JP2002353580A

JP2002353580A - 回路基板用絶縁材，回路基板およびその製造方法

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Publication number: JP2002353580A
Application number: JP2001154440A
Authority: JP
Inventors: Yoshihiro Kawakita; 嘉洋川北; Fumio Echigo; 文雄越後; Kazunori Menya; 和則面屋; Takashi Obayashi; 孝志大林
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 2001-05-23
Filing date: 2001-05-23
Publication date: 2002-12-06

Abstract

(57)【要約】【課題】回路基板のハロゲンフリー化と難燃化とを両立
させ，かつ基板特性の低下をはじめとする非ハロゲン系
難燃剤による不具合を改善する。【解決手段】ハロゲンフリー化による基板特性の低下を
回路基板の構成によって改善する。本発明の非ハロゲン
系回路基板は，各絶縁層の表面から内部方向に非ハロゲ
ン系難燃剤の含有率が小さくなる，あるいは各絶縁層に
おける（１２５℃におけるヤング率）／（２５℃におけ
るヤング率）が０．８以上であることを特徴とする。ま
た，本発明の回路基板は，最外絶縁層が含む非ハロゲン
系難燃剤の含有率が内層絶縁層が含む含有率より小さ
い，あるいは最外絶縁層の１２５℃でのヤング率が内層
絶縁層の１２５℃でのヤング率より大きいことを特徴と
する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電子機器に使用す
る回路基板に関するものであり，特に地球環境に対して
負荷の小さい非ハロゲン系材料を用いた回路基板に関す
るものである。

【０００２】

【従来の技術】回路基板は，安全性の観点から火災防止
を目的に難燃剤を絶縁層の樹脂に添加あるいは反応させ
て難燃化している。この難燃剤として，高い難燃効果を
有し，かつ回路基板における基板特性を確保しやすい臭
素系難燃剤が主に使われている。しかし，近年，地球的
規模での環境対策意識が高まる中，回路基板を焼却処分
する際，この臭素をはじめとするハロゲン系難燃剤が燃
焼条件によっては有毒ガスを発生すると問題視されてい
る。これに伴い，回路基板の環境対応材料の研究開発が
進められ，特に絶縁材料のハロゲンフリー化が急速に進
められている。

【０００３】一般的にハロゲンフリー化された回路基板
（以下，非ハロゲン系回路基板という）において，従来
のハロゲン系難燃剤を使用した回路基板（以下，ハロゲ
ン系回路基板という）と同等の難燃性，すなわちＵＬ９
４−Ｖ０レベル（炎を取去った後の有炎燃焼時間が１０
秒以内）の難燃性を目標として様々な開発が進められて
いる。その従来の技術として，リン系，窒素系等の非ハ
ロゲン系難燃剤，あるいは金属水酸化物等の数種類を組
み合わせて絶縁層に添加するような材料配合による技
術，また，絶縁層の樹脂骨格にリン，窒素，ケイ素等の
難燃効果のある元素を組み込む技術，あるいは化学構造
的に燃焼性を低下させるような樹脂，具体的には芳香環
濃度を大きくするような化学構造を持つ樹脂を用いる技
術，さらには充填剤的な難燃剤ではその表面処理および
充填プロセスからの技術等によって非ハロゲン系回路基
板が開発されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】従来の非ハロゲン系回
路基板は，そのハロゲンフリー化とＵＬ９４−Ｖ０レベ
ルの難燃性とを両立するために，上記したような絶縁材
料の開発が主に行われている。しかし，従来技術におい
て，回路基板の難燃性は十分に確保できるが，配線層と
絶縁層との接着強度（以下，ピール強度という）の低下
をはじめとする機械強度，あるいはガラス転移温度の低
下をはじめとする耐熱性等における基板特性の低下が否
めない。このような基板特性の低下を改善する試みとし
て，上記のような材料組成，あるいは樹脂および難燃剤
における化学構造面での開発といった従来技術を発展さ
せるような開発が中心に行われているが，回路基板の構
造からの改善による技術開発はほとんど見当たらない。

【０００５】そこで，本発明は前記従来の問題を解決す
るため，回路基板のハロゲンフリー化と難燃化との両立
は勿論のこと，ハロゲンフリー化による基板特性の低下
を回路基板あるいはその絶縁材料の構成によって改善す
ることを目的とする。すなわち，種々の非ハロゲン系の
難燃剤を効率よく回路基板に適用し，その難燃剤による
不具合を改善することである。

【０００６】

【課題を解決するための手段】以下の本発明の説明の前
に用語の意味を説明をする。本発明における「非ハロゲ
ン系」とは，ハロゲン化化合物を含まないことを意味
し，樹脂の反応残基および不純物のハロゲンは対象外と
する。また，「非ハロゲン系難燃剤」とは，難燃効果を
有する物質であるが，本発明では水酸化アルミニウムあ
るいは水酸化マグネシウム等の難燃効果を有する無機フ
ィラーは含まず，難燃効果のある有機物あるいは有機物
塩のことを意味する。ただし，水酸化アルミニウムある
いは水酸化マグネシウム等の難燃効果を有する無機フィ
ラーは，「無機フィラー」の語句に含まれる。

【０００７】前記目的を達成するため、本発明の第１の
回路基板用絶縁材は，半硬化状態の非ハロゲン系樹脂と
補強材とからなり，かつその樹脂が非ハロゲン系難燃剤
を含む回路基板用絶縁材であって，この回路基板用絶縁
材の表面から内部方向にその難燃剤の含有率が小さくな
ることを特徴とする。

【０００８】また，本発明の第２の回路基板用絶縁材
は，半硬化状態の非ハロゲン系樹脂と補強材とからな
り，かつその樹脂が非ハロゲン系難燃剤を含む回路基板
用絶縁材であって，この回路基板用絶縁材を硬化した硬
化物の１２５℃におけるヤング率の，その硬化物の２５
℃におけるヤング率に対する比が０．８以上であること
を特徴とする。

【０００９】また，本発明の第１の回路基板は，非ハロ
ゲン系絶縁層と配線層とが交互に積層された２層以上の
回路基板であって，少なくとも最外層の絶縁層に前記第
１あるいは第２の回路基板用絶縁材のいずれかを用いて
構成することを特徴とする。

【００１０】先ず，本発明の第１の回路基板用絶縁材を
用いた回路基板について説明する。この構成であれば，
配線層と絶縁層との界面近傍における難燃剤の濃度が大
きく，一方，絶縁層内部における難燃剤の濃度は小さく
なる。一般的な非ハロゲン系難燃剤，例えばリン系難燃
剤は熱可塑効果を有するため，回路基板の耐熱性が低下
する。しかし，この構成であれば，配線層と絶縁層との
界面近傍のみ可塑化されるが，絶縁層内部は可塑化され
難くなる。したがって，配線層と絶縁層との界面近傍で
は，この熱可塑効果によって逆に配線層と絶縁層との間
の熱膨張差による歪みを緩和することができるため，本
発明の第１の回路基板用絶縁材を用いた回路基板はピー
ル強度をハロゲン系回路基板と同等以上にすることがで
きる。さらに，絶縁層内部は難燃剤による影響が小さい
ため，従来のハロゲン系回路基板並みの耐熱性を確保す
ることができる。また、絶縁層表面近傍における難燃剤
の濃度が大きくなり、表面の難燃性が良好となるため、
所望の難燃性を確保するための難燃剤の必要量を少なく
することができる。

【００１１】次に，本発明の第２の回路基板用絶縁材を
用いて回路基板を作製した場合について説明する。この
構成であれば，絶縁層のヤング率において，（１２５℃
のヤング率）／（２５℃のヤング率）が０．８以上とな
る回路基板を提供できる。ヤング率の比がこの範囲に収
まるように種々の非ハロゲン系難燃剤を用いて絶縁材料
の組成を決定すれば，高温時におけるピール強度，熱膨
張係数（特に厚み方向）等の熱的な基板特性において，
ハロゲン系回路基板並みの水準を非ハロゲン系回路基板
で容易に達成することができ，さらに基板信頼性につい
ても同様のことである。したがって，このヤング率の比
を指標とすることで，ハロゲン系回路基板と同水準の基
板特性を有する非ハロゲン系回路基板の材料開発を極め
て容易にすることができる。なお，１２５℃のヤング率
で規定したことは，実使用上，回路基板が到達しうる温
度を想定しているためである。

【００１２】また，本発明の第２の回路基板は，非ハロ
ゲン系絶縁層と配線層とが交互に積層され，かつ非ハロ
ゲン系難燃剤を少なくとも内層の絶縁層に含む４層以上
の回路基板であって，最外層の絶縁層における難燃剤の
含有率が，内層すなわち最外層を除く絶縁層における難
燃剤の含有率より小さいことを特徴とする。

【００１３】この構成であれば，最外層に位置する絶縁
層における非ハロゲン系難燃剤の含有率が通常必要とさ
れる含有率（例えば，ＵＬ９４−Ｖ０クラスの難燃を確
保するための含有率）より小さいため，その難燃剤によ
るピール強度の低下を抑制することができる。また，最
外層における難燃剤の含有率が小さいため，回路基板の
耐熱性も十分に確保できる。さらに，最外層の絶縁層に
おける難燃剤の減少分を内層絶縁層に加えても，部品が
実装される最外層の配線層のピール強度の低下は起こる
ことはなく，必要とする難燃性を十分に確保できる。

【００１４】また，本発明の第３の回路基板は，非ハロ
ゲン系絶縁層と配線層とが交互に積層され，かつ非ハロ
ゲン系難燃剤を少なくとも内層の絶縁層に含む４層以上
の回路基板であって，１２５℃における最外層の絶縁層
のヤング率が，内層すなわち最外層を除く絶縁層のそれ
より大きいことを特徴とする。絶縁層における非ハロゲ
ン系難燃剤の含有率が通常必要とされる含有率（ＵＬ９
４−Ｖ０クラスの難燃を確保するための含有率）であれ
ば，基板特性（ピール強度，耐熱性等）の低下が大きく
なることがある。しかし，本発明の第３の回路基板の構
成であれば，このような絶縁層を回路基板の内層に配置
して，最外層に耐熱性のより高い絶縁層，すなわち１２
５℃におけるヤング率が内層の絶縁層より大きな絶縁層
を配置させることで，非ハロゲン系で耐熱性が十分確保
できる回路基板を提供することができる。また，最外層
の耐熱性の低下を極めて良好に抑制できるため，高温時
のピール強度の低下も極めて小さい。さらに，難燃化に
ついては回路基板全体として必要な難燃剤を内層に添加
することで十分に確保できる。

