JP2002346998A - 段付き金属体形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 小径金属部分２６及び大径金属部分２８を含
む段付き金属体２９の形成方法において、小径金属部分
２６の径の過小を回避しつつ、小径金属部分２６−大径
金属部分２８間の密着性を改善する。 【解決手段】 非感光性有機膜１２、上側シードレイヤ
ー１３、及び上側レジスト１４を成膜してから、上側金
属形成空間２２、中間金属形成孔１９、及び下側金属形
成孔２４をリソグラフィやエッチング等により上側レジ
スト１４、上側シードレイヤー１３、及び非感光性有機
膜１２に形成する。基層部１０側から下側金属形成孔２
４に露出する下側シードレイヤー１１を陰極にして電気
めっきを行い、小径金属部分２６及び大径金属部分２８
を連続的に形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、マイクロ・エレク
トロ・メカニカル・システムズ（ＭＥＭＳ：Ｍｉｃｒｏ
Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｓｙｓｔｅ
ｍｓ）等のマイクロ・マシーニングに利用される段付き
金属体形成方法に関し、特に、半導体製造技術を利用す
る段付き金属体形成方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】半導体製造技術を利用したマイクロ・エ
レクトロ・メカニカル・システムズでは、段付き金属体
の形成がしばしば必要になる。図８は従来の段付き金属
体形成方法の製造過程の中間工程の１つを示した図であ
る。図８に関連して説明する製造過程は例えば特開平７
−１０５８６４号公報に記載されている。図８におい
て、本発明の後述する発明の実施の形態の図における構
成要素と同一の構成要素については、同一符号で指示す
る。図８の構造の主要点について説明すると、下側シー
ドレイヤー１１の上面に下側レジスト３０を塗布して、
ベーキングを行ってから、所定のレジストパターンを使
用して、周知のフォトリソグラフィにおける露光、現像
を行い、下側レジスト３０に下側金属形成孔３２を形成
する。その後、下側シードレイヤー１１を陰極として、
電気めっき処理により下側金属形成孔３２内に下側小径
金属部分６９を形成する。この電気めっき処理終了時で
は、下側小径金属部分６９の上面は下側レジスト３０の
上面に一致している。その後、一平面を形成している下
側レジスト３０及び下側小径金属部分６９の上面に上側
シードレイヤー１３を、蒸着法やスパッタリング法等に
より付着し、次に、上側シードレイヤー１３の上に上側
レジスト１４を塗布する。その後、上側レジスト１４を
ベーキングを施すが、このベーキングの際の下側レジス
ト３０及び下側小径金属部分６９の熱膨張率の相違によ
り、下側レジスト３０の真上の、上側シードレイヤー１
３の部分としてのレジスト直上部分７２が、下側小径金
属部分６９の真上の、上側シードレイヤー１３の部分と
しての金属直上部分７０に対して陥没してしまい、亀裂
７４が金属直上部分７０とレジスト直上部分７２との境
界に生じる。その後、所定のレジストパターンによるフ
ォトリソグラフィにより、上側レジスト１４に、孔又は
溝等から成る上側金属形成空間２２を形成する。その
後、上側シードレイヤー１３を陰極として電気めっき処
理を行って、上側金属形成空間２２内に上側大径金属部
分７３を形成する。下側小径金属部分６９及び上側大径
金属部分７３と、上側シードレイヤー１３の内の上側大
径金属部分７３の直下部分とは段付き金属体７５を構成
する。その後、段付き金属体７５のみが残るように、上
側レジスト１４等の不要部を露光やエッチング等により
除去する。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】従来の段付き金属体形
成方法の問題点は次のとおりである。 （ａ）段付き金属体７５を積層状に構成する下側小径金
属部分６９、上側シードレイヤー１３、及び上側大径金
属部分７３の隣接相互間の密着性が良くない。 （ｂ）亀裂７４のために、亀裂７４に対処する処理が必
要となり、全体の処理が煩雑になる。

