JP2002506295A - 銅フィルムの研磨後に半導体基板を洗浄するための方法および装置 - Google Patents
銅フィルムの研磨後に半導体基板を洗浄するための方法および装置Info
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- C23G1/02—Cleaning or pickling metallic material with solutions or molten salts with acid solutions
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- C23G1/103—Other heavy metals copper or alloys of copper
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、銅フィルムを化学機械研磨した後に半導体基板を洗浄するための洗浄液と、洗浄方法と、洗浄装置とに関する。
【解決手段】 本発明は、銅層の研磨後に半導体基板を洗浄するための、脱イオン水と、有機化合物と、アンモニウム化合物とを酸性ｐＨ環境下で混合して得られる洗浄液を含む。銅のＣＭＰ後に半導体基板を洗浄するこのような方法により、ブラシローディング、ならびに基板表面およびサブサーフェスの汚染に関連した問題を軽減することができる。図３は、本発明の一実施形態による洗浄工程を示した流れ図である。工程３１０で半導体基板上の銅層を研磨し、続いて工程３２０で研磨後の半導体基板をスクラバ内に配置し、工程３３０で研磨後の半導体基板をスクラビングし、最後に工程３４０で、研磨後の半導体基板にスクラビングの途中で酸性の洗浄液を施す。
Description
【０００１】
この発明は、基板を処理および洗浄するための方法に関し、特に、銅フィルム
の研磨後に半導体基板を洗浄するための方法および装置に関する。
の研磨後に半導体基板を洗浄するための方法および装置に関する。
【０００２】
高性能半導体デバイスの製造では、アルミニウム（Ａｌ）に替わるメタライゼ
ーション用の材料として、銅（Ｃｕ）が使用されはじめている。Ｃｕが望ましい
のは、Ａｌに比べて抵抗率が低く、エレクトロマイグレーションのライフタイム
が相当に改善されているためである。
ーション用の材料として、銅（Ｃｕ）が使用されはじめている。Ｃｕが望ましい
のは、Ａｌに比べて抵抗率が低く、エレクトロマイグレーションのライフタイム
が相当に改善されているためである。
【０００３】 Ｃｕをメタライゼーションする方法の１つに、デュアルダマシン的なアプロー
チ法がある。先ず、図１ａに示されるように、誘電体層１１０を基板１００上に
堆積させる。誘電体層１２０は、例えば二酸化ケイ素のような材料で構成される
。ついで、図１ｂに示されるように、誘電体層１１０内にバイアおよび／または
トレンチ１２０を形成する。バイア／トレンチ１２０は、例えばドライエッチン
グのような技術を使用して形成される。次に、図１ｃに示されるように、例えば
タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、または窒化チタン（ＴｉＮ）よりなる障壁
材料の薄膜（障壁層）１３０を堆積させる。障壁層１３０が堆積すると、図１ｄ
に示されるように、バイアス／トレンチ１２０が銅（Ｃｕ）層１４０で満たされ
る。Ｃｕ層１４０は、例えば化学蒸着法（ＣＶＤ）、物理蒸着法（ＰＶＤ）、ま
たは電気めっき法などの周知の堆積技術により、堆積させることができる。ここ
で、図１ｅに示されるように銅による相互配線を隔離するためには、余分な銅層
１４０および障壁層１３０を取り除く必要がある。
チ法がある。先ず、図１ａに示されるように、誘電体層１１０を基板１００上に
堆積させる。誘電体層１２０は、例えば二酸化ケイ素のような材料で構成される
。ついで、図１ｂに示されるように、誘電体層１１０内にバイアおよび／または
トレンチ１２０を形成する。バイア／トレンチ１２０は、例えばドライエッチン
グのような技術を使用して形成される。次に、図１ｃに示されるように、例えば
タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、または窒化チタン（ＴｉＮ）よりなる障壁
材料の薄膜（障壁層）１３０を堆積させる。障壁層１３０が堆積すると、図１ｄ
に示されるように、バイアス／トレンチ１２０が銅（Ｃｕ）層１４０で満たされ
る。Ｃｕ層１４０は、例えば化学蒸着法（ＣＶＤ）、物理蒸着法（ＰＶＤ）、ま
たは電気めっき法などの周知の堆積技術により、堆積させることができる。ここ
で、図１ｅに示されるように銅による相互配線を隔離するためには、余分な銅層
１４０および障壁層１３０を取り除く必要がある。
【０００４】 余分な銅層１４０および障壁層１３０を取り除く方法の１つに、例えば化学機
械研磨（ＣＭＰ）などの技術を使用して、基板の表面を研磨する方法がある。Ｃ
ＭＰ工程において、半導体基板は、アルミニウム粒子などの研磨材と、過酸化水
素などの酸化剤と、を含有したスラリを使用して研磨される。このとき、パーテ
ィクルおよび／または金属汚染を含む汚染物が、銅層１５０上と、誘電体層１６
０上と、誘電体のサブサーフェス１６５内とに導入される。
械研磨（ＣＭＰ）などの技術を使用して、基板の表面を研磨する方法がある。Ｃ
ＭＰ工程において、半導体基板は、アルミニウム粒子などの研磨材と、過酸化水
素などの酸化剤と、を含有したスラリを使用して研磨される。このとき、パーテ
ィクルおよび／または金属汚染を含む汚染物が、銅層１５０上と、誘電体層１６
０上と、誘電体のサブサーフェス１６５内とに導入される。
【０００５】 ＣＭＰ工程がどのように実施されるかにかかわらず、半導体基板の表面からは
、汚染物を取り除く必要がある。さもないと、これらの汚染物がデバイスの性能
特性に影響し、デバイスが通常より早く故障する恐れが生じる。銅を化学機械研
