JP4315598B2 - 少なくとも2つの放電ランプの点灯回路装置 - Google Patents
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Description
【0001】
本発明は、少なくとも2つの放電ランプの点灯回路装置に関する。
【背景技術】
【0002】
例えばヨーロッパ特許出願公開第0753987号明細書で公開されている回路装置は遮断装置を備えたハーフブリッジインバータを有し、遮断装置が異常な点灯状態の場合(例えばランプの点弧不良又は故障の際)にハーフブリッジインバータを遮断する。この遮断装置は、ドレイン−ソース区間がハーフブリッジインバータのトランジスタの制御回路内に配置されこの制御回路を低抵抗状態と高抵抗状態とに切り替える電界効果トランジスタを有している。異常な点灯状態が発生すると、制御回路内に電界効果トランジスタが配置されているハーフブリッジインバータトランジスタの阻止期間に同期して遮断が行われる。この回路装置の遮断装置は確かにランプの点弧不良の際にハーフブリッジインバータを確実に遮断するが、一般的に放電ランプのいわゆる整流作用の発生に敏感に反応しない。なお、放電ランプの整流作用については後で詳細に説明する。
【0003】
放電ランプ、特に低圧放電ランプの故障原因はランプ寿命の経過と共に減少するランプ電極の電子放出力に起因する。両電極における電子放出力の低下度合いはランプ寿命期間において一般的に大きく異なり、交流電流で点灯される放電ランプの寿命末期には放電ランプを流れる放電電流に対して優先方向が形成される。放電ランプはこの場合には電流整流作用を始める。この作用は放電ランプの整流作用と呼ばれている。放電ランプに整流作用が発生することによって、電子放出力のないランプ電極は過度に加熱され、それにより許容できない程高い温度が発生し、これによってランプガラス球が溶かされることがある。
【0004】
さらに、ハーフブリッジインバータで点灯される放電ランプの整流作用は、1つないしは複数の結合コンデンサでの電圧降下を標準値(通常はハーフブリッジインバータの入力電圧の値の半分の大きさ)から大きく偏倚させる。自励振動形ハーフブリッジインバータにおいては、1つないしは複数の結合コンデンサでの電圧降下のこの偏倚によって、この場合には両ハーフブリッジ枝辺の一方の供給電圧が自励を維持するためには余りにも少なすぎるので、ハーフブリッジインバータの振動が停止させられる。当然、遮断装置が起動されていない場合、ハーフブリッジインバータの振動はその中断の直後にハーフブリッジインバータの始動回路によって再び始動させられる。これによって、整流作用を起こしている放電ランプは確実に遮断されず、明滅するようになる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
本発明の課題は、従来の技術の欠点を有しない改善された少なくとも2つの放電ランプの点灯回路装置を提供することにある。特に、この回路装置は少なくとも2つの放電ランプの整流作用の発生を検知し、この場合にはハーフブリッジインバータを永久的に遮断するか、又は少なくとも負荷回路内の電圧及び/又は電流を危険ではない値に制限することを保証することにある。
【課題を解決するための手段】
【0006】
この課題は、本発明によれば、
並列接続され直列共振回路として形成された少なくとも2つの負荷回路が後置接続されているハーフブリッジインバータと、
並列接続された少なくとも2つの負荷回路用にそれぞれ設けられた結合コンデンサと、
ハーフブリッジインバータの駆動装置と、
結合コンデンサでの電圧降下を基準電圧と比較し、ハーフブリッジインバータを制御するための出力信号を発生する検出器回路とを備え、
各結合コンデンサはそれぞれ1つの負荷回路に接続され、
負荷回路は少なくとも1つの放電ランプ用の端子を有し、
検出器回路は、分圧器抵抗と少なくとも2つのトランジスタとから構成され、分圧器抵抗および少なくとも2つのトランジスタは、一方の結合コンデンサが他方の結合コンデンサに対して基準電圧源として用いられることによって、検出器回路が結合コンデンサでの電圧降下を監視するように接続されていることによって解決される。
