JP2002523888A - 少なくとも1つの放電ランプの点灯回路装置 - Google Patents
少なくとも1つの放電ランプの点灯回路装置Info
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Abstract
Description
路装置に関する。
3987号明細書で公開されている。この回路装置は遮断装置を備えたハーフブ
リッジインバータを有し、遮断装置が異常な点灯状態の場合(例えばランプの点
弧不良又は故障の際)にハーフブリッジインバータを遮断する。この遮断装置は
、ドレイン−ソース区間がハーフブリッジインバータのトランジスタの制御回路
内に配置されこの制御回路を低抵抗状態と高抵抗状態とに切り替える電界効果ト
ランジスタを有している。異常な点灯状態が発生すると、制御回路内に電界効果
トランジスタが配置されているハーフブリッジインバータトランジスタの阻止期
間に同期して遮断が行われる。この回路装置の遮断装置は確かにランプの点弧不
良の際にハーフブリッジインバータを確実に遮断するが、一般的に放電ランプの
いわゆる整流作用の発生に敏感に反応しない。なお、放電ランプの整流作用につ
いては後で詳細に説明する。
るランプ電極の電子放出力に起因する。両電極における電子放出力の低下度合い
はランプ寿命期間において一般的に大きく異なり、交流電流で点灯される放電ラ
ンプの寿命末期には放電ランプを流れる放電電流に対して優先方向が形成される
。放電ランプはこの場合には電流整流作用を始める。この作用は放電ランプの整
流作用と呼ばれている。放電ランプに整流作用が発生することによって、電子放
出力のないランプ電極は過度に加熱され、それにより許容できない程高い温度が
発生し、これによってランプガラス球が溶かされることがある。
つないしは複数の結合コンデンサでの電圧降下を標準値(通常はハーフブリッジ
インバータの入力電圧の値の半分の大きさ)から大きく偏倚させる。自励振動形
ハーフブリッジインバータにおいては、1つないしは複数の結合コンデンサでの
電圧降下のこの偏倚によって、この場合には両ハーフブリッジ枝辺の一方の供給
電圧が自励を維持するためには余りにも少なすぎるので、ハーフブリッジインバ
ータの振動が停止させられる。当然、遮断装置が起動されていない場合、ハーフ
ブリッジインバータの振動はその中断の直後にハーフブリッジインバータの始動
回路によって再び始動させられる。これによって、整流作用を起こしている放電
ランプは確実に遮断されず、明滅するようになる。
電ランプの点灯回路装置を提供することにある。特に、この回路装置は少なくと
も1つの放電ランプの整流作用の発生を検知し、この場合にはハーフブリッジイ
ンバータを永久的に遮断するか、又は少なくとも負荷回路内の電圧及び/又は電
流を危険ではない値に制限することを保証することにある。
決される。本発明の特に優れた実施態様は従属請求項に記載されている。
負荷回路及びハーフブリッジインバータに接続された少なくとも1つの結合コン
デンサと、少なくとも1つの放電ランプ用の端子とを有している本発明による回
路装置は、基準電圧源と検出器回路とを有し、この検出器回路が、少なくとも1
つの結合コンデンサでの電圧降下を、ないしは少なくとも1つの結合コンデンサ
での電圧降下を分圧器によって分圧した電圧を、基準電圧源の基準電圧と比較し
、ハーフブリッジインバータを制御するための出力信号を発生する。
なくとも1つの結合コンデンサでの電圧降下を標準値(ハーフブリッジインバー
タの入力電圧の値の半分の大きさ)から大きく偏倚させる。少なくとも1つの放
電ランプの整流作用の発生は基準電圧源と検出器回路とによって検出され、これ
らの手段によって目標値からの少なくとも1つの結合コンデンサでの電圧降下の
偏倚が求められ、相応する出力信号が発生されてハーフブリッジインバータの駆
動装置に供給され、それによってハーフブリッジインバータが遮断されるか、又
は例えば周波数増大によって負荷回路内の電圧及び/又は電流が危険ではない値
に下げられる。本発明による回路装置における検出器回路がこのために少なくと
も2つの電圧入力端子とハーフブリッジインバータの駆動装置に接続された1つ
の電圧出力端子とを有し、第1の電圧入力端子が基準電圧源に接続され、第2の
電圧入力端子が少なくとも1つの結合コンデンサに接続されていると有利である
