JP2002350513A

JP2002350513A - 検査方法及び検査装置

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Publication number: JP2002350513A
Application number: JP2002066275A
Authority: JP
Inventors: 正明 ▲ひろ▼木; Masaaki Hiroki
Original assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Current assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date: 2001-03-19
Filing date: 2002-03-12
Publication date: 2002-12-04
Anticipated expiration: 2022-03-12
Also published as: JP4255645B2

Abstract

(57)【要約】【課題】配線にプローバを立てないで済む、より簡便
な検査方法の確立、及び該検査方法を用いる検査装置を
提供する。【解決手段】検査用基板が有する１次コイルと、素子
基板が有する２次コイルを一定の間隔を空けて重ね合わ
せ、１次コイルに交流の信号を入力して、電磁誘導によ
り２次コイルに起電力を生じさせる。そして、該起電力
を用いて素子基板が有する回路を駆動し、該回路で生じ
た電磁波または電界の有する情報をモニターすることで
欠陥箇所を検出する検査装置または検査方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置が有す
る素子基板の検査装置及びそれを用いた検査方法に関す
る。より具体的には、非接触型の検査装置及びそれを用
いた検査方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、絶縁表面を有する基板上に形成さ
れた半導体膜（厚さ数〜数百ｎｍ程度）を用いて薄膜ト
ランジスタ（ＴＦＴ）を構成する技術が注目されてい
る。その理由は、半導体装置の一つであるアクティブマ
トリクス型の半導体表示装置の需要が高まってきたこと
による。アクティブマトリクス型の半導体表示装置に
は、代表的には液晶ディスプレイ、ＯＬＥＤ（Organic
Light Emitting Device）ディスプレイ、ＤＭＤ（Digit
al Micromirror Device）が含まれる。

【０００３】活性層に結晶構造を有する半導体膜を用い
たＴＦＴ（結晶質ＴＦＴ）は高い移動度が得られること
から、同一基板上に機能回路を集積させて高精細な画像
表示を行うアクティブマトリクス型の半導体表示装置を
実現することが可能である。

【０００４】ところで、アクティブマトリクス型の半導
体表示装置は、様々な製造工程を経て完成する。例えば
アクティブマトリクス型の液晶ディスプレイの場合、半
導体膜の成膜とパターン形成を行なうパターン形成工程
と、カラー化を実現するためのカラーフィルタ形成工程
と、半導体を含む素子を有する素子基板と、対向電極を
有する対向基板との間に液晶を封入して液晶パネルを形
成するセル組立工程と、セル組立工程において組み立て
られた液晶パネルに、該液晶パネルを動作させるための
駆動部品やバックライトを取り付け、液晶ディスプレイ
として完成させるモジュール組み立て工程とを、主に有
している。

【０００５】そして液晶ディスプレイの種類によって多
少の違いはあるが、上記各工程には、検査工程が含まれ
る。製品として完成する前に、工程の早い段階で不良品
を見分けることができたら、そのパネルに関しては後の
工程を省略することが可能である。よって検査工程は、
コスト削減という観点から見て、非常に有効な手段であ
る。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】パターン形成工程に含
まれる検査工程の１つに、パターン形成後の欠陥検査が
ある。

【０００７】パターン形成後の欠陥検査とは、パターン
形成した後、半導体膜、絶縁膜または配線のパターン
（以下、単にパターンと呼ぶ）の幅のばらつきによって
動作不良が生じている箇所や、ゴミまたは成膜不良によ
って、配線が断線またはショートしている箇所を検出し
たり、検査対象である回路または回路素子が正常に動作
するかどうかを確認するための検査である。

【０００８】このような欠陥検査は、主に光学式検査方
法と、プローブ検査方法とに大別される。

【０００９】光学式検査方法は、基板上に形成されたパ
ターンをＣＣＤ等で読み取り、基準となるパターンと比
較して欠陥を識別する検査方法である。また、プローブ
検査方法は、基板側の端子に微細なピン（プローブ）を
立てて、プローブ間の電流または電圧の大きさによって
欠陥を識別する検査方法である。一般的に、前者は非接
触型検査方法と呼ばれ、後者は触針型検査方法と呼ばれ
る。

【００１０】上記いずれの方法を用いても、素子基板の
欠陥を検出することが可能である。しかし、上記各検査
方法にはそれぞれ短所がある。

【００１１】光学式検査方法は、何層ものパターンの形
成が終了した後に検査を行なうと、下層に形成されたパ
ターンを識別するのが困難であるため、欠陥箇所の検出
が難しい。かといって、パターンを形成するたび毎に検
査を行なうと、検査工程自体が煩雑になり、製造工程全
体にかかる時間も長くなってしまう。また、プローブ検
査方法では、配線に直接プローブを立てるため、配線に
傷がついて微細なゴミが生じることがある。検査工程に
おいて生じたゴミは、後の工程の歩留まりを低下させる
原因になり、好ましくない。

【００１２】上記問題に鑑み、本発明では、配線にプロ
ーブを立てないで済む、より簡便な検査方法の確立、及
び該検査方法を用いる検査装置の提供を課題とする。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明者は、プローブを
立てなくても、電磁誘導によって素子基板の配線に起電
力を生じさせることで、該配線に電流を流すことができ
るのではないかと考えた。

【００１４】具体的には、素子基板を検査するための、
検査用の基板（検査用基板）を別途用意する。該検査用
基板は１次コイルを有しており、検査対象とである素子
基板は、２次コイルを有している。

【００１５】なお、１次コイルと２次コイルはともに、
基板上に成膜した導電膜をパターニングすることで形成
する。そして、従来の磁性体を設けたコイルも可能であ
るが、本発明において１次コイル及び２次コイルは、中
心に磁性体を設けて磁路としたコイルではなく、中心に
磁性体を設けないコイルを用いた。

【００１６】そして、検査用基板が有する１次コイル
と、素子基板が有する２次コイルを一定の間隔を空けて
重ね合わせ、１次コイルが有する２つの端子間に交流の
電圧を印加することで、２次コイルが有する２つの端子
間に起電力を生じさせる。なおこの間隔は小さいほど望
ましく、１次コイルと２次コイル形成部は、間隔の制御
が可能な限り近づけたほうが良い。

【００１７】そして、２次コイルに生じた起電力である
交流の電圧を、素子基板において整流化した後適当に平
滑化することで、素子基板が有する回路または回路素子
を駆動させるための直流の電圧（以下、電源電圧と呼
ぶ）として用いることが可能である。また、２次コイル
に生じた起電力である交流の電圧を、波形整形回路等で
適当にその電圧の波形を整形することで、素子基板が有
する回路または回路素子を駆動させるための信号（以
下、駆動信号と呼ぶ）として用いることが可能である。

【００１８】そして、この駆動信号または電源電圧が、
素子基板の有する配線に入力されるようにする。

【００１９】基板上に形成された回路または回路素子
は、引きまわし配線に入力された駆動信号または電源電
圧によって駆動する。回路または回路素子が駆動する
と、回路または回路素子において微弱な電磁波、または
電界が生じる。この微弱な電磁波または電界が有する情
報をモニターすることで、多数の回路または回路素子の
中から、正常に動作していない箇所を検出することが可
能である。

【００２０】なお、電磁波または電界が有する情報は、
周波数、位相、強度、時間など、様々な次元において収
集することが可能である。本発明においては、多数の回
路または回路素子の中から、正常に動作していない箇所
を検出することが可能であるのならば、電磁波または電
界が有する情報のうち、どのような情報でも利用するこ
とが可能である。

【００２１】なお回路または回路素子において生じる微
弱な電磁波、または電界のモニターの仕方は、公知の方
法を用いることができる。

【００２２】本発明は上記構成によって、配線に直接プ
ローブを立てなくても欠陥箇所を検出することができる
ので、プローブを立てることで生じた微細なゴミによ
り、後の工程の歩留まりを低下させるのを防ぐことがで
きる。なおかつ、光学式検査方法と異なり、１回の検査
工程で全てのパターン形成工程の良否を判断することが
できるので、検査工程がより簡便化される。

【００２３】

【発明の実施の形態】図１（Ａ）に、本発明の検査を行
なうための検査基板の上面図を示す。また、図１（Ｂ）
に検査方法において検査される素子基板の上面図を示
す。なお本実施の形態では、液晶ディスプレイが有する
素子基板を例にとって、本発明の検査方法について説明
するが、本発明の検査方法は、液晶ディスプレイに限っ
て用いることができるわけではなく、半導体を用いて形
成された半導体装置であるならば、どれでも用いること
が可能である。

【００２４】図１（Ａ）に示した検査基板は、基板１０
０上に、１次コイル形成部１０１、外部入力用バッファ
１０２、コネクター接続部１０３が設けられている。な
お本明細書において検査基板とは、基板１００と、基板
１００上に形成された回路または回路素子全てを含んで
いる。

【００２５】図１（Ｂ）に示した素子基板は、基板１１
０上に、信号線駆動回路１１１、走査線駆動回路１１
２、画素部１１３、引きまわし配線１１４、コネクター
接続部１１５、波形整形回路または整流回路１１６、２
次コイル形成部１１７、コイル用配線１１８が設けられ
ている。なお本明細書において素子基板とは、基板１１
０と、基板１１０上に形成された回路または回路素子全
てを含んでいる。なお、引きまわし配線１１４は、素子
基板が有する画素部と駆動回路に駆動信号や電源電圧を
供給するための配線である。

【００２６】コネクター接続部１１５には、検査工程の
後の工程において、ＦＰＣまたはＴＡＢ等が接続され
る。なお、素子基板は検査工程終了後、コイル用配線１
１８が物理的及び電気的に切り離されるように、点線Ａ
−Ａ’において切断される。

【００２７】次に、検査工程における素子基板と検査基
板の動作について説明する。なお検査工程における信号
の流れを分かり易くするために、図１で示した素子基板
と検査基板の構成を、図２にブロック図で示し、図１及
び図２を参照して説明する。

【００２８】検査基板２０３において、信号源２０１ま
たは交流電源２０２から、コネクター接続部１０３に接
続されるコネクターを介して、外部入力用バッファ１０
２に検査用の交流の信号が入力される。検査用の交流の
信号は、外部入力用バッファ１０２において緩衝増幅さ
れ、１次コイル形成部１０１に入力される。

【００２９】なお、図１（Ａ）及び図２では、入力され
た交流の信号を、外部入力用バッファ１０２において緩
衝増幅してから、１次コイル形成部１０１に入力する
が、本発明はこの構成に限定されない。外部入力用バッ
ファ１０２を設けずに、直接交流の信号を１次コイル形
成部１０１に入力しても良い。

【００３０】１次コイル形成部１０１には、複数の１次
コイルが形成されている。各１次コイルに交流の信号が
入力される。

【００３１】一方、素子基板２０４が有する２次コイル
形成部１１７には、１次コイル形成部１０１が有する複
数の１次コイルに対応した複数の２次コイルが形成され
ている。１次コイルに交流の信号が入力されると、電磁
誘導により、各２次コイルが有する２つの端子間に起電
力である交流の電圧が生じる。

