JP2002372837A - 磁気ブラシ帯電装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】磁気ブラシ帯電装置において、被帯電体がアモ
ルファスシリコン系感光体の場合であっても、簡易な構
成で端部の磁性粒子の被帯電体への付着を長期にわたり
防止すること。 【解決手段】帯電剤担持体３３に帯電剤としての導電性
磁性粒子３４ａを磁界発生手段３２の磁力により磁気ブ
ラシ３４として担持させて被帯電体１に接触させ、電圧
を印加して被帯電体１の帯電を行なう磁気ブラシ帯電装
置３であって、帯電剤担持体３３の長手方向端部表面が
端部に向かって高抵抗化処理３６・３７・３８・３９・
３５され、その高抵抗化処理領域の内側端部が帯電保証
領域よりも外側であり、かつ磁界発生手段の長手方向の
磁力有効領域端部よりも内側であることを特徴とする磁
気ブラシ帯電装置。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、電子写真
装置等の画像形成装置において感光体等の被帯電体を帯
電処理（除電処理も含む）する帯電装置に関する。特
に、磁気ブラシ帯電装置（磁気ブラシ帯電器）に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】近年、被帯電体の帯電装置としては、低
オゾン、低電力等の利点を有することから接触帯電装
置、すなわち、被帯電体に対し電圧を印加した帯電部材
を当接させて被帯電体の帯電を行なう方式の装置が実用
化されてきている。

【０００３】このような接触帯電方式の帯電装置におい
て、被帯電体に接触させる帯電部材にはローラ型（帯電
ローラ）、ブレード型（帯電ブレード）など種々の形態
があり、また様々な改善提案がある。

【０００４】その中で、特開昭５９−１３３５６９号公
報等のように、磁性体（マグネット）と磁性粒子（或い
は粉体）からなる磁気ブラシ状の接触帯電部材を用いた
磁気ブラシ帯電方式が提案されており、接触帯電部材と
してローラ型、ブレード型などを用いた場合よりも、被
帯電体と帯電部材の接触性等の特性を向上させることが
可能である。

【０００５】図６は磁気ブラシ帯電装置の実施形態例の
模式図である。この磁気ブラシ帯電装置３はスリーブ回
転タイプの装置であり、芯金３１と、芯金３１まわりに
同心一体に設けた円筒状の多極磁性体（磁界発生手段）
としてのマグネット・ローラ３２と、このマグネット・
ローラ３２の外側に芯金３１を中心に回転自在に同心に
外嵌させて設けられた非磁性のスリーブ（帯電剤担持
体、帯電スリーブ）３３と、この帯電スリーブ３３の外
周面に帯電スリーブ内側のマグネット・ローラ３２の磁
力により磁性粒子（帯電剤）を吸着保持させて形成され
る磁気ブラシ層３４とで構成される磁気ブラシ帯電部材
３０と、磁気ブラシ帯電部材３０に対する帯電バイアス
電圧印加電源Ｓ１とからなり、磁気ブラシ帯電部材３０
は、被帯電体としての感光体（感光体ドラム）１に略平
行にして芯金３１の両端部を軸受けさせ、磁気ブラシ層
３４を感光体１面に所定幅の帯電ニップ部ｎを形成する
ように接触させて配設してある。

【０００６】この磁気ブラシ帯電部材３０は、帯電ニッ
プ部ｎにおいて感光体１の回転方向とは逆方向（カウン
ター方向）である矢示の時計方向、或いは帯電ニップ部
ｎにおいて感光体１の回転方向と順方向である反時計方
向に周速差をもって回転駆動され、感光体１面が帯電ニ
ップ部ｎにおいて磁気ブラシ層３４で摺擦される。

【０００７】そして帯電バイアス電圧印加電源Ｓ１によ
り帯電スリーブ３３を介して磁気ブラシ層３４に対して
所定の帯電バイアスが所定の極性・電位の直流電圧（Ｖ
ｄｃ単独：ＤＣ印加方式）、或いは交流電圧Ｖａｃを重
畳した振動電圧（Ｖｄｃ＋Ｖａｃ：ＡＣ印加方式）で印
加され、回転駆動されている感光体１の外周面が接触帯
電方式にて所定の極性・電位に均一帯電される。

【０００８】ここで、マグネット・ローラ３２は、通
常、フェライト磁石やゴム・マグネット等の磁性材料が
用いられる。

【０００９】また、磁気ブラシ層３４を形成させる磁性
粒子には、Ｃｕ−Ｚｎ−Ｆｅ−Ｏ系等の磁性酸化鉄（フ
ェライト）粉、マグネタイト粉、樹脂中にフェライトや
マグネタイト等の磁性材料を分散させたもの、周知の磁
性トナー材等が、一般的に用いられる。

【００１０】この磁気ブラシ帯電方式を用い、被帯電体
として有機感光体（ＯＰＣ）上に導電性微粒子を分散さ
せた表層を有するものや、アモルファスシリコン系感光
体（ａ−Ｓｉ）などを用いると、磁気ブラシ帯電部材３
０に印加したバイアスのうちの直流成分（Ｖｄｃ）と略
同等の帯電電位を被帯電体表面に得ることが可能である
ため、このような帯電方法のことを注入帯電と称する。

【００１１】しかも注入帯電を用いれば、被帯電体への
帯電がコロナ帯電器を用いて行なわれるような放電現象
を利用しないので、完全なオゾンレス、かつ、低電力消
費型帯電が可能となり注目されてきている。

【００１２】

【発明が解決しようとしている課題】しかしながら、例
えば電子写真画像形成装置において、被帯電体としての
感光体１の帯電手段として前述した磁気ブラシ帯電方式
にも克服すべき特有の諸問題が存在する。その一つに、
以下のような問題があった。

【００１３】磁気ブラシ帯電部材３０の長手方向（回転
中心軸線方向、感光体の母線方向）の磁気ブラシ層端
部、すなわち帯電スリーブ３３に内包されるマグネット
・ローラ３２の着磁領域端部においては磁力が低下し、
磁気ブラシ層３４の端部の磁性粒子の密度が粗となり、
その磁気ブラシ層端部と感光体１との接触が不安定とな
るため、微細領域までも均一に帯電することが難しい。

【００１４】従って、感光体表面と磁気ブラシ先端との
間に電位差が生じ、磁気ブラシ層３４を構成している磁
性粒子が磁気ブラシ帯電部材３０側から感光体１へ付着
してしまうという問題である。その結果、長期耐久にお
いて、磁気ブラシ帯電部材３０の磁性粒子が減少して帯
電性能が低下する。また感光体１に付着した磁性粒子は
現像装置に混入して現像性能を劣化させたり、複写機本
体内にこぼれ落ちて機内を汚染するなどの弊害を生じる
ことになる。