【０００４】特開平１１−２５１４８２公報は、例えば
ボンディングパッドのような段付き金属体を形成する場
合には、下側の小径部分と上側の大径部分とを連続的な
電気めっきにより形成することを開示する。該段付き金
属体形成方法では、段付き金属体の小径部分の型孔を形
成した後に、上側のレジストを塗布してから、上側のレ
ジストにおいて、段付き金属体の小径部分及び大径部分
の型孔を再度、形成している。該段付き金属体形成方法
では、下地メタルが小径部分の型孔部分の底面及び側面
に蒸着により形成されるので、小径部分の径が小さいと
きには、小径部分が下地メタルによりほぼ埋め尽くされ
てしまい、小径部分に占める電気めっきによる金属部分
の割合が少な過ぎる弊害が生じる。さらに、型孔部分に
おける電気めっき金属の高さが型孔部分の径方向へ均一
にならず、すなわち、型孔部分の浅い部分における電気
めっき金属が深い部分における電気めっき金属より盛り
上がって、電気めっき金属の上面が平坦にならず、電気
めっき終了後、析出金属をレジスト上面に揃える研磨等
の処理が余分にかかる。

【０００５】本発明の目的は、段付き金属体を半導体製
造技術を利用して、段付き金属体を形成する方法におい
て、段付き金属体用形成凹所全体を被覆する下地メタル
の存在による不具合を回避しつつ、段付き金属体におけ
る小径部分及び大径部分の密着性を改善することであ
る。

【０００６】

【課題を解決するための手段】第１の発明の段付き金属
体の形成方法は、小径部分と、軸方向へ該小径部分に連
続し径方向へ少なくとも部分的に小径部分より外へ張り
出す大径部分とを備える段付き金属体の形成方法であっ
て、次の工程を有している。・所定の基層体に対して該
基層体の方から順番に第１の除去可能被膜、電気めっき
処理のシードとなるシードレイヤー、及び第２の除去可
能被膜を積層する。・第１及び第２の除去可能被膜並び
にシードレイヤーの面方向所定部分を厚さ方向へ除去し
て、段付き金属体形成用空間を形成し、該段付き金属体
形成用空間は、第１及び第２の除去可能被膜にそれぞれ
小径部分及び大径部分の対応部分を有するとともに、第
１及び第２の除去可能被膜を厚さ方向へ貫通したもので
ある。・少なくとも段付き金属体形成用空間の基層体側
の端に臨むように第１の除去可能被膜の基層体側に存在
する基層体側金属を陰極として使用して、電気めっき処
理により段付き金属体形成用空間に段付き金属体を形成
する。

【０００７】本発明により製造される段付き金属体は、
１段のみ有する段付き金属体に限定されない。複数段を
有する段付き金属体であってもよい。そして、複数段の
段付き金属体において本発明の適用される小径部分及び
大径部分は、最も基層体側の段に対して両側のものに限
定されず、その他の段に対して両側のものであってもよ
い。また、複数段を有する段付き金属体についての本発
明の適用は、全部の段に対して両側の小径部分及び大径
部分だけでなく、特定の段に対してのみ両側の小径部分
及び大径部分のみになされてもよいとする。基層体側金
属には、第１の除去可能被膜の基層体側全体を覆う金属
レイヤーや、基層体側では段付き金属体形成用空間に対
応する部位にのみ存在する金属（図７の突出金属部分５
２）も含まれる。基層体側金属と段付き金属体とは同一
金属であっても、異なる金属であってもよいとする。基
層体には、基板だけでなく、該基板に直接又は間接に積
層されて、第１の除去可能被膜等を積層で被覆され得る
層体も含まれるものとする。

【０００８】本発明の段付き金属体形成方法は、典型的
には、例えば、マイクロ・エレクトロ・メカニカル・シ
ステムズを含むマイクロ・マシーンズの部品製造に適用
される。１個の段付き金属体は小径部分及び大径部分を
有するが、１個の段付き金属体における大径部分及び小
径部分の個数比は、１：１であっても、また、１：複数
であってもよいとする。