磨した後に行う半導体基板の洗浄は、銅層および誘電体層からこれらの汚染物を
取り除くために、必要である。
、汚染物を取り除く必要がある。さもないと、これらの汚染物がデバイスの性能
特性に影響し、デバイスが通常より早く故障する恐れが生じる。銅を化学機械研
磨した後に行う半導体基板の洗浄は、銅層および誘電体層からこれらの汚染物を
取り除くために、必要である。
【０００６】 銅層を研磨した後に半導体基板を洗浄する方法の１つに、ブラシスクラビング
がある。片面のみであれ両面同時処理であれ、ブラシスクラビングは、ＣＭＰの
適用時に酸化物やタングステンを洗浄するさいの業界標準である。しかしながら
、銅層のＣＭＰ後の洗浄にブラシスクラビングを適用するにあたって、いくつか
の問題点が生じる。
がある。片面のみであれ両面同時処理であれ、ブラシスクラビングは、ＣＭＰの
適用時に酸化物やタングステンを洗浄するさいの業界標準である。しかしながら
、銅層のＣＭＰ後の洗浄にブラシスクラビングを適用するにあたって、いくつか
の問題点が生じる。
【０００７】 第１の問題点は、ブラシローディング（brush loading）である。ＣＭＰ工程 の実施中、銅層の表面が酸化され、酸化銅（Ｃｕ2Ｏ又はＣｕＯ）などの酸化物 や、水酸化銅（Ｃｕ（ＯＨ）2）が形成される。ｐＨが塩基性または中性の洗浄 環境では、酸化銅や水酸化銅は溶解せずにブラシに移着して、ブラシをローディ
ングする。汚染された（すなわちローディングされた）ブラシは、洗浄の工程中
、続いて処理される基板上に、酸化銅や水酸化銅の汚染物を移着させる恐れがあ
る。
ングする。汚染された（すなわちローディングされた）ブラシは、洗浄の工程中
、続いて処理される基板上に、酸化銅や水酸化銅の汚染物を移着させる恐れがあ
る。
【０００８】 タングステンやその他の酸化物に適用する場合は、希釈水酸化アンモニウム（
ＮＨ4ＯＨ）を加えることにより、ブラシローディングを低減することができる 。ＮＨ4ＯＨの存在下では、酸化銅の一部は錯体Ｃｕ（ＮＨ3）2+を形成して溶解
する。しかしながら、ｐＨが大きい環境のため、希釈水酸化アンモニウムでは、
酸化銅によるブラシのローディングを防止するのに不十分である。また、希釈水
酸化アルミニウムでスクラブすると、銅層もエッチングされるため、表面が激し
く粗面化される恐れが生じる。
ＮＨ4ＯＨ）を加えることにより、ブラシローディングを低減することができる 。ＮＨ4ＯＨの存在下では、酸化銅の一部は錯体Ｃｕ（ＮＨ3）2+を形成して溶解
する。しかしながら、ｐＨが大きい環境のため、希釈水酸化アンモニウムでは、
酸化銅によるブラシのローディングを防止するのに不十分である。また、希釈水
酸化アルミニウムでスクラブすると、銅層もエッチングされるため、表面が激し
く粗面化される恐れが生じる。
【０００９】 銅のＣＭＰ工程にアルミニウム粒子を使用した場合にも、ブラシローディング
が発生する。中性酸または無機酸（例えばＨＣｌ）で洗浄する環境では、アルミ
ニウム粒子と二酸化シリコンの表面との間に静電力が働くため、アルミニウム粒
子を誘電材料の表面から取り除くのが困難になる。この静電力が原因でアルミニ
ウム粒子がブラシに付着し、上述したのと同様な効果の、新たなブラシローディ
ングの問題が生じる。
が発生する。中性酸または無機酸（例えばＨＣｌ）で洗浄する環境では、アルミ
ニウム粒子と二酸化シリコンの表面との間に静電力が働くため、アルミニウム粒
子を誘電材料の表面から取り除くのが困難になる。この静電力が原因でアルミニ
ウム粒子がブラシに付着し、上述したのと同様な効果の、新たなブラシローディ
ングの問題が生じる。
【００１０】 ＣＭＰ工程で生じる第２の問題点は、研磨の工程中、誘電体層の表面およびサ
ブサーフェスが、スラリからの汚染物に加えて、銅層および障壁層からの金属に
も汚染されることである。汚染物のなかでも特に金属汚染物は、ＣＭＰ工程中に
、誘電体層をその表面からほぼ１００オングストロームの深さまで貫通する。繰
り返すが、これらの汚染物は、デバイスの性能特性に影響し、デバイスを通常よ
り早く故障させる恐れがある。
ブサーフェスが、スラリからの汚染物に加えて、銅層および障壁層からの金属に
も汚染されることである。汚染物のなかでも特に金属汚染物は、ＣＭＰ工程中に
、誘電体層をその表面からほぼ１００オングストロームの深さまで貫通する。繰
り返すが、これらの汚染物は、デバイスの性能特性に影響し、デバイスを通常よ
り早く故障させる恐れがある。
【００１１】
銅薄膜の化学機械研磨後に半導体基板を洗浄するための洗浄液と、洗浄方法と
、洗浄装置とが、開示されている。ある実施形態では、銅層の研磨後に、酸性ｐ
Ｈ環境を形成するために脱イオン水と、有機化合物と、アンモニウム化合物とを
含有する洗浄液を使用して、半導体基板の表面を洗浄する。
、洗浄装置とが、開示されている。ある実施形態では、銅層の研磨後に、酸性ｐ
Ｈ環境を形成するために脱イオン水と、有機化合物と、アンモニウム化合物とを
含有する洗浄液を使用して、半導体基板の表面を洗浄する。
【００１２】 本発明の特徴および効果は、以下の詳細な説明と種々の図面、および請求の範
囲により明らかになる。
囲により明らかになる。
【００１３】
銅フィルムを研磨した後に半導体基板を洗浄するための方法および装置を開示
する。以下では、本発明の詳細な理解のため、材料、プロセス、パラメータ、デ
ィメンション等の多くの項目を特定する。しかしながら、当業者に明らかなよう
に、これらの特定された項目は、本発明の実施に必ずしも使用されるものではな
い。また、本発明の内容が不明瞭になるのを避けるため、周知の材料または方法
の詳細な説明は省略した。
する。以下では、本発明の詳細な理解のため、材料、プロセス、パラメータ、デ
ィメンション等の多くの項目を特定する。しかしながら、当業者に明らかなよう
に、これらの特定された項目は、本発明の実施に必ずしも使用されるものではな
い。また、本発明の内容が不明瞭になるのを避けるため、周知の材料または方法
の詳細な説明は省略した。
