JP2002367379A - 不揮発性半導体記憶装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 特定のユーザーのみが読み出し、書き込みお
よび消去が可能なコマンドを設定することができる不揮
発性半導体記憶装置を提供する。 【解決手段】 外部から入力されるコマンドに従ってア
クセスが制御される不揮発性半導体記憶装置において、
予め定義可能なデータ値を有するユーザーコマンドコー
ドを格納する記憶手段９と、外部から入力されるコマン
ドと記憶手段に格納されたユーザーコマンドコードとを
比較する比較手段１と、比較手段による比較結果が一致
した場合にのみ、メモリ領域をアクセスするために必要
な制御信号を出力するアクセス制御部２とを設ける。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電気的にデータの
書き込みおよび消去が可能な不揮発性半導体記憶装置に
関し、特に、第三者のアクセスからデータを保護するこ
とが可能な不揮発性半導体記憶装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】フラッシュメモリは、電気的にデータの
書き込みおよび消去が可能な不揮発性半導体記憶装置
（不揮発性メモリ）の一種である。このフラッシュメモ
リは、データの書き込みや読み出しの他に、ブロック消
去やチップ一括消去および状態レジスタの読み出し等、
多数の動作モードを備えている。従って、実際に実用化
されているフラッシュメモリは、特公平６−３２２２６
号公報に開示されているように、データやアドレスの組
み合わせによって動作モードを設定および実行するコマ
ンド方式が主流になっている。

【０００３】図６は、このようなフラッシュメモリのコ
マンド入力部を示すブロック図である。ここでは、制御
信号であるチップイネーブル信号ＣＥバー２５およびラ
イトイネーブル信号ＷＥバー２６（以下、図中の「／」
は負論理バーを示す）がアクティブ（低電圧レベル）に
なったときに、データ信号２３やアドレス信号２４がコ
マンドとして取り込まれる。そして、外部から入力され
るデータ信号２３や制御信号ＣＥバー２５およびＷＥバ
ー２６の組み合わせによって、コマンドレジスタ回路２
１がコマンドの種類を判定する。そして、このコマンド
レジスタ２１から出力されるコマンド信号２７および外
部から入力されるアドレス信号２４に応じて、制御部２
２が各々のコマンドに応じた動作を実行することにな
る。

【０００４】図７は、上記コマンドレジスタ２１が判定
するコマンドの一部を示す図である。なお、ここで示す
読み出し以外の各コマンドは、２回のバスサイクルで入
力される。各バスサイクルでは、チップイネーブル信号
ＣＥバーおよびライトイネーブル信号ＷＥバーは共にア
クティブ（低電圧レベル）になる。

【０００５】この図７において、１回目のバスサイクル
で送られてきたデータがＦＦＨ（以下、「Ｈ」は数値が
１６進表記であることを示す）であった場合には、コマ
ンドレジスタ２１はデータ読み出しコマンドであると判
定して、アドレスＸに基づいて制御部２２に読み出し動
作を実行させる。

【０００６】また、１回目のバスサイクルで送られてき
たデータが４０Ｈであった場合には、コマンドレジスタ
２１はデータ書き込み（ワード書き込み）コマンドであ
ると判定して、２回目のバスサイクルで送られてきた書
き込みアドレスＷＡと書き込みデータＷＤに基づいて制
御部２２に書き込み動作を実行させる。

【０００７】また、１回目のバスサイクルと２回目のバ
スサイクルで送られてきたデータが各々２０ＨとＤ０Ｈ
であった場合には、コマンドレジスタ２１はブロック消
去コマンドであると判定して、２回目のバスサイクルで
送られてきたブロックアドレスＢＡに基づいて制御部２
２にブロック消去動作を実行させる。

【０００８】また、１回目のバスサイクルと２回目のバ
スサイクルで送られてきたデータが各々６０Ｈと０１Ｈ
であった場合には、コマンドレジスタ２１はブロックロ
ックビット設定コマンド（保護状態設定コマンド）であ
ると判定して、２回目のバスサイクルで送られてきたブ
ロックアドレスＢＡに基づいて制御部２２により、消去
ブロックに書き換え保護状態を設定させる。

【０００９】さらに、１回目のバスサイクルと２回目の
バスサイクルで送られてきたデータが各々６０ＨとＤ０
Ｈであった場合には、コマンドレジスタ２１はブロック
ロックビット解除コマンド（保護状態解除コマンド）で
あると判定して、制御部２２により、全ての消去ブロッ
クに書き換え保護状態を解除させる。