【０００９】基層体側金属は、段付き金属体形成用空間
の基層体側端へ臨む位置に存在すればよいので、段付き
金属体形成用空間の側面が電気めっき処理に先立ち、所
定の金属で被覆されない。したがって、このような被覆
金属による弊害を排除できる。また、段付き金属体の大
径部分は、小径部分の形成後、電気めっき処理を中断す
ることなく、連続的な電気めっき処理により形成される
ので、小径部分及び大径部分間の密着性は良好になる。

【００１０】第２の発明の段付き金属体形成方法によれ
ば、第１の発明の段付き金属体形成方法において、第２
の除去可能被膜は、レジストであり、フォトリソグラフ
ィにより段付き金属体形成用空間の対応部分を形成され
る。

【００１１】第３の発明の段付き金属体形成方法によれ
ば、第１又は第２の発明の段付き金属体形成方法におい
て、シードレイヤーは、ウェットエッチングにより段付
き金属体形成用空間の対応部分を形成される。

【００１２】第４の発明の段付き金属体形成方法によれ
ば、第１〜第３のいずれかの発明の段付き金属体形成方
法において、第１の除去可能被膜は、非感光性有機膜で
あり、ドライエッチングにより段付き金属体形成用空間
の対応部分を形成される。

【００１３】第５の発明の段付き金属体形成方法によれ
ば、第１〜第３のいずれかの発明の段付き金属体形成方
法において、第１の除去可能被膜は、レジストであり、
シードレイヤーをマスクパターンとするフォトリソグラ
フィにより段付き金属体形成用空間の対応部分を形成さ
れる。

【００１４】第６の発明の段付き金属体形成方法によれ
ば、第１〜第５のいずれかの発明の段付き金属体形成方
法において、基層体側金属は、第１の除去可能被膜の基
層体側の面に隣接する別のシードレイヤーである。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、発明の実施の形態について
図面を参照して説明する。図１〜図４は第１の実施の形
態の段付き金属体形成方法の幾つかの工程を順番に示し
ている。製造過程は、図１（ａ）→図１（ｂ）→図２
（ａ）→図２（ｂ）→図３（ａ）→図３（ｂ）→図４の
順番に進む。

【００１６】基層部１０の上には、基層部１０の方から
順番に下側シードレイヤー１１、非感光性有機膜１２、
上側シードレイヤー１３、及び上側レジスト１４が積層
される。下側シードレイヤー１１は、基層部１０上に蒸
着やスパッタリング等により付着される。非感光性有機
膜１２は、下側シードレイヤー１１の上に塗布され、次
に、ベーキング処理される。上側シードレイヤー１３は
非感光性有機膜１２の上に蒸着やスパッタリング等によ
り付着される。上側レジスト１４は、上側シードレイヤ
ー１３の上に塗布され、次に、ベーキング処理される。
ここまでの状態が図１（ａ）に示されている。

【００１７】その後、所定のレジストパターンを使用し
て、上側レジスト１４を露光、現像して、上側レジスト
１４に凹所１８を形成する。凹所１８は、後述の中間金
属形成孔１９の形成のために作られる一時的なものであ
る。ここまでの状態が図１（ｂ）に示されている。

【００１８】その後、ウェットエッチにより、上側シー
ドレイヤー１３における凹所１８の真下部分に、凹所１
８と等径の中間金属形成孔１９を形成する。ここまでの
状態が図２（ａ）に示されている。

【００１９】その後、別のレジストパターンを使用し
た、上側レジスト１４の露光、現像により上側レジスト
１４に上側金属形成空間２２を形成する。上側金属形成
空間２２は孔や溝等から成る。上側金属形成空間２２が
溝である場合には、該溝は、上側レジスト１４において
相当長さにわたって延びる。上側金属形成空間２２を構
成する１個の孔又は１個の溝に対して、後述の下側金属
形成孔２４の複数個が対応して、形成されてもよいとす
る。ここまでの状態が図２（ｂ）に示される。

