困
難であり得る。前述の’140号特許の一部継続出願である米国特許第5,56
8,125号は、直交磁界で焼き鈍されるアモルファス金属合金ストリップが動
作点の領域でバイアス磁界依存の共鳴周波数特性の傾きを減らすために、さらな
る焼き鈍しステップにかけられる方法を開示する。
ことが望まれる全体的な周波数シフトを過度に減らすことなく、結果として生じ
る磁気角運動マーカーの感度をバイアス磁界の変動に減らす。’125号特許の
技術が直交焼き鈍しの賦活要素の製造に関して進歩を表すけれども、共鳴周波数
でいっそう大きい安定性を示す磁気角運動EASマーカーを提供することが望ま
しい。
イアス磁界の変化に対し共鳴周波数に関する改良された安定性を持つ賦活要素を
得るために利用され得るある好ましい合金組成を開示する。以下の開示によれば
、同じく望ましい共鳴周波数安定性を供給すべきであり、低コストで製造され得
る追加の合金組成が開示される。
ストの磁気角運動EASマーカーを提供することである。
成る組成を持つアモルファス磁気ひずみ金属合金のストリップの形をとる賦活要
素と、レベルHBでバイアス磁界を賦活要素に適用するための要素とを含む、磁
気角運動EASマーカーが提供される。HBは、3エルステッドよりも大きく、
賦活要素は、45≦a≦82、0≦b≦40、0≦c≦30、2≦d≦17、0
≦e≦28、0≦f≦8、0≦g≦4(原子百分率におけるa〜g)で0.28
≦k≦0.4であるように、圧力を軽減するためにそこに焼き鈍され、バイアス
レベルHBで磁気角運動結合係数kを持ち、Mは、(i)もし、存在するならば
、Mn、Mo、Nb、Cr、Ta、Vの結合割合は、10%を越えず、(ii)も
し、存在するならば、ZrとHfの結合割合は、15%を超えないならば、Mn
、Mo、Nb、Cr、Hf、Zr、Ta、Vの1つ以上である。
であり、M2は、Mn、Mo、Nb、Cr、Hf、Zr、Ta、Vの1つ以上で
あり、M3は、BとSiの1つ又は両方であり、50≦a≦75、15≦b≦3
5、3≦c≦12、0≦d≦20、0≦e≦4(原子百分率におけるa〜e)で
ある。
にFeaMbBcSidCeから成る。ここで、Mは、Mn、Mo、Nb、Cr
、Hf、Zr、Ta、Vの1つ以上であり、70≦a≦80、2≦b≦8、6≦
c≦15、0≦d≦4、0≦e≦4(原子百分率におけるa〜e)である。
(A)(FeNiCo)100−x−zTE1xMz、ここで、もし、以下の条
件であれば、5≦x≦16、0≦z≦12である: (i)Feの割合は、少なくとも0.4×(100−x−z)であり、 (ii)Coの割合は、0.4×(100−x−z)以下であり、 (iii)Niの割合は、0.4×(100−x−z)以下である。 (B)(FeNiCo)100−y−zTE2yMz、ここで、もし、Feの割
合が(100−y−z)の少なくとも2/3であれば、2≦y≦14、4≦z≦
16、y+z≦25である。 (C)(FeNiCo)100−x−y−zTE1xTE2yMz、ここで、も
し、Feの割合が少なくとも0.4×(100−x−y−z)であれば、5≦x
≦16、2≦y≦12、4≦z≦16、x+y≦20、x+y+z≦30であり
、 (1)すべての割合は、原子百分率に関して示され、 (2)TE1は、Zr、Hf、Taの1つ以上であり、 (3)TE2は、Cr、Nb、Mo、Mn、Vの1つ以上であり、 (4)Mは、B、Si、Ge、C及びPの1つ以上である。
曲線20がほぼH’のバイアス磁界の値で最小値を持つことが観察される。H’
の値は、実質的に、直交磁界焼き鈍しによって形成された直交異方性を克服する
のに要求される縦の磁界である異方性磁界(Ha)に対応する。従来の直交磁界
焼き鈍し賦活要素のためのH’の典型的なレベル(最小共鳴周波数に対応するレ
ベル)は、およそ11エルステッド〜15エルステッドである。
ことが考慮され得る。この場合、特性曲線20の傾きがその最小値において本質
的に零であり、さもなければ、H’の周りの領域では低レベルであるので、効果
的なバイアス磁界の変更は、共鳴周波数の大きな変化をもたらさない。しかしな
がら、従来の直交磁界焼き鈍し賦活要素でH’において十分な操作を妨げる実用
的な困難性がある。
素の磁気角運動結合係数kに関する。図1B及び図1Cから分かるように、結合
係数kは、共鳴周波数がその最小値(図1B;バイアス磁界レベルを示す横縮尺
は、図1Bと図1Cで同じである)を持つ実質的に同じバイアスレベルでピーク
を持つ(図1C)。図1Bと図1Cに示される曲線の実線部分は、測定値と同様
に、共鳴周波数のくぼみと結合係数kのピークのための理論モデルに対応する。
曲線の点線部分は、実質的に測定され、理論モデルに反する周波数曲線の丸まっ
た最小値と結合係数の丸まったピークを示す。従来の直交磁界焼き鈍し材料のた
めに、ピーク結合係数kは、最適結合係数0.3より際立って上にあるおよそ0
.45である。0.45における結合係数kで、賦活要素のいわゆる「線質係数
(quality factor)」又はQは、賦活要素が共鳴するとき、ずっと速やかにエネ
ルギーを放散し、それゆえ、従来のパルス磁界検出装置で検出できないより低い
リングダウン信号を持つように、従来の動作点HBにおけるより実質的に低い。
アス要素は、従来のバイアス要素よりも大きく、高価であり、マーカーが作動す
るのを妨げる賦活要素を磁気的に強制する傾向がいっそうある。
従来の動作点HBに実質的に対応するように、従来の直交磁界焼き鈍し賦活要素
を形成するために適用される焼き鈍し処理を変えることによって防がれ得る。結
果として生じる共鳴周波数特性は、図1Aの曲線24によって表される。この特
性曲線が従来の動作点においてあるいはその近くで最小値及び零勾配を示すけれ
ども、周波数「くぼみ」は、通常の動作点からのバイアス磁界の小さい経距が共
鳴周波数で重要な変化に導き得るように、非常に急勾配な面を持つ。さらに、特
性曲線24の周波数最小値に対応する結合係数kのピークレベルは、実質的にお
よそ最適レベル0.3より高く、速いリングダウンと許容できない低リングダウ
ン信号振幅を結果として生じる。
あるいはその近くに最小値を、及び動作点に最適な0.3においてあるいはその
近くにおける結合係数kを持って、図1Aの点線曲線26によって示されるよう
な共鳴周波数特性を持つように形成される。
された磁気ひずみ要素として以前に使用されていなかったアモルファス合金組成
に、従来の直交磁界焼き鈍し処理を適用することが、本発明において提案される
。
レベルに対応することが見出された。0.28〜0.40の範囲のkのために、
