JP2002374052A - 電子部品実装済部品の製造方法、電子部品実装済部品、電子部品実装済完成品の製造方法及び電子部品実装済完成品 - Google Patents
電子部品実装済部品の製造方法、電子部品実装済部品、電子部品実装済完成品の製造方法及び電子部品実装済完成品Info
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- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 薄型化が可能であり、かつ、使用可能な電子
部品の制約が少ない電子部品実装済部品の製造方法、該
製造方法にて作製された電子部品実装済部品を有する電
子部品実装済完成品の製造方法、及び該電子部品実装済
完成品の製造方法にて作製された電子部品実装済完成品
を提供することを目的とする。 【解決手段】 電気的絶縁性を有するシート状の熱可塑
性樹脂基材１２２の回路パターン形成面１２３にメッキ
にて回路パターン１１６を形成し、上記熱可塑性樹脂基
材１２２の電子部品挿入面１３６から電子部品１０５，
１１４を挿入して上記熱可塑性樹脂基材１２２に埋設す
るとともに、上記回路パターン１１６と上記電子部品１
０５，１１４の回路接続部１０６，１１３とを接触さ
せ、上記回路パターン１１６と上記電子部品１０５，１
１４との電気的導通を図る。
部品の制約が少ない電子部品実装済部品の製造方法、該
製造方法にて作製された電子部品実装済部品を有する電
子部品実装済完成品の製造方法、及び該電子部品実装済
完成品の製造方法にて作製された電子部品実装済完成品
を提供することを目的とする。 【解決手段】 電気的絶縁性を有するシート状の熱可塑
性樹脂基材１２２の回路パターン形成面１２３にメッキ
にて回路パターン１１６を形成し、上記熱可塑性樹脂基
材１２２の電子部品挿入面１３６から電子部品１０５，
１１４を挿入して上記熱可塑性樹脂基材１２２に埋設す
るとともに、上記回路パターン１１６と上記電子部品１
０５，１１４の回路接続部１０６，１１３とを接触さ
せ、上記回路パターン１１６と上記電子部品１０５，１
１４との電気的導通を図る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、メッキ法
によりＡｌ、Ｃｕ、Ｎｉ等にて形成された回路パターン
に半導体素子を電気的に接続することで作製される非接
触ＩＣカード、複数の半導体及びコンデンサ、抵抗等の
受動部品が一つの基材に実装されたＭＣＭ（マルチチッ
プモジュール）、複数個のメモリーチップが多段重ねら
れたスタックＩＣモジュール、及びメモリーカード等に
関連する、半導体素子等の電子部品を基材に実装して電
子部品実装済部品を製造する電子部品実装済部品の製造
方法、該製造方法にて製造される電子部品実装済部品を
有する電子部品実装済完成品の製造方法、及び該電子部
品実装済完成品製造方法にて製造される電子部品実装済
完成品に関するものである。
によりＡｌ、Ｃｕ、Ｎｉ等にて形成された回路パターン
に半導体素子を電気的に接続することで作製される非接
触ＩＣカード、複数の半導体及びコンデンサ、抵抗等の
受動部品が一つの基材に実装されたＭＣＭ（マルチチッ
プモジュール）、複数個のメモリーチップが多段重ねら
れたスタックＩＣモジュール、及びメモリーカード等に
関連する、半導体素子等の電子部品を基材に実装して電
子部品実装済部品を製造する電子部品実装済部品の製造
方法、該製造方法にて製造される電子部品実装済部品を
有する電子部品実装済完成品の製造方法、及び該電子部
品実装済完成品製造方法にて製造される電子部品実装済
完成品に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の電子部品実装済完成品の製造方法
について、図２３及び図２４を参照しながら以下に説明
する。従来、複数の半導体素子、受動部品等の電子部品
が実装されたＭＣＭ（マルチチップモジュール）、スタ
ックＩＣモジュール、メモリーモジュールにおいては、
キャリア基板上に半導体素子をワイヤボンディング法に
より接続し、積層化していく方法がとられている。又、
電子部品は、キャリア基板上の所定の回路パターンにク
リーム半田を印刷し、リフローする方法により、実装さ
れている。
について、図２３及び図２４を参照しながら以下に説明
する。従来、複数の半導体素子、受動部品等の電子部品
が実装されたＭＣＭ（マルチチップモジュール）、スタ
ックＩＣモジュール、メモリーモジュールにおいては、
キャリア基板上に半導体素子をワイヤボンディング法に
より接続し、積層化していく方法がとられている。又、
電子部品は、キャリア基板上の所定の回路パターンにク
リーム半田を印刷し、リフローする方法により、実装さ
れている。
【０００３】図２３に示すように、従来のＭＣＭ１０に
おける複数個、本例の場合には３個の半導体素子１は、
キャリア基板３上に積層され、キャリア基板３上に形成
されている所定の回路パターン４と、ワイヤボンディン
グ法により形成されたＡｕ、Ｃｕ、半田等のワイヤ８を
介して接続されている。１２は、ワイヤ８を含み半導体
素子１を保護するための封止剤である。又、電子部品５
は、キャリア基板３上の所定の回路パターン４と電子部
品５の電極６とがクリーム半田７を介して接続されてい
る。尚、９は、図示していないマザー基板と、当該ＭＣ
Ｍ１０とを電気的に接続するための外部電極端子であ
る。該外部電極端子９は、ＭＣＭ１０単体で製品として
の機能を果たすモジュールの場合には必要が無い。又、
１１は、キャリア基板３の実装面側の回路パターン４と
外部電極端子９との電気的導通を図るためのスルーホー
ルである。
おける複数個、本例の場合には３個の半導体素子１は、
キャリア基板３上に積層され、キャリア基板３上に形成
されている所定の回路パターン４と、ワイヤボンディン
グ法により形成されたＡｕ、Ｃｕ、半田等のワイヤ８を
介して接続されている。１２は、ワイヤ８を含み半導体
素子１を保護するための封止剤である。又、電子部品５
は、キャリア基板３上の所定の回路パターン４と電子部
品５の電極６とがクリーム半田７を介して接続されてい
る。尚、９は、図示していないマザー基板と、当該ＭＣ
Ｍ１０とを電気的に接続するための外部電極端子であ
る。該外部電極端子９は、ＭＣＭ１０単体で製品として
の機能を果たすモジュールの場合には必要が無い。又、
１１は、キャリア基板３の実装面側の回路パターン４と
外部電極端子９との電気的導通を図るためのスルーホー
ルである。
【０００４】上記ＭＣＭ１０の製造工程は、図２４に示
すように、まずステップ（図内では「Ｓ」にて示す）１
では、キャリア基板３上の電子部品５が実装される予定
の回路パターン４上にクリーム半田を印刷により塗布す
る。クリーム半田７の印刷は、一般的にスクリーン印刷
法により実施される。次のステップ２では、上記印刷に
より形成したクリーム半田７上に電子部品５を位置合わ
せして実装する。その次のステップ３では、電子部品５
が実装されたキャリア基板３をリフロー炉に通してクリ
ーム半田７を溶融し、その後、硬化させて該電子部品５
と上記回路パターン４とを電気的に接続する。その次の
ステップ４では、キャリア基板３の厚さ方向に沿って半
導体素子１を積み重ねる。尚、図中には示していない
が、半導体素子１とキャリア基板３との間、及び各半導
体素子１同士の間は、Ａｇペーストで接合されるのが一
般的である。次のステップ５では、半導体素子１の電極
２とキャリア基板３の回路パターン４の所定の部分とを
Ａｕ、Ｃｕ、半田等にてなるワイヤ８を用いたワイヤボ
ンディング法により接続する。次のステップ６では、半
導体素子１、回路パターン４及びワイヤ８を保護するた
めに、封止剤１２が塗布される。その次のステップ７で
は、半導体素子１が実装されたキャリア基板３をバッチ
炉に投入し、封止剤１２を硬化させる。このようにし
て、電子部品実装済部品を有する電子部品実装済完成品
としてのＭＣＭ１０が作製される。
すように、まずステップ（図内では「Ｓ」にて示す）１
では、キャリア基板３上の電子部品５が実装される予定
の回路パターン４上にクリーム半田を印刷により塗布す
る。クリーム半田７の印刷は、一般的にスクリーン印刷
法により実施される。次のステップ２では、上記印刷に
より形成したクリーム半田７上に電子部品５を位置合わ
せして実装する。その次のステップ３では、電子部品５
が実装されたキャリア基板３をリフロー炉に通してクリ
ーム半田７を溶融し、その後、硬化させて該電子部品５
と上記回路パターン４とを電気的に接続する。その次の
ステップ４では、キャリア基板３の厚さ方向に沿って半
導体素子１を積み重ねる。尚、図中には示していない
が、半導体素子１とキャリア基板３との間、及び各半導
体素子１同士の間は、Ａｇペーストで接合されるのが一
般的である。次のステップ５では、半導体素子１の電極
２とキャリア基板３の回路パターン４の所定の部分とを
Ａｕ、Ｃｕ、半田等にてなるワイヤ８を用いたワイヤボ
ンディング法により接続する。次のステップ６では、半
導体素子１、回路パターン４及びワイヤ８を保護するた
めに、封止剤１２が塗布される。その次のステップ７で
は、半導体素子１が実装されたキャリア基板３をバッチ
炉に投入し、封止剤１２を硬化させる。このようにし
て、電子部品実装済部品を有する電子部品実装済完成品
としてのＭＣＭ１０が作製される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述した従来
の電子部品実装済部品を有する電子部品実装済完成品の
製造方法、及び該電子部品実装済完成品製造方法にて製
造される電子部品実装済完成品としてのＭＣＭ、メモリ
ーモジュール等の構成では、以下の問題があった。キャ
リア基板３上に半導体素子１等の電子部品を積み上げて
いくために、モジュールの厚さ方向の高さが高くなり、
薄型化が要求される最近の製品ニーズに答えられない。
又、半導体素子１を積み上げていく際、ワイヤボンディ
ングするため、電極２を半導体素子１の外周部に配置し
ておく必要があるため、図２３にて図示するように必然
的に積み重ねられる半導体素子１は平面的に順次小さい
ものを用いる必要があり、使用可能な半導体素子１のサ
イズが限られる。逆に言うと、電極２が半導体素子１の
外周部以外にある、いわゆるエリアパッドと呼ばれる半
導体素子では、積み重ねができない。又、ワイヤ８にて
キャリア基板３上の回路パターン４と半導体素子１の電
極２とを接続する為、封止剤１２を塗布する際に当該ワ
イヤ８が切断する恐れもある。本発明はこのような問題
点を解決するためになされたもので、薄型化が可能であ
り、使用可能な電子部品の制約が少ない電子部品実装済
部品の製造方法、該製造方法にて作製された電子部品実
装済部品を有する電子部品実装済完成品の製造方法、及
び該電子部品実装済完成品製造方法にて製造される電子
部品実装済完成品を提供することを目的とする。
の電子部品実装済部品を有する電子部品実装済完成品の
製造方法、及び該電子部品実装済完成品製造方法にて製
造される電子部品実装済完成品としてのＭＣＭ、メモリ
ーモジュール等の構成では、以下の問題があった。キャ
リア基板３上に半導体素子１等の電子部品を積み上げて
いくために、モジュールの厚さ方向の高さが高くなり、
薄型化が要求される最近の製品ニーズに答えられない。
又、半導体素子１を積み上げていく際、ワイヤボンディ
ングするため、電極２を半導体素子１の外周部に配置し
ておく必要があるため、図２３にて図示するように必然
的に積み重ねられる半導体素子１は平面的に順次小さい
ものを用いる必要があり、使用可能な半導体素子１のサ
イズが限られる。逆に言うと、電極２が半導体素子１の
外周部以外にある、いわゆるエリアパッドと呼ばれる半
導体素子では、積み重ねができない。又、ワイヤ８にて
キャリア基板３上の回路パターン４と半導体素子１の電
極２とを接続する為、封止剤１２を塗布する際に当該ワ
イヤ８が切断する恐れもある。本発明はこのような問題
点を解決するためになされたもので、薄型化が可能であ
り、使用可能な電子部品の制約が少ない電子部品実装済
部品の製造方法、該製造方法にて作製された電子部品実
装済部品を有する電子部品実装済完成品の製造方法、及
び該電子部品実装済完成品製造方法にて製造される電子
部品実装済完成品を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の第１態様である
電子部品実装済部品の製造方法は、電気的絶縁性を有す
る板状の熱可塑性樹脂基材の表面である回路パターン形
成面上に電解メッキ若しくは無電解メッキにて回路パタ
ーンを形成し、上記熱可塑性樹脂基材を挟んで上記回路
パターンと対向する上記熱可塑性樹脂基材の裏面である
電子部品挿入面から電子部品を挿入して上記熱可塑性樹
脂基材に埋設するとともに、上記回路パターンと上記電
子部品の回路接続部とを接触させ、上記回路パターンと
上記電子部品との電気的導通を図ることを特徴とする。
電子部品実装済部品の製造方法は、電気的絶縁性を有す
る板状の熱可塑性樹脂基材の表面である回路パターン形
成面上に電解メッキ若しくは無電解メッキにて回路パタ
ーンを形成し、上記熱可塑性樹脂基材を挟んで上記回路
パターンと対向する上記熱可塑性樹脂基材の裏面である
電子部品挿入面から電子部品を挿入して上記熱可塑性樹
脂基材に埋設するとともに、上記回路パターンと上記電
子部品の回路接続部とを接触させ、上記回路パターンと
上記電子部品との電気的導通を図ることを特徴とする。
【０００７】上記回路パターン形成面上に上記回路パタ
ーンを形成する前に、上記熱可塑性樹脂基材における上
記電子部品の上記回路接続部が配置される位置に予め該
熱可塑性樹脂基材の厚さ方向に該熱可塑性樹脂基材を貫