【００２０】その後、中間金属形成孔１９付きの上側シ
ードレイヤー１３をマスクパターンとして、ドライエッ
チ処理を行う。これにより、下側金属形成孔２４が非感
光性有機膜１２に形成される。このドライエッチにより
上側レジスト１４は表面を多少、削られるが、この削り
を考慮して、上側レジスト１４は予め少し大きな厚さで
形成しておく。ここまでの状態が図３（ａ）に示され
る。

【００２１】その後、全体を金属電解液（例えばニッケ
ル電解液）に浸漬し、下側シードレイヤー１１を陰極に
して、電気めっき処理により小径金属部分２６を下側金
属形成孔２４内に形成する。下側シードレイヤー１１の
表面が小径金属部分２６により覆われると、小径金属部
分２６の上面にニッケルが電着する。やがて、小径金属
部分２６の上面は上側シードレイヤー１３に接触する高
さに成長する。ここまでの状態が図３（ｂ）に示され
る。

【００２２】小径金属部分２６の上面が上側シードレイ
ヤー１３に接触する高さに成長すると、上側シードレイ
ヤー１３は、小径金属部分２６を介して下側シードレイ
ヤー１１と同電位になる。電気めっき処理は、その後
も、中断されることなく、連続する。また、上側シード
レイヤー１３及び小径金属部分２６の上面が陰極として
作用し、大径金属部分２８が上側シードレイヤー１３及
び小径金属部分２６の上面を被覆する。やがて、大径金
属部分２８が上側レジスト１４の上側金属形成空間２２
を埋め尽くし、大径金属部分２８の上面が上側レジスト
１４の上面とほぼ揃う高さになり、電気めっき処理が終
了する。小径金属部分２６及び大径金属部分２８は段付
き金属体２９を構成する。ここまでの状態が図４に示さ
れる。

【００２３】第１の実施の形態の段付き金属体形成方法
における各部の材料を例示すると、次のとおりである。 下側シードレイヤー１１：Ｃｕ（銅）又はＮｉ（ニッケ
ル）。 非感光性有機膜１２：ＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリレ
ート）。 上側シードレイヤー１３：Ｔｉ（チタン）。 上側レジスト１４：ポジ型厚膜レジスト（例えば商品名
では、ＡＺＰ４３３０及びＡＺ４６２０等）。 中間金属形成孔１９を形成する際のウェットエッチに使
用する化学物質：ＨＦ（フッ酸）系の化学物質 下側金属形成孔２４を形成する際のドライエッチに使用
する化学物質：０₂（酸素）。 小径金属部分２６，大径金属部分２８：Ｎｉ（ニッケ
ル）

【００２４】また、図４の構造図において各部の寸法範
囲及び典型寸法を例示する次のとおりである。典型寸法
は（ ）内に記載している。 下側シードレイヤー１１の厚さ：数十ｎｍ〜数百ｎｍ
(２００ｎｍ）。 非感光性有機膜１２の厚さ：数μｍ〜数十μｍ(１０μ
ｍ）。 上側シードレイヤー１３の厚さ：数十ｎｍ〜数百ｎｍ
(１００ｎｍ）。 上側レジスト１４の厚さ：数μｍ〜数十μｍ(１０μ
ｍ）。 小径金属部分２６の径：数μｍ〜数百μｍ(１０μ
ｍ）。 大径金属部分２８の径：数μｍ〜数百μｍ(１５μ
ｍ）。 なお、上側金属形成空間２２が孔ではなく、溝である場
合には、大径金属部分２８の幅は上述の数μｍ〜数百μ
ｍ(１５μｍ）であるものの、その延び方向の長さの上
限は数十ｍｍに達することもある。