【００１５】また，本発明の第４の回路基板は，非ハロ
ゲン系絶縁層と配線層とが交互に積層された４層以上の
回路基板であって，少なくとも最外層の絶縁層が難燃性
化合物からなり，かつその難燃化合物からなる層を除く
絶縁層に非ハロゲン系難燃剤を含むことを特徴とする。
本発明の第３の回路基板とほぼ同様の構成で，かつ同様
の効果はあるが，より耐熱性の高い非ハロゲン系回路基
板を提供することができる。すなわち，最外層の絶縁層
に難燃剤が全くといって良いほど用いられていない難燃
性化合物を配置することができるためである。

【００１６】また，本発明の第１の回路基板の製造方法
は，非ハロゲン系の回路基板用絶縁材の両面に非ハロゲ
ン系の樹脂シートを重ね，さらにその両面に離形性フィ
ルムを重ねて圧着して積層体を形成する工程と，その離
形性フィルムを具備した積層体に貫通孔を所望の位置に
形成する工程と，その貫通孔に導電性ペーストを充填す
る工程と、その導電性ペーストを充填された積層体から
離型性フィルムのみを剥離する工程と、その離型性フィ
ルムが剥離された積層体の両面に金属箔を重ねる工程
と、さらにこの積層体を加熱加圧して金属箔と積層体と
を接着し，かつ貫通孔に充填された導電性ペーストを圧
縮硬化してビアを形成する工程と，その積層体の金属箔
に所望の回路パターンを形成する工程とを含む工程を少
なくとも１回以上繰り返してなる回路基板の製造方法で
あって，樹脂シートおよび回路基板用絶縁材がそれぞれ
非ハロゲン系難燃剤を含み，かつ樹脂シートにおける難
燃剤の含有率が回路基板用絶縁材の含有率より大きいこ
とを特徴とする。この製造方法であれば，本発明の第１
の回路基板用絶縁材を用いた本発明の第１の回路基板と
同様の回路基板を提供することができ，さらに完全ＩＶ
Ｈ（インタースティシャルビアホール）構造の回路基板
を構成することができるため，非ハロゲン系の高密度実
装用の回路基板を提供することができる。

【００１７】また，本発明の第２の回路基板の製造方法
は，非ハロゲン系の回路基板用絶縁材の両面に樹脂層を
片面に具備した離形性フィルムを樹脂層側で重ねて圧着
して積層体を形成する工程と，離形性フィルムを具備し
た積層体に貫通孔を所望の位置に形成する工程と，その
貫通孔に導電性ペーストを充填する工程と、貫通孔に導
電性ペーストが充填された積層体から離型性フィルムの
みを剥離する工程と、その離型性フィルムを剥離した積
層体の両面に金属箔を重ねる工程と、その積層体を加熱
加圧して金属箔と積層体とを接着し，かつ貫通孔に充填
された導電性ペーストを圧縮硬化してビアを形成する工
程と，その積層体の金属箔に所望の回路パターンを形成
する工程とを含む工程を少なくとも１回以上繰り返して
なる回路基板の製造方法であって，樹脂層および回路基
板用絶縁材がそれぞれ非ハロゲン系難燃剤を含み，かつ
離形フィルムの樹脂層における難燃剤の含有率が回路基
板用絶縁材の含有率より大きいことを特徴とする。この
製造方法においても，本発明の第１の回路基板用絶縁材
を用いた本発明の第１の回路基板と同様の回路基板を提
供することができ，さらに完全ＩＶＨ構造の回路基板を
構成することができるため，非ハロゲン系の高密度実装
用の回路基板を提供することができる。

【００１８】なお，本発明の回路基板において，ＰＳＲ
（Photo Solder Resist）等は必要に応じて設けても良
いが，その際ＰＳＲも非ハロゲン系でなければならな
い。

【００１９】

【発明の実施の形態】本発明についてさらに具体的に説
明するため，それぞれの実施の形態について以下に説明
する。

【００２０】本発明の第１の回路基板用絶縁材は，半硬
化状態の非ハロゲン系樹脂と補強材とからなり，かつそ
の樹脂が非ハロゲン系難燃剤を含む回路基板用絶縁材で
あって，この回路基板用絶縁材の表面から内部方向にそ
の難燃剤の含有率が小さくなることを特徴とする。この
構成において，難燃剤の総含有量は，所望とする難燃
性，例えばＵＬ９４−Ｖ０レベルを確保できる含有量で
あれば良く，また，絶縁材内部における難燃剤の含有量
が０であっても構わない。また，その難燃剤の含有率が
表面から内部方向に小さくなることは，必ずしも連続し
た濃度勾配を持つ必要はなく，表層部分（絶縁材厚みに
対して最大２５％までの深さ）と内層部分における難燃
剤の濃度がそれぞれ異なり，内層部分が小さければ良
い。したがって，表層から内部への難燃剤の濃度勾配が
非連続であっても構わない。

【００２１】また，本発明の回路基板用絶縁材の補強材
が，有機繊維又はガラス繊維の少なくとも一方を主成分
とする不織布あるいは織布からなることが好ましく，こ
れらの補強材を用いれば，回路基板における絶縁層の機
械強度，寸法安定性，薄型化等に優れた回路基板用絶縁
材を提供することができ，また，絶縁材料としてのハン
ドリング性が極めて良好になる。また，その補強材が有
機繊維を主成分とする場合，全芳香族ポリアミド，全芳
香族ポリエステルおよびポリパラフェニレンベンゾビス
オキサゾールからなる群から選択された少なくとも１種
であることが好ましく，これらのような高耐熱性有機繊
維を用いれば，回路基板における絶縁層の機械特性が良
好になることは勿論のことであり，軽量化，低誘電率化
に優れた回路基板用絶縁材を提供することができる。ま
た，これらのような有機繊維であれば，繊維自身が難燃
性あるいは自己消火性を有するため，回路基板の難燃性
を損なうことはない。さらに，この補強材の構成が有機
繊維とガラス繊維との混合体であっても構わない。ま
た，本発明の回路基板用絶縁材の補強材が，無機フィラ
ーであることも好ましく，回路基板の絶縁層における機
械特性が良好になることは勿論のことであり，寸法安定
性，低熱膨張化に優れた回路基板用絶縁材を提供するこ
とができる。その無機フィラーはアルミナ，シリカ等で
良く，さらに回路基板の高放熱化には窒化アルミニウム
等が有用である。また，無機フィラーに難燃効果を有す
る水酸化アルミニウム，水酸化マグネシウムを用いれば
回路基板の難燃性が高まるので，より好ましい。以下に
具体的な実施の形態を示す。

【００２２】先ず，第１の回路基板用絶縁材における実
施の形態１〜４で用いた材料について説明する。

【００２３】樹脂は，主剤にクレゾールノボラック型エ
ポキシ（エポキシ当量：２１４），硬化剤にフェノール
ノボラック（ＯＨ当量：１０５）を用いてなるエポキシ
樹脂である。非ハロゲン系難燃剤には，縮合リン酸エス
テル（Ｐ含有率：９質量％）を用いた。

【００２４】（実施の形態１）実施の形態１における回
路基板用絶縁材は，縮合リン酸エステルを添加した半硬
化状態のエポキシ樹脂をガラス織布（厚み：１００μ
ｍ）に含浸した回路基板用絶縁材であって，この回路基
板用絶縁材の表面から内部方向にリン原子の含有率が小
さくなった構成である。この構成において，樹脂量は６
０質量％であり，表面から１５μｍまでの樹脂中におけ
るＰ含有率は２．０質量％であり，それ以外の樹脂中の
Ｐ含有率は１．０質量％である。

【００２５】（実施の形態２）実施の形態２における回
路基板用絶縁材は，縮合リン酸エステルを添加した半硬
化状態のエポキシ樹脂をアラミド不織布（厚み：１００
μｍ）に含浸した回路基板用絶縁材であって，この回路
基板用絶縁材の表面から内部方向にリン原子の含有率が
小さくなった構成である。この構成において，樹脂量は
５２質量％であり，表面から１０μｍまでの樹脂中にお
けるＰ含有率は２．２質量％であり，それ以外の樹脂中
のＰ含有率は１．０質量％である。

【００２６】（実施の形態３）実施の形態３における回
路基板用絶縁材は，縮合リン酸エステルを添加したエポ
キシ樹脂とアルミナ（粒径：５μｍ）とからなるシート
（厚み：１２０μｍ）を半硬化状態にした回路基板用絶
縁材であって，この回路基板用絶縁材の表面から内部方
向にリン原子の含有率が小さくなった構成である。この
構成において，樹脂量は４０質量％であり，表面から５
μｍまでの樹脂中におけるＰ含有率は１．５質量％であ
り，それ以外の樹脂中のＰ含有率は１．０質量％であ
る。

【００２７】（実施の形態４）実施の形態４における回
路基板用絶縁材は，縮合リン酸エステルを添加したエポ
キシ樹脂と水酸化アルミニウム（粒径：８μｍ）とから
なるシート（厚み：１００μｍ）を半硬化状態にした回
路基板用絶縁材であって，この回路基板用絶縁材の表面
から内部方向にリン原子の含有率が小さくなった構成で
ある。この構成において，樹脂量は１０質量％であり，
表面から５μｍまでの樹脂中におけるＰ含有率は１．０
質量％であり，それ以外の樹脂中のＰ含有率は０質量％
である。

【００２８】本発明の第１の回路基板用絶縁材は，実施
の形態１〜４に限定されるものではなく，例えば実施の
形態１〜３等は，水酸化アルミニウム，水酸化マグネシ
ウム等の難燃効果を有する無機フィラーをさらに添加し
ても良く，この場合、回路基板をより難燃化することが
できる。また，樹脂についても実施の形態１〜４のよう
なエポキシでなくとも，例えばポリイミド樹脂，フェノ
ール樹脂，シリコーン樹脂，ポリエステル樹脂等の熱硬
化性のもであれば良い。難燃剤に関しても縮合リン酸エ
ステル等のリン系以外に，グアニジン系あるいはメラミ
ン系等の窒素系でも良く，それら単独あるいは併用でも
良い。