【００１０】なお、図７および後述する図４において読
み出しコマンドおよびブロックロックビット解除コマン
ドのアドレスＸは、その値が任意で良いことを示す。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】消去ブロック内のデー
タ消去と書き込みを禁止するライトプロテクト（書き換
え保護）機能を有効にするためには、上述したような方
法により、各消去ブロック毎に保護状態を設定すると共
に、ライトプロテクト信号ＷＰバー入力端子を通じて外
部から信号を入力する必要がある。

【００１２】ライトプロテクト信号ＷＰバーは、これが
アクティブ（低電圧レベル）である場合に各消去ブロッ
クに設定された保護状態を有効にし、非アクティブ（高
電圧レベル）である場合にこの保護状態を無効にするた
めの制御信号である。すなわち、ＷＰバー入力端子が低
電圧レベルに設定されている場合にのみ、保護状態を設
定された消去ブロックへの消去動作と書き込み動作を禁
止し、その他の場合には全て消去動作と書き込み動作を
実行可能とする。

【００１３】しかしながら、上記消去、書き込み、ライ
トプロテクトおよびその解除のためのコマンド設定方法
は、一般に、フラッシュメモリの製品仕様書によって公
開されているため、その製品仕様書を読めば、誰でも通
常の読み出し、消去および書き込みだけではなく、書き
換え保護の設定および解除までも行うことが可能であ
る。

【００１４】従って、従来においては、各ブロックに対
して保護状態を設定しても、書き換えを許さないように
データを保護することが充分であるとは言えなかった。

【００１５】本発明は、このような従来技術の課題を解
決するためになされたものであり、特定のユーザーのみ
が読み出し、書き込みおよび消去が可能なコマンドを設
定することができる不揮発性半導体記憶装置を提供する
ことを目的とする。

【００１６】

【課題を解決するための手段】本発明の不揮発性半導体
記憶装置は、外部から入力されるコマンドに従ってアク
セスが制御される不揮発性半導体記憶装置において、予
め定義可能なデータ値を有するユーザーコマンドコード
を格納する記憶手段と、外部から入力されるコマンドと
該記憶手段に格納されたユーザーコマンドコードとを比
較する比較手段と、該比較手段による比較結果が一致し
た場合にのみ、メモリ領域をアクセスするために必要な
制御信号を出力するアクセス制御部とを備え、そのこと
により上記目的が達成される。

【００１７】前記記憶手段は、外部から入力される予め
定められたアドレスに対して複数の選択信号を出力する
アドレスデコード回路と、該選択信号により選択される
複数の記憶領域とからなり、外部から入力される書き込
み用の制御信号が活性状態であり、かつ、特定の選択信
号が選択状態であるときに、前記コマンド内にユーザー
コマンド登録モードであることを示す情報がある場合に
は、外部から入力されるデータ信号を該選択信号により
選択された記憶領域に格納し、該コマンド内にユーザー
コマンド判定モードであることを示す情報がある場合に
は、該選択信号により選択された記憶領域に格納されて
いるデータを外部に出力することができる。

【００１８】前記比較手段は、外部から入力されるコマ
ンドを判別して、コマンドの種類を示すコマンド信号を
生成するコマンド信号生成部の一部を構成し、該コマン
ドを判別するためのデータと該記憶手段から出力された
データとを比較して、一致する場合には該コマンド信号
生成部から第１の論理レベルのコマンド信号を出力し、
一致しない場合には該コマンド信号生成部から第２の論
理レベルのコマンド信号を出力することができる。

【００１９】前記アクセス制御部は、前記コマンド信号
生成部からのコマンド信号と外部から入力されるコマン
ドを構成するアドレスから、該コマンド信号が第１の論
理レベルである場合には特定メモリ領域を制御する制御
信号を生成し、該コマンド信号が第２の論理レベルであ
る場合には特定メモリ領域以外のメインメモリ領域を制
御する制御信号を生成することができる。

【００２０】外部から入力されるコマンドに応じて予め
定められたコマンドデータを用いてメモリ領域にアクセ
スするモードと、外部から入力されるコマンドと前記記
憶手段に格納されたユーザーコマンドコードとを比較し
てメモリ領域へのアクセスを制御するモードとを切り替
える手段を有していてもよい。

【００２１】外部端子から入力される信号が高電圧状態
であることを検出する端子状態検出手段を有し、前記ア
クセス制御部は、該端子状態検出手段が特定状態を検出
した場合にのみ、メモリ領域をアクセスするために必要
な制御信号を出力する構成としてもよい。