【００１５】そこで従来は、帯電スリーブ３３と端部の
磁性粒子を電気的に絶縁する部材を設け、感光体表面と
導電部材の導電経路を絶つことによりこれを防止した。
帯電スリーブ端部の絶縁部材としては、商品名マイラー
（ポリエチレンテレフタレート）テープ（商品名）、商
品名テフロン（ポリテトラフロロエチレン）テープ等の
絶縁性テープが用いられていた。

【００１６】図７はその従来の磁気ブラシ帯電装置３の
端部構成を示す説明図である。ａは帯電保証領域（＝画
像形成領域：実際に潜像形成及び現像を行う領域）、ｂ
は絶縁領域、ｃは磁気ブラシ層コート領域である。また
マグネット・ローラ３２の長手寸法部分が磁力有効領域
（着磁有効幅）である。

【００１７】磁気ブラシ層コート領域ｃの端部に絶縁領
域ｂとしてマイラーテープ３５を貼ることにより絶縁性
を確保し、端部のコート不安定領域において感光体表面
と磁気ブラシ先端の電位差を生じさせない構成となって
いる。

【００１８】図７は従来の磁気ブラシ帯電装置を用いた
場合の磁気ブラシ層３４の表面電位について説明する電
位図である。Ａは磁気ブラシ帯電部材３０に印加してい
る直流電圧（Ｖｄｃ）である。絶縁部材３５が無い場合
（すなわち磁気ブラシ層コート領域ｃが帯電保証領域ａ
までしか無い場合）、Ｂの如く、磁気ブラシ層端部の磁
性粒子は未帯電領域の境に位置し、また端部で感光体１
に対する磁気ブラシの接触が不安定であり磁性粒子の接
触していない微細な領域において帯電の不十分な領域が
生じ、感光体側に付着する力を受ける。また、帯電領域
境界の内側と外側では帯電電位のギャップが大きく、感
光体上の外側へ向かって磁性粒子付着電界が生じる。

【００１９】そこで、磁気ブラシ層コート領域ｃを長手
方向に延長し、延長した部分にマイラーテープ３５を施
すことにより、Ｃの如く、端部の電位低下がスロープ状
になり、コート領域境界に近づくほど磁気ブラシ先端の
電位も低下し、キャリア付着電界は小さくなる。

【００２０】図９と図１０はそれぞれ磁気ブラシ帯電装
置３を有機感光体（ＯＰＣ）とアモルファスシリコン系
感光体（ａ−Ｓｉ）の帯電に用いた場合の帯電保証域に
おける帯電性能（図９）と磁気ブラシ層端部での帯電電
位を示す電位図（図１０）である。

【００２１】図９において、磁気ブラシ帯電部材３０に
印加される直流電圧（Ｖｄｃ）に対し、有機感光体（Ｏ
ＰＣ）の帯電電位は良好だが、アモルファスシリコン系
感光体（ａ−Ｓｉ）は帯電電位としては追従性が悪く、
帯電電位が上がるほどそれが顕著となっている。

【００２２】また、図１０において、αは磁気ブラシ層
の表面電位である。αの印加電圧に対し、有機感光体
（ＯＰＣ）の場合、βの如く帯電し、端部の電位低下が
磁気ブラシ層の表面電位とほぼ同等であり、帯電保証領
域ａから絶縁領域ｂに磁気ブラシ層コート領域が変化し
てもその境界領域における磁気ブラシ層と感光体の表面
電位に変化が少ないので磁性粒子付着電界は小さくなっ
ている。−方、アモルファスシリコン系感光体（ａ−Ｓ
ｉ）の場合、γの如く帯電しているため、帯電保証領域
ａから絶縁領域ｂに変化した際、境界領域における磁気
ブラシ層３４と感光体１との表面電位に大きな変化があ
るため、磁性粒子付着電界が大きく、ＯＰＣよりも磁性
粒子が感光体へ付着しやすいことが問題となっている。

【００２３】本発明は、磁気ブラシ帯電装置において、
被帯電体がアモルファスシリコン系感光体の場合であっ
ても、簡易な構成で端部の磁性粒子の被帯電体への付着
を長期にわたり防止することを目的とする。

【００２４】

【課題を解決するための手段】本発明は下記の構成を特
徴とする磁気ブラシ帯電装置である。

【００２５】（１）回転可能な帯電剤担持体と、前記帯
電剤担持体内に内包され、周方向に複数の磁極を有する
磁界発生手段と、前記帯電剤担持体の外面に前記磁界発
生手段の磁力により磁気拘束されて担持された帯電剤と
しての導電性磁性粒子の磁気ブラシを有し、前記磁気ブ
ラシを被帯電体に当接させ、電圧を印加して帯電を行う
磁気ブラシ帯電装置において、前記帯電剤担持体の長手
方向端部表面が端部に向かって高抵抗化処理され、その
高抵抗化処理領域の内側端部が帯電保証領域よりも外側
であり、かつ前記磁界発生手段の長手方向の磁力有効領
域端部よりも内側であることを特徴とする磁気ブラシ帯
電装置。

【００２６】（２）被帯電体に電圧を印加した導電性磁
性粒子を当接させて帯電を行なう磁気ブラシ帯電装置で
あって、帯電剤としての前記導電性磁性粒子を収納する
ための帯電剤収納部を有すると共に、長手方向に開口部
を有する帯電剤容器と、前記開口部に取り付けられ、回
転可能な帯電剤担持体と、前記帯電剤担持体内に内包さ
れ、周方向に複数の磁極を有する磁界発生手段と、を有
する磁気ブラシ帯電装置において、前記帯電剤担持体の
長手方向端部表面が端部に向かって高抵抗化処理され、
その高抵抗化処理領域の内側端部が画像形成領域よりも
外側であり、かつ前記磁界発生手段の長手方向の磁力有
効領域端部よりも内側であることを特徴とする磁気ブラ
シ帯電装置。

【００２７】（３）前記被帯電体はアモルファスシリコ
ン感光体であることを特徴とする（１）または（２）に
記載の磁気ブラシ帯電装置。

【００２８】

【発明の実施の形態】〈実施例１〉図１は本発明に係る
磁気ブラシ帯電装置を用いた画像形成装置の一例の概略
構成模型図である。本実施例の画像形成装置は、電子写
真プロセス利用のレーザビームプリンタである。

【００２９】Ａはプリンタ部、Ｂはこのプリンタ部の上
に搭載したリーダ部（イメージスキャナ）である。

【００３０】（１）リーダ部Ｂ １０は装置上面に固定配設した原稿台ガラスであり、こ
の原稿台ガラスの上面に原稿Ｇを複写すべき面を下向き
にして載置し、その上に不図示の原稿圧着板を被せてセ
ットする。