【００２９】次に，本発明の第２の回路基板用絶縁材
は，半硬化状態の非ハロゲン系樹脂と補強材とからな
り，かつその樹脂が非ハロゲン系難燃剤を含む回路基板
用絶縁材であって，この回路基板用絶縁材を硬化した硬
化物の１２５℃におけるヤング率が，その硬化物の２５
℃におけるヤング率に対して０．８以上であることを特
徴とする。この構成であれば，高温時におけるピール強
度，熱膨張係数等の熱的な基板特性において，ハロゲン
系回路基板並みの水準を容易に達成することができる。
また，ヤング率の比がこの範囲に収まるよう，換言すれ
ば，このヤング率の比を指標とすることで，ハロゲン系
回路基板と同水準の基板特性を有する非ハロゲン系回路
基板の材料開発を容易にすることができる。

【００３０】また，その補強材が有機繊維を主成分とす
る場合，全芳香族ポリアミド，全芳香族ポリエステルお
よびポリパラフェニレンベンゾビスオキサゾールからな
る群から選択された少なくとも１種であることが好まし
く，これらのような高耐熱性有機繊維を用いれば，回路
基板における絶縁層の機械特性が良好になることは勿論
のことであり，軽量化，低誘電率化に優れた回路基板用
絶縁材を提供することができる。また，これらのような
有機繊維であれば，繊維自身が難燃性あるいは自己消火
性を有するため，回路基板の難燃性を損なうことはな
い。さらに，この補強材の構成が有機繊維とガラス繊維
との混合体であっても構わない。また，本発明の回路基
板用絶縁材の補強材が，無機フィラーであることも好ま
しく，回路基板の絶縁層における機械特性が良好になる
ことは勿論のことであり，寸法安定性，低熱膨張化に優
れた回路基板用絶縁材を提供することができる。その無
機フィラーはアルミナ，シリカ等で良く，さらに回路基
板の高放熱化には窒化アルミニウム等が有用である。ま
た，無機フィラーに難燃効果を有する水酸化アルミニウ
ム，水酸化マグネシウムを用いれば回路基板の難燃性が
高まるので，より好ましい。以下に具体的な実施の形態
を示す。

【００３１】先ず，第２の回路基板用絶縁材における実
施の形態５〜８で用いた材料について説明する。

【００３２】樹脂は，主剤にクレゾールノボラック型エ
ポキシ（エポキシ当量：２１４），硬化剤にフェノール
ノボラック（ＯＨ当量：１０５）を用いてなるエポキシ
樹脂である。非ハロゲン系難燃剤には，レゾルシニルジ
フェニルホスフェート（反応性ＲＤＰ，Ｐ含有率：１１
質量％）あるいは縮合リン酸エステル（Ｐ含有率：９質
量％）を併用した。

【００３３】（実施の形態５）実施の形態５における回
路基板用絶縁材は，反応性ＲＤＰを添加した半硬化状態
のエポキシ樹脂をガラス織布（厚み：１００μｍ）に含
浸した回路基板用絶縁材であって，この回路基板用絶縁
材を硬化した硬化物の１２５℃におけるヤング率が９．
２ＧＰａであり，２５℃におけるヤング率が１０．０Ｇ
Ｐａである。このヤング率の比，すなわち（１２５℃に
おけるヤング率）／（２５℃におけるヤング率）が０．
９２となる。この構成において，樹脂量は６０質量％で
あり，樹脂中のＰ含有率は２．０質量％である。

【００３４】（実施の形態６）実施の形態６における回
路基板用絶縁材は，反応性ＲＤＰおよび縮合リン酸エス
テルを添加した半硬化状態のエポキシ樹脂をガラス織布
（厚み：１００μｍ）に含浸した回路基板用絶縁材であ
って，この回路基板用絶縁材を硬化した硬化物の１２５
℃におけるヤング率が９．８ＧＰａであり，２５℃にお
けるヤング率が１１．０ＧＰａである。このヤング率の
比，すなわち（１２５℃におけるヤング率）／（２５℃
におけるヤング率）が０．８９となる。この構成におい
て，樹脂量は６０質量％であり，樹脂中のＰ含有率は
１．８質量％であり，反応性ＲＤＰのＰと縮合リン酸エ
ステルのＰとの質量比が３：７である。

【００３５】（実施の形態７）実施の形態７における回
路基板用絶縁材は，反応性ＲＤＰを添加した半硬化状態
のエポキシ樹脂をアラミド不織布（厚み：１００μｍ）
に含浸した回路基板用絶縁材であって，この回路基板用
絶縁材を硬化した硬化物の１２５℃におけるヤング率が
６．４ＧＰａであり，２５℃におけるヤング率が７．０
ＧＰａである。このヤング率の比，すなわち（１２５℃
におけるヤング率）／（２５℃におけるヤング率）が
０．９１となる。この構成において，樹脂量は５２質量
％であり，樹脂中のＰ含有率は２.５質量％である。

【００３６】（実施の形態８）実施の形態８における回
路基板用絶縁材は，反応性ＲＤＰおよび縮合リン酸エス
テルを添加した半硬化状態のエポキシ樹脂をアラミド不
織布（厚み：１００μｍ）に含浸した回路基板用絶縁材
であって，この回路基板用絶縁材を硬化した硬化物の１
２５℃におけるヤング率が６．２ＧＰａであり，２５℃
におけるヤング率が７．２ＧＰａである。このヤング率
の比，すなわち（１２５℃におけるヤング率）／（２５
℃におけるヤング率）が０．８６となる。この構成にお
いて，樹脂量は５２質量％であり，樹脂中のＰ含有率は
２．０質量％であり，反応性ＲＤＰのＰと縮合リン酸エ
ステルのＰとの質量比が３：７である。

【００３７】次に，トリフェニルグリシジルエーテルメ
タンに９，１０−ジヒドロ−９−オキサ−１０−ホスフ
ァフェナトレン−１０−オキシドを反応させたＰ含有エ
ポキシ樹脂（エポキシ当量：３４０，Ｐ含有量：４質量
％）を主剤にした実施の形態について示す。この場合、
難燃剤があらかじめ絶縁樹脂の骨格に導入されているた
め，難燃剤による耐熱性の低下をある程度抑制できる。

【００３８】（実施の形態９）実施の形態９における回
路基板用絶縁材は，半硬化状態のＰ含有エポキシ樹脂を
アラミド不織布（厚み：１００μｍ）に含浸した回路基
板用絶縁材であって，この回路基板用絶縁材を硬化した
硬化物の１２５℃におけるヤング率が６．５ＧＰａであ
り，２５℃におけるヤング率が６．８ＧＰａである。こ
のヤング率の比，すなわち（１２５℃におけるヤング
率）／（２５℃におけるヤング率）が０．９６となる。
この構成において，樹脂量は５２質量％であり，樹脂中
のＰ含有率は２．５質量％である。

【００３９】（実施の形態１０）実施の形態１０におけ
る回路基板用絶縁材は，縮合リン酸エステルを添加した
半硬化状態のＰ含有エポキシ樹脂をアラミド不織布（厚
み：１００μｍ）に含浸した回路基板用絶縁材であっ
て，この回路基板用絶縁材を硬化した硬化物の１２５℃
におけるヤング率が６．３ＧＰａであり，２５℃におけ
るヤング率が７．０ＧＰａである。このヤング率の比，
すなわち（１２５℃におけるヤング率）／（２５℃にお
けるヤング率）が０．９０となる。この構成において，
樹脂量は５２質量％であり，樹脂中のＰ含有率は２．０
質量％である。Ｐ含有エポキシ樹脂のＰと縮合リン酸エ
ステルのＰとの質量比が３：７である。

【００４０】次に，補強材に無機フィラーを使用した本
発明の第２の回路基板用絶縁材の実施の形態について示
す。

【００４１】（実施の形態１１）実施の形態１１におけ
る回路基板用絶縁材は，反応性ＲＤＰを添加した半硬化
状態のエポキシ樹脂とシリカ（粒径：５μｍ）とからな
るシート（厚み：１２０μｍ）を半硬化状態にした回路
基板用絶縁材であって，この回路基板用絶縁材を硬化し
た硬化物の１２５℃におけるヤング率が１３．６ＧＰａ
であり，２５℃におけるヤング率が１４．２ＧＰａであ
る。このヤング率の比，すなわち（１２５℃におけるヤ
ング率）／（２５℃におけるヤング率）が０．９６とな
る。この構成において，樹脂量は１０質量％であり，樹
脂中のＰ含有率は１．５質量％である。

【００４２】（実施の形態１２）実施の形態１２におけ
る回路基板用絶縁材は，半硬化状態のエポキシ樹脂と水
酸化アルミニウム（粒径：８μｍ）とからなるシート
（厚み：１２０μｍ）を半硬化状態にした回路基板用絶
縁材であって，この回路基板用絶縁材を硬化した硬化物
の１２５℃におけるヤング率が１３．７ＧＰａであり，
２５℃におけるヤング率が１４．０ＧＰａである。この
ヤング率の比，すなわち（１２５℃におけるヤング率）
／（２５℃におけるヤング率）が０．９８となる。この
構成において，樹脂量は１０質量％であり，樹脂中のＰ
含有率は０質量％である。

【００４３】本発明の第２の回路基板用絶縁材は，実施
の形態５〜１２に限定されるものではなく，例えば実施
の形態５〜１０等は，水酸化アルミニウム，水酸化マグ
ネシウム等の難燃効果を有する無機フィラーをさらに添
加しても良く，この場合より回路基板の難燃性を高める
ことができる。また，無機フィラーは実施の形態１１お
よび１２で使用したものに限定されるものでなく，アル
ミナ，窒化アルミニウム等で良く，さらに難燃効果を有
する水酸化マグネシウムでも良い。また，樹脂について
も実施の形態５〜１２のようなエポキシでなくとも，例
えばポリイミド樹脂，フェノール樹脂，シリコーン樹
脂，ポリエステル樹脂等の熱硬化性のもであれば良い。
難燃剤に関してもリン系以外に，グアニジン系あるいは
メラミン系等の窒素系でも良く，それら単独あるいは併
用でも良い。