【００１４】 以下では、半導体基板を洗浄するための洗浄液、洗浄方法、洗浄装置について
説明する。ある実施形態では、半導体基板の洗浄は、銅による相互配線の形成、
およびその銅による相互配線の化学機械研磨（ＣＭＰ）／プラナリゼーションの
後に行われる。銅による相互配線を形成する工程は、当業界では周知であるため
、ここでは詳述しない。
説明する。ある実施形態では、半導体基板の洗浄は、銅による相互配線の形成、
およびその銅による相互配線の化学機械研磨（ＣＭＰ）／プラナリゼーションの
後に行われる。銅による相互配線を形成する工程は、当業界では周知であるため
、ここでは詳述しない。
【００１５】 ここで使用される半導体基板という用語は、デバイス層がすでに形成されてい
るかまたはこれから形成されるシリコン半導体基板の、全部またはその一部（例
えばガリウムヒ素）を意味する。また、基板という用語は、上に半導体材料が載
っており、完全もしくは部分的に処理されているかまたは未処理の基板を含んだ
概念であり、それのみに限定されない。
るかまたはこれから形成されるシリコン半導体基板の、全部またはその一部（例
えばガリウムヒ素）を意味する。また、基板という用語は、上に半導体材料が載
っており、完全もしくは部分的に処理されているかまたは未処理の基板を含んだ
概念であり、それのみに限定されない。
【００１６】 また、洗浄のための洗浄液、方法、および装置は、半導体基板またはウェーハ
のスクラビングと関連させて説明するが、類似した形状すなわち一般的に見て平
らな基板ならどのようなものでも、本発明による方法および装置により処理する
ことが可能である。さらにまた、半導体基板またはウェハは、ドーピングの有無
によらずベアすなわち純粋な半導体基板と、エピタキシャル層を有した半導体基
板と、工程のどこかの段階で１層またはそれ以上のデバイス層が組み込まれた半
導体基板と、１層またはそれ以上の半導体層が組み込まれたその他の基板（絶縁
膜上半導体（ＳＩＯ）デバイスを有した基板、フラットパネルディスプレイやマ
ルチチップモジュールなどのようなその他の装置やデバイスを加工するための基
板など）と、を含む。
のスクラビングと関連させて説明するが、類似した形状すなわち一般的に見て平
らな基板ならどのようなものでも、本発明による方法および装置により処理する
ことが可能である。さらにまた、半導体基板またはウェハは、ドーピングの有無
によらずベアすなわち純粋な半導体基板と、エピタキシャル層を有した半導体基
板と、工程のどこかの段階で１層またはそれ以上のデバイス層が組み込まれた半
導体基板と、１層またはそれ以上の半導体層が組み込まれたその他の基板（絶縁
膜上半導体（ＳＩＯ）デバイスを有した基板、フラットパネルディスプレイやマ
ルチチップモジュールなどのようなその他の装置やデバイスを加工するための基
板など）と、を含む。
【００１７】 ある実施形態では、半導体基板の洗浄に使用される洗浄液は、脱イオン水と、
有機化合物と、無機化合物とから調製され、これら全てを混合させることにより
、半導体基板の表面を洗浄するための酸性ｐＨ環境を形成する。また、このよう
な洗浄は、銅層の研磨後に行われ得る。酸性ｐＨ環境を使用することにより、銅
酸化物の溶解を促進し、従来の技術で論じたブラシローディングの問題を、いく
らか緩和することができる。酸性ｐＨ環境は、ｐＨ値が約１〜６の範囲内に維持
することが望ましい。１つの実施形態では、酸性ｐＨ環境は、ｐＨ値が約２〜４
の範囲内にある。
有機化合物と、無機化合物とから調製され、これら全てを混合させることにより
、半導体基板の表面を洗浄するための酸性ｐＨ環境を形成する。また、このよう
な洗浄は、銅層の研磨後に行われ得る。酸性ｐＨ環境を使用することにより、銅
酸化物の溶解を促進し、従来の技術で論じたブラシローディングの問題を、いく
らか緩和することができる。酸性ｐＨ環境は、ｐＨ値が約１〜６の範囲内に維持
することが望ましい。１つの実施形態では、酸性ｐＨ環境は、ｐＨ値が約２〜４
の範囲内にある。
【００１８】 有機化合物（例えば有機酸）を使用すると、金属錯化合物の形成が促進される
ため、誘電体層の表面およびブラシの表面から、金属汚染物質が除去されやすく
なる。使用され得る有機酸の例としては、クエン酸、リンゴ酸、マロン酸、コハ
ク酸、またはこれら有機酸の任意の化合物が挙げられる。
ため、誘電体層の表面およびブラシの表面から、金属汚染物質が除去されやすく
なる。使用され得る有機酸の例としては、クエン酸、リンゴ酸、マロン酸、コハ
ク酸、またはこれら有機酸の任意の化合物が挙げられる。
【００１９】 ある実施形態では、有機化合物を、約１００ｐｐｍ〜２％の重量パーセントで
脱イオン水（ＤＩＷ）に溶解させる。別の実施形態では、有機化合物のより好ま
しい重量パーセントは約２００ｐｐｍ〜０．２％であり得る。ある実施形態にお
ける有機化合物がクエン酸である場合、脱イオン水に溶解されるクエン酸の重量
パーセントは約０．２％である。
脱イオン水（ＤＩＷ）に溶解させる。別の実施形態では、有機化合物のより好ま
しい重量パーセントは約２００ｐｐｍ〜０．２％であり得る。ある実施形態にお
ける有機化合物がクエン酸である場合、脱イオン水に溶解されるクエン酸の重量
パーセントは約０．２％である。
【００２０】 無機化合物を使用することにより、汚染パーティクルと、ブラシおよび基板の
表面との間に働く静電力を変化させ、両者間の反発を促進することができる。こ
のため、汚染パーティクルはブラシおよび基板に反発し、基板およびブラシは汚
染パーティクルに反発して、汚染パーティクルの除去に有利な状態が提供される
。ある実施形態における洗浄液内の無機化合物は、水酸化アンモニウム（ＮＨ4 ＯＨ）、無機酸のアンモニウム塩（例えば塩化アンモニウム（ＮＨ4Ｃｌ）やフ ッ化アンモニウム（ＮＨ4Ｆ））、または陰イオン表面活性剤であり得る。
表面との間に働く静電力を変化させ、両者間の反発を促進することができる。こ
のため、汚染パーティクルはブラシおよび基板に反発し、基板およびブラシは汚
