JP2002500433A - 試験中の装置を調査し、測定装置に相互接続する複合スイッチングマトリックス - Google Patents
試験中の装置を調査し、測定装置に相互接続する複合スイッチングマトリックスInfo
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Abstract
Description
イにおける個々の装置をこれらのレーザトリミング中に測定する試験プローブア
レイに測定装置を電気的に接続する複合スイッチングアレイに関係する。
ルおよび集積回路のような、回路ボード表面取り付け構成要素の急速な開発を導
いた。特に、チップ抵抗は、1.0mm×0.5mm(0.04インチ×0.0
2インチ)から3.0mm×1.5mm(0.12インチ×0.06インチ)以
上まで変動するきわめて小型の薄膜抵抗である。チップ抵抗は、代表的に、49
.5mm×60mmセラミック基板上に抵抗および接続パッドパターンを形成す
る抵抗ペースト材料のアレイをスクリーニングおよびファイヤリングすることに
よって製造される。
抵抗12のアレイで覆われた代表的な先行技術の基板10の拡大された一部を切
り取ったコーナ部分を示す。ファイヤリング後、抵抗12の各々を予め決められ
た抵抗値にレーザトリミングする。次に、基板10を切り込み線(点線で示す)
に沿って、個々のチップ抵抗および/またはチップ抵抗のグループに分割する。
ッド18によって端から端まで電気的に接続され、その結果、各々の列14にお
ける抵抗12は直列に電気的に接続される。しかしながら、行16における抵抗
12は近接して電気的に接続されない。
スイッチングマトリックス19に電気的に接続され、このスイッチングマトリッ
クス19は抵抗12を抵抗測定装置20に一度に電気的に接触させ、この抵抗測
定装置20はレーザ22と協働して各々の連続的に接続された抵抗12を予め決
められた抵抗値にトリミングする。抵抗12への電気的な接続は、導電性パッド
18Aおよび18Bをプローブ24Aおよび24B(ひとまとめにして”プロー
ブ24”)によって調べることによって行われる。
れらの予め決められた値の5%以内に良好にトリミングすることができる。レー
ザトリミング精度はしばしば0.1%を越えることが要求され、前記予め決めら
れた抵抗値は、0.1オーム以下から100メガオームまで変動するかもしれな
いため、スイッチングマトリックス19は、代表的に0.1オームより小さいオ
ン抵抗と、きわめて高いオフ抵抗と、100000メガオームを越える絶縁抵抗
と、0.5ミリ秒より短い動作時間と、1.0ピコファラッドより小さい接点間
キャパシタンスとを有する”ドライリード”リレーを用いる。
は、数百個のリレーを必要とするかもしれず、これらの強力な電気的特性を考慮
しても、測定精度は低下するかもしれない。例えば、キャパシタンスまたは絶縁
抵抗は、多過ぎるリレー接点が試験中に前記抵抗と並列に接続されている場合、
許容し得ないレベルに増大するかもしれない。
可能な方法があることを知っている。しかしながら、最も費用効果的な相互接続
技術は、試験中の抵抗の目標抵抗値に依存するかもしれない。一般的なルールと
して、きわめて低い抵抗値(0.1オームないし100オーム程度)に関して、
4端子”ケルビン接続”測定が好適であり、中間の値(100オーム程度ないし
100キロオーム程度)に関して、直列の最小の追加抵抗を測定される抵抗に加
える2端子測定が好適であり、きわめて高い値(100キロオームを越える)に
関して、3端子”保護付き”測定が好適である。もちろん、4端子保護付き測定
は、どのような抵抗値を測定するのにもおそらく最も正確である。
を相互接続し、全体的な測定抵抗レベルを、依然として4端子測定を必要とする
100オームを越えて上昇させることができる。同様に、抵抗のグループを相互
接続し、全体的な測定抵抗レベルを、依然として3端子測定を必要とする100
キロオームより低くすることができる。加えて、3端子測定は、通常の抵抗測定
値より低い値において、前記レーザによってトリミングされた導電性トリミング
破片によって生じる漏れ経路に対して保護することを必要とするかもしれない。
端子を有する。これらを、ハイフォース(HF)、ハイセンス(HS)、ロウフ
ォース(LF)、ロウセンス(LS)、ガードフォース(GF)、ガードセンス
(GS)およびグランドまたは共通(COM)と呼ぶ。また、HFおよびHS端