【0007】
本発明の優れた実施態様は次の通りである。
トランジスタはバイポーラトランジスタであり、
トランジスタのコレクタは互いに接続されて、検出器回路の出力端子を形成し、
第1のトランジスタのベースは第1の前置抵抗を介して第1の結合コンデンサの正電位端子に接続され、
第1のトランジスタのベースはベース−エミッタ抵抗を介して第1のトランジスタのエミッタに接続され、
第1のトランジスタのエミッタは第2の前置抵抗を介して第2の結合コンデンサの正電位端子に接続され、
第2のトランジスタのベースは第2の前置抵抗を介して第2の結合コンデンサの正電位端子に接続され、
第2のトランジスタのベースはベース−エミッタ抵抗を介して第2のトランジスタのエミッタに接続され、
第2のトランジスタのエミッタは第1の前置抵抗を介して第1の結合コンデンサの正電位端子に接続されるか又は他の前置抵抗を介して他の結合コンデンサの正電位端子に接続される。
【0008】
既に詳細に述べたように、放電ランプの整流作用の発生は結合コンデンサでの電圧降下を標準値(ハーフブリッジインバータの入力電圧の値の半分の大きさ)から大きく偏倚させる。放電ランプの整流作用の発生は検出器回路により、目標値からの結合コンデンサでの電圧降下の偏倚が求められ、その場合一方の結合コンデンサが他方の結合コンデンサに対して基準電圧源として作用することによって検出され、相応する出力信号が発生されてハーフブリッジインバータの駆動装置に供給され、それによってハーフブリッジインバータが遮断されるか、又は例えば周波数増大によって負荷回路内の電圧及び/又は電流が危険ではない値に下げられる。異常な点灯状態の発生の際すなわちランプの故障の際又はその他の事故の発生の際にハーフブリッジインバータを遮断するために、駆動装置が検出器回路の出力信号を供給される遮断装置を有していると有利である。
【0009】
検出器回路が少なくとも、2つのトランジスタと1つの分圧器とから構成されていると有利である。トランジスタがpnpバイポーラトランジスタであると有利である。検出器回路における分圧器が第1の端子及び第2の端子と第1の中間接続点及び第2の中間接続点とを有し、その場合第1の端子が少なくとも1つの結合コンデンサに接続され、第2の端子が基準電圧源に接続され、第1の中間接続点が第1のpnpトランジスタのエミッタと第2のpnpトランジスタのベースとに接続され、一方第2の中間接続点が第2のpnpトランジスタのエミッタと第1のpnpトランジスタのベースとに接続されていると有利である。pnpトランジスタのコレクタ端子が検出器回路の電圧出力端子に接続されていると有利である。
【発明を実施するための最良の形態】
【0010】
次に、本発明を複数の実施例に基づいて説明する。
【0011】
第1実施例(図1)は2つの並列接続された蛍光ランプLP3、LP4を点灯するための回路装置への本発明の適用を示す。この回路装置はハーフブリッジインバータとして相互に接続された2つのnpnトランジスタQ30、Q31を有しており、それらの制御電極はハーフブリッジインバータの駆動装置A3に接続されている。ハーフブリッジインバータQ30、Q31はその入力又は供給電圧を直流電圧端子j30、j33を介して受け取る。直流電圧端子j33はアース電位を与えられ、直流電圧端子j30には約+400Vの電圧が供給される。この入力又は供給電圧は公知のように例えば整流された電源交流電圧から前置接続された図示されていない昇圧回路によって作成される。
【0012】