通する回路接続部配置用スルーホールを形成し、上記回
路パターン形成面上に上記回路パターンを形成すると
き、前記回路接続部配置用スルーホールの内壁面に電解
メッキ若しくは無電解メッキにて回路接続部被覆用メッ
キ層を形成し、上記熱可塑性樹脂基材に上記電子部品を
埋設するとき、当該回路接続部被覆用メッキ層にて上記
電子部品と上記回路パターンとの電気的導通を図ること
ができる。
ーンを形成する前に、上記熱可塑性樹脂基材における上
記電子部品の上記回路接続部が配置される位置に予め該
熱可塑性樹脂基材の厚さ方向に該熱可塑性樹脂基材を貫
通する回路接続部配置用スルーホールを形成し、上記回
路パターン形成面上に上記回路パターンを形成すると
き、前記回路接続部配置用スルーホールの内壁面に電解
メッキ若しくは無電解メッキにて回路接続部被覆用メッ
キ層を形成し、上記熱可塑性樹脂基材に上記電子部品を
埋設するとき、当該回路接続部被覆用メッキ層にて上記
電子部品と上記回路パターンとの電気的導通を図ること
ができる。
【０００８】上記熱可塑性樹脂基材は、上記回路パター
ン形成面における上記回路パターンの形成が予定される
位置から当該熱可塑性樹脂基材の上記厚さ方向に貫通す
る回路パターン連絡用スルーホールを有し、上記回路パ
ターン形成面上に上記回路パターンを形成するとき、上
記回路パターン連絡用スルーホールの上記電子部品挿入
面における端部に電気的に接続する挿入面側回路パター
ンを電解メッキ若しくは無電解メッキにて上記電子部品
挿入面上に形成し、更に、上記回路パターン形成面上に
上記回路パターンを形成するとき、上記回路パターン連
絡用スルーホールの内壁面に電解メッキ若しくは無電解
メッキにて回路パターン間接続用メッキ層を形成し、当
該回路パターン間接続用メッキ層にて上記回路パターン
と上記挿入面側回路パターンとの間の電気的導通を図る
ことができる。
ン形成面における上記回路パターンの形成が予定される
位置から当該熱可塑性樹脂基材の上記厚さ方向に貫通す
る回路パターン連絡用スルーホールを有し、上記回路パ
ターン形成面上に上記回路パターンを形成するとき、上
記回路パターン連絡用スルーホールの上記電子部品挿入
面における端部に電気的に接続する挿入面側回路パター
ンを電解メッキ若しくは無電解メッキにて上記電子部品
挿入面上に形成し、更に、上記回路パターン形成面上に
上記回路パターンを形成するとき、上記回路パターン連
絡用スルーホールの内壁面に電解メッキ若しくは無電解
メッキにて回路パターン間接続用メッキ層を形成し、当
該回路パターン間接続用メッキ層にて上記回路パターン
と上記挿入面側回路パターンとの間の電気的導通を図る
ことができる。
【０００９】上記熱可塑性樹脂基材に上記電子部品を埋
設した後、上記電子部品を埋設することで上記回路パタ
ーンと上記電子部品の上記回路接続部との接触による上
記回路パターンと上記電子部品との電気的導通が図られ
た上記熱可塑性樹脂基材を上記厚さ方向に複数個重ね合
わせ、該重ね合わせにて上記回路パターン間接続用メッ
キ層を介して互いに重なり合う上記熱可塑性樹脂基材の
各々の上記回路パターン間の電気的導通を図り、互いに
重なり合う当該熱可塑性樹脂基材同士を相対的に加熱加
圧して密着させることにより積層構造とすることができ
る。
設した後、上記電子部品を埋設することで上記回路パタ
ーンと上記電子部品の上記回路接続部との接触による上
記回路パターンと上記電子部品との電気的導通が図られ
た上記熱可塑性樹脂基材を上記厚さ方向に複数個重ね合
わせ、該重ね合わせにて上記回路パターン間接続用メッ
キ層を介して互いに重なり合う上記熱可塑性樹脂基材の
各々の上記回路パターン間の電気的導通を図り、互いに
重なり合う当該熱可塑性樹脂基材同士を相対的に加熱加
圧して密着させることにより積層構造とすることができ
る。
【００１０】上記電子部品は半導体素子であり、上記回
路パターンの一部は、上記半導体素子に接続されること
で、無線にて情報の送受信を行うアンテナコイルであっ
てもよい。
路パターンの一部は、上記半導体素子に接続されること
で、無線にて情報の送受信を行うアンテナコイルであっ
てもよい。
【００１１】上記電子部品は１個若しくは複数存在し、
該電子部品の一部若しくは全てが半導体素子であっても
よい。
該電子部品の一部若しくは全てが半導体素子であっても
よい。
【００１２】本発明の第２態様である電子部品実装済部
品は、本発明の第１態様である電子部品実装済部品の製
造方法にて製造されたことを特徴とする。
品は、本発明の第１態様である電子部品実装済部品の製
造方法にて製造されたことを特徴とする。
【００１３】本発明の第３態様である電子部品実装済完
成品の製造方法は、本発明の第２態様である電子部品実
装済部品を電気的絶縁性を有する熱可塑性樹脂シートに
て上記厚さ方向両面から挟み込み、該熱可塑性樹脂シー
トを上記電子部品実装済部品へ加熱加圧して密着させ、
上記電子部品実装済部品の封止を行うことを特徴とす
る。
成品の製造方法は、本発明の第２態様である電子部品実
装済部品を電気的絶縁性を有する熱可塑性樹脂シートに
て上記厚さ方向両面から挟み込み、該熱可塑性樹脂シー
トを上記電子部品実装済部品へ加熱加圧して密着させ、
上記電子部品実装済部品の封止を行うことを特徴とす
る。
【００１４】本発明の第４態様である電子部品実装済完
成品は、本発明の第３態様である電子部品実装済完成品
の製造方法にて製造されたことを特徴とする。
成品は、本発明の第３態様である電子部品実装済完成品
の製造方法にて製造されたことを特徴とする。
【００１５】上記電子部品実装済部品の有する上記電子
部品は半導体素子であり、上記電子部品実装済部品の有
する上記回路パターンの一部が、上記半導体素子と接続
し、かつ、無線にて情報の送受信を行う上記アンテナコ
イルである上記電子部品実装済完成品は、非接触ＩＣカ
ードであってもよい。
部品は半導体素子であり、上記電子部品実装済部品の有
する上記回路パターンの一部が、上記半導体素子と接続
し、かつ、無線にて情報の送受信を行う上記アンテナコ
イルである上記電子部品実装済完成品は、非接触ＩＣカ
ードであってもよい。
【００１６】
【発明の実施の形態】本発明の実施形態である、単層構
造及び積層構造の電子部品実装済部品の製造方法と、単
層構造及び積層構造の電子部品実装済部品と、単層構造
及び積層構造の電子部品実装済完成品の製造方法と、単
層構造及び積層構造の電子部品実装済完成品とについ
て、図を参照しながら以下に説明する。ここで、上記電
子部品実装済完成品の製造方法は、上記電子部品実装済
部品の製造方法を用いて製造された電子部品実装済部品
を有する電子部品実装済完成品を製造する方法であり、
上記電子部品実装済完成品は、上記電子部品実装済完成
品の製造方法を用いて製造されるものである。尚、各図
において同一部材には、同一の参照符号を付している。
尚、本実施形態では、非接触ＩＣカードを単層構造の電
子部品実装済完成品の機能を果たす一例とし、マルチチ
ップモジュール（以下、ＭＣＭ）を積層構造の電子部品
実装済完成品の機能を果たす一例としているが、単層構
造及び積層構造の電子部品実装済完成品は、これらに限
定されるものではない。
造及び積層構造の電子部品実装済部品の製造方法と、単
層構造及び積層構造の電子部品実装済部品と、単層構造
及び積層構造の電子部品実装済完成品の製造方法と、単
層構造及び積層構造の電子部品実装済完成品とについ
て、図を参照しながら以下に説明する。ここで、上記電
子部品実装済完成品の製造方法は、上記電子部品実装済
部品の製造方法を用いて製造された電子部品実装済部品
を有する電子部品実装済完成品を製造する方法であり、
上記電子部品実装済完成品は、上記電子部品実装済完成
品の製造方法を用いて製造されるものである。尚、各図
において同一部材には、同一の参照符号を付している。
尚、本実施形態では、非接触ＩＣカードを単層構造の電
子部品実装済完成品の機能を果たす一例とし、マルチチ
ップモジュール（以下、ＭＣＭ）を積層構造の電子部品
実装済完成品の機能を果たす一例としているが、単層構
造及び積層構造の電子部品実装済完成品は、これらに限
定されるものではない。
【００１７】（第１実施形態）図１は、本発明の第１実
施形態にかかる電子部品実装済部品の製造方法を用いて
作製された積層構造の電子部品実装済部品３００を示し
ている。尚、上記積層構造の電子部品実装済部品３００
は、電子部品実装済完成品の一例であるＭＣＭを構成す
るものである。該積層構造の電子部品実装済部品３００
は、本実施形態では単層構造の電子部品実装済部品２０
０，２０１，２０２を３層に積み重ねることで作製され
ている。以下、積層構造の電子部品実装済部品３００を
積層型電子部品実装済部品とし、上記積層型電子部品実
装済部品３００を構成する単層構造の電子部品実装済部
品２００，２０１，２０２を単層型電子部品実装済部品
とする。上記積層型電子部品実装済部品３００におい
て、各単層型電子部品実装済部品２００，２０１，２０
２は、スルーホール１１１に充填された導電性ペースト
により各々電気的に導通している。
施形態にかかる電子部品実装済部品の製造方法を用いて
作製された積層構造の電子部品実装済部品３００を示し
ている。尚、上記積層構造の電子部品実装済部品３００
は、電子部品実装済完成品の一例であるＭＣＭを構成す
るものである。該積層構造の電子部品実装済部品３００
は、本実施形態では単層構造の電子部品実装済部品２０
０，２０１，２０２を３層に積み重ねることで作製され
ている。以下、積層構造の電子部品実装済部品３００を
積層型電子部品実装済部品とし、上記積層型電子部品実
装済部品３００を構成する単層構造の電子部品実装済部
品２００，２０１，２０２を単層型電子部品実装済部品
とする。上記積層型電子部品実装済部品３００におい
て、各単層型電子部品実装済部品２００，２０１，２０
２は、スルーホール１１１に充填された導電性ペースト
により各々電気的に導通している。
【００１８】図１に示すように上記単層型電子部品実装
済部品２００，２０１，２０２は、夫々同様の構成を有
する。そこで、単層型電子部品実装済部品２００，２０
１，２０２の中から、図１における最上段の単層型電子
部品実装済部品２００を例にとり、単層型電子部品実装
済部品の構成について以下、説明する。図２に示すよう
に上記単層型電子部品実装済部品２００は、半導体素子
１１４及びその他一例としてチップ抵抗器やチップコン
デンサ等の電子部品１０５が予め熱可塑性樹脂基材１２
２に埋設された構成を有し、該熱可塑性樹脂基材１２２
の表面である回路パターン形成面１２３上に形成された
回路パターン１０４は、上記回路パターン形成面１２３
に露出した回路接触部である上記半導体素子１１４のバ
ンプ１１３及び上記電子部品１０５の電極１０６と接触
するよう、導電性ペーストにて形成されている。
済部品２００，２０１，２０２は、夫々同様の構成を有
する。そこで、単層型電子部品実装済部品２００，２０
１，２０２の中から、図１における最上段の単層型電子
部品実装済部品２００を例にとり、単層型電子部品実装
済部品の構成について以下、説明する。図２に示すよう
に上記単層型電子部品実装済部品２００は、半導体素子
１１４及びその他一例としてチップ抵抗器やチップコン
デンサ等の電子部品１０５が予め熱可塑性樹脂基材１２
２に埋設された構成を有し、該熱可塑性樹脂基材１２２
の表面である回路パターン形成面１２３上に形成された
回路パターン１０４は、上記回路パターン形成面１２３
に露出した回路接触部である上記半導体素子１１４のバ
ンプ１１３及び上記電子部品１０５の電極１０６と接触
するよう、導電性ペーストにて形成されている。
【００１９】図３は、半導体素子１１４の全体の構成を
示すものである。そして、図３における１１７は、半導
体素子１１４の電極を示し、１１２は、半導体素子１１
４のアクティブ面を保護するパッシベーション膜を示し
ている。又、半導体素子１１４の電極１１７上には、Ａ
ｕ、Ｃｕ、或いは半田等の金属ワイヤを用いたワイヤボ
ンディング法により、バンプ１１３が形成されている。
尚、バンプ１１３の形成は、ワイヤボンディング法によ
る形成に限定されるものではなく、メッキ法による形成
でもよい。又、図４は、電子部品１０５の全体の構成を
示したものであり、図４における１０６は、電子部品１
０５の電極を示している。
示すものである。そして、図３における１１７は、半導
体素子１１４の電極を示し、１１２は、半導体素子１１
４のアクティブ面を保護するパッシベーション膜を示し
ている。又、半導体素子１１４の電極１１７上には、Ａ
ｕ、Ｃｕ、或いは半田等の金属ワイヤを用いたワイヤボ
ンディング法により、バンプ１１３が形成されている。
尚、バンプ１１３の形成は、ワイヤボンディング法によ
る形成に限定されるものではなく、メッキ法による形成
でもよい。又、図４は、電子部品１０５の全体の構成を
示したものであり、図４における１０６は、電子部品１
０５の電極を示している。
【００２０】以下、上記単層型電子部品実装済部品２０
０の製造方法について図５〜図７を参照しながら説明す
る。まず始めに、図５に示すように半導体素子１１４及
び電子部品１０５をポリエチレンテレフタレート、塩化
ビニル、ポリカーボネート、ポリイミド、アクリロニト
リルブタジエンスチレン等の電気的絶縁性を有するシー
ト状の熱可塑性樹脂基材１２２の裏面である電子部品挿
入面１２６上に設置する。このとき、上記半導体素子１
１４及び上記電子部品１０５は、夫々上記バンプ１１３
及び上記電極１０６が電子部品挿入面１２６に接するよ
うに設置される。尚、電子部品挿入面１２６上には、半
導体素子１１４及び電子部品１０５が夫々複数個設置さ
れる場合がある。又、電子部品挿入面１２６上に電子部
品１０５が設置されない場合もある。
０の製造方法について図５〜図７を参照しながら説明す