【００４４】次に，本発明の第１の回路基板は，非ハロ
ゲン系絶縁層と配線層とが交互に積層された２層以上の
回路基板であって，少なくとも最外層の絶縁層が本発明
の第１又は第２の回路基板用絶縁材を硬化させてなるこ
とが特徴であり，層間の電気的接続の手法は特に問わな
い。例えば，スルーホール，めっきビア，ペーストビア
等で良く，高密度用回路基板であれば，短配線および微
細配線パターンが要求されるのでＩＶＨ構造を有するこ
とが好ましく，そのＩＶＨがめっきビア，フィルドめっ
きビアあるいはペーストビアであることが好ましい。特
にペーストビアの場合，導電性粒子，例えば金，銀，
銅，ニッケル，インジウム，パラジウムあるいはそれら
の合金と，エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂とからなるこ
とが好ましく，回路基板の成形の際に圧縮硬化すること
で電気的接続を確保できることが好ましい。さらに，回
路基板の層数についても２層以上であれば，特に限定は
なく，多層基板であっても良く，各絶縁層の厚みが同一
でなくとも良い。

【００４５】本発明の第１又は第２の回路基板用絶縁材
を用いて銅張積層板（回路基板）を作製し，さらに比較
例を用いて本発明の第１の回路基板について説明する。
なお，銅張積層板は，実施の形態１〜１２のそれぞれの
回路基板用絶縁材の両面に銅箔を重ね，真空熱プレスで
２００℃，１時間加熱加圧して作製した。そして，それ
ぞれの銅張積層板の難燃性および２５℃，１２５℃にお
けるピール強度について比較して説明する。難燃性につ
いてはＵＬ９４難燃性試験法を用いた。ピール強度につ
いは，銅張積層板を１０ｍｍ幅で切り出し，それを支持
材（厚み：１．６ｍｍ）に接着剤で貼り付けた後，銅箔
を９０°方向に引き剥がしたときの強度である。なお，
クロスヘッドスピードは，２０ｍｍ／分とし，２５ｍｍ
引き剥がしたときの平均である。その結果を表１に示
す。なお，比較例１および２の回路基板用絶縁材につい
て以下に示す。

【００４６】（比較例１）比較例１における回路基板用
絶縁材は，縮合リン酸エステルを添加した半硬化状態の
エポキシ樹脂をガラス不織布（厚み：１００μｍ）に含
浸した回路基板用絶縁材であって，その難燃剤は均一に
存在しており，絶縁層樹脂中におけるＰ含有率は１．８
質量％である。また，（１２５℃におけるヤング率）／
（２５℃におけるヤング率）は０．７であり，樹脂量は
６０質量％である。なお，使用した材料についてはすで
に述べたものと同様である。

【００４７】（比較例２）比較例２における回路基板用
絶縁材は，縮合リン酸エステルを添加した半硬化状態の
エポキシ樹脂をアラミド不織布（厚み：１００μｍ）に
含浸した回路基板用絶縁材であって，その難燃剤は均一
に存在しており，絶縁層樹脂中におけるＰ含有率は２．
２質量％である。また，（１２５℃におけるヤング率）
／（２５℃におけるヤング率）は０．６であり，樹脂量
は５２質量％である。なお，使用した材料についてはす
でに述べたものと同様である。

【００４８】

【表１】

【００４９】表１より，すべての回路基板において難燃
性はＵＬ９４−Ｖ０レベルに達している。一方，ピール
強度においては，１２５℃において比較例１および２が
１．０ｋＮ／ｍ未満の値を示した。しかし，本発明の第
１又は第２の回路基板用絶縁材を用いた回路基板（実施
の形態１〜１２）の場合，２５℃および１２５℃のいず
れも１．０ｋＮ／ｍ以上の強度を十分に確保した。特に
２５℃の常温では第１の回路基板用絶縁材を用いた回路
基板（実施の形態１〜４）が優れており，一方，１２５
℃の高温では第２の回路基板用絶縁材を用いた回路基板
（実施の形態５〜１２）が優れていることがわかる。以
上より，本発明の回路基板用絶縁材を用いた回路基板，
すなわち本発明の第１の構成の回路基板であれば，非ハ
ロゲン系回路基板のピール強度の向上ができる。

【００５０】次に，本発明の第２の回路基板は，非ハロ
ゲン系絶縁層と配線層とが交互に積層され，かつ非ハロ
ゲン系難燃剤を少なくとも内層の絶縁層に含む４層以上
の回路基板であって，最外層の絶縁層における難燃剤の
含有率が，内層すなわち最外層を除く絶縁層における難
燃剤の含有率より小さいことを特徴とする。この構成に
おいて，難燃剤の総含有量は，所望とする難燃性，例え
ばＵＬ９４−Ｖ０レベルを回路基板全体として確保でき
る含有量であれば良く，可能な限り最外層における難燃
剤の含有率が少ないことが好ましく，その含有率が０で
あっても構わない。これは，一般的に非ハロゲン系難燃
剤の添加量の増加に伴い，絶縁層の耐熱性および機械特
性が低下するためである。また，最外層以外のそれぞれ
の絶縁層における難燃剤の含有率は必ずしも同一でなく
ても良い。

【００５１】また，少なくとも内層の絶縁層が，非ハロ
ゲン系樹脂と，補強材として不織布あるいは織布を少な
くとも含み，全絶縁層の補強材が不織布あるいは織布で
あっても良く，さらにこれらが有機繊維又はガラス繊維
の少なくとも一方を主成分とすることが好ましく，回路
基板における絶縁層の機械強度の向上，寸法安定性，薄
型化等に有用である。また，その補強材が有機繊維を主
成分とする場合，全芳香族ポリアミド，全芳香族ポリエ
ステルおよびポリパラフェニレンベンゾビスオキサゾー
ルからなる群から選択された少なくとも１種であること
が好ましく，これらのような高耐熱性有機繊維を用いれ
ば，回路基板における絶縁層の機械特性が良好であるこ
とは勿論であり，軽量化，低誘電率化が容易である。さ
らに，これらのような有機繊維であれば，繊維自身に難
燃性あるいは自己消火性を有するため，回路基板の難燃
性を損なうことはない。この補強材の構成が有機繊維と
ガラス繊維との混合体であっても構わない。また，本発
明の第２の回路基板の少なくとも内層の絶縁層が非ハロ
ゲン系樹脂と無機フィラーとを少なくとも含むことも好
ましく，この場合，回路基板の機械特性が良好であるこ
とは勿論であり，寸法安定性，低熱膨張化に優れた回路
基板を提供することができる。その無機フィラーはアル
ミナ，シリカ等で良く，さらに回路基板の高放熱化には
窒化アルミニウム等が有用である。また，無機フィラー
に難燃効果を有する水酸化アルミニウム，水酸化マグネ
シウムを用いれば，回路基板をより難燃化することがで
きるのでより好ましい。

【００５２】以下に図面を用いてさらに本発明の第２の
回路基板について説明する。図１は，本発明の第２の回
路基板における４層回路基板の構成を模式化して示す断
面図である。図１は，内層の絶縁層１０２と最外の絶縁
層１０３と配線層１０４および１０５が交互に積層され
た４層からなる回路基板１０１であり，層間の電気接続
はスルーホール１０６とＩＶＨ１０７で確保された構成
である。本発明の第２の回路基板によれば，最外の絶縁
層１０３における非ハロゲン系難燃剤の含有率が内層の
絶縁層１０２より小さくなることを特徴とする。なお，
本発明の回路基板は，層間の電気的接続の手法は特に問
わない。例えば，スルーホール，めっきビア，ペースト
ビア等で良く，高密度用回路基板であれば，短配線およ
び微細配線パターンが要求されるのでＩＶＨ構造である
ことが好ましく，そのＩＶＨがめっきビア，フィルドめ
っきビアあるいはペーストビアであることが好ましい。
特にペーストビアの場合，導電性粒子，例えば金，銀，
銅，ニッケル，インジウム，パラジウムあるいはそれら
の合金と，エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂とからなるこ
とが好ましく，回路基板の成形の際に圧縮硬化すること
で電気的接続を確保できることが好ましい。また，スル
ーホール１０６は必要に応じて設ければ良い。さらに，
配線層１０４および１０５についても特に限定はなく，
フルアディティブ，セミアディティブ，サブトラクティ
ブ法等で形成すれば良い。また，回路基板の層数につい
ても４層以上であれば，特に限定はなく，多層基板であ
っても良く，さらに各絶縁層の厚みが同一でなくとも良
い。

【００５３】次に，本発明の第２の回路基板における実
施の形態１３〜１７で用いた材料について説明する。な
お、本発明の第２の回路基板における効果は，層間の電
気的接続の手法および配線層には左右されないので，絶
縁層の構成のみ示す。

【００５４】樹脂は，主剤にクレゾールノボラック型エ
ポキシ（エポキシ当量：２１４），硬化剤にフェノール
ノボラック（ＯＨ当量：１０５）を用いてなるエポキシ
樹脂である。非ハロゲン系難燃剤には，縮合リン酸エス
テル（Ｐ含有量：９質量％）を用いた。

【００５５】（実施の形態１３）図１の絶縁層１０２お
よび１０３は，縮合リン酸エステルを添加したエポキシ
樹脂をガラス織布（厚み：１００μｍ）に含浸した形態
であり，その樹脂量は５５質量％である。そして，それ
ぞれの絶縁層樹脂におけるＰ含有率は，絶縁層１０２に
おいて２質量％，絶縁層１０３において１．０質量％で
ある。

【００５６】（実施の形態１４）図１の絶縁層１０２お
よび１０３は，縮合リン酸エステルを添加したエポキシ
樹脂をアラミド不織布（厚み：１００μｍ）に含浸した
形態であり，その樹脂量は５０質量％である。そして，
それぞれの絶縁層樹脂におけるＰ含有率は，絶縁層１０
２において２．５質量％，絶縁層１０３において１．０
質量％である。

【００５７】（実施の形態１５）図１の絶縁層１０２
は，縮合リン酸エステルを添加したエポキシ樹脂をアラ
ミド不織布（厚み：１００μｍ）に含浸し，絶縁層１０
３は縮合リン酸エステルを添加したエポキシ樹脂をガラ
ス織布（厚み：１００μｍ）に含浸した形態であり，そ
れぞれの樹脂量はいずれも５０質量％である。そして，
それぞれの絶縁層樹脂におけるＰ含有率は，絶縁層１０
２において２．２質量％，絶縁層１０３において１質量
％である。

【００５８】（実施の形態１６）図１の絶縁層１０２
は，縮合リン酸エステルを添加したエポキシ樹脂をガラ
ス織布（厚み：１００μｍ）に含浸し，絶縁層１０３
は，エポキシ樹脂にシリカが充填された形態（厚み：５
０μｍ）であり，それぞれの樹脂量は５０質量％および
４０質量％である。それぞれの絶縁層樹脂におけるＰ含
有率は，絶縁層１０２において２質量％，絶縁層１０３
において０．７質量％である。