【００２５】その後、段付き金属体２９は他の部分から
分離される。分離処理の一例では、次の（Ｓ１）〜（Ｓ
４）の工程が順に行われる。 （Ｓ１）上側レジスト１４を、レジストパターン無しで
全面露光してから、濃度の濃い現像液で現像して、除去
する。 （Ｓ２）上側シードレイヤー１３がＴｉである場合に
は、上側シードレイヤー１３をフッ酸系の薬品でウェッ
トエッチにより除去し、また、上側シードレイヤー１３
がＴｉ以外の金属である場合には、イオンミリング（Ｉ
ｏｎ Ｍｉｌｌｉｎｇ)を採用して、イオンにより物理
的にドライエッチングにより除去する。 （Ｓ３）非感光性有機膜１２を有機溶剤（例として Ｎ
ＭＰ（ｎ−メチルピロリドン））で除去する。 （Ｓ４）下側シードレイヤー１１をウェットエッチによ
り除去する。

【００２６】なお、段付き金属体２９には、分離処理に
より上側シードレイヤー１３の内の大径金属部分２８の
直下部分を含む場合と、含まない場合がある。すなわ
ち、上側シードレイヤー１３がＴｉである場合には、フ
ッ酸系の薬品でウェットエッチする時間が長いと上側シ
ードレイヤー１３の内の上側レジスト１４の直下部分は
除去され、該時間が短いと、該直下部分は段付き金属体
２９の部分として残る。また、上側シードレイヤー１３
がＴｉ以外の金属である場合は、該直下部分は段付き金
属体２９の部分として残る。

【００２７】図５及び図６は第２の実施の形態の段付き
金属体形成方法の所定工程を順番に示している。図５
（ａ）及び（ｂ）は第１の実施の形態の段付き金属体形
成方法における図３（ａ）及び（ｂ）の工程にそれぞれ
対応している。図６は第１の実施の形態の段付き金属体
形成方法における図４の工程に対応している。第２の実
施の形態の段付き金属体形成方法では、下側レジスト３
０が非感光性有機膜１２に代えて使用される。下側レジ
スト３０は例えば上側レジスト１４と同じ材料が使用さ
れる。図５（ａ）の工程に先立って、図２（ａ）の工程
が行われる。図２（ａ）の工程の後、上側金属形成空間
２２に対応のレジストパターンを使って、上側レジスト
１４を露光すると、中間金属形成孔１９が下側レジスト
３０に対するレジストパターンになる。そして、その
後、現像すると、上側レジスト１４及び下側レジスト３
０にそれぞれ上側金属形成空間２２及び下側金属形成孔
３２が形成され、図５（ａ）に示される構造が得られ
る。下側金属形成孔３２は、このときの現像により、中
間金属形成孔１９より放射方向外側へ広がることになる
ので、上側シードレイヤー１３には、下側金属形成孔３
２の径方向内側へ突出した張出し部分３４が存在する。

【００２８】次に、全体をニッケルの電解液に浸漬し、
下側シードレイヤー１１を陰極にして、電気めっき処理
により小径金属部分２６を下側金属形成孔３２内に形成
する。下側シードレイヤー１１の表面が小径金属部分２
６により覆われると、小径金属部分２６の上面にニッケ
ルが電着する。やがて、小径金属部分２６の上面は張出
し部分３４に接触する高さに成長する。ここまでの状態
が図５（ｂ）に示される。

【００２９】小径金属部分２６の上面が上側シードレイ
ヤー１３の張出し部分３４に接触する高さに成長する
と、上側シードレイヤー１３は、小径金属部分２６を介
して下側シードレイヤー１１と同電位になる。電気めっ
き処理は、その後も、中断されることなく、連続実行さ
れる。また、上側シードレイヤー１３及び小径金属部分
２６の上面が陰極として作用し、大径金属部分２８が上
側シードレイヤー１３及び小径金属部分２６の上面を被
覆する。やがて、大径金属部分２８が上側レジスト１４
の上側金属形成空間２２を埋め尽くし、大径金属部分２
８の上面が上側レジスト１４の上面と揃う高さになり、
電気めっき処理が終了する。ここまでの状態が図６に示
される。その後、段付き金属体２９（この段付き金属体
２９には、上側シードレイヤー１３の内、大径金属部分
２８の直下部分も含まれる。）は、図４の段付き金属体
２９の場合と同様に、上側レジスト１４等の他の部分か
ら分離される。