【００３２】２次コイルにおいて発生した交流の電圧
は、波形整形回路１１６ａまたは整流回路１１６ｂに供
給される。波形整形回路１１６ａまたは整流回路１１６
ｂでは、該交流の電圧を整形または整流化し、駆動信号
または電源電圧を生成する。

【００３３】生成された駆動信号または電源電圧は、コ
イル用配線１１８を介して引きまわし配線１１４に入力
される。入力された駆動信号または電源電圧等は、引き
まわし配線１１４を介して信号線駆動回路１１１、走査
線駆動回路１１２、画素部１１３に供給される。

【００３４】なお画素部１１３には複数の画素が形成さ
れており、各画素には画素電極が形成されている。な
お、信号線駆動回路及び走査線駆動回路は、図１（Ａ）
及び図２に示した数に限定されない。

【００３５】駆動信号または電源電圧等が信号線駆動回
路１１１、走査線駆動回路１１２、画素部１１３に入力
されると、信号線駆動回路１１１、走査線駆動回路１１
２及び画素部１１３が有する各回路または回路素子にお
いて、電磁波または電界が生じる。

【００３６】欠陥を有する回路または回路素子において
生じる電界及び電磁波の強さは、正常な回路または回路
素子において生じる電界及び電磁波の強さと著しく異な
る。よって、各回路または回路素子において生じた電磁
波及び電界の強度をモニターすることで、欠陥の生じて
いる箇所を突き止めることができる。図２では、検査部
２０５において電界または電磁波の強度を測定し、欠陥
箇所を検出している。

【００３７】また、検査対象である全ての回路の出力
を、検査専用の回路（以下、検査専用回路）に入力し、
該検査専用回路において生じる電界または電磁波の強度
を測定することで、欠陥の有無を特定したり、欠陥箇所
そのものを特定したりしても良い。

【００３８】検査専用回路を用いる場合、画素部に実際
の表示には用いない検査専用の画素（ダミー画素）を設
け、検査専用の画素において回路または回路素子の出力
を検査専用回路に入力するようにしても良い。これは画
素部に限られず、素子基板が有する全ての回路または回
路素子の出力を、検査専用回路に入力する必要はなく、
回路または回路素子のいくつかを選択し、その出力を検
査専用回路に入力するようにしても良い。また、実際の
駆動には用いないダミーの検査専用の回路または回路素
子を形成し、該検査専用の回路または回路素子の出力を
検査専用回路に入力するようにしても良い。

【００３９】なお、電磁波及び電界をモニターする方法
は、回路または回路素子の欠陥を検出することができる
程度の感度を有しているならば、どのような方法を用い
ても良い。

【００４０】次に、１次コイル形成部及び２次コイル形
成部（以下、コイル形成部と総称する）の詳しい構成に
ついて説明する。図３にコイルの拡大図を示す。

【００４１】図３（Ａ）に示したコイルは、曲線を描い
て渦を巻いた状態になっており、コイルの両端にはコイ
ル用端子３０１、３０２が形成されている。また、図３
（Ｂ）に示したコイルは矩形を描いて渦を巻いた状態に
なっており、コイルの両端にはコイル用端子３０３、３
０４が形成されている。

【００４２】なお、本発明で用いるコイルは、コイルが
有する配線全体が同一平面上に形成され、且つコイルが
有する配線が渦を巻いていれば良い。よって、コイルが
形成されている平面に対して垂直の方向から見たとき
に、コイルの有する配線が曲線を描いていても、角のあ
る形を描いていても良い。

【００４３】また、コイルの巻数、線幅及び基板上に占
める面積は、設計者が適宜設定することができる。

【００４４】次に、図３（Ａ）に示したコイルを１次コ
イルとして有する素子基板と、同じく図３（Ａ）に示し
たコイルを２次コイルとして有する検査基板とを重ね合
わせた様子を、図４（Ａ）に示す。なお２０５は、検査
基板２０３と信号源及び交流電源とを接続するＦＰＣで
ある。

【００４５】図４（Ａ）に示すとおり、検査基板２０３
が有する１次コイル形成部１０１と、素子基板２０４が
有する２次コイル形成部１１７は、一定の間隔を空けて
重なっている。なおこの間隔は小さいほど望ましく、１
次コイル形成部１０１と、素子基板２０４が有する２次
コイル形成部１１７は、間隔の制御が可能な限り近づけ
たほうが良い。

【００４６】なお、検査基板２０３と素子基板２０４の
間隔は、両基板を固定することで保つようにしても良い
し、素子基板２０４を固定し、検査基板２０３と素子基
板２０４の間に一定の流量または圧力の気体または液体
を流すことで、保つようにしても良い。

【００４７】１次コイル形成部１０１と２次コイル形成
部１１７とが重なっている部分の拡大図を、図４（Ｂ）
に示す。２０６は１次コイルであり、２０７は２次コイ
ルを示している。

【００４８】１次コイル２０６と２次コイル２０７は、
配線の渦の巻く方向が同一になっているが、本発明はこ
の構成に限定されない。１次コイルと２次コイルの渦の
巻く方向が逆であっても良い。

【００４９】また１次コイルと、２次コイルの間の間隔
（Ｌ_gap）も設計者が適宜設定することができる。

【００５０】次に、図２に示した波形整形回路１１６ａ
の詳しい構成について説明する。

【００５１】図５に、図１及び図２で示した信号源２０
１、１次コイル形成部１０１、２次コイル形成部１１
７、波形整形回路１１６ａの接続の様子を示す。１次コ
イル形成部１０１には、複数の１次コイル２０６が設け
られている。２次コイル形成部１１７には、複数の２次
コイル２０７が設けられている。

【００５２】各１次コイル２０６には、信号源２０１か
ら検査用の交流の信号が入力されている。１次コイル２
０６に交流信号が入力されると、対応する２次コイル２
０７に起電力である交流の電圧が生じ、該交流の電圧が
波形整形回路１１６ａに印加される。

【００５３】波形整形回路１１６ａは、時間的に変化す
る量、すなわち電圧や電流等の波形を形成したり、整形
したりするために用いる電子回路である。図５では、抵
抗５０１、５０２、コンデンサ５０３を有し、各回路素
子を組み合わせて積分型波形整形回路１１６ａを構成し
ている。むろん波形整形回路は図５に示した構成に限ら
れない。また、電源回路と同様に、ダイオードを用いた
検波回路を使用し、波形整形を行なっても良い。本発明
で用いる波形整形回路１１６ａは、入力された交流の起
電力から、具体的にはクロック信号（ＣＬＫ）、スター
トパルス信号（ＳＰ）、ビデオ信号（ＶｉｄｅｏＳｉ
ｇｎａｌｓ）を生成し、出力する。なお、波形整形回路
１１６ａから出力される信号は上述したものに限定され
ず、モニターすることで欠陥箇所を特定できる電磁波ま
たは電界を、素子基板が有する回路または回路素子にお
いて生じさせることができる信号であれば、どのような
波形の信号であっても良い。

【００５４】波形整形回路１１６ａから出力された信号
は、後段の回路（図１及び図２では、信号線駆動回路１
１１、走査線駆動回路１１２、画素部１１３に入力され
る。

【００５５】次に、図２に示した整流回路１１６ｂの詳
しい構成について説明する。

【００５６】図６に、図１及び図２で示した交流電源２
０２、１次コイル形成部１０１、２次コイル形成部１１
７、整流回路１１６ｂの接続の様子を示す。１次コイル
形成部１０１には、複数の１次コイル２０６が設けられ
ている。２次コイル形成部１１７には、複数の２次コイ
ル２０７が設けられている。

【００５７】各１次コイル２０６には、交流電源２０２
から検査用の交流の信号が入力されている。１次コイル
２０６に交流の信号が入力されると、対応する２次コイ
ル２０７に起電力である交流の電圧が生じ、該交流の電
圧が整流回路１１６ｂに印加される。

【００５８】なお、本発明において整流回路とは、供給
された交流の電圧から直流の電源電圧を生成する回路を
意味する。なお直流の電源電圧とは、一定の高さに保た
れた電圧を意味する。

【００５９】図６で示した整流回路１１６ｂでは、ダイ
オード６０１と、コンデンサ６０２と、抵抗６０３とを
有している。ダイオード６０１は入力された交流の電圧
を整流化し、直流の電圧に変換する。

【００６０】図７（Ａ）に、ダイオード６０１において
整流化される前の、交流の電圧の時間変化を示す。ま
た、図７（Ｂ）に、整流化された後の電圧の時間変化を
示す。図７（Ａ）のグラフと図７（Ｂ）のグラフを比較
してわかるように、整流化された後は、半周期毎に、電
圧が０または一方の極性を有する値をとる、いわゆる脈
流の電圧になっている。

【００６１】図７（Ｂ）に示した脈流の電圧は、電源電
圧として用いることができない。そこで通常では、コン
デンサにおいて電荷を蓄えることによって、脈流を平滑
化して直流の電圧に変換している。しかし、薄膜の半導
体を用いて、脈流を十分に平滑化させることができる、
大容量のコンデンサを形成するには、コンデンサ自体の
面積が非常に大きくなり、現実的ではない。そこで、本
発明では、整流化した後に位相の異なる脈流の電圧を合
成（加算）し、電圧を平滑化する。上記構成により、コ
ンデンサの容量が小さくても脈流を十分に平滑化させる
ことができ、さらには、コンデンサを積極的に設けなく
とも、脈流を十分に平滑化させることができる。

【００６２】図６では４つの１次コイルに、それぞれ位
相の異なる交流の信号を入力することで、４つのダイオ
ード６０１から位相の異なる４つの脈流の電圧を出力す
るようにする。そして、上記４つの脈流の電圧が加算さ
れて、高さがほぼ一定に保たれた直流の電源電圧が生成
され、後段の回路に出力される。

【００６３】なお図６では、４つのダイオード６０１か
ら出力される、位相の異なる４つの脈流の信号を加算す
ることで、電源電圧を生成していたが、本発明はこの構
成に限定されない。位相分割の数はこれに限定されず、
整流回路からの出力を、電源電圧として用いることがで
きるぐらい平滑化することが可能であれば、位相分割の
数は幾つでも良い。

【００６４】図８に、複数の整流化された信号を加算し
することで得られる、電源電圧の時間変化を示す。図８
（Ａ）は、４つの位相の異なる脈流の電圧を加算するこ
とで、１つの電源電圧が生成されている例を示してい
る。

【００６５】なお電源電圧は複数の脈流を加算して生成
されるため、直流以外の成分であるリプルが存在してい
る。リプルとは電源電圧の最も高い電圧と最も低い電圧
との差に相当する。リプルが小さければ小さいほど、電
源電圧は直流に近づく。

【００６６】図８（Ｂ）に、８つの位相の異なる脈流の
電圧を加算することで得られる、電源電圧の時間変化を
示す。図８（Ａ）に示した電源電圧の時間変化と比較し
て、リプルが小さくなっていることがわかる。