【００２２】本発明の不揮発性半導体記憶装置は、外部
端子から入力される信号が特定状態であることを検出す
る端子状態検出手段を有し、該端子状態検出手段が特定
状態を検出した場合にのみ、メモリ領域をアクセスする
ために必要な制御信号を出力するアクセス制御部を備
え、そのことにより上記目的が達成される。

【００２３】外部から入力されるコマンドに従ってアク
セスが制御されるものであってもよい。

【００２４】前記端子状態検出手段は、予め定められた
高電圧を検出する高電圧検出回路であり、該高電圧検出
回路によって外部端子に高電圧信号が入力されたことを
検出した場合にのみ、メモリ領域をアクセスするために
必要な制御信号を出力するアクセス制御部を備えていて
もよい。

【００２５】特定メモリ領域は、特定のユーザーのみが
読み出し、書き込みおよび消去が可能で第三者のアクセ
スから保護すべきデータを格納する領域を有する構成と
することができる。

【００２６】以下に、本発明の作用について説明する。

【００２７】本発明にあっては、外部からデータ信号お
よび制御信号（チップイネーブル信号ＣＥバーおよびラ
イトイネーブル信号ＷＥバー）が入力され、データ信号
からコマンドの種類を判別してコマンド信号を出力する
コマンドレジスタ回路と、コマンド信号とアドレス信号
が入力され、メモリ領域のアクセス動作を制御する制御
部とを有する不揮発性半導体記憶装置において、後述す
る実施形態１に示すように、予め定められたアドレスに
対してアドレスデコード回路から出力される選択信号に
より選択され、データを格納する複数の記憶領域を有す
るユーザーコマンドコード記憶部を設ける。そして、コ
マンドレジスタに内蔵された比較手段によって、外部か
ら入力されるデータと記憶手段から出力されるデータと
を比較して、一致する場合にはアクセス制御部に特定メ
モリ領域を制御させる第１の論路レベルのコマンド信号
を出力し、一致しない場合にはアクセス制御部に特定メ
モリ領域以外のメインメモリ領域を制御させる第２の論
理レベルのコマンド信号を出力する。

【００２８】上記特定メモリ領域に、特定のユーザーの
みが読み出し、書き込みおよび消去ができるように、第
三者のアクセスから保護すべきデータを記憶させること
により、高いデータ保護機能を有する不揮発性半導体記
憶装置を実現することが可能である。

【００２９】さらに、他の本発明にあっては、後述する
実施形態２に示すように、端子状態検出手段により外部
端子から入力される信号が特定状態（例えば高電圧信
号）であることを検出した場合にのみ、アクセス制御部
によりメモリ領域をアクセスするために必要な制御信号
を出力する。この不揮発性半導体記憶装置は、外部から
入力されるコマンドに従ってアクセスが制御されるもの
であってもよい。

【００３０】上記特定メモリ領域に、特定のユーザーの
みが読み出し、書き込みおよび消去ができるように、第
三者のアクセスから保護すべきデータを記憶させること
により、高いデータ保護機能を有する不揮発性半導体記
憶装置を実現することが可能である。

【００３１】本発明にあっては、外部から入力されるコ
マンドに応じて予め定められたコマンドデータを使用し
てコマンドを実行するモードと、予めユーザーが記憶さ
せておいたコマンドデータと外部から入力されるコマン
ドとを比較してメモリ領域へのアクセスを制御するモー
ドとを切り替え可能である。モードの切り替えは、コマ
ンドデータに組み込んでおいてもよく、切り替え用の信
号を用いてもよい。さらに、高電圧が検出されたときに
モードを切り替えるようにしてもよい。

【００３２】

【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態につ
いて、図面に基づいて説明する。

【００３３】（実施形態１）図1は、本発明の一実施形
態であるフラッシュメモリのコマンド入力部を示すブロ
ック図である。図６に示した従来のフラッシュメモリの
構成からは、アドレスデコーダ８、ユーザーコマンドコ
ード記憶部９、およびコマンドレジスタ回路１内の比較
回路１２が設けられている点が異なる。

【００３４】ここでは、外部から入力されたデータ信号
３、制御信号であるチップイネーブル信号ＣＥバー５お
よびライトイネーブル信号ＷＥバー６がコマンドレジス
タ回路１およびユーザコマンド記憶部９に入力される。
そして、チップイネーブル信号ＣＥバー５およびライト
イネーブル信号ＷＥバー６がアクティブ（低電圧レベ
ル）になったときに、外部からデータ信号３やアドレス
信号４がコマンドとして取り込まれる。