【００３１】９は原稿照射用ランプ・短焦点レンズアレ
イ・ＣＣＤセンサ等を配設した画像読み取りユニットで
ある。このユニット９は、不図示のコピーボタンが押さ
れることで、原稿台ガラス１０の下側において該ガラス
の左辺側の実線示のホームポジションから右辺側にガラ
ス下面に沿って往動駆動され、所定の往動終点に達する
と復動駆動されて始めの実線示のホームポジションに戻
される。

【００３２】該ユニット９の往動駆動過程において、原
稿台ガラス１０上の載置セット原稿Ｇの下向き画像面が
ユニット９の原稿照射用ランプにより右辺側から左辺側
にかけて順次に照明走査され、その照明走査光の原稿面
反射光が短焦点レンズアレイによってＣＣＤセンサに結
像入射する。

【００３３】ＣＣＤセンサは受光部、転送部、出力部よ
り構成されている。ＣＣＤ受光部において光信号が電荷
信号に変えられ、転送部でクロックパルスに同期して順
次出力部へ転送され、出力部において電荷信号を電圧信
号に変換し、増幅、低インピーダンス化して出力する。
得られたアナログ信号は周知の画像処理を行なわれデジ
タル信号に変換されプリンタ部Ａに送られる。

【００３４】即ち、リーダＢにより原稿Ｇの画像情報が
時系列電気デジタル画素信号（画像信号）として光電読
み取りされる。

【００３５】（２）プリンタ部Ａ １は像担持体（被帯電体）としての回転ドラム型の電子
写真感光体である。本例の感光体１は直径３０ｍｍのａ
−Ｃ：Ｈ（アモルファスシリコン系感光体、後述する図
５の（ｃ）の層構成）である。

【００３６】待機状態のプリンタにコピー開始信号が入
力されると、感光体１は矢印の時計方向に１００ｍｍ／
ｓｅｃのプロセス・スピード（周速度）をもって回転駆
動され、前露光ランプ８で均一に除電を受けた後、磁気
ブラシ帯電装置３により所定の極性・電位になるように
一様に帯電される。この磁気ブラシ帯電装置３について
は次の（３）項で詳述する。

【００３７】そして該回転感光体１の一様帯電面に対し
て、固体レーザ素子、高速で回転するポリゴン・ミラー
等を含むレーザ露光手段２から出力される、前記リーダ
部Ｂの光電読み取り画像情報のデジタル信号に対応して
強度変調されたレーザビームによる走査露光Ｅがなさ
れ、感光体１の周面に対して原稿画像の画像情報に対応
した静電潜像が形成される。

【００３８】その静電潜像は磁性一成分絶縁トナー（ネ
ガトナー）ｔを用いた現像装置４によりトナー像として
現像される。４１はマグネット・ローラ（不図示）を内
包する直径１６ｍｍの非磁性の現象スリーブであり、こ
の現象スリーブ４１に上記ネガトナーｔをコートし、感
光体１表面との距離を２００μｍに固定した状態で、感
光体１と等速で回転させ、現像スリーブ４１に現像バイ
アス電源（不図示）より現像バイアス電圧を印加する。
印加電圧は、−３５０Ｖの直流電圧と、周波数１．８Ｍ
Ｈｚ、ピーク間電圧１．６ｋＶの矩形の交流電圧を重畳
したものを用い、現像スリーブ４１と感光体１の間でジ
ャンピング現象を行なわせる。

【００３９】一方、給紙カセット１２内に収納の記録材
としての転写材Ｐが給紙ローラ１３により一枚宛繰り出
されてプリンタ部Ａ内に給送され、レジストローラ１４
により所定の制御タイミングにて感光体１と接触転写手
段としての中抵抗の転写ローラ７との圧接ニップ部であ
る転写部Ｔに給紙される。

【００４０】転写ローラ７には転写バイアス印加電源
（不図示）から所定の転写バイアス電圧が印加される。
本実施例ではローラ抵抗値は５×１０⁸Ωのものを用
い、＋２０００Ｖの直流電圧を印加して転写を行った。
転写部Ｔに導入された転写材Ｐはこの転写部Ｔを挟持搬
送されて、その表面側に感光体１の表面に形成担持され
ているトナー画像が順次に静電気力と押し圧力にて転写
されていく。

【００４１】転写部Ｔでトナー画像の転写を受けた転写
材Ｐは感光体１の面から分離されて熱定着方式等の定着
装置６へ導入されてトナー画像の定着を受け、画像形成
物（コピー、プリント）として装置外へ排出される。

【００４２】また、転写材Ｐに対するトナー画像転写後
の感光体表面はクリーニング装置５により残留トナー等
の付着汚染物の除去を受けて清掃され、繰り返して作像
に供される。

【００４３】本実施例のプリンタは、感光体１、磁気ブ
ラシ帯電装置３、現像装置４及びクリーニング装置５の
４つのプロセス機器をカートリッジ１１に包含させてプ
リンタ本体に対して一括して着脱交換自在のカートリッ
ジ方式にした装置にしてあるが、これに限るものではな
い。

【００４４】（３）磁気ブラシ帯電装置３ 図２は磁気ブラシ帯電装置３の横断面模式図、図３は磁
気ブラシ帯電装置３の一端部側の縦断正面模式図であ
る。この磁気ブラシ帯電装置３は、前述した図６・図７
の磁気ブラシ帯電装置３と同様のスリーブ回転タイプの
装置である。

【００４５】４０は帯電剤容器であり、帯電剤としての
導電性磁性粒子（磁性キャリア）３４ａと、磁気ブラシ
帯電部材３０を収納させてある。磁気ブラシ帯電部材３
０は、芯金３１と、芯金３１まわりに同心一体に設け
た、周方向に複数の磁極を有する円筒状の多極磁性体
（磁界発生手段）としてのマグネット・ローラ３２と、
このマグネット・ローラ３２の外側に芯金３１を中心に
回転自在に同心に外嵌させて設けられた、帯電剤担持体
としての外径１６ｍｍの非磁性の帯電スリーブ３３と、
この帯電スリーブ３３の外周面に帯電スリーブ内側のマ
グネット・ローラ３２の磁力により磁性粒子（帯電剤）
を吸着保持させて形成される磁気ブラシ層３４とで構成
される。帯電スリーブ３３の両端部側はそれぞれ帯電剤
容器４０の端面板間に軸受４３を介して回転自在に支持
させてある。芯金３１とマグネット・ローラ３２は非回
転に固定されている。磁気ブラシ帯電部材３０の下面部
は帯電剤容器４０の下向き開口部４１から外部に露呈さ
せてある。４２は磁性粒子層厚規制ブレードであり、帯
電剤容器４０の開口部４１に先端部を帯電スリーブ３３
に所定のギャップをあけて接近させて配設してある。