。異常な点灯状態の発生の際すなわちランプの故障の際又はその他の事故の発生
の際にハーフブリッジインバータを遮断するために、駆動装置が検出器回路の出
力信号を供給される遮断装置を有していると有利である。
分圧器として形成され、この分圧器の中間接続点で基準電圧が提供されると有利
である。このように、簡単な手段にとって、基準電圧がハーフブリッジインバー
タの供給電圧から作成される。検出器回路が少なくとも、2つのトランジスタと
1つの分圧器とから構成されていると有利である。トランジスタがpnpバイポ
ーラトランジスタであると有利である。検出器回路における分圧器が第1の端子
及び第2の端子と第1の中間接続点及び第2の中間接続点とを有し、その場合第
1の端子が少なくとも1つの結合コンデンサに接続され、第2の端子が基準電圧
源に接続され、第1の中間接続点が第1のpnpトランジスタのエミッタと第2
のpnpトランジスタのベースとに接続され、一方第2の中間接続点が第2のp
npトランジスタのエミッタと第1のpnpトランジスタのベースとに接続され
ていると有利である。pnpトランジスタのコレクタ端子が検出器回路の電圧出
力端子に接続されていると有利である。
る。本発明のこの第1実施例はハーフブリッジインバータとして相互に接続され
た2つのnpnトランジスタQ10、Q11を有しており、それらの制御電極は
ハーフブリッジインバータの駆動装置A1に接続されている。ハーフブリッジイ
ンバータQ10、Q11はその入力又は供給電圧を直流電圧端子j10、j13
を介して受け取る。直流電圧端子j13はアース電位を与えられ、直流電圧端子
j10には約+400Vの電圧が供給される。この入力又は供給電圧は公知のよ
うに例えば整流された電源交流電圧から前置接続された図示されていない昇圧回
路によって作成される。
0、Q11のスイッチングサイクルを決定する集積回路として構成されている。
ハーフブリッジインバータQ10、Q11の中間接続点M10には、共振インダ
クタンスL1、共振コンデンサC10及び蛍光ランプLP1を有し直列共振回路
として形成された負荷回路が接続されている。この負荷回路には結合コンデンサ
C11が接続されている。共振コンデンサC10は蛍光ランプLP1の放電区間
に並列に接続されている。結合コンデンサC11の正端子は分岐点M12を介し
てランプLP1に接続され、その負端子はアース電位を与えられている。トラン
ジスタQ10、Q11は交互にスイッチングされ、それゆえハーフブリッジイン
バータQ10、Q11の中間接続点M10は交互にj10の高電位U(約400
V)とj13のアース電位とに接続される。結合コンデンサC11は理想的な場
合にはハーフブリッジインバータの半分の供給電圧U/2(約200V)に充電
されるので、中間接続点M10と分岐点M12との間には、周波数が主としてト
ランジスタQ10、Q11のスイッチングサイクルによって決定される中周波の
交流電流が流れる。電極の予熱期間中、電流は2つのランプ電極及び共振コンデ
ンサC10を介して流れる。点弧期間中、共振コンデンサC10には、例えば共
振増大法によって、蛍光ランプのための点弧電圧が供給される。ランプLP1で
放電が開始された後、交流電流は主としてランプの放電区間を介して流れ、共振
コンデンサほぼ橋絡される。
ら構成された分圧器と、検出器回路DE1とを有している。分圧器R13、R1
4はハーフブリッジインバータの直流電圧入力端子j10、j13に並列に配置
されている。両分圧器抵抗R13、R14は等しい抵抗値を有しているので、そ
の中間接続点M11にはハーフブリッジインバータQ10、Q11の半分の供給
電圧U/2が印加される。
接続された第1の電圧入力端子と、分圧器R13、R14の中間接続M11に接
続された第2の電圧入力端子と、駆動装置A1に接続された電圧出力端子とを有
している。この検出器回路DE1は、3つの抵抗R10、R11、R12から形
成された分圧器R10、R11、R12と、2つのpnpバイポーラトランジス
タQ12、Q13とから構成されている。3つの分圧器抵抗R10、R11、R
12は分岐点M12と中間接続点M11の間で直列に接続されている。抵抗R1
0、R11間に位置する分圧器抵抗R10、R11、R12の第1の中間接続点
j11は第1のpnpトランジスタQ12のエミッタと第2のpnpトランジス
タQ13のベースとに接続されている。抵抗R11、R12間に位置する分圧器