子を、しばしば、”ハイ”端子と呼び、LFおよびLS端子を、しばしば、”ロ
ウ”端子と呼ぶ。フォースおよびセンス端子対を、一緒に、直接またはいくらか
許容しうる低抵抗を経て、試験中の抵抗に接続すべきである。高い測定精度およ
び速度を保証するために、使用する接続技術は、ハイおよびロウ端子間の漂遊抵
抗およびキャパシタンスを最小にすべきである。これらの漂遊抵抗およびキャパ
シタンスの悪影響を回避する1つの方法は、このような漂遊をハイおよびグラン
ド端子間、または、ロウおよびグランド端子間に有効に接続することによる。
は、代表的に、各プローブ24に関して3個または6個のリレー接点を有する。
リレーの各々の一方の接点に接続し、他方の接点は、各々、HF、HS、LF、
LS、GFおよびGSに接続する。このプローブあたり6接点のマトリックスは
、プローブ24のいずれもが、必要とされるような、抵抗12の一方の端との2
端子接続を形成でき、抵抗12の一方の端とのケルビン接続の半分を形成でき、
または、ガードプローブ接続を形成できるため、完全な柔軟性を有する。
。双方の種類において、プローブ24の各々は、前記リレーの各々の一方の接点
に接続する。第1種類において、他方の接点は、各々、HF、LFおよびGFに
接続する。第2種類において、他方の接点は、各々、HS、LSおよびGSに接
続する。前記フォースおよびセンス端子対は、抵抗が前記測定システムに接続さ
れる場合、一緒に接続されるため、前記プローブあたり6および3接点のマトリ
ックスは、試験中の抵抗12の両端間に接続された漂遊抵抗またはキャパシタン
スの影響に関して、電気的に等価である。
一緒に接続された2個のプローブが各抵抗12の各々の端において必要なため、
前記プローブあたり6接点のマトリックスと同じ位多くの抵抗に接続することは
できない。しかしながら、前記プローブあたり3接点のマトリックスを、リレー
あたり2対の接点を有するリレーを用いて実現することができる。一方のリレー
の対を、前記センス端子をあるプローブに切り替えるのに使用し、他方のリレー
の対を、前記フォース端子を他のプローブに切り替えるのに使用する。
、リレーコイルとドライリード接点との間に接地された内部シールドを用いる。
これらのようなシールドは、前記リレーコイルと接点との間の望ましくない結合
を低減し、開接点間抵抗を有効に増大させ、漂遊信号電流が接点から接点でなく
接点からシールドに流れるため、接点間結合を低減させる。
グマトリックスを、しばしば、バンクスイッチングリレーを用いて前記測定シス
テムを使用されていないリレーから遮断することによってグループまたはバンク
に分割する。
抵抗アレイトリミング要求を経済的に満たすことができない。例えば、抵抗測定
システム20を192個のプローブを経て48または96個の抵抗12に2、3
および4端子測定構成において経済的に接続することができるスイッチングマト
リックスが必要である。前記完全に柔軟な先行技術のプローブあたり6接点のマ
トリックスは、高価なバンク切り替えに頼ることなく、1152(6×192)
接点(1152個の単独接点または576個の二重接続リレー)を必要とする。
前記先行技術のプローブあたり3接点のマトリックスは、96個の抵抗要求を満
たさない。
抗の両端間に接続すべき多くの開接点の漂遊キャパシタンスおよび抵抗に関して
、測定速度、精度および信号対ノイズ比において重大な低下を招くおそれがある
。内部リレーシールドを使用することにより、この問題は軽減するが、追加の費
用が掛かる。駆動されたガード端子を、使用されていないプローブの必要性と同
じくらい多くに接続することにより、大部分の漏れ問題は除去されるが、多くの
リレーの同時動作を必要とし、これは出力消費を増大させる。
システムに、1分あたり1000個のトランジスタを越える率において、前記測
定システムに直接接続された1個の抵抗を測定するのと比べて抵抗測定性能を低
下させることなく接続する安価なプローブスイッチングマトリックスが必要であ
る。
相互接続する複合スイッチングマトリックス装置を提供することであり、このマ
トリックス装置は、前記装置の集合に接触するプローブの集合と、前記プローブ
の集合をマトリクス間導体の集合に選択的に相互接続するプローブマトリックス
リレーの集合と、前記測定システムにおける端子の集合を前記マトリックス間導
体の集合に選択的に相互接続する構成マトリックスリレーの集合とを具える。
びレーザと協働して動作し、抵抗を予め決められた値にこれらが測定されている