【００６７】図８（Ｃ）に、１６つの位相の異なる脈流
の電圧を加算することで得られる、電源電圧の時間変化
を示す。図８（Ｂ）に示した電源電圧の時間変化と比較
して、リプルが小さくなっていることがわかる。

【００６８】このように、多くの位相の互いに異なる脈
流を加算することで、電源電圧のリプルが小さくなり、
より直流化されることがわかる。よって、位相分割の数
が多ければ多いほど、整流回路から出力される電源電圧
が平滑化されやすい。また、コンデンサ６０２の容量が
大きければ大きいほど、整流回路から出力される電源電
圧が平滑化されやすい。

【００６９】整流回路１１６ｂにおいて生成された電源
電圧は、端子６１０、６１１から出力される。具体的に
は、端子６１０からグラウンドに近い電圧が出力され、
端子６１１からは正の極性を有する電源電圧が出力され
る。なお、ダイオードの陽極と陰極を逆に接続すること
で、出力される電源電圧の極性を逆にすることができ
る。端子６１０、６１１に接続されているダイオード６
０２は、端子６１２、６１３に接続されているダイオー
ド６０１に対して、陽極と陰極が逆に接続されている。
よって、端子６１２から０に近い電圧が出力され、端子
６１３からは負の極性を有する電源電圧が出力される。

【００７０】なお、素子基板上には様々な回路または回
路素子が形成されており、各回路または回路素子の種類
または用途によって、回路または回路素子に供給するべ
き電源電圧の高さが異なる。図６に示した整流回路で
は、入力する交流の信号の振幅を調整することで、各端
子にに入力される電圧の高さを調整することができる。
さらに、回路または回路素子によって接続する端子を変
えることで、回路または回路素子に供給される電源電圧
の高さを変えることができる。

【００７１】本発明で用いる整流回路は、図６に示した
構成に限定されない。本発明で用いる整流回路は、入力
された交流の信号から直流の電源電圧を生成することが
できる回路であれば良い。

【００７２】本実施の形態では、駆動回路である信号線
駆動回路と走査線駆動回路を、素子基板が有している例
について説明したが、本発明で検査する素子基板はこれ
に限定されない。素子基板が画素部のみを有している場
合でも、本発明の検査方法を用いて検査することが可能
である。また、ＴＥＧと称される単体素子または該単体
素子を複合化した評価回路においても、本発明の検査方
法及び検査装置を用いて欠陥を検査することが可能であ
る。

【００７３】また、本実施の形態では液晶ディスプレイ
が有する素子基板の検査方法について説明したが、液晶
ディスプレイ以外の半導体表示装置においても、本実施
の形態で示した検査方法を用いて検査することが可能で
ある。また半導体表示装置に限られず、基板上に形成さ
れた半導体の特性を利用した半導体装置であれば、本発
明の検査方法を用いて検査することが可能である。な
お、半導体装置には、ガラス基板上に成膜された半導体
薄膜を用いた半導体装置であっても良いし、単結晶のシ
リコン基板に形成された半導体装置であっても良い。

【００７４】ただし半導体装置の種類及び規格に合わせ
て、１次コイルと２次コイルの数及び設計を適宜設定す
る必要がある。また、１次コイル形成部に入力する検査
用の交流の信号の波形、周波数及び振幅も、半導体装置
の種類及び規格に合わせて適宜設定する必要がある。

【００７５】本発明は上記構成によって、配線に直接プ
ローブを立てなくても欠陥箇所を検出することができる
ので、プローブを立てることで生じた微細なゴミによ
り、後の工程の歩留まりを低下させるのを防ぐことがで
きる。なおかつ、光学式検査方法と異なり、１回の検査
工程で全てのパターン形成工程の良否を判断することが
できるので、検査工程がより簡便化される。

【００７６】

【実施例】以下に、本発明の実施例について説明する。

【００７７】（実施例１）本実施例では、検査工程にお
いて回路または回路素子において生じる電界を、電気光
学効果を利用して検出する例について説明する。具体的
に本実施例では、ポッケルス・セルを用いて測定する例
について説明する。

【００７８】ポッケルス・セルとは、電気光学効果の１
つであるポッケルス効果を用いた電気光学素子の１つで
ある。なお電気光学素子とは、電界がかかると屈折率が
変化する電気光学効果を利用した素子である。この性質
を利用し、結晶に交流電圧やパルス電圧を加えて、光の
変調やシャッター、円偏光の発生や検出に用いることが
できる。

【００７９】図９（Ａ）に、液晶ディスプレイの素子基
板９０１と、ポッケルス・セル９０９とを重ね合わせて
いる様子を示す。

【００８０】素子基板９０１は、２次コイル形成部９０
２、走査線駆動回路９０３、画素部９０４、信号線駆動
回路９０５を有している。そして２次コイル形成部９０
２において生じた交流の電圧によって、走査線駆動回路
９０３、画素部９０４、信号線駆動回路９０５に、それ
ぞれ検査用の駆動信号及び電源電圧が入力されている。

【００８１】ポッケルス・セル９０９は、第１電極９０
６、第２電極９０７、強誘電体結晶であるポッケルス結
晶９０８を有している。第１電極９０６と第２電極９０
７の間にポッケルス結晶９０８が挟まれており、なおか
つ第１電極９０６と第２電極９０７が、ポッケルス結晶
９０８の光軸方向に対して垂直になるように配置されて
いる。

【００８２】第１電極９０６及び第２電極９０７は、光
を透過する導電性の材料で形成する。図９（Ａ）では酸
化インジウム・スズ（ＩＴＯ）を用いているが、本発明
において第１電極及び第２電極の材料は、これに限定さ
れない。

【００８３】第１電極９０６には一定の電圧が印加され
ている。なお図９（Ａ）では、第１電極９０６をグラウ
ンドにおとしている。そして、第１電極９０６及び第２
電極９０７は、素子基板９０１と並行に、なおかつ第２
電極９０７側に素子基板９０１が配置されている。な
お、第２電極９０７は素子基板９０１と接するように配
置してもよいし、一定の間隔を空けて配置するようにし
ても良い。また、第２電極９０７と素子基板９０１の間
に、緩衝材となるものを挟むようにしても良い。

【００８４】また図９（Ａ）では、ポッケルス・セル９
０９を、画素部９０４と重なるように配置している。図
９（Ａ）において、矢印の方向から見えるポッケルス・
セル９０９の様子を、図９（Ｂ）に示す。

【００８５】画素部９０４には複数の信号線９１０、走
査線９１１が形成されており、信号線９１０と走査線９
１１によって囲まれている領域が、画素９１２に相当す
る。各画素９１２（９１２ａ、９１２ｂ）には、画素電
極９１３（９１３ａ、９１３ｂ）が設けられている。

【００８６】各画素９１２のうち、欠陥が生じていない
正常な画素を９１２ａ、欠陥が生じている画素を９１２
ｂとすると、ポッケルス・セル９０９の、画素電極９１
３ａと重なっている部分と、画素電極９１３ｂと重なっ
ている部分とでは、矢印の方向における光の透過率が異
なる。

【００８７】これは、ポッケルス・セルが有する強誘電
体結晶の光軸に対して垂直になるように素子基板を配置
すると、回路または回路素子において生じる電界によ
り、強誘電体結晶において複屈折が生じるためである。

【００８８】この複屈折の、電界方向成分をもつ偏光に
対する屈折率は、電界の強さによって決まる。よって、
同じ構造を有し、なおかつ正常に動作している複数の回
路または回路素子においては、同じ強さの電界が生じて
いるため、各回路または回路素子と重なる部分における
強誘電体結晶の屈折率は、ほぼ等しくなる。

【００８９】しかし、欠陥のある回路または回路素子に
おいて生じる電界は、他の正常な回路または回路素子に
おいて生じる電界に比べて、強かったり弱かったりす
る。よって、欠陥のある回路または回路素子と重なる部
分における強誘電体結晶の屈折率は、他の正常な回路ま
たは回路素子と重なる部分における強誘電体結晶の屈折
率と異なる。よって、ポッケルス・セルを通して素子基
板を見たときに、欠陥のある回路または回路素子と重な
る部分が、正常な回路または回路素子と重なる部分に比
べて、明るく見えたり、暗く見えたりする。

【００９０】よって、各画素の、素子基板に対して垂直
な方向における光を、偏光ビームスプリッターなどの光
学系を用いて分離し、その強度をモニターすることで、
ポッケルスセルの透過率を算出し、欠陥箇所を検出する
ことが可能である。図９（Ｂ）では、画素９１２ｂにお
いて何らかの欠陥が生じていることがわかる。なお、複
数回にわたるモニターの結果に何らかの演算処理を施
し、欠陥箇所を検出するようにしても良い。

【００９１】また、検査対象である全ての回路の出力を
検査専用回路に入力し、該検査専用回路において生じる
電界の強度を、電気光学素子を用いて測定することで、
欠陥の有無を特定したり、欠陥箇所そのものを特定した
りしても良い。検査専用回路を用いることで、検査対象
である全ての回路または回路素子において、いちいちポ
ッケルス・セルを用いてモニターする必要がなくなり、
検査工程を簡便化及び迅速化することができる。

【００９２】なお本実施例では、画素部９０４の欠陥を
検出する例について説明したが、本実施例はこれに限定
されない。ポッケルス・セル９０９と、走査線駆動回路
９０３や信号線駆動回路９０５を重ね合わせ、屈折率を
モニターすることで、同じように欠陥箇所を検出するこ
とが可能である。また素子基板上の引きまわし配線にお
いて生じる断線やショートなどの欠陥も、同様に検出す
ることが可能である。

【００９３】なお。ポッケルス結晶として、主に、ＮＨ
₄Ｈ₂ＰＯ₄、ＢａＴｉＯ₃、ＫＨ₂ＰＯ₄（ＫＨＰ）、ＫＤ
₂ＰＯ₄（ＫＤＰ）、ＬｉＮｂＯ₃、ＺｎＯなどの結晶を
用いることができる。しかし本実施例で用いることがで
きるポッケルス結晶は上述したものに限定されない。ポ
ッケルス効果を有する結晶であれば良い。

【００９４】また本実施例では、ポッケルス・セルを用
いたが、電界の大きさを感知するための電気光学素子は
これに限定されない。電圧の印加により、その光学的特
性が変化するという現象を利用した電気光学素子であれ
ば、本発明の検査方法または検査装置に用いることが可
能である。よって、液晶などを用いることも可能であ
る。

【００９５】（実施例２）本実施例では、検査用の駆動
信号及び電源電圧について、液晶ディスプレイとＯＬＥ
Ｄディスプレイの場合を例にとって、より詳しく説明す
る。

【００９６】１次コイルと２次コイルの数は、素子基板
の画素部と駆動回路の構造によって変わってくるため、
各素子基板の規格に合わせて数を設定することが肝要で
ある。

【００９７】図１０に、一般的な液晶ディスプレイの、
素子基板の構成を示す。図１０に示した素子基板は、信
号線駆動回路７００、走査線駆動回路７０１、画素部７
０２を有している。