る。まず始めに、図５に示すように半導体素子１１４及
び電子部品１０５をポリエチレンテレフタレート、塩化
ビニル、ポリカーボネート、ポリイミド、アクリロニト
リルブタジエンスチレン等の電気的絶縁性を有するシー
ト状の熱可塑性樹脂基材１２２の裏面である電子部品挿
入面１２６上に設置する。このとき、上記半導体素子１
１４及び上記電子部品１０５は、夫々上記バンプ１１３
及び上記電極１０６が電子部品挿入面１２６に接するよ
うに設置される。尚、電子部品挿入面１２６上には、半
導体素子１１４及び電子部品１０５が夫々複数個設置さ
れる場合がある。又、電子部品挿入面１２６上に電子部
品１０５が設置されない場合もある。
【００２１】尚、熱可塑性樹脂基材１２２には、上記熱
可塑性樹脂基材１２２の厚さ方向に貫通するスルーホー
ル１１１が半導体素子１１４及び電子部品１０５が電子
部品挿入面１２６上に設置される前に形成されている。
但し、後述する埋設動作にて半導体素子１１４及び電子
部品１０５を熱可塑性樹脂基材１２２に埋設した後で、
スルーホール１１１が形成される場合もある。スルーホ
ール１１１の形成は、金型によるプレス、或いはＮＣパ
ンチャーを用いて行う。
可塑性樹脂基材１２２の厚さ方向に貫通するスルーホー
ル１１１が半導体素子１１４及び電子部品１０５が電子
部品挿入面１２６上に設置される前に形成されている。
但し、後述する埋設動作にて半導体素子１１４及び電子
部品１０５を熱可塑性樹脂基材１２２に埋設した後で、
スルーホール１１１が形成される場合もある。スルーホ
ール１１１の形成は、金型によるプレス、或いはＮＣパ
ンチャーを用いて行う。
【００２２】第１実施形態の場合、後述するようにバン
プ１１３を熱可塑性樹脂基材１２２の回路パターン形成
面１２３に露出させる必要がある為、熱可塑性樹脂基材
１２２の厚さは、基本的に半導体素子１１４の厚さ以上
で、かつ、半導体素子１１４の厚さとバンプ１１３の高
さとを合せた厚さ以下にすることが望ましい。例えば、
半導体素子１１４の厚さが０.１８ｍｍでバンプ１１３
の高さが０.０４ｍｍの場合、熱可塑性樹脂基材１２２
の厚さを０.２ｍｍとするのが好ましい。又、半導体素
子１１４の場合と同様に電子部品１０５の電極１０６も
回路パターン形成面１２３に露出する必要がある為、電
子部品１０５は、熱可塑性樹脂基材１２２の厚さに対し
て高さが５０μｍ程度高いものを使用することが好まし
い。少なくとも、電子部品１０５の高さが熱可塑性樹脂
基材１２２の厚さ以下になることを避ける必要がある。
プ１１３を熱可塑性樹脂基材１２２の回路パターン形成
面１２３に露出させる必要がある為、熱可塑性樹脂基材
１２２の厚さは、基本的に半導体素子１１４の厚さ以上
で、かつ、半導体素子１１４の厚さとバンプ１１３の高
さとを合せた厚さ以下にすることが望ましい。例えば、
半導体素子１１４の厚さが０.１８ｍｍでバンプ１１３
の高さが０.０４ｍｍの場合、熱可塑性樹脂基材１２２
の厚さを０.２ｍｍとするのが好ましい。又、半導体素
子１１４の場合と同様に電子部品１０５の電極１０６も
回路パターン形成面１２３に露出する必要がある為、電
子部品１０５は、熱可塑性樹脂基材１２２の厚さに対し
て高さが５０μｍ程度高いものを使用することが好まし
い。少なくとも、電子部品１０５の高さが熱可塑性樹脂
基材１２２の厚さ以下になることを避ける必要がある。
【００２３】次に、図６に示すように、電子部品挿入面
１２６上に半導体素子１１４及び電子部品１０５が設置
された熱可塑性樹脂基材１２２を熱プレス板１７１，１
７２間に挟み込む。そして、制御装置１７７による制御
に基いて半導体素子１１４及び電子部品１０５と熱可塑
性樹脂基材１２２とを上記熱プレス板１７１，１７２に
備えられる加熱装置１７５，１７６にて加熱しながら、
上記熱プレス板１７１，１７２を熱プレス板移動装置１
７３，１７４にて相対的に移動させる。そして、上記半
導体素子１１４及び上記電子部品１０５と、上記熱可塑
性樹脂基材１２２とを当該熱プレス板１７１，１７２に
て相対的に押圧する。該加熱加圧により、半導体素子１
１４及び電子部品１０５を電子部品挿入面１２６から挿
入して熱可塑性樹脂基材１２２内に埋設する。該加熱加
圧の条件は、例えば熱可塑性樹脂基材１２２に厚さが
０．２ｍｍのポリエチレンテレフタレート製のものを用
いた場合、圧力を２．９４ＭＰａ、加熱温度を１６０
℃、加圧時間を１分とする。尚、上記温度及び圧力は、
熱可塑性樹脂基材１２２の材質により異なる。又、半導
体素子１１４と電子部品１０５との熱可塑性樹脂基材１
２２への埋設は、それぞれ別の熱プレス板を用いて個別
に実施してもよい。
１２６上に半導体素子１１４及び電子部品１０５が設置
された熱可塑性樹脂基材１２２を熱プレス板１７１，１
７２間に挟み込む。そして、制御装置１７７による制御
に基いて半導体素子１１４及び電子部品１０５と熱可塑
性樹脂基材１２２とを上記熱プレス板１７１，１７２に
備えられる加熱装置１７５，１７６にて加熱しながら、
上記熱プレス板１７１，１７２を熱プレス板移動装置１
７３，１７４にて相対的に移動させる。そして、上記半
導体素子１１４及び上記電子部品１０５と、上記熱可塑
性樹脂基材１２２とを当該熱プレス板１７１，１７２に
て相対的に押圧する。該加熱加圧により、半導体素子１
１４及び電子部品１０５を電子部品挿入面１２６から挿
入して熱可塑性樹脂基材１２２内に埋設する。該加熱加
圧の条件は、例えば熱可塑性樹脂基材１２２に厚さが
０．２ｍｍのポリエチレンテレフタレート製のものを用
いた場合、圧力を２．９４ＭＰａ、加熱温度を１６０
℃、加圧時間を１分とする。尚、上記温度及び圧力は、
熱可塑性樹脂基材１２２の材質により異なる。又、半導
体素子１１４と電子部品１０５との熱可塑性樹脂基材１
２２への埋設は、それぞれ別の熱プレス板を用いて個別
に実施してもよい。
【００２４】図７は、上記埋設動作後における半導体素
子１１４、電子部品１０５及び熱可塑性樹脂基材１２２
の状態を示した断面図である。上述した埋設動作によ
り、図７に示すように半導体素子１１４及び電子部品１
０５は、バンプ１１３の端部１１５及び電極１０６の一
部が夫々熱可塑性樹脂基材１２２の回路パターン形成面
１２３に露出する。
子１１４、電子部品１０５及び熱可塑性樹脂基材１２２
の状態を示した断面図である。上述した埋設動作によ
り、図７に示すように半導体素子１１４及び電子部品１
０５は、バンプ１１３の端部１１５及び電極１０６の一
部が夫々熱可塑性樹脂基材１２２の回路パターン形成面
１２３に露出する。
【００２５】次に、図２に示すように、半導体素子１１
４及び電子部品１０５と電気的に接続する回路パターン
１０４をＡg、Ｃu等の導電性ペーストを用いて熱可塑性
樹脂基材１２２の回路パターン形成面１２３上に形成す
る。このとき、上記回路パターン１０４を形成する導電
性ペーストと、上記回路パターン形成面１２３に露出す
る上記半導体素子１１４のバンプ１１３の端部１１５及
び上記電子部品１０５の電極１０６の一部とを接触させ
ることで、上記回路パターン１０４と上記半導体素子１
１４及び上記電子部品１０５との電気的導通を図る。
尚、該導電性ペーストによる回路パターン１０４の形成
は、一般的にスクリーン印刷やオフセット印刷等によっ
て行われる。例えばスクリーン印刷の場合、１６５メッ
シュ／インチ、乳剤厚み１０μｍのマスクを介して導電
性ペーストを回路パターン形成面１２３上に印刷し、導
体厚さが約３０μｍの回路パターン１０４を形成する。
尚、回路パターン１０４の形成時には、スルーホール１
１１内にも導電性ペーストが充填される。このようにし
て、回路パターン１０４への半導体素子１１４及び電子
部品１０５の実装を行うことで、図２に示す構成の単層
型電子部品実装済部品２００が作製される。
４及び電子部品１０５と電気的に接続する回路パターン
１０４をＡg、Ｃu等の導電性ペーストを用いて熱可塑性
樹脂基材１２２の回路パターン形成面１２３上に形成す
る。このとき、上記回路パターン１０４を形成する導電
性ペーストと、上記回路パターン形成面１２３に露出す
る上記半導体素子１１４のバンプ１１３の端部１１５及
び上記電子部品１０５の電極１０６の一部とを接触させ
ることで、上記回路パターン１０４と上記半導体素子１
１４及び上記電子部品１０５との電気的導通を図る。
尚、該導電性ペーストによる回路パターン１０４の形成
は、一般的にスクリーン印刷やオフセット印刷等によっ
て行われる。例えばスクリーン印刷の場合、１６５メッ
シュ／インチ、乳剤厚み１０μｍのマスクを介して導電
性ペーストを回路パターン形成面１２３上に印刷し、導
体厚さが約３０μｍの回路パターン１０４を形成する。
尚、回路パターン１０４の形成時には、スルーホール１
１１内にも導電性ペーストが充填される。このようにし
て、回路パターン１０４への半導体素子１１４及び電子
部品１０５の実装を行うことで、図２に示す構成の単層
型電子部品実装済部品２００が作製される。
【００２６】次に、図１に示す積層型電子部品実装済部
品３００の製造方法について、図８を参照しながら以下
に説明する。上記単層型電子部品実装済部品２００と、
該単層型電子部品実装済部品２００と同様の製造方法で
作製される単層型電子部品実装済部品２０１，２０２と
を夫々厚さ方向に重なり合うように、上記スルーホール
１１１内に充填された導電性ペーストにて各単層型電子
部品実装済部品２００，２０１，２０２の回路パターン
１０４が電気的に接続される位置にて重ね合わせ、ラミ
ネート処理にて各単層型電子部品実装済部品２００，２
０１，２０２を互いに密着させることで図１に示す積層
型電子部品実装済部品３００を作製する。該ラミネート
処理は、制御装置３０７による制御に基き、加熱装置３
０５，３０６にて加熱された平面プレス板３０１，３０
２を平面プレス板移動装置４０３，４０４にて相対的に
移動させ、該平面プレス板３０１，３０２にて重ね合わ
せた各単層型電子部品実装済部品２００，２０１，２０
２を加熱加圧することで実施する。処理条件は、例えば
熱可塑性樹脂基材１２２に厚さが０．２ｍｍのポリエチ
レンテレフタレート製のものを用いた場合、圧力を２．
９４ＭＰａ、温度を１６０℃、昇圧時間を１分、圧力保
持時間を１分とする。
品３００の製造方法について、図８を参照しながら以下
に説明する。上記単層型電子部品実装済部品２００と、
該単層型電子部品実装済部品２００と同様の製造方法で
作製される単層型電子部品実装済部品２０１，２０２と
を夫々厚さ方向に重なり合うように、上記スルーホール
１１１内に充填された導電性ペーストにて各単層型電子
部品実装済部品２００，２０１，２０２の回路パターン
１０４が電気的に接続される位置にて重ね合わせ、ラミ
ネート処理にて各単層型電子部品実装済部品２００，２
０１，２０２を互いに密着させることで図１に示す積層
型電子部品実装済部品３００を作製する。該ラミネート
処理は、制御装置３０７による制御に基き、加熱装置３
０５，３０６にて加熱された平面プレス板３０１，３０
２を平面プレス板移動装置４０３，４０４にて相対的に
移動させ、該平面プレス板３０１，３０２にて重ね合わ
せた各単層型電子部品実装済部品２００，２０１，２０
２を加熱加圧することで実施する。処理条件は、例えば
熱可塑性樹脂基材１２２に厚さが０．２ｍｍのポリエチ
レンテレフタレート製のものを用いた場合、圧力を２．
９４ＭＰａ、温度を１６０℃、昇圧時間を１分、圧力保
持時間を１分とする。
【００２７】次に、図９に示すＭＣＭ３０１の製造方法
について、図１０を参照しながら説明する。図９に示す
上記ＭＣＭ３０１は、図１０に示すように、上記積層型
電子部品実装済部品３００をその厚さ方向からポリエチ
レンテレフタレート、塩化ビニル、ポリカーボネート、
ポリイミド、アクリロニトリルブタジエンスチレン等の
電気的絶縁性を有する熱可塑性樹脂シート１２４，１２
５にて挟み込み、ラミネート処理にて上記積層型電子部
品実装済部品３００の封止を行うことで形成される。該
ラミネート処理は、制御装置４０７の制御に基き、加熱
装置４０５，４０６にて加熱された平面プレス板４０
１，４０２を平面プレス板移動装置４０３，４０４にて
相対的に移動させ、該平面プレス板４０１，４０２で熱
可塑性樹脂シート１２４，１２５にて挟みこまれた積層
型電子部品実装済部品３００を加熱加圧することで実施
される。処理条件は、例えば熱可塑性樹脂シート１２
４，１２５にポリエチレンテレフタレート製のものを用
いた場合、圧力を２．９４ＭＰａ、加熱温度を１６０
℃、昇圧時間を１分、圧力保持時間を１分とする。上記
ラミネート処理による上記積層型電子部品実装済部品３
００の封止により、上記回路パターン１０４と上記半導
体素子１１４及び上記電子部品１０５とが上記熱可塑性
樹脂シート１２４，１２５にて外部から保護される。
について、図１０を参照しながら説明する。図９に示す
上記ＭＣＭ３０１は、図１０に示すように、上記積層型
電子部品実装済部品３００をその厚さ方向からポリエチ
レンテレフタレート、塩化ビニル、ポリカーボネート、
ポリイミド、アクリロニトリルブタジエンスチレン等の
電気的絶縁性を有する熱可塑性樹脂シート１２４，１２
５にて挟み込み、ラミネート処理にて上記積層型電子部
品実装済部品３００の封止を行うことで形成される。該
ラミネート処理は、制御装置４０７の制御に基き、加熱
装置４０５，４０６にて加熱された平面プレス板４０
１，４０２を平面プレス板移動装置４０３，４０４にて
相対的に移動させ、該平面プレス板４０１，４０２で熱
可塑性樹脂シート１２４，１２５にて挟みこまれた積層
型電子部品実装済部品３００を加熱加圧することで実施
される。処理条件は、例えば熱可塑性樹脂シート１２
４，１２５にポリエチレンテレフタレート製のものを用
いた場合、圧力を２．９４ＭＰａ、加熱温度を１６０
