JP2002343151A - 透明導電膜積層基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は、高い導電率を備え、透明性に優れ
た導電膜が積層された基板の製造方法を提供することを
課題とする。 【解決手段】 本発明は、(1)インジウム−錫酸化物焼
結体のターゲットを、ＤＣ電源又はＤＣ＋ＲＦ電源を用
い、不活性ガス又は不活性ガス及び酸素の混合ガスの雰
囲気中でスパッタリングして、基板上にＩＴＯ膜を形成
する工程、及び(2)インジウム−錫酸化物焼結体及びイ
ンジウム酸化物焼結体からなる群より選ばれた少なくと
も１種のターゲットを、ＤＣ電源、ＲＦ電源又はＤＣ＋
ＲＦ電源を用い、不活性ガス雰囲気中でスパッタリング
して上記(1)で形成されたＩＴＯ膜上にＩＴＯ膜及び／
又は酸化インジウム膜を形成する工程を含む透明導電膜
積層基板の製造方法である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、透明導電膜積層基
板の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】ノートパソコン、デスクトップパソコン
用ディスプレイなどの主流であるＴＦＴディスプレイ
は、光源からの光がＴＦＴ、液晶分子、カラーフィルタ
ーを通過し、基板上に画像を形成するように構成されて
いる。

【０００３】カラーフィルターは、透明基板上に遮光
膜、カラーレジスト膜及びインジウム・錫・オキサイド
（ＩＴＯ）導電膜が形成されたものである。

【０００４】カラーフィルターの製造方法としては、例
えば特開昭６３−１９７９０３号公報、特開平６−２８
９３２号公報などに記載された方法が知られている。

【０００５】特開昭６３−１９７９０３号公報は、遮光
膜及びカラーレジスト膜が形成されたガラス基板を１８
０℃に加熱し、錫−インジウム酸化物焼結体からなるタ
ーゲットをスパッタリングすることにより、又はインジ
ウム錫合金からなるターゲットを酸素を含むアルゴン雰
囲気中で反応性スパッタリングにより、遮光膜及びカラ
ーレジスト膜が形成されたガラス基板上にＩＴＯ導電膜
を形成させる方法を開示している。

【０００６】しかしながら、特開昭６３−１９７９０３
号公報に記載された方法で得られるＩＴＯ導電膜は、単
層からなるものであり、導電率が低い（即ち比抵抗値が
大きい）という欠点がある。ＩＴＯ導電膜の導電率を向
上させようとすると、ＩＴＯ導電膜の膜厚を厚くするこ
とが必要になるが、ＩＴＯ導電膜の膜厚を厚くすると、
導電膜の透明性が損なわれるのが避けられなくなる。従
って、この方法で得られるＩＴＯ導電膜は、高導電