【００９８】画素部７０２には、複数の信号線と複数の
走査線が形成されており、信号線と走査線で囲まれた領
域が画素に相当する。なお、図１０では複数の画素のう
ち、１つの信号線７０３と、１つの走査線７０４とを有
する画素のみを代表的に示した。各画素はスイッチング
素子となる画素ＴＦＴと、液晶セルの画素電極７０６を
有している。

【００９９】画素ＴＦＴ７０５のゲート電極は走査線７
０４に接続されている。そして画素ＴＦＴ７０５のソー
ス領域とドレイン領域は、一方は信号線７０３に、もう
一方は画素電極７０６に接続されている。

【０１００】信号線駆動回路７００は、シフトレジスタ
７１０、レベルシフタ７１１、アナログスイッチ７１２
を有している。シフトレジスタ７１０、レベルシフタ７
１１及びアナログスイッチ７１２には、電源電圧（Ｐｏ
ｗｅｒｓｕｐｐｌｙ）が与えられている。また、シフ
トレジスタ７１０には信号線駆動回路用のクロック信号
（Ｓ−ＣＬＫ）とスタートパルス信号（Ｓ−ＳＰ）が与
えられている。アナログスイッチ７１２にはビデオ信号
（Ｖｉｄｅｏｓｉｇｎａｌｓ）が与えられている。

【０１０１】シフトレジスタ７１０にクロック信号（Ｓ
−ＣＬＫ）とスタートパルス信号（Ｓ−ＳＰ）が入力さ
れると、ビデオ信号のサンプリングのタイミングを決定
するサンプリング信号が生成され、レベルシフタ７１１
に入力される。サンプリング信号は、レベルシフタ７１
１においてその電圧の振幅を大きくされ、アナログスイ
ッチ７１２に入力される。アナログスイッチ７１２で
は、入力されたサンプリング信号に同期して、入力され
たビデオ信号をサンプリングし、信号線７０３に入力す
る。

【０１０２】一方、走査線駆動回路は、シフトレジスタ
７２１と、バッファ７２２を有している。シフトレジス
タ７２１、バッファ７２２には、電源電圧（Ｐｏｗｅｒ
ｓｕｐｐｌｙ）が与えられている。また、シフトレジ
スタ７２１には走査線駆動回路用のクロック信号（Ｇ−
ＣＬＫ）とスタートパルス信号（Ｇ−ＳＰ）が与えられ
ている。

【０１０３】シフトレジスタ７２１にクロック信号（Ｇ
−ＣＬＫ）とスタートパルス信号（Ｇ−ＳＰ）が入力さ
れると、走査線の選択のタイミングを決定する選択信号
が生成され、バッファ７２２に入力される。バッファ７
２２に入力された選択信号は、緩衝増幅されて走査線７
０４に入力される。

【０１０４】走査線７０４が選択されると、選択された
走査線７０４にゲート電極が接続された画素ＴＦＴ７０
５がオンになる。そして、信号線に入力されたサンプリ
ングされたビデオ信号が、オンになっている画素ＴＦＴ
７０５を介して、画素電極７０６に入力される。

【０１０５】このように、信号線駆動回路７００と、走
査線駆動回路７０１と、画素部７０２が動作すると、各
回路または回路素子において電界または電磁波が発生す
る。この電界または電磁波を何らかの手段を用いてモニ
ターすることで、欠陥箇所を検出することができる。

【０１０６】図１０に示した素子基板の場合、Ｓ−ＣＬ
Ｋ、Ｓ−ＳＰ、Ｇ−ＣＬＫ、Ｇ−ＳＰ及びビデオ信号
を、検査用の駆動信号として各回路に入力している。な
お、検査用の駆動信号は、上述した信号に限定されな
い。駆動に関わる信号ならば、検査用の駆動信号として
用いることが可能である。例えば、上述した信号の他
に、走査線の走査方向を切りかえるタイミングを決定す
る信号や、走査線への選択信号の入力方向を切りかえる
信号などを入力しても良い。ただし、検査したい回路に
おいて、回路または回路素子の欠陥の有無が検出できる
ような信号を入力することが肝要である。

【０１０７】また、素子基板が有する全ての回路を検査
するのではなく、その中の一部の回路を検査対象とする
場合、該回路の欠陥部分を検出することが可能であるな
らば、上述した全ての駆動信号を入力する必要はない。
例えば、信号線駆動回路７００が有するシフトレジスタ
７１０のみを検査対象とするとき、検査用の駆動信号で
あるＳ−ＣＬＫ、Ｓ−ＳＰと、シフトレジスタ７１０用
の検査用の電源電圧のみを、波形整形回路と整流回路に
おいて生成し、シフトレジスタ７１０に入力すれば良
い。

【０１０８】次に、図１１に、一般的なＯＬＥＤディス
プレイの、素子基板の構成を示す。なお、図１１ではデ
ジタルのビデオ信号を用いて画像を表示するＯＬＥＤデ
ィスプレイの駆動回路を例に説明する。図１１に示した
素子基板は、信号線駆動回路８００、走査線駆動回路８
０１、画素部８０２を有している。

【０１０９】画素部８０２には、複数の信号線と、複数
の走査線と、複数の電源線が形成されており、信号線と
走査線と電源線とで囲まれた領域が画素に相当する。な
お、図１１では複数の画素のうち、１つの信号線８０７
と、１つの走査線８０９と、１つの電源線８０８を有す
る画素のみを代表的に示した。各画素はスイッチング素
子となるスイッチング用ＴＦＴ８０３と、駆動用ＴＦＴ
８０４と、保持容量８０５と、ＯＬＥＤの画素電極８０
６を有している。

【０１１０】スイッチング用ＴＦＴ８０３のゲート電極
は走査線８０９に接続されている。そしてスイッチング
用ＴＦＴ８０３のソース領域とドレイン領域は、一方は
信号線８０７に、もう一方は駆動用ＴＦＴ８０４のゲー
ト電極に接続されている。

【０１１１】駆動用ＴＦＴ８０４のソース領域とドレイ
ン領域は、一方は電源線８０８に、もう一方は画素電極
８０６に接続されている。そして、駆動用ＴＦＴ８０４
のゲート電極と電源線８０８とで保持容量８０５が形成
されている。なお保持容量８０５は必ずしも形成する必
要はない。

【０１１２】信号線駆動回路８００は、シフトレジスタ
８１０、第１ラッチ８１１、第２ラッチ８１２を有して
いる。シフトレジスタ８１０、第１ラッチ８１１及び第
２ラッチ８１２には、それぞれ電源電圧（Ｐｏｗｅｒ
ｓｕｐｐｌｙ）が与えられている。また、シフトレジス
タ８１０には信号線駆動回路用のクロック信号（Ｓ−Ｃ
ＬＫ）とスタートパルス信号（Ｓ−ＳＰ）が与えられて
いる。第１ラッチ８１１にはラッチのタイミングを決定
するラッチ信号（Ｌａｔｃｈｓｉｇｎａｌｓ）とビデ
オ信号（Ｖｉｄｅｏｓｉｇｎａｌｓ）が与えられてい
る。

【０１１３】シフトレジスタ８１０にクロック信号（Ｓ
−ＣＬＫ）とスタートパルス信号（Ｓ−ＳＰ）が入力さ
れると、ビデオ信号のサンプリングのタイミングを決定
するサンプリング信号が生成され、第１ラッチ８１１に
入力される。

【０１１４】なお、シフトレジスタ８１０からのサンプ
リング信号を、バッファ等によって緩衝増幅してから、
第１ラッチ８１１に入力するようにしても良い。サンプ
リング信号が入力される配線には、多くの回路あるいは
回路素子が接続されているために負荷容量（寄生容量）
が大きい。この負荷容量が大きいために生ずるタイミン
グ信号の立ち上がりまたは立ち下がりの”鈍り”を防ぐ
ために、このバッファは有効である。

【０１１５】第１ラッチ８１１は複数のステージのラッ
チを有している。第１ラッチ８１１では、入力されたサ
ンプリング信号に同期して、入力されたビデオ信号をサ
ンプリングし、各ステージのラッチに順に記憶してい
く。

【０１１６】第１ラッチ８１１の全てのステージのラッ
チにビデオ信号の書き込みが一通り終了するまでの時間
を、ライン期間と呼ぶ。実際には、上記ライン期間に水
平帰線期間が加えられた期間をライン期間に含むことが
ある。

【０１１７】１ライン期間が終了すると、第２ラッチ８
１２にラッチ信号が入力される。この瞬間、第１ラッチ
８１１に書き込まれ保持されているビデオ信号は、第２
ラッチ８１２に一斉に送出され、第２ラッチ８１２の全
ステージのラッチに書き込まれ、保持される。

【０１１８】ビデオ信号を第２ラッチ８１２に送出し終
えた第１ラッチ８１１には、シフトレジスタ８１０から
のサンプリング信号に基づき、ビデオ信号の書き込みが
順次行われる。

【０１１９】この２順目の１ライン期間中には、第２ラ
ッチ８１２に書き込まれ、保持されているビデオ信号が
ソース信号線に入力される。

【０１２０】一方、走査線駆動回路は、シフトレジスタ
８２１と、バッファ８２２を有している。シフトレジス
タ８２２、バッファ８２２には、電源電圧（Ｐｏｗｅｒ
ｓｕｐｐｌｙ）が与えられている。また、シフトレジ
スタ８２１には走査線駆動回路用のクロック信号（Ｇ−
ＣＬＫ）とスタートパルス信号（Ｇ−ＳＰ）が与えられ
ている。

【０１２１】シフトレジスタ８２１にクロック信号（Ｇ
−ＣＬＫ）とスタートパルス信号（Ｇ−ＳＰ）が入力さ
れると、走査線の選択のタイミングを決定する選択信号
が生成され、バッファ８２２に入力される。バッファ８
２２に入力された選択信号は、緩衝増幅されて走査線８
０９に入力される。

【０１２２】走査線８０９が選択されると、選択された
走査線８０９にゲート電極が接続されたスイッチング用
ＴＦＴ８０３がオンになる。そして、信号線に入力され
たビデオ信号が、オンになっているスイッチング用ＴＦ
Ｔ８０３を介して、駆動用ＴＦＴ８０４のゲート電極に
入力される。

【０１２３】駆動用ＴＦＴ８０４は、ゲート電極に入力
されたビデオ信号の有する１または０の情報に基づい
て、そのスイッチングが制御される。駆動用ＴＦＴ８０
４がオンのときに、電源線の電位が画素電極に与えられ
る。駆動用ＴＦＴ８０４がオフのとき、電源線の電位が
画素電極に与えられない。

【０１２４】このように、信号線駆動回路８００と、走
査線駆動回路８０１と、画素部８０２が動作すると、各
回路または回路素子において電界または電磁波が発生す
る。この電界または電磁波を何らかの手段を用いてモニ
ターすることで、欠陥箇所を検出することができる。