【００３５】ユーザーコマンドコード記憶部９は、外部
から入力されるアドレス信号４およびアドレスデコーダ
８からの出力１０により選択される複数の記憶領域９−
１、９−２、・・・、９−ｎを有し、各々のアドレスに
応じてユーザーによって設定されるコマンドコード（以
下、ユーザーコマンドコードと称する）が各々の記憶領
域９−１、９−２、・・・、９−ｎに格納される。な
お、ユーザーコマンドコードは、後述するような方法に
よりユーザーが書き込んだデータ信号３の値である。ま
た、ユーザーコマンドコード記憶部９には、デコーダに
よりアドレスをデコードした信号が入力される。

【００３６】コマンドレジスタ回路１では、外部から入
力されるデータ信号３や制御信号ＣＥバー５およびＷＥ
バー６の組み合わせによって、コマンドの種類を判定す
る。さらに、コマンドレジスタ回路１は比較回路１２を
含んでおり、この比較回路１２によってユーザーコマン
ドコード記憶部９に記憶されたコマンドコード（ユーザ
ーコマンドコード）とデータ信号３とを比較してユーザ
ーコマンドであるか否かを識別し、コマンドの種類を識
別する情報にユーザーコマンドであるか否かの情報を加
えてコマンド信号７を出力する。例えば、両者が一致し
た場合にはユーザーコマンドであると判断して”１”の
ビットを出力し、両者が一致しない場合にはユーザーコ
マンドでないと判断して”０”のビットを出力する。

【００３７】このコマンドレジスタ回路１から出力され
るコマンド信号７および外部から入力されるアドレス信
号４に応じて、制御部２はユーザーコマンドコードであ
るか否かを識別し、メインメモリ領域を制御するか特定
メモリ領域を制御するかを判定して、各々の動作を実行
することになる。これにより、外部から入力されるコマ
ンドコードがユーザーコマンドコードである場合には特
定メモリ領域が制御され、それ以外のコマンドコードで
ある場合にはそれ以外のメインメモリ領域が制御され
る。

【００３８】なお、本明細書において、特定メモリ領域
とは、仕様書で公開されているメインメモリ領域に対す
るコマンドではアクセスできず、ユーザーによって設定
されたコマンドコードによってのみ読み出し、書き込み
および消去等のアクセス制御が可能な領域であり、デー
タの漏洩や改竄から保護すべきデータを格納する領域と
なる。この場合、メインメモリ領域と特定メモリ領域と
の各々のアドレス空間は連続していても独立していても
よい。また、ユーザーコマンドコードによってメインメ
モリ領域と特定メモリ領域の両方が制御されるようにす
ることもできる。さらに、ユーザコマンドコードが入力
された場合に限って、メインメモリ領域と特定メモリ領
域を含む全メモリ領域がアクセスされるようにすること
もできる。

【００３９】図２に、上記制御部２の具体的な構成を示
す。この制御部は、例えばアドレスデコーダ７１とイン
バータ回路と２つのＡＮＤゲートとで構成されている。
そして、ユーザーコマンドであるか否かを示すコマンド
信号７およびアドレス信号４を入力して、内部のアドレ
スデコーダ７１でアドレス信号４をデコードし、アドレ
スデコーダ７１の各出力とコマンド信号７の入力とのＡ
ＮＤ出力によって特定メモリ領域を選択し、アドレスデ
コーダ７１の各反転出力とコマンド信号７の入力とのＡ
ＮＤ出力によってメインメモリ領域を選択する構成にな
っている。なお、制御部の構成はこれに限られるもので
はない。

【００４０】以下に、ユーザーによりコマンドを登録す
る方法を上記図１および図３を用いて説明する。

【００４１】図１において、ユーザーコマンドコード記
憶部９内の記憶領域９−１、９−２、・・・、９−ｎ
は、コマンド入力に使用されないデータに初期化されて
いる。例えば、この記憶領域をメインメモリと同じフラ
ッシュメモリセルで構成する場合には、初期値は消去状
態のＦＦＨとすることができる。

【００４２】そして、チップイネーブル信号ＣＥバーお
よびライトイネーブル信号ＷＥバー６がアクティブ（低
電圧レベル）になったときに、データ信号３とアドレス
信号４とが各々ユーザーコマンドコード記憶部９および
アドレスデコーダ８に取り込まれる。