また、十分な信号振幅が供給される。もし、kが0.4より大きいならば、出力
信号振幅は実質的に減少し、もし、kが0.3よりもずっと小さいならば、呼び
かけパルスによって生成される初期信号レベルは、再びリングダウン出力レベル
の減少を導いて、減少する。kの好ましい範囲は、約0.30から0.35であ
る。
み係数λS、異方性磁界Ha、飽和状態EMでのヤング係数、次式による適用さ
れた縦磁界Hに関連することが示された。
)70,591〜596頁(1982年)の「アモルファス金属の磁気角運動特性」
に記述される。
り小さいか同等であるHの値だけのために保持する。しかしながら、実在の材料
のために、k特性は、図1Cに示されるように、後部によって続かれるH=Ha の丸いピークを示す。
012erg/cm3の値を持つ。望ましい動作点は、6エルステッドのHaレ
ベルを意味する。曲線24よりもむしろ、図1Aに示される特性曲線26を持つ
賦活要素を製造するために、HがHaにほぼ等しいとき、kが0.28〜0.4
0の範囲にあることが望ましい。これは、曲線24によって表される特性を持つ
材料に関してkの実質的減少を必要とする。定数としてEM、H、及びHaをと
り、kが磁気ひずみλSを減らし、及び/又は磁化MSを増加することによって
減少され得ることが分かられ得る。磁化を増加することは、また、出力信号もま
た増加される点で、有益であるが、アモルファス磁性材料で可能な飽和磁化のレ
ベルは、制限される。
ことが分かられる。
図2は、k=0.3とk=0.4のための磁気ひずみに対する磁化のプロットを
示す。磁気ひずみ−磁化空間における望ましい領域は、図2の36で参照される
斜線領域によって示される。好ましい領域36は、MS=1000ガウスの周り
でk=0.3とk=0.4に対応する曲線間に広がる。
図3の曲線38は、Fe80B20からFe20Ni60B20までの組成の範
囲を示す。FeNiB曲線38が望ましい領域36を外していることが観察され
、磁化の望ましいレベルに対応する領域内のkの望ましくない高レベルを結果と
して生じることが期待され得る。例えば、Aで標識付けられた点は、Fe40N
i38Mo4B18当たりであり、望ましくない高結合係数kを持つMetglas 28
26MBとして知られる組成に対応する。その2826MB合金は、いくつかの従来の磁気
角運動マーカー内の賦活要素として鋳放し(as-cast)(すなわち、焼き鈍しせ
ずに)で用いられる。鋳造法は、2826MB鋳放しのためのHaが典型的に、実質的
に従来の動作点より上であるけれども、ある場合に2826MB材料が従来の動作点に
近いHaのレベルを持つように、直交異方性の変化を含む、幾分変化しやすい結
果を受けやすい。
線40上の43で言及される点は、好ましい領域36内であり、Fe20Co6 0 B20に対応する。後者の組成が好ましい動作点で望ましい結合係数kを持つ
ことが期待され得るけれども、そのような材料は、高コバルト含有のために、生
産に非常にコストがかかる。およそCo74Fe60B20である点Bにおいて
、実質的にゼロ磁気ひずみがあることに注意されたい。
金属ガラスの磁気ひずみ」、ソリッドステートコミュニケーション、21巻、1
119〜1120頁からとられる。
:Mn、Mo、Cr、Hf、Zr、Ta、Vの1つ以上を加えることによって、
鉄がより多く、コバルトの含有量がより少なく又は全くなく形成されることを提
案する。
応する。これらの4つの点は、それぞれ、Fe80Cr3B17、Fe78Cr 5 B17、Fe77Cr6B17、及びFe73Cr10B17である。
曲線44上に示される点5〜7は、それぞれ、Fe80Nb3B17、Fe78 Nb5B17、及びFe73Nb10B17である。磁化の望ましいレベルのた
めに、曲線42及び44がFeNiB曲線38よりもより低い磁気ひずみのレベ
ルであることに注意されたい。FeNbB曲線44上の点6は、上記参照の’1
25特許の教示に従って直交磁界焼き鈍し賦活要素を製造するために用いられる
合金Fe32Co18Ni32B13Si5として、実質的に同じ磁気ひずみ−
磁化特性を提供する。
は、1980年9月のS. Ohnuma他の「(Fe、Co及びNi)−Zrアモルフ
ァス合金の磁気特性」、IEEE Transactions on Magnetics、Vol. Mag-16, No. 5
で報告されたように研究された。上で議論されるような磁気ひずみと磁化の報告
された特性及び適正範囲に基づいて、本願発明者は、焼き鈍し後に、共鳴周波数
特性曲線の最小値に対応するバイアス磁界レベルで適切な結合係数kを示すこと
が期待され得る鉄に富む組成範囲を考案した。
r10システムの組成にどのように依存するかを示す。Fe90Zr10のため
の磁気ひずみデータは、この図には含まれない。なぜならば、この合金は、室温
で強磁性体ではないからである。Co又はNiの少なくとも5〜10%は、室温
よりキュリー温度Tcだけ上昇することを要求される。Fe90Zr10のため
の補外によって期待される幾分低い磁気ひずみを与えられ、この要求によってほ
とんど失われない。
モルファス(Fe、Co、Ni)90Zr10合金のための組成でどのように変
化するかを示す。図2に関する前述の議論は、もし、アモルファス合金が適切な
結合係数kと従来のバイアス磁界レベルにおける最小共鳴周波数を持つべきなら
ば、要求される磁化及び磁気ひずみ特性に関する「スウィートスポット」(斜線
領域36)を示した。図4及び図5のデータは、要求される特性を持つ(Fe、
Ni、Co)−(早期遷移金属)組成を選択することにおいて有用である。しか
しながら、もう1つの重要な特性は、キュリー温度(Tc)である。一般に、キ
ュリー温度が高くなれば高くなるほど、室温での飽和磁化が高くなる。それに加
えて、Tcは、望ましい直交磁界焼き鈍し処理を可能にするのに十分な原子移動
度を供給するために、十分に高くなければならない。
。図6Bは、図6Aと同じであるが、Tc≧600°Kである組成の望ましい範
囲を示すために斜線部100を持つ。もし、Tcが約600°Kより低いならば
、直交磁界焼き鈍しによって望ましい直交異方性を形成するのは困難である。
発明者は、適当に高いリングダウン信号と、EASシステムの他のタイプで誤認
警報を引き起こす低い見込みと、改良された共鳴周波数安定性とを持つ磁気角運
動マーカーのためのアモルファス賦活要素を製造するために直交磁界焼き鈍しに
適するように、比較的鉄に富む(そして、比較的低コストの)合金の以下の範囲
を識別した: FeCoNiMBSiC ここで、「M」は、「早期」遷移金属であるMn、Mo、Nb、Cr、Hf、Z