【０１２５】図１１に示した素子基板の場合、Ｓ−ＣＬ
Ｋ、Ｓ−ＳＰ、Ｇ−ＣＬＫ、Ｇ−ＳＰ、ラッチ信号及び
ビデオ信号を、検査用の駆動信号として各回路に入力し
ている。なお、検査用の駆動信号は、上述した信号に限
定されない。駆動に関わる信号ならば、検査用の駆動信
号として用いることが可能である。例えば、上述した信
号の他に、走査線の走査方向を切りかえるタイミングを
決定する信号や、走査線への選択信号の入力方向を切り
かえる信号などを入力しても良い。ただし、検査したい
回路において、回路または回路素子の欠陥の有無が検出
できるような信号を入力することが肝要である。

【０１２６】また、素子基板が有する全ての回路を検査
するのではなく、その中の一部の回路を検査対象とする
場合、該回路の欠陥部分を検出することが可能であるな
らば、上述した全ての駆動信号を入力する必要はない。
例えば、信号線駆動回路８００が有するシフトレジスタ
８１０のみを検査対象とするとき、検査用の駆動信号で
あるＳ−ＣＬＫ、Ｓ−ＳＰと、シフトレジスタ８１０用
の検査用の電源電圧のみを、波形整形回路と整流回路に
おいて生成し、シフトレジスタ８１０に入力すれば良
い。

【０１２７】なお電源電圧を、位相の異なる複数の脈流
の信号を加算して生成している場合、加算する脈流の信
号の数によっても１次コイルの数は変わってくる。

【０１２８】なお本発明の検査装置及び検査方法は、図
１０及び図１１に示した構造を有する素子基板に限定す
るわけではない。本発明の検査装置及び検査方法は、非
接触にて駆動信号と電源電圧を入力することで、各回路
または回路素子において電磁波または電界が生じる半導
体装置であれば良く、あらゆる種類及び規格の半導体装
置に用いることが可能である。

【０１２９】本実施例は、実施例１と自由に組み合わせ
て実施することが可能である。

【０１３０】（実施例３）本実施例では、検査終了後
の、基板を切断するラインについて説明する。

【０１３１】図１２に、本発明の検査方法において検査
される素子基板の上面図を示す。なお本実施の形態で
は、液晶ディスプレイが有する素子基板を例にとって、
本発明の検査方法について説明するが、本発明の検査方
法は、液晶ディスプレイに限って用いることができるわ
けではなく、半導体を用いて形成された半導体装置であ
るならば、どれでも用いることが可能である。

【０１３２】図１２に示した素子基板は、基板４１０上
に、信号線駆動回路４１１、走査線駆動回路４１２、画
素部４１３、引きまわし配線４１４、コネクター接続部
４１５、波形整形回路または整流回路４１６、２次コイ
ル形成部４１７、コイル用配線４１８が設けられてい
る。なお本明細書において素子基板とは、基板４１０
と、基板４１０上に形成された回路または回路素子全て
を含んでいる。

【０１３３】コネクター接続部４１５には、検査工程の
後の工程において、ＦＰＣまたはＴＡＢ等が接続され
る。

【０１３４】そして素子基板は、検査工程終了後、引き
まわし配線４１４とコイル用配線４１８とが物理的及び
電気的に切り離されるように、点線Ｂ−Ｂ’において切
断される。なお本実施例では、素子基板の一部を切断し
た後、半導体装置に用いられる方の基板に２次コイル形
成部４１７が残っている。２次コイル形成部４１７と、
引きまわし配線４１４は電気的にも物理的にも切り離さ
れているので、２次コイル形成部４１７が基板に残され
ていても、完成した半導体装置の動作には何ら支障をき
たさない。

【０１３５】なお、コイル用配線４１８は、必ずしも基
板の切断と同時に切り離す必要はない。例えば、レーザ
ー等で電気的に切り離すようにしても良い。コイル用配
線４１８の切断は、２次コイル形成部４１７と素子基板
が有する回路または回路素子とを、電気的に切り離すこ
とができればよい。

【０１３６】なお、波形整形回路または整流回路４１６
も、切断後、半導体装置に用いられる方の基板に残され
ていても良いし、半導体装置には用いない方の基板上に
形成されていても良い。

【０１３７】本実施例は、実施例１または２の構成と自
由に組み合わせて実施することが可能である。

【０１３８】（実施例４）本実施例では、大型の素子基
板を用いて複数の表示用の基板を形成する場合におい
て、検査終了後の基板の切断について説明する。

【０１３９】図１３に、本実施例の、切断前の大型の素
子基板の上面図を示す。図１３において、点線で示すラ
インにおいて素子基板を切断することで、１つの素子基
板から９つの表示用の基板が形成される。なお、本実施
例では、１つの基板から９つの表示用の基板を形成して
いる例について示しているが、本実施例はこの数に限定
されない。

【０１４０】なお切断の際に、引きまわし配線とコイル
用配線とが物理的及び電気的に切り離されるように切断
され、破壊されている。そして図１３では、２次コイル
形成部１００１が、素子基板の切断後、表示用には用い
ない基板の方に設けられている。

【０１４１】大型基板の切断の仕方について、図１３と
は異なる例について説明する。図１４に本実施例の、切
断前の大型の素子基板の上面図を示す。図１４におい
て、点線で示すラインにおいて素子基板を切断すること
で、１つの素子基板から９つの表示用の基板が形成され
る。なお、本実施例では、１つの基板から９つの表示用
の基板を形成している例について示しているが、本実施
例はこの数に限定されない。

【０１４２】なお切断の際に、引きまわし配線とコイル
用配線とが物理的及び電気的に切り離されるように切断
され、破壊されている。そして図１４では、２次コイル
形成部１００２が、基板の切断ライン上に設けられてお
り、検査終了後に切断され、破壊される。検査終了後、
２次コイル形成部は不要であるので、完成した半導体装
置の動作に何ら支障はきたさない。

【０１４３】なお、波形整形回路または整流回路も、切
断後、半導体装置に用いられる方の基板に残されていて
も良いし、半導体装置には用いない方の基板上に形成さ
れていても良い。また、切断後、破壊されていても良
い。

【０１４４】本実施例は、実施例１〜３の構成と自由に
組み合わせて実施することが可能である。

【０１４５】（実施例５）本実施例では、本発明の検査
工程の順序について、フローチャートを用いて説明す
る。

【０１４６】図１５に、本発明の検査工程のフローチャ
ートを示す。まず、検査前の作製工程が終了した後、検
査用の電源電圧または駆動信号を素子基板が有する回路
または回路素子に入力する。

【０１４７】そして、検査用の電源電圧または駆動信号
を素子基板に入力したままの状態で、素子基板が有する
検査対象の回路または回路素子において生じている電磁
波または電界の強度を、公知の測定方法でモニターす
る。

【０１４８】そして、生じている電磁波または電界の強
度を、正常に動作している回路素子と比較する。なおこ
のとき、同じ回路または回路素子どうしで測定値を比較
するようにしても良いし、シミュレーションにより算出
された理論値から導出した値と、測定値を比較するよう
にしても良い。

【０１４９】そして比較した結果、生じる電磁波または
電界の強度が著しく異なると判断した回路または回路素
子を、欠陥箇所と判断する。よって、欠陥箇所の有無及
びその位置が同時に特定することも可能となる。なおこ
のとき、欠陥箇所で生じる電磁波または電界の強度の判
断基準は、本発明を実施する者が、適宜設定することが
可能である。

【０１５０】欠陥がない場合は、この時点で検査が終了
したものとみなされ、検査工程後の作製工程が開始され
る。

【０１５１】欠陥があった場合、工程からはずし製品と
して完成させない（ロットアウト）か、欠陥の原因を特
定するかが選択される。なお、１つの大型基板から複数
の製品を作製しようとする場合は、基板切断後にロット
アウトとなる。

【０１５２】欠陥の原因を特定し、修復（リペア）が可
能だと判断された場合、リペア後、再び本発明の検査工
程を行ない、上述した動作を繰り返すことができる。逆
にリペアが不可能だと判断された場合、そこでロットア
ウトとなる。

【０１５３】本実施例は、実施例１〜４の構成と自由に
組み合わせて実施することが可能である。

【０１５４】（実施例６）本実施例では、本発明で用い
るコイルと、該コイルが有する端子と配線（コイル用配
線）との接続について、詳しく説明する。

【０１５５】図１６（Ａ）では、絶縁表面上にコイル１
６０１が形成され、該コイル１６０１を覆って前期絶縁
表面上に層間絶縁膜１６０３を形成している。そして、
該層間絶縁膜にコンタクトホールを形成して、層間絶縁
膜上に、コンタクトホールを介してコイル１６０１と接
続するように、コイル用配線１６０２を形成している。

【０１５６】図１６（Ｂ）は、図１６（Ａ）の破線Ｃ−
Ｃ’における断面図である。

【０１５７】図１６（Ｃ）では、絶縁表面上にコイル用
配線１６１２が形成され、該コイル用配線１６１２を覆
って前期絶縁表面上に層間絶縁膜１６１３を形成してい
る。そして、該層間絶縁膜にコンタクトホールを形成し
て、層間絶縁膜上に、コンタクトホールを介してコイル
用配線１６１２と接続するように、コイル１６１１を形
成している。

【０１５８】図１６（Ｄ）は、図１６（Ｃ）の破線Ｄ−
Ｄ’における断面図である。

【０１５９】なお本発明において用いられるコイルの作
製方法は、上述した方法に限定されない。絶縁膜をパタ
ーニングすることで渦状の溝を形成し、該溝を覆って導
電性を有する膜を前記絶縁膜上に形成する。その後、前
記導電性の膜を、前記絶縁膜が露出するまでエッチング
またはＣＭＰ法を用いて研磨することで、前記溝におい
てのみ導電性の膜が残るようにする。この溝において残
った導電性の膜をコイルとして用いることも可能であ
る。

【０１６０】本実施例は、実施例１〜５の構成と自由に
組み合わせて実施することが可能である。

【０１６１】（実施例７）本実施例では、本発明の検査
方法を用いて検査を行なうための、検査装置の構成につ
いて説明する。

【０１６２】図１７に本発明の検査基板のブロック図を
示す。図１７に示した本発明の検査装置１７００は、検
査基板１７０１と、信号源または交流電源１７０２と、
検査基板１７０１と素子基板１７０３を一定の間隔をも
って重ね合わせることのできる手段（基板固定手段１７
０４）と、素子基板１７０３が有する検査専用回路にお
いて生じる電界または電磁波を測定し、欠陥箇所を特定
する手段（検査部１７０５）を有している。

【０１６３】なお、本実施例では信号源または交流電源
１７０２を検査装置の一部とみなしたが、本発明の検査
装置は、信号源または交流電源１７０２を含んでいなく
とも良い。

【０１６４】信号源または交流電源１７０２において生
成する交流の信号は、検査基板１７０１が有する外部入
力用バッファ１７０６に入力される。入力された交流の
信号は、外部入力用バッファ１７０６において緩衝増幅
され、検査基板１７０１が有する１次コイル形成部１７
０７に入力される。