℃、昇圧時間を１分、圧力保持時間を１分とする。上記
ラミネート処理による上記積層型電子部品実装済部品３
００の封止により、上記回路パターン１０４と上記半導
体素子１１４及び上記電子部品１０５とが上記熱可塑性
樹脂シート１２４，１２５にて外部から保護される。
【００２８】以上、説明したように第１実施形態によれ
ば、基板となる熱可塑性樹脂基材１２２に半導体素子１
１４や電子部品１０５が埋設された単層型電子部品実装
済部品２００，２０１，２０２の積み重ねにて積層構造
のＭＣＭ３０１を構成する。よって、第１実施形態にか
かる積層構造のＭＣＭ３０１では、図２３に示す従来の
積層構造のＭＣＭ１０のようにキャリア基板３上に半導
体素子１を積み上げていく構造とは異なり、上記キャリ
ア基板３の厚さ分、モジュール全体の厚さを薄くするこ
とができる。従って、薄型化が要求される最近の製品ニ
ーズを満足することが可能となる。又、第１実施形態に
かかる単層型電子部品実装済部品２００の製造方法で
は、上記半導体素子１１４や上記電子部品１０５を上記
熱可塑性樹脂基材１２２に埋設することから、回路パタ
ーン１０４とバンプ１１３及び電極１０６との接触部分
の封止を上記熱可塑性樹脂基材１２２にて行うことがで
きる。更に、単層型電子部品実装済部品２００，２０
１，２０２を積み上げて積層型電子部品実装済部品３０
０を作製していく際、図１に示すように各単層型電子部
品実装済部品２００，２０１，２０２をスルーホール１
１１に充填された導電性ペーストにて各々電気的に導通
させることができる。よって、各単層型電子部品実装済
部品２００，２０１，２０２に埋設されている半導体素
子１１４は、積重ねの際、平面的に順次小さなものを積
み重ねていく必要が無くなる。従って、本実施形態で
は、上記半導体素子１１４における厚さ以外のサイズの
制限を無くすことができる。又、図３に示す半導体素子
１１４の電極１１７の配置位置も、半導体素子１１４の
外周部のみに限られなくなる。
ば、基板となる熱可塑性樹脂基材１２２に半導体素子１
１４や電子部品１０５が埋設された単層型電子部品実装
済部品２００，２０１，２０２の積み重ねにて積層構造
のＭＣＭ３０１を構成する。よって、第１実施形態にか
かる積層構造のＭＣＭ３０１では、図２３に示す従来の
積層構造のＭＣＭ１０のようにキャリア基板３上に半導
体素子１を積み上げていく構造とは異なり、上記キャリ
ア基板３の厚さ分、モジュール全体の厚さを薄くするこ
とができる。従って、薄型化が要求される最近の製品ニ
ーズを満足することが可能となる。又、第１実施形態に
かかる単層型電子部品実装済部品２００の製造方法で
は、上記半導体素子１１４や上記電子部品１０５を上記
熱可塑性樹脂基材１２２に埋設することから、回路パタ
ーン１０４とバンプ１１３及び電極１０６との接触部分
の封止を上記熱可塑性樹脂基材１２２にて行うことがで
きる。更に、単層型電子部品実装済部品２００，２０
１，２０２を積み上げて積層型電子部品実装済部品３０
０を作製していく際、図１に示すように各単層型電子部
品実装済部品２００，２０１，２０２をスルーホール１
１１に充填された導電性ペーストにて各々電気的に導通
させることができる。よって、各単層型電子部品実装済
部品２００，２０１，２０２に埋設されている半導体素
子１１４は、積重ねの際、平面的に順次小さなものを積
み重ねていく必要が無くなる。従って、本実施形態で
は、上記半導体素子１１４における厚さ以外のサイズの
制限を無くすことができる。又、図３に示す半導体素子
１１４の電極１１７の配置位置も、半導体素子１１４の
外周部のみに限られなくなる。
【００２９】しかし、第１実施形態にかかる単層型電子
部品実装済部品２００，２０１，２０２若しくは積層型
電子部品実装済部品３００を有する電子部品実装済完成
品の製造方法、及び該製造方法にて製造される電子部品
実装済完成品としてのＭＣＭ３０１、非接触ＩＣカー
ド、メモリーモジュール等の構成において、いまだ下記
の改良すべき点が考えられる。まず、回路パターン１０
４を導電性ペーストの印刷にて形成する為、印刷時にお
ける導電性ペーストのにじみ等により１００μｍ以下の
ファインパターン形成が困難であり、狭ピッチ化が進む
半導体素子１１４の電極ピッチに対応できない恐れがあ
ることである。更に、導電性ペーストは、電気的絶縁性
を有する樹脂ペーストにＡｕやＣｕ等の導電性粒子が混
在する形で組成されていることから、導電性ペーストに
て形成された回路パターン１０４と、金属単体にて形成
された回路パターンとの夫々の単位断面積に含まれる導
体部分の総断面積を比較すると、導電性ペーストにて形
成された回路パターン１０４の方が、金属単体にて形成
された回路パターンよりも導体部分の総断面積が小さい
ことがわかる。従って、導電性ペーストにて形成された
回路パターン１０４は、ライン幅が狭くなるにつれ過度
に抵抗値が高くなる恐れがある為、配線間におけるエネ
ルギーロスが大きくなる恐れがある。よって、配線間に
おけるエネルギーロスが大きくなる恐れと、ファインパ
ターン形成の困難さから、例えば非接触ＩＣカードにお
いて、小面積内にアンテナコイルとしての所定の電気的
特性が得られるターン数の回路パターンを導電性ペース
トにて形成することは、困難となる恐れがある。又、仮
に導電性ペーストにて上記アンテナコイルを形成するこ
とができたとしても、該アンテナコイルを有する非接触
ＩＣカードは、当該アンテナコイルにおけるエネルギー
ロスが大きくなる恐れがあるため、外部との通信が困難
となる恐れがある。
部品実装済部品２００，２０１，２０２若しくは積層型
電子部品実装済部品３００を有する電子部品実装済完成
品の製造方法、及び該製造方法にて製造される電子部品
実装済完成品としてのＭＣＭ３０１、非接触ＩＣカー
ド、メモリーモジュール等の構成において、いまだ下記
の改良すべき点が考えられる。まず、回路パターン１０
４を導電性ペーストの印刷にて形成する為、印刷時にお
ける導電性ペーストのにじみ等により１００μｍ以下の
ファインパターン形成が困難であり、狭ピッチ化が進む
半導体素子１１４の電極ピッチに対応できない恐れがあ
ることである。更に、導電性ペーストは、電気的絶縁性
を有する樹脂ペーストにＡｕやＣｕ等の導電性粒子が混
在する形で組成されていることから、導電性ペーストに
て形成された回路パターン１０４と、金属単体にて形成
された回路パターンとの夫々の単位断面積に含まれる導
体部分の総断面積を比較すると、導電性ペーストにて形
成された回路パターン１０４の方が、金属単体にて形成
された回路パターンよりも導体部分の総断面積が小さい
ことがわかる。従って、導電性ペーストにて形成された
回路パターン１０４は、ライン幅が狭くなるにつれ過度
に抵抗値が高くなる恐れがある為、配線間におけるエネ
ルギーロスが大きくなる恐れがある。よって、配線間に
おけるエネルギーロスが大きくなる恐れと、ファインパ
ターン形成の困難さから、例えば非接触ＩＣカードにお
いて、小面積内にアンテナコイルとしての所定の電気的
特性が得られるターン数の回路パターンを導電性ペース
トにて形成することは、困難となる恐れがある。又、仮
に導電性ペーストにて上記アンテナコイルを形成するこ
とができたとしても、該アンテナコイルを有する非接触
ＩＣカードは、当該アンテナコイルにおけるエネルギー
ロスが大きくなる恐れがあるため、外部との通信が困難
となる恐れがある。
【００３０】上述した第１実施形態における改良すべき
点を改良する為、以下の実施形態が考えられる。 （第２実施形態）図１１は、本発明の第２実施形態にか
かる電子部品実装済部品の製造方法、及び電子部品実装
済完成品の製造方法を用いて作製された電子部品実装済
完成品の一例である非接触ＩＣカード５００を示してい
る。又、図１７は、該非接触ＩＣカード５００を構成す
る単層型電子部品実装済部品６００を示す断面図であ
る。該単層型電子部品実装済部品６００は、回路パター
ン形成面１２３上にメッキにて回路パターン１１６を形
成した熱可塑性樹脂基材１２２に半導体素子１１４を埋
設し、上記半導体素子１１４のバンプ１１３と上記回路
パターン１１６とを接触させることで電気的導通を図る
ことを特徴とする。又、回路パターン１１６の一部は、
無線にて外部との情報の送受信を行う為のアンテナコイ
ル７５１として形成されている。更に、上記アンテナコ
イル７５１の終端部は、スルーホール１４０の内壁面に
形成されるメッキ層７００を介して電子部品挿入面１２
６上に形成された回路パターン７５０と電気的に接続し
ている。以下、内壁面にメッキ層７００が形成されてい
るスルーホール１４０を回路パターン連絡用スルーホー
ルとし、該メッキ層７００を回路パターン間接続用メッ
キ層とする。又、電子部品挿入面１２６上に形成される
回路パターン７５０を挿入面側回路パターンとする。該
挿入面側回路パターン７５０は、上記アンテナコイル７
５１の終端部をつなぐジャンパー線として働く。尚、本
実施形態で用いられている上記半導体素子１１４は、図
３に示す半導体素子１１４と同様の構成を有する。以
下、非接触ＩＣカード５００の製造方法について、図３
及び図１２〜図１８を参照しながら説明する。
点を改良する為、以下の実施形態が考えられる。 （第２実施形態）図１１は、本発明の第２実施形態にか
かる電子部品実装済部品の製造方法、及び電子部品実装
済完成品の製造方法を用いて作製された電子部品実装済
完成品の一例である非接触ＩＣカード５００を示してい
る。又、図１７は、該非接触ＩＣカード５００を構成す
る単層型電子部品実装済部品６００を示す断面図であ
る。該単層型電子部品実装済部品６００は、回路パター
ン形成面１２３上にメッキにて回路パターン１１６を形
成した熱可塑性樹脂基材１２２に半導体素子１１４を埋
設し、上記半導体素子１１４のバンプ１１３と上記回路
パターン１１６とを接触させることで電気的導通を図る
ことを特徴とする。又、回路パターン１１６の一部は、
無線にて外部との情報の送受信を行う為のアンテナコイ
ル７５１として形成されている。更に、上記アンテナコ
イル７５１の終端部は、スルーホール１４０の内壁面に
形成されるメッキ層７００を介して電子部品挿入面１２
６上に形成された回路パターン７５０と電気的に接続し
ている。以下、内壁面にメッキ層７００が形成されてい
るスルーホール１４０を回路パターン連絡用スルーホー
ルとし、該メッキ層７００を回路パターン間接続用メッ
キ層とする。又、電子部品挿入面１２６上に形成される
回路パターン７５０を挿入面側回路パターンとする。該
挿入面側回路パターン７５０は、上記アンテナコイル７
５１の終端部をつなぐジャンパー線として働く。尚、本
実施形態で用いられている上記半導体素子１１４は、図
３に示す半導体素子１１４と同様の構成を有する。以
下、非接触ＩＣカード５００の製造方法について、図３
及び図１２〜図１８を参照しながら説明する。
【００３１】上記非接触ＩＣカード５００の製造手順
は、図１２に示すフローチャートにて示される。まず、
ステップ（図内では「Ｓ」にて示す）１１において、Ａ
ｕやＣｕ、若しくは半田等にてなる金属ワイヤを用いた
ワイヤボンディング法により、図３に示すように半導体
素子１１４の電極１１７上にバンプ１１３を形成する。
又、バンプ１１３の形成は、ワイヤボンディング法によ
る形成に限定されるものではなく、メッキ法による形成
でもよい。尚、上記バンプ１１３の形成は、図１２に示
すフローチャートのステップ１４までに行えばよい。
は、図１２に示すフローチャートにて示される。まず、
ステップ（図内では「Ｓ」にて示す）１１において、Ａ
ｕやＣｕ、若しくは半田等にてなる金属ワイヤを用いた
ワイヤボンディング法により、図３に示すように半導体
素子１１４の電極１１７上にバンプ１１３を形成する。
又、バンプ１１３の形成は、ワイヤボンディング法によ
る形成に限定されるものではなく、メッキ法による形成
でもよい。尚、上記バンプ１１３の形成は、図１２に示
すフローチャートのステップ１４までに行えばよい。
【００３２】次に、図１２に示すステップ１１における
バンプ１１３の形成が行われている間、ステップ１２に
おいて、電気的絶縁性を有するシート状の熱可塑性樹脂
基材１２２を図１３に示すように用意し、図１１に示す
アンテナコイル７５１の形成が予定される回路パターン
形成面１２３における位置から該熱可塑性樹脂基材１２
２の厚さ方向に貫通する回路パターン連絡用スルーホー
ル１４０を形成する。上記回路パターン連絡用スルーホ
ール１４０の形成は、例えば金型によるプレス、或いは
ＮＣパンチャーを用いて行う。尚、上記熱可塑性樹脂基
材１２２に用いられる熱可塑性樹脂は、第１実施形態に
おいて用いた熱可塑性樹脂基材１２２と同様のものであ
る。又、熱可塑性樹脂基材１２２の厚さは、後述するよ
うに回路パターン形成面１２３に形成された回路パター
ン１１６にバンプ１１３の端部を接触させる必要から、
基本的に半導体素子１１４の厚さとバンプ１１３の高さ
を合せた厚さにすることが望ましい。例えば、半導体素
子１１４の厚さが０.１８ｍｍでバンプ１１３の高さが
０.０２ｍｍの場合、熱可塑性樹脂基材１２２の厚さ
は、０.２ｍｍとするのが好ましい。
バンプ１１３の形成が行われている間、ステップ１２に
おいて、電気的絶縁性を有するシート状の熱可塑性樹脂
基材１２２を図１３に示すように用意し、図１１に示す
アンテナコイル７５１の形成が予定される回路パターン
形成面１２３における位置から該熱可塑性樹脂基材１２
２の厚さ方向に貫通する回路パターン連絡用スルーホー
ル１４０を形成する。上記回路パターン連絡用スルーホ
ール１４０の形成は、例えば金型によるプレス、或いは
ＮＣパンチャーを用いて行う。尚、上記熱可塑性樹脂基
材１２２に用いられる熱可塑性樹脂は、第１実施形態に
おいて用いた熱可塑性樹脂基材１２２と同様のものであ