染パーティクルに反発して、汚染パーティクルの除去に有利な状態が提供される
。ある実施形態における洗浄液内の無機化合物は、水酸化アンモニウム（ＮＨ4 ＯＨ）、無機酸のアンモニウム塩（例えば塩化アンモニウム（ＮＨ4Ｃｌ）やフ ッ化アンモニウム（ＮＨ4Ｆ））、または陰イオン表面活性剤であり得る。
【００２１】 無機化合物は、約１００ｐｐｍ〜２％の重量パーセントで脱イオン水（ＤＩＷ
）に溶解させることが望ましい。ある実施形態における無機化合物がアンモニウ
ム化合物である場合、アンモニウム化合物は、約２００ｐｐｍ〜０．１％の重量
パーセントでＤＩＷに溶解される。ある実施形態では、ＤＩＷに溶解される水酸
化アンモニウムの重量パーセントは（洗浄液に使用される場合は）約０．０２％
である。
）に溶解させることが望ましい。ある実施形態における無機化合物がアンモニウ
ム化合物である場合、アンモニウム化合物は、約２００ｐｐｍ〜０．１％の重量
パーセントでＤＩＷに溶解される。ある実施形態では、ＤＩＷに溶解される水酸
化アンモニウムの重量パーセントは（洗浄液に使用される場合は）約０．０２％
である。
【００２２】 洗浄液の様々な調製方法の一例として、０．０２ｗｔ％のＮＨ4ＯＨと０．２ ｗｔ％のクエン酸とを、ＤＩＷのなかで混合させる方法が挙げられる。この例で
は、溶液のｐＨ値は約４である。
は、溶液のｐＨ値は約４である。
【００２３】 例えば塩化アンモニウムやフッ化アンモニウムのようなアンモニウム塩が使用
されるとすると、ＤＩＷに溶解されるアンモニウム塩の重量パーセントは約０．
０５〜０．１％で良い。また、陰イオン表面活性剤が使用されるとすると、ＤＩ
Ｗに溶解される陰イオン表面活性剤の重量パーセントは約５０ｐｐｍ〜０．２％
で良い。
されるとすると、ＤＩＷに溶解されるアンモニウム塩の重量パーセントは約０．
０５〜０．１％で良い。また、陰イオン表面活性剤が使用されるとすると、ＤＩ
Ｗに溶解される陰イオン表面活性剤の重量パーセントは約５０ｐｐｍ〜０．２％
で良い。
【００２４】 ある実施形態では、ＤＩＷと、アンモニウム塩と、塩化化合物との洗浄液が、
半導体基板の洗浄に使用される。ある実施形態では、この洗浄液のｐＨ値は約２
〜４の範囲である。アンモニウム塩は、上述したアンモニウム塩のうちの１つで
良い。ある実施形態では、アンモニウム塩を、約２００ｐｐｍ〜０．２％の重量
パーセントで脱イオン水（ＤＩＷ）に溶解させることが望ましい。ある実施形態
では、アンモニウム塩は約０．１％の重量パーセントでＤＩＷに溶解される。塩
化化合物は、塩酸（ＨＣｌ）、塩化アンモニウム、またはこれらの混合物で良い
。ある実施形態では、塩化化合物を、約０．１〜１％の重量パーセントでＤＩＷ
に溶解させることが望ましい。ある実施形態では、ＤＩＷに溶解される塩化化合
物の重量パーセントは約０．１％である。
半導体基板の洗浄に使用される。ある実施形態では、この洗浄液のｐＨ値は約２
〜４の範囲である。アンモニウム塩は、上述したアンモニウム塩のうちの１つで
良い。ある実施形態では、アンモニウム塩を、約２００ｐｐｍ〜０．２％の重量
パーセントで脱イオン水（ＤＩＷ）に溶解させることが望ましい。ある実施形態
では、アンモニウム塩は約０．１％の重量パーセントでＤＩＷに溶解される。塩
化化合物は、塩酸（ＨＣｌ）、塩化アンモニウム、またはこれらの混合物で良い
。ある実施形態では、塩化化合物を、約０．１〜１％の重量パーセントでＤＩＷ
に溶解させることが望ましい。ある実施形態では、ＤＩＷに溶解される塩化化合
物の重量パーセントは約０．１％である。
【００２５】 洗浄液は、有機酸、無機酸のアンモニウム塩、または陰イオン表面活性剤を含
む薬剤を、酸性ｐＨ環境でＤＩＷに溶解させて混合させたもので良い。このよう
な場合、有機酸は、上で挙げた有機酸のうちの１つで良く、ＤＩＷに溶解される
ときの重量パーセントは、約０．２％か、あるいは０．１〜１％で良い。陰イオ
ン表面活性剤を使用する場合、約５０ｐｐｍ〜０．２％の重量パーセントでＤＩ
Ｗに溶解させることが好ましく、ある実施形態では約０．２％の重量パーセント
で溶解される。
む薬剤を、酸性ｐＨ環境でＤＩＷに溶解させて混合させたもので良い。このよう
な場合、有機酸は、上で挙げた有機酸のうちの１つで良く、ＤＩＷに溶解される
ときの重量パーセントは、約０．２％か、あるいは０．１〜１％で良い。陰イオ
ン表面活性剤を使用する場合、約５０ｐｐｍ〜０．２％の重量パーセントでＤＩ
Ｗに溶解させることが好ましく、ある実施形態では約０．２％の重量パーセント
で溶解される。
【００２６】 ある実施形態では、本発明による薬剤を、同一の洗浄液に予め混合することに
より、銅のＣＭＰ工程に続くブラシスクラビング工程に関連して生じる幾つかの
問題点を、同時に解決することができる。このような簡単なアプローチにより、
基板から基板、および同一基板内におけるクロス汚染をかなり減少させ、ひいて
は防止することができる。また、溶液に塩酸（ＨＣｌ）を加えることにより、ｐ
Ｈ値を調整して銅酸化物の溶解を促進させても良い。
より、銅のＣＭＰ工程に続くブラシスクラビング工程に関連して生じる幾つかの
問題点を、同時に解決することができる。このような簡単なアプローチにより、
基板から基板、および同一基板内におけるクロス汚染をかなり減少させ、ひいて
は防止することができる。また、溶液に塩酸（ＨＣｌ）を加えることにより、ｐ
Ｈ値を調整して銅酸化物の溶解を促進させても良い。
【００２７】 本発明の範囲は、洗浄液の様々な調製方法をカバーし、溶液中の各成分は、同
様な特性を有した異なる薬剤で置き換えても良い。従来の技術で説明したように
、半導体基板上の銅による相互配線をＣＭＰ技術で平坦化した後、半導体基板を
洗浄し、半導体基板の表面およびサブサーフェスからあらゆる汚染物を取り除く
必要がある。半導体基板から汚染物を取り除くこのような技術の１つに、半導体
基板（基板）のスクラビングがある。
様な特性を有した異なる薬剤で置き換えても良い。従来の技術で説明したように