【００４６】上記の磁気ブラシ帯電装置３は帯電剤容器
４０の下向き開口部４１から外部に露呈している磁気ブ
ラシ帯電部材３０の磁気ブラシ層３４を感光体１に対し
て帯電ニップ部ｎとして所定の接触幅をもって接触させ
た状態にして配設してある。

【００４７】帯電剤容器４０内の磁性粒子溜まり部の磁
性粒子３４ａは帯電スリーブ近傍部分が帯電スリーブ３
３内のマグネット・ローラ３２の磁界により磁気ブラシ
層として磁気拘束されて帯電スリーブ上に保持される。
そして帯電スリーブ３３が不図示の駆動機構により回転
駆動されることで該帯電スリーブ上に保持されている磁
性粒子の磁気ブラシ層３４も搬送され、帯電スリーブ３
３と磁性粒子層厚規制ブレード４２とのギャップ部を通
ることで層厚規制され、帯電ニップ部ｎにおいて感光体
１面を摺擦する。帯電ニップ部ｎを通った磁性粒子の磁
気ブラシ層３４は引き続く帯電スリーブ３３の回転で帯
電剤容器４０内に戻し搬送される。

【００４８】帯電スリーブ３３には帯電バイアス電圧印
加電源Ｓ１から直流電圧−７００Ｖの帯電バイアスに対
して矩形状の交番電圧２ＭＨｚ、７５０Ｖを重畳したバ
イアスが印加されていて、電荷注入帯電によって感光体
１の外周面がほぼ−５５０Ｖに一様に帯電される。

【００４９】帯電スリーブ３３は感光体１に対しカウン
ター方向に回転しており、本実施例においては、感光体
１の回転速度１００ｍｍ／ｓｅｃに対し帯電スリーブ３
３は１５０ｍｍ／ｓｅｃで回転している。また、感光体
１に対して形成される帯電ニップ部ｎのニップ幅は略６
ｍｍになるよう調整している。

【００５０】上記帯電スリーブ３３に、帯電電圧を印加
することにより、磁性粒子から電荷が感光体１上に与え
られ、帯電電圧に対応した電位に帯電される。回転速度
については速いほど帯電均一性が良好になる傾向にあ
る。

【００５１】磁性粒子３４ａとしては、フェライト粒子
が好ましく、組成としては、銅、亜鉛、マンガン、マグ
ネシウム、鉄、リチウム、ストロンチウム、バリウム等
の金属元素を含むものが好適に使用される。また、平均
粒径（体積５０％のメジアン径）が１０〜１００μｍ、
飽和磁化が２０〜２５０ｅｍｕ／ｃｍ³、抵抗が１×１
０²〜１×１０¹⁰Ω・ｃｍのものが用いられるが、感光
体にピンホールのような絶縁欠陥が存在することを考慮
すると１×１０⁶Ω・ｃｍ以上のものを用いることが好
ましい。一方、帯電性能を良くするには可能な限り抵抗
の小さいものを用いる方が良好なので、本実施例におい
ては、平均粒径２５μｍ、飽和磁化２００ｅｍｕ／ｃｍ
³、抵抗が５×１０⁶Ω・ｃｍの磁性粒子で、フェライト
表面を酸化、還元処理して抵抗調整を行ったものを用い
ている。

【００５２】ここで、磁性粒子の抵抗値は、底面積が２
２８（ｍｍ²）の金属セルに磁性粒子を２ｇ入れた後、
６．６ｋｇ／ｃｍ²で加重し、１００Ｖの直流電圧を印
加して測定している。

【００５３】次に本実施例において用いた磁気ブラシ帯
電装置３の端部処理について図３を参照して説明する。

【００５４】図３において、ａは帯電保証領域（＝画像
形成領域：実際に潜像形成及び現像を行う領域）、ｂ′
は絶縁領域、ｃは磁気ブラシ層コート領域である。また
マグネット・ローラ３２の長手寸法部分が磁力有効領域
（着磁有効幅）である。

【００５５】磁気ブラシ層コート領城ｃの端部に、高抵
抗化領域（抵抗領域）として ．磁性粒子と同抵抗に調整した磁性テープ３６（５×
１０⁶Ω・ｃｍ）、 ．カーボンを分散し抵抗値を調整したフェノール樹脂
３７（１０⁸Ω・ｃｍ）、 ．カーボンを分散し抵抗値を調整したフェノール樹脂
３８（１０¹²Ω・ｃｍ）、 ．ポリカーボネート・シート３９（１０¹⁶Ω・ｃ
ｍ）、 ．マイラーテープ３５（１０¹⁷Ω・ｃｍ以上） を順次に貼ることにより端部に向かって高抵抗化し、端
部のコート不安定領域において感光体表面と磁気ブラシ
先端の電位差を生じさせない構成となっている。

【００５６】即ち、帯電剤担持体である帯電スリーブ３
２の長手方向端部表面が端部に向かって高抵抗化処理３
６〜３９、３５され、その高抵抗化処理領域の内側端部
が帯電保証領域ａよりも外側であり、かつ磁界発生手段
であるマグネット・ローラ３２の端部、すなわちマグネ
ット・ローラ３２の長手方向の磁力有効領域（着磁有効
幅）の端部よりも内側である構成である。

【００５７】図４は上記の場合の磁気ブラシ層３４と感
光体１の端部の表面電位について説明する電位図であ
る。α′は磁気ブラシ層３４の表面電位である。α′の
印加電圧に対し、アモルファスシリコン系感光体（ａ−
Ｓｉ）の場合、γ′の如く帯電し、帯電保証領域ａから
抵抗領域ｂ′に変化しても、抵抗領域内においても、磁
気ブラシ層３４と感光体１との表面電位に大きな変化が
無いため、磁性粒子付着電界が小さく、ＯＰＣよりも磁
性粒子が感光体へ付着しないようにすることができた。

【００５８】以上のような磁気ブラシ帯電装置構成にお
いて、５万枚の通紙耐久を行ったが、帯電スリーブ３３
の端部から磁性粒子が感光体１に付着する量は激減し、
磁気ブラシ帯電部材としての磁性粒子が減少することも
なく初期の帯電性能を維持させることができた。