【００５９】（実施の形態１７）図１の絶縁層１０２
は，縮合リン酸エステルを添加したエポキシ樹脂をガラ
ス織布（厚み：１００μｍ）に含浸し，絶縁層１０３
は，エポキシ樹脂に難燃性を有する水酸化アルミニウム
が高充填された形態（厚み：５０μｍ）であり，それぞ
れの樹脂量は５０質量％および１０質量％である。それ
ぞれの絶縁層樹脂におけるＰ含有率は，絶縁層１０２に
おいて２質量％，絶縁層１０３においては０質量％であ
る。

【００６０】本発明の第２の回路基板は，実施の形態１
３〜１７に限定されるものではなく，例えば実施の形態
１３〜１６等は，水酸化アルミニウム，水酸化マグネシ
ウム等の難燃効果を有する無機フィラーをさらに添加し
ても良く，この場合より回路基板の難燃性を高めること
ができる。また，無機フィラーは実施の形態１６および
１７に限定されるものではなく，アルミナ，窒化アルミ
ニウム等で良く，さらに難燃効果を有する水酸化マグネ
シウムでも良い。また，樹脂についても実施の形態１３
〜１７のようなエポキシ樹脂でなくとも，例えばポリイ
ミド樹脂，フェノール樹脂，シリコーン樹脂，ポリエス
テル樹脂等でも良い。難燃剤に関してもリン系以外に，
グアニジン系あるいはメラミン系等の窒素系でも良く，
それら単独あるいは併用でも良い。

【００６１】本発明の実施の形態１３〜１７において，
いずれの場合も難燃性はＵＬ９４−Ｖ０レベルであり，
最外層の絶縁層における非ハロゲン系難燃剤の添加量が
本来より少量となっているため，いずれの実施の形態に
おいても２５℃におけるピール強度が１．４ｋＮ／ｍ以
上を確保することができた。また，１２５℃におけるピ
ール強度も１．２ｋＮ／ｍ以上を確保できた。

【００６２】次に，本発明の第３の回路基板は，非ハロ
ゲン系絶縁層と配線層とが交互に積層され，かつ非ハロ
ゲン系難燃剤を少なくとも内層の絶縁層に含む４層以上
の回路基板であって，１２５℃における最外層の絶縁層
のヤング率が，内層すなわち最外層を除く絶縁層のそれ
より大きいことを特徴とする。この構成において，難燃
剤の総含有量は，所望とする難燃性，例えばＵＬ９４−
Ｖ０レベルを回路基板全体として確保できる含有量であ
れば良く，可能な限り最外層における難燃剤の含有率が
少ないことが好ましく，その含有率が０であっても構わ
ない。一般的な非ハロゲン系難燃剤の場合，特にリン系
であるが，その添加量の増加に伴い，絶縁層のヤング率
の温度依存性が大きくなる。すなわち，温度上昇による
ヤング率の低下が顕著になり，さらにピール強度も温度
上昇に伴い，低下する。したがって，最外層のヤング率
がある水準，好ましくは１２５℃において２．０ＧＰａ
以上である必要がある。また，最外層以外のそれぞれの
絶縁層における難燃剤の含有率は必ずしも同一でなくて
も良い。

【００６３】また，少なくとも最外層の絶縁層が，非ハ
ロゲン系樹脂と，補強材として不織布あるいは織布を少
なくとも含み，全絶縁層の補強材が不織布あるいは織布
であっても良く，さらにこれらが有機繊維又はガラス繊
維の少なくとも一方を主成分とすることが好ましく，回
路基板における絶縁層の機械強度の向上，寸法安定性，
薄型化等に有用である。また，その補強材が有機繊維を
主成分とする場合，全芳香族ポリアミド，全芳香族ポリ
エステルおよびポリパラフェニレンベンゾビスオキサゾ
ールからなる群から選択された少なくとも１種であるこ
とが好ましく，これらのような高耐熱性有機繊維を用い
れば，回路基板における絶縁層の機械特性が良好である
ことは勿論のことであり，軽量化，低誘電率化が容易で
ある。さらに，これらのような有機繊維であれば，繊維
自身に難燃性あるいは自己消火性を有するため，回路基
板の難燃性を損なうことはない。この補強材の構成が有
機繊維とガラス繊維との混合体であっても構わない。ま
た，本発明の第３の回路基板の少なくとも内層の絶縁層
が非ハロゲン系樹脂と無機フィラーとを少なくとも含む
ことも好ましく，この場合，回路基板の機械特性が良好
になることは勿論のことであり，寸法安定性，低熱膨張
化に優れた回路基板を提供することができる。その無機
フィラーはアルミナ，シリカ等で良く，さらに回路基板
の高放熱化には窒化アルミニウム等が有用である。ま
た，無機フィラーに難燃効果を有する水酸化アルミニウ
ム，水酸化マグネシウムを用いれば，回路基板をより難
燃化することができるのでより好ましい。

【００６４】以下に図面を用いてさらに本発明の第３の
回路基板について説明する。第３の回路基板の構成は，
本発明の第２の回路基板の構成と基本的に同様であるの
で，図１を再度用いて説明する。本発明の第３の回路基
板によれば，最外の絶縁層１０３の１２５℃におけるヤ
ング率が，内層の絶縁層１０２より大きくなることを特
徴とする。なお，第３の回路基板においても層間の電気
的接続の手法，例えばスルーホール１０６あるいはＩＶ
Ｈ１０７と，配線層１０４および１０５については特に
限定されず，本発明の第２の回路基板と同様である。ま
た，回路基板の層数についても４層以上であれば，特に
限定はなく，多層基板であっても良く，さらに各絶縁層
の厚みが同一でなくとも良い。

【００６５】次に，本発明の第３の回路基板における実
施の形態１８〜２２で用いた材料について説明する。な
お、本発明の第３の回路基板における効果も層間の電気
的接続の手法および配線層には左右されないので，絶縁
層の構成のみ示す。

【００６６】樹脂は，主剤にクレゾールノボラック型エ
ポキシ（エポキシ当量：２１４），硬化剤にフェノール
ノボラック（ＯＨ当量：１０５）を用いてなるエポキシ
樹脂である。非ハロゲン系難燃剤には，縮合リン酸エス
テル（Ｐ含有量：９質量％）を用いた。また，トリフェ
ニルグリシジルエーテルメタンに９，１０−ジヒドロ−
９−オキサ−１０−ホスファフェナトレン−１０−オキ
シドを反応させたＰ含有エポキシ樹脂（エポキシ当量：
３４０，Ｐ含有量：４質量％）の主剤も用いた。この場
合、難燃剤があらかじめ絶縁樹脂の骨格に導入されてい
るため，難燃剤による耐熱性の低下を程度抑制できる。

【００６７】（実施の形態１８）図１の絶縁層１０２
は，縮合リン酸エステルを添加したエポキシ樹脂をガラ
ス織布（厚み：１００μｍ）に含浸した形態で，その樹
脂量は５０質量％であり，１２５℃におけるヤング率は
９．０ＧＰａである。絶縁層１０３はＰ含有エポキシ樹
脂をガラス織布（厚み：６０μｍ）に含浸した形態で，
その樹脂量は５０質量％であり，１２５℃におけるヤン
グ率は９．８ＧＰａである。そして，それぞれの絶縁層
樹脂におけるＰ含有率は，絶縁層１０２および１０３共
に２質量％である。

【００６８】（実施の形態１９）図１の絶縁層１０２
は，縮合リン酸エステルを添加したエポキシ樹脂をアラ
ミド不織布（厚み：１００μｍ）に含浸した形態で，そ
の樹脂量は５０質量％であり，１２５℃におけるヤング
率は５．６ＧＰａである。絶縁層１０３はＰ含有エポキ
シ樹脂をアラミド不織布（厚み：８０μｍ）に含浸した
形態で，その樹脂量は５０質量％であり，１２５℃にお
けるヤング率は６．５ＧＰａである。そして，それぞれ
の絶縁層樹脂におけるＰ含有率は，絶縁層１０２および
１０３共に２質量％である。

【００６９】（実施の形態２０）図１の絶縁層１０２
は，縮合リン酸エステルを添加したエポキシ樹脂をアラ
ミド不織布（厚み：１００μｍ）に含浸した形態で，そ
の樹脂量は５０質量％であり，１２５℃におけるヤング
率は５．６ＧＰａである。絶縁層１０３は縮合リン酸エ
ステルを添加したエポキシ樹脂をガラス織布（厚み：１
００μｍ）に含浸した形態で，その樹脂量は５０質量％
であり，１２５℃におけるヤング率は９．０ＧＰａであ
る。そして，それぞれの絶縁層樹脂におけるＰ含有率
は，絶縁層１０２および１０３共に２質量％である。

【００７０】（実施の形態２１）図１の絶縁層１０２
は，縮合リン酸エステルを添加したエポキシ樹脂をアラ
ミド不織布（厚み：１００μｍ）に含浸した形態で，そ
の樹脂量は５０質量％であり，１２５℃におけるヤング
率は５．６ＧＰａである。絶縁層１０３は縮合リン酸エ
ステルを添加したエポキシ樹脂にシリカを充填した形態
（厚み：５０μｍ）で，その樹脂量は４０質量％であ
り，その１２５℃におけるヤング率は１２．８ＧＰａで
ある。そして，それぞれの絶縁層樹脂におけるＰ含有率
は，絶縁層１０２および１０３共に２質量％である。

【００７１】（実施の形態２２）図１の絶縁層１０２
は，縮合リン酸エステルを添加したエポキシ樹脂をガラ
ス織布（厚み：１００μｍ）に含浸した形態で，その樹
脂量は５０質量％であり，１２５℃におけるヤング率は
９．０ＧＰａである。絶縁層１０３はエポキシ樹脂と水
酸化マグネシウム（粒径：２μｍ）を充填した形態（厚
み：５０μｍ）で，その樹脂量は１０質量％であり，そ
の１２５℃におけるヤング率は１３．６ＧＰａである。
そして，それぞれの絶縁層樹脂におけるＰ含有率は，絶
縁層１０２は２質量％であり，絶縁層１０３は０質量％
である。