r、Ta、Vの1つ以上であり、「M」は、およそ2〜17原子百分率の全部で
変化する。鉄の割合は、およそ45〜82原子百分率で変化し、コバルトの割合
は、およそ0〜40原子百分率で変化し、ニッケルの割合は、およそ0〜30原
子百分率で変化し、ホウ素の割合は、およそ0〜28原子百分率で変化し、シリ
コンの割合は、およそ0〜8原子百分率で変化し、炭素の割合は、およそ0〜4
原子百分率で変化し、Mn、Mo、Nb、Cr、Ta、及びVの結合割合は、(
もし、これら6つの元素のいずれかが存在するならば、)およそ10原子百分率
を超えず、Zr及びHfの結合割合は、(もし、これら2つの元素のいずれかが
存在するならば、)およそ15原子百分率を越えない。
を示す三成分図である。
適すると期待され得る合金の例である: Fe82Co5B10Zr3、Fe82Co5B10Zr2Nb1、 Fe80Co5Ni5B6Zr4、Fe77Zr3B20、 Fe77Zr3B18Si2、Fe77Nb3B18Si2、 Fe76Co6Ni6B8Zr4、Fe75Co6Ni6B9Zr4、 Fe70Co6Ni10B10Zr4、Fe70Ni10B16Zr4、 Fe70Zr4B26、Fe64Co20B10Zr6、 Fe63Co13Ni10Zr14、Fe60Co10Ni16Zr14、 Fe60Co10Ni16B10Zr4、Fe60Co15Ni5Zr6B8 Si6、 Fe50Co14Ni14Zr4B15Si3 (すべて原子百分率の割合)。
よそ0.28〜0.40の適切な範囲にkを制限するのを助ける。それに加えて
、ETMの低濃縮の含有は、渦電流損を減らし、賦活要素のQを増す電気抵抗率
を増加する。
の潜在的な損失をもたらす。種々の技術によってこれらの損失を最小にし、補償
することが望ましい。飽和磁化の減少は、上記にリストされた他のETMよりむ
しろZr及び/又はHfを用いることによって最小にされ得る。Tcの減少は、
Co及び/又はNiを加えることによって相殺され得る。(Co又はNiの存在
は、また、磁界焼き鈍しによって増加される順序対異方性のために必要とされる
種の派生を加える。)リボン構造をより困難にする増加された溶融温度は、B及
び/又はSiを加えることによって相殺され得る。B及び/又はSiを(Fe、
Co、Ni)Zrに加えることは、また、Tcと飽和磁化と磁気ひずみとを上げ
る。Co又はNiのいずれも存在しないとき、室温磁化は、Tcの結果として生
じる増加のために、(B、Si)>20原子百分率で増加する。
本発明における好ましい合金のより狭い範囲は、Fe(M1)(M2)(M3)
として定義される。ここで、M1は、CoとNiの1つ又は両方であり、M2は
、Mn、Mo、Nb、Cr、Hf、Zr、Ta、Vの1つ以上であり、M3は、
BとSiの1つ又は両方であり、鉄の割合は、およそ50〜75原子百分率で変
化し、M1の割合は、およそ15〜35原子百分率で変化し、M2の割合は、お
よそ3〜12原子百分率で変化し、M3の割合は、およそ0〜20原子百分率で
変化する。炭素の少量は、同じく、およそ4原子百分率まで含まれてもよい。
合金のもう1つのより狭い範囲は、FeMBSiとして定義される。ここで、M
は、Mn、Mo、Nb、Cr、Hf、Zr、Ta、Vの1つ以上であり、鉄の割
合は、およそ70〜80原子百分率で変化し、Mの割合は、およそ2〜8原子百
分率で変化し、ホウ素の割合は、およそ15〜26原子百分率で変化し、シリコ
ンの割合は、およそ0〜4原子百分率で変化する。再び、炭素は、4原子百分率
まで含まれてもよい。
に従って用いられるべき合金は、早期遷移金属、すなわち、Mn、Mo、Nb、
Cr、Hf、Zr、Ta及びVのグループの1つ以上を含んで定義される。しか
しながら、これらの金属は、幾分異なる特性を持つ2つの異なるカテゴリーに分
類され得る。以下、「TE1」で示される第1のカテゴリーは、Zr、Hf及び
Taから成り、「TE2」で示される第2のカテゴリーは、Mo、Mn、Cr、
Nb及びVから成る。
がって、B、Si、Ge、P及びCのようなよりガラスを形成する1つ以上のメ
タロイドは、もし、TE2金属だけが含まれるならば、十分なアモルファスリボ
ンを製造するために含まれなければならない。これは、磁気特性に関して重要で
ある。なぜならば、Bの濃縮を増加することは、室温でより低い飽和磁化MSを
導く飽和モーメントnBを押し下げる傾向があるからである。
濃度を増加することは、所定の鉄に富む(FeNiCo)組成のためにキュリー
温度Tcを増加するが、ホウ素で安定させられた同一の組成のためにTE2濃度
を増加することは、室温磁化の減少を導いて、Tcを減少する。
達成するために、FeNiCoBに導入されるならば、飽和磁化の付随の損失は
、もし、ZrのようなTE1要素が磁気ひずみの同じ減少を得るために使用され
るならば結果として生じるであろうよりも小さい。
成のもう1つの好ましい範囲は、(FeNiCo)100−x−zTE1xMz で定義される。ここで、すべての割合は、原子百分率で表され、Mは、B、Si
、Ge、C及びPの1つ以上であり、5≦x≦16、0≦z≦12であり、合金
内のFeの割合は、少なくとも(100−x−z)の40%であり、合金内のC
oの割合は、わずか(100−x−z)の40%であり、合金内のNiの割合は
、わずか(100−x−z)の40%である。Feの割合が(100−x−z)
の少なくとも60%、80%又は90%であることは、特に好ましい。
い割合(8%以下)のメタロイドであるかを考慮することに注意されたい。さら
に、TE1ガラス形成のより低い濃度(例えば、10%)は、ガラス形成要素と
して使用するメタロイドと比較するように、安定したガラス固化のために必要と
される。その場合、およそ14〜28%のガラス形成は、安定化の同様な程度を
達成することを必要とされる。
された鉄に富む(FeNiCo)90Zr10アモルファス合金である。この範
囲の合金が以前にレポートされたけれども、磁気角運動EASマーカー内の賦活
要素として、直交磁界焼き鈍しの後に、そのような合金が使用に適するのは今ま
で認められなかった。
好ましい範囲は、TE2金属又はただ早期遷移要素のような金属を含む。この範
囲は、(FeNiCo)100−y−zTE2yMzとして定義される。ここで
、Mは、B、Si、Ge、C及びPの1つ以上であり、2≦y≦14、4≦z≦
16、y+z≦25であり、Feの割合は、(100−y−z)の少なくとも2
/3である。この範囲の合金のFe含有量が少なくとも50原子百分率であるこ
とに注意されたい。この範囲の合金の例は、Fe80Nb4B16、Fe72C