【００５９】なお、実施例では、帯電スリーブ３３の端
部を端部に向って高抵抗化処理する構成として、抵抗値
を変えた部材３６・３７・３８・３９・３５を個々に帯
電スリーブ３３の端部に貼り付ける構成としたが、本発
明はこの方法に限るものではなく、１枚のシート（或い
はテープ）中で、所定の幅で抵抗値を変えたものや、徐
々に抵抗値を変えたもの、シート厚（シート厚によって
体積抵抗が変化するもの）を変化させたものであっても
良い。

【００６０】〈その他の実施形態〉 １）像担持体は電子写真感光体に限らず、静電記録誘電
体等であってもよい。この場合は、一様に帯電した該像
担持体の面を除電針アレイ、電子銃等の除電手段で選択
的に除電して静電潜像を形成する。

【００６１】２）本発明の磁気ブラシ帯電装置は画像形
成装置の像担持体の帯電処理に限られず、広く被帯電体
の帯電処理（除電処理も含む）装置として有効である。

【００６２】３）ここで、電子写真感光体に関していま
少し詳しく説明する。

【００６３】磁気ブラシ帯電方式には、通常用いられて
いる有機感光体等を用いることができるが、望ましく
は、有機感光体上にその抵抗が１０⁹〜１０¹⁴Ω・ｃｍ
の材質を有する表面層を持つものや、アモルファスシリ
コン系感光体などを用いると、電荷注入帯電を実現で
き、オゾン発生の防止、ならびに消費電力の低減に効果
がある。また、帯電性についても向上させることが可能
となる。

【００６４】ａ）有機感光体（ＯＰＣ） 帯電スリーブ３３に対向する積層型感光体の感光層の構
成としては、導電性支持体上に電荷発生層及び電荷輸送
層をこの順に積層したものを用いている。

【００６５】導電性支持体は導電性を有するものであれ
ば、いずれのものでもよく、例えばアルミニウム、銅、
クロム、ニッケル、亜鉛及びステンレス等の金属をドラ
ムあるいはシート状に成形したもの、アルミニウム及び
銅等の金属箔をプラスチックフィルムにラミネートした
もの、アルミニウム、酸化インジウム及び酸化スズ等を
プラスチックフィルムに蒸着したもの、導電性物質を単
独またはバインダー樹脂とともに塗布して導電層を設け
た金属、プラスチックフィルムあるいは紙等が挙げられ
る。

【００６６】これらの導電性支持体の上に形成する感光
層の塗工方法はスプレーコーティング、ビームコーティ
ング及び浸漬コーティング等の方法が用いられる。その
際、通常導電性支持体を固定して支持することが必要で
あり、その支持部材に塗工液が付着しないように維持す
るために、支持体端部に未塗工領域が残る場合がある。
また、端部まで塗工する場合、塗工液が縁にだれる場合
が生じる。感光体を本体に支持するために装着する端部
支持部材であるフランジが正しい角度で装着され、感光
体のアライメント精度を維持するためには導電性支持部
材端部の研磨行程が必要となるため、感光体製造上はで
きる限り未塗工領域の存在を許容することが望ましい。

【００６７】具体例においては、負帯電の有機感光体
で、直径３０ｍｍのアルミニウム製のドラム基体上に下
記の第１〜第５の５つの層を下から順に設けた感光体を
用いた。

【００６８】第１層は下引き層であり、アルミニウム基
体（以下アルミ基体と称する）の欠陥等をならすために
設けられている厚さ２０μｍの導電層である。

【００６９】第２層は正電荷注入防止層であり、アルミ
基体から注入された正電荷が感光体表面に帯電された負
電荷を打ち消すのを防止する役割を果たし、アミラン樹
脂とメトキシメチル化ナイロンによって１×１０⁶Ω・
ｃｍ程度に抵抗調整された厚さ１μｍの中抵抗層であ
る。

【００７０】第３層は電荷発生層であり、ジスアゾ系の
顔料を樹脂に分散した厚さ約０．３μｍの層であり、露
光を受けることによって正負の電荷対を発生する。

【００７１】第４層は電荷輸送層であり、ポリカーボネ
ート樹脂にヒドラゾンを分散したものであり、Ｐ型半導
体である。従って、感光体表面に帯電された負電荷はこ
の層を移動することができず、電荷発生層で発生した正
電荷のみを感光体表面に輸送することができる。

【００７２】第５層は電荷注入層であり、絶縁性樹脂の
バインダーにＳｎＯ₂超微粒子を分散した材料の塗工層
である。具体的には絶縁性樹脂に光透過性の絶縁フィラ
ーであるアンチモンをドーピングして低抵抗化（導電
化）した粒径約０．０３μｍのＳｎＯ₂粒子を樹脂に対
して７０重量パーセント分散した材料の塗工層である。

【００７３】このように調合した塗工液をディッピング
塗工法にて厚さ約４μｍに塗工して電荷注入層とした。
この際、感光体の奥側端部に５ｍｍの感光層未塗工領域
が存在した。

【００７４】ｂ）アモルファスシリコン系感光体（ａ−
Ｓｉ） 電子写真において、感光体における感光層を形成する光
導電材料としては、高感度で、ＳＮ比〔光電流（Ｉｐ）
／暗電流（Ｉｄ）〕が高く、照射する電磁波のスペクト
ル特性に適合した吸収スペクトルを有すること、光応答
性が早く、所望の暗抵抗値を有すること、使用時におい
て人体に対して無害であること、等の特性が要求され
る。

【００７５】特に、事務機としてオフィスで使用される
画像形成装置内に組み込まれる画像形成装置用感光体の
場合には、大量に、且つ長期にわたり使用される事を考
えると、画質、画像濃度の長期安定性も重要な点であ
る。

【００７６】この様な点に優れた性質を示す光導電材料
に水素化アモルファスシリコン（以下、「ａ−Ｓｉ：
Ｈ」と表記する）があり、例えば、特公昭６０−３５０
５９号公報には画像形成装置用感光体としての応用が記
載されている。

【００７７】このような画像形成装置用感光体は、一般
的には、導電性支持体を５０℃〜４００℃に加熱し、該
支持体上に真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレ
ーティング法、熱ＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、プラズマＣＶ
Ｄ法等の成膜法によりａ−Ｓｉからなる光導電層を形成
する。なかでもプラズマＣＶＤ法、すなわち、原料ガス
を直流または高周波あるいはマイクロ波グロー放電によ
って分解し、支持体上にａ−Ｓｉ堆積膜を形成する方法
が好適なものとして実用に付されている。

【００７８】また、特開昭５４−８３７４６号公報にお
いては、導電性支持体と、ハロゲン原子を構成要素とし
て含むａ−Ｓｉ（以下、「ａ−Ｓｉ：Ｘ」と表記する）
光導電層からなる画像形成装置用感光体が提案されてい
る。当該公報においては、ａ−Ｓｉにハロゲン原子を１
乃至４０原子％含有させることにより、耐熱性が高く、
画像形成装置用感光体の光導電層として良好な電気的、
光学的特性を得ることができるとしている。