【００７２】本発明の第３の回路基板は，実施の形態１
８〜２２に限定されるものではなく，例えば実施の形態
１８〜２１等は，水酸化アルミニウム，水酸化マグネシ
ウム等の難燃効果を有する無機フィラーをさらに添加し
ても良く，この場合，より回路基板の難燃性を高めるこ
とができる。また，無機フィラーは実施の形態２１およ
び２２に限定されるものではなく，アルミナ，窒化アル
ミニウム等で良く，さらに難燃効果を有する水酸化アル
ミニウムでも良い。また，樹脂についても実施の形態１
８〜２２のようなエポキシ樹脂でなくとも，例えばポリ
イミド樹脂，フェノール樹脂，シリコーン樹脂，ポリエ
ステル樹脂等でも良い。難燃剤に関してもリン系以外
に，グアニジン系あるいはメラミン系等の窒素系でも良
く，それら単独あるいは併用でも良い。

【００７３】本発明の実施の形態１８〜２２において，
いずれの場合も難燃性はＵＬ９４−Ｖ０レベルであり，
最外層の絶縁層の高温（１２５℃）におけるヤング率が
内層のそれより大きく，耐熱性が確保されているため，
いずれの実施の形態においても１２５℃におけるピール
強度が１．２ｋＮ／ｍ以上を確保することができ，２５
℃におけるピール強度も１．２ｋＮ／ｍ以上を確保でき
た。

【００７４】次に，本発明の第４の回路基板は，非ハロ
ゲン系絶縁層と配線層とが交互に積層された４層以上の
回路基板であって，少なくとも最外層の絶縁層が難燃性
化合物からなり，かつその難燃性化合物からなる層を除
く絶縁層に非ハロゲン系難燃剤を含むことを特徴とす
る。この構成において，最外層の難燃性化合物からなる
絶縁層は，ポリイミド，全芳香族ポリアミド，全芳香族
ポリエステル，ポリフェニレンサルファイド，ポリフェ
ニレンエーテルおよびポリエーテルスルホンからなる群
から選択された少なくとも１種からなるフィルムである
ことが好ましい。なお，フィルムの厚みとしては１０〜
７５μｍが好ましい。これらのフィルムであれば，フィ
ルム自体に難燃性あるいは自己消火性を有し，特に難燃
剤を必要としないため，ピール強度をハロゲン系回路基
板と同等にすることができる。なお，フィルムを絶縁層
として用いる場合，熱可塑性フィルムでない限り配線層
を接着するための接着層をフィルムの両面に設ける必要
がある。この場合，非常に薄くすれば，例えば１〜１０
μｍ程度であれば，難燃剤の添加は特に必要としない。
接着層としては，１〜２０μｍが好ましい。また，熱可
塑性フィルムであれば，熱融着によって配線層を接着す
ることができるため，必ずしも接着層を必要としない。
したがって，本発明の第４の回路基板は，回路基板全体
としての難燃性を確保するためには，内層の絶縁層に難
燃剤を添加することで確保することができる。その内層
の絶縁層における難燃剤の総含有量は，所望とする難燃
性，例えばＵＬ９４−Ｖ０レベルを回路基板全体として
確保できる含有量である必要があるが，内層におけるそ
れぞれの絶縁層における難燃剤の含有率は必ずしも同一
でなくても良い。

【００７５】また，内層の絶縁層が，非ハロゲン系樹脂
と，補強材として不織布あるいは織布を少なくとも含
み，すべての内層の絶縁層の補強材が不織布あるいは織
布であっても良く，さらにこれらが有機繊維又はガラス
繊維の少なくとも一方を主成分とすることが好ましく，
回路基板における絶縁層の機械強度の向上，寸法安定
性，薄型化等に有用である。また，その補強材が有機繊
維を主成分とする場合，全芳香族ポリアミド，全芳香族
ポリエステルおよびポリパラフェニレンベンゾビスオキ
サゾールからなる群から選択された少なくとも１種であ
ることが好ましく，これらのような高耐熱性有機繊維を
用いれば，回路基板における絶縁層の機械特性が良好で
あることは勿論であり，軽量化，低誘電率化が容易であ
る。さらに，これらのような有機繊維であれば，繊維自
身に難燃性あるいは自己消火性を有するため，回路基板
の難燃性を損なうことはない。この補強材の構成が有機
繊維とガラス繊維との混合体であっても構わない。ま
た，本発明の第４の回路基板の内層の絶縁層が非ハロゲ
ン系樹脂と無機フィラーとを少なくとも含むことも好ま
しく，この場合，回路基板の機械特性は勿論のことであ
り，寸法安定性，低熱膨張化に優れた回路基板を提供す
ることができる。その無機フィラーはアルミナ，シリカ
等で良く，さらに回路基板の高放熱化には窒化アルミニ
ウム等が有用である。また，無機フィラーに難燃効果を
有する水酸化アルミニウム，水酸化マグネシウムを用い
れば，回路基板をより難燃化することができるのでより
好ましい。

【００７６】以下に図面を用いてさらに本発明の第４の
回路基板について説明する。図２は，本発明の第４の回
路基板における４層回路基板の構成を模式化して示す断
面図である。図２は，内層の絶縁層２０２と，難燃性化
合物２０３と接着層２０４からなる最外の絶縁層と，配
線層２０５および２０６が交互に積層された４層からな
る回路基板２０１であり，層間の電気接続はＩＶＨ２０
７とスルーホール２０８で確保された構成である。本発
明の第４の回路基板によれば，最外の絶縁層を難燃性化
合物２０３を主体として構成し，かつ内層の絶縁層２０
２が非ハロゲン系難燃剤を含むことを特徴とする。な
お，接着層２０４に難燃剤を使用しても良いが，本発明
の構成であれば難燃剤は特に必要としない。さらに，本
発明の回路基板は，ＩＶＨ２０７とスルーホール２０８
等の層間の電気的接続の手法は特に問わない。例えば，
スルーホール，めっきビア，ペーストビア等で良く，高
密度用回路基板であれば，短配線および微細配線パター
ンが要求されるのでＩＶＨ構造であることが好ましく，
そのＩＶＨがめっきビア，フィルドめっきビアあるいは
ペーストビアであることが好ましい。特にペーストビア
の場合，導電性粒子，例えば金，銀，銅，ニッケル，イ
ンジウム，パラジウムあるいはそれらの合金と，エポキ
シ樹脂等の熱硬化性樹脂とからなることが好ましく，回
路基板の成形の際に圧縮硬化することで電気的接続を確
保できることが好ましい。さらに，配線層２０５および
２０６についても特に限定はなく，フルアディティブ，
セミアディティブ，サブトラクティブ法等で形成すれば
良い。また，回路基板の層数についても４層以上であれ
ば，特に限定はなく，多層基板であっても良い。さら
に，各絶縁層の厚みが同一でなくとも良いが，表層に微
細配線が要求される場合，ＩＶＨのアスペクト比を踏ま
えると内層厚みより最外層の厚みが小さいことが好まし
い。

【００７７】第４の回路基板における実施の形態２３〜
２５で用いた材料について説明する。なお、本発明の第
４の回路基板における効果も層間の電気的接続の手法お
よび配線層には左右されないので，絶縁層の構成のみ示
す。

【００７８】内層の絶縁層の樹脂は，主剤にクレゾール
ノボラック型エポキシ（エポキシ当量：２１４），硬化
剤にフェノールノボラック（ＯＨ当量：１０５）を用い
てなるエポキシ樹脂である。非ハロゲン系難燃剤には，
縮合リン酸エステル（Ｐ含有量：９質量％）を用いた。

【００７９】（実施の形態２３）図２の最外の絶縁層に
おける難燃性化合物２０３はポリイミドフィルム（厚
み：１２μｍ）であり，その両面の接着層２０４は変性
ポリイミド（厚み：５μｍ）であり、難燃剤は含まれて
いない。内層の絶縁層２０２は，縮合リン酸エステルを
添加したエポキシ樹脂をガラス織布（厚み：１００μ
ｍ）に含浸した形態で，その樹脂量は６０質量％であ
る。また，その絶縁層２０２の樹脂におけるＰ含有率は
２質量％である。

【００８０】（実施の形態２４）図２の最外の絶縁層に
おける難燃性化合物２０３はポリイミドフィルム（厚
み：１２μｍ）であり，その両面の接着層２０４は変性
ポリイミド（厚み：５μｍ）であり、難燃剤は含まれて
いない。内層の絶縁層２０２は，縮合リン酸エステルを
添加したエポキシ樹脂をアラミド不織布（厚み：１００
μｍ）に含浸した形態で，その樹脂量は５０質量％であ
る。その絶縁層２０２の樹脂におけるＰ含有率は２質量
％である。

【００８１】（実施の形態２５）図２の最外の絶縁層に
おける難燃性化合物２０３は全芳香族ポリエステルフィ
ルム（厚み：２５μｍ）であり，その両面の接着層２０
４は設けていない。内層の絶縁層２０２は，縮合リン酸
エステルを添加したエポキシ樹脂をアラミド不織布（厚
み：１００μｍ）に含浸した形態で，その樹脂量は５０
質量％である。その絶縁層２０２の樹脂におけるＰ含有
率は２質量％である。

【００８２】本発明の第４の回路基板は，実施の形態２
３〜２５に限定されるものではなく，例えば内層の絶縁
層２０２に水酸化アルミニウム，水酸化マグネシウム等
の難燃効果を有する無機フィラーをさらに添加しても良
く，この場合，より回路基板の難燃性を高めることがで
きる。また，内層の絶縁層２０２がエポキシ樹脂に無機
フィラーを充填した形態であっても良く，無機フィラー
は，シリカ，アルミナ，窒化アルミニウム等で良く，さ
らに難燃効果を有する水酸化アルミニウム，水酸化マグ
ネシウムでも良い。また，樹脂についてもエポキシ樹脂
でなくとも，例えばポリイミド樹脂，フェノール樹脂，
シリコーン樹脂，ポリエステル樹脂等でも良い。難燃剤
に関してもリン系以外に，グアニジン系あるいはメラミ
ン系等の窒素系でも良く，それら単独あるいは併用でも
良い。

【００８３】本発明の実施の形態２３〜２５において，
いずれの場合も難燃性はＵＬ９４−Ｖ０レベルであり，
最外層の絶縁層において非ハロゲン系難燃剤を使用する
必要がないため，いずれの実施の形態においても２５℃
におけるピール強度が１．４ｋＮ／ｍ以上，１２５℃に
おけるピール強度が１．２ｋＮ／ｍ以上を確保すること
ができた。