る。又、熱可塑性樹脂基材１２２の厚さは、後述するよ
うに回路パターン形成面１２３に形成された回路パター
ン１１６にバンプ１１３の端部を接触させる必要から、
基本的に半導体素子１１４の厚さとバンプ１１３の高さ
を合せた厚さにすることが望ましい。例えば、半導体素
子１１４の厚さが０.１８ｍｍでバンプ１１３の高さが
０.０２ｍｍの場合、熱可塑性樹脂基材１２２の厚さ
は、０.２ｍｍとするのが好ましい。
【００３３】次に、図１２に示すステップ１２における
上記回路パターン連絡用スルーホール１４０の形成が完
了した後、ステップ１３において、図１４に示すように
熱可塑性樹脂基材１２２の回路パターン形成面１２３、
電子部品挿入面１２６及び回路パターン連絡用スルーホ
ール１４０の内壁面に電解メッキ若しくは非電解メッキ
を施し、回路パターン１１６、挿入面側回路パターン７
５０及び回路パターン間接続用メッキ層７００を形成す
る。該メッキにより回路パターン間接続用メッキ層７０
０は、上記回路パターン連絡用スルーホール１４０の回
路パターン形成面１２３における端部にて上記回路パタ
ーン１１６の一部であるアンテナコイル７５１と電気的
に接続し、上記回路パターン連絡用スルーホール１４０
の電子部品挿入面１２６における端部にて挿入面側回路
パターン７５０と電気的に接続する。尚、形成する回路
パターン１１６、挿入面側回路パターン７５０及び回路
パターン間接続用メッキ層７００の厚さは、第２実施形
態の場合２０〜３０μｍであり、上記回路パターン１１
６、上記挿入面側回路パターン７５０及び上記回路パタ
ーン間接続用メッキ層７００の材質は、Ｃｕである。
上記回路パターン連絡用スルーホール１４０の形成が完
了した後、ステップ１３において、図１４に示すように
熱可塑性樹脂基材１２２の回路パターン形成面１２３、
電子部品挿入面１２６及び回路パターン連絡用スルーホ
ール１４０の内壁面に電解メッキ若しくは非電解メッキ
を施し、回路パターン１１６、挿入面側回路パターン７
５０及び回路パターン間接続用メッキ層７００を形成す
る。該メッキにより回路パターン間接続用メッキ層７０
０は、上記回路パターン連絡用スルーホール１４０の回
路パターン形成面１２３における端部にて上記回路パタ
ーン１１６の一部であるアンテナコイル７５１と電気的
に接続し、上記回路パターン連絡用スルーホール１４０
の電子部品挿入面１２６における端部にて挿入面側回路
パターン７５０と電気的に接続する。尚、形成する回路
パターン１１６、挿入面側回路パターン７５０及び回路
パターン間接続用メッキ層７００の厚さは、第２実施形
態の場合２０〜３０μｍであり、上記回路パターン１１
６、上記挿入面側回路パターン７５０及び上記回路パタ
ーン間接続用メッキ層７００の材質は、Ｃｕである。
【００３４】上記回路パターン１１６、挿入面側回路パ
ターン７５０及び回路パターン間接続用メッキ層７００
が一例として無電解メッキにて形成される場合、上記回
路パターン１１６、上記挿入面側回路パターン７５０及
び上記回路パターン間接続用メッキ層７００の形成工程
は、以下のようになる。まず始めに、アルカリ洗浄によ
る熱可塑性樹脂基材１２２の脱脂を行い、次に熱可塑性
樹脂基材１２２の表面である回路パターン形成面１２３
及び電子部品挿入面１２６の粗化をエッチングにて行
う。そして、熱可塑性樹脂基材１２２を洗浄し、その
後、上記回路パターン形成面１２３及び上記電子部品挿
入面１２６の触媒化処理及び活性化促進を行う。そし
て、上記回路パターン形成面１２３及び上記電子部品挿
入面１２６にパターン形状のマスキングを行って該回路
パターン形成面１２３、該電子部品挿入面１２６及び上
記回路パターン連絡用スルーホール１４０に無電解メッ
キを施す。そして、当該マスキング材を剥離して回路パ
ターン１１６、挿入面側回路パターン７５０及び回路パ
ターン間接続用メッキ層７００を形成する。無論、回路
パターン１１６、挿入面側回路パターン７５０及び回路
パターン間接続用メッキ層７００の形成は、無電解メッ
キのみならず電解メッキで形成してもよい。又、回路パ
ターン１１６、挿入面側回路パターン７５０及び回路パ
ターン間接続用メッキ層７００の材質もＣｕに限定され
るものではなく、Ａｕ、Ｎｉ等の導電性の高い金属でも
よい。
ターン７５０及び回路パターン間接続用メッキ層７００
が一例として無電解メッキにて形成される場合、上記回
路パターン１１６、上記挿入面側回路パターン７５０及
び上記回路パターン間接続用メッキ層７００の形成工程
は、以下のようになる。まず始めに、アルカリ洗浄によ
る熱可塑性樹脂基材１２２の脱脂を行い、次に熱可塑性
樹脂基材１２２の表面である回路パターン形成面１２３
及び電子部品挿入面１２６の粗化をエッチングにて行
う。そして、熱可塑性樹脂基材１２２を洗浄し、その
後、上記回路パターン形成面１２３及び上記電子部品挿
入面１２６の触媒化処理及び活性化促進を行う。そし
て、上記回路パターン形成面１２３及び上記電子部品挿
入面１２６にパターン形状のマスキングを行って該回路
パターン形成面１２３、該電子部品挿入面１２６及び上
記回路パターン連絡用スルーホール１４０に無電解メッ
キを施す。そして、当該マスキング材を剥離して回路パ
ターン１１６、挿入面側回路パターン７５０及び回路パ
ターン間接続用メッキ層７００を形成する。無論、回路
パターン１１６、挿入面側回路パターン７５０及び回路
パターン間接続用メッキ層７００の形成は、無電解メッ
キのみならず電解メッキで形成してもよい。又、回路パ
ターン１１６、挿入面側回路パターン７５０及び回路パ
ターン間接続用メッキ層７００の材質もＣｕに限定され
るものではなく、Ａｕ、Ｎｉ等の導電性の高い金属でも
よい。
【００３５】次に、図１２に示すステップ１１における
バンプ１１３の形成及びステップ１３における回路パタ
ーン１１６の形成が完了した後、ステップ１４におい
て、図１５に示すように半導体素子１１４のバンプ１１
３と、当該バンプ１１３と接触すべき回路パターン１１
６とが熱可塑性樹脂基材１２２を挟んで対向するよう、
半導体素子１１４を熱可塑性樹脂基材１２２の電子部品
挿入面１２６上に設置する。そして、図１６に示すよう
にバンプ１１３付の半導体素子１１４が設置された熱可
塑性樹脂基材１２２を熱プレス板１７１，１７２間に挟
み、制御装置１７７による制御に基いて半導体素子１１
４と熱可塑性樹脂基材１２２とを当該熱プレス板１７
１，１７２に備えられる加熱装置１７５，１７６にて加
熱しながら、上記熱プレス板１７１，１７２を熱プレス
板移動装置１７３，１７４にて相対的に移動させる。そ
して、当該熱プレス板１７１，１７２にて上記半導体素
子１１４と、上記熱可塑性樹脂基材１２２とを相対的に
押圧する。該加熱加圧により、半導体素子１１４を電子
部品挿入面１２６から挿入し、熱可塑性樹脂基材１２２
内に埋設する。熱可塑性樹脂基材１２２の一例として厚
さが０．２ｍｍのポリエチレンテレフタレート製の熱可
塑性樹脂基材を用いる場合、該熱プレス板１７１，１７
２による加熱加圧の条件は、圧力を２．９４ＭＰａ、加
熱温度を１２０℃、加圧時間を１分とする。尚、上記加
熱温度及び圧力は、熱可塑性樹脂基材１２２の材質及び
半導体素子１１４の大きさ等により異なる。上述した加
熱加圧動作により、図１７に示す単層型電子部品実装済
部品６００が作製される。第２実施形態では、回路パタ
ーン１１６の形成後に上述した加熱加圧動作にて半導体
素子１１４を熱可塑性樹脂基材１２２へ埋設すること
で、図１７に示すようにバンプ１１３の端部１１５と熱
可塑性樹脂基材１２２の回路パターン形成面１２３に形
成された回路パターン１１６とを物理的かつ電気的に接
続することができる。
バンプ１１３の形成及びステップ１３における回路パタ
ーン１１６の形成が完了した後、ステップ１４におい
て、図１５に示すように半導体素子１１４のバンプ１１
３と、当該バンプ１１３と接触すべき回路パターン１１
６とが熱可塑性樹脂基材１２２を挟んで対向するよう、
半導体素子１１４を熱可塑性樹脂基材１２２の電子部品
挿入面１２６上に設置する。そして、図１６に示すよう
にバンプ１１３付の半導体素子１１４が設置された熱可
塑性樹脂基材１２２を熱プレス板１７１，１７２間に挟
み、制御装置１７７による制御に基いて半導体素子１１
４と熱可塑性樹脂基材１２２とを当該熱プレス板１７
１，１７２に備えられる加熱装置１７５，１７６にて加
熱しながら、上記熱プレス板１７１，１７２を熱プレス
板移動装置１７３，１７４にて相対的に移動させる。そ
して、当該熱プレス板１７１，１７２にて上記半導体素
子１１４と、上記熱可塑性樹脂基材１２２とを相対的に
押圧する。該加熱加圧により、半導体素子１１４を電子
部品挿入面１２６から挿入し、熱可塑性樹脂基材１２２
内に埋設する。熱可塑性樹脂基材１２２の一例として厚
さが０．２ｍｍのポリエチレンテレフタレート製の熱可
塑性樹脂基材を用いる場合、該熱プレス板１７１，１７
２による加熱加圧の条件は、圧力を２．９４ＭＰａ、加
熱温度を１２０℃、加圧時間を１分とする。尚、上記加
熱温度及び圧力は、熱可塑性樹脂基材１２２の材質及び
半導体素子１１４の大きさ等により異なる。上述した加
熱加圧動作により、図１７に示す単層型電子部品実装済
部品６００が作製される。第２実施形態では、回路パタ
ーン１１６の形成後に上述した加熱加圧動作にて半導体
素子１１４を熱可塑性樹脂基材１２２へ埋設すること
で、図１７に示すようにバンプ１１３の端部１１５と熱
可塑性樹脂基材１２２の回路パターン形成面１２３に形
成された回路パターン１１６とを物理的かつ電気的に接
続することができる。
【００３６】回路パターン１１６をメッキ法にて形成す
ることで、回路パターンを導電性ペーストの印刷にて形
成することで生じる、導電性ペーストのにじみ等の問題
がなくなり、上記単層型電子部品実装済部品６００にお
ける回路パターン１１６の微細化が可能となる。よっ
て、半導体素子１１４のバンプ１１３のピッチが小さい
場合、上記バンプ１１３のピッチに合わせて回路パター
ン１１６を形成することができ、上記単層型電子部品実
装済部品６００は、第１実施形態における単層型電子部
品実装済部品２００，２０１，２０２では困難だった、
狭ピッチ化の進む半導体素子１１４の実装を可能とする
ことができる。
ることで、回路パターンを導電性ペーストの印刷にて形
成することで生じる、導電性ペーストのにじみ等の問題
がなくなり、上記単層型電子部品実装済部品６００にお
ける回路パターン１１６の微細化が可能となる。よっ
て、半導体素子１１４のバンプ１１３のピッチが小さい
場合、上記バンプ１１３のピッチに合わせて回路パター
ン１１６を形成することができ、上記単層型電子部品実
装済部品６００は、第１実施形態における単層型電子部
品実装済部品２００，２０１，２０２では困難だった、
狭ピッチ化の進む半導体素子１１４の実装を可能とする
ことができる。
【００３７】次に、上記電子部品実装済部品６００を用
いて図１１に示す非接触ＩＣカード５００を以下のよう
にして作製する。図１２におけるステップ１５におい
て、第１実施形態の場合と同様に図１８に示すように上
記単層型電子部品実装済部品６００をその厚さ方向から
電気的絶縁性を有する熱可塑性樹脂シート１２４，１２
５にて挟み込み、ラミネート処理にて上記単層型電子部
品実装済部品６００の封止を行う。該ラミネート処理
は、制御装置４０７にて制御される加熱装置４０５，４
０６にて加熱された平面プレス板４０１，４０２で、上
記熱可塑性樹脂シート１２４，１２５にて挟み込まれた
単層型電子部品実装済部品６００を挟み込み、平面プレ
ス板移動装置４０３，４０４にて該平面プレス板４０
１，４０２を相対的に移動させて、上記熱可塑性樹脂シ
ート１２４，１２５にて挟み込まれた単層型電子部品実
装済部品６００を加熱加圧することで実施する。熱可塑
性樹脂シート１２４，１２５に一例としてポリエチレン
テレフタレート製の熱可塑性樹脂のシートを用いた場
合、該ラミネート処理の作業条件は、圧力を２．９４Ｍ
Ｐａ、加熱温度を１６０℃、昇圧時間を１分、圧力保持
時間を１分とする。図１２に示す工程が全て完了するこ
とで、図１１に示すような非接触ＩＣカード５００が完
成する。
いて図１１に示す非接触ＩＣカード５００を以下のよう
にして作製する。図１２におけるステップ１５におい
て、第１実施形態の場合と同様に図１８に示すように上
記単層型電子部品実装済部品６００をその厚さ方向から
電気的絶縁性を有する熱可塑性樹脂シート１２４，１２
５にて挟み込み、ラミネート処理にて上記単層型電子部
品実装済部品６００の封止を行う。該ラミネート処理
は、制御装置４０７にて制御される加熱装置４０５，４
０６にて加熱された平面プレス板４０１，４０２で、上
記熱可塑性樹脂シート１２４，１２５にて挟み込まれた
単層型電子部品実装済部品６００を挟み込み、平面プレ
ス板移動装置４０３，４０４にて該平面プレス板４０
１，４０２を相対的に移動させて、上記熱可塑性樹脂シ
ート１２４，１２５にて挟み込まれた単層型電子部品実
装済部品６００を加熱加圧することで実施する。熱可塑
性樹脂シート１２４，１２５に一例としてポリエチレン
テレフタレート製の熱可塑性樹脂のシートを用いた場
合、該ラミネート処理の作業条件は、圧力を２．９４Ｍ
Ｐａ、加熱温度を１６０℃、昇圧時間を１分、圧力保持
時間を１分とする。図１２に示す工程が全て完了するこ
とで、図１１に示すような非接触ＩＣカード５００が完
成する。
【００３８】このように第２実施形態によれば、回路パ
ターン１１６をメッキ法により金属膜として形成する
為、導電性ペーストにて回路パターンを形成する場合に
比べ、当該回路パターン１１６の狭ピッチ化が可能とな
る。よって、上記回路パターン１１６にて、ライン幅の
狭いアンテナコイル７５１を形成することができる。更
に、導電性ペーストのように導電性粒子が樹脂ペースト