、半導体基板上の銅による相互配線をＣＭＰ技術で平坦化した後、半導体基板を
洗浄し、半導体基板の表面およびサブサーフェスからあらゆる汚染物を取り除く
必要がある。半導体基板から汚染物を取り除くこのような技術の１つに、半導体
基板（基板）のスクラビングがある。
【００２８】 本発明は、例示的且つ非限定的に、スクラビングプロセス、特にウェハの両面
を同時にスクラブするスクラビングプロセスと関連させて、説明を行う。スクラ
バは、幾らかのステーションを備えていても良い。各ステーションは、基板の洗
浄工程のうちの１つまたは２つ以上の工程を表す。汚染された基板はスクラビン
グシステムの一端にロードされ、洗浄・乾燥を経た基板は同システムのもう一端
からアンロードされる。この種のスクラビングシステムの例として、アメリカ・
カリフォルニアのミルピタスにあるOnTrak Systems,Inc.製造の、DSS-200 Scrub
ber（商標）およびSynergy Scrubber（商標）が挙げられる。
を同時にスクラブするスクラビングプロセスと関連させて、説明を行う。スクラ
バは、幾らかのステーションを備えていても良い。各ステーションは、基板の洗
浄工程のうちの１つまたは２つ以上の工程を表す。汚染された基板はスクラビン
グシステムの一端にロードされ、洗浄・乾燥を経た基板は同システムのもう一端
からアンロードされる。この種のスクラビングシステムの例として、アメリカ・
カリフォルニアのミルピタスにあるOnTrak Systems,Inc.製造の、DSS-200 Scrub
ber（商標）およびSynergy Scrubber（商標）が挙げられる。
【００２９】 図２は、Synergy（商標） の構造（洗浄システム）を示す断面図である。汚染
された基板は一般に、化学機械プラナリゼーション（ＣＭＰ）の後にウェットベ
ンチから、または結果として汚染が生じたその他の工程から、洗浄システムに送
られる。洗浄工程のスタート時には、汚染された基板がウェハカセット２８０（
カセット）にロードされ、ついでカセット２８０がウェットセンドインデクサス
テーション２１０に配置される。カセット２８０がウェットセンドインデクサス
テーション２１０に配置されると、基板は自動的にカセット２８０から取り外さ
れ、一枚ずつ外部ブラシステーション２２０に配置される。
された基板は一般に、化学機械プラナリゼーション（ＣＭＰ）の後にウェットベ
ンチから、または結果として汚染が生じたその他の工程から、洗浄システムに送
られる。洗浄工程のスタート時には、汚染された基板がウェハカセット２８０（
カセット）にロードされ、ついでカセット２８０がウェットセンドインデクサス
テーション２１０に配置される。カセット２８０がウェットセンドインデクサス
テーション２１０に配置されると、基板は自動的にカセット２８０から取り外さ
れ、一枚ずつ外部ブラシステーション２２０に配置される。
【００３０】 外部ブラシステーション２２０において、基板は第１回目のスクラビングを施
される。第１回目のスクラビングにおいて、洗浄液は複数の異なる方法で基板上
に施される。例えばある実施形態では、洗浄液は基板上に吹き付けられる。別の
実施形態では、洗浄液はブラシ２２１を通じて基板上に施される。さらに別の実
施形態では、洗浄液を基板上に滴下させる。
される。第１回目のスクラビングにおいて、洗浄液は複数の異なる方法で基板上
に施される。例えばある実施形態では、洗浄液は基板上に吹き付けられる。別の
実施形態では、洗浄液はブラシ２２１を通じて基板上に施される。さらに別の実
施形態では、洗浄液を基板上に滴下させる。
【００３１】 スクラブされた基板は、ついで、自動的に外部ブラシステーション２２０から
取り外され、内部ブラシステーション２３０に配置される。内部ブラシステーシ
ョン２３０において、基板は第２回目のスクラビングを施される。内部ブラシス
テーション２３０において、洗浄液は、外部ブラシステーション２２０における
場合と同様な方法で、基板上に施される。
取り外され、内部ブラシステーション２３０に配置される。内部ブラシステーシ
ョン２３０において、基板は第２回目のスクラビングを施される。内部ブラシス
テーション２３０において、洗浄液は、外部ブラシステーション２２０における
場合と同様な方法で、基板上に施される。
【００３２】 第２回目のスクラビングの後、基板は自動的に内部ブラシステーション２３０
から取り外され、リンス・スピン・乾燥ステーション２４０に配置される。リン
ス・スピン・乾燥ステーション２４０では、基板をリンスし、スピンさせ、そし
て乾燥させる。この時点において、ウェハの洗浄が完了する。
から取り外され、リンス・スピン・乾燥ステーション２４０に配置される。リン
ス・スピン・乾燥ステーション２４０では、基板をリンスし、スピンさせ、そし
て乾燥させる。この時点において、ウェハの洗浄が完了する。
【００３３】 リンス、スピン、および乾燥の工程が完了すると、基板は、リンス・スピン・
乾燥ステーション２４０からアウトプットステーション２５０に移され、カセッ
ト２８１に配置される。この移動は通常、ロボットアームによってなされる。ロ
ボットアームは、端部によってリンス・スピン・乾燥ステーション２４０から基
板を持ち上げて移動させ、カセット２８１に配置する。するとカセット２８１は
、保存に移されるか、または別の洗浄システムもしくは加工システムに移される
。
乾燥ステーション２４０からアウトプットステーション２５０に移され、カセッ
ト２８１に配置される。この移動は通常、ロボットアームによってなされる。ロ
ボットアームは、端部によってリンス・スピン・乾燥ステーション２４０から基
板を持ち上げて移動させ、カセット２８１に配置する。するとカセット２８１は
、保存に移されるか、または別の洗浄システムもしくは加工システムに移される
。
【００３４】 当業者には明らかなように、上述した洗浄システムの工程は、洗浄される基板
または基板層の種類によって、異なる順序および／または各種の洗浄液でおこな