【００７９】また、特開昭５７−１１５５５６号公報に
は、ａ−Ｓｉ堆積膜で構成された光導電層を有する光導
電部材の、暗抵抗値、光感度、光応答性等の電気的、光
学的、光導電的特性及び耐湿性等の使用環境特性、さら
には経時的安定性について改善を図るため、シリコン原
子を母体としたアモルファス材料で構成された光導電層
上に、シリコン原子及び炭素原子を含む非光導電性のア
モルファス材料で構成された表面障壁層を設ける技術が
記載されている。

【００８０】更に、特開昭６０−６７９５１号公報に
は、アモルファスシリコン、炭素、酸素及び弗素を含有
してなる透光絶縁性オーバーコート層を積層する感光体
についての技術が記載され、特開昭６２−１６８１６１
号公報には、表面層として、シリコン原子と炭素原子と
４１〜７０原子％の水素原子を構成要素として含む非晶
質材料を用いる技術が記載されている。

【００８１】また更に、特開昭５７−１５８６５０号公
報には、水素を１０〜４０原子％含有し、赤外吸収スペ
クトルの２１００ｃｍ^-1と２０００ｃｍ^-1の吸収ピーク
の吸収係数比が０．２〜１．７であるａ−Ｓｉ：Ｈを光
導電層に用いることにより高感度で高抵抗な画像形成装
置用感光体が得られることが記載されている。

【００８２】一方、特開昭６０−９５５５１号公報に
は、アモルファスシリコン感光体の画像品質向上のため
に、感光体表面近傍の温度を３０乃至４０℃に維持して
帯電、露光、現像および転写といった画像形成行程を行
なうことにより、感光体表面での水分の吸着による表面
抵抗の低下とそれに伴って発生する画像流れを防止する
技術が開示されている。

【００８３】これらの技術により、画像形成装置用感光
体の電気的、光学的、光導電的特性及び使用環境特性が
向上し、それに伴って画像品質も向上してきた。

【００８４】図５の（ａ）〜（ｆ）はそれぞれ画像形成
装置用感光体の層構成を説明するための模式的構成図で
ある。

【００８５】（ａ）に示す画像形成装置用感光体２００
は、感光体用としての支持体２０１の上に、感光層２０
２が設けられている。該感光層２０２はａ−Ｓｉ：Ｈ，
Ｘからなり光導電性を有する光導電層２０３で構成され
ている。

【００８６】（ｂ）に示す画像形成装置用感光体２００
は、感光体用としての支持体２０１の上に、感光層２０
２が設けられている。該感光層２０２はａ−Ｓｉ：Ｈ，
Ｘからなり光導電性を有する光導電層２０３と、アモル
ファスシリコン系、及び／又はアモルファスカーボン系
表面層２０４とから構成されている。

【００８７】（ｃ）に示す画像形成装置用感光体２００
は、感光体用としての支持体２０１の上に、感光層２０
２が設けられている。該感光層２０２はａ−Ｓｉ：Ｈ，
Ｘからなり光導電性を有する光導電層２０３と、アモル
ファスシリコン系、及び／又はアモルファスカーボン系
表面層２０４と、光導電層２０３と支持体２０１の間の
アモルファスシリコン系電荷注入阻止層２０５、また光
導電層２０３と表面層２０４との間の同２０５’とから
構成されている。

【００８８】（ｄ）及び（ｅ）に示す画像形成装置用感
光体２００は、それぞれ、感光体用としての支持体２０
１の上に、感光層２０２が設けられている。該感光層２
０２は光導電層２０３を構成するａ−Ｓｉ：Ｈ，Ｘから
なる電荷発生層２０７ならびに電荷輸送層２０８と、ア
モルファスシリコン系、及び／又はアモルファスカーボ
ン系表面層２０４と、光導電層２０３と支持体２０１の
間、及び／または光導電層２０３と電荷注入阻止層に電
荷注入阻止層２０５、２０５’とから構成されている。

【００８９】（ｆ）に示す画像形成装置用感光体２００
は、感光体用としての支持体２０１の上に、感光層２０
２が設けられている。該感光層２０２は光導電層２０３
を構成するａ−Ｓｉ：Ｈ，Ｘからなる電荷発生層２０７
ならびに電荷輸送層２０８と、アモルファスシリコン
系、及び／又はアモルファスカーボン系表面層２０４と
から構成されている。

【００９０】特に図示はしていないが、光導電層２０３
と支持体２０１の間、及び／または光導電層２０３と電
荷注入阻止層に電荷注入阻止層２０５、２０５’があっ
ても良い。

【００９１】［支持体２０１］支持体２０１としては、
導電性でも電気絶縁性であってもよい。導電性支持体と
しては、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｉｎ、Ｎｂ、Ｔｅ、
Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｆｅ等の金属、およびこれらの
合金、例えばステンレス等が挙げられる。また、ポリエ
ステル、ポリエチレン、ポリカーボネート、セルロース
アセテート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリス
チレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルムまたはシー
ト、ガラス、セラミック等の電気絶縁性支持体の少なく
とも感光層を形成する側の表面を導電処理した支持体も
用いることができる。

【００９２】［光導電層２０３］光導電層２０３は、支
持体２０１上、必要に応じて下引き層（不図示）上に形
成され、感光層２０２の一部を構成する光導電層２０３
は真空堆積膜形成方法によって、所望特性が得られるよ
うに適宜成膜パラメーターの数値条件が設定されて作成
される。

【００９３】具体的には、例えばグロー放電法（低周波
ＣＶＤ法、高周波ＣＶＤ法またはマイクロ波ＣＶＤ法等
の交流放電ＣＶＤ法、あるいは直流放電ＣＶＤ法等）、
スパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング
法、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法などの数々の薄膜堆積法に
よって形成することができる。

【００９４】これらの薄膜堆積法は、製造条件、設備資
本投資下の負荷程度、製造規模、作成される画像形成装
置用感光体に所望される特性等の要因によって適宜選択
されて採用されるが、所望の特性を有する画像形成装置
用感光体を製造するに当たっての条件の制御が比較的容
易であることからしてグロー放電法、特にＲＦ帯、μＷ
帯またはＶＨＦ帯の電源周波数を用いた高周波グロー放
電法が好適である。