【０１６５】１次コイル形成部１７０７には、１次コイ
ルが形成されている。なお素子基板１７０３が有する２
次コイル形成部１７１１には、２次コイルが形成されて
いる。

【０１６６】一方、検査基板１７０１と素子基板１７０
３は、１次コイル形成部１７０７が有する１次コイル
と、２次コイル形成部１７１１が有する２次コイルとが
一定の間隔をもって重なるように、基板固定手段１７０
４によってその位置が定められる。

【０１６７】そして、２次コイル形成部１７１１におい
て生じた交流の電圧により生成された電源電圧または駆
動信号が、素子基板１７０３が有する回路または回路素
子１７１２に入力される。なお素子基板１７０３が有す
る、電源電圧または駆動信号を生成する回路について
は、発明の実施の形態において既に詳しく述べているの
で、ここでは説明を省略する。

【０１６８】そして、検査部１７０５が有する測定部１
７０８で、回路または回路素子１７１２において生成す
る電磁波または電界の強度を測定する。そして測定によ
り数値化されたデータ（測定値）は、検査部１７０５が
有する演算部１７０９に送られる。

【０１６９】演算部１７０９では、入力されたデータを
もとに、欠陥箇所を特定する。具体的には、発生する電
界または電磁波の強度が、正常な回路素子において発生
する電界または電磁波の強度と比べて、著しく異なって
いる回路素子を、欠陥箇所と判断する。

【０１７０】電界または電磁波の強度の比較の仕方とし
て、以下の方法が挙げられる。検査対象の素子基板が有する、同じ回路どうしまた
は同じ回路素子どうしにおいて比較する方法。すでに正常であることが知られている回路または回
路素子を有する素子基板を別に用意する。そして、該基
板が有する回路または回路素子において生じる電磁波ま
たは電界の強度を測定し、メモリー等にそのデータを記
憶しておく。そして、検査対象の素子基板において発生
する電界または電磁波を測定し、メモリーに記憶されて
いるデータとを比較する方法。素子基板の位置による電界または電磁波の強度の分
布と、マスク図面とを比較する方法。

【０１７１】なお、上述した比較の方法はほんの一例で
あり、本発明はこれに限定されない。発生する電界また
は電磁波の強度が、正常な回路素子において発生する電
界または電磁波の強度と比べて、著しく異なっている回
路素子を検出することができれば良い。

【０１７２】なお本実施例では、検査部１７０５におい
て欠陥箇所を特定していたが、本発明の検査装置はこの
構成に限定されない。検査部１７０５の代わりに、素子
基板１７０３において生じる電磁波または電界の強度を
人間の目で直接判断できるように、電磁波または電界の
強度を可視化する手段を有していても良い。

【０１７３】なお、検査専用回路には、検査対象である
全ての回路または回路素子の出力が入力されている。検
査専用回路は、検査対象より入力された複数の動作信号
より論理演算処理して、検査対象の動作状態の情報（動
作、不動作または部分的動作の状態）として出力する手
段と、該出力を増幅する手段とを有している。

【０１７４】本実施例において検査専用回路は、入力さ
れた信号のレベル（電圧の高さ）が全てほぼ同じであっ
た場合のみに、第１のレベルの信号を出力し、１つでも
レベルの異なる信号があった場合に、前記第１のレベル
の信号とは異なる第２のレベルの信号を出力する手段
と、該出力を増幅する手段とを有している。

【０１７５】そして、増幅された出力を所定の端子（パ
ッド）に入力し、該パッドにおいて生じる電界または電
磁波の強度を測定することで、検査対象である全ての回
路または回路素子における欠陥の有無を確認することが
できる。そして、１つの検査専用回路に接続される回路
または回路素子の数が少なければ少ないほど、欠陥箇所
の存在する範囲をより限定することができる。１つの検
査専用回路に接続される回路または回路素子の数が多け
れば多いほど、１度の測定で、より多くの回路または回
路素子における欠陥の有無を確認することができる。

【０１７６】本実施例は、実施例１〜６の構成と自由に
組み合わせて実施することが可能である。

【０１７７】

【発明の効果】本発明は上記構成によって、配線に直接
プローブを立てなくても欠陥箇所を検出することができ
るので、プローブを立てることで生じた微細なゴミによ
り、後の工程の歩留まりを低下させるのを防ぐことがで
きる。なおかつ、光学式検査方法と異なり、１回の検査
工程で全てのパターン形成工程の良否を判断することが
できるので、検査工程がより簡便化される。

【図面の簡単な説明】

【図１】検査基板と素子基板の上面図。

【図２】検査基板と素子基板のブロック図。

【図３】コイル拡大図。

【図４】検査時における検査基板と素子基板の斜視
図。

【図５】波形整形回路の回路図。

【図６】整流回路の回路図。

【図７】交流から整流化されて脈流となった信号の経
時変化。

【図８】脈流の加算により生成された直流の信号の経
時変化。

【図９】検査時における、素子基板とポッケルス・セ
ルの斜視図、及びポッケルス・セルを介して見た画素部
の図。

【図１０】液晶ディスプレイの素子基板のブロック
図。

【図１１】ＯＬＥＤディスプレイの素子基板のブロッ
ク図。

【図１２】素子基板の上面図。

【図１３】大型の素子基板の上面図。

【図１４】大型の素子基板の上面図。

【図１５】本発明の検査工程の流れを示すフローチャ
ート。

【図１６】コイルの上面図及び断面図。

【図１７】検査装置のブロック図。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 2G014 AA02 AA03 AB20 AB21 AC10 2G036 AA19 AA22 AA25 AA27 BA32 BA33 BB10 BB12 CA07 2G132 AA20 AC01 AC03 AD01 AD15 AE08 AE27 AF02 AF03 AF11 AF15 AF16 AG00 AK04 AK07 AL05 AL09 AL12 2H088 FA13 FA30 HA06