われ得るものである。例えば、２つのブラシステーションのうちの一つにおいて
、水、クエン酸、水酸化アンモニウム、クエン酸アンモニウム、およびフッ化水
素酸溶液（またはこれら溶液の混合物）などのような、異なる洗浄液を使用して
もよい。また、他のシステムでは、１つのブラシステーションまたは２つより多
くのブラシステーションを備えるようにしても良い。さらにまた、その他のシス
テムでは、上記ステーション／工程のうち１つまたは２つ以上を省くようにして
も良く、また、ＣＭＰステーションなど追加の処理ステーションを備えるように
しても良い。
または基板層の種類によって、異なる順序および／または各種の洗浄液でおこな
われ得るものである。例えば、２つのブラシステーションのうちの一つにおいて
、水、クエン酸、水酸化アンモニウム、クエン酸アンモニウム、およびフッ化水
素酸溶液（またはこれら溶液の混合物）などのような、異なる洗浄液を使用して
もよい。また、他のシステムでは、１つのブラシステーションまたは２つより多
くのブラシステーションを備えるようにしても良い。さらにまた、その他のシス
テムでは、上記ステーション／工程のうち１つまたは２つ以上を省くようにして
も良く、また、ＣＭＰステーションなど追加の処理ステーションを備えるように
しても良い。
【００３５】 以上では、基板の両面を同時にスクラブする洗浄システムを取り上げて説明し
たが、ここで開示される技術は、その他の洗浄システムおよび処理において使用
しても良い。例えば、基板の片面のみをスクラブするような洗浄システム、また
は基板を薬剤散布により洗浄するような洗浄システムなどに、使用しても良い。
たが、ここで開示される技術は、その他の洗浄システムおよび処理において使用
しても良い。例えば、基板の片面のみをスクラブするような洗浄システム、また
は基板を薬剤散布により洗浄するような洗浄システムなどに、使用しても良い。
【００３６】 図３は、本発明による洗浄プロセスの一実施形態を示す図である。工程３１０
では、化学機械研磨を使用して銅層を平坦化する。銅層の平坦化には、その他の
プラナリゼーション技術を使用することも可能であり、そのようなプラナリゼー
ションの実施後でもなお、基板の表面および／またはサブサーフェスから汚染物
を取り除く目的で、本発明を使用して半導体基板を洗浄することが望まれる。
では、化学機械研磨を使用して銅層を平坦化する。銅層の平坦化には、その他の
プラナリゼーション技術を使用することも可能であり、そのようなプラナリゼー
ションの実施後でもなお、基板の表面および／またはサブサーフェスから汚染物
を取り除く目的で、本発明を使用して半導体基板を洗浄することが望まれる。
【００３７】 工程３２０では、研磨後の半導体基板をスクラバに配置する。すると、半導体
基板は工程３３０でスクラブされ、研磨の工程で生じた汚染物が取り除かれる。
スクラビングの途中で、汚染物の除去を促進するおよび／または実現する目的で
、基板に洗浄液が施される（工程３４０）。洗浄液は、図２のスクラバにおける
外部ブラシステーション２２０と内部ブラシステーション２３０のうちのどちら
か一方において、または必要であればその両方において、使用しても良い。
基板は工程３３０でスクラブされ、研磨の工程で生じた汚染物が取り除かれる。
スクラビングの途中で、汚染物の除去を促進するおよび／または実現する目的で
、基板に洗浄液が施される（工程３４０）。洗浄液は、図２のスクラバにおける
外部ブラシステーション２２０と内部ブラシステーション２３０のうちのどちら
か一方において、または必要であればその両方において、使用しても良い。
【００３８】 このように、例えば銅のＣＭＰ後の基板などの基板を洗浄する環境および方法
を含む本発明の実施形態により、銅および誘電体層の質に影響することなく、ブ
ラシローディングの問題を緩和することができる。さらに、これらの実施形態を
、銅のＣＭＰ後の基板に使用する場合、銅および誘電体層の表面およびサブサー
フェスから汚染物を取り除くことができる。
を含む本発明の実施形態により、銅および誘電体層の質に影響することなく、ブ
ラシローディングの問題を緩和することができる。さらに、これらの実施形態を
、銅のＣＭＰ後の基板に使用する場合、銅および誘電体層の表面およびサブサー
フェスから汚染物を取り除くことができる。
【００３９】 以上、銅薄膜の研磨後に半導体基板を洗浄するための方法および装置を説明し
た。特定の装置、パラメータ、方法、および材料を含む特定の実施形態を説明し
たが、当業者ならば誰でも、本発明で開示した内容をもとに、これらの実施形態
に様々な改良を加えることが可能である。したがって、これらの実施形態は単に
説明のためのものであって、本発明を制限するためのものではなく、本発明は上
記の実施形態に限られない。
た。特定の装置、パラメータ、方法、および材料を含む特定の実施形態を説明し
たが、当業者ならば誰でも、本発明で開示した内容をもとに、これらの実施形態
に様々な改良を加えることが可能である。したがって、これらの実施形態は単に
説明のためのものであって、本発明を制限するためのものではなく、本発明は上
記の実施形態に限られない。
【図１ａ】 上に誘電体層が堆積した半導体基板を示す図である。
【図１ｂ】 図１ａの半導体基板の誘電体層内にバイア／トレンチが形成された様子を示す
図である。
図である。
【図１ｃ】 図１ｂの半導体基板に薄い障壁層が形成された様子を示す図である。
【図１ｄ】 図１ｃの半導体基板に銅材料よりなる層が堆積された様子を示す図である。
【図１ｅ】 図１ｄの半導体基板の、余分な銅層及び障壁層を化学機械研磨した後の様子
を示す図である。
を示す図である。
【図２】 スクラビングシステムの一実施形態を示す図である。