に混在する形態に比べ、該回路パターン１１６は、金属
膜の形態を取ることから全て導体となる為、第１実施形
態のように導電性ペーストにて形成された回路パターン
１０４よりも総抵抗値を低く抑えることができる。従っ
て、第２実施形態にかかる電子部品実装済完成品が非接
触ＩＣカード５００の場合、ファインパターン化を図り
つつ、アンテナコイル７５１における抵抗による発熱に
てエネルギーロスが生じることを抑えることができる。
その結果、該非接触ＩＣカード５００では、外部との安
定した通信が可能となる。以上のことから、図１に示す
第１実施形態のように半導体素子１１４や電子部品１０
５を熱可塑性樹脂基材１２２に埋設してから導電性ペー
ストにて回路パターン１０４を形成するよりも、図１１
に示す第２実施形態のようにメッキにて回路パターン１
１６を形成してから半導体素子１１４を熱可塑性樹脂１
２２に埋設するのが望ましい。
ターン１１６をメッキ法により金属膜として形成する
為、導電性ペーストにて回路パターンを形成する場合に
比べ、当該回路パターン１１６の狭ピッチ化が可能とな
る。よって、上記回路パターン１１６にて、ライン幅の
狭いアンテナコイル７５１を形成することができる。更
に、導電性ペーストのように導電性粒子が樹脂ペースト
に混在する形態に比べ、該回路パターン１１６は、金属
膜の形態を取ることから全て導体となる為、第１実施形
態のように導電性ペーストにて形成された回路パターン
１０４よりも総抵抗値を低く抑えることができる。従っ
て、第２実施形態にかかる電子部品実装済完成品が非接
触ＩＣカード５００の場合、ファインパターン化を図り
つつ、アンテナコイル７５１における抵抗による発熱に
てエネルギーロスが生じることを抑えることができる。
その結果、該非接触ＩＣカード５００では、外部との安
定した通信が可能となる。以上のことから、図１に示す
第１実施形態のように半導体素子１１４や電子部品１０
５を熱可塑性樹脂基材１２２に埋設してから導電性ペー
ストにて回路パターン１０４を形成するよりも、図１１
に示す第２実施形態のようにメッキにて回路パターン１
１６を形成してから半導体素子１１４を熱可塑性樹脂１
２２に埋設するのが望ましい。
【００３９】（第３実施形態）図１９は、第３実施形態
にかかる電子部品実装済部品の製造方法、及び電子部品
実装済完成品の製造方法を用いて作製される電子部品実
装済完成品の一例であるＭＣＭに含まれる積層型電子部
品実装済部品５５０を示す断面図である。又、図２０
は、該積層型電子部品実装済部品５５０を有するＭＣＭ
５５１を示す断面図である。該ＭＣＭ５５１における積
層型電子部品実装済部品５５０は、図１９に示すように
単層型電子部品実装済部品６０１，６０２，６０３が３
層積み重なることで形成されている。ここで、図１９に
示す各単層型電子部品実装済部品６０１，６０２，６０
３は、図１６に示される第２実施形態の単層型電子部品
実装済部品６００と同様に半導体素子１１４及びその他
の電子部品１０５を夫々熱可塑性樹脂基材１２２に埋設
する形で作製されている。そして、上記半導体素子１１
４のバンプ１１３及び上記電子部品１０５の電極１０６
と、回路パターン形成面１２３上にメッキにて形成され
た回路パターン１１６とが接触することで、上記半導体
素子１１４及び上記電子部品１０５は、上記回路パター
ン１１６との電気的導通が図られている。又、各単層型
電子部品実装済部品６０１，６０２，６０３間での電気
的導通は、回路パターン連絡用スルーホール１４０の内
壁面に形成された回路パターン間接続用メッキ層７００
と、互いに重なり合う単層型電子部品実装済部品６０
１，６０２，６０３の回路パターン形成面１２３上の回
路パターン１１６とが接触することにより図られてい
る。
にかかる電子部品実装済部品の製造方法、及び電子部品
実装済完成品の製造方法を用いて作製される電子部品実
装済完成品の一例であるＭＣＭに含まれる積層型電子部
品実装済部品５５０を示す断面図である。又、図２０
は、該積層型電子部品実装済部品５５０を有するＭＣＭ
５５１を示す断面図である。該ＭＣＭ５５１における積
層型電子部品実装済部品５５０は、図１９に示すように
単層型電子部品実装済部品６０１，６０２，６０３が３
層積み重なることで形成されている。ここで、図１９に
示す各単層型電子部品実装済部品６０１，６０２，６０
３は、図１６に示される第２実施形態の単層型電子部品
実装済部品６００と同様に半導体素子１１４及びその他
の電子部品１０５を夫々熱可塑性樹脂基材１２２に埋設
する形で作製されている。そして、上記半導体素子１１
４のバンプ１１３及び上記電子部品１０５の電極１０６
と、回路パターン形成面１２３上にメッキにて形成され
た回路パターン１１６とが接触することで、上記半導体
素子１１４及び上記電子部品１０５は、上記回路パター
ン１１６との電気的導通が図られている。又、各単層型
電子部品実装済部品６０１，６０２，６０３間での電気
的導通は、回路パターン連絡用スルーホール１４０の内
壁面に形成された回路パターン間接続用メッキ層７００
と、互いに重なり合う単層型電子部品実装済部品６０
１，６０２，６０３の回路パターン形成面１２３上の回
路パターン１１６とが接触することにより図られてい
る。
【００４０】以下、ＭＣＭ５５１の製造方法について説
明する。まず、メッキ法による回路パターン１１６及び
回路パターン連絡用メッキ層７００の形成作業と、熱可
塑性樹脂基材１２２への半導体素子１１４及び電子部品
１０５の埋設動作とを第２実施形態の場合と同様の方法
で行い、単層型電子部品６０１，６０２，６０３を作製
する。即ち、電子部品１０５の熱可塑性樹脂基材１２２
への埋設動作は、第２実施形態における半導体素子１１
４の埋設動作と同様に、電子部品１０５と熱可塑性樹脂
基材１２２とを加熱しながら相対的に押圧して行う。
又、本実施形態における半導体素子１１４の埋設動作
も、第２実施形態における半導体素子１１４の場合と同
様である。次に、積層型電子部品実装済部品５５０を作
製する。積層型電子部品実装済部品５５０は、前記構成
の単層型電子部品実装済部品６０１，６０２，６０３を
図８に示す第１実施形態にかかる積層型電子部品実装済
部品３００の製造方法の場合と同様に、上記回路パター
ン間接続用メッキ層７００にて各単層型電子部品実装済
部品６０１，６０２，６０３の回路パターン１１６が電
気的に接続される位置に重ね合わせ、ラミネート処理に
て互いに密着させることで作製される。
明する。まず、メッキ法による回路パターン１１６及び
回路パターン連絡用メッキ層７００の形成作業と、熱可
塑性樹脂基材１２２への半導体素子１１４及び電子部品
１０５の埋設動作とを第２実施形態の場合と同様の方法
で行い、単層型電子部品６０１，６０２，６０３を作製
する。即ち、電子部品１０５の熱可塑性樹脂基材１２２
への埋設動作は、第２実施形態における半導体素子１１
４の埋設動作と同様に、電子部品１０５と熱可塑性樹脂
基材１２２とを加熱しながら相対的に押圧して行う。
又、本実施形態における半導体素子１１４の埋設動作
も、第２実施形態における半導体素子１１４の場合と同
様である。次に、積層型電子部品実装済部品５５０を作
製する。積層型電子部品実装済部品５５０は、前記構成
の単層型電子部品実装済部品６０１，６０２，６０３を
図８に示す第１実施形態にかかる積層型電子部品実装済
部品３００の製造方法の場合と同様に、上記回路パター
ン間接続用メッキ層７００にて各単層型電子部品実装済
部品６０１，６０２，６０３の回路パターン１１６が電
気的に接続される位置に重ね合わせ、ラミネート処理に
て互いに密着させることで作製される。
【００４１】次に、図２０に示すように、上記積層型電
子部品実装済部品５５０をその厚さ方向から第１〜２実
施形態の場合と同様に電気的絶縁性を有する熱可塑性樹
脂シート１２４，１２５にて挟み込み、ラミネート処理
にて上記積層型電子部品実装済部品５５０の封止を行う
ことでＭＣＭ５５１を作製する。尚、該ラミネート処理
方法は、第１〜２実施形態の場合と同様である。以上の
工程を経て、図１９に示すような積層型電子部品実装済
部品５５０や図２０に示すようなＭＣＭ５５１を作製す
ることができる。
子部品実装済部品５５０をその厚さ方向から第１〜２実
施形態の場合と同様に電気的絶縁性を有する熱可塑性樹
脂シート１２４，１２５にて挟み込み、ラミネート処理
にて上記積層型電子部品実装済部品５５０の封止を行う
ことでＭＣＭ５５１を作製する。尚、該ラミネート処理
方法は、第１〜２実施形態の場合と同様である。以上の
工程を経て、図１９に示すような積層型電子部品実装済
部品５５０や図２０に示すようなＭＣＭ５５１を作製す
ることができる。
【００４２】このように本実施形態によれば、回路パタ
ーン１１６をメッキ法により金属膜として形成する為、
第２実施形態の場合と同様に、回路パターン１１６にお
ける総抵抗値を低く形成できる。その結果、配線間にお
けるエネルギーロスを少なくすることができる。更に、
回路パターン１１６をメッキ法にて形成する為、該回路
パターン１１６を微細に形成することができる。よっ
て、半導体素子１１４の電極１１７ピッチが例えば導電
性ペーストでは形成不可能な１００μｍ以下となる場合
でも回路パターン形成が可能な為、第１実施形態の場合
よりも高性能で多様なＭＣＭが作製できる。また、本実
施形態によれば、図２０に示すＭＣＭ５５１は、図９に
示す第１実施形態にかかるＭＣＭ３０１の場合と同様に
単層型電子部品実装済部品６０１，６０２，６０３の積
み重ねにて構成される為、図２３に示す従来のＭＣＭ１
０のようにキャリア基板３上に半導体素子１を積み上げ
ていく構成と異なり、上記キャリア基板３の厚さ分モジ
ュール全体の厚さを薄くすることができる。従って、薄
型化が要求される最近の製品ニーズを満足することが可
能となる。
ーン１１６をメッキ法により金属膜として形成する為、
第２実施形態の場合と同様に、回路パターン１１６にお
ける総抵抗値を低く形成できる。その結果、配線間にお
けるエネルギーロスを少なくすることができる。更に、
回路パターン１１６をメッキ法にて形成する為、該回路
パターン１１６を微細に形成することができる。よっ
て、半導体素子１１４の電極１１７ピッチが例えば導電
性ペーストでは形成不可能な１００μｍ以下となる場合
でも回路パターン形成が可能な為、第１実施形態の場合
よりも高性能で多様なＭＣＭが作製できる。また、本実
施形態によれば、図２０に示すＭＣＭ５５１は、図９に
示す第１実施形態にかかるＭＣＭ３０１の場合と同様に
単層型電子部品実装済部品６０１，６０２，６０３の積
み重ねにて構成される為、図２３に示す従来のＭＣＭ１
０のようにキャリア基板３上に半導体素子１を積み上げ
ていく構成と異なり、上記キャリア基板３の厚さ分モジ
ュール全体の厚さを薄くすることができる。従って、薄
型化が要求される最近の製品ニーズを満足することが可
能となる。
【００４３】上述したように、本実施形態では、上記積
層型電子部品実装済部品５５０を含む積層構造の電子部
品実装済完成品としてＭＣＭ５５１を例に挙げたが、積
層構造の電子部品実装済完成品は、上記ＭＣＭ５５１に
限定されない。例えば、上記積層型電子部品５５０を構
成し、かつ、半導体素子１１４が埋設された単層型電子
部品実装済部品６０１，６０２，６０３の内、少なくと
も１つの単層型電子部品実装済部品の回路パターン１１
６の一部を図１７に示す単層型電子部品実装済部品６０
０の回路パターン１１６の一部と同様に、アンテナコイ
ルとしてもよい。従って、このように構成した上記積層
型電子部品実装済部品５５０を有する電子部品実装済完
成品は、積層型の非接触ＩＣカードとして形成される。
層型電子部品実装済部品５５０を含む積層構造の電子部
品実装済完成品としてＭＣＭ５５１を例に挙げたが、積
層構造の電子部品実装済完成品は、上記ＭＣＭ５５１に
限定されない。例えば、上記積層型電子部品５５０を構
成し、かつ、半導体素子１１４が埋設された単層型電子
部品実装済部品６０１，６０２，６０３の内、少なくと
も１つの単層型電子部品実装済部品の回路パターン１１
６の一部を図１７に示す単層型電子部品実装済部品６０
０の回路パターン１１６の一部と同様に、アンテナコイ
ルとしてもよい。従って、このように構成した上記積層
型電子部品実装済部品５５０を有する電子部品実装済完
成品は、積層型の非接触ＩＣカードとして形成される。
【００４４】（第４実施形態）図２１は、本発明の第４
実施形態にかかる電子部品実装済部品の製造方法にて作
製される単層型電子部品実装済部品４００の断面図であ
る。図２１に示すように上記単層型電子部品実装済部品
４００は、メッキ層８００が半導体素子１１４のバンプ
１１３を覆うように接触しており、該メッキ層８００と
回路パターン１１６とが接続することで、上記半導体素
子１１４と上記回路パターン１１６との電気的導通が図
られていることを特徴としている。以下、上記バンプ１
１３を覆うメッキ層８００を回路接続部被覆用メッキ層
とする。尚、上記単層型電子部品実装済部品４００にお
いて、上述した半導体素子１１４のバンプ１１３と回路
パターン１１６との接続部分以外の部分は、図１６に示
す第２実施形態にかかる単層型電子部品実装済部品６０
０と同様の構成を有する。
実施形態にかかる電子部品実装済部品の製造方法にて作
製される単層型電子部品実装済部品４００の断面図であ
る。図２１に示すように上記単層型電子部品実装済部品
４００は、メッキ層８００が半導体素子１１４のバンプ
１１３を覆うように接触しており、該メッキ層８００と
回路パターン１１６とが接続することで、上記半導体素
子１１４と上記回路パターン１１６との電気的導通が図
られていることを特徴としている。以下、上記バンプ１
１３を覆うメッキ層８００を回路接続部被覆用メッキ層