間に迅速かつ正確にトリミングする。この複合スイッチングマトリックスを、ド
ライリードリレーによって実現し、この複合スイッチングマトリックスは、保護
ありまたはなしの2、3および4端子測定を実現するプローブあたりに必要なリ
レー接点の平均数を減少させるプローブスイッチングマトリックスおよび構成マ
トリックスを含む。さらに、分離したプローブスイッチングマトリックスおよび
測定構成マトリックスは、前記測定のハイおよびロウ側を有効に分離し、測定速
度および精度における漂遊抵抗およびキャパシタンスの影響を低減する。切り替
え可能な接地構成は、さらに、測定精度を改善する。本発明の複合スイッチング
マトリックスは、前記アレイにおける個々の抵抗の、0.1オーム以下から10
0メガオーム以上まで変動する値を有する抵抗に適合した2、3および4端子測
定構成による連続的な抵抗測定を可能にする。
続することである。
よび信号対ノイズ比を改善することである。
ーザトリミングシステムの一部である抵抗測定装置に別個に接続することである
。
、2、3または4端子測定を行う抵抗測定装置に別個に接続することである。
好適実施形態の以下の詳細な説明から明らかになるであろう。
ングマトリックス30は、96の2端子測定または48の4端子測定を192本
のプローブで行うために、440個の単独接点リレーのみを必要とする。本発明
による減った数のリレーは、確実性を増加させ、費用を低減し、測定精度を保つ
。
成マトリックス32において、ドライリード構成リレー34ないし89が、抵抗
測定装置20の端子を、マトリックス間導体A、B、C、D、E、F、Gおよび
Hを経て、プローブマトリックス90、91、92、93、94、95、96お
よび97のような1つ以上のプローブマトリックスに電気的に相互接続する。性
能および構成柔軟性を強調するために、好適には、別個の回路ボードにおける前
記プローブマトリックスの対をグループ化する。特に、プローブマトリックス9
0および93と、91および92と、94および97と、95および96とを、
4つの回路ボード(図示せず)においてグループ化する。これら4つのプローブ
マトリックスを、ここで、単にこれらの電気的な相互接続を明白にするために8
個のマトリックスとして示す。プローブマトリックス90ないし97は、マトリ
ックス間導体A、B、C、D、E、F、GおよびHを、プローブカードコネクタ
170および172を経て、プローブ24を乗せ、位置付けるプローブカード2
4に電気的に相互接続するプローブリレー101ないし164を含む。複合スイ
ッチングマトリックス30は、プローブ24のいずれをも、抵抗測定システム2
0における端子のいずれもに電気的に接続することができる。(今後、プローブ
24の各々を、例えば、プローブP125、プローブP109、プローブP11
6およびプローブP140のような、その最も密接に関係するプローブアレイ識
別番号と同じ添え数字が続く文字”P”によって識別する。)
気的に接続し、例えば、プローブP125をプローブマトリックス91のプロー
ブリレー117および125に接続する。各プローブリレーを、前記マトリック
ス間導体の1つに電気的に接続し、例えば、プローブアレイ117は、制御信号
(図示せず)によって活性化された場合、プローブP125とマトリックス間導
体Cとの間の電気的接続部を形成する。今度は、各マトリックス間導体を、構成
リレーのグループに電気的に接続し、例えば、マトリックス間導体Cを、構成リ
レー46ないし51に電気的に接続し、各構成リレーを、端子バスI、J、K、
L、MおよびNの1つに電気的に接続し、例えば、構成リレー37、43、49
、55、61、67、73および79を端子バスLに電気的に接続する。構成リ
レー34ないし89を制御信号(図示せず)によって活性化し、マトリックス間
導体AないしHを端子バスIないしNに選択的に接続する。端子バスIないしN
を抵抗測定装置20の個々の端子HS、HF、GS、GF、LSおよびLFに電
気的に接続する。
み、このCOM端子は、構成リレー82ないし85を経て個々の端子バスI、J
、MおよびNに電気的に接続できる。測定精度を増すために、HFおよびHS端
子を、構成リレー82および83を作動し、構成リレー88および89を開くこ
とによって、マトリックス間導体AないしDから電気的に絶縁することができる
。これは、マトリックス間導体AないしDに関係する端子バスIおよびJの左部