ハーフブリッジインバータQ30、Q31の駆動回路A3はトランジスタQ30、Q31のスイッチングサイクルを決定する集積回路として構成されている。ハーフブリッジインバータQ30、Q31の中間接続点M30には、並列接続され直列共振回路として形成された2つの負荷回路が接続されている。両負荷回路はそれぞれ共振インダクタンスL3ないしはL4、共振コンデンサC30ないしはC40、及び蛍光ランプLP3ないしはLP4を有している。両負荷回路にはそれぞれ結合コンデンサC32ないしはC33が接続されている。両結合コンデンサCC32、C33には理想的な場合にはハーフブリッジインバータQ30、Q31の半分の供給電圧U/2が印加される。中間接続点M31、M32の電位は理想的な場合にはU/2すなわち約+200Vである。中間接続点M31、M32にはそれぞれ分圧器抵抗R30、R31、R32とpnpトランジスタQ32、Q33とから成る検出器回路の電圧入力端子が接続されている。この検出器回路の電圧出力端子はpnpトランジスタQ32、Q33の相互接続されたコレクタによって形成されている。その電圧出力端子はハーフブリッジインバータQ30、Q31の駆動回路A3に接続されている。分圧器R30、R31、R32の第1の中間接続点j31は第1のpnpトランジスタQ32のエミッタと第2のpnpトランジスタQ33のベースとに接続され、一方その第2の中間接続点j32は第2のpnpトランジスタQ33のエミッタと第1のpnpトランジスタQ32のベースとに接続されている。この第1実施例における検出器回路は両結合コンデンサC32、C33での電圧降下を監視する。その場合、一方の結合コンデンサC32ないしはC33はそれぞれ他方の結合コンデンサC33ないしはC32に対して基準電圧源として作用する。
【0013】
例えば第1のランプLP3において整流作用が発生し、それによって第1の結合コンデンサC32での電圧降下が理想値U/2=200Vから100V以上偏倚して、例えば300V以上の大きさになると、第1のpnpトランジスタQ32が導通する。この場合に基準電圧源として作用する他方の結合コンデンサC33には、つまり理想的な場合には何時もハーフブリッジインバータQ30、Q31の半分の供給電圧U/2が印加される。第1の結合コンデンサC32での電圧が100V以下の値に低下すると、第2のpnpトランジスタQ33が導通する。
【0014】
それに対して第2のランプLP4において整流作用が発生すると、第2の結合コンデンサC33での電圧降下が理想値U/2=200Vから偏倚する。例えば、第2の結合コンデンサC33での電圧降下が300V以上に増大すると、第2のpnpトランジスタQ33が導通する。この場合に基準電圧源として作用する第1の結合コンデンサC32には、つまり理想的な場合には何時もハーフブリッジインバータQ30、Q31の半分の供給電圧U/2が印加される。第2の結合コンデンサC33での電圧が100V以下の値に低下すると、第1のpnpトランジスタQ32が導通する。
【0015】
両pnpトランジスタQ32又はQ32の一方が導通する前述した全ての事例において、検出器回路はその電圧出力端子にハーフブリッジインバータ30、Q31の駆動装置A3に対する駆動信号を発生し、この駆動信号は特にハーフブリッジインバータ30、Q31を遮断するために使用される。第1実施例における検出器回路は整流作用が両ランプLP3、LP4において同時に発生する場合には当然機能しない。第1実施例において使用された部品の適当な設定は表1に示されている。
【0016】
図2はハーフブリッジインバータを備えた回路装置のための3つの電圧入力端子E1、E2、E3を有する検出器回路を示す。ハーフブリッジインバータの中間接続点は並列接続された3つの負荷回路に接続される。各電圧入力端子E1、E2、E3は1つの負荷回路における結合コンデンサの正電位の端子に接続される。この検出器回路は3つの負荷回路における結合コンデンサでの電圧降下を互いに比較する。この検出器回路は第1実施例における検出器回路と完全に同じに動作する。図2に示されている検出器回路は3つのpnpトランジスタQ42、Q43、Q44と、3つのベース−エミッタ抵抗R41、R43、R45と、3つの前置抵抗R40、R42、R44とから構成されている。pnpトランジスタQ42、Q43、Q44の相互接続されたコレクタは検出器回路の電圧出力端子を形成している。
【0017】
例えば入力端子E1ないしはE2ないしはE3の電位が他の両入力端子の電位に比べて応動閾値以上に増大したら、トランジスタQ44ないしはQ42ないしはQ43が導通する。入力端子E1ないしはE2ないしはE3の電位が他の両入力端子の電位に比べて応動閾値以下に低下したら、トランジスタQ42ないしはQ43ないしはQ44が導通する。今述べた全ての事例において、検出器回路の電圧出力端子にはハーフブリッジインバータの駆動装置に対する駆動信号が発生される。この検出器回路は別のpnpトランジスタ及びベース−エミッタ抵抗ならびに別の前置抵抗を追加することによって、並列接続された4つ以上の負荷回路にも適合させることができる。