o14Nb6B4Ge4及びFe80Cr6B14である。追加の好ましい範囲
は、Feの割合を(100−y−z)の少なくとも60%、80%又は90%で
あることを要求する。
界焼き鈍しの後に磁気角運動EASマーカー内の賦活要素としての使用に適する
ように、これまで認められなかった。
なくとも1つの部材を含み、それは新規であると信じられる。この範囲は、(F
eNiCo)100−x−y−zTE1xTE2yMzとして定義される。ここ
で、5≦x≦16、2≦y≦12、4≦z≦16、x+y≦20、x+y+z≦
30であり、Mは、B、Si、Ge、C及びPの1つ以上であり、すべての割合
は、原子百分率で表される。合金のこの範囲内の好ましい範囲によれば、Feの
割合は、(100−x−y−z)の少なくとも40%、60%、80%又は90
%であってもよい。この範囲の合金の一例は、Fe86Zr5Cr4B5である
。
えることによって達せられることを認識されたい。TE2とメタロイド元素の追
加は、Feに富む組成内にTE1元素又はその複数の元素を含むことによって引
き起こされるキュリー温度と飽和磁化の抑制を改善する。同時に、TE1含有量
によって提供される増加化学的安定性、電気抵抗率及び機械的硬度は、実質的に
保持され得る。増加TE2含有量が磁気モーメントを弱める傾向があるけれども
、この効果は、多分TE2にメタロイドが存在するために、TE1だけが合金を
安定するために用いられるときほど大きくない。
れた組成の複雑さは、望ましい金属ガラスを形成し、安定化するのを容易にする
。同じく、磁気及び機械の特性に対する異なる効果を持つより大きい組成要素を
変える能力は、これらの特性のより大きい制御を可能にする。材料のアモルファ
ス形成のために、組成の個体特性は、水晶性材料のための場合であるよりも特性
のほとんど線形な組み合わせを結果として生じる傾向にある。水晶性合金では、
化学構造の相転移は、組成が変化されるように、特性の不連続な変化を引き起こ
す傾向にある。
交磁界で焼き鈍され、磁気角運動EASマーカーのための賦活要素として、本発
明において使用されてもよい。また、低磁気ひずみと軟磁気特性を必要とする他
の適用でその範囲内のアモルファス材料を用いることもまた、予想される。その
ような適用は、遮蔽のための磁気薄膜、磁気記録読み書きヘッド、磁気ランダム
アクセスメモリー、及びセンサーアプリケーションを含む。
から選択された組成は、およそ6〜12エルステッドの範囲でそして、好ましく
は6〜8エルステッドで、望ましい異方性磁界Hで横向き異方性を生成するため
に、直交磁界焼き鈍される。異方性磁界Hは、図8に示されるように、M−Hル
ープの「ひざ(knee)」部分に本質的に対応する。
Hを供給するために選択され得る。キュリー温度Tcで、あるいはそれ以上で材
料を焼き鈍すことは、磁界に誘導される異方性を引き起こさない。選択された焼
き鈍し温度Taは、それ故、選択された材料のためにTc以下でなければならな
い。材料の組成は、周知の技術によれば、適切な点でキュリー温度Tcに設定す
るために調整されてもよい。好ましくは、Tcは、380〜480℃の範囲であ
る。Tcの好ましい値は、450℃である。選択された焼き鈍し温度に依存して
、焼き鈍しが10秒から10分の範囲で一時Tc以下の10〜100℃の温度で
実行されることは、好ましい。
のように変化するかを示す。所定の焼き鈍し温度のために、Haのより高いレベ
ルは、図9のライン50によって示される限界まで焼き鈍し時間が増加されるよ
うに、達成される。選択された焼き鈍し温度のために達成され得るHaの最大レ
ベルは、一般的に、焼き鈍し温度とキュリー温度Tcの間の相違が増加するにつ
れて増加する。しかしながら、もし、選択された焼き鈍し温度が適当な時間で原
子緩和の十分な量を供給するにはあまりにも低いならば、異方性磁界Haは、ラ
イン50によって示される平衡強度に達することに失敗するであろう。
間のためのライン56によって示されるHaレベルを生成するために、いずれか
が選択され得る焼き鈍し温度Ta1とTa2にそれぞれ対応する、点52と54
で示されるように、所定の焼き鈍し時間のために選択され得る2つの異なる焼き
鈍し温度がある。曲線60と62によって示されるより長い焼き鈍し時間は、も
し、温度Ta2が選択されないが、温度Ta1が選択されるならば、より高いH a のレベルを引き起こす。曲線64で示されるより短い焼き鈍し時間は、もし、
焼き鈍し温度がTa2であるならば、ライン56によって示されるHaのレベル
をほとんど生成するだろうが、もし、温度Ta1が選択されるならば、あらゆる
磁界に誘導される異方性を生成するのに実質的に失敗するであろう。
、ここで議論された組成に関連して電流焼き鈍し及び他の熱処理実施を用いるこ
とは、本発明の範囲内である。
のバイアス要素を含む磁気角運動マーカーに組み込まれ得ることが考慮される。
その代わりに、バイアス要素は、米国特許第5,729,200号(本出願と同
一の発明者及び同一の譲受人を持つ)に記述されるような低保磁力材料から形成
されてもよい。1つの低保磁力材料は、商業的にペンシルバニア、レディングの
カーペンターテクノロジーコーポレイション(Carpenter Technology Corporati
on)の「MagnaDur 20-4」として示される。本発明において低保磁力のバイアス
要素を供給される賦活要素を用いることは、特に有利である。なぜならば、その
ようなバイアス要素は、比較的低レベルの交番磁界に曝すことにおいて、磁化の
わずかな減少を受ける従来のバイアス材料よりも影響されやすいからである。そ
れゆえ、低保磁力バイアス要素がバイアス要素によって供給される実際のバイア
ス磁界に関して小規模に変化する可能性が幾分あるけれども、そのような小さな
変化は、本発明において提供される賦活要素の共鳴周波数を際立ってシフトしな
いだろう。
料の粒子を結合する磁気角運動EASマーカーのための賦活要素(Active Eleme
nt for Magnetomechanical EAS Marker Incorporating Particles of Bias Mate
rial)」と題を付けられ、1997年2月14日に出願され、本出願と同一の発
明者を持つ、上記で参照された同時係属米国特許出願第08/800,772号
に記述された発明を適用することが考慮される。’772出願によれば、半硬質
又は硬質の磁気材料の結晶は、アモルファス磁気軟質賦活要素のバルク内に形成
され、その結晶は、適切なバイアス磁界を供給するために磁化される。別途のバ
イアス要素は、そのような賦活要素には必要とされない。