【図３】 本発明による洗浄工程の一実施形態を示す流れ図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） // Ｃ０９Ｋ 13/06 １０１ Ｃ０９Ｋ 13/06 １０１ 13/08 13/08 (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ，ＭＬ， ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＧＭ，Ｋ Ｅ，ＬＳ，ＭＷ，ＳＤ，ＳＺ，ＵＧ，ＺＷ)，ＥＡ(ＡＭ ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ，ＲＵ，ＴＪ，ＴＭ) ，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ，ＡＺ，ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ， ＢＹ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，Ｅ Ｅ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＤ，ＧＥ，ＧＨ，ＧＭ，ＨＲ ，ＨＵ，ＩＤ，ＩＬ，ＩＮ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ， ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ，ＬＴ，Ｌ Ｕ，ＬＶ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ，ＮＯ ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ， ＳＩ，ＳＫ，ＳＬ，ＴＪ，ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ，ＵＡ，Ｕ Ｇ，ＵＺ，ＶＮ，ＹＵ，ＺＷ (72)発明者 ザオ・ユエクシング アメリカ合衆国 カリフォルニア州95035 ミルピタス，リッジ・モント・ドライ ブ，1043 (72)発明者 ハイムス・ダイアン・ジェイ． アメリカ合衆国 カリフォルニア州95136 サン・ホセ，ルウィストン・ドライブ， 887 (72)発明者 デラリオス・ジョン・エム． アメリカ合衆国 カリフォルニア州94303 パロ・アルト，ロマ・ヴェルデ，941 Ｆターム(参考） 4H003 BA12 DA15 DC04 EA03 EA05 EA19 EA23 EB07 EB08 ED02 FA15 FA21 FA29
Claims (45)
- 【請求項１】 半導体基板を洗浄するための洗浄液であって、 第１の量の脱イオン水と、第２の量の有機酸と、第３の量のアンモニウム化合
物とを含み、これら全てを混合させて酸性ｐＨ環境を形成したものである、洗浄
液。 - 【請求項２】 請求項１に記載の洗浄液であって、 前記酸性ｐＨ環境は、緩衝された酸性ｐＨ環境である、洗浄液。
- 【請求項３】 請求項１に記載の洗浄液であって、 前記酸性ｐＨ環境は、約１〜６のｐＨ値を有する、洗浄液。
- 【請求項４】 請求項１に記載の洗浄液であって、 前記第２の量の有機酸は、約１００ｐｐｍ〜２％の重量パーセントで前記第１
の量の脱イオン水に溶解される、洗浄液。 - 【請求項５】 請求項１に記載の洗浄液であって、 前記第２の量の有機酸は、約２００ｐｐｍ〜０．１％の重量パーセントで前記
第１の量の脱イオン水に溶解される、洗浄液。 - 【請求項６】 請求項１に記載の洗浄液であって、 前記第３の量のアンモニウム化合物は、約１００ｐｐｍ〜０．１％の重量パー
セントで前記第１の量の脱イオン水に溶解される、洗浄液。 - 【請求項７】 請求項１に記載の洗浄液であって、 前記第２の量の有機酸は、クエン酸、リンゴ酸、マロン酸、コハク酸、および
これらの任意の混合物よりなる群から選択されたものである、洗浄液。 - 【請求項８】 請求項１に記載の洗浄液であって 前記第３の量のアンモニウム化合物は、水酸化アンモニウム（ＮＨ4ＯＨ）、 塩化アンモニウム（ＮＨ4Ｃｌ）、フッ化アンモニウム（ＮＨ4Ｆ）、およびこれ
らの任意の混合物よりなる群から選択されたものである、洗浄液。 - 【請求項９】 半導体基板を洗浄するための洗浄液であって 第１の量の脱イオン水と、第２の量の有機酸のアンモニウム塩と、第３の量の
塩化化合物とを含み、これら全てを混合させて酸性ｐＨ環境を形成したものであ
る、洗浄液。 - 【請求項１０】 請求項９に記載の洗浄液であって、 前記酸性ｐＨ環境は、緩衝された酸性ｐＨ環境である、洗浄液。
- 【請求項１１】 請求項９に記載の洗浄液であって、 前記酸性ｐＨ環境は、約２〜４のｐＨ値を有する、洗浄液。
- 【請求項１２】 請求項９に記載の洗浄液であって、 前記第２の量の有機酸のアンモニウム塩は、約２００ｐｐｍ〜０．２％の重量
パーセントで前記第１の量の脱イオン水に溶解される、洗浄液。 - 【請求項１３】 請求項９に記載の洗浄液であって、 前記第３の量の塩化化合物は、約０．１〜１％の重量パーセントで前記第１の
量の脱イオン水に溶解される、洗浄液。 - 【請求項１４】 請求項９に記載の洗浄液であって 前記第３の量の塩化化合物は、塩化水素、塩化アンモニウム、およびこれらの
任意の混合物よりなる群から選択されたものである、洗浄液。 - 【請求項１５】 半導体基板を洗浄するための洗浄液であって 第１の量の脱イオン水と、第２の量の陰イオン表面活性剤と、第３の量の有機
酸とを含み、これら全てを混合させて酸性ｐＨ環境を形成したものである、洗浄
液。 - 【請求項１６】 請求項１５に記載の洗浄液であって、 前記酸性ｐＨ環境は、緩衝された酸性ｐＨ環境である、洗浄液。
- 【請求項１７】 請求項１５に記載の洗浄液であって、 前記酸性ｐＨ環境は、約２〜４のｐＨ値を有する、洗浄液。
- 【請求項１８】 請求項１５に記載の洗浄液であって、 前記第２の量の陰イオン表面活性剤は、約５０ｐｐｍ〜０．２％の重量パーセ
ントで前記第１の量の脱イオン水に溶解される、洗浄液。 - 【請求項１９】 請求項１５に記載の洗浄液であって、 前記第３の量の有機化合物は、約０．１〜１％の重量パーセントで前記第１の