【００３０】図７はハードディスクドライブのヘッドに
装備されるマイクロアクチュエータの製造過程の途中工
程図である。完成後のマイクロアクチュエータは、固定
電極と、該固定電極に対して周方向へ、すなわち相対回
転方向へ相対変位自在な可動電極とを装備し、固定電極
及び可動電極は、非接触を保持しつつ相対回転自在に交
互に挿入状態になっている櫛歯部分を有している。下側
シードレイヤー４０は所定の基層体の表面（該表面には
上面及び側面が含まれる。）に成膜される。非感光性有
機膜４２は下側シードレイヤー４０の上に成膜され、次
に、第１の金属形成孔５０が非感光性有機膜４２に形成
され、次に、突出金属部分５２が、下側シードレイヤー
４０を陰極とする電気めっき処理により第１の金属形成
孔５０内に形成される。その後、非感光性有機膜４２の
上に、非感光性有機膜４２の方から順番に下側レジスト
４４、上側シードレイヤー４６、及び上側レジスト４８
が成膜される。その後、前述の図５（ａ）の工程で説明
したのと同じ処理により、すなわち、第３の金属形成孔
５６の形成に先立ち、上側シードレイヤー４６のシード
レイヤー部用形成孔５３を該形成孔５３に対応のレジス
トパターンによるフォトリソグラフィ及びウェットエッ
チにより形成し、次に、第３の金属形成孔５６に対応す
るレジストパターンを使ったリソグラフィにより第３の
金属形成孔５６及び第２の金属形成孔５４を上側シード
レイヤー４６及び下側レジスト４４にそれぞれ形成す
る。その後、再び、電解液内で、下側シードレイヤー４
０にそれを陰極とする電圧を印加して、電気めっき処理
を行い、突出金属部分５２の上方において下側カバー金
属部分６０が第２の金属形成孔５４に形成され、さら
に、連続する電気めっきにより、上側カバー金属部分６
１がシードレイヤー部用形成孔５３及び第３の金属形成
孔５６内に形成される。その順番にかつ連続電気めっき
処理により形成される。突出金属部分５２、下側カバー
金属部分６０、及び上側カバー金属部分６１は、マイク
ロアクチュエータの可動電極を構成し、各突出金属部分
５２は該可動電極の櫛歯となり、下側カバー金属部分６
０及び上側カバー金属部分６１は突出金属部分５２の上
方を覆う表面保護膜となる。下側カバー金属部分６０及
び上側カバー金属部分６１は前述の小径金属部分２６及
び大径金属部分２８に対応し、下側レジスト４４及び上
側レジスト４８は前述の下側レジスト３０及び上側レジ
スト１４に対応し、上側シードレイヤー４６は前述の上
側シードレイヤー１３に対応している。下側カバー金属
部分６０及び上側カバー金属部分６１は連続的な電気め
っき処理により形成されるので、相互の密着性は良好と
なる。また、第２の金属形成孔５４内には下地メタル等
の存在を排除できるので、平坦な上面の上側カバー金属
部分６１を形成できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１の実施の形態の段付き金属体形成方法の第
１の範囲の工程を示す図である。