得る。本発明の特に好ましい実施の形態は、例証であるが、制限する意味がない
ものと意図される。本発明の真の精神及び範囲は、上記の特許請求の範囲で明ら
かにされる。
ーカーのバイアス磁界依存の共鳴周波数特性を示す。 図1B及び図1Cは、それぞれ、本発明において提供される磁気ひずみ要素の
、共鳴周波数特性、及び磁気角運動結合係数(k)特性を示す。
を示す。
示を図2の図解に追加する。
磁気ひずみデータの図である。
CoNi) 90Zr10の三成分図である。
−Ni)−(早期遷移金属−B−Si)システムの三成分図である。
−Hループ特性を示す。
示す。
Claims (78)
- 【請求項1】 磁気角運動EASマーカーであって、 本質的にFeaCobNicMdBeSifCgから成る組成を持つアモルフ
ァス磁気ひずみ金属合金のストリップの形をとる賦活要素と、 レベルHBで前記賦活要素に磁気バイアスを適用するための手段であって、H B は、3エルステッドよりも大きい、前記手段とを備え、 (i)もし、存在するならば、Mn、Mo、Nb、Cr、Ta、Vの結合割合
は、10%を越えず、 (ii)もし、存在するならば、ZrとHfの結合割合は、15%を超えないな
らば、 前記賦活要素は、圧力を軽減するためにそこに焼き鈍され、適用されるバイア
スレベルHBで0.28≦k≦0.4のような、磁気角運動結合係数kを持ち、
45≦a≦82、0≦b≦40、0≦c≦30、2≦d≦17、0≦e≦28、
0≦f≦8、0≦g≦4(原子百分率におけるa〜g)であり、Mは、Mn、M
o、Nb、Cr、Hf、Zr、Ta、Vの1つ以上であることを特徴とする磁気
角運動EASマーカー。 - 【請求項2】 a≧50であることを特徴とする請求項1記載の磁気角運動
EASマーカー。 - 【請求項3】 a≧55であることを特徴とする請求項2記載の磁気角運動
EASマーカー。 - 【請求項4】 a≧60であることを特徴とする請求項3記載の磁気角運動
EASマーカー。 - 【請求項5】 a≧65であることを特徴とする請求項4記載の磁気角運動
EASマーカー。 - 【請求項6】 a≧70であることを特徴とする請求項5記載の磁気角運動
EASマーカー。 - 【請求項7】 b+c≧10であることを特徴とする請求項1記載の磁気角
運動EASマーカー。 - 【請求項8】 b、c≧5であることを特徴とする請求項7記載の磁気角運
動EASマーカー。 - 【請求項9】 b+c≧20であることを特徴とする請求項8記載の磁気角
運動EASマーカー。 - 【請求項10】 Mが排他的にZrであることを特徴とする請求項1記載の
磁気角運動EASマーカー。 - 【請求項11】 d≧8であることを特徴とする請求項10記載の磁気角運
動EASマーカー。 - 【請求項12】 e、f、g=0であることを特徴とする請求項11記載の
磁気角運動EASマーカー。 - 【請求項13】 b、c、f、g=0であることを特徴とする請求項10記
載の磁気角運動EASマーカー。 - 【請求項14】 磁気角運動電子商品監視マーカー内の賦活要素として使用
するための磁気ひずみ要素であって、該要素は、アモルファス金属合金のストリ
ップであり、該要素内の圧力を軽減するように焼き鈍され、該要素の最小共鳴周
波数に対応するバイアス磁界レベルでおよそ0.28〜0.4の範囲の磁気角運
動結合係数kを持ち、前記合金は、本質的にFeaCobNicMdBeSif Cgの組成を持ち、 ここで、 (i)もし、存在するならば、Mn、Mo、Nb、Cr、Ta、Vの結合割合
は、10%を越えず、 (ii)もし、存在するならば、ZrとHfの結合割合は、15%を超えないな
らば、 45≦a≦82、0≦b≦40、0≦c≦30、2≦d≦17、0≦e≦28
、0≦f≦8、0≦g≦4(原子百分率におけるa〜g)であり、Mは、Mn、
Mo、Nb、Cr、Hf、Zr、Ta、Vの1つ以上であることを特徴とする磁
気ひずみ要素。 - 【請求項15】 a≧50であることを特徴とする請求項14記載の磁気ひ
ずみ要素。 - 【請求項16】 a≧55であることを特徴とする請求項15記載の磁気ひ
ずみ要素。 - 【請求項17】 a≧60であることを特徴とする請求項16記載の磁気ひ
ずみ要素。 - 【請求項18】 a≧65であることを特徴とする請求項17記載の磁気ひ
ずみ要素。 - 【請求項19】 a≧70であることを特徴とする請求項18記載の磁気ひ
ずみ要素。 - 【請求項20】 b+c≧10あることを特徴とする請求項14記載の磁気
ひずみ要素。 - 【請求項21】 b、c≧5でであることを特徴とする請求項15記載の磁
気ひずみ要素。 - 【請求項22】 b+c≧20であることを特徴とする請求項21記載の磁
気ひずみ要素。 - 【請求項23】 Mが排他的にZrであることを特徴とする請求項14記載
の磁気ひずみ要素。 - 【請求項24】 d≧8であることを特徴とする請求項23記載の磁気ひず
み要素。 - 【請求項25】 e、f、g=0であることを特徴とする請求項24記載の
磁気ひずみ要素。 - 【請求項26】 b、c、f、g=0であることを特徴とする請求項23記
載の磁気ひずみ要素。 - 【請求項27】 磁気角運動EASマーカーであって、 本質的にFeaM1bM2cM3dCeの組成を持つアモルファス磁気ひずみ
金属合金のストリップの形状である賦活要素と、 レベルHBで前記賦活要素に磁気バイアスを適用するための手段であって、H B は、3エルステッドより大きい、前記手段とを備え、 前記賦活要素は、圧力を軽減するためにそこに焼き鈍され、適用されるバイア
スレベルHBで0.28≦k≦0.4のような、磁気角運動結合係数kを持ち、 ここで、M1はCoとNiの1つ又は両方であり、M2は、Mn、Mo、Nb
、Cr、Hf、Zr、Ta、Vの1つ以上であり、M3は、BとSiの1つ又は
両方であり、50≦a≦75、15≦b≦35、3≦c≦12、0≦d≦20、
0≦e≦4(原子百分率におけるa〜e)であることを特徴とする磁気角運動E
ASマーカー。 - 【請求項28】 a≧60であることを特徴とする請求項27記載の磁気角
運動EASマーカー。 - 【請求項29】 前記合金は、少なくとも約15原子百分率の割合でコバル
トを含むことを特徴とする請求項28記載の磁気角運動EASマーカー。 - 【請求項30】 前記コバルトの割合は、およそ25原子百分率を超えない
ことを特徴とする請求項29記載の磁気角運動EASマーカー。 - 【請求項31】 M2が排他的にZrであることを特徴とする請求項27記
載の磁気角運動EASマーカー。 - 【請求項32】 c≧8であることを特徴とする請求項28記載の磁気角運