とする。尚、上記単層型電子部品実装済部品４００にお
いて、上述した半導体素子１１４のバンプ１１３と回路
パターン１１６との接続部分以外の部分は、図１６に示
す第２実施形態にかかる単層型電子部品実装済部品６０
０と同様の構成を有する。
【００４５】上記電子部品実装済部品４００の製造方法
について、図２２を参照しながら以下に説明する。ま
ず、熱可塑性樹脂基板１２２の電子部品挿入面１２６の
内、半導体素子１１４のバンプ１１３が設置される予定
の部分に、図２２に示すような熱可塑性樹脂基材１２２
を厚さ方向に貫通するスルーホール１５０を設けてお
く。該スルーホール１５０を以下、回路接続部配置用ス
ルーホールとする。尚、回路接続部配置用スルーホール
１５０は、バンプ１１３の径より５０μｍ〜５００μｍ
ほど大きく形成しておく必要がある。次に、電解メッキ
若しくは非電解メッキにて回路パターン１１６等を形成
する際、上記回路接続部配置用スルーホール１５０の内
壁面にも又、当該メッキにて回路接続部被覆用メッキ層
８００を形成する。そして、上記回路接続部配置用スル
ーホール１５０にバンプ１１３が嵌合するように半導体
素子１１４を電子部品挿入面１２６上に設置して第２実
施形態における半導体素子１１４の埋設動作と同様に熱
プレス板１７１，１７２間に挟み、上記半導体素子１１
４と上記熱可塑性樹脂基材１２２とを加熱しながら相対
的に押圧し、上記半導体素子１１４を上記熱可塑性樹脂
基材１２２内に埋設する。
について、図２２を参照しながら以下に説明する。ま
ず、熱可塑性樹脂基板１２２の電子部品挿入面１２６の
内、半導体素子１１４のバンプ１１３が設置される予定
の部分に、図２２に示すような熱可塑性樹脂基材１２２
を厚さ方向に貫通するスルーホール１５０を設けてお
く。該スルーホール１５０を以下、回路接続部配置用ス
ルーホールとする。尚、回路接続部配置用スルーホール
１５０は、バンプ１１３の径より５０μｍ〜５００μｍ
ほど大きく形成しておく必要がある。次に、電解メッキ
若しくは非電解メッキにて回路パターン１１６等を形成
する際、上記回路接続部配置用スルーホール１５０の内
壁面にも又、当該メッキにて回路接続部被覆用メッキ層
８００を形成する。そして、上記回路接続部配置用スル
ーホール１５０にバンプ１１３が嵌合するように半導体
素子１１４を電子部品挿入面１２６上に設置して第２実
施形態における半導体素子１１４の埋設動作と同様に熱
プレス板１７１，１７２間に挟み、上記半導体素子１１
４と上記熱可塑性樹脂基材１２２とを加熱しながら相対
的に押圧し、上記半導体素子１１４を上記熱可塑性樹脂
基材１２２内に埋設する。
【００４６】該埋設動作により、上記回路接続部配置用
スルーホール１５０は、該回路接続部配置用スルーホー
ル１５０と嵌合する上記バンプ１１３と、上記埋設動作
に伴う上記熱可塑性樹脂基材１１２の変形とで閉ざさ
れ、上記バンプ１１３は、上記回路接続部被覆用メッキ
層８００にて包み込まれる形となる。その結果、本実施
形態にかかる半導体素子１１４のバンプ１１３と回路接
続部被覆用メッキ層８００とでは、第２実施形態、若し
くは第３実施形態の場合のようにバンプ１１３と回路パ
ターン１１６とが当該バンプ１１３の端部１１５のみで
接触している場合に比べて接触面積が増加し、接合の信
頼性を増すことができる。
スルーホール１５０は、該回路接続部配置用スルーホー
ル１５０と嵌合する上記バンプ１１３と、上記埋設動作
に伴う上記熱可塑性樹脂基材１１２の変形とで閉ざさ
れ、上記バンプ１１３は、上記回路接続部被覆用メッキ
層８００にて包み込まれる形となる。その結果、本実施
形態にかかる半導体素子１１４のバンプ１１３と回路接
続部被覆用メッキ層８００とでは、第２実施形態、若し
くは第３実施形態の場合のようにバンプ１１３と回路パ
ターン１１６とが当該バンプ１１３の端部１１５のみで
接触している場合に比べて接触面積が増加し、接合の信
頼性を増すことができる。
【００４７】
【発明の効果】本発明の第１態様である電子部品実装済
部品の製造方法、及び本発明の第２態様である電子部品
実装済部品では、回路パターンをメッキ法にてシート状
の熱可塑性樹脂基板の回路パターン形成面上に金属膜と
して形成することで、回路パターンを導電性ペーストの
印刷にて形成する場合に生じる、導電性ペーストのにじ
み等の問題が発生しなくなる為、回路パターンの狭ピッ
チ化が可能となる。更に、メッキ法にて上記回路パター
ンを金属膜として形成したことにより、金属膜として形
成された上記回路パターンは、全てが導体となる。よっ
て、樹脂ペースト内に導電性粒子が混在する導電性ペー
ストにて形成された回路パターンと比較した場合、上記
回路パターンにおける総抵抗値を低く抑えることができ
る。その結果、配線間におけるエネルギーロスを少なく
することができ、高性能で多様な電子部品実装済部品を
作製することができる。又、上記電子部品を上記熱可塑
性樹脂基材に埋設したことにより、キャリア基板上に電
子部品を積み上げていく構造と異なり、キャリア基板の
厚さ分モジュール全体の厚さを薄くすることができる。
その結果、本発明の第３態様である電子部品実装済完成
品の製造方法を用いて作製される、本発明の第４態様で
ある電子部品実装済完成品は、薄型化が要求される最近
の製品ニーズを満足することが可能となる。
部品の製造方法、及び本発明の第２態様である電子部品
実装済部品では、回路パターンをメッキ法にてシート状
の熱可塑性樹脂基板の回路パターン形成面上に金属膜と
して形成することで、回路パターンを導電性ペーストの
印刷にて形成する場合に生じる、導電性ペーストのにじ
み等の問題が発生しなくなる為、回路パターンの狭ピッ
チ化が可能となる。更に、メッキ法にて上記回路パター
ンを金属膜として形成したことにより、金属膜として形
成された上記回路パターンは、全てが導体となる。よっ
て、樹脂ペースト内に導電性粒子が混在する導電性ペー
ストにて形成された回路パターンと比較した場合、上記
回路パターンにおける総抵抗値を低く抑えることができ
る。その結果、配線間におけるエネルギーロスを少なく
することができ、高性能で多様な電子部品実装済部品を
作製することができる。又、上記電子部品を上記熱可塑
性樹脂基材に埋設したことにより、キャリア基板上に電
子部品を積み上げていく構造と異なり、キャリア基板の
厚さ分モジュール全体の厚さを薄くすることができる。
その結果、本発明の第３態様である電子部品実装済完成
品の製造方法を用いて作製される、本発明の第４態様で
ある電子部品実装済完成品は、薄型化が要求される最近
の製品ニーズを満足することが可能となる。
【００４８】又、上述したように上記回路パターンの狭
ピッチ化が可能となる為、上記電子部品を半導体素子と
するとき、上記回路パターンに対応する該半導体素子の
回路接続部の狭ピッチ化を図ることができる。
ピッチ化が可能となる為、上記電子部品を半導体素子と
するとき、上記回路パターンに対応する該半導体素子の
回路接続部の狭ピッチ化を図ることができる。
【００４９】又、上記電子部品が埋設される前に、上記
熱可塑性樹脂基材における上記電子部品の上記回路接続
部が配置される位置に予め該熱可塑性樹脂基材の厚さ方
向に貫通する回路接続部配置用スルーホールを形成し、
上記回路パターンを形成するときに、該回路接続部配置
用スルーホールの内壁面に上記回路パターンと電気的に
接続する回路接続部被覆用メッキ層を形成する方法をと
るように構成することもできる。該方法によれば、上記
電子部品を上記熱可塑性樹脂基材に埋設し、上記電子部
品と上記回路パターンとの電気的導通を図るとき、上記
回路接続部被覆用メッキ層にて上記回路接続部を覆うこ
とができる。その結果、上記回路パターンとの電気的導
通を図る為の上記回路接続部の接触面積を増加させるこ
とができ、接合の信頼性を増すことができる。
熱可塑性樹脂基材における上記電子部品の上記回路接続
部が配置される位置に予め該熱可塑性樹脂基材の厚さ方
向に貫通する回路接続部配置用スルーホールを形成し、
上記回路パターンを形成するときに、該回路接続部配置
用スルーホールの内壁面に上記回路パターンと電気的に
接続する回路接続部被覆用メッキ層を形成する方法をと
るように構成することもできる。該方法によれば、上記
電子部品を上記熱可塑性樹脂基材に埋設し、上記電子部
品と上記回路パターンとの電気的導通を図るとき、上記
回路接続部被覆用メッキ層にて上記回路接続部を覆うこ
とができる。その結果、上記回路パターンとの電気的導
通を図る為の上記回路接続部の接触面積を増加させるこ
とができ、接合の信頼性を増すことができる。
【００５０】又、上記熱可塑性樹脂基材に上記電子部品
を埋設した後、上記電子部品が埋設された熱可塑性樹脂
基材を厚さ方向に複数個重ね合わせ、互いに重なり合う
当該熱可塑性樹脂基材を相対的に加熱加圧して密着させ
て積層構造の電子部品実装済部品を形成し、回路パター
ン間接続用メッキ層を介して互いに重なり合う上記熱可
塑性樹脂基材の回路パターン間の電気的導通を図るよう
構成することもできる。該構成によれば、従来のように
ワイヤボンディングを用いて電子部品をキャリア基板上
に順次積み重ねていく場合に生じる、上記電子部品の厚
さ以外のサイズの制限を無くすことができる。更に、該
構成によれば、電子部品が半導体素子の場合における電
極の配置位置の制限も無くすことができる。
を埋設した後、上記電子部品が埋設された熱可塑性樹脂
基材を厚さ方向に複数個重ね合わせ、互いに重なり合う
当該熱可塑性樹脂基材を相対的に加熱加圧して密着させ
て積層構造の電子部品実装済部品を形成し、回路パター
ン間接続用メッキ層を介して互いに重なり合う上記熱可
塑性樹脂基材の回路パターン間の電気的導通を図るよう
構成することもできる。該構成によれば、従来のように
ワイヤボンディングを用いて電子部品をキャリア基板上
に順次積み重ねていく場合に生じる、上記電子部品の厚
さ以外のサイズの制限を無くすことができる。更に、該
構成によれば、電子部品が半導体素子の場合における電
極の配置位置の制限も無くすことができる。
【００５１】又、上述したように上記回路パターンにお
ける総抵抗値を低く抑えることができるため、上記電子
部品を半導体素子とし、該半導体素子と接続する上記回
路パターンの一部を無線にて外部との情報の送受信を行
う為のアンテナコイルとするとき、上記アンテナコイル
におけるエネルギーロスを少なくすることができる。よ
って、上述した構成を有する上記電子部品実装済部品を
備える、電子部品実装済完成品の一例である非接触ＩＣ
カードは、安定した通信を行うことができる。
ける総抵抗値を低く抑えることができるため、上記電子
部品を半導体素子とし、該半導体素子と接続する上記回
路パターンの一部を無線にて外部との情報の送受信を行
う為のアンテナコイルとするとき、上記アンテナコイル
におけるエネルギーロスを少なくすることができる。よ
って、上述した構成を有する上記電子部品実装済部品を
備える、電子部品実装済完成品の一例である非接触ＩＣ
カードは、安定した通信を行うことができる。
【図１】 本発明の第１実施形態にかかる積層型電子部
品実装済部品を示す断面図である。
品実装済部品を示す断面図である。
【図２】 図１に示す積層型電子部品実装済部品を構成
する単層型電子部品実装済部品を示す断面図である。
する単層型電子部品実装済部品を示す断面図である。
【図３】 半導体素子を示す側面図である。
【図４】 電子部品を示す側面図である。
【図５】 図２に示す単層型電子部品実装済部品の製造
方法において、半導体素子及び電子部品を埋設する前の
熱可塑性樹脂基材の状態を示す断面図である。
方法において、半導体素子及び電子部品を埋設する前の
熱可塑性樹脂基材の状態を示す断面図である。
【図６】 図２に示す単層型電子部品実装済部品の製造
方法における埋設動作を示す断面図である。
方法における埋設動作を示す断面図である。
【図７】 図６に示す埋設動作にて熱可塑性樹脂基材に
埋設された半導体素子及び電子部品を示す断面図であ
る。
埋設された半導体素子及び電子部品を示す断面図であ
る。
【図８】 図１に示す積層型電子部品実装済部品の製造
方法におけるラミネート処理を示す断面図である。
方法におけるラミネート処理を示す断面図である。
【図９】 図１に示す積層型電子部品実装済部品を有す
るマルチチップモジュールを示す断面図である。
るマルチチップモジュールを示す断面図である。
【図１０】 図１に示す積層型電子部品実装済部品の封
止動作を示す断面図である。
止動作を示す断面図である。
【図１１】 本発明の第２実施形態にかかる非接触ＩＣ
カードを示す断面図である。
カードを示す断面図である。
【図１２】 図１１に示す非接触ＩＣカードの製造方法
を示すフローチャートである。
を示すフローチャートである。
【図１３】 図１１に示す非接触ＩＣカードを構成する
単層型電子部品実装済部品を構成する熱可塑性樹脂基材
を示す断面図である。
単層型電子部品実装済部品を構成する熱可塑性樹脂基材
を示す断面図である。
【図１４】 メッキ処理を施した図１２に示す熱可塑性
樹脂基材を示す断面図である。
樹脂基材を示す断面図である。
【図１５】 図１１に示す非接触ＩＣカードを構成する
単層型電子部品実装済部品の製造方法における半導体素
子を埋設する前の熱可塑性樹脂基材の状態を示す断面図
である。
単層型電子部品実装済部品の製造方法における半導体素
子を埋設する前の熱可塑性樹脂基材の状態を示す断面図
である。
【図１６】 図１１に示す非接触ＩＣカードを構成する
単層型電子部品実装済部品の製造方法における埋設動作
を示す断面図である。
単層型電子部品実装済部品の製造方法における埋設動作
を示す断面図である。
【図１７】 図１１に示す非接触ＩＣカードを構成する
単層型電子部品実装済部品を示す断面図である。
単層型電子部品実装済部品を示す断面図である。