【００４３】アドレスデコーダ８では、アドレス信号４
をデコードし、予め定められたアドレスが入力される
と、それに対応して上記ユーザーコマンドコード記憶部
９内の記憶領域９−１、９−２、・・・、９−ｎのいず
れか１つを選択するデコード信号１０を出力し、選択さ
れた記憶領域にデータ信号３が格納される。

【００４４】図３は、本実施形態においてユーザーによ
って設定されるコマンド各々に対応するアドレス入力お
よびデータ入力の一例を示す図である。この図３におい
て、アドレスａ１〜ａ５はコマンドの一部を構成するア
ドレスであり、データアクセスの対象となるアドレス以
外、すなわち、データを読み出し、書き込み、消去する
メモリ領域および特定メモリ領域を指定するアドレス以
外のアドレスが用いられる。また、図３のデータ入力Ｆ
ＤＨ、ＣＤＨ、・・・は一例であり、これに限定される
ものではなく、他のコマンドコードと重複しないもので
あればよいが、後述するコマンド判定時のデータ入力と
区別するために、ここでは最上位ビットを１としてい
る。従って、データ入力の最上位１ビットによって、コ
マンド登録モードであるかコマンド判定モードであるか
を識別することができる。なお、同じ動作を設定するコ
マンドであれば、メインメモリ領域を指定するコマンド
コードと特定メモリ領域を指定するコマンドコードとは
一致していてもよく、ユーザーによって自由に設定する
ことができる。

【００４５】次に、コマンドレジスタ回路１において、
外部から入力されたデータ信号３やアドレス信号４の組
み合わせによって、コマンドの種類を判定する動作につ
いて説明する。

【００４６】読み出し以外の各コマンドは、２回のバス
サイクルで入力される。各バスサイクルでは、チップイ
ネーブル信号ＣＥバーおよびライトイネーブル信号ＷＥ
バーは共にアクティブ（低電圧レベル）になる。そのと
きに入力されるデータ信号３は、コマンドレジスタ回路
１内の比較回路１２によって、ユーザーコマンドコード
記憶部９の記憶領域９−１、９−２、・・・、９−ｎに
格納されたデータ１１と比較され、その比較結果に応じ
てコマンドレジスタ回路１からコマンド信号７を出力す
る。すなわち、入力されたアドレス４をアドレスデコー
ダ８でデコードし、デコード信号１０で選択されたユー
ザーコマンドコード記憶部９の記憶領域の格納データ
（記憶領域から出力されるデータ）１１と入力されたデ
ータ信号３が一致した場合には、特定メモリ領域を指定
するコマンド信号７を出力する。また、上記記憶領域の
格納データ１１と入力されたデータ信号３が一致しない
場合には、データ信号３をメインメモリ領域に対する公
開されているコマンドと見なして、コマンドの種類を判
定し、それに応じたコマンド信号７を出力する。

【００４７】以下に、その動作について、図４を用いて
詳述する。図４は、メインメモリ領域を指定するコマン
ドおよび特定メモリ領域を指定するコマンド各々に対応
するアドレス入力およびデータ入力を示す図である。こ
の図４では、ユーザーによって設定されるコマンドのデ
ータ入力は、上述したコマンド登録時のデータ入力と区
別するために、ここでは最上位ビットを０とし、下位ビ
ットは図３に示したデータ入力と同一としている。

【００４８】この図４において、１回目のバスサイクル
で送られてきたデータがＦＦＨであった場合には、コマ
ンドレジスタ１はデータ読み出しコマンドであると判定
して、アドレスＸに基づいて制御部２にメインメモリ領
域からの読み出し動作を実行させる。

【００４９】また、１回目のバスサイクルで送られてき
たデータが４０Ｈであった場合には、コマンドレジスタ
１はデータ書き込み（ワード書き込み）コマンドである
と判定して、２回目のバスサイクルで送られてきた書き
込みアドレスＷＡと書き込みデータＷＤに基づいて制御
部２にメインメモリ領域に書き込み動作を実行させる。
ここでのアドレスＷＡは、メインメモリ領域に対応した
アドレスである。

【００５０】また、１回目のバスサイクルと２回目のバ
スサイクルで送られてきたデータが各々２０ＨとＤ０Ｈ
であった場合には、コマンドレジスタ１はブロック消去
コマンドであると判定して、２回目のバスサイクルで送
られてきたブロックアドレスＢＡに基づいて制御部２に
メインメモリ領域内のブロック消去動作を実行させる。
ここでのブロックアドレスＢＡは、メインメモリ領域に
対応したブロックアドレスである。