分を接地し、端子HSおよびHFを端子バスIおよびJの左部分から遮断し、端
子HSおよびHFをマトリックス間導体EおよびHとの電気的接続に制限する。
レー86および87を開くことによって、マトリックス間導体EないしHから電
気的に絶縁することができる。これは、マトリックス間導体EないしHに関係す
る端子バスMおよびNの右部分を接地し、LSおよびLFを端子バスMおよびN
の右部分から遮断し、端子LSおよびLFをマトリックス間導体AないしDとの
電気的接続に制限する。
。しかしながら、これらを、内部コイル層、すなわち、ドライリード接点に最も
近い層を前記COM端子またはグランドに接続した層巻線コイルによって作動す
る。したがって、前記リレーが作動していない場合、前記コイルはシールドとし
て働き、前記リレーが作動している場合、ある程度のリレーが活性化する電圧ま
たは電流が前記ドライリード接点に結合するかもしれないが、この結合の量は、
前記接地された内部コイル層によって最小化される。
値を有する抵抗のアレイを調査および測定するのに好適な2端子抵抗測定構成に
おける複合スイッチングマトリックス30を示す。構成マトリックス32を、端
子LSおよびLFをマトリックス間導体AないしDに電気的に接続する構成リレ
ー39、44、51および56を作動し、端子HSおよびHFをマトリックス間
導体EないしHに電気的に接続する構成リレー59、64、71および76を作
動することによってこの構成に設定する。GSおよびGF端子は、この2端子抵
抗測定構成において使用しない。
作動し、構成リレー88および89を開くことによって、マトリックス間導体A
ないしDから絶縁し、LSおよびLF端子を、構成リレー84および85を作動
し、構成リレー86および87を開くことによって、マトリックス間導体Aない
しDから絶縁する。
対が単独の抵抗12の単独の1つと接触するように間隔をあける。例えば、図4
は、抵抗12A、12B、...ないし12Nを示し、この図において、抵抗1
2AをプローブP125およびP149によって調査し、抵抗12Nをプローブ
P116およびP140によって調査する。
子HFから構成リレー71およびプローブリレー149を経てプローブP149
に加える抵抗測定システム20によって行う。前記測定電流は、抵抗12Aを経
てプローブP125に流れ、プローブリレー117および構成リレー51を経て
端子LFに戻る。抵抗12Aを流れる測定電流は、プローブP125およびP1
49の両端間に、端子HSおよびLSにおいて以下の通り感知される測定電圧を
発生させる。プローブP149を、端子HSにプローブリレー157および構成
リレー76を経て電気的に接続し、プローブP125を、端子LSにプローブリ
レー125および構成リレー56を経て電気的に接続する。プローブP125お
よびP149の0.2オーム程度の接触抵抗は、抵抗12Aの適度な抵抗と比べ
て小さいため、前記プローブを流れる測定電流によって生じる電圧降下誤差を無
視することができ、または、単純なオフセットで補償することができる。
よび測定するのに適した3端子抵抗測定構成における複合スイッチングマトリッ
クス30を示す。構成マトリックス32を、ロウ端子およびマトリックス間導体
AおよびCと一緒に電気的に接続する構成リレー38、39、50および51を
作動し、ハイ端子およびマトリックス間導体EおよびGと一緒に電気的に接続す
る構成リレー42、43、54、55、66、67、78および79を作動し、
前記ガード端子と一緒に電気的に接続し、仮想グランドガード電圧をマトリック
ス間導体B、D、FおよびHに印加する構成リレー42、43、54、55、6
6、67、78および79を作動することによって、この構成に設定する。
、構成リレー88および89を開くことによって、マトリックス間導体Aないし
Dから絶縁し、前記ロウ端子を、構成リレー84および85を作動し、構成リレ
ー86および87を開くことによって、マトリックス間導体EないしHから絶縁
する。
対が抵抗12の単独の1つに接触するように間隔を開ける。例えば、図5は、抵
抗12A、12B、...ないし12Nを示し、この図において、抵抗12Aを
プローブP125およびP149によって調査し、抵抗12NをプローブP11
6およびP140によって調査する。
抵抗12Aの両端間に印可し、これらに流れる結果として生じる測定電流を感知
する抵抗測定システム20によって行う。前記測定電圧は、端子HFおよびLF
の両端間に印可され、抵抗12Aへ、端子LFから、構成リレー51、プローブ