【００９５】グロー放電法によって光導電層２０３を形
成するには、基本的には周知のごとくシリコン原子（Ｓ
ｉ）を供給し得るＳｉ供給用の原料ガスと、水素原子
（Ｈ）を供給し得るＨ供給用の原料ガスまたは／及びハ
ロゲン原子（Ｘ）を供給し得るＸ供給用の原料ガスを、
内部が減圧にし得る反応容器内に所望のガス状態で導入
して、該反応容器内にグロー放電を生起させ、あらかじ
め所定の位置に設置されてある所定の支持体２０１上に
ａ−Ｓｉ：Ｈ，Ｘからなる層を形成すればよい。

【００９６】また、ハロゲン原子供給用の原料ガスとし
て有効なのは、たとえばハロゲンガス、ハロゲン化物、
ハロゲンをふくむハロゲン間化合物、ハロゲンで置換さ
れたシラン誘導体等のガス状のまたはガス化し得るハロ
ゲン化合物が好ましく挙げられる。

【００９７】また、さらにはシリコン原子とハロゲン原
子とを構成要素とするガス状のまたはガス化し得る、ハ
ロゲン原子を含む水素化珪素化合物も有効なものとして
挙げることができる。

【００９８】一般にａ−Ｓｉは伝導性を制御する原子を
含有させない場合、弱いｎ型伝導特性を有するため、ネ
ガａ−Ｓｉにおいては、伝導性を制御する原子を含有
（ドープ）させなくても良いが、ｉ型にする為、あるい
は製造安定性のラチチュードを広げる為等、必要に応じ
て伝導性を制御する原子を含有させてもよい。

【００９９】前記伝導性を制御する原子としては、半導
体分野における、いわゆる不純物を挙げることができ、
ｐ型伝導特性を与える周期律表IIIｂ族に属する原子
（以後「第IIIｂ族原子」と略記する）またはｎ型伝導
特性を与える周期律表Ｖｂ族に属する原子（以後「第Ｖ
ｂ族原子」と略記する）を用いることができる。

【０１００】第IIIｂ族原子としては、具体的には、硼
素（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、
インジウム（Ｉｎ）、タリウム（Ｔｌ）等があり、特に
Ｂ、Ａｌ、Ｇａが好適である。第Ｖｂ族原子としては、
具体的には燐（Ｐ）、砒素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓ
ｂ）、ビスマス（Ｂｉ）等があり、特にＰ、Ａｓが好適
である。

【０１０１】第Ｖｂ族原子導入用の原料物質として有効
に使用されるのは、燐原子導入用としては、ＰＨ₃、Ｐ₂
Ｈ₄等の水素化燐、ＰＨ₄Ｉ、ＰＦ₃、ＰＦ₅、ＰＣｌ₃、
ＰＣｌ₅、ＰＢｒ₃、ＰＢｒ₅、ＰＩ₃等のハロゲン化燐が
挙げられる。この他、ＡｓＨ ₃、ＡｓＦ₃、ＡｓＣｌ₃、
ＡｓＢｒ₃、ＡｓＦ₅、ＳｂＨ₃、ＳｂＦ₃、ＳｂＦ₅、Ｓ
ｂＣｌ₃、ＳｂＣｌ₅、ＢｉＨ₃、ＢｉＣｌ₃、ＢｉＢｒ₃
等も第Ｖｂ族原子導入用の出発物質の有効なものとして
挙げることができる。

【０１０２】［表面層２０４］本例においては、上述の
ようにして支持体２０１上に形成された光導電層２０３
の上に、更にアモルファスシリコン系及び／またはアモ
ルファスカーボン系の表面層２０４を形成することが好
ましい。

【０１０３】この表面層２０４は自由表面を有し、主に
耐湿性、連続繰り返し使用特性、電気的耐圧性、使用環
境特性、耐久性において本発明の目的を達成するために
設けられる。

【０１０４】表面層２０４は、アモルファスシリコン系
の材料であればいれずの材質でも可能であるが、例え
ば、水素原子（Ｈ）及び／またはハロゲン原子（Ｘ）を
含有し、更に炭素原子を含有するアモルファスシリコン
（以下「ａ−ＳｉＣ：Ｈ，Ｘ」と表記する）、水素原子
（Ｈ）及び／またはハロゲン原子（Ｘ）を含有し、更に
酸素原子を含有するアモルファスシリコン（以下「ａ−
ＳｉＯ：Ｈ，Ｘ」と表記する）、水素原子（Ｈ）及び／
またはハロゲン原子（Ｘ）を含有し、更に窒素原子を含
有するアモルファスシリコン（以下「ａ−ＳｉＮ：Ｈ，
Ｘ」と表記する）、水素原子（Ｈ）及び／またはハロゲ
ン原子（Ｘ）を含有し、更に炭素原子、酸素原子、窒素
原子の少なくとも一つを含有するアモルファスシリコン
（以下「ａ−ＳｉＣＯＮ：Ｈ，Ｘ」と表記する）等の材
料が好適に用いられる。

【０１０５】該表面層２０４は、例えばグロー放電法
（低周波ＣＶＤ法、高周波ＣＶＤ法またはマイクロ波Ｃ
ＶＤ法等の交流放電ＣＶＤ法、あるいは直流放電ＣＶＤ
法等）、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレー
ティング法、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法など周知の薄膜堆
積法によって形成することができる。これらの薄膜堆積
法は、製造条件、設備資本投資下の負荷程度、製造規
模、作成される画像形成装置用感光体に所望される特性
等の要因によって適宜選択されて採用される。

【０１０６】表面層２０４の層厚としては、通常０．０
１〜３μｍ、好適には０．０５〜２μｍ、最適には０．
１〜１μｍとされるのが望ましいものである。層厚が
０．０１μｍよりも薄いと感光体を使用中に摩耗等の理
由により表面層が失われてしまい、３μｍを越えると残
留電位の増加等の電子写真特性の低下がみられる場合が
ある。

【０１０７】その他に、表面層として炭素を主体とした
非晶質炭素膜（以下「ａ−Ｃ：Ｈ」と表記する）を使用
することが好ましい。さらに、内部且つ／又は最表面に
フッ素との結合を有する非晶質炭素膜（以下「ａ−Ｃ：
Ｈ：Ｆ」と表記する）を使用することが好ましい。

【０１０８】ａ−Ｃ：Ｈは撥水性に優れ、低摩擦であ
り、また、ａ−ＳｉＣと同等乃至はそれ以上の高硬度で
有り、環境対策ヒーターを除去した状態においても高湿
環境下での画像のぼけを防止する効果がある。また、帯
電促進粒子や磁性粒子の機械的な摩擦による感光体への
移動や感光体の摩耗を低減できる。