動EASマーカー。 - 【請求項33】 d≧10であることを特徴とする請求項28記載の磁気角
運動EASマーカー。 - 【請求項34】 磁気角運動電子商品監視マーカー内の賦活要素として使用
するための磁気ひずみ要素であって、該要素は、アモルファス金属合金のストリ
ップであり、該要素内の圧力を軽減するように焼き鈍され、該要素の最小共鳴周
波数に対応するバイアス磁界レベルでおよそ0.28〜0.4の範囲の磁気角運
動結合係数kを持ち、前記合金は、本質的にFeaM1bM2cM3dCeの組
成を持ち、 ここで、M1はCoとNiの1つ又は両方であり、M2は、Mn、Mo、Nb
、Cr、Hf、Zr、Ta、Vの1つ以上であり、M3は、BとSiの1つ又は
両方であり、50≦a≦75、15≦b≦35、3≦c≦12、0≦d≦20、
0≦e≦4(原子百分率におけるa〜e)であることを特徴とする磁気ひずみ要
素。 - 【請求項35】 a≧60であることを特徴とする請求項34記載の磁気ひ
ずみ要素。 - 【請求項36】 前記合金は、少なくとも約15原子百分率の割合でコバル
トを含むことを特徴とする請求項35記載の磁気ひずみ要素。 - 【請求項37】 前記コバルトの割合は、およそ25原子百分率を超えない
ことを特徴とする請求項36記載の磁気ひずみ要素。 - 【請求項38】 M2が排他的にZrであることを特徴とする請求項34記
載の磁気ひずみ要素。 - 【請求項39】 c≧8であることを特徴とする請求項35記載の磁気ひず
み要素。 - 【請求項40】 d≧10であることを特徴とする請求項35記載の磁気ひ
ずみ要素。 - 【請求項41】 磁気角運動EASマーカーであって、 本質的にFeaMbBcSidCeの組成を持つアモルファス磁気ひずみ金属
合金のストリップの形状である賦活要素と、 レベルHBで前記賦活要素に磁気バイアスを適用するための手段であって、H B は、3エルステッドより大きい、前記手段とを備え、 前記賦活要素は、圧力を軽減するためにそこに焼き鈍され、適用されるバイア
スレベルHBで0.28≦k≦0.4のような、磁気角運動結合係数kを持ち、 ここで、Mは、Mn、Mo、Nb、Cr、Hf、Zr、Ta、Vの1つ以上で
あり、70≦a≦80、2≦b≦8、15≦c≦26、0≦d≦4、0≦e≦4
(原子百分率におけるa〜e)であることを特徴とする磁気角運動EASマーカ
ー。 - 【請求項42】 a≧75であることを特徴とする請求項41記載の磁気角
運動EASマーカー。 - 【請求項43】 c+d≧20であることを特徴とする請求項41記載の磁
気角運動EASマーカー。 - 【請求項44】 磁気角運動電子商品監視マーカー内の賦活要素として使用
するための磁気ひずみ要素であって、該要素は、アモルファス金属合金のストリ
ップであり、該要素内の圧力を軽減するように焼き鈍され、該要素の最小共鳴周
波数に対応するバイアス磁界レベルでおよそ0.28〜0.4の範囲の磁気角運
動結合係数kを持ち、前記合金は、本質的にFeaMbBcSidCeの組成を
持ち、 ここで、Mは、Mn、Mo、Nb、Cr、Hf、Zr、Ta、Vの1つ以上で
あり、70≦a≦80、2≦b≦8、15≦c≦26、0≦d≦4、0≦e≦4
(原子百分率におけるa〜e)であることを特徴とする磁気ひずみ要素。 - 【請求項45】 a≧75であることを特徴とする請求項44記載の磁気ひ
ずみ要素。 - 【請求項46】 c+d≧20であることを特徴とする請求項41記載の磁
気ひずみ要素。 - 【請求項47】 磁気角運動EASマーカーであって、 本質的に(FeNiCo)100−x−zTE1xMzの組成を持つアモルフ
ァス磁気ひずみ金属合金のストリップの形状である賦活要素であって、TE1は
、Zr、Hf、Taの1つ以上であり、Mは、B、Si、Ge、C、Pの1つ以
上であり、x、z及び(100−x−z)は、すべて原子百分率である、前記賦
活要素と、 レベルHBで前記賦活要素に磁気バイアスを適用するための手段であって、H B は、3エルステッドより大きい、前記手段とを備え、 前記賦活要素は、圧力を軽減するためにそこに焼き鈍され、適用されるバイア
スレベルHBで0.28≦k≦0.4のような、磁気角運動結合係数kを持ち、 ここで、5≦x≦16、0≦z≦12であり、 (i)Feの割合は、少なくとも0.4×(100−x−z)、 (ii)Coの割合は、0.4×(100−x−z)以下、 (iii)Niの割合は、0.4×(100−x−z)以下、 であることを特徴とする磁気角運動EASマーカー。 - 【請求項48】 前記合金内のFeの割合は、少なくとも0.6×(100
−x−z)であることを特徴とする請求項47記載の磁気角運動EASマーカー
。 - 【請求項49】 前記合金内のFeの割合は、少なくとも0.8×(100
−x−z)であることを特徴とする請求項48記載の磁気角運動EASマーカー
。 - 【請求項50】 前記合金内のFeの割合は、少なくとも0.9×(100
−x−z)であることを特徴とする請求項49記載の磁気角運動EASマーカー
。 - 【請求項51】 TE1が排他的にZrであることを特徴とする請求項47
記載の磁気角運動EASマーカー。 - 【請求項52】 磁気角運動電子商品監視マーカー内の賦活要素として使用
するための磁気ひずみ要素であって、該要素は、アモルファス金属合金のストリ
ップであり、該要素内の圧力を軽減するように焼き鈍され、該要素の最小共鳴周
波数に対応するバイアス磁界レベルでおよそ0.28〜0.4の範囲の磁気角運
動結合係数kを持ち、前記合金は、本質的に(FeNiCo)100−x−zT
E1xMzの組成を持ち、ここで、 (i)Feの割合は、少なくとも0.4×(100−x−z)であり、 (ii)Coの割合は、0.4×(100−x−z)以下であり、 (iii)Niの割合は、0.4×(100−x−z)以下であるならば、 TE1は、Zr、Hf、Taの1つ以上であり、Mは、B、Si、Ge、C、
Pの1つ以上であり、x、z及び(100−x−z)は、すべて原子百分率であ
り、5≦x≦16、0≦z≦12であることを特徴とする磁気ひずみ要素。 - 【請求項53】 前記合金内のFeの割合は、少なくとも0.6×(100
−x−z)であることを特徴とする請求項52記載の磁気ひずみ要素。 - 【請求項54】 前記合金内のFeの割合は、少なくとも0.8×(100
−x−z)であることを特徴とする請求項53記載の磁気ひずみ要素。 - 【請求項55】 前記合金内のFeの割合は、少なくとも0.9×(100
−x−z)であることを特徴とする請求項54記載の磁気ひずみ要素。 - 【請求項56】 TE1が排他的にZrであることを特徴とする請求項52