リレー117を通って伝えられ、端子LFから、構成リレー51、プローブリレ
ー117を通ってプローブP125に伝えられる。端子HFおよびHSを、前記
仮想接地電位における構成リレー58、59、70および71と、端子LFおよ
びLSとによって一緒に電気的に接続し、構成リレー38、39、50および5
1によって一緒に電気的に接続する。抵抗12Aの両端間の予め決められた測定
電圧は、測定電流を生じ、端子LFに流し、この測定電流を抵抗測定システム2
0が測定された抵抗値に変換する。
れず、より小さい、しかし、前記測定電流の無視できない部分が、例えば、抵抗
12Aおよび12B間と、プローブマトリックス91および92におけるプロー
ブに関係する配線とこれらの関係する接地面との間とに形成されるロウ側漏れ電
流経路RLを流れる漏れ電流としてそれるかも知れない。
トリックス間導体B、D、FおよびHに接続される仮想グランドガード電圧を、
プローブリレー109および141を経て、抵抗12Bにおける個々のプローブ
P109およびP133に結合する。前記ガード電圧が抵抗12Aのロウ側と同
じまたはほぼ同じ電位であるため、きわめて小さい漏れ電流しか、前記ロウ側漏
れ抵抗を流れることができない。
25およびP149とに関係する配線とを流れる前記測定電流のため、小さい電
圧降下誤差しか生じなくてすむ。しかしながら、前記結合された抵抗が約2.5
オームより小さく、これは、レジスタ12Aの100キロオームより大きい抵抗
に比べてきわめて小さいため、前記電圧降下誤差を無視できる。
ード端子に接続することを可能にし、ハイ側プローブ24のいずれもを前記ハイ
またはガード端子に接続することを可能にする。
る抵抗のアレイを調査および測定するのに好適な4端子抵抗測定構成における複
合スイッチングマトリックスを示す。構成マトリックスを、個々の端子LS、L
F、HFおよびHSを個々のマトリックス間導体A、C、EおよびGに電気的に
接続する構成リレー38、51、59および70を作動し、端子GSをマトリッ
クス間導体BおよびHに電気的に接続する構成リレー42および78を作動し、
端子GFをマトリックス間導体DおよびFに電気的に接続する構成リレー55お
よび67を作動することによって、この構成に設定する。
が抵抗12の単独の1個に接触するように間隔を開ける。例えば、図6は、抵抗
12A、12B、...ないし12Nを具え、この図において、抵抗12Aをプ
ローブP125、P149、P109およびP133によって調査し、抵抗12
NをプローブP132、P156、P116およびP140によって調査する。
もちろん、隣接しなくてもよいプローブ、種々のプローブ間隔、または、プロー
ブの組み合わせを、抵抗アレイサイズおよび構成に適合させることができる。
を端子HFから構成リレー59およびプローブリレー133を経てプローブP1
33に流す抵抗測定システム20によって行う。前記測定電流は、抵抗12Aを
通ってプローブP125に流れ、プローブリレー117および構成リレー51を
経て端子LFに戻る。抵抗12Aを流れる前記測定電流は、プローブP109お
よびP149の両端間に、以下のようにハイインピーダンス(小電流が流れる)
端子HSおよびLSによって検知される測定電圧を生じる。プローブP149を
プローブリレー149および構成リレー70を経て端子HSに電気的に接続し、
プローブP109をプローブリレー101および構成リレー38を経て端子LS
に電気的に接続する。前記測定電流は、プローブP133およびP125を流れ
、プローブP109およびP149は、前記測定電圧を、検知されるどのような
意味のある電流も流すことなく検知するため、端子HSおよびLSにおける前記
測定電圧は、プローブに、コネクタに、または、配線に関係する抵抗によって変
化しない。
プローブ24の1つによるガード電圧の感知を行い、図5の参照と共に説明した
ようにプローブ24の異なる1つ以上によってガード電圧を引き出すのに好適で
ある。
トリミングおよび同様の用途に好適であり、構成マトリックス32が、前記アレ
イにおける異なった抵抗のトリミング中に変化しなくてもよいため、構成リレー
動作寿命が最長になるのが利点である。さらに、プローブリレーは、どんなとき
において調査されている抵抗の各グループに関しても1度または2度の平均にお
いて作動する。
ッチングマトリックス30は、慣例的なプローブあたり6接点のスイッチングマ