【００５１】また、１回目のバスサイクルと２回目のバ
スサイクルで送られてきたデータが各々６０Ｈと０１Ｈ
であった場合には、コマンドレジスタ１はブロックロッ
クビット設定コマンド（保護状態設定コマンド）である
と判定して、２回目のバスサイクルで送られてきたブロ
ックアドレスＢＡに基づいて制御部２により、メインメ
モリ領域内の消去ブロックに書き換え保護状態を設定さ
せる。

【００５２】さらに、１回目のバスサイクルと２回目の
バスサイクルで送られてきたデータが各々６０ＨとＤ０
Ｈであった場合には、コマンドレジスタ１はブロックロ
ックビット解除コマンド（保護状態解除コマンド）であ
ると判定して、制御部２により、メインメモリ領域内の
全ての消去ブロックに書き換え保護状態を解除させる。

【００５３】一方、１回目のバスサイクルで送られてき
たアドレスがａ１であった場合、送られてきたデータと
ユーザーコマンド記憶部９の出力データ１１とを比較回
路１２により比較する。そして、７ＤＨと一致した場合
には、コマンドレジスタ１はデータ読み出しコマンドで
あると判定して、アドレス（読み出しアドレス）に基づ
いて制御部２に特定メモリ領域からの読み出し動作を実
行させる。

【００５４】また、１回目のバスサイクルで送られてき
たアドレスがａ２であった場合、送られてきたデータと
ユーザーコマンド記憶部９の出力データ１１とを比較回
路１２により比較する。そして、４ＤＨと一致した場合
には、コマンドレジスタ１はデータ書き込み（ワード書
き込み）コマンドであると判定して、２回目のバスサイ
クルで送られてきた書き込みアドレスＷＡと書き込みデ
ータＷＤに基づいて制御部２に特定メモリ領域に書き込
み動作を実行させる。ここでのアドレスＷＡは、特定メ
モリ領域に対応したアドレスである。

【００５５】また、１回目のバスサイクルで送られてき
たアドレスがａ３であった場合、１回目のバスサイクル
と２回目のバスサイクルで送られてきたデータを各々ユ
ーザーコマンド記憶部９の出力データ１１と比較回路１
２により比較する。そして、各々２ＤＨとＤ０Ｈであっ
た場合には、コマンドレジスタ１はブロック消去コマン
ドであると判定して、２回目のバスサイクルで送られて
きたブロックアドレスＢＡに基づいて制御部２に特定メ
モリ領域内のブロック消去動作を実行させる。ここでの
ブロックアドレスＢＡは、特定メモリ領域に対応したブ
ロックアドレスである。

【００５６】また、１回目のバスサイクルで送られてき
たアドレスがａ４であった場合、１回目のバスサイクル
で送られてきたデータと２回目のバスサイクルで送られ
てきたデータを各々ユーザーコマンド記憶部９の出力デ
ータ１１と比較回路１２により比較する。そして、各々
６ＤＨと０１Ｈであった場合には、コマンドレジスタ１
はブロックロックビット設定コマンド（保護状態設定コ
マンド）であると判定して、２回目のバスサイクルで送
られてきたブロックアドレスＢＡに基づいて制御部２に
より、特定メモリ内の消去ブロックに書き換え保護状態
を設定させる。

【００５７】さらに、１回目のバスサイクルで送られて
きたアドレスがａ５であった場合、１回目のバスサイク
ルで送られてきたデータと２回目のバスサイクルで送ら
れてきたデータを各々ユーザーコマンド記憶部９の出力
データ１１と比較回路１２により比較する。そして、各
々６ＤＨとＤ０Ｈであった場合には、コマンドレジスタ
１はブロックロックビット解除コマンド（保護状態解除
コマンド）であると判定して、制御部２により、特定メ
モリ領域内の全ての消去ブロックに書き換え保護状態を
解除させる。

【００５８】なお、本実施形態において、外部から入力
されるコマンドをそのまま使用するモードと、外部から
入力されるコマンドとユーザーコマンドコード記憶部に
記憶されたコードを比較してコマンドのモードを切り替
え可能とすることもできる。モードを切り替えるために
は、その情報をデータの一部に組み込んでおいたり、図
１に示すようなモード切り替え用の信号を入力するよう
にしてもよい。または、後述する実施形態２に示すよう
に、高電圧検出回路を設けて高電圧を検出したときにモ
ードを切り替えるようにしてもよい。モード切り替え用
の信号を用いた場合、制御部から出力される制御信号の
機能は、設定されたモードに従って切り替わる。