【0018】
本発明は上述した実施例に限定されない。例えば、検出器回路のpnpトランジスタは類似の電流−電圧特性を有する電界効果トランジスタによって置換することができる。しかしながら、pnpトランジスタの代わりに、検出器回路用にnpnトランジスタを使用することもできる。その場合、適当な手段を用いてのみ、ハーフブリッジインバータの駆動装置は検出器回路によって正しい極性の制御信号を与えられることが保証されねばならない。
【0019】
[表1]
第1実施例における電気部品の設定値
L3、L4 1.6mH
C30、C31 7.5nF
C32、C33 68nF
R30、R32 390kΩ
Q32、Q33 BF421
【図面の簡単な説明】
【0020】
【図1】本発明による2つの並列接続された蛍光ランプの点灯回路装置の第1実施例を示す概略回路図。
【図2】3つ以上のランプを点灯するための本発明の第2実施例による検出器回路を示す概略回路図。
【符号の説明】
【0021】
LP3、LP4 蛍光ランプ
Q30、Q31 ハーフブリッジインバータ
A3 駆動装置
C32、C33 結合コンデンサ
j31、j32 中間接続点
Claims (1)
- 並列接続され直列共振回路として形成された少なくとも2つの負荷回路(L3、C30、LP3;L4、C31、LP4)が後置接続されているハーフブリッジインバータ(Q30、Q31)と、
並列接続された少なくとも2つの負荷回路(L3、C30、LP3;L4、C31、LP4)用にそれぞれ設けられた結合コンデンサ(C32、C33)と、
ハーフブリッジインバータ(Q30、Q31)の駆動装置(A3)と、
結合コンデンサ(C32、C33)での電圧降下を基準電圧と比較し、ハーフブリッジインバータ(Q30、Q31)を制御するための出力信号を発生する検出器回路とを備え、
各結合コンデンサ(C32、C33)はそれぞれ1つの負荷回路(L3、C30、LP3;L4、C31、LP4)に接続され、
負荷回路(L3、C30、LP3;L4、C31、LP4)は少なくとも1つの放電ランプ(LP3;LP4)用の端子を有し、
検出器回路は、分圧器抵抗(R30〜R32;R40〜R45)と少なくとも2つのバイポーラトランジスタ(Q32、Q33;Q42〜Q44)とから構成され、
バイポーラトランジスタ(Q32、Q33;Q42〜Q44)のコレクタは互いに接続されて、検出器回路の出力端子を形成し、
第1のバイポーラトランジスタ(Q32、Q42)のベースは第1の抵抗(R32;R40)を介して第1の結合コンデンサ(C33)の正電位端子(M32;E1)に接続され、
第1のバイポーラトランジスタ(Q32、Q42)のベースはベース−エミッタ抵抗(R31;R41)を介して第1のバイポーラトランジスタ(Q32、Q42)のエミッタに接続され、
第1のバイポーラトランジスタ(Q32、Q42)のエミッタは第2の抵抗(R30;R42)を介して第2の結合コンデンサ(C32)の正電位端子(M31;E2)に接続され、
第2のバイポーラトランジスタ(Q33、Q43)のベースは第2の抵抗(R30;R42)を介して第2の結合コンデンサ(C32)の正電位端子(M31;E2)に接続され、
第2のバイポーラトランジスタ(Q33、Q43)のベースはベース−エミッタ抵抗(R31;R43)を介して第2のバイポーラトランジスタ(Q33、Q43)のエミッタに接続され、
第2のバイポーラトランジスタ(Q33、Q43)のエミッタは第1の抵抗(R32)を介して第1の結合コンデンサ(C33)の正電位端子(M32)に接続されるか又は他の抵抗(R44)を介して他の結合コンデンサの正電位端子(E3)に接続される
ことを特徴とする少なくとも2つの放電ランプの点灯回路装置。
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