量の脱イオン水に溶解される、洗浄液。 - 【請求項２０】 請求項１５に記載の洗浄液であって、 前記第３の量の有機化合物は、クエン酸、リンゴ酸、マロン酸、コハク酸、お
よびこれらの任意の混合物よりなる群から選択されたものである、洗浄液。 - 【請求項２１】 半導体基板から汚染物を取り除く方法であって、 研磨された銅層を有した前記半導体基板を、スクラブ装置内に配置する工程と
、 前記半導体基板を、脱イオン水と、有機酸と、アンモニウム化合物とを含む酸
性の洗浄液でスクラブする工程と、 を備える、方法。 - 【請求項２２】 請求項２１に記載の方法であって、 前記酸性の洗浄液は、緩衝された酸性の洗浄液である、方法。
- 【請求項２３】 請求項２１に記載の方法であって、 前記酸性の洗浄液は、約１〜６のｐＨ値を有する、方法。
- 【請求項２４】 請求項２１に記載の方法であって、 前記酸性の洗浄液は、約２〜４のｐＨ値を有する、方法。
- 【請求項２５】 請求項２１に記載の方法であって、 前記有機酸は、約１００ｐｐｍ〜２％の重量パーセントで前記脱イオン水に溶
解される、方法。 - 【請求項２６】 請求項２１に記載の方法であって、 前記有機酸は、約２００ｐｐｍ〜０．２％の重量パーセントで前記脱イオン水
に溶解される、方法。 - 【請求項２７】 請求項２１に記載の方法であって、 前記アンモニウム化合物は、約５０ｐｐｍ〜０．５％の重量パーセントで前記
脱イオン水に溶解される、方法。 - 【請求項２８】 請求項２１に記載の方法であって、 前記アンモニウム化合物は、約１００ｐｐｍ〜０．１％の重量パーセントで前
記脱イオン水に溶解される、方法。 - 【請求項２９】 請求項２２に記載の方法であって、 前記有機酸は、クエン酸、リンゴ酸、マロン酸、コハク酸、およびこれらの任
意の混合物よりなる群から選択されたものである、方法。 - 【請求項３０】 請求項２２に記載の方法であって 前記アンモニウム化合物は、水酸化アンモニウム（ＮＨ4ＯＨ）、塩化アンモ ニウム（ＮＨ4Ｃｌ）、フッ化アンモニウム（ＮＨ4Ｆ）、およびこれらの任意の
混合物よりなる群から選択されたものである、方法。 - 【請求項３１】 半導体基板から汚染物を取り除く方法であって、 研磨された銅層を有した前記半導体基板を、スクラブ装置内に配置する工程と
、 前記半導体基板を、脱イオン水と、有機酸のアンモニウム塩と、塩化化合物と
を含む酸性の洗浄液でスクラブする工程と、 を備える、方法。 - 【請求項３２】 請求項３１に記載の方法であって、 前記酸性ｐＨ環境は、緩衝された酸性ｐＨ環境である、方法。
- 【請求項３３】 請求項３１に記載の方法であって、 前記酸性ｐＨ環境は、約２〜４のｐＨ値を有する、方法。
- 【請求項３４】 請求項３１に記載の方法であって、 前記有機酸のアンモニウム塩は、約２００ｐｐｍ〜０．２％の重量パーセント
で前記脱イオン水に溶解される、方法。 - 【請求項３５】 請求項３１に記載の方法であって、 前記塩化化合物は、約０．１〜１％の重量パーセントで前記脱イオン水に溶解
される、方法。 - 【請求項３６】 請求項３１に記載の方法であって 前記塩化化合物は、塩化水素、塩化アンモニウム、およびこれらの任意の混合
物よりなる群から選択されたものである、方法。 - 【請求項３７】 半導体基板から汚染物を取り除く方法であって、 研磨された銅層を有した前記半導体基板を、スクラブ装置内に配置する工程と
、 前記半導体基板を、脱イオン水と、陰イオン表面活性剤と、有機化合物とを含
む酸性の洗浄液でスクラブする工程と、 を備える、方法。 - 【請求項３８】 請求項３７に記載の方法であって、 前記酸性ｐＨ環境は、緩衝された酸性ｐＨ環境である、方法。
- 【請求項３９】 請求項３７に記載の方法であって、 前記酸性ｐＨ環境は、約２〜４のｐＨ値を有する、方法。
- 【請求項４０】 請求項３７に記載の方法であって、 前記陰イオン表面活性剤は、約５０ｐｐｍ〜０．２％の重量パーセントで前記
脱イオン水に溶解される、方法。 - 【請求項４１】 請求項３７に記載の方法であって、 前記有機化合物は、約０．１〜１％の重量パーセントで前記脱イオン水に溶解
される、方法。 - 【請求項４２】 請求項３７に記載の方法であって 前記有機化合物は、クエン酸、リンゴ酸、マロン酸、コハク酸、およびこれら
の任意の混合物よりなる群から選択されたものである、方法。 - 【請求項４３】 半導体基板を処理するためのスクラバであって、 研磨された銅層を有した半導体基板を受け取るためのインプットと、 前記インプットにカップリングされたブラシアセンブリと、 脱イオン水と、有機酸と、アンモニウム化合物とを含む洗浄液を供給するため
の、洗浄液供給システムと、 を備え、 前記洗浄液供給システムは、酸性ｐＨ環境を形成するために予め混合された前
記洗浄液を、研磨された銅層を有した前記半導体基板に供給する、スクラバ。 - 【請求項４４】 半導体基板を処理するためのスクラバであって、 研磨された銅層を有した半導体基板を受け取るためのインプットと、 前記インプットにカップリングされたブラシアセンブリと、 脱イオン水と、有機酸のアンモニウム塩と、塩化化合物とを含む洗浄液を供給
するための、洗浄液供給システムと、 を備え、 前記洗浄液供給システムは、酸性ｐＨ環境を形成するために予め混合された前
記洗浄液を、研磨された銅層を有した前記半導体基板に供給する、スクラバ。 - 【請求項４５】 半導体基板を処理するためのスクラバであって、 研磨された銅層を有した半導体基板を受け取るためのインプットと、 前記インプットにカップリングされたブラシアセンブリと、 脱イオン水と、陰イオン表面活性剤と、有機化合物とを含む洗浄液を供給する
ための、洗浄液供給システムと、 を備え、 前記洗浄液供給システムは、酸性ｐＨ環境を形成するために予め混合された前
記洗浄液を、研磨された銅層を有した前記半導体基板に供給する、スクラバ。
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