【００８４】次に，本発明の回路基板の製造方法につい
て説明する。

【００８５】先ず，本発明の第１の回路基板の製造方法
は，本発明の第１の回路基板用絶縁材を使用しなくとも
本発明の第１の回路基板の構成を容易に得ることができ
る。また，この製造方法であれば，全層ＩＶＨ構造の回
路基板を製造することができるため，非ハロゲン系かつ
高密度実装用の回路基板を提供することができる。ま
た，回路基板用絶縁材が非ハロゲン系樹脂と補強材とし
て不織布あるいは織布を少なくとも含み，全絶縁層の補
強材が不織布あるいは織布であっても良く，さらにこれ
らが有機繊維又はガラス繊維の少なくとも一方を主成分
とすることが好ましい。また，その補強材が有機繊維を
主成分とする場合，全芳香族ポリアミド，全芳香族ポリ
エステルおよびポリパラフェニレンベンゾビスオキサゾ
ールからなる群から選択された少なくとも１種であるこ
とが好ましい。この補強材の構成は有機繊維とガラス繊
維との混合体であっても構わない。また，回路基板用絶
縁材が非ハロゲン系樹脂と無機フィラーとを少なくとも
含むことも好ましい。その無機フィラーはアルミナ，シ
リカ，窒化アルミニウム，水酸化アルミニウムおよび水
酸化マグネシウムからなる群から選択された少なくとも
１種であることが好ましい。また，回路基板用絶縁材に
本発明の回路基板用絶縁材を用いても構わない。

【００８６】続いて，本発明の第１の回路基板の製造方
法について図面を用いて説明する。図３は，本発明の第
１および第２の回路基板の製造方法を説明する模式的な
断面図である。本発明の第１の回路基板の製造方法は，
非ハロゲン系の回路基板用絶縁材３０１の両面に非ハロ
ゲン系の樹脂シート３０２を重ね，さらにその両面に離
形性フィルム３０３を重ねて圧着して積層体３０４を形
成する工程（ａ１），（ｂ）と，その離形性フィルム３
０３を具備した積層体３０４に貫通孔３０５を所望の位
置に形成する工程（ｃ）と，その貫通孔３０５に導電性
ペースト３０６を充填する工程（ｄ）と、その導電性ペ
ースト３０６が充填された積層体３０４から離型性フィ
ルム３０３のみを剥離する工程（ｅ）と、離型性フィル
ム３０３が剥離された積層体の両面に金属箔３０７を重
ねる工程（ｆ）と、さらに加熱加圧して金属箔３０７と
積層体とを接着し，かつ貫通孔３０５に充填された導電
性ペースト３０６を圧縮硬化してビア３０８を形成する
工程（ｇ）と，その積層体の金属箔３０７に所望の回路
パターン３０９を形成する工程（ｈ）とを含む工程を少
なくとも１回以上繰り返してなる回路基板の製造方法で
あって，樹脂シート３０２および回路基板用絶縁材３０
１がそれぞれ非ハロゲン系難燃剤を含み，かつ樹脂シー
ト３０２における難燃剤の含有率が回路基板用絶縁材３
０１のそれより大きいことを特徴とする。

【００８７】また，本発明の第２の回路基板の製造方法
は，非ハロゲン系の回路基板用絶縁材３０１の両面に樹
脂層３１０を片面に具備した離形性フィルム３１１を用
いる工程（ａ２）以外は，第１の回路基板の製造方法と
同様である。

【００８８】いずれの製造方法においても，本発明の第
１の回路基板用絶縁材を用いた本発明の第１の回路基板
と同様の回路基板３１２を提供することができ，さらに
完全ＩＶＨ構造の回路基板を構成することができるた
め，非ハロゲン系の高密度実装に極めて優れた回路基板
を提供することができる。

【００８９】さらに，上記工程を繰り返すことにより完
全ＩＶＨ構造の多層基板を容易に提供することができ
る。ここで，図４を用いて繰り返す工程について説明す
る。図４は，本発明の第１および第２の回路基板の多層
化工程の模式的な断面図である。図４において，図３の
（ａ１）又は（ａ２）〜（ｈ）の工程によって製造され
たコア基板４０１の両面に，図３の（ａ１）又は（ａ
２）〜（ｅ）の工程によって製造された積層体４０２を
重ね，さらにその両面に金属箔４０３を重ねる工程
（ａ）と，さらに加熱加圧して金属箔４０３と積層体４
０２とを接着し，かつ貫通孔に充填された導電性ペース
トを圧縮硬化してビア４０４を形成する工程（ｂ）と，
その積層体の金属箔４０３に所望の回路パターン４０５
を形成する工程（ｃ）とを含む工程を少なくとも１回以
上繰り返すことで多層化が容易にできる。また，あらか
じめコア基板４０１と積層体４０２とを交互に積層体４
０２が外側になるように重ね，最後に金属箔４０３を重
ねて，以下，図４の（ｂ）および（ｃ）の工程を行なう
ことでも多層化ができ，この場合積層回数を減少させる
ことができるため，製造タクトの短縮化に適している。
なお，本発明の回路基板の製造方法における配線層は銅
を主成分とすれば良く，その配線層を形成するために用
いた金属箔３０７，４０３は銅箔で良い。また，離形性
フィルム３０３および樹脂層３１０を具備した離形性フ
ィルム３１１はポリエチレンテレフタレート（ＰＥ
Ｔ），ポリエチレンナイトレート（ＰＥＮ），セルロー
ス系のフィルムから選ばれることが好ましく，貫通孔３
０５は炭酸ガスレーザー，ＹＡＧレーザーあるいはエキ
シマレーザーのいずれかで形成されることが好ましい。
また，導電性ペースト３０６は，導電性粒子，例えば
金，銀，銅，ニッケル，インジウム，パラジウムあるい
はそれらの合金と，エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂とか
らなることが好ましい。また，導電性ペースト３０６の
充填はスキージ等を用いた印刷法で良いが，真空中で行
なうとより効果的に導電性ペースト３０６のＦ値を増大
化することができる。回路基板の成形は真空熱プレスが
好ましい。

【００９０】以下に本発明の回路基板の製造方法におけ
る具体的な実施の形態を示す。先ず，以下の実施の形態
２６〜２９で用いた共通の材料および工法について説明
する。

【００９１】材料において，離形性フィルムには２０μ
ｍのＰＥＴフィルムを用い，導電性ペーストには導電性
粒子に銅粉（平均粒径：５μｍ）を，バインダにビスフ
ェノールＦ型エポキシ樹脂（３質量部）とダイマー酸を
グリシジルエステル化したエポキシ樹脂（７質量部）と
アミンアダクト型硬化剤（２．５質量部）とからなる樹
脂に混合して用い，そのＦ値（フィラー値）は８７．５
である。非ハロゲン系難燃剤には，縮合リン酸エステル
（Ｐ含有量：９質量％）を用いた。

【００９２】工法において，ラミネーター（温度：１２
０℃，圧力１９６ｋＰａ）によって積層体３０４を形成
し，炭酸ガスレーザーによって２００μｍの貫通孔３０
５を形成し，真空熱プレス（温度：２００℃，圧力：４
９０３ｋＰａ，硬化時間：１時間）によって成形体を作
製した。また，ペースト充填には印刷法を，回路パター
ン形成にはエッチング法を用いた。さらに，図３の離形
性フィルム３１１は，ＰＥＴフィルムの片面にバーコー
ターによって固形分７０質量％のＭＥＫワニスを塗布し
て，１２０℃で１０分間乾燥して作製した。

【００９３】（実施の形態２６）図３の回路基板用絶縁
材３０１は，縮合リン酸エステルを添加した半硬化状態
のエポキシ樹脂，具体的には主剤にクレゾールノボラッ
ク型エポキシ（エポキシ当量：２１４），硬化剤にフェ
ノールノボラック（ＯＨ当量：１０５）を用いてなるエ
ポキシ樹脂をガラス織布（厚み：１００μｍ）に含浸し
た形態であり，樹脂量が５０質量％，Ｐ含有率が１．０
質量％である。また，樹脂シート３０２あるいは樹脂層
を具備した離形性フィルム３１１の樹脂層３１０は，縮
合リン酸エステルを添加した絶縁材３０１と同様の半硬
化状態のエポキシ樹脂であり，厚みが１０μｍでＰ含有
率は２．０質量％である。

【００９４】（実施の形態２７）図３の回路基板用絶縁
材３０１は，縮合リン酸エステルを添加した半硬化状態
のエポキシ樹脂，具体的には主剤にクレゾールノボラッ
ク型エポキシ（エポキシ当量：２１４），硬化剤にフェ
ノールノボラック（ＯＨ当量：１０５）を用いてなるエ
ポキシ樹脂をアラミド不織布（厚み：１００μｍ）に含
浸した形態であり，樹脂量が５０質量％，Ｐ含有率が
１．０質量％である。また，樹脂シート３０２あるいは
樹脂層を具備した離形性フィルム３１１の樹脂層３１０
は，縮合リン酸エステルを添加した絶縁材３０１と同様
の半硬化状態のエポキシ樹脂であり，厚みが１０μｍで
Ｐ含有量は２．２質量％である。

【００９５】（実施の形態２８）図３の回路基板用絶縁
材３０１は，縮合リン酸エステルを添加した半硬化状態
のエポキシ樹脂，具体的には主剤にクレゾールノボラッ
ク型エポキシ（エポキシ当量：２１４），硬化剤にフェ
ノールノボラック（ＯＨ当量：１０５）を用いてなるエ
ポキシ樹脂とアルミナ（粒径：５μｍ）とからなるシー
ト（厚み：１２０μｍ）であり，樹脂量が４０質量％，
Ｐ含有量が１．０質量％である。また，樹脂シート３０
２あるいは樹脂層を具備した離形性フィルム３１１の樹
脂層３１０は，縮合リン酸エステルを添加した絶縁材３
０１と同様の半硬化状態のエポキシ樹脂であり，厚みが
５μｍでＰ含有量は１．５質量％である。

【００９６】（実施の形態２９）図３の回路基板用絶縁
材３０１は，縮合リン酸エステルを添加した半硬化状態
のエポキシ樹脂，具体的には主剤にクレゾールノボラッ
ク型エポキシ（エポキシ当量：２１４），硬化剤にフェ
ノールノボラック（ＯＨ当量：１０５）を用いてなるエ
ポキシ樹脂と水酸化アルミニウム（粒径：８μｍ）とか
らなるシート（厚み：１００μｍ）であり，樹脂量が１
０質量％，Ｐ含有量が０質量％である。また，樹脂シー
ト３０２あるいは樹脂層を具備した離形性フィルム３１
１の樹脂層３１０は，縮合リン酸エステルを添加した絶
縁材３０１と同様の半硬化状態のエポキシ樹脂であり，
厚みが５μｍでＰ含有量は１質量％である。