【図２】第１の実施の形態の段付き金属体形成方法の第
２の範囲の工程を示す図である。

【図３】第１の実施の形態の段付き金属体形成方法の第
３の範囲の工程を示す図である。

【図４】第１の実施の形態の段付き金属体形成方法の第
４の範囲の工程を示す図である。

【図５】第２の実施の形態の段付き金属体形成方法の第
１の範囲の工程を示す図である。

【図６】第２の実施の形態の段付き金属体形成方法の第
２の範囲の工程を示す図である。

【図７】ハードディスクドライブのヘッドに装備される
マイクロアクチュエータの製造過程の途中工程図であ
る。

【図８】従来の段付き金属体形成方法の製造過程の中間
工程の１つを示した図である。

【符号の説明】

１０ 基層部（基層体） １１ 下側シードレイヤー（基層体側金属） １２ 非感光性有機膜（除去可能被膜） １３ 上側シードレイヤー １４ 上側レジスト（除去可能被膜） １９ 中間金属形成孔（段付き金属体形成用空間） ２２ 上側金属形成孔（段付き金属体形成用空間） ２４ 下側金属形成孔（段付き金属体形成用空間） ２６ 小径金属部分（小径部分） ２８ 大径金属部分（大径部分） ２９ 段付き金属体（段付き金属体） ３０ 下側レジスト（除去可能被膜） ３２ 下側金属形成孔（段付き金属体形成用空間） ４２ 非感光性有機膜（基層体） ４４ 下側レジスト（除去可能被膜） ４６ 上側シードレイヤー ４８ 上側レジスト（除去可能被膜） ５２ 突出金属部分（基層体側金属） ５３ シードレイヤー部用形成孔 ５４ 第２の金属形成孔（段付き金属体形成用空間） ５６ 第３の金属形成孔（段付き金属体形成用空間） ６０ 下側カバー金属部分（小径部分） ６１ 上側カバー金属部分（大径部分）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 野洲 正和 滋賀県野洲郡野洲町大字市三宅800番地 日本アイ・ビー・エム株式会社 野洲事業 所内

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 小径部分と、軸方向へ該小径部分に連続
   し径方向へ少なくとも部分的に前記小径部分より外へ張
   り出す大径部分とを備える段付き金属体の形成方法にお
   いて、 所定の基層体に対して該基層体の方から順番に第１の除
   去可能被膜、電気めっき処理のシードとなるシードレイ
   ヤー、及び第２の除去可能被膜を積層し、 前記第１及び第２の除去可能被膜並びに前記シードレイ
   ヤーの面方向所定部分を厚さ方向へ除去して、段付き金
   属体形成用空間を形成し、該段付き金属体形成用空間
   は、前記第１及び前記第２の除去可能被膜にそれぞれ前
   記小径部分及び前記大径部分の対応部分を有するととも
   に、前記第１及び前記第２の除去可能被膜を厚さ方向へ
   貫通したものであり、 少なくとも前記段付き金属体形成用空間の前記基層体側
   の端に臨むように前記第１の除去可能被膜の前記基層体
   側に存在する基層体側金属を陰極として使用して、電気
   めっき処理により前記段付き金属体形成用空間に前記段
   付き金属体を形成する、ことを特徴とする段付き金属体
   形成方法。
2. 【請求項２】 前記第２の除去可能被膜は、レジストで
   あり、フォトリソグラフィにより前記段付き金属体形成
   用空間の対応部分を形成されることを特徴とする請求項
   １記載の段付き金属体形成方法。
3. 【請求項３】 前記シードレイヤーは、ウェットエッチ
   ングにより前記段付き金属体形成用空間の対応部分を形
   成されることを特徴とする請求項１記載の段付き金属体
   形成方法。
4. 【請求項４】 前記第１の除去可能被膜は、非感光性有
   機膜であり、ドライエッチングにより前記段付き金属体
   形成用空間の対応部分を形成されることを特徴とする請
   求項１記載の段付き金属体形成方法。
5. 【請求項５】 前記第１の除去可能被膜は、レジストで
   あり、前記シードレイヤーをマスクパターンとするフォ
   トリソグラフィにより前記段付き金属体形成用空間の対
   応部分を形成されることを特徴とする請求項３記載の段
   付き金属体形成方法。
6. 【請求項６】 前記基層体側金属は、前記第１の除去可
   能被膜の前記基層体側の面に隣接する別のシードレイヤ
   ーであることを特徴とする請求項１記載の段付き金属体
   形成方法。