記載の磁気ひずみ要素。 - 【請求項57】 磁気角運動EASマーカーであって、 本質的に(FeNiCo)100−y−zTE2yMzの組成を持つアモルフ
ァス磁気ひずみ金属合金のストリップの形状である賦活要素であって、TE2は
、Cr、Nb、Mo、Mn、Vの1つ以上であり、Mは、B、Si、Ge、C、
Pの1つ以上であり、y、z及び(100−y−z)は、すべて原子百分率であ
る、前記賦活要素と、 レベルHBで前記賦活要素に磁気バイアスを適用するための手段であって、H B は、3エルステッドより大きい、前記手段とを備え、 前記賦活要素は、圧力を軽減するためにそこに焼き鈍され、適用されるバイア
スレベルHBで0.28≦k≦0.4のような、磁気角運動結合係数kを持ち、 ここで、Feの割合が(100−y−z)の少なくとも2/3であれば、2≦
y≦14、4≦z≦16、y+z≦25であることを特徴とする磁気角運動EA
Sマーカー。 - 【請求項58】 前記合金内のFeの割合は、0.8×(100−y−z)
であることを特徴とする請求項57記載の磁気角運動EASマーカー。 - 【請求項59】 前記合金内のFeの割合は、0.9×(100−y−z)
であることを特徴とする請求項58記載の磁気角運動EASマーカー。 - 【請求項60】 磁気角運動電子商品監視マーカー内の賦活要素として使用
するための磁気ひずみ要素であって、該要素は、アモルファス金属合金のストリ
ップであり、該要素内の圧力を軽減するように焼き鈍され、該要素の最小共鳴周
波数に対応するバイアス磁界レベルでおよそ0.28〜0.4の範囲の磁気角運
動結合係数kを持ち、前記合金は、本質的に(FeNiCo)100−y−zT
E2yMzの組成を持ち、 ここで、Feの割合が(100−y−z)の少なくとも2/3であれば、TE
2は、Cr、Nb、Mo、Mn、Vの1つ以上であり、Mは、B、Si、Ge、
C、Pの1つ以上であり、y、z及び(100−y−z)は、2≦y≦14、4
≦z≦16、y+z≦25ですべて原子百分率であることを特徴とする磁気ひず
み要素。 - 【請求項61】 前記合金内のFeの割合は、0.8×(100−y−z)
であることを特徴とする請求項60記載の磁気角運動EASマーカー。 - 【請求項62】 前記合金内のFeの割合は、0.9×(100−y−z)
であることを特徴とする請求項61記載の磁気角運動EASマーカー。 - 【請求項63】 磁気角運動EASマーカーであって、 本質的に(FeNiCo)100−x−y−zTE1xTE2yMzの組成を
持つアモルファス磁気ひずみ金属合金のストリップの形状である賦活要素であっ
て、TE1は、Zr、Hf、Taの1つ以上であり、TE2は、Cr、Nb、M
o、Mn、Vの1つ以上であり、Mは、B、Si、Ge、C、Pの1つ以上であ
り、x、y、z及び(100−x−y−z)は、すべて原子百分率である、前記
賦活要素と、 レベルHBで前記賦活要素に磁気バイアスを適用するための手段であって、H B は、3エルステッドより大きい、前記手段とを備え、 前記賦活要素は、圧力を軽減するためにそこに焼き鈍され、適用されるバイア
スレベルHBで0.28≦k≦0.4のような、磁気角運動結合係数kを持ち、 ここで、Feの割合が少なくとも0.4×(100−x−y−z)であるなら
ば、5≦x≦16、2≦y≦12、4≦z≦16、x+y≦20、x+y+z≦
30であることを特徴とする磁気角運動EASマーカー。 - 【請求項64】 前記合金内のFeの割合は、少なくとも0.6×(100
−x−y−z)であることを特徴とする請求項63記載の磁気角運動EASマー
カー。 - 【請求項65】 前記合金内のFeの割合は、少なくとも0.8×(100
−x−y−z)であることを特徴とする請求項64記載の磁気角運動EASマー
カー。 - 【請求項66】 前記合金内のFeの割合は、少なくとも0.9×(100
−x−y−z)であることを特徴とする請求項65記載の磁気角運動EASマー
カー。 - 【請求項67】 TE1が排他的にZrであることを特徴とする請求項63
記載の磁気角運動EASマーカー。 - 【請求項68】 磁気角運動電子商品監視マーカー内の賦活要素として使用
するための磁気ひずみ要素であって、該要素は、アモルファス金属合金のストリ
ップであり、該要素内の圧力を軽減するように焼き鈍され、該要素の最小共鳴周
波数に対応するバイアス磁界レベルでおよそ0.28〜0.4の範囲の磁気角運
動結合係数kを持ち、前記合金は、本質的に(FeNiCo)100−x−y− z TE1xTE2yMzの組成を持ち、ここで、Feの割合が少なくとも0.4
×(100−x−y−z)であるならば、TE1は、Zr、Hf、Taの1つ以
上であり、TE2は、Cr、Nb、Mo、Mn、Vの1つ以上であり、Mは、B
、Si、Ge、C、Pの1つ以上であり、x、y、z及び(100−x−y−z
)は、すべて原子百分率であり、5≦x≦16、2≦y≦12、4≦z≦16、
x+y≦20、x+y+z≦30であることを特徴とする磁気ひずみ要素。 - 【請求項69】 前記合金内のFeの割合は、少なくとも0.6×(100
−x−y−z)であることを特徴とする請求項68記載の磁気ひずみ要素。 - 【請求項70】 前記合金内のFeの割合は、少なくとも0.8×(100
−x−y−z)であることを特徴とする請求項69記載の磁気ひずみ要素。 - 【請求項71】 前記合金内のFeの割合は、少なくとも0.9×(100
−x−y−z)であることを特徴とする請求項70記載の磁気ひずみ要素。 - 【請求項72】 TE1が排他的にZrであることを特徴とする請求項68
記載の磁気ひずみ要素。 - 【請求項73】 本質的に(FeNiCo)100−x−y−zTE1xT
E2yMz から成る組成を持つアモルファス金属合金材料であって、 TE1は、Zr、Hf、Taの1つ以上であり、TE2は、Cr、Nb、Mo
、Mn、Vの1つ以上であり、Mは、B、Si、Ge、C及びPの1つ以上であ
り、x、y、z及び(100−x−y−z)は、5≦x≦16、2≦y≦12、
4≦z≦16、x+y≦20、x+y+z≦30で、すべて原子百分率であるこ
とを特徴とするアモルファス金属合金材料。 - 【請求項74】 Feの割合は、少なくとも0.4×(100−x−y−z
)であることを特徴とする請求項73記載のアモルファス金属合金材料。 - 【請求項75】 Feの割合は、少なくとも0.6×(100−x−y−z
)であることを特徴とする請求項74記載のアモルファス金属合金材料。 - 【請求項76】 Feの割合は、少なくとも0.8×(100−x−y−z