抵抗R10、R11、R12の第2の中間接続点j12は第2のpnpトランジ
スタQ13のエミッタと第1のpnpトランジスタQ12のベースとに接続され
ている。2つのトランジスタQ12、Q13のコレクタは相互に接続され、検出
器回路DE1の電圧出力端子を形成している。
ッジインバータの入力電圧の半分U/2が印加され、それゆえ理想的な場合には
分圧器R10、R11、R12には電圧降下が現れず、pnpトランジスタQ1
2、Q13は駆動されない。ランプLP1内に整流作用が発生することによって
、ランプ電流に対する優先方向が形成される。これによって結合コンデンサC1
1での電圧降下、従って分岐点M12の電位が変化する。分岐点M12の電位は
優先されたランプ電流の方向に応じて理想値U/2から下方又は上方へ偏倚する
。分岐点M12の電位が理想値U/2からこのように偏倚することによって、分
圧器R10、R11、R12に電圧降下が生ぜしめられる。分圧器R10、R1
1、R12はその場合にpnpトランジスタQ12又はQ13の一方のベースに
対して駆動信号を発生する。分岐点M12の電位が例えばU/2より小さい場合
、第2のpnpトランジスタQ13のベースが駆動される。それとは逆に、分岐
点M12の電位がU/2より大きな値へシフトされた場合、第1のpnpトラン
ジスタQ12のベースが駆動される。pnpトランジスタQ12ないしはQ13
はそのベースとそのエミッタとの間の電圧差が−0.6の大きさである場合に導
通する。すなわち、分圧器抵抗R11での電圧降下が少なくとも0.6Vの大き
さである場合、抵抗R11の電圧の極性に応じて、2つののpnpトランジスタ
Q12又はQ13の一方が導通する。従って、両pnpトランジスタQ12、Q
13の応動閾値は分圧器抵抗R10、R11、R12を適当に設定することによ
って設定することができる。通常のランプ点灯の際分岐点M12の電位は理想値
から既に偏倚しているので、その応動閾値は比較的高く設定されねばならない。
第1実施例の場合、抵抗R11は、分岐点M12の電位が理想値U/2から約1
00V偏倚した際に初めてpnpトランジスタQ12又はQ13が導通するよう
に設定されている。すなわち、トランジスタQ13は結合コンデンサC11での
電圧降下が200Vの代わりに100V又はそれ以下の大きさである場合に導通
し、トランジスタQ12は結合コンデンサC11での電圧降下が200Vから少
なくとも300Vに増大している場合に導通する。この2つの事例において、検
出器回路DE1はハーフブリッジインバータQ10、Q11の駆動回路A1に対
して出力信号を発生し、この出力信号は特にハーフブリッジインバータQ10、
Q11を遮断するために利用される。この出力信号は当然同様に、例えばハーフ
ブリッジインバータQ10、Q11の制御周波数を増大させることによって、負
荷回路内の電圧及び/又は電流を制限するために使用することができる。第1実
施例による回路装置の部品の設定値が表1に示されている。
インバータとして相互に接続された2つのnpnトランジスタQ20、Q21を
有しており、それらの制御電極はハーフブリッジインバータの駆動装置A2に接
続されている。ハーフブリッジインバータQ20、Q21はその入力又は供給電
圧を直流電圧端子j20、j23を介して受け取る。直流電圧端子j23はアー
ス電位を与えられ、直流電圧端子j20には約+400Vの電圧が供給される。
この入力又は供給電圧は公知のように例えば整流された電源交流電圧から前置接
続された図示されていない昇圧回路によって作成される。
0、Q21のスイッチングサイクルを決定する集積回路として構成されている。
ハーフブリッジインバータQ20、Q21の中間接続点M20には、共振インダ
クタンスL2、共振コンデンサC20及び蛍光ランプLP2を有し直列共振回路
として形成された負荷回路が接続されている。この負荷回路には結合コンデンサ
C21が接続されている。共振コンデンサC20は蛍光ランプLP2の放電区間
に並列に接続されている。結合コンデンサC21の正端子は分岐点M22を介し
てランプLP2に接続され、その負端子はアース電位を与えられている。トラン
ジスタQ20、Q21は交互にスイッチングされ、それゆえハーフブリッジイン
バータQ20、Q21の中間接続点M20は交互にj20の高電位U(約400
V)とj23のアース電位とに接続される。結合コンデンサC21は理想的な場