トリックスに比べてより少ないリレーを使用し、大部分の抵抗値に関する高精度
測定を急速に行うスイッチング柔軟性を有するため、さらに有利である。さらに
、プローブアレイは、何時において調査されている抵抗の各グループに関しても
平均1回または2回において作動する。もちろん、複合スイッチングマトリック
ス30は、基板上に形成された同様のチップ抵抗のアレイをレーザトリミングす
るのに特に有利である。
々の行24Lおよび24Rに電気的に接続し、基板10における抵抗12のプロ
ーブ接触導体パッド18の関連する対面対を配置した、プローブカード174の
好適な物理的配置を示す。プローブカード174は、レーザービーム182を抵
抗12と交差するように向け、これらをこれらの予め決められた値にトリミング
することを可能にする、プローブの行24Lおよび24Rの上方に位置する開口
部180を含む。
参照と共に説明したように可能である。
トリックス30が、前記ロウおよびガード端子をプローブ24Lに電気的に接続
し、前記ハイおよびガード端子をプローブ24Rに電気的に接続するように配置
することによって最小にすることができる。
認識するであろう。例えば、複合スイッチングマトリックス30を、上述した例
において説明したものと異なった用途において使用するように構成してもよい。
プローブ24Kおよび24Rのいずれもをハイまたはロウ端子に接続することが
でき、それによって、試験中の抵抗の両端間におけるある程度のリレーキャパシ
タンスに接続することができ、より低い値の抵抗を測定するようないくつかの用
途において許容しうる。前記例は、接続されていない隣接する行における抵抗の
調査を示すが、接続された隣接する列における抵抗の調査が可能であり、隠され
たノード構成における抵抗を測定するのにも使用することができる。他の変形例
において、ある列の抵抗をプローブ24Lによって測定することができ、他の列
の抵抗をプローブ24Rによって測定することができる。さらに、本発明は、抵
抗の調査および測定に限定されず、キャパシタ、インダクタおよびディレイライ
ンのような多くの他の装置の調査、トリミングまたは測定にも有用である。もち
ろん、より多いまたはより少ないプローブおよびプローブマトリックスを用いて
もよく、これらが種々の異なるサイズ、間隔および配置を有するものでもよく、
種々の用途に適合させるのに必要なように、レーザトリミングと共にまたはなし
で使用してもよい。例えば、本発明は、少なくとも25個程度の装置を少なくと
も100個程度のプローブで調査するのにも適している。
をその基礎の原理から逸脱することなく行ってもよいことは明らかであろう。し
たがって、本発明が、抵抗レーザトリミング用途においてみられるもの以外の調
査用途にも適用可能であることは理解されるであろう。したがって、本発明の範
囲は、請求項によってのみ決定されるべきである。
角部分の平面図である。
化した電気的ブロック図である。
合スイッチングマトリックスの電気的ブロック図である。
に好適な2端子抵抗測定構成において示した図3の複合スイッチングマトリック
スの電気的ブロック図である。
好適な3端子抵抗測定構成において示した図3の複合スイッチングマトリックス
の電気的ブロック図である。
好適な4端子抵抗測定構成において示した図3の複合スイッチングマトリックス
の電気的ブロック図である。
のプローブを拡大して示した図7のプローブカードの一部の等角図である。
Claims (13)
- 【請求項1】 装置の集合を測定装置における端子の集合に相互接続する複合ス
イッチングマトリックス装置において、 前記装置の集合と接触するプローブの集合と、 前記プローブの集合をマトリックス間導体の集合に選択的に相互接続するプロ
ーブマトリックスリレーの集合と、 前記測定システムにおける端子の集合を前記マトリックス間導体の集合に選択
的に相互接続する構成マトリックスリレーの集合と、 前記測定システムに相互接続された前記装置の選択されたものを、前記測定シ
ステムによって測定されるように予め決められた値にトリミングするレーザとを
具えることを特徴とする複合スイッチングマトリックス装置。 - 【請求項2】 請求項1に記載の複合スイッチングマトリックス装置において、
前記プローブマトリックスリレーの集合および構成マトリックスリレーの集合が
ドライリードリレーを具えることを特徴とする複合スイッチングマトリックス装
置。 - 【請求項3】 請求項1に記載の複合スイッチングマトリックス装置において、