【０１０９】［電荷注入阻止層８０５］画像形成装置用
感光体２００においては、導電性支持体２０１と光導電
層２０３との間に、導電性支持体２０１側からの電荷の
注入を阻止する働きのある電荷注入阻止層８０５を、ま
た光導電層２０３と表面層２０４の間に、表面層側から
の電荷の注入を阻止する働きのある電荷注入阻止層２０
５’を設けてもよい。

【０１１０】前述の電荷注入阻止層２０５を下部注入阻
止層（ＵＢＬ；Ｕｎｄｅｒ Ｂｌｏｃｋｉｎｇ Ｌａｙ
ｅｒ）、後述の電荷注入阻止層２０５’を上部注入阻止
層（Ｔｏｐ Ｂｌｏｃｋｉｎｇ Ｌａｙｅｒ）と称す
る。

【０１１１】これらの電荷注入阻止層は、感光層が一定
極性の帯電処理をその自由表面に受けた際、支持体側、
或いは表面層側より光導電層側に電荷が注入されるのを
阻止する機能を有している。逆の極性の帯電処理を受け
た際にはそのような機能は発揮されない、いわゆる極性
依存性を有している事が好ましい。

【０１１２】そのような機能を付与するために、電荷注
入阻止層には伝導性を制御する原子等を光導電層に比べ
比較的多く含有させる。

【０１１３】該層に含有される伝導性を制御する原子
は、該層中に万偏なく均一に分布されても良いし、ある
いは層厚方向には万偏なく含有されてはいるが、不均一
に分布する状態で含有している部分があってもよい。分
布濃度が不均一な場合には、ＵＢＬ２０５では支持体側
に、またＴＢＬ２０５’では表面層側に多く分布するよ
うに含有させるのが好適である。いずれの場合にも支持
体の表面と平行面内方向においては、均一な分布で万偏
なく含有されることが面内方向における特性の均一化を
はかる点からも必要である。

【０１１４】電荷注入阻止層に含有される伝導性を制御
する原子としては、半導体分野における、いわゆる不純
物を挙げることができ、「第III族原子」または「第Ｖ
族原子」を用いることができる。

【０１１５】本例において、電荷注入阻止層の層厚は所
望の電子写真特性が得られること、及び経済的効果等の
点から好ましくは０．０５〜５μｍ、より好ましくは
０．１〜４μｍ、最適には０．５〜３μｍとされるのが
望ましい。

【０１１６】また、画像形成装置用感光体２００に於い
ては、支持体２０１と光導電層２０３あるいはＵＢＬ２
０５との間の密着性の一層の向上を図る目的で、例え
ば、Ｓｉ₃Ｎ₄、ＳｉＯ₂、ＳｉＯ、あるいはシリコン原
子を母体とし、水素原子及び／またはハロゲン原子と、
炭素原子及び／または酸素原子及び／または窒素原子と
を含む非晶質材料等で構成される密着層を設けても良
い。更に、前述のごとく、支持体からの反射光による干
渉模様の発生を防止するための光吸収層を設けても良
い。

【０１１７】上記の各層は、例えば１３．５６ＭＨｚ等
のＲＦ帯を用いた高周波プラズマＣＶＤ法（ＲＦ−ＰＣ
ＶＤ）や５０〜４５０ＭＨｚのＶＨＦ帯を用いた講習は
プラズマＣＶＤ法（ＶＨＦ−ＰＣＶＤ）などの周知の装
置および膜形成方法にて製造される。

【０１１８】

【発明の効果】以上に説明したように本発明によれば、
磁気ブラシ帯電装置において、被帯電体がアモルファス
シリコン系感光体の場合であっても、簡易な構成で端部
の磁性粒子の被帯電体への付着を長期にわたり防止する
ことができ、従って、磁性粒子が減少することによる問
題が解消されて長期にわたって初期の帯電性能を維持さ
せることに効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】 実施例１における画像形成装置の構成概略図

【図２】 磁気ブラシ帯電装置の横断面模式図

【図３】 磁気ブラシ帯電装置の一端部側の縦断正面模
式図

【図４】 実施例における磁気ブラシ層及び感光体の端
部の表面電位を説明する概略電位図

【図５】 アモルファスシリコン系感光体の各種の層構
成を説明する模式図

【図６】 状ライの磁気ブラシ帯電装置の一例の要部の
横断面模式図

【図７】 端部構成図

【図８】 磁気ブラシ層の表面電位状態図

【図９】 感光体性能を説明する電位図

【図１０】 感光体の端部帯電状態を説明する概略電位
図

【符号の説明】

１：感光体、２：レーザ露光手段、３：磁気ブラシ帯電
装置、３１：芯金、３２：マグネット・ローラ、３３：
帯電スリーブ、３４：磁気ブラシ層、３５：マイラーテ
ープ、３６〜３９：抵抗シート、４：現像装置、５：ク
リーニング装置、６：定着装置、７：転写ローラ、８：
前露光ランプ

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】回転可能な帯電剤担持体と、前記帯電剤担
   持体内に内包され、周方向に複数の磁極を有する磁界発
   生手段と、前記帯電剤担持体の外面に前記磁界発生手段
   の磁力により磁気拘束されて担持された帯電剤としての
   導電性磁性粒子の磁気ブラシを有し、前記磁気ブラシを
   被帯電体に当接させ、電圧を印加して帯電を行う磁気ブ
   ラシ帯電装置において、 前記帯電剤担持体の長手方向端部表面が端部に向かって
   高抵抗化処理され、その高抵抗化処理領域の内側端部が
   帯電保証領域よりも外側であり、かつ前記磁界発生手段
   の長手方向の磁力有効領域端部よりも内側であることを
   特徴とする磁気ブラシ帯電装置。
2. 【請求項２】被帯電体に電圧を印加した導電性磁性粒子
   を当接させて帯電を行なう磁気ブラシ帯電装置であっ
   て、 帯電剤としての前記導電性磁性粒子を収納するための帯
   電剤収納部を有すると共に、長手方向に開口部を有する
   帯電剤容器と、 前記開口部に取り付けられ、回転可能な帯電剤担持体
   と、 前記帯電剤担持体内に内包され、周方向に複数の磁極を
   有する磁界発生手段と、 を有する磁気ブラシ帯電装置において、 前記帯電剤担持体の長手方向端部表面が端部に向かって
   高抵抗化処理され、その高抵抗化処理領域の内側端部が
   画像形成領域よりも外側であり、かつ前記磁界発生手段
   の長手方向の磁力有効領域端部よりも内側であることを
   特徴とする磁気ブラシ帯電装置。
3. 【請求項３】前記被帯電体はアモルファスシリコン感光
   体であることを特徴とする請求項１または２に記載の磁
   気ブラシ帯電装置。