合にはハーフブリッジインバータの半分の供給電圧U/2(約200V)に充電
されるので、中間接続点M20と分岐点M22との間には、周波数が主としてト
ランジスタQ20、Q21のスイッチングサイクルによって決定される中周波の
交流電流が流れる。
、結合コンデンサC21に接続された分圧器R23、R24とを有している。分
圧器R23、R24は結合コンデンサ電圧U/2を分圧器抵抗R23、R24の
抵抗値の比で分圧する。検出器回路は第2実施例においては分圧器抵抗R20、
R21、R22と、pnp小信号トランジスタQ22、Q23とから構成されて
いる。この検出器回路は第1実施例の検出器回路DE1と全く同じに構成されて
いる。その電圧入力端子は当然分圧器R23、R24の中間接続点と、基準電圧
源Urefとに接続されている。第1実施例との主要な相違は、今や、第2実施
例の検出器回路が第1実施例の場合のように結合コンデンサC21での電圧降下
を検出するのではなく、その代わりに分圧器抵抗R24での電圧降下を監視して
基準電圧源Urefの基準電圧と比較することにある。基準電圧Urefは約+
5Vの大きさであり、補助電圧源によって発生される。結合コンデンサC21で
の電圧降下は分圧器R23、R24によって比1/39に分圧され、それゆえ理
想的な場合には抵抗R24には同様に約+5Vの電圧が印加される。というのは
、結合コンデンサC21での電圧降下は理想的な場合にはハーフブリッジインバ
ータQ20、Q21の半分の供給電圧U/2に等しく、すなわち約200Vの大
きさであるからである。トランジスタQ22、Q23のエミッタ端子及びベース
端子用の中間接続点j21、j22を備えた検出器回路R20、R21、R22
、Q22、Q23は第1実施例の検出器回路DE1と全く同じに機能する。唯一
の相違は、第2実施例の検出器回路(図2)が抵抗R20、R22に設けられた
その電圧入力端子に与えられる、第1実施例の検出回路DE1より著しく小さい
入力電圧で動作することである。これによって、第2実施例回路の検出器回路に
おいては小信号トランジスタQ22、Q23を使用することができるという利点
がもたらされる。しかしながら、2つの最初に示した検出器回路の機能はその他
の点では同じである。結合コンデンサC21での電圧が例えば100V以下の値
に低下すると、抵抗R24での電圧降下は2.5V以下の大きさになる。その場
合にはトランジスタQ23が導通する。結合コンデンサC21での電圧が300
V以上に増大すると、抵抗R24での電圧降下は7.5V以上の大きさになる。
その場合にはトランジスタQ22が導通する。両事例において、検出器回路はハ
ーフブリッジインバータQ20、Q21の駆動装置A2に対して出力信号を供給
する。この出力信号は特にハーフブリッジインバータQ20、Q21を遮断する
ために使用される。本発明の第2実施例による回路装置の部品の適当な設定は表
2に示されている。
するための回路装置への本発明の適用を示す。この回路装置はハーフブリッジイ
ンバータとして相互に接続された2つのnpnトランジスタQ30、Q31を有
しており、それらの制御電極はハーフブリッジインバータの駆動装置A3に接続
されている。ハーフブリッジインバータQ30、Q31はその入力又は供給電圧
を直流電圧端子j30、j33を介して受け取る。直流電圧端子j33はアース
電位を与えられ、直流電圧端子j30には約+400Vの電圧が供給される。こ
の入力又は供給電圧は公知のように例えば整流された電源交流電圧から前置接続
された図示されていない昇圧回路によって作成される。
0、Q31のスイッチングサイクルを決定する集積回路として構成されている。
ハーフブリッジインバータQ30、Q31の中間接続点M30には、並列接続さ
れ直列共振回路として形成された2つの負荷回路が接続されている。両負荷回路
はそれぞれ共振インダクタンスL3ないしはL4、共振コンデンサC30ないし
はC40、及び蛍光ランプLP3ないしはLP4を有している。両負荷回路には
それぞれ結合コンデンサC32ないしはC33が接続されている。両結合コンデ
ンサCC32、C33には理想的な場合にはハーフブリッジインバータQ30、
Q31の半分の供給電圧U/2が印加される。中間接続点M31、M32の電位
は理想的な場合にはU/2すなわち約+200Vである。中間接続点M31、M
32にはそれぞれ分圧器抵抗R30、R31、R32とpnpトランジスタQ3