【図１８】 図１７に示す単層型電子部品実装済部品の
封止動作を示す断面図である。
封止動作を示す断面図である。
【図１９】 本発明の第３実施形態にかかるマルチチッ
プモジュールに備えられる積層型電子部品実装済部品を
示す断面図である。
プモジュールに備えられる積層型電子部品実装済部品を
示す断面図である。
【図２０】 本発明の第３実施形態にかかり、かつ、図
１９に示す積層型電子部品実装済部品を有するマルチチ
ップモジュールを示す断面図である。
１９に示す積層型電子部品実装済部品を有するマルチチ
ップモジュールを示す断面図である。
【図２１】 本発明の第４実施形態にかかる単層型電子
部品実装済部品を示す断面図である。
部品実装済部品を示す断面図である。
【図２２】 図２１に示す単層型電子部品実装済部品の
製造方法における、半導体素子及び電子部品を埋設する
前の熱可塑性樹脂基材の状態を示す断面図である。
製造方法における、半導体素子及び電子部品を埋設する
前の熱可塑性樹脂基材の状態を示す断面図である。
【図２３】 従来の積層構造のマルチチップモジュール
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図２４】 図２３に示すマルチチップモジュールの製
造方法を示すフローチャートである。
造方法を示すフローチャートである。
１０５，１１４…電子部品、１０６，１１３…回路接続
部、１１６…回路パターン、１２２…熱可塑性樹脂基
材、１２３…回路パターン形成面、１２４，１２５…熱
可塑性樹脂シート、１２６…電子部品挿入面、１４０…
回路パターン連絡用スルーホール、１５０…回路接続部
配置用スルーホール、４００，５５０，６００…電子部
品実装済部品、７００…回路パターン間接続用メッキ
層、７５０…挿入面側回路パターン、８００…回路接続
部被覆用メッキ層。
部、１１６…回路パターン、１２２…熱可塑性樹脂基
材、１２３…回路パターン形成面、１２４，１２５…熱
可塑性樹脂シート、１２６…電子部品挿入面、１４０…
回路パターン連絡用スルーホール、１５０…回路接続部
配置用スルーホール、４００，５５０，６００…電子部
品実装済部品、７００…回路パターン間接続用メッキ
層、７５０…挿入面側回路パターン、８００…回路接続
部被覆用メッキ層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｋ 3/46 Ｈ０１Ｌ 23/12 Ｆ Ｂ Ｆターム(参考） 5E317 AA24 BB01 BB11 CC31 CD32 CD34 GG14 5E319 AA01 AA09 AA10 AB05 AC02 CC12 GG01 5E336 AA08 AA16 BB03 BB16 BC26 BC34 CC32 CC42 CC55 EE15 GG14 5E346 AA02 AA11 AA12 AA15 AA43 AA60 BB01 BB20 CC02 CC08 CC31 DD22 EE02 FF04 FF45 GG17 GG28 GG40 HH24 HH31
Claims (10)
- 【請求項１】 電気的絶縁性を有するシート状の熱可塑
性樹脂基材（１２２）の表面である回路パターン形成面
（１２３）上に電解メッキ若しくは無電解メッキにて回
路パターン（１１６）を形成し、 上記熱可塑性樹脂基材を挟んで上記回路パターンと対向
する上記熱可塑性樹脂基材の裏面である電子部品挿入面
（１２６）から電子部品（１０５，１１４）を挿入して
上記熱可塑性樹脂基材に埋設するとともに、上記回路パ
ターンと上記電子部品の回路接続部（１０６，１１３）
とを接触させ、上記回路パターンと上記電子部品との電
気的導通を図ることを特徴とする電子部品実装済部品の
製造方法。 - 【請求項２】 上記回路パターン形成面上に上記回路パ
ターンを形成する前に、上記熱可塑性樹脂基材における
上記電子部品の上記回路接続部が配置される位置に予め
該熱可塑性樹脂基材の厚さ方向に該熱可塑性樹脂基材を
貫通する回路接続部配置用スルーホール（１５０）を形
成し、 上記回路パターン形成面上に上記回路パターンを形成す
るとき、前記回路接続部配置用スルーホールの内壁面に
電解メッキ若しくは無電解メッキにて回路接続部被覆用
メッキ層（８００）を形成し、 上記熱可塑性樹脂基材に上記電子部品を埋設するとき、
当該回路接続部被覆用メッキ層にて上記電子部品と上記
回路パターンとの電気的導通を図る、請求項１記載の電
子部品実装済部品の製造方法。 - 【請求項３】 上記熱可塑性樹脂基材は、上記回路パタ
ーン形成面における上記回路パターンの形成が予定され
る位置から当該熱可塑性樹脂基材の上記厚さ方向に貫通
する回路パターン連絡用スルーホール（１４０）を有
し、上記回路パターン形成面上に上記回路パターンを形
成するとき、上記回路パターン連絡用スルーホールの上
記電子部品挿入面における端部に電気的に接続する挿入
面側回路パターン（７５０）を電解メッキ若しくは無電
解メッキにて上記電子部品挿入面上に形成し、 更に、上記回路パターン形成面上に上記回路パターンを
形成するとき、上記回路パターン連絡用スルーホールの
内壁面に電解メッキ若しくは無電解メッキにて回路パタ
ーン間接続用メッキ層（７００）を形成し、当該回路パ
ターン間接続用メッキ層にて上記回路パターンと上記挿
入面側回路パターンとの間の電気的導通を図る、請求項
１又は２記載の電子部品実装済部品の製造方法。 - 【請求項４】 上記熱可塑性樹脂基材に上記電子部品を
埋設した後、上記電子部品を埋設することで上記回路パ
ターンと上記電子部品の上記回路接続部との接触による
上記回路パターンと上記電子部品との電気的導通が図ら
れた上記熱可塑性樹脂基材を上記厚さ方向に複数個重ね
合わせ、該重ね合わせにて上記回路パターン間接続用メ
ッキ層を介して互いに重なり合う上記熱可塑性樹脂基材
の各々の上記回路パターン間の電気的導通を図り、 互いに重なり合う当該熱可塑性樹脂基材同士を相対的に
加熱加圧して密着させることにより積層構造とする、請
求項３記載の電子部品実装済部品の製造方法。 - 【請求項５】 上記電子部品は半導体素子であり、上記
回路パターンの一部は、上記半導体素子に接続されるこ
とで、無線にて情報の送受信を行うアンテナコイル（７
５１）である、請求項１から４のいずれかに記載の電子
部品実装済部品の製造方法。 - 【請求項６】 上記電子部品は複数存在し、該電子部品
の一部若しくは全てが半導体素子である、請求項１から
５のいずれかに記載の電子部品実装済部品の製造方法。 - 【請求項７】 請求項１から６のいずれかに記載の電子
部品実装済部品の製造方法にて製造されたことを特徴と
する電子部品実装済部品。 - 【請求項８】 請求項７記載の電子部品実装済部品（４
００，５５０，６００）を電気的絶縁性を有する熱可塑
性樹脂シート（１２４，１２５）にて上記厚さ方向両面
から挟み込み、 該熱可塑性樹脂シートを上記電子部品実装済部品へ加熱
加圧して密着させ、上記電子部品実装済部品の封止を行
うことを特徴とする電子部品実装済完成品の製造方法。 - 【請求項９】 請求項８記載の電子部品実装済完成品の
製造方法にて製造されたことを特徴とする電子部品実装
済完成品。 - 【請求項１０】 上記電子部品実装済部品の有する上記
電子部品は半導体素子（１１４）であり、 上記電子部品実装済部品の有する上記回路パターンの一
部が、上記半導体素子と接続することで無線にて情報の
送受信を行うアンテナコイル（７５１）である上記電子
部品実装済完成品は、非接触ＩＣカードである、請求項
９記載の電子部品実装済完成品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001178522A JP3881193B2 (ja) | 2001-06-13 | 2001-06-13 | 電子部品実装済部品の製造方法、電子部品実装済部品、電子部品実装済完成品の製造方法及び電子部品実装済完成品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001178522A JP3881193B2 (ja) | 2001-06-13 | 2001-06-13 | 電子部品実装済部品の製造方法、電子部品実装済部品、電子部品実装済完成品の製造方法及び電子部品実装済完成品 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002374052A true JP2002374052A (ja) | 2002-12-26 |
| JP2002374052A5 JP2002374052A5 (ja) | 2005-05-12 |
| JP3881193B2 JP3881193B2 (ja) | 2007-02-14 |
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001178522A Expired - Fee Related JP3881193B2 (ja) | 2001-06-13 | 2001-06-13 | 電子部品実装済部品の製造方法、電子部品実装済部品、電子部品実装済完成品の製造方法及び電子部品実装済完成品 |
Country Status (1)
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|---|---|
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Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004247706A (ja) * | 2003-01-23 | 2004-09-02 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 電子部品実装構造及びその製造方法 |
| WO2004091266A1 (ja) * | 2003-04-02 | 2004-10-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 回路基板およびその製造方法 |
| JP2007243378A (ja) * | 2006-03-07 | 2007-09-20 | Epson Toyocom Corp | 圧電振動子及びその製造方法 |
| JP2010016412A (ja) * | 2003-01-23 | 2010-01-21 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 電子部品実装構造の製造方法 |
| JP2011159799A (ja) * | 2010-02-01 | 2011-08-18 | Dainippon Printing Co Ltd | パッケージ化半導体装置、パッケージ化半導体装置の製造方法 |
| JP2011222555A (ja) * | 2010-04-02 | 2011-11-04 | Denso Corp | 半導体チップ内蔵配線基板の製造方法 |
| JP2013065841A (ja) * | 2011-09-19 | 2013-04-11 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 印刷回路基板用積層板及び印刷回路基板の製造方法 |
-
2001
- 2001-06-13 JP JP2001178522A patent/JP3881193B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JP2004247706A (ja) * | 2003-01-23 | 2004-09-02 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 電子部品実装構造及びその製造方法 |
| JP2010016412A (ja) * | 2003-01-23 | 2010-01-21 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 電子部品実装構造の製造方法 |
| JP4489411B2 (ja) * | 2003-01-23 | 2010-06-23 | 新光電気工業株式会社 | 電子部品実装構造の製造方法 |
| WO2004091266A1 (ja) * | 2003-04-02 | 2004-10-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 回路基板およびその製造方法 |
| CN100379323C (zh) * | 2003-04-02 | 2008-04-02 | 松下电器产业株式会社 | 电路基板及其制造方法 |
| US7563650B2 (en) | 2003-04-02 | 2009-07-21 | Panasonic Corporation | Circuit board and the manufacturing method |
| JP2007243378A (ja) * | 2006-03-07 | 2007-09-20 | Epson Toyocom Corp | 圧電振動子及びその製造方法 |
| JP2011159799A (ja) * | 2010-02-01 | 2011-08-18 | Dainippon Printing Co Ltd | パッケージ化半導体装置、パッケージ化半導体装置の製造方法 |
| JP2011222555A (ja) * | 2010-04-02 | 2011-11-04 | Denso Corp | 半導体チップ内蔵配線基板の製造方法 |
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