【００５９】（実施形態２）図５は、本発明の他の実施
形態であるフラッシュメモリのコマンド入力部を示すブ
ロック図である。図６に示した従来のフラッシュメモリ
の構成からは、高電圧検出回路３０が設けられている点
が異なる。

【００６０】ここでは、外部から入力されたデータ信号
３３、制御信号であるチップイネーブル信号ＣＥバー３
５およびライトイネーブル信号ＷＥバー３６がコマンド
レジスタ回路３１に入力される。そして、チップイネー
ブル信号ＣＥバー３５およびライトイネーブル信号ＷＥ
バー３６がアクティブ（低電圧レベル）になったとき
に、外部からデータ信号３３やアドレス信号３４がコマ
ンドとして取り込まれる。

【００６１】高電圧検出回路３０は、外部端子３８から
入力される高電圧パルス信号を検出し、コマンドレジス
タ回路３１に高レベル信号を出力する。高電圧検出回路
３０の出力３９は、通常は低電圧レベルである。

【００６２】コマンドレジスタ回路３１では、外部から
入力されるデータ信号３３や制御信号ＣＥバー３５およ
びＷＥバー３６の組み合わせによって、コマンドの種類
を判定する。さらに、コマンドレジスタ回路３１は、高
電圧検出回路３０から入力される信号レベルに応じて、
制御部３２がメインメモリ領域を制御するか特定メモリ
領域を制御するかを判定し、判定結果に応じたコマンド
信号７を出力する。

【００６３】このコマンドレジスタ回路１から出力され
るコマンド信号７に従って、制御部２はメインメモリ領
域または特定メモリ領域を制御する。これにより、高電
圧検出回路３０からの入力が低レベルである場合にはメ
インメモリ領域が制御され、高レベルの場合には特定メ
モリ領域が制御される。或いは、高電圧検出回路３０か
らの入力が高レベルの場合に、メインメモリ領域と特定
メモリ領域の両方が制御されるようにすることもでき
る。さらに、高電圧検出回路３０からの入力が高レベル
の場合に限って、メインメモリ領域と特定メモリ領域を
含む全メモリ領域がアクセスされるようにすることもで
きる。

【００６４】

【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
書き込み、消去、読み出し等のコマンドをユーザーによ
りカスタマイズ化することが可能であり、カスタマイズ
化されたユーザーコマンドを用いることにより、特定ユ
ーザーのみが特定メモリ領域へアクセスすることが可能
になる。よって、この特定メモリ領域に第三者からのア
クセスから保護すべきデータを記憶させることにより、
高いデータ保護機能を実現することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施形態１のフラッシュメモリのコマンド入力
部の構成を説明するためのブロック図である。

【図２】実施形態１のフラッシュメモリにおける制御部
の構成例を説明するためのブロック図である。

【図３】実施形態１においてユーザーコマンドコード記
憶部に格納されるコマンドの一例を示す図である。

【図４】実施形態１のフラッシュメモリにおけるコマン
ドの一例を示す図である。

【図５】実施形態２のフラッシュメモリのコマンド入力
部の構成を説明するためのブロック図である。

【図６】従来のフラッシュメモリのコマンド入力部の構
成を説明するためのブロック図である。

【図７】従来のフラッシュメモリにおけるコマンドの一
例を示す図である。

【符号の説明】

１、２１、３１ コマンドレジスタ回路 ２、２２、３２ 制御部 ３、２３、３３ データ信号 ４、２４、３４ アドレス ５、２５、３５ チップイネーブル信号ＣＥ ６、２６、３６ ライトイネーブル信号ＷＥ ７、２７、３７ コマンド信号 ８、７１ アドレスデコーダ ９ ユーザーコマンドコード記憶部 ９−１、９−２、・・・、９−ｎ ユーザーコマンドコ
ード記憶部内の記憶領域 １０ デコード信号 １１ ユーザーコマンドコード記憶部からの出力 １２ 比較回路 ３０ 高電圧検出回路 ３８ 外部端子 ３９ 高電圧検出回路からの出力

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5B017 AA01 AA04 BA09 CA11 5B025 AD00 AD01 AD02 AD14 AE00 AE10

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 外部から入力されるコマンドに従ってア
   クセスが制御される不揮発性半導体記憶装置において、 予め定義可能なデータ値を有するユーザーコマンドコー
   ドを格納する記憶手段と、 外部から入力されるコマンドと該記憶手段に格納された
   ユーザーコマンドコードとを比較する比較手段と、 該比較手段による比較結果が一致した場合にのみ、メモ
   リ領域をアクセスするために必要な制御信号を出力する
   アクセス制御部とを備えたことを特徴とする不揮発性半
   導体記憶装置。
2. 【請求項２】 前記記憶手段は、外部から入力される予
   め定められたアドレスに対して複数の選択信号を出力す
   るアドレスデコード回路と、該選択信号により選択され
   る複数の記憶領域とからなり、 外部から入力される書き込み用の制御信号が活性状態で
   あり、かつ、特定の選択信号が選択状態であるときに、
   前記コマンド内にユーザーコマンド登録モードであるこ
   とを示す情報がある場合には、外部から入力されるデー
   タ信号を該選択信号により選択された記憶領域に格納
   し、該コマンド内にユーザーコマンド判定モードである
   ことを示す情報がある場合には、該選択信号により選択
   された記憶領域に格納されているデータを外部に出力す
   ることを特徴とする請求項１に記載の不揮発性半導体記
   憶装置。
3. 【請求項３】 前記比較手段は、外部から入力されるコ
   マンドを判別して、コマンドの種類を示すコマンド信号
   を生成するコマンド信号生成部の一部を構成し、 該コマンドを判別するためのデータと該記憶手段から出
   力されたデータとを比較して、一致する場合には該コマ
   ンド信号生成部から第１の論理レベルのコマンド信号を
   出力し、一致しない場合には該コマンド信号生成部から
   第２の論理レベルのコマンド信号を出力することを特徴
   とする請求項１または請求項２に記載の不揮発性半導体
   記憶装置。
4. 【請求項４】 前記アクセス制御部は、前記コマンド信
   号生成部からのコマンド信号と外部から入力されるコマ
   ンドを構成するアドレスから、該コマンド信号が第１の
   論理レベルである場合には特定メモリ領域を制御する制
   御信号を生成し、該コマンド信号が第２の論理レベルで
   ある場合には特定メモリ領域以外のメインメモリ領域を
   制御する制御信号を生成することを特徴とする請求項３
   に記載の不揮発性半導体記憶装置。
5. 【請求項５】 外部から入力されるコマンドに応じて予
   め定められたコマンドデータを用いてメモリ領域にアク
   セスするモードと、外部から入力されるコマンドと前記
   記憶手段に格納されたユーザーコマンドコードとを比較
   してメモリ領域へのアクセスを制御するモードとを切り
   替える手段を有することを特徴とする請求項１乃至請求
   項４のいずれかに記載の不揮発性半導体記憶装置。
6. 【請求項６】 外部端子から入力される信号が高電圧状
   態であることを検出する端子状態検出手段を有し、前記
   アクセス制御部は、該端子状態検出手段が特定状態を検
   出した場合にのみ、メモリ領域をアクセスするために必
   要な制御信号を出力することを特徴とする請求項５に記
   載の不揮発性半導体記憶装置。
7. 【請求項７】 外部端子から入力される信号が特定状態
   であることを検出する端子状態検出手段を有し、該端子
   状態検出手段が特定状態を検出した場合にのみ、メモリ
   領域をアクセスするために必要な制御信号を出力するア
   クセス制御部を備えたことを特徴とする不揮発性半導体
   記憶装置。
8. 【請求項８】 外部から入力されるコマンドに従ってア
   クセスが制御される請求項７に記載の不揮発性半導体記
   憶装置。
9. 【請求項９】 前記端子状態検出手段は、予め定められ
   た高電圧を検出する高電圧検出回路であり、該高電圧検
   出回路によって外部端子に高電圧信号が入力されたこと
   を検出した場合にのみ、メモリ領域をアクセスするため
   に必要な制御信号を出力するアクセス制御部を備えたこ
   とを特徴とする請求項７または請求項８に記載の不揮発
   性半導体記憶装置。
10. 【請求項１０】 特定メモリ領域に、特定のユーザーの
    みが読み出し、書き込みおよび消去が可能で第三者のア
    クセスから保護すべきデータを格納する領域を有するこ
    とを特徴とする請求項１乃至請求項９のいずれかに記載
    の不揮発性半導体記憶装置。