2、Q33とから成る検出器回路の電圧入力端子が接続されている。この検出器
回路の電圧出力端子はpnpトランジスタQ32、Q33の相互接続されたコレ
クタによって形成されている。その電圧出力端子はハーフブリッジインバータQ
30、Q31の駆動回路A3に接続されている。分圧器R30、R31、R32
の第1の中間接続点j31は第1のpnpトランジスタQ32のエミッタと第2
のpnpトランジスタQ33のベースとに接続され、一方その第2の中間接続点
j32は第2のpnpトランジスタQ33のエミッタと第1のpnpトランジス
タQ32のベースとに接続されている。この第3実施例における検出器回路は両
結合コンデンサC32、C33での電圧降下を監視する。その場合、一方の結合
コンデンサC32ないしはC33はそれぞれ他方の結合コンデンサC33ないし
はC32に対して基準電圧源として作用する。
合コンデンサC32での電圧降下が理想値U/2=200Vから100V以上偏
倚して、例えば300V以上の大きさになると、第1のpnpトランジスタQ3
2が導通する。この場合に基準電圧源として作用する他方の結合コンデンサC3
3には、つまり理想的な場合には何時もハーフブリッジインバータQ30、Q3
1の半分の供給電圧U/2が印加される。第1の結合コンデンサC32での電圧
が100V以下の値に低下すると、第2のpnpトランジスタQ33が導通する
。
コンデンサC33での電圧降下が理想値U/2=200Vから偏倚する。例えば
、第2の結合コンデンサC33での電圧降下が300V以上に増大すると、第2
のpnpトランジスタQ33が導通する。この場合に基準電圧源として作用する
第1の結合コンデンサC32には、つまり理想的な場合には何時もハーフブリッ
ジインバータQ30、Q31の半分の供給電圧U/2が印加される。第2の結合
コンデンサC33での電圧が100V以下の値に低下すると、第1のpnpトラ
ンジスタQ32が導通する。
において、検出器回路はその電圧出力端子にハーフブリッジインバータ30、Q
31の駆動装置A3に対する駆動信号を発生し、この駆動信号は特にハーフブリ
ッジインバータ30、Q31を遮断するために使用される。この第3実施例にお
ける検出器回路は第1実施例における検出器回路DE1と完全に同じに動作する
。第3実施例における検出器回路は整流作用が両ランプLP3、LP4において
同時に発生する場合には当然機能しない。第3実施例において使用された部品の
適当な設定は表3に示されている。
子E1、E2、E3を有する検出器回路を示す。ハーフブリッジインバータの中
間接続点は並列接続された3つの負荷回路に接続される。各電圧入力端子E1、
E2、E3は1つの負荷回路における結合コンデンサの正電位の端子に接続され
る。この検出器回路は3つの負荷回路における結合コンデンサでの電圧降下を互
いに比較する。この検出器回路は第3実施例における検出器回路と完全に同じに
動作する。図4に示されている検出器回路は3つのpnpトランジスタQ42、
Q43、Q44と、3つのベース−エミッタ抵抗R41、R43、R45と、3
つの前置抵抗R40、R42、R44とから構成されている。pnpトランジス
タQ42、Q43、Q44の相互接続されたコレクタは検出器回路の電圧出力端
子を形成している。
に比べて応動閾値以上に増大したら、トランジスタQ44ないしはQ42ないし
はQ43が導通する。入力端子E1ないしはE2ないしはE3の電位が他の両入
力端子の電位に比べて応動閾値以下に低下したら、トランジスタQ42ないしは
Q43ないしはQ44が導通する。今述べた全ての事例において、検出器回路の
電圧出力端子にはハーフブリッジインバータの駆動装置に対する駆動信号が発生
される。この検出器回路は別のpnpトランジスタ及びベース−エミッタ抵抗な
らびに別の前置抵抗を追加することによって、並列接続された4つ以上の負荷回
路にも適合させることができる。
ジスタは類似の電流−電圧特性を有する電界効果トランジスタによって置換する
ことができる。しかしながら、pnpトランジスタの代わりに、検出器回路用に
npnトランジスタを使用することもできる。その場合、適当な手段を用いての
み、ハーフブリッジインバータの駆動装置は検出器回路によって正しい極性の制
御信号を与えられることが保証されねばならない。
示す概略回路図。
す概略回路図。
Claims (7)