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】１次コイルを有する検査装置であって、前記１次コイルと、素子基板が有する２次コイルとを、
一定の間隔をもって重ね合わせる手段と、前記１次コイルに交流の電圧を印加するための手段と、前記２次コイルに接続された、前記素子基板が有する複
数の回路素子において生じる電界の情報を収集する手段
と、前記収集した情報から、前記素子基板が有する複数の回
路素子のうち、欠陥を有する回路素子を特定する手段
と、を備えることを特徴とする検査装置。
【請求項２】１次コイルを有する検査装置であって、前記１次コイルと、素子基板が有する２次コイルとを、
一定の間隔をもって重ね合わせる手段と、前記１次コイルに交流の電圧を印加するための手段と、前記２次コイルに接続された、前記素子基板が有する複
数の回路素子において生じる電界の情報を収集する手段
と、前記素子基板が有する複数の回路素子のうち、前記収集
した情報が、ある一定の範囲外である回路素子を、欠陥
と判断する手段と、を備えることを特徴とする検査装
置。
【請求項３】請求項１または請求項２において、前記電
界の情報を収集する手段とは、電界の強さを測定する手
段であることを特徴とする検査装置。
【請求項４】請求項３において、前記電界の強さを測定
する手段とは、電気光学素子を備えていることを特徴と
する検査装置。
【請求項５】請求項４において、前記電気光学素子とは、ポッケルス・セルであることを
特徴とする検査装置。
【請求項６】１次コイルを有する検査装置であって、前記１次コイルと、素子基板が有する２次コイルとを、
一定の間隔をもって重ね合わせる手段と、前記１次コイルに交流の電圧を印加するための手段と、前記２次コイルに接続された、前記素子基板が有する複
数の回路素子において生じる電磁波の情報を収集する手
段と、前記収集した情報から、前記素子基板が有する複数の回
路素子のうち、欠陥を有する回路素子を特定する手段
と、を備えることを特徴とする検査装置。
【請求項７】１次コイルを有する検査装置であって、前記１次コイルと、素子基板が有する２次コイルとを、
一定の間隔をもって重ね合わせる手段と、前記１次コイルに交流の電圧を印加するための手段と、前記２次コイルに接続された、前記素子基板が有する複
数の回路素子において生じる電磁波の情報を収集する手
段と、前記素子基板が有する複数の回路素子のうち、前記収集
した情報が、ある一定の範囲外である回路素子を、欠陥
と判断する手段と、を備えることを特徴とする検査装
置。
【請求項８】請求項６または請求項７において、前記電
磁波の情報を収集する手段とは、電磁波の強さを測定す
る手段であることを特徴とする検査装置。
【請求項９】請求項１乃至請求項８のいずれか１項にお
いて、前記一定の間隔とは、前記１次コイルが形成された絶縁
表面と、前記素子基板との間に気体または液体を流すこ
とで制御していることを特徴とする検査装置。
【請求項１０】請求項１乃至請求項９のいずれか１項に
おいて、前記１次コイルが有する配線は同一平面上に形成され、
且つ前記配線は渦を巻いていることを特徴とする検査装
置。
【請求項１１】複数の１次コイルを有する検査装置であ
って、前記複数の１次コイルと、素子基板が有する複数の２次
コイルとを、一定の間隔をもってそれぞれ重ね合わせる
手段と、前記複数の１次コイルに交流の電圧を印加するための手
段と、前記複数の２次コイルに接続された、前記素子基板が有
する複数の回路素子において生じる電界の情報を収集す
る手段と、前記収集した情報から、前記素子基板が有する複数の回
路素子のうち、欠陥を有する回路素子を特定する手段
と、を備えることを特徴とする検査装置。
【請求項１２】複数の１次コイルを有する検査装置であ
って、前記複数の１次コイルと、素子基板が有する複数の２次
コイルとを、一定の間隔をもってそれぞれ重ね合わせる
手段と、前記複数の１次コイルに交流の電圧を印加するための手
段と、前記複数の２次コイルに接続された、前記素子基板が有
する複数の回路素子において生じる電界の情報を収集す
る手段と、前記素子基板が有する複数の回路素子のうち、前記収集
した情報が、ある一定の範囲外である回路素子を、欠陥
と判断する手段と、を備えることを特徴とする検査装
置。
【請求項１３】複数の１次コイルを有する検査装置であ
って、前記複数の１次コイルと、素子基板が有する複数の２次
コイルとを、一定の間隔をもってそれぞれ重ね合わせる
手段と、前記複数の１次コイルに交流の電圧を印加するための手
段と、前記素子基板が有する検査専用回路において生じる電界
の情報を収集する手段と、前記収集した情報から、前記素子基板が有する複数の回
路素子のうち、欠陥を有する回路素子を特定する手段
と、を備えており、前記複数の２次コイルの出力は、その電圧の波形が整形
されて、前記素子基板が有する複数の回路素子に入力さ
れ、前記複数の回路素子の出力は、前記検査専用回路に
入力されることを特徴とする検査装置。
【請求項１４】請求項１３において、前記検査専用回路は、前記複数の回路素子の出力のレベルが全て同じであると
き第１のレベルの信号を出力し、前記複数の回路素子の
出力のうち、少なくとも１つの出力のレベルが異なって
いるとき、前記第１のレベルの信号とは異なる第２のレ
ベルの信号を出力する第１の手段と、前記第１の手段からの出力を増幅する第２の手段と、前記第２の手段からの出力を入力する端子とを有するこ
とを特徴とする検査装置。
【請求項１５】複数の１次コイルを有する検査装置であ
って、前記複数の１次コイルと、素子基板が有する複数の２次
コイルとを、一定の間隔をもってそれぞれ重ね合わせる
手段と、前記複数の１次コイルに交流の電圧を印加するための手
段と、前記素子基板が有する検査専用回路に設けられた端子に
おいて生じる電界の情報を収集する手段と、前記収集した情報から、前記素子基板が有する複数の回
路素子のうち、欠陥を有する回路素子を特定する手段
と、を備えており、前記複数の２次コイルの出力は、その電圧の波形が整形
されて、前記素子基板が有する複数の回路素子に入力さ
れ、前記複数の回路素子の出力は、前記検査専用回路に
入力されており、前記検査専用回路は、前記複数の回路素子の出力のレベ
ルが全て同じであるとき第１のレベルの信号を出力し、
前記複数の回路素子の出力のうち、少なくとも１つの出
力のレベルが異なっているとき、前記第１のレベルの信
号とは異なる第２のレベルの信号を出力する第１の手段
と、前記第１の手段からの出力を増幅する第２の手段と
を有し、前記第２の手段からの出力は前記端子に入力されること
を特徴とする検査装置。
【請求項１６】請求項１１乃至請求項１５のいずれか１
項において、前記電界の情報を収集する手段とは、電界
の強さを測定する手段であることを特徴とする検査装
置。
【請求項１７】請求項１６において、前記電界の強さを
測定する手段とは、電気光学素子を備えていることを特
徴とする検査装置。
【請求項１８】請求項１７において、前記電気光学素子とは、ポッケルス・セルであることを
特徴とする検査装置。
【請求項１９】複数の１次コイルを有する検査装置であ
って、前記複数の１次コイルと、素子基板が有する複数の２次
コイルとを、一定の間隔をもってそれぞれ重ね合わせる
手段と、前記複数の１次コイルに交流の電圧を印加するための手
段と、前記複数の２次コイルに接続された、前記素子基板が有
する複数の回路素子において生じる電磁波の情報を収集
する手段と、前記収集した情報から、前記素子基板が有する複数の回
路素子のうち、欠陥を有する回路素子を特定する手段
と、を備えることを特徴とする検査装置。
【請求項２０】複数の１次コイルを有する検査装置であ
って、前記複数の１次コイルと、素子基板が有する複数の２次
コイルとを、一定の間隔をもってそれぞれ重ね合わせる
手段と、前記複数の１次コイルに交流の電圧を印加するための手
段と、前記複数の２次コイルに接続された、前記素子基板が有
する複数の回路素子において生じる電磁波の情報を収集
する手段と、前記素子基板が有する複数の回路素子のうち、前記収集
した情報が、ある一定の範囲外である回路素子を、欠陥
と判断する手段と、を備えることを特徴とする検査装
置。
【請求項２１】複数の１次コイルを有する検査装置であ
って、前記複数の１次コイルと、素子基板が有する複数の２次
コイルとを、一定の間隔をもってそれぞれ重ね合わせる
手段と、前記複数の１次コイルに交流の電圧を印加するための手
段と、前記素子基板が有する検査専用回路において生じる電磁
波の情報を収集する手段と、前記収集した情報から、前記素子基板が有する複数の回
路素子のうち、欠陥を有する回路素子を特定する手段
と、を備えており、前記複数の２次コイルの出力は、その電圧の波形が整形
されて、前記素子基板が有する複数の回路素子に入力さ
れ、前記複数の回路素子の出力は、前記検査専用回路に
入力されることを特徴とする検査装置。
【請求項２２】請求項２１のいずれか１項において、前記検査専用回路は、前記複数の回路素子の出力のレベルが全て同じであると
き第１のレベルの信号を出力し、前記複数の回路素子の
出力のうち、少なくとも１つの出力のレベルが異なって
いるとき、前記第１のレベルの信号とは異なる第２のレ
ベルの信号を出力する第１の手段と、前記第１の手段からの出力を増幅する第２の手段と、前記第２の手段からの出力を入力する端子とを有するこ
とを特徴とする検査装置。
【請求項２３】複数の１次コイルを有する検査装置であ
って、前記複数の１次コイルと、素子基板が有する複数の２次
コイルとを、一定の間隔をもってそれぞれ重ね合わせる
手段と、前記複数の１次コイルに交流の電圧を印加するための手
段と、前記素子基板が有する検査専用回路に設けられた端子に
おいて生じる電磁波の情報を収集する手段と、前記収集した情報から、前記素子基板が有する複数の回
路素子のうち、欠陥を有する回路素子を特定する手段
と、を備えており、前記複数の２次コイルの出力は、その電圧の波形が整形
されて、前記素子基板が有する複数の回路素子に入力さ
れ、前記複数の回路素子の出力は、前記検査専用回路に
入力されており、前記検査専用回路は、前記複数の回路素子の出力のレベ
ルが全て同じであるとき第１のレベルの信号を出力し、
前記複数の回路素子の出力のうち、少なくとも１つの出
力のレベルが異なっているとき、前記第１のレベルの信
号とは異なる第２のレベルの信号を出力する第１の手段
と、前記第１の手段からの出力を増幅する第２の手段と
を有し、前記第２の手段からの出力は前記端子に入力されること
を特徴とする検査装置。
【請求項２４】請求項１９乃至請求項２３において、前
記電磁波の情報を収集する手段とは、電磁波の強さを測
定する手段であることを特徴とする検査装置。
【請求項２５】請求項１１乃至請求項２４のいずれか１
項において、前記一定の間隔とは、前記複数の１次コイルが形成され
た絶縁表面と、前記素子基板との間に気体または液体を
流すことで制御していることを特徴とする検査装置。
【請求項２６】請求項１１乃至請求項２５のいずれか１
項において、前記複数の１次コイルが有する配線は同一平面上に形成
され、且つ前記配線は渦を巻いていることを特徴とする
検査装置。
【請求項２７】第１の絶縁表面上に形成された、交流の
電圧が印加されている１次コイルと、第２の絶縁表面上
に形成された２次コイルとを、一定の間隔をもって重ね
合わせ、前記２次コイルに接続されている、前記第２の
絶縁表面上に形成された複数の回路素子において生じる
電界の情報を収集し、前記収集した情報から、前記素子
基板が有する複数の回路素子のうち、欠陥を有する回路
素子を特定することを特徴とする検査方法。
【請求項２８】請求項２７において、前記１次コイルが有する配線は同一平面上に形成され、
且つ前記配線は渦を巻いていることを特徴とする検査方
法。
【請求項２９】第１の絶縁表面上に形成された複数の１
次コイルと、第２の絶縁表面上に形成された複数の２次
コイルとを、一定の間隔をもってそれぞれ重ね合わせ、前記複数の１次コイルに、互いに位相の異なる交流の電
圧を印加し、前記複数の２次コイルにおいて生じた電圧を、整流化し
た後加算することで、直流の電圧を生成し、前記直流の電圧を前記第２の絶縁表面上に形成された複
数の回路素子に印加し、前記複数の回路素子において生じる電界の情報を収集
し、前記収集した情報から、前記素子基板が有する複数の回
路素子のうち、欠陥を有する回路素子を特定することを
特徴とする検査方法。
【請求項３０】第１の絶縁表面上に形成された複数の１
次コイルと、第２の絶縁表面上に形成された複数の２次
コイルとを、一定の間隔をもってそれぞれ重ね合わせ、前記複数の１次コイルに交流の電圧を印加し、前記複数の２次コイルにおいて生じた電圧から駆動信号
を生成し、前記駆動信号を前記第２の絶縁表面上に形成された複数
の回路素子に印加し、前記複数の回路素子において生じる電界の情報を収集
し、前記収集した情報から、前記素子基板が有する複数の回
路素子のうち、欠陥を有する回路素子を特定することを
特徴とする検査方法。
【請求項３１】第１の絶縁表面上に形成された複数の１