【００９７】実施の形態２６〜２９において，本発明の
回路基板の第１あるいは第２の製造方法を用いれば，本
発明の第１の回路基板を容易に作製することができ，か
つその回路基板における本発明の効果は全く同等であ
る。さらに，この製造方法であれば，全層ＩＶＨ構造の
高密度実装に極めて優れた回路基板を提供することが容
易である。

【００９８】なお，本発明は，以上の実施の形態１〜２
９に示した構成，材料および工法に限定されるものでな
い。

【００９９】

【発明の効果】以上，説明したように本発明は，回路基
板用絶縁材あるいは回路基板の構成であれば，非ハロゲ
ン系回路基板の非ハロゲン系難燃剤による不具合，特に
ピール強度をはじめとする基板特性の低下を容易に改善
することができる。また，本発明の第２の回路基板用絶
縁材であれば，その硬化物のヤング率の比，すなわち
（１２５℃のヤング率）／（２５℃のヤング率）が０．
８以上となるように材料組成を構築すれば，容易にハロ
ゲン系回路基板と同等の基板特性を有する非ハロゲン系
回路基板を提供することができる。また，本発明の回路
基板の製造方法によれば，非ハロゲン系難燃剤による基
板特性の低下を抑制できる構造，かつ高密度実装に極め
て優れた全層ＩＶＨ構造の回路基板を容易に提供するこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第２又は第３の回路基板の模式的な断
面図である。

【図２】本発明の第４の回路基板の模式的な断面図であ
る。

【図３】本発明の第１および第２の回路基板の製造方法
を説明する模式的な断面図である。

【図４】本発明の第１および第２の回路基板の多層化工
程の模式的な断面図である。

【符号の説明】

１０１本発明の第２又は第３の回路基板１０２内層の絶縁層１０３最外の絶縁層１０４，１０５配線層１０６スルーホール１０７ＩＶＨ（インタースティシャルビアホール）２０１本発明の第４の回路基板２０２内層の絶縁層２０３難燃性化合物２０４接着層２０５，２０６配線層２０７ＩＶＨ（インタースティシャルビアホール）２０８スルーホール３０１回路基板用絶縁材３０２樹脂シート３０３離形性フィルム３０４離形性フィルム，樹脂層と回路基板用絶縁材か
らなる積層体３０５貫通孔３０６導電性ペースト３０７金属箔３０８ビア３０９回路パターン３１０樹脂層３１１樹脂層を具備した離形性フィルム３１２本発明の第１の回路基板４０１コア基板４０２導電性ペーストが貫通孔に充填され，樹脂層と
回路基板用絶縁材からなる積層体４０３金属箔４０４ビア４０５回路パターン４０６本発明の第１の回路基板

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０５Ｋ 3/46 Ｈ０５Ｋ 3/46 ＮＴ // Ｃ０８Ｌ 63:00 Ｃ０８Ｌ 63:00 Ｃ (72)発明者面屋和則大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内 (72)発明者大林孝志大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内Ｆターム(参考） 4F072 AA01 AA05 AA07 AB05 AB06 AB07 AB09 AB28 AB29 AD23 AE06 AE07 AF03 AF04 AF06 AG03 AG16 AH02 AK05 5E346 AA12 AA15 AA43 CC04 CC05 CC09 CC12 CC13 DD12 EE39 FF04 FF18

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半硬化状態の非ハロゲン系樹脂と補強材
とからなり，かつ前記樹脂に非ハロゲン系難燃剤を含む
回路基板用絶縁材であって，前記回路基板用絶縁材の表
面から内部方向に前記難燃剤の含有率が小さくなること
を特徴とする回路基板用絶縁材。
【請求項２】半硬化状態の非ハロゲン系樹脂と補強材
とからなり，かつ前記樹脂に非ハロゲン系難燃剤を含む
回路基板用絶縁材であって，前記回路基板用絶縁材を硬
化した硬化物の２５℃におけるヤング率に対する１２５
℃におけるヤング率の比が０．８以上であることを特徴
とする回路基板用絶縁材。
【請求項３】前記補強材が，有機繊維又はガラス繊維
の少なくとも一方を主成分とする不織布あるいは織布か
らなることを特徴とする請求項１又は２に記載の回路基
板用絶縁材。
【請求項４】前記有機繊維が，全芳香族ポリアミド，
全芳香族ポリエステルおよびポリパラフェニレンベンゾ
ビスオキサゾールからなる群から選択された少なくとも
１種であることを特徴とする請求項３に記載の回路基板
用絶縁材。
【請求項５】前記補強材が，無機フィラーであること
を特徴とする請求項１又は２に記載の回路基板用絶縁
材。
【請求項６】前記無機フィラーが，アルミナ，シリ
カ，窒化アルミニウム，難燃効果を有する水酸化アルミ
ニウムおよび水酸化マグネシウムからなる群から選択さ
れた少なくとも１種であることを特徴とする請求項５に
記載の回路基板用絶縁材。
【請求項７】非ハロゲン系絶縁層と配線層とが交互に
積層された２層以上の回路基板であって，少なくとも最
外層の前記絶縁層が，請求項１〜６のいずれかに記載の
回路基板用絶縁材を硬化させてなることを特徴とする回
路基板。
【請求項８】非ハロゲン系絶縁層と配線層とが交互に
積層され，かつ非ハロゲン系難燃剤を少なくとも内層の
前記絶縁層に含む４層以上の回路基板であって，最外層
の前記絶縁層が含む前記非ハロゲン系難燃剤の含有率
が，内層の前記絶縁層が含む前記非ハロゲン系難燃剤の
含有率より小さいことを特徴とする回路基板。
【請求項９】非ハロゲン系絶縁層と配線層とが交互に
積層され，かつ非ハロゲン系難燃剤を少なくとも内層の
前記絶縁層に含む４層以上の回路基板であって，最外層
の前記絶縁層の１２５℃におけるヤング率が，内層の前
記絶縁層の１２５℃におけるヤング率より大きいことを
特徴とする回路基板。
【請求項１０】少なくとも前記内層の絶縁層が，非ハ
ロゲン系樹脂と，補強材として有機繊維又はガラス繊維
の少なくとも一方を主成分とする不織布あるいは織布を
少なくとも含むことを特徴とする請求項８又は９に記載
の回路基板。
【請求項１１】前記有機繊維が，全芳香族ポリアミ
ド，全芳香族ポリエステルおよびポリパラフェニレンベ
ンゾビスオキサゾールからなる群から選択された少なく
とも１種であることを特徴とする請求項１０に記載の回
路基板。
【請求項１２】少なくとも前記内層の絶縁層が，非ハ
ロゲン系樹脂と無機フィラーとを少なくとも含むことを
特徴とする請求項８又は９に記載の回路基板。
【請求項１３】前記無機フィラーが，アルミナ，シリ
カ，窒化アルミニウム，難燃効果を有する水酸化アルミ
ニウムおよび水酸化マグネシウムからなる群から選択さ
れた少なくとも１種であることを特徴とする請求項１２
に記載の回路基板。
【請求項１４】非ハロゲン系絶縁層と配線層とが交互
に積層された４層以上の回路基板であって，少なくとも
最外層の前記絶縁層が難燃性化合物からなり，かつ前記
難燃性化合物からなる絶縁層以外の層に非ハロゲン系難
燃剤を含むことを特徴とする回路基板。
【請求項１５】前記難燃性化合物が，ポリイミド，全
芳香族ポリアミド，全芳香族ポリエステル，ポリフェニ
レンサルファイド，ポリフェニレンエーテルおよびポリ
エーテルスルホンからなる群から選択された少なくとも
１種であるとともに、前記最外層の絶縁層がフィルムか
ら構成されることを特徴とする請求項１４に記載の回路
基板。
【請求項１６】非ハロゲン系の回路基板用絶縁材の両
面に非ハロゲン系の樹脂シートを重ね，さらにその両面
に離形性フィルムを重ねて圧着して積層体を形成する工
程と，離形性フィルムを具備した前記積層体に貫通孔を
所望の位置に形成する工程と，前記貫通孔に導電性ペー
ストを充填する工程と、前記貫通孔に前記導電性ペース
トを充填した前記積層体から前記離型性フィルムのみを
剥離する工程と、前記離型性フィルムを剥離した積層体
の両面に金属箔を重ねる工程と、前記積層体を加熱加圧
して前記金属箔と前記積層体とを接着し，かつ前記貫通
孔に充填された前記導電性ペーストを圧縮硬化してビア
を形成する工程と，前記金属箔に所望の回路パターンを
形成する工程とを含む工程を少なくとも１回以上繰り返
してなる回路基板の製造方法であって，前記樹脂シート
および前記回路基板用絶縁材がそれぞれ非ハロゲン系難
燃剤を含み，かつ前記樹脂シートの前記難燃剤の含有率
が前記回路基板用絶縁材の前記難燃剤の含有率より大き
いことを特徴とする回路基板の製造方法。
【請求項１７】非ハロゲン系の回路基板用絶縁材の両
面に樹脂層を片面に具備した離形性フィルムを前記樹脂
層側で重ねて圧着して積層体を形成する工程と，離形性
フィルムを具備した前記積層体に貫通孔を所望の位置に
形成する工程と，前記貫通孔に導電性ペーストを充填す
る工程と、前記貫通孔に前記導電性ペーストを充填した
前記積層体から前記離型性フィルムのみを剥離する工程
と、前記離型性フィルムを剥離した積層体の両面に金属
箔を重ねる工程と、前記積層体を加熱加圧して前記金属
箔と前記積層体とを接着し，かつ前記貫通孔に充填され
た前記導電性ペーストを圧縮硬化してビアを形成する工
程と，前記金属箔に所望の回路パターンを形成する工程
とを含む工程を少なくとも１回以上繰り返してなる回路
基板の製造方法であって，前記樹脂層および前記回路基
板用絶縁材がそれぞれ非ハロゲン系難燃剤を含み，かつ
前記樹脂層の前記難燃剤の含有率が前記回路基板用絶縁
材の前記難燃剤の含有率より大きいことを特徴とする回
路基板の製造方法。