前記装置の集合が、抵抗の集合と、キャパシタの集合と、インダクタの集合と、
ディレイラインの集合とのうちすくなくとも1つを含むことを特徴とする複合ス
イッチングマトリックス装置。 - 【請求項4】 請求項1に記載の複合スイッチングマトリックス装置において、
前記装置の集合を基板上に形成された抵抗のアレイとしたことを特徴とする複合
スイッチングマトリックス装置。 - 【請求項5】 請求項1に記載の複合スイッチングマトリックス装置において、
前記装置の集合が少なくとも25個の装置を含み、前記プローブの集合が少なく
とも100個のプローブを含むことを特徴とする複合スイッチングマトリックス
装置。 - 【請求項6】 請求項1に記載の複合スイッチングマトリックス装置において、
前記プローブマトリックスリレーの集合および構成マトリックスリレーの集合が
合わせて440個程度のリレーを含み、前記プローブの集合が192個程度のプ
ローブを含むことを特徴とする複合スイッチングマトリックス装置。 - 【請求項7】 請求項1に記載の複合スイッチングマトリックス装置において、
前記プローブの集合における各プローブを、前記プローブマトリックスリレーの
集合における2個のリレーに接続したことを特徴とする複合スイッチングマトリ
ックス装置。 - 【請求項8】 請求項1に記載の複合スイッチングマトリックス装置において、
前記プローブの集合をプローブの第1部分集合および第2部分集合に細分し、前
記端子の集合を端子の第1部分集合および第2集合に細分し、前記構成マトリッ
クスリレーを、前記端子の第1部分集合が前記プローブマトリックスリレーの集
合によって前記プローブの第1部分集合に相互接続され、前記端子の第2部分集
合が前記プローブマトリックスリレーの集合によって前記プローブの第2部分集
合に相互接続されるように設定可能としたことを特徴とする複合スイッチングマ
トリックス装置。 - 【請求項9】 請求項1に記載の複合スイッチングマトリックス装置において、
前記プローブの集合を、前記プローブの集合を前記プローブマトリックスリレー
の集合に電気的に接続するプローブカードコネクタの集合によって該複合スイッ
チングマトリックス装置から電気的に分離可能なプローブカードに取りつけたこ
とを特徴とする複合スイッチングマトリックス装置。 - 【請求項10】 少なくとも48個の抵抗の集合において、一度に1個を抵抗測
定システムにおける少なくとも4個の端子の集合に相互接続する複合スイッチン
グマトリックス装置において、 少なくとも25個の前記抵抗の集合と接触する少なくとも100個のプローブ
の集合と、 前記少なくとも100個のプローブの集合における少なくとも2個のプローブ
の部分集合を、一度に1部分集合、8個のマトリックス間導体の集合のうち選択 されたものに選択的に相互接続するプローブマトリックスリレーの集合と、 前記抵抗測定システムにおける少なくとも4個の端子の集合を、前記マトリッ
クス間導体の集合のうち選択されたものに選択的に相互接続する構成マトリック
スリレーの集合と、 前記抵抗のうち選択されたものを該複合スイッチングマトリックス装置によっ
て前記抵抗測定システムに相互接続する間、前記抵抗測定システムと協働し、前
記抵抗のうち選択されたものを予め決められた抵抗値にトリミングするレーザと
を具えることを特徴とする複合スイッチングマトリックス装置。 - 【請求項11】 請求項10に記載の複合スイッチングマトリックス装置におい
て、前記プローブマトリックスリレーの集合および構成マトリックスリレーの集
合がドライリードリレーを具えることを特徴とする複合スイッチングマトリック
ス装置。 - 【請求項12】 請求項10に記載の複合スイッチングマトリックス装置におい
て、前記少なくとも25個の抵抗の集合を、基板上に形成された抵抗のより大き
いアレイの一部としたことを特徴とする複合スイッチングマトリックス装置。 - 【請求項13】 請求項10に記載の複合スイッチングマトリックス装置におい
て、前記少なくとも100個のプローブの集合を、前記少なくとも100個のプ
ローブの集合を前記プローブマトリックスリレーの集合に電気的に接続するプロ
ーブカードコネクタの集合によって該複合スイッチングマトリックス装置から電
気的に分離するプローブカードに取りつけたことを特徴とする複合スイッチング
マトリックス装置。
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