)であることを特徴とする請求項75記載のアモルファス金属合金材料。 - 【請求項77】 Feの割合は、少なくとも0.9×(100−x−y−z
)であることを特徴とする請求項76記載のアモルファス金属合金材料。 - 【請求項78】 TE1が排他的にZrであることを特徴とする請求項73
記載のアモルファス金属合金材料。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US09/165,566 | 1998-10-02 | ||
US09/165,566 US6057766A (en) | 1997-02-14 | 1998-10-02 | Iron-rich magnetostrictive element having optimized bias-field-dependent resonant frequency characteristic |
PCT/US1999/022565 WO2000021045A2 (en) | 1998-10-02 | 1999-09-30 | Iron-rich magnetostrictive element having optimized bias-field-dependent resonant frequency characteristic |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002526664A true JP2002526664A (ja) | 2002-08-20 |
JP2002526664A5 JP2002526664A5 (ja) | 2006-11-24 |
JP4481500B2 JP4481500B2 (ja) | 2010-06-16 |
Family
ID=22599465
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000575093A Expired - Lifetime JP4481500B2 (ja) | 1998-10-02 | 1999-09-30 | 最適化されたバイアス磁界依存の共鳴周波数特性を持つ鉄に富む磁気ひずみ要素 |
Country Status (10)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6057766A (ja) |
EP (1) | EP1145202B1 (ja) |
JP (1) | JP4481500B2 (ja) |
AR (1) | AR020685A1 (ja) |
AU (1) | AU757664B2 (ja) |
BR (1) | BR9914189A (ja) |
CA (1) | CA2345814C (ja) |
DE (1) | DE69942373D1 (ja) |
HK (1) | HK1039390A1 (ja) |
WO (1) | WO2000021045A2 (ja) |
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- 1999-09-30 WO PCT/US1999/022565 patent/WO2000021045A2/en active Search and Examination
- 1999-09-30 JP JP2000575093A patent/JP4481500B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1999-09-30 CA CA002345814A patent/CA2345814C/en not_active Expired - Fee Related
- 1999-09-30 EP EP99967078A patent/EP1145202B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-09-30 DE DE69942373T patent/DE69942373D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1999-09-30 AU AU23430/00A patent/AU757664B2/en not_active Ceased
- 1999-10-01 AR ARP990104986A patent/AR020685A1/es active IP Right Grant
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- 2001-11-23 HK HK01108280.1A patent/HK1039390A1/xx not_active IP Right Cessation
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4481500B2 (ja) | 2010-06-16 |
AR020685A1 (es) | 2002-05-22 |
AU757664B2 (en) | 2003-02-27 |
AU2343000A (en) | 2000-04-26 |
EP1145202B1 (en) | 2010-05-12 |
EP1145202A4 (en) | 2004-06-16 |
HK1039390A1 (en) | 2002-04-19 |
DE69942373D1 (de) | 2010-06-24 |
CA2345814A1 (en) | 2000-04-13 |
US6057766A (en) | 2000-05-02 |
BR9914189A (pt) | 2001-06-19 |
EP1145202A2 (en) | 2001-10-17 |
WO2000021045A2 (en) | 2000-04-13 |
WO2000021045A3 (en) | 2000-09-14 |
CA2345814C (en) | 2008-04-01 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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|
A602 | Written permission of extension of time |
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|
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |