JP2002353765A - 可変減衰器 - Google Patents
可変減衰器Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 位相変動補償用の位相調整器が不要で、可変
減衰器の通過位相変動量が小さく、かつ、小型で安価な
可変減衰器を得る。 【解決手段】 第１及び第２のＦＥＴ（可変抵抗素子）
２ａ，２ｂ，３を備えた可変減衰器であって、第１及び
第２のＦＥＴ（可変抵抗素子）２ａ，２ｂ，３に印加さ
れる制御電圧Ｖｇ１，Ｖｇ２と可変減衰器の通過減衰特
性及び通過位相特性との関係を示す予め取得されたデー
タを記録したＲＯＭ６と、ＲＯＭ６に記録されたデータ
を基に、所望の通過減衰量が得られ、かつ、通過位相量
の変動が最小となる制御電圧印加条件を求める計算回路
５と、求められた制御電圧印加条件に基づいて、第１及
び第２のＦＥＴ２ａ，２ｂ，３に制御電圧を印加するＤ
／Ａ変換回路７ａ，７ｂとを備えている。
減衰器の通過位相変動量が小さく、かつ、小型で安価な
可変減衰器を得る。 【解決手段】 第１及び第２のＦＥＴ（可変抵抗素子）
２ａ，２ｂ，３を備えた可変減衰器であって、第１及び
第２のＦＥＴ（可変抵抗素子）２ａ，２ｂ，３に印加さ
れる制御電圧Ｖｇ１，Ｖｇ２と可変減衰器の通過減衰特
性及び通過位相特性との関係を示す予め取得されたデー
タを記録したＲＯＭ６と、ＲＯＭ６に記録されたデータ
を基に、所望の通過減衰量が得られ、かつ、通過位相量
の変動が最小となる制御電圧印加条件を求める計算回路
５と、求められた制御電圧印加条件に基づいて、第１及
び第２のＦＥＴ２ａ，２ｂ，３に制御電圧を印加するＤ
／Ａ変換回路７ａ，７ｂとを備えている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は可変減衰器に関
し、特に、マイクロ波帯及びミリ波帯において信号の振
幅を電気的に変化させるための可変減衰器に関するもの
である。
し、特に、マイクロ波帯及びミリ波帯において信号の振
幅を電気的に変化させるための可変減衰器に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】可変減衰器は、レーダーや通信装置など
の送受信器において、必要とする送信電力や受信電力を
得るための、高周波信号の振幅制御用に広く用いられて
いる。一方、複数のアンテナ素子の各々に接続されてい
る送受信器と移相器を用い、高周波信号の位相を制御す
ることでアンテナの指向方向を変えるフェーズドアレイ
アンテナにおいては、移相量の誤差はアンテナの指向方
向の誤差要因となるため、送受信器の構成品の一部であ
る可変減衰器においても、減衰量を可変した場合の通過
位相量の変動を極力少なくする必要がある。
の送受信器において、必要とする送信電力や受信電力を
得るための、高周波信号の振幅制御用に広く用いられて
いる。一方、複数のアンテナ素子の各々に接続されてい
る送受信器と移相器を用い、高周波信号の位相を制御す
ることでアンテナの指向方向を変えるフェーズドアレイ
アンテナにおいては、移相量の誤差はアンテナの指向方
向の誤差要因となるため、送受信器の構成品の一部であ
る可変減衰器においても、減衰量を可変した場合の通過
位相量の変動を極力少なくする必要がある。
【０００３】図８は、例えば特開平８−１６２８８６号
公報に示された従来の可変減衰器の構成を示したもので
ある。図において、１０１ａ及び１０１ｂは高周波信号
入出力端子、１０２は可変減衰器、１０３は位相調整
器、１０４は制御信号入力端子、１０５はＡ／Ｄ変換
器、１０６はマイクロプロセッサユニット、１０７はＲ
ＯＭ、１０８ａ及び１０８ｂはＤ／Ａ変換器である。
公報に示された従来の可変減衰器の構成を示したもので
ある。図において、１０１ａ及び１０１ｂは高周波信号
入出力端子、１０２は可変減衰器、１０３は位相調整
器、１０４は制御信号入力端子、１０５はＡ／Ｄ変換
器、１０６はマイクロプロセッサユニット、１０７はＲ
ＯＭ、１０８ａ及び１０８ｂはＤ／Ａ変換器である。
【０００４】次に動作について説明する。高周波信号入
出力端子１０１ａに入力された高周波信号は、可変減衰
器１０２を経て位相調整器１０３に入力され、位相補償
を与えられた後、高周波信号入出力端子１０１ｂから出
力される。ここで、減衰量を制御するために制御信号入
力端子１０４から入力される制御信号は、Ａ／Ｄ変換器
１０５でデジタルデータに変換され、この変換されたデ
ジタルデータはさらにマイクロプロセッサユニット１０
６により可変減衰器２及び位相調整器１０３を制御する
ための２種のデジタル信号にさらに変換される。この変
換は、ＲＯＭ１０７に記録された電圧―減衰特性及び電
圧―位相特性の変換テーブルを用いて行われる。このよ
うにして変換された２種のデジタル信号は、Ｄ／Ａ変換
器１０８ａ及び１０８ｂにより、アナログ信号としての
直流電圧に再変換され、それぞれ可変減衰器１０２及び
位相調整器１０３に印加される。このとき可変減衰器１
０２により生じる高周波信号の通過位相量の変動を、予
めＲＯＭ１０７に記憶させておき、その通過位相量の変
動を相殺させるような位相変化を、位相調整器１０３で
行うことにより、減衰時の通過位相量の変動が少ない可
変減衰器を得る。
出力端子１０１ａに入力された高周波信号は、可変減衰
器１０２を経て位相調整器１０３に入力され、位相補償
を与えられた後、高周波信号入出力端子１０１ｂから出
力される。ここで、減衰量を制御するために制御信号入
力端子１０４から入力される制御信号は、Ａ／Ｄ変換器
１０５でデジタルデータに変換され、この変換されたデ
ジタルデータはさらにマイクロプロセッサユニット１０
６により可変減衰器２及び位相調整器１０３を制御する
ための２種のデジタル信号にさらに変換される。この変
換は、ＲＯＭ１０７に記録された電圧―減衰特性及び電
圧―位相特性の変換テーブルを用いて行われる。このよ
うにして変換された２種のデジタル信号は、Ｄ／Ａ変換
器１０８ａ及び１０８ｂにより、アナログ信号としての
直流電圧に再変換され、それぞれ可変減衰器１０２及び
位相調整器１０３に印加される。このとき可変減衰器１
０２により生じる高周波信号の通過位相量の変動を、予
めＲＯＭ１０７に記憶させておき、その通過位相量の変
動を相殺させるような位相変化を、位相調整器１０３で
行うことにより、減衰時の通過位相量の変動が少ない可
変減衰器を得る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来の可変減衰器は、
可変減衰器の通過位相量の変動を補正するために位相調
整器が必要であるため、回路が大型化し、高価になって
しまうという問題点があった。
可変減衰器の通過位相量の変動を補正するために位相調
整器が必要であるため、回路が大型化し、高価になって
しまうという問題点があった。
【０００６】この発明は、かかる問題点を解決するため
になされたものであり、減衰時の通過位相量の変動が少
ない、小型で安価な可変減衰器を得ることを目的とす
る。
になされたものであり、減衰時の通過位相量の変動が少
ない、小型で安価な可変減衰器を得ることを目的とす
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明は、制御電圧に
より抵抗値が変化する可変抵抗手段を有し、この可変抵
抗手段に制御電圧を印加するようにした可変減衰器であ
って、前記可変抵抗手段の制御電圧と前記可変減衰器の
通過減衰特性及び通過位相特性との関係を示すデータを
記録したＲＯＭと、前記ＲＯＭに記録された前記データ
を基に、所望の通過減衰量が得られ、かつ、通過位相量
の変動が最小となる制御電圧印加条件を求める計算回路
と、前記制御電圧印加条件に基づき、前記可変抵抗手段
に制御電圧を印加するＤ／Ａ変換回路とを備えた可変減
衰器である。
より抵抗値が変化する可変抵抗手段を有し、この可変抵
抗手段に制御電圧を印加するようにした可変減衰器であ
って、前記可変抵抗手段の制御電圧と前記可変減衰器の
通過減衰特性及び通過位相特性との関係を示すデータを
記録したＲＯＭと、前記ＲＯＭに記録された前記データ
を基に、所望の通過減衰量が得られ、かつ、通過位相量
の変動が最小となる制御電圧印加条件を求める計算回路
と、前記制御電圧印加条件に基づき、前記可変抵抗手段
に制御電圧を印加するＤ／Ａ変換回路とを備えた可変減
衰器である。
【０００８】また、前記ＲＯＭが、前記データに加え、
さらに、前記可変抵抗手段の制御電圧と前記可変減衰器
の反射特性との関係を示すデータを記録しており、前記
計算回路が、前記ＲＯＭに記録された前記データを基
に、所望の通過減衰量および反射量が得られ、かつ、通
過位相量の変動が最小となる制御電圧印加条件を求め
る。
さらに、前記可変抵抗手段の制御電圧と前記可変減衰器
の反射特性との関係を示すデータを記録しており、前記
計算回路が、前記ＲＯＭに記録された前記データを基
に、所望の通過減衰量および反射量が得られ、かつ、通
過位相量の変動が最小となる制御電圧印加条件を求め
る。
【０００９】また、前記ＲＯＭが、各々の使用温度毎
の、前記可変抵抗素子の制御電圧と前記可変減衰器の通
過減衰特性、反射特性及び通過位相特性との関係を示す
データを記録しており、前記計算回路が、使用する温度
情報を入力とし、前記ＲＯＭに記録された前記データを
基に、入力された使用温度において所望の通過減衰量お
よび反射量が得られ、かつ、通過位相量の変動が最小と
なる制御電圧印加条件を求める。
の、前記可変抵抗素子の制御電圧と前記可変減衰器の通
過減衰特性、反射特性及び通過位相特性との関係を示す
データを記録しており、前記計算回路が、使用する温度
情報を入力とし、前記ＲＯＭに記録された前記データを
基に、入力された使用温度において所望の通過減衰量お
よび反射量が得られ、かつ、通過位相量の変動が最小と
なる制御電圧印加条件を求める。
【００１０】
【発明の実施の形態】実施の形態１．図１はこの発明の
実施の形態１による可変減衰器の構成を示す図である。
図１において、１ａ及び１ｂは、高周波信号の入出力が
行われる高周波信号入出力端子、２ａ及び２ｂは、制御
電圧により抵抗値が変化する可変抵抗素子としての働き
をする第１のＦＥＴ、３は同じく可変抵抗素子としての
働きをする第２のＦＥＴ、４は第１のＦＥＴ２ａ，２ｂ
および第２のＦＥＴ３から構成される減衰回路、５は、
後述するＲＯＭデータを基に、外部から設定された所望
の通過減衰特性を満足しし、かつ、通過位相量の変動が
最小となる制御電圧印加条件を求める計算回路、６は、
第１及び第２のＦＥＴ２，３の制御電圧と可変減衰器４
の通過減衰特性、通過位相特性の各々の関係を変換テー
ブルとして記録したＲＯＭ、７ａ及び７ｂは、計算回路
５により得られた制御電圧印加条件に基づいて、第１及
び第２のＦＥＴ２，３に制御電圧を印加するＤ／Ａ変換
器である。
実施の形態１による可変減衰器の構成を示す図である。
図１において、１ａ及び１ｂは、高周波信号の入出力が
行われる高周波信号入出力端子、２ａ及び２ｂは、制御
電圧により抵抗値が変化する可変抵抗素子としての働き
をする第１のＦＥＴ、３は同じく可変抵抗素子としての
働きをする第２のＦＥＴ、４は第１のＦＥＴ２ａ，２ｂ
および第２のＦＥＴ３から構成される減衰回路、５は、
後述するＲＯＭデータを基に、外部から設定された所望
の通過減衰特性を満足しし、かつ、通過位相量の変動が
最小となる制御電圧印加条件を求める計算回路、６は、
第１及び第２のＦＥＴ２，３の制御電圧と可変減衰器４
の通過減衰特性、通過位相特性の各々の関係を変換テー
ブルとして記録したＲＯＭ、７ａ及び７ｂは、計算回路
５により得られた制御電圧印加条件に基づいて、第１及
び第２のＦＥＴ２，３に制御電圧を印加するＤ／Ａ変換
器である。
【００１１】図２は、図１に示した可変減衰器内に設け
られている減衰回路４の等価回路を示す図である。図２
において、８ａ及び８ｂは図１中の第１のＦＥＴ２ａ及
び２ｂの等価回路にあたる第１の可変抵抗、９は図１中
の第２のＦＥＴ３の等価回路にあたる第２の可変抵抗で
ある。
られている減衰回路４の等価回路を示す図である。図２
において、８ａ及び８ｂは図１中の第１のＦＥＴ２ａ及
び２ｂの等価回路にあたる第１の可変抵抗、９は図１中
の第２のＦＥＴ３の等価回路にあたる第２の可変抵抗で
ある。
【００１２】次に動作について説明する。第１のＦＥＴ
２および第２のＦＥＴ３は、ゲート電極に印加する電圧
を制御することで、ドレイン電極とソース電極間の抵抗
値が変化し、可変抵抗素子と見なせるので、図１の減衰
回路４は、図２に示すπ型減衰回路として動作する。高
周波信号入出力端子１ａから入力された高周波信号は、
第1のＦＥＴ２および第２のＦＥＴ３から構成される減
衰回路４で所定の減衰を受けた後、高周波信号入出力端
子１ｂから出力される。
２および第２のＦＥＴ３は、ゲート電極に印加する電圧
を制御することで、ドレイン電極とソース電極間の抵抗
値が変化し、可変抵抗素子と見なせるので、図１の減衰
回路４は、図２に示すπ型減衰回路として動作する。高
周波信号入出力端子１ａから入力された高周波信号は、
第1のＦＥＴ２および第２のＦＥＴ３から構成される減
衰回路４で所定の減衰を受けた後、高周波信号入出力端
子１ｂから出力される。
【００１３】次に、減衰回路４における減衰量設定方法
について述べる。第１のＦＥＴ２ａ，２ｂ（のゲート電
極）に印加される制御電圧をＶｇ１とし、第２のＦＥＴ
３（のゲート電極）に印加される制御電圧をＶｇ２とす
ると、ＲＯＭ６には、制御電圧Ｖｇ１、Ｖｇ２をパラメ
ータとした、予め取得された通過減衰特性および通過位
相特性のデータが記録されている。図３に、制御電圧Ｖ
ｇ１をｘ軸、Ｖｇ２をｙ軸にとった、通過減衰量の分布
図の一例を示す。また、図４に、制御電圧Ｖｇ１をｘ
軸、Ｖｇ２をｙ軸にとった、通過位相量の分布図の一例
を示す。
について述べる。第１のＦＥＴ２ａ，２ｂ（のゲート電
極）に印加される制御電圧をＶｇ１とし、第２のＦＥＴ
３（のゲート電極）に印加される制御電圧をＶｇ２とす
ると、ＲＯＭ６には、制御電圧Ｖｇ１、Ｖｇ２をパラメ
ータとした、予め取得された通過減衰特性および通過位
相特性のデータが記録されている。図３に、制御電圧Ｖ
ｇ１をｘ軸、Ｖｇ２をｙ軸にとった、通過減衰量の分布
図の一例を示す。また、図４に、制御電圧Ｖｇ１をｘ
軸、Ｖｇ２をｙ軸にとった、通過位相量の分布図の一例
を示す。
【００１４】計算回路５では、これらＲＯＭ６に記録さ
れた図３および図４のデータを用いて、外部から設定さ
れる所望の通過減衰量が得られ、かつ、通過位相量の変
動が最小となる制御電圧条件を計算する。例えば、所望
の通過減衰量が５〜２０ｄＢの範囲とした場合、通過位
相量の変動が最小となるように、制御電圧印加線Ａを、
図３および図４のように設定する。上記のように決定さ
れ、計算回路５から出力された制御電圧データは、Ｄ／
Ａ変換器７ａ及び７ｂにて、第１のＦＥＴ２および第２
のＦＥＴ３に印加される。このような減衰量設定を行う
ことで、図５に示す通過減衰量対通過位相量の特性が得
られる。
れた図３および図４のデータを用いて、外部から設定さ
れる所望の通過減衰量が得られ、かつ、通過位相量の変
動が最小となる制御電圧条件を計算する。例えば、所望
の通過減衰量が５〜２０ｄＢの範囲とした場合、通過位
相量の変動が最小となるように、制御電圧印加線Ａを、
図３および図４のように設定する。上記のように決定さ
れ、計算回路５から出力された制御電圧データは、Ｄ／
Ａ変換器７ａ及び７ｂにて、第１のＦＥＴ２および第２
のＦＥＴ３に印加される。このような減衰量設定を行う
ことで、図５に示す通過減衰量対通過位相量の特性が得
られる。
【００１５】以上のように、この実施の形態１における
可変減衰器によれば、ＲＯＭ６に記録された、通過減衰
量および通過位相量の分布データを用いて、計算回路５
により、所望の通過減衰量が得られ、かつ、通過位相量
の変動が最小となる制御電圧条件を計算し、この制御電
圧条件を用いて減衰回路４を動作させるようにしたの
で、位相変動補償用の位相調整器が不要となり、通過位
相変動量が小さく、かつ、小型で安価な可変減衰器を得
ることができる。
可変減衰器によれば、ＲＯＭ６に記録された、通過減衰
量および通過位相量の分布データを用いて、計算回路５
により、所望の通過減衰量が得られ、かつ、通過位相量
の変動が最小となる制御電圧条件を計算し、この制御電
圧条件を用いて減衰回路４を動作させるようにしたの
で、位相変動補償用の位相調整器が不要となり、通過位
相変動量が小さく、かつ、小型で安価な可変減衰器を得
ることができる。
【００１６】実施の形態２．上述の実施の形態１では、
ＲＯＭ６に記録されたデータは、減衰回路４の制御電圧
Ｖｇ１、Ｖｇ２をパラメータとした通過減衰特性及び通
過位相特性であったが、本実施の形態においては、これ
らに加え、減衰回路４の制御電圧Ｖｇ１、Ｖｇ２をパラ
メータとした反射特性をＲＯＭ６に記録するようにした
ものである。図６に制御電圧Ｖｇ１をｘ軸、Ｖｇ２をｙ
軸にとった、反射量の分布図の一例を示す。反射特性
は、回路に入力する高周波信号と回路から反射されて戻
ってくる高周波信号との比を表すもので、入力する高周
波信号と反射される高周波信号とが重畳されるため、反
射量が大きいほど、入力した高周波信号の位相の変動が
増大する。なお、本実施の形態における可変減衰器の構
成は、図１及び図２に示すものと基本的に同じであるた
め、以下の説明においては、図１及び図２を参照するも
のとする。
ＲＯＭ６に記録されたデータは、減衰回路４の制御電圧
Ｖｇ１、Ｖｇ２をパラメータとした通過減衰特性及び通
過位相特性であったが、本実施の形態においては、これ
らに加え、減衰回路４の制御電圧Ｖｇ１、Ｖｇ２をパラ
メータとした反射特性をＲＯＭ６に記録するようにした
ものである。図６に制御電圧Ｖｇ１をｘ軸、Ｖｇ２をｙ
軸にとった、反射量の分布図の一例を示す。反射特性
は、回路に入力する高周波信号と回路から反射されて戻
ってくる高周波信号との比を表すもので、入力する高周
波信号と反射される高周波信号とが重畳されるため、反
射量が大きいほど、入力した高周波信号の位相の変動が
増大する。なお、本実施の形態における可変減衰器の構
成は、図１及び図２に示すものと基本的に同じであるた
め、以下の説明においては、図１及び図２を参照するも
のとする。
【００１７】本実施の形態の減衰回路４における減衰量
設定方法について述べる。ＲＯＭ６には、減衰回路４の
制御電圧Ｖｇ１、Ｖｇ２をパラメータとした、予め取得
された通過減衰特性、通過位相特性、反射特性のデータ
が記録されている。計算回路５では、ＲＯＭ６に記録さ
れた図３、図４、図６のデータを用い、外部から設定さ
れる所望の通過減衰量および反射量が得られ、かつ、通
過位相量の変動が最小となる制御電圧条件を計算する。
例えば、所望の通過減衰量が５〜２０ｄＢの範囲で、反
射量が−１０ｄＢ以下とした場合、通過位相量の変動が
最小となるように、制御電圧印加線Ｂを、図３、図４、
図６のように設定する。上記のように決定され、計算回
路５から出力された制御電圧データは、Ｄ／Ａ変換器７
にて第１のＦＥＴ２および第２のＦＥＴ３に印加され
る。
設定方法について述べる。ＲＯＭ６には、減衰回路４の
制御電圧Ｖｇ１、Ｖｇ２をパラメータとした、予め取得
された通過減衰特性、通過位相特性、反射特性のデータ
が記録されている。計算回路５では、ＲＯＭ６に記録さ
れた図３、図４、図６のデータを用い、外部から設定さ
れる所望の通過減衰量および反射量が得られ、かつ、通
過位相量の変動が最小となる制御電圧条件を計算する。
例えば、所望の通過減衰量が５〜２０ｄＢの範囲で、反
射量が−１０ｄＢ以下とした場合、通過位相量の変動が
最小となるように、制御電圧印加線Ｂを、図３、図４、
図６のように設定する。上記のように決定され、計算回
路５から出力された制御電圧データは、Ｄ／Ａ変換器７
にて第１のＦＥＴ２および第２のＦＥＴ３に印加され
る。
【００１８】以上のように、この実施の形態２における
可変減衰器によれば、ＲＯＭ６に記録された、通過減衰
量、反射量、通過位相量の分布データを用いて、所望の
通過減衰量および反射量が得られ、かつ、通過位相量の
変動が最小となる制御電圧条件を計算し、この制御電圧
条件を用いて減衰回路４を動作させるようにしたので、
位相変動補償用の位相調整器が不要となり、また、高周
波信号の振幅変動と位相変動の要因となる反射量を小さ
く抑えられるので、実施の形態１に比べ、更に通過位相
変動量が小さく、かつ、小型で安価な可変減衰器が得ら
れる。
可変減衰器によれば、ＲＯＭ６に記録された、通過減衰
量、反射量、通過位相量の分布データを用いて、所望の
通過減衰量および反射量が得られ、かつ、通過位相量の
変動が最小となる制御電圧条件を計算し、この制御電圧
条件を用いて減衰回路４を動作させるようにしたので、
位相変動補償用の位相調整器が不要となり、また、高周
波信号の振幅変動と位相変動の要因となる反射量を小さ
く抑えられるので、実施の形態１に比べ、更に通過位相
変動量が小さく、かつ、小型で安価な可変減衰器が得ら
れる。
【００１９】実施の形態３．図７はこの発明の実施の形
態３による可変減衰器の構成を示す図である。図１と同
一または相当する構成については、同一の符号を付して
いる。本実施の形態においては、計算回路５に、さら
に、使用する温度情報を外部から入力するようにし、ま
た、ＲＯＭ６に、第１及び第２のＦＥＴ２，３の制御電
圧と可変減衰器４の通過減衰特性、反射特性、通過位相
特性の各々の使用温度毎の関係を変換テーブルとして記
録している点が、上述の実施の形態１と異なる。
態３による可変減衰器の構成を示す図である。図１と同
一または相当する構成については、同一の符号を付して
いる。本実施の形態においては、計算回路５に、さら
に、使用する温度情報を外部から入力するようにし、ま
た、ＲＯＭ６に、第１及び第２のＦＥＴ２，３の制御電
圧と可変減衰器４の通過減衰特性、反射特性、通過位相
特性の各々の使用温度毎の関係を変換テーブルとして記
録している点が、上述の実施の形態１と異なる。
【００２０】実施の形態３では、ＲＯＭ６に記録するデ
ータを、使用する温度毎に取得した、減衰回路４の制御
電圧Ｖｇ１、Ｖｇ２をパラメータとした通過減衰特性、
通過位相特性、反射特性のデータとし、計算回路５に、
外部から使用する温度情報（以下、温度条件とする。）
を入力するようにしたものである。
ータを、使用する温度毎に取得した、減衰回路４の制御
電圧Ｖｇ１、Ｖｇ２をパラメータとした通過減衰特性、
通過位相特性、反射特性のデータとし、計算回路５に、
外部から使用する温度情報（以下、温度条件とする。）
を入力するようにしたものである。
【００２１】次に、実施の形態３の減衰回路４における
減衰量設定方法について述べる。ＲＯＭ６には、使用す
る温度毎に予め取得した、減衰回路４の制御電圧Ｖｇ
１、Ｖｇ２をパラメータとした通過減衰特性、通過位相
特性、反射特性のデータが記録されている。計算回路５
では、これらＲＯＭ６に記録されたデータと外部から入
力する温度条件を用い、使用温度において、外部から設
定される所望の通過減衰量および反射量が得られ、か
つ、通過位相量の変動が最小となる制御電圧条件を計算
する。計算回路５から出力された制御電圧データはＤ／
Ａ変換器７にて第１のＦＥＴ２および第２のＦＥＴ３に
印加される。
減衰量設定方法について述べる。ＲＯＭ６には、使用す
る温度毎に予め取得した、減衰回路４の制御電圧Ｖｇ
１、Ｖｇ２をパラメータとした通過減衰特性、通過位相
特性、反射特性のデータが記録されている。計算回路５
では、これらＲＯＭ６に記録されたデータと外部から入
力する温度条件を用い、使用温度において、外部から設
定される所望の通過減衰量および反射量が得られ、か
つ、通過位相量の変動が最小となる制御電圧条件を計算
する。計算回路５から出力された制御電圧データはＤ／
Ａ変換器７にて第１のＦＥＴ２および第２のＦＥＴ３に
印加される。
【００２２】以上のように、この実施の形態３によれ
ば、使用する温度条件における、可変減衰器４への制御
電圧条件が設定できるため、更に、通過位相変動量を小
さくすることができる。
ば、使用する温度条件における、可変減衰器４への制御
電圧条件が設定できるため、更に、通過位相変動量を小
さくすることができる。
【００２３】上記実施の形態１〜３では、減衰回路４と
してＦＥＴを使用したπ型減衰回路を用いた例について
記しているが、ＦＥＴの代わりにダイオードなどの他の
可変抵抗素子を用いてもよく、また、π型減衰回路の代
わりにＴ型減衰回路やはしご型減衰回路などの、制御電
圧を印加する可変抵抗素子を用いた減衰回路を用いても
同様の効果が得られる。
してＦＥＴを使用したπ型減衰回路を用いた例について
記しているが、ＦＥＴの代わりにダイオードなどの他の
可変抵抗素子を用いてもよく、また、π型減衰回路の代
わりにＴ型減衰回路やはしご型減衰回路などの、制御電
圧を印加する可変抵抗素子を用いた減衰回路を用いても
同様の効果が得られる。
【００２４】また、上記実施の形態１〜３では、減衰回
路４の制御電圧が２つの場合の例について記している
が、１つないし３つ以上の制御電圧を用いる減衰回路の
場合でも、同様の減衰量設定方法を適用することが可能
である。
路４の制御電圧が２つの場合の例について記している
が、１つないし３つ以上の制御電圧を用いる減衰回路の
場合でも、同様の減衰量設定方法を適用することが可能
である。
【００２５】
【発明の効果】この発明は、制御電圧により抵抗値が変
化する可変抵抗手段を有し、この可変抵抗手段に制御電
圧を印加するようにした可変減衰器であって、前記可変
抵抗手段の制御電圧と前記可変減衰器の通過減衰特性及
び通過位相特性との関係を示すデータを記録したＲＯＭ
と、前記ＲＯＭに記録された前記データを基に、所望の
通過減衰量が得られ、かつ、通過位相量の変動が最小と
なる制御電圧印加条件を求める計算回路と、前記制御電
圧印加条件に基づき、前記可変抵抗手段に制御電圧を印
加するＤ／Ａ変換回路とを備えた可変減衰器であるの
で、位相変動補償用の位相調整器が不要で、可変減衰器
の通過位相変動量が小さく、かつ、小型で安価に構成で
きるという効果が得られる。
化する可変抵抗手段を有し、この可変抵抗手段に制御電
圧を印加するようにした可変減衰器であって、前記可変
抵抗手段の制御電圧と前記可変減衰器の通過減衰特性及
び通過位相特性との関係を示すデータを記録したＲＯＭ
と、前記ＲＯＭに記録された前記データを基に、所望の
通過減衰量が得られ、かつ、通過位相量の変動が最小と
なる制御電圧印加条件を求める計算回路と、前記制御電
圧印加条件に基づき、前記可変抵抗手段に制御電圧を印
加するＤ／Ａ変換回路とを備えた可変減衰器であるの
で、位相変動補償用の位相調整器が不要で、可変減衰器
の通過位相変動量が小さく、かつ、小型で安価に構成で
きるという効果が得られる。
【００２６】また、前記ＲＯＭが、前記データに加え、
さらに、前記可変抵抗手段の制御電圧と前記可変減衰器
の反射特性との関係を示すデータを記録しており、前記
計算回路が、前記ＲＯＭに記録された前記データを基
に、所望の通過減衰量および反射量が得られ、かつ、通
過位相量の変動が最小となる制御電圧印加条件を求める
ようにしたので、位相変動補償用の位相調整器が不要
で、可変減衰器の通過位相変動量が更に小さく、かつ、
小型で安価に構成できるという効果が得られる。
さらに、前記可変抵抗手段の制御電圧と前記可変減衰器
の反射特性との関係を示すデータを記録しており、前記
計算回路が、前記ＲＯＭに記録された前記データを基
に、所望の通過減衰量および反射量が得られ、かつ、通
過位相量の変動が最小となる制御電圧印加条件を求める
ようにしたので、位相変動補償用の位相調整器が不要
で、可変減衰器の通過位相変動量が更に小さく、かつ、
小型で安価に構成できるという効果が得られる。
【００２７】また、前記ＲＯＭが、各々の使用温度毎
の、前記可変抵抗素子の制御電圧と前記可変減衰器の通
過減衰特性、反射特性及び通過位相特性との関係を示す
データを記録しており、前記計算回路が、使用する温度
情報を入力とし、前記ＲＯＭに記録された前記データを
基に、入力された使用温度において所望の通過減衰量お
よび反射量が得られ、かつ、通過位相量の変動が最小と
なる制御電圧印加条件を求めるようにしたので、使用す
る温度条件毎における、可変減衰器への制御電圧条件が
設定できるため、可変減衰器の通過位相変動量が更に小
さく、かつ、小型で安価に構成できるという効果が得ら
れる。
の、前記可変抵抗素子の制御電圧と前記可変減衰器の通
過減衰特性、反射特性及び通過位相特性との関係を示す
データを記録しており、前記計算回路が、使用する温度
情報を入力とし、前記ＲＯＭに記録された前記データを
基に、入力された使用温度において所望の通過減衰量お
よび反射量が得られ、かつ、通過位相量の変動が最小と
なる制御電圧印加条件を求めるようにしたので、使用す
る温度条件毎における、可変減衰器への制御電圧条件が
設定できるため、可変減衰器の通過位相変動量が更に小
さく、かつ、小型で安価に構成できるという効果が得ら
れる。
【図１】 この発明の実施の形態１による可変減衰器の
構成を示す構成図である。
構成を示す構成図である。
【図２】 図１に示した可変減衰器における減衰回路の
等価回路を示す回路図である。
等価回路を示す回路図である。
【図３】 図１及び図２に示した減衰回路の制御電圧対
通過減衰量の分布の一例を示す説明図である。
通過減衰量の分布の一例を示す説明図である。
【図４】 図１及び図２に示した減衰回路の制御電圧対
通過位相量の分布の一例を示す説明図である。
通過位相量の分布の一例を示す説明図である。
【図５】 この発明の実施の形態１による可変減衰器の
通過減衰量対通過位相量の特性を示す説明図である。
通過減衰量対通過位相量の特性を示す説明図である。
【図６】 この発明の実施の形態２による可変減衰器に
おける減衰回路の制御電圧対反射量の分布の一例を示す
説明図である。
おける減衰回路の制御電圧対反射量の分布の一例を示す
説明図である。
【図７】 この発明の実施の形態３による可変減衰器の
構成を示す図である。
構成を示す図である。
【図８】 従来の可変減衰器の構成を示す構成図であ
る。
る。
１，１ａ，１ｂ 高周波信号入出力端子、２，２ａ，２
ｂ 第１のＦＥＴ、３第２のＦＥＴ、４ 減衰回路、５
計算回路、６ ＲＯＭ、７，７ａ，７ｂＤ／Ａ変換
器、８ 第１の可変抵抗、９ 第２の可変抵抗、１０１
ａ，１０１ｂ高周波信号入出力端子、１０２ 可変減衰
器、１０３ 位相調整器、１０４制御信号入力端子、１
０５ Ａ／Ｄ変換器、１０６ マイクロプロセッサユニ
ット、１０７ ＲＯＭ、１０８ａ，１０８ｂ Ｄ／Ａ変
換器。
ｂ 第１のＦＥＴ、３第２のＦＥＴ、４ 減衰回路、５
計算回路、６ ＲＯＭ、７，７ａ，７ｂＤ／Ａ変換
器、８ 第１の可変抵抗、９ 第２の可変抵抗、１０１
ａ，１０１ｂ高周波信号入出力端子、１０２ 可変減衰
器、１０３ 位相調整器、１０４制御信号入力端子、１
０５ Ａ／Ｄ変換器、１０６ マイクロプロセッサユニ
ット、１０７ ＲＯＭ、１０８ａ，１０８ｂ Ｄ／Ａ変
換器。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 宮口 賢一 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 (72)発明者 谷口 英司 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 (72)発明者 伊山 義忠 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 Ｆターム(参考） 5J026 AA03 5J098 AA03 AB30 AB34 AC14 AD06 AD25 EA09
Claims (3)
- 【請求項１】 制御電圧により抵抗値が変化する可変抵
抗手段を有し、この可変抵抗手段に制御電圧を印加する
ようにした可変減衰器であって、 前記可変抵抗手段の制御電圧と前記可変減衰器の通過減
衰特性及び通過位相特性との関係を示すデータを記録し
たＲＯＭと、 前記ＲＯＭに記録された前記データを基に、所望の通過
減衰量が得られ、かつ、通過位相量の変動が最小となる
制御電圧印加条件を求める計算回路と、 前記制御電圧印加条件に基づき、前記可変抵抗手段に制
御電圧を印加するＤ／Ａ変換回路とを備えたことを特徴
とする可変減衰器。 - 【請求項２】 前記ＲＯＭが、前記データに加え、さら
に、前記可変抵抗手段の制御電圧と前記可変減衰器の反
射特性との関係を示すデータを記録しており、 前記計算回路が、前記ＲＯＭに記録された前記データを
基に、所望の通過減衰量および反射量が得られ、かつ、
通過位相量の変動が最小となる制御電圧印加条件を求め
ることを特徴とする請求項１に記載の可変減衰器。 - 【請求項３】 前記ＲＯＭが、各々の使用温度毎の、前
記可変抵抗素子の制御電圧と前記可変減衰器の通過減衰
特性、反射特性及び通過位相特性との関係を示すデータ
を記録しており、 前記計算回路が、使用する温度情報を入力とし、前記Ｒ
ＯＭに記録された前記データを基に、入力された使用温
度において所望の通過減衰量および反射量が得られ、か
つ、通過位相量の変動が最小となる制御電圧印加条件を
求めることを特徴とする請求項１に記載の可変減衰器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001160699A JP3784664B2 (ja) | 2001-05-29 | 2001-05-29 | 可変減衰器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001160699A JP3784664B2 (ja) | 2001-05-29 | 2001-05-29 | 可変減衰器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002353765A true JP2002353765A (ja) | 2002-12-06 |
| JP3784664B2 JP3784664B2 (ja) | 2006-06-14 |
Family
ID=19004070
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001160699A Expired - Lifetime JP3784664B2 (ja) | 2001-05-29 | 2001-05-29 | 可変減衰器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3784664B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20040027034A (ko) * | 2002-09-27 | 2004-04-01 | 주식회사 유니콘테크놀러지 | 무선통신용 가변 감쇄장치 |
| KR101030050B1 (ko) | 2009-12-14 | 2011-04-21 | 한국과학기술원 | 낮은 위상 변동을 가지는 디지털 감쇠기 |
| CN112653411A (zh) * | 2020-12-15 | 2021-04-13 | 重庆西南集成电路设计有限责任公司 | 一种数控移相/数字衰减器温度补偿电路及方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7710181B2 (en) | 2007-08-20 | 2010-05-04 | Panasonic Corporation | Variable attenuator and wireless communication device |
-
2001
- 2001-05-29 JP JP2001160699A patent/JP3784664B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20040027034A (ko) * | 2002-09-27 | 2004-04-01 | 주식회사 유니콘테크놀러지 | 무선통신용 가변 감쇄장치 |
| KR101030050B1 (ko) | 2009-12-14 | 2011-04-21 | 한국과학기술원 | 낮은 위상 변동을 가지는 디지털 감쇠기 |
| CN112653411A (zh) * | 2020-12-15 | 2021-04-13 | 重庆西南集成电路设计有限责任公司 | 一种数控移相/数字衰减器温度补偿电路及方法 |
| CN112653411B (zh) * | 2020-12-15 | 2022-08-19 | 重庆西南集成电路设计有限责任公司 | 一种数控移相/数字衰减器温度补偿电路及方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3784664B2 (ja) | 2006-06-14 |
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