- 【請求項1】 少なくとも1つの負荷回路(L1、C10、LP1;L2、
C20、LP2;L3、C30、LP3;L4、C31、LP4)が後置接続さ
れているハーフブリッジインバータ(Q10、Q11;Q20、Q21;Q30
、Q31)と、負荷回路(L1、C10、LP1;L2、C20、LP2;L3
、C30、LP3;L4、C31、LP4)及びハーフブリッジインバータ(Q
10、Q11;Q20、Q21;Q30、Q31)に接続された少なくとも1つ
の結合コンデンサ(C11;C21;C32、C33)と、ハーフブリッジイン
バータ(Q10、Q11;Q20、Q21;Q30、Q31)の駆動装置(A1
;A2;A3)とを備え、負荷回路(L1、C10、LP1;L2、C20、L
P2;L3、C30、LP3;L4、C31、LP4)が少なくとも1つの放電
ランプ(LP1;LP2;LP3;LP4)用の端子を有している少なくとも1
つの放電ランプの点灯回路装置において、 この回路装置が、基準電圧源(R13、R14;Uref;C32、C33)
と検出器回路(DE1;R20、R21、R22、Q22、Q23;R30、R
31、R32、Q32、Q33)とを有し、この検出器回路が、少なくとも1つ
の結合コンデンサ(C11;C32、C33)での電圧降下を、ないしは少なく
とも1つの結合コンデンサ(C21)での電圧降下を分圧器(R23、R24)
によって分圧した電圧を、基準電圧源(R13、R14;Uref;C32、C
33)の基準電圧と比較し、ハーフブリッジインバータ(Q10、Q11;Q2
0、Q21;Q30、Q31)を制御するための出力信号を発生することを特徴
とする少なくとも1つの放電ランプの点灯回路装置。 - 【請求項2】 検出器回路(DE1)が少なくとも2つの電圧入力端子と1
つの電圧出力端子とを有し、 第1の電圧入力端子が基準電圧源(R13、R14)に接続され、 第2の電圧入力端子が少なくとも1つの結合コンデンサ(C11)の端子(M
12)に接続され、 検出器回路(DE1)の電圧出力端子がハーフブリッジインバータ(Q10、
Q11)の駆動装置(A1)に接続されている、 ことを特徴とする請求項1記載の回路装置。 - 【請求項3】 駆動装置(A1;A2;A3)が、異常な点灯状態が発生し
たらハーフブリッジインバータ(Q10、Q11;Q20、Q21;Q30、Q
31)を遮断する遮断装置を含んでいることを特徴とする請求項1記載の回路装
置。 - 【請求項4】 基準電圧源が、ハーフブリッジインバータ(Q10、Q11
)の直流電圧入力端子に並列接続された分圧器(R13、R14)によって形成
され、この分圧器(R13、R14)が基準電圧を提供する中間接続点(M11
)を有していることを特徴とする請求項1記載の回路装置。 - 【請求項5】 検出器回路が少なくとも、2つのトランジスタ(Q12、Q
13;Q22、Q23;Q32、Q33)と1つの分圧器(R10、R11、R
12;R20、R21、R22;R30、R31、R32)とから構成されてい
ることを特徴とする請求項1記載の回路装置。 - 【請求項6】 トランジスタ(Q12、Q13;Q22、Q23;Q32、
Q33)がpnpバイポーラトランジスタであることを特徴とする請求項5記載
の回路装置。 - 【請求項7】 分圧器(R10、R11、R12;R20、R21、R22
;R30、R31、R32)が第1の端子及び第2の端子と第1の中間接続点(
j11;j21;j31)及び第2の中間接続点(j12;j22;j32)と
を有し、 第1の端子が少なくとも1つの結合コンデンサ(C11;C32ないしはC3
3)に接続され、 第2の端子が基準電圧源(R13、R14;Uref;C33ないしはC32
)に接続され、 第1の中間接続点(j11;j21;j31)が第1のトランジスタ(Q12
;Q22;Q32)のエミッタと第2のトランジスタ(Q13;Q23;Q33
)のベース端子とに接続され、 第2の中間接続点(j12;j22;j32)が第2のトランジスタ(Q13
;Q23;Q33)のエミッタと第1のトランジスタ(Q12;Q22;Q32
)のベース端子とに接続され、 トランジスタ(Q12、Q13;Q22、Q23;Q32、Q33)のコレク
タ端子が検出器回路の電圧出力端子に接続されている、 ことを特徴とする請求項5又は6記載の回路装置。
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