次コイルと、第２の絶縁表面上に形成された複数の２次
コイルとを、一定の間隔をもってそれぞれ重ね合わせ、前記複数の１次コイルに交流の電圧を印加し、前記複数の２次コイルにおいて生じた電圧を用い、前記
第２の絶縁表面上に形成された波形整形回路において駆
動信号を生成し、前記駆動信号を前記第２の絶縁表面上に形成された複数
の回路素子に印加し、前記複数の回路素子において生じる電界の情報を収集
し、前記収集した情報から、前記素子基板が有する複数の回
路素子のうち、欠陥を有する回路素子を特定することを
特徴とする検査方法。
【請求項３２】第１の絶縁表面上に形成された複数の第
１の１次コイルと、第２の絶縁表面上に形成された複数
の第１の２次コイルとを、また前記第１の絶縁表面上に
形成された複数の第２の１次コイルと、第２の絶縁表面
上に形成された複数の第２の２次コイルとを、一定の間
隔をもってそれぞれ重ね合わせ、前記複数の第１の１次コイルに、互いに位相の異なる交
流の電圧を印加し、前記複数の第１の２次コイルにおいて生じた電圧を、整
流化した後加算することで、直流の電圧を生成し、前記複数の第２の１次コイルに交流の電圧を印加し、前記複数の第２の２次コイルにおいて生じた電圧から駆
動信号を生成し、前記直流の電圧及び前記駆動信号を前記第２の絶縁表面
上に形成された複数の回路素子に印加し、前記複数の回路素子において生じる電界の情報を収集
し、前記収集した情報から、前記素子基板が有する複数の回
路素子のうち、欠陥を有する回路素子を特定することを
特徴とする検査方法。
【請求項３３】第１の絶縁表面上に形成された複数の第
１の１次コイルと、第２の絶縁表面上に形成された複数
の第１の２次コイルとを、また前記第１の絶縁表面上に
形成された複数の第２の１次コイルと、第２の絶縁表面
上に形成された複数の第２の２次コイルとを、一定の間
隔をもってそれぞれ重ね合わせ、前記複数の第１の１次コイルに、互いに位相の異なる交
流の電圧を印加し、前記複数の第１の２次コイルにおいて生じた電圧を、整
流化した後加算することで、直流の電圧を生成し、前記複数の第２の１次コイルに交流の電圧を印加し、前記複数の第２の２次コイルにおいて生じた電圧を用
い、前記第２の絶縁表面上に形成された波形整形回路に
おいて駆動信号を生成し、前記直流の電圧及び前記駆動信号を前記第２の絶縁表面
上に形成された複数の回路素子に印加し、前記複数の回路素子において生じる電界の情報を収集
し、前記収集した情報から、前記素子基板が有する複数の回
路素子のうち、欠陥を有する回路素子を特定することを
特徴とする検査方法。
【請求項３４】請求項２７乃至請求項３３のいずれか１
項において、前記複数の１次コイルが有する配線は同一平面上に形成
され、且つ前記配線は渦を巻いていることを特徴とする
検査方法。
【請求項３５】請求項２７または請求項３４において、
前記電界の情報を収集する手段とは、電界の強さを測定
する手段であることを特徴とする検査方法。
【請求項３６】請求項３５において、前記電界の強さを
測定する手段とは、電気光学素子を備えていることを特
徴とする検査方法。
【請求項３７】請求項３６において、前記電気光学素子とは、ポッケルス・セルであることを
特徴とする検査方法。
【請求項３８】第１の絶縁表面上に形成された、交流の
電圧が印加されている１次コイルと、第２の絶縁表面上
に形成された２次コイルとを、一定の間隔をもって重ね
合わせ、前記２次コイルに接続されている、前記第２の
絶縁表面上に形成された複数の回路素子において生じる
電磁波の情報を収集し、前記収集した情報から、前記素
子基板が有する複数の回路素子のうち、欠陥を有する回
路素子を特定することを特徴とする検査方法。
【請求項３９】請求項３８において、前記１次コイルが有する配線は同一平面上に形成され、
且つ前記配線は渦を巻いていることを特徴とする検査方
法。
【請求項４０】第１の絶縁表面上に形成された複数の１
次コイルと、第２の絶縁表面上に形成された複数の２次
コイルとを、一定の間隔をもってそれぞれ重ね合わせ、前記複数の１次コイルに、互いに位相の異なる交流の電
圧を印加し、前記複数の２次コイルにおいて生じた電圧を、整流化し
た後加算することで、直流の電圧を生成し、前記直流の電圧を前記第２の絶縁表面上に形成された複
数の回路素子に印加し、前記複数の回路素子において生じる電磁波の情報を収集
し、前記収集した情報から、前記素子基板が有する複数の回
路素子のうち、欠陥を有する回路素子を特定することを
特徴とする検査方法。
【請求項４１】第１の絶縁表面上に形成された複数の１
次コイルと、第２の絶縁表面上に形成された複数の２次
コイルとを、一定の間隔をもってそれぞれ重ね合わせ、前記複数の１次コイルに交流の電圧を印加し、前記複数の２次コイルにおいて生じた電圧から駆動信号
を生成し、前記駆動信号を前記第２の絶縁表面上に形成された複数
の回路素子に印加し、前記複数の回路素子において生じる電磁波の情報を収集
し、前記収集した情報から、前記素子基板が有する複数の回
路素子のうち、欠陥を有する回路素子を特定することを
特徴とする検査方法。
【請求項４２】第１の絶縁表面上に形成された複数の１
次コイルと、第２の絶縁表面上に形成された複数の２次
コイルとを、一定の間隔をもってそれぞれ重ね合わせ、前記複数の１次コイルに交流の電圧を印加し、前記複数の２次コイルにおいて生じた電圧を用い、前記
第２の絶縁表面上に形成された波形整形回路において駆
動信号を生成し、前記駆動信号を前記第２の絶縁表面上に形成された複数
の回路素子に印加し、前記複数の回路素子において生じる電磁波の情報を収集
し、前記収集した情報から、前記素子基板が有する複数の回
路素子のうち、欠陥を有する回路素子を特定することを
特徴とする検査方法。
【請求項４３】第１の絶縁表面上に形成された複数の第
１の１次コイルと、第２の絶縁表面上に形成された複数
の第１の２次コイルとを、また前記第１の絶縁表面上に
形成された複数の第２の１次コイルと、第２の絶縁表面
上に形成された複数の第２の２次コイルとを、一定の間
隔をもってそれぞれ重ね合わせ、前記複数の第１の１次コイルに、互いに位相の異なる交
流の電圧を印加し、前記複数の第１の２次コイルにおいて生じた電圧を、整
流化した後加算することで、直流の電圧を生成し、前記複数の第２の１次コイルに交流の電圧を印加し、前記複数の第２の２次コイルにおいて生じた電圧から駆
動信号を生成し、前記直流の電圧及び前記駆動信号を前記第２の絶縁表面
上に形成された複数の回路素子に印加し、前記複数の回路素子において生じる電磁波の情報を収集
し、前記収集した情報から、前記素子基板が有する複数の回
路素子のうち、欠陥を有する回路素子を特定することを
特徴とする検査方法。
【請求項４４】第１の絶縁表面上に形成された複数の第
１の１次コイルと、第２の絶縁表面上に形成された複数
の第１の２次コイルとを、また前記第１の絶縁表面上に
形成された複数の第２の１次コイルと、第２の絶縁表面
上に形成された複数の第２の２次コイルとを、一定の間
隔をもってそれぞれ重ね合わせ、前記複数の第１の１次コイルに、互いに位相の異なる交
流の電圧を印加し、前記複数の第１の２次コイルにおいて生じた電圧を、整
流化した後加算することで、直流の電圧を生成し、前記複数の第２の１次コイルに交流の電圧を印加し、前記複数の第２の２次コイルにおいて生じた電圧を用
い、前記第２の絶縁表面上に形成された波形整形回路に
おいて駆動信号を生成し、前記直流の電圧及び前記駆動信号を前記第２の絶縁表面
上に形成された複数の回路素子に印加し、前記複数の回路素子において生じる電磁波の情報を収集
し、前記収集した情報から、前記素子基板が有する複数の回
路素子のうち、欠陥を有する回路素子を特定することを
特徴とする検査方法。
【請求項４５】請求項３８または請求項４４において、
前記電磁波の情報を収集する手段とは、電磁波の強さを
測定する手段であることを特徴とする検査方法。
【請求項４６】請求項３８乃至請求項４５のいずれか１
項において、前記複数の１次コイルが有する配線は同一平面上に形成
され、且つ前記配線は渦を巻いていることを特徴とする
検査方法。
【請求項４７】第１の絶縁表面上に形成された複数の１
次コイルと、第２の絶縁表面上に形成された複数の２次
コイルとを、一定の間隔をもってそれぞれ重ね合わせ、前記複数の１次コイルに、互いに位相の異なる交流の電
圧を印加し、前記複数の２次コイルにおいて生じた電圧を、整流化し
た後加算することで、直流の電圧を生成し、前記直流の電圧を前記第２の絶縁表面上に形成された複
数の回路素子に印加し、前記複数の回路素子の出力は、検査専用回路に入力され
ており、前記検査専用回路が有する端子において生じる電界の情
報を収集し、前記収集した情報から、前記素子基板が有する複数の回
路素子のうち、欠陥を有する回路素子を特定することを
特徴とする検査方法。
【請求項４８】第１の絶縁表面上に形成された複数の１
次コイルと、第２の絶縁表面上に形成された複数の２次
コイルとを、一定の間隔をもってそれぞれ重ね合わせ、前記複数の１次コイルに交流の電圧を印加し、前記複数の２次コイルにおいて生じた電圧を用い、前記
第２の絶縁表面上に形成された波形整形回路において駆
動信号を生成し、前記駆動信号を前記第２の絶縁表面上に形成された複数
の回路素子に印加し、前記複数の回路素子の出力は、検査専用回路に入力され
ており、前記検査専用回路が有する端子において生じる電界の情
報を収集し、前記収集した情報から、前記素子基板が有する複数の回
路素子のうち、欠陥を有する回路素子を特定することを
特徴とする検査方法。
【請求項４９】請求項４７または請求項４８において、前記検査専用回路は、前記複数の回路素子の出力のレベルが全て同じであると
き第１のレベルの信号を出力し、前記複数の回路素子の
出力のうち、少なくとも１つの出力のレベルが異なって
いるとき、前記第１のレベルの信号とは異なる第２のレ
ベルの信号を出力する第１の手段と、前記第１の手段からの出力を増幅する第２の手段とを有
し、前記第２の手段からの出力は前記端子に入力されること
を特徴とする検査方法。
【請求項５０】請求項４７乃至請求項４９において、前
記電界の情報を収集する手段とは、電界の強さを測定す
る手段であることを特徴とする検査方法。
【請求項５１】請求項５０において、前記電界の強さを
測定する手段とは、電気光学素子を備えていることを特
徴とする検査方法。
【請求項５２】請求項５１において、前記電気光学素子とは、ポッケルス・セルであることを
特徴とする検査方法。
【請求項５３】第１の絶縁表面上に形成された複数の１
次コイルと、第２の絶縁表面上に形成された複数の２次
コイルとを、一定の間隔をもってそれぞれ重ね合わせ、前記複数の１次コイルに、互いに位相の異なる交流の電
圧を印加し、前記複数の２次コイルにおいて生じた電圧を、整流化し
た後加算することで、直流の電圧を生成し、前記直流の電圧を前記第２の絶縁表面上に形成された複
数の回路素子に印加し、前記複数の回路素子の出力は、検査専用回路に入力され
ており、前記検査専用回路が有する端子において生じる電磁波の
情報を収集し、前記収集した情報から、前記素子基板が有する複数の回
路素子のうち、欠陥を有する回路素子を特定することを
特徴とする検査方法。
【請求項５４】第１の絶縁表面上に形成された複数の１
次コイルと、第２の絶縁表面上に形成された複数の２次
コイルとを、一定の間隔をもってそれぞれ重ね合わせ、前記複数の１次コイルに交流の電圧を印加し、前記複数の２次コイルにおいて生じた電圧を用い、前記
第２の絶縁表面上に形成された波形整形回路において駆
動信号を生成し、前記駆動信号を前記第２の絶縁表面上に形成された複数
の回路素子に印加し、前記複数の回路素子の出力は、検
査専用回路に入力されており、前記検査専用回路が有する端子において生じる電磁波の
情報を収集し、前記収集した情報から、前記素子基板が有する複数の回
路素子のうち、欠陥を有する回路素子を特定することを
特徴とする検査方法。
【請求項５５】請求項５３または請求項５４において、前記検査専用回路は、前記複数の回路素子の出力のレベルが全て同じであると
き第１のレベルの信号を出力し、前記複数の回路素子の
出力のうち、少なくとも１つの出力のレベルが異なって
いるとき、前記第１のレベルの信号とは異なる第２のレ
ベルの信号を出力する第１の手段と、前記第１の手段からの出力を増幅する第２の手段とを有
し、前記第２の手段からの出力は前記端子に入力されること
を特徴とする検査方法。
【請求項５６】請求項５３乃至請求項５５において、前
記電磁波の情報を収集する手段とは、電磁波の強さを測
定する手段であることを特徴とする検査方法。
【請求項５７】請求項４７乃至請求項５６のいずれか１
項において、前記複数の１次コイルが有する配線は同一平面上に形成
され、且つ前記配線は渦を巻いていることを特徴とする
検査方法。
【請求項５８】請求項２７乃至請求項５７のいずれか１
項において、前記一定の間隔とは、前記第１の絶縁表面と、前記第２
の絶縁表面との間に気体または液体を流すことで制御し
ていることを特徴とする検査方法。