JP2002363218A - 樹脂ペースト組成物及びこれを用いた半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 テープキャリア型ＢＧＡにおいてパッケージ
の反り変形量を低減し、マザーボートの接続信頼性を向
上することができ、且つ半田リフロー時のリフロークラ
ックの発生を低減し、耐リフロー信頼性を向上させるこ
とができる樹脂ペースト組成物及びこれを用いた高生産
性、高信頼性の半導体装置を提供する。 【解決手段】 一般式（Ｉ）で示される（メタ）アクリ
ル酸エステル化合物、ラジカル開始剤及び充填材を均一
分散させて組成物とする。又、この組成物を用いて半導
体素子を支持部材に接着した後、封止して半導体装置と
する。 【化１】 〔式中、Ｒ1 は水素原子又はメチル基を表わし、n 及び
m はそれぞれ独立に0 〜6 の整数を表わす。〕

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ＩＣ、ＬＳＩ等の
半導体素子を支持部材に接着するのに好適な樹脂ペース
ト組成物及びこれを用いた半導体装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】電子機器の小型化、処理速度の高速化に
伴い、半導体パッケージの多ピン化、狭ピッチ化の動き
が急速に高まっている。特に、表面実装型ロジック系Ｉ
Ｃでは、パッケージ裏面に半田ボールを配置しＩ／Ｏピ
ン数を大幅に増加できるＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｌｉｄ
Ａｒｒａｙ）の量産化が相次いでいる。又、更なる高密
度実装化や低コスト化の要求から、ＢＧＡベース基板は
従来のプリント配線板からテープキャリアへと移行して
きている。

【０００３】しかし、このテープキャリア型ＢＧＡ（以
下、Ｔ−ＢＧＡと略す）は、片面封止構造で且つ半導体
パッケージの外形に対するチップの占有面積が大きいこ
とから、チップと封止材との物性の差異により、パッケ
ージの反り変形が生じ、結果としてマザーボードとの接
続信頼性に劣るという問題がある。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、半導体パッ
ケージの反り変形量を低減し、半田リフロー時のリフロ
ークラックの発生を低減させることができる、特にＴ−
ＢＧＡ用として有用な樹脂ペースト組成物及びこれを用
いた半導体装置を提供することを目的とするものであ
る。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明者は、鋭意検討を
行った結果、樹脂ペースト組成物を高弾性率化すると共
に、樹脂ペースト組成物のテープキャリアに対するピー
ル強度を向上させることにより、上記樹脂ペースト組成
物及びこれを用いた生産性が高く、高信頼性の半導体装
置が作成できることを見出だして、本発明に到達した。

【０００６】すなわち、本発明は、（Ａ）一般式（Ｉ）
で示されるアクリル酸エステル化合物若しくはメタクリ
ル酸エステル化合物、（Ｂ）ラジカル開始剤及び（Ｃ）
充填材を含有してなる樹脂ペースト組成物を要旨とす
る。

【０００７】

【化２】 （式中、Ｒ1 は水素原子又はメチル基を表わし、n 及び
m はそれぞれ独立に0〜6 の整数を表わす。）又、本発
明の樹脂ペースト組成物は、（Ｃ）充填材が電気絶縁性
の充填材であることを特徴とする。又、本発明の樹脂ペ
ースト組成物は、更に、可とう化材を含有することから
なることを特徴とする。又、本発明の樹脂ペースト組成
物は、可とう化材がポリブタジエン又はその誘導体であ
ることを特徴とする。又、本発明の樹脂ペースト組成物
は、可とう化材がカルボキシ末端アクリロニトリル−ブ
タジエン共重合物であることを特徴とする。又、本発明
の樹脂ペースト組成物は、更に、カップリング剤を含有
することを特徴とする。又、本発明の樹脂ペースト組成
物は、更に、反応性希釈剤を含有することを特徴とす
る。

【０００８】更に、本発明は、上記の樹脂ペースト組成
物を用いて半導体素子を支持部材に接着した後、封止し
てなる半導体装置を要旨とする。又、本発明の上記半導
体装置は、支持部材がポリイミド製テープであることを
特徴とする。

【０００９】

【発明の実施の形態】本発明で用いられる（Ａ）成分の
アクリル酸エステル化合物又はメタクリル酸エステル化
合物としては、一般式（Ｉ）で示される化合物であれば
特に制限はなく、例えば、トリシクロデカンジオールジ
アクリレート、ジメチロールトリシクロデカンジアクリ
レート、ジエチロールトリシクロデカンジアクリレート
等のアクリル酸エステル化合物、トリシクロデカンジオ
ールジメタクリレート、ジメチロールトリシクロデカン
ジメタクリレート、ジエチロールトリシクロデカンジメ
タクリレート等のメタクリル酸エステル化合物等が挙げ
られる。（Ａ）成分のアクリル酸エステル化合物又はメ
タクリル酸エステル化合物は、上記の化合物を単独で又
は２種以上を組み合わせて使用することができる。

【００１０】本発明で用いられる（Ｂ）のラジカル開始
剤としては、特に制限はないが、ボイド等の点から有機
過酸化物が好ましく、又、樹脂ペースト組成物の硬化性
及び粘度安定性の点から、該有機過酸化物は、急速加熱
試験での分解温度が７０〜１７０℃を示すものが好まし
い。

【００１１】ラジカル開始剤の具体例としては、1,1,3,
3-テトラメチルパーオキシ 2- エチルヘキサノエート、
1,1-ビス（t - ブチルパーオキシ）シクロヘキサン、1,
1-ビス（t - ブチルパーオキシ）シクロドデカン、ジ-t
-ブチルパーオキシイソフタレート、t - ブチルパーベ
ンゾエート、ジクミルパーオキサイド、t - ブチルクミ
ルパーオキサイド、2,5-ジメチル-2,5- ジ（t - ブチル
パーオキシ）ヘキサン、2,5-ジメチル-2,5- ジ（t - ブ
チルパーオキシ）ヘキシン、クメンハイドロパーオキサ
イド等がある。

【００１２】ラジカル開始剤の配合量は、（Ａ）成分の
総量１００質量部に対して０．１〜１０質量部が好まし
く、０．５〜５質量部が特に好ましい。この配合割合が
０．１質量部未満であると、硬化性が低下する傾向があ
り、１０質量部を超えると、揮発分が多くなり、硬化物
中にボイドと呼ばれる空隙が生じ易くなる傾向がある。

【００１３】本発明で用いられる（Ｃ）の充填材として
は、特に制限はなく、各種のものが用いられるが、例え
ば、金、銀、銅、ニッケル、鉄、アルミニウム、ステン
レス鋼、酸化ケイ素、窒化ホウ素、酸化アルミニウム、
ホウ酸アルミニウム等の粉体が挙げられる。これらのう
ち、半導体パッケージの構造上、樹脂ペースト組成物に
対して電気絶縁性が要求される場合については、酸化ケ
イ素、窒化ホウ素、酸化アルミニウム、ホウ酸アルミニ
ウム等の電気絶縁性の充填材を使用するのが好ましい。

【００１４】充填材の配合量は特に限定しないが、本発
明の樹脂ペースト組成物総量に対して２０〜８５質量％
が好ましい。この配合量が２０質量％未満であると、熱
時の接着強度が低下する傾向があり、８５質量％を超え
ると、粘度が増大し、作製時の作業性及び使用時の塗布
作業性が低下する傾向がある。

【００１５】本発明で用いられる可とう化材としては、
各種の液状ゴムや熱可塑性樹脂が用いられるが、例え
ば、ポリブタジエン、ポリブタジエン誘導体、アクリロ
ニトリル−ブタジエン共重合体ゴム、スチレン−ブタジ
エン共重合体ゴム、ポリ酢酸ビニル、ポリアクリル酸メ
チル、ε−カプロラクトン変性ポリエステル、フェノキ
シ樹脂、ポリイミド等が挙げられる。ポリブタジエン誘
導体としては、マレイン化ポリブタジエン、アクリル化
ポリブタジエン、メタクリル化ポリブタジエン、エポキ
シ化ポリブタジエン等が、アクリロニトリル−ブタジエ
ン共重合体ゴムとしては、カルボキシ基末端アクリロニ
トリル−ブタジエン共重合体ゴム、アミノ基末端アクリ
ロニトリル−ブタジエン共重合体ゴム、ビニル基末端ア
クリロニトリル−ブタジエン共重合体ゴム等が挙げられ
る。これらの中でも、ポリブタジエン誘導体及びアクリ
ロニトリル−ブタジエン共重合体ゴム、特にカルボキシ
基末端アクリロニトリル−ブタジエン共重合体ゴムが好
ましい。又、可とう化材の配合量としては、（Ａ）成分
１００質量部に対して１〜１００質量部使用することが
好ましく、５〜４０質量部使用することがより好まし
い。この配合量が１質量部未満であると可とう化効果に
劣る傾向があり、１００質量部を超えると、粘度が増大
し、樹脂ペースト組成物の作業性が低下する傾向があ
る。

【００１６】本発明で用いられるカップリング剤として
は、特に制限はなく、シランカップリング剤、チタネー
ト系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤、
ジルコネート系カップリング剤、ジルコアルミネート系
カップリング剤等の各種のものが用いられる。

【００１７】カップリング剤の具体例としては、メチル
トリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、フェ
ニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラ
ン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシ
ラン、ビニルトリアセトキシシラン、ビニル- トリス
（2-メトキシエトキシ）シラン、γ- メタクリロキシプ
ロピルトリメトキシシラン、γ- メタクリロキシプロピ
ルメチルジメトキシシラン、メチルトリ（メタクリロキ
シエトキシ）シラン、γ- アクリロキシプロピルトリメ
トキシシラン、γ- アミノプロピルトリメトキシシラ
ン、γ- アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ- β-
（アミノエチル）- γ- アミノプロピルトリメトキシシ
ラン、Ｎ- β- （アミノエチル）- γ- アミノプロピル
メチルジメトキシシラン、Ｎ- β- （N-ビニルベンジル
アミノエチル）- γ- アミノプロピルトリメトキシシラ
ン、γ- アニリノプロピルトリメトキシシラン、γ- ウ
レイドプロピルトリメトキシシラン、γ- ウレイドプロ
ピルトリエトキシシラン、3-（4,5-ジヒドロイミダゾリ
ル）プロピルトリエトキシシラン、β- （3,4-エポキシ
シクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ- グリ
シドキシプロピルトリメトキシシラン、γ- グリシドキ
シプロピルメチルジエトキシシラン、γ- グリシドキシ
プロピルメチルジイソプロペノキシシラン、メチルトリ
グリシドキシシラン、γ- メルカプトプロピルトリメト
キシシラン、γ- メルカプトプロピルトリエトキシシラ
ン、γ- メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、
トリメチルシリルイソシアネート、ジメチルシリルイソ
シアネート、フェニルシリルトリイソシアネート、テト
ライソシアネートシラン、メチルシリルトリイソシアネ
ート、ビニルシリルトリイソシアネート、エトキシシラ
ントリイソシアネート等のシランカップリング剤、イソ
プロピルトリイソステアロイルチタネート、イソプロピ
ルトリドデシルベンゼンスルホニルチタネート、イソプ
ロピルトリス（ジオクチルパイロホスフェート）チタネ
ート、テトライソプロピルビス（ジオクチルホスファイ
ト）チタネート、テトラオクチルビス（ジトリデシルホ
スファイト）チタネート、テトラ（2,2-ジアリルオキシ
メチル-1- ブチル）ビス（ジ- トリデシル）ホスファイ
トチタネート、ビス（ジオクチルパイロホスフェート）
オキシアセテートチタネート、ビス（ジオクチルパイロ
ホスフェート）エチレンチタネート、イソプロピルトリ
オクタノイルチタネート、イソプロピルジメタクリルイ
ソステアロイルチタネート、イソプロピル（ジオクチル
ホスフェート）チタネート、イソプロピルトリクミルフ
ェニルチタネート、イソプロピルトリ（N-アミノエチル
・アミノエチル）チタネート、ジクミルフェニルオキシ
アセテートチタネート、ジイソステアロイルエチレンチ
タネート等のチタネート系カップリング剤、アセトアル
コキシアルミニウムジイソプロピレート等のアルミニウ
ム系カップリング剤、テトラプロピルジルコネート、テ
トラブチルジルコネート、テトラ（トリエタノールアミ
ン）ジルコネート、テトライソプロピルジルコネート、
ジルコニウムアセチルアセトネートアセチルアセトンジ
ルコニウムブチレート、ステアリン酸ジルコニウムブチ
レート等のジルコネート系カップリング剤等がある。

【００１８】カップリング剤の配合量は、（Ａ）成分の
総量１００質量部に対して０．１〜１０質量部が好まし
く、０．５〜５質量部が特に好ましい。この配合割合が
０．１質量部未満であると、接着強度の向上効果に劣る
傾向があり、１０質量部を超えると、揮発分が多くな
り、硬化物中にボイドが生じ易くなる傾向がある。

【００１９】本発明は、更に反応性希釈剤を用いること
ができる。反応性希釈剤としては、ラジカル重合性化合
物であれば特に制限はなく、アクリル酸エステル化合
物、メタクリル酸エステル化合物、スチレン、アルキル
スチレン化合物、ビニルエーテル化合物等の各種のもの
が用いられる。

【００２０】反応性希釈剤の具体例としては、メチルア
クリレート、エチルアクリレート、プロピルアクリレー
ト、イソプロピルアクリレート、n-ブチルアクリレー
ト、イソブチルアクリレート、t-ブチルアクリレート、
アミルアクリレート、イソアミルアクリレート、ヘキシ
ルアクリレート、ヘプチルアクリレート、オクチルアク
リレート、2-エチルヘキシルアクリレート、ノニルアク
リレート、デシルアクリレート、イソデシルアクリレー
ト、ラウリルアクリレート、トリデシルアクリレート、
ヘキサデシルアクリレート、ステアリルアクリレート、
イソステアリルアクリレート、シクロヘキシルアクリレ
ート、イソボルニルアクリレート、トリシクロ[5.2.1.0
^2,6 ] デシルアクリレート、2-（トリシクロ）[5.2.1.0
^2,6 ] デカ-3- エン-8又は9-イルオキシエチルアクリレ
ート、2-ヒドロキシエチルアクリレート、2-ヒドロキシ
プロピルアクリレート、2-ヒドロキシブチルアクリレー
ト、4-ヒドロキシブチルアクリレート、ジエチレングリ
コールアクリレート、ポリエチレングリコールアクリレ
ート、ポリプロピレングリコールアクリレート、2-メト
キシエチルアクリレート、2-エトキシエチルアクリレー
ト、2-ブトキシエチルアクリレート、メトキシジエチレ
ングリコールアクリレート、メトキシポリエチレングリ
コールアクリレート、2-フェノキシエチルアクリレー
ト、フェノキシジエチレングリコールアクリレート、フ
ェノキシポリエチレングリコールアクリレート、2-ベン
ゾイルオキシエチルアクリレート、2-ヒドロキシ-3- フ
ェノキシプロピルアクリレート、ベンジルアクリレー
ト、2-シアノエチルアクリレート、γ- アクリロキシプ
ロピルトリメトキシシラン、グリシジルアクリレート、
テトラヒドロフルフリルアクリレート、テトラヒドロピ
ラニルアクリレート、ジメチルアミノエチルアクリレー
ト、ジエチルアミノエチルアクリレート、1,2,2,6,6-ペ
ンタメチルピペリジニルアクリレート、2,2,6,6-テトラ
メチルピペリジニルアクリレート、エチレングリコール
ジアクリレート、1,4-ブタンジオールジアクリレート、
1,6-ヘキサンジオールジアクリレート、1,9-ノナンジオ
ールジアクリレート、1,3-ブタンジオールジアクリレー
ト、ネオペンチルグリコールジアクリレート、ジエチレ
ングリコールジアクリレート、トリエチレングリコール
ジアクリレート、テトラエチレングリコールジアクリレ
ート、ポリエチレングリコールジアクリレート、トリプ
ロピレングリコールジアクリレート、ポリプロピレング
リコールジアクリレート、ビス（アクリロキシプロピ
ル）ポリジメチルシロキサン、ビス（アクリロキシプロ
ピル）メチルシロキサン−ジメチルシロキサンコポリマ
ー等のアクリル酸エステル化合物、メチルメタクリレー
ト、エチルメタクリレート、プロピルメタクリレート、
イソプロピルメタクリレート、n-ブチルメタクリレー
ト、イソブチルメタクリレート、t-ブチルメタクリレー
ト、アミルメタクリレート、イソアミルメタクリレー
ト、ヘキシルメタクリレート、ヘプチルメタクリレー
ト、オクチルメタクリレート、2-エチルヘキシルメタク
リレート、ノニルメタクリレート、デシルメタクリレー
ト、イソデシルメタクリレート、ラウリルメタクリレー
ト、トリデシルメタクリレート、ヘキサデシルメタクリ
レート、ステアリルメタクリレート、イソステアリルメ
タクリレート、シクロヘキシルメタクリレート、イソボ
ルニルメタクリレート、トリシクロ[5.2.1.0^2,6 ] デシ
ルメタクリレート、2-（トリシクロ）[5.2.1.0^2,6 ] デ
カ-3- エン-8又は9-イルオキシエチルメタクリレート、
2-ヒドロキシエチルメタクリレート、2-ヒドロキシプロ
ピルメタクリレート、2-ヒドロキシブチルメタクリレー
ト、4-ヒドロキシブチルメタクリレート、、ジエチレン
グリコールメタクリレート、ポリエチレングリコールメ
タクリレート、ポリプロピレングリコールメタクリレー
ト、2-メトキシエチルメタクリレート、2-エトキシエチ
ルメタクリレート、2-ブトキシエチルメタクリレート、
メトキシジエチレングリコールメタクリレート、メトキ
シポリエチレングリコールメタクリレート、2-フェノキ
シエチルメタクリレート、フェノキシジエチレングリコ
ールメタクリレート、フェノキシポリエチレングリコー
ルメタクリレート、2-ベンゾイルオキシエチルメタクリ
レート、2-ヒドロキシ-3-フェノキシプロピルメタクリ
レート、ベンジルメタクリレート、2-シアノエチルメタ
クリレート、γ- メタクリロキシプロピルトリメトキシ
シラン、グリシジルメタクリレート、テトラヒドロフル
フリルメタクリレート、テトラヒドロピラニルメタクリ
レート、ジメチルアミノエチルメタクリレート、ジエチ
ルアミノエチルメタクリレート、1,2,2,6,6-ペンタメチ
ルピペリジニルメタクリレート、2,2,6,6-テトラメチル
ピペリジニルメタクリレート、エチレングリコールジメ
タクリレート、1,4-ブタンジオールジメタクリレート、
1,6-ヘキサンジオールジメタクリレート、1,9-ノナンジ
オールジメタクリレート、1,3-ブタンジオールジメタク
リレート、ネオペンチルグリコールジメタクリレート、
ジエチレングリコールジメタクリレート、トリエチレン
グリコールジメタクリレート、テトラエチレングリコー
ルジメタクリレート、ポリエチレングリコールジメタク
リレート、トリプロピレングリコールジメタクリレー
ト、ポリプロピレングリコールジメタクリレート、ビス
（メタクリロキシプロピル）ポリジメチルシロキサン、
ビス（メタクリロキシプロピル）メチルシロキサン−ジ
メチルシロキサンコポリマー等のメタクリル酸エステル
化合物、スチレン、ビニルトルエン等のアルキルスチレ
ン化合物、エチレングリコールジビニルエーテル、プロ
ピレングリコールジビニルエーテル、1,4-ブタンジオー
ルジビニルエーテル、1,6-ヘキサンジオールジビニルエ
ーテル、1,9-ノナンジオールジビニルエーテル、シクロ
ヘキサンジメタノールジビニルエーテル、ジエチレング
リコールジビニルエーテル、トリエチレングリコールジ
ビニルエーテル、テトラエチレングリコールジビニルエ
ーテル、ポリエチレングリコールジビニルエーテル、メ
トキシポリエチレングリコールモノビニルエーテル、ジ
プロピレングリコールジビニルエーテル、トリプロピレ
ングリコールジビニルエーテル、テトラプロピレングリ
コールジビニルエーテル、ポリプロピレングリコールジ
ビニルエーテル、ポリ（1,4-ブタンジオール）ジビニル
エーテル、ポリテトラヒドロフランジビニルエーテル等
のビニルエーテル化合物等が挙げられる。

【００２１】反応性希釈剤の配合量としては（Ａ）成分
の総量１００質量部に対して０．５〜５０質量部が好ま
しく、２〜２０質量部が特に好ましい。この配合割合が
０．５質量部未満であると、希釈効果に劣る傾向があ
り、５０質量部を超えると、硬化物の弾性率が小さくな
り、パッケージの反り変形量が大きくなる傾向がある。

【００２２】本発明の樹脂ペースト組成物は、更に、必
要に応じて酸化カルシウム、酸化マグネシウム等の吸湿
剤、フッ素系界面活性剤、ノニオン系界面活性剤、高級
脂肪酸等の濡れ向上剤、シリコーン油等の消泡剤、無機
イオン交換体等のイオントラップ剤、粘度調整のための
溶剤等を単独又は数種類を組み合わせて、適宜添加する
ことができる。なお、溶剤を添加する場合、ボイドの点
から樹脂ペースト組成物の総量に対して３質量％以下と
することが好ましい。

【００２３】本発明の樹脂ペースト組成物を製造するに
は、（Ａ）前記一般式（Ｉ）で示されるアクリル酸エス
テル化合物若しくはメタクリル酸エステル化合物、
（Ｂ）ラジカル開始剤及び（Ｃ）充填材を、必要に応じ
て用いられる可とう化剤、カップリング剤及び／又は反
応性希釈剤、更に上記各種添加剤と共に、一括又は分割
して撹拌器、ライカイ機、３本ロール、プラネタリーミ
キサー等の分散・溶解装置を適宜組み合わせた装置に投
入し、必要に応じて加熱して混合、溶解、解粒混練又は
分散して均一なペースト状とすれば良い。

【００２４】本発明は、更に、上記のようにして製造し
た樹脂ペースト組成物を用いて半導体素子と支持部材と
を接着した後、封止することにより半導体装置とするも
のである。支持部材としては、耐熱性樹脂製のテープキ
ャリアが好ましく、例えば、ポリイミド製のテープキャ
リアが挙げられ、その具体例としては、エスパネックス
（商品名、新日鐵化学社製、ポリイミド樹脂製テープキ
ャリア）、ユーピレックスＳ、ユーピレックスＲ（共に
商品名、宇部興産社製、ポリイミド樹脂製テープキャリ
ア）等が挙げられる。

【００２５】本発明の樹脂ペースト組成物を用いて半導
体素子を支持部材に接着させるには、まず支持部材上に
樹脂ペースト組成物をディスペンス法、スクリーン印刷
法、スタンピング法等により塗布した後、半導体素子を
圧着し、その後オーブン又はヒートブロック等の加熱装
置を用いて加熱硬化することにより行うことができる。
更に、ワイヤボンド工程を経た後、通常の方法により封
止することにより完成された半導体装置とすることがで
きる。

【００２６】上記加熱硬化は、低温での長時間硬化の場
合や、高温での速硬化の場合により異なるが、通常、温
度１００〜３００℃、好ましくは１３０〜２２０℃で、
５秒〜３時間、好ましくは１５秒〜１時間で行われる。

【００２７】

【実施例】次に、実施例により本発明を詳細に説明する
が、本発明はこれによって制限されるものではない。

【００２８】実施例及び比較例で用いた化合物は以下の
通りである。 （１）硬化促進剤 ２Ｐ４ＭＨＺ（商品名、四国化成社製、イミダゾール
類） （２）希釈剤 ＰＰ−１０１（商品名、東都化成社製、アルキルフェニ
ルグリシジルエーテル、エポキシ当量=230） （３）アクリル酸エステル化合物及びメタクリル酸エス
テル化合物 ＤＣＰ−Ａ（商品名、共栄社化学社製、ジメチロールト
リシクロデカンジアクリレート） Ａ−２００（商品名、新中村化学社製、ポリエチレング
リコールジアクリレート） （４）ラジカル開始剤 ジクミルパーオキサイド （５）可とう化材 ＣＴＢＮ１３００×３１（商品名、宇部興産社製、カル
ボキシ末端アクリロニトリル−ブタジエン共重合体ゴ
ム） （６）カップリング剤 γ- グリシドキシプロピルトリメトキシシラン （７）充填材 ＢＮ−ＧＰ（商品名、電気化学工業社製、窒化ホウ素）

【００２９】又、比較例で用いたエポキシ樹脂、硬化剤
は以下のようにして作製した。 （１）エポキシ樹脂の調製 ＹＤＦー１７０（商品名、東都化成社製、ビスフェノー
ルＦ型エポキシ樹脂、エポキシ当量=170）７．５質量部
及びＹＬ−９８０（商品名、油化シェルエポキシ社製、
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、エポキシ当量=185）
７．５質量部を８０℃に加熱し、１時間撹拌を続け、均
一なエポキシ樹脂溶液を得た。 （２）硬化剤の調製 Ｈ−１（商品名、明和化成社製、フェノールノボラック
樹脂、ＯＨ当量=106）１．０質量部及び希釈剤としてＰ
Ｐ−１０１（商品名、東都化成社製、アルキルフェニル
グリシジルエーテル、エポキシ当量=230）２．０質量部
を１００℃に加熱し、１時間撹拌を続け、均一なフェノ
ール樹脂溶液を得た。

【００３０】表１に示す配合割合（質量部）で、各材料
（配合物）を混合し、３本ロールを用いて混練した後、
５トル（Torr）以下で１０分間脱泡処理を行い、樹脂ペ
ースト組成物を得た。

【００３１】この樹脂ペースト組成物の特性（粘度、硬
化物の弾性率、ピール強度、パッケージ反り、耐リフロ
ー性）を下記に示す方法で調べた。その結果を表１に示
す。

【００３２】（１）粘度：ＥＨＤ型回転粘度計（東京計
器社製）を用いて２５℃における粘度（Ｐａ・ｓ）を測
定した。 （２）硬化物の弾性率：オーブンで１８０℃まで３０分
で昇温し１８０℃で１時間硬化させた樹脂ペースト組成
物を50mm×10mm×0.2mm のサイズに切り出し、テンシロ
ン（オリエンテック社製、ＲＴＭ−１００）を用いて、
速度１．０ｍｍ／分で引張試験を行った。 （３）ソルダーレジスト面に対するピール強度：樹脂ペ
ースト組成物をソルダーレジスト付きガラスエポキシ基
板上に約１０．０ｍｇ塗布し、この上に8mm ×8mm のＳ
ｉチップ（厚さ0.4mm ）を圧着し、さらにオーブンで１
８０℃まで３０分で昇温し１８０℃で１時間硬化させ
た。これを自動接着力装置（日立化成社製、内製）を用
い、２４０℃における引き剥がし強さ（Ｎ／チップ）を
測定した。 （４）ポリイミド面に対するピール強度：樹脂ペースト
組成物を8mm ×8mm のＳｉチップ（厚さ0.4mm ）上に約
６．２ｍｇ塗布し、この上に5mm 幅に裁断したポリイミ
ドテープキャリアを圧着し、さらにオーブンで１８０℃
まで３０分で昇温し１８０℃で１時間硬化させた。これ
をテンションゲージを用い、２４０℃における引き剥が
し強さ（Ｎ／チップ）を測定した。 （６）パッケージ反り：実施例及び比較例により得た樹
脂ペースト組成物を用い、下記テープキャリアとＳｉチ
ップを、下記の硬化条件により硬化し接着した。その後
日立化成工業製エポキシ封止材（商品名：ＣＥＬ−４６
２０）により封止し、パッケージ反り測定用パッケージ
を得た。そのパッケージ裏面の反り変形量（μｍ）を表
面粗さ計（sloan 社製、Dektuk 3030 ）を用いを測定し
た。 チップサイズ：11.5mm×11.5mm パッケージサイズ：18mm×18mm×0.8mm 支持部材：ポリイミドテープキャリア 硬化条件：１８０℃まで３０分で昇温、１８０℃で１時
間硬化 （７）耐リフロー性：実施例及び比較例により得た樹脂
ペースト組成物を用い、下記テープキャリアとＳｉチッ
プを、下記の硬化条件により硬化し接着した。その後日
立化成工業製エポキシ封止材（商品名：ＣＥＬ−４６２
０）により封止し、半田リフロー試験用パッケージを得
た。そのパッケージを温度及び相対湿度がそれぞれ８５
℃、６０％の条件に設定された恒温恒湿槽中で１６８時
間吸湿させた。その後２４０℃／１０秒のリフロー条件
で半田リフローを行い、パッケージの内部クラックの発
生数を走査型超音波顕微鏡で観察した。１０個のサンプ
ルについてクラックの発生したサンプル数を示す。 チップサイズ：11.5mm×11.5mm パッケージサイズ：18mm×18mm×0.8mm 支持部材：ポリイミドテープキャリア 硬化条件：１８０℃まで３０分で昇温、１８０℃で１時
間硬化

【００３３】

【表１】

【００３４】表１の結果から、本発明の樹脂ペースト組
成物（実施例１及び２）は従来のエポキシ樹脂を用いた
樹脂ペースト組成物（比較例１）及び一般式（Ｉ）で示
されるアクリル酸エステルを使用しなかった場合（比較
例２）に比較して、硬化物の弾性率が高く、その結果パ
ッケージ反りが小さくなることが確認された。更に、本
発明の樹脂ペースト組成物（実施例１及び２）は比較例
１、２に比較してソルダーレジスト面、ポリイミド面の
いずれに対しても高いピール強度を示しており、耐リフ
ロー性も優れていた。

【００３５】

【発明の効果】本発明の樹脂ペースト組成物は、テープ
キャリア型ＢＧＡのダイボンディング材として使用した
場合に、パッケージの反り変形量を低減することがで
き、且つ半田リフロー時のペースト層の剥離を抑えるこ
とができ、リフロークラックの発生を低減させる。その
結果、半導体装置としての信頼性および半導体装置をマ
ザーボードに搭載する際の実装信頼性を向上させること
ができる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ０９Ｊ 4/02 Ｃ０９Ｊ 4/02 7/02 7/02 Ｚ 109/00 109/00 109/02 109/02 Ｈ０１Ｌ 21/52 Ｈ０１Ｌ 21/52 Ｅ Ｆターム(参考） 4J002 AC032 AC072 AC082 AC102 AC112 BF022 BG031 BG062 CF272 CH082 CM042 DA077 DA087 DA097 DC007 DE147 DJ017 DK007 EA049 ED029 EH119 EK026 EK036 EK056 EX018 EX038 EX068 EX078 EX088 EZ008 FD017 FD156 GQ05 4J004 AA05 AA09 AA10 AA16 AB05 CA06 CC02 EA06 FA05 4J040 CA042 CA072 CA082 DB052 DF042 FA132 FA151 GA01 GA05 GA07 GA08 GA11 GA14 GA20 GA24 HA066 HA136 HA306 HA326 HB41 HD32 HD41 KA14 KA16 KA24 KA42 PA24 4J100 AL66P BC12P CA01 DA57 FA03 JA46 5F047 AA00 AB00 BA23 BB11

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 （Ａ）一般式（Ｉ）で示されるアクリル
   酸エステル化合物若しくはメタクリル酸エステル化合
   物、（Ｂ）ラジカル開始剤及び（Ｃ）充填材を含有して
   なる樹脂ペースト組成物。 【化１】 （式中、Ｒ1 は水素原子又はメチル基を表わし、n 及び
   m はそれぞれ独立に0〜6 の整数を表わす。）
2. 【請求項２】（Ｃ）充填材が電気絶縁性の充填材である
   請求項１に記載の樹脂ペースト組成物。
3. 【請求項３】 更に、可とう化材を含有することからな
   る請求項１又は２に記載の樹脂ペースト組成物。
4. 【請求項４】 可とう化材がポリブタジエン又はその誘
   導体である請求項３に記載の樹脂ペースト組成物。
5. 【請求項５】 可とう化材がカルボキシ末端アクリロニ
   トリル−ブタジエン共重合物である請求項３に記載の樹
   脂ペースト組成物。
6. 【請求項６】 更に、カップリング剤を含有することか
   らなる請求項１〜５のいずれか１項に記載の樹脂ペース
   ト組成物。
7. 【請求項７】 更に、反応性希釈剤を含有することから
   なる請求項１〜６のいずれか１項に記載の樹脂ペースト
   組成物。
8. 【請求項８】 請求項１〜７のいずれか１項に記載の樹
   脂ペースト組成物を用いて半導体素子を支持部材に接着
   した後、封止してなる半導体装置。
9. 【請求項９】 支持部材がポリイミド製テープである請
   求項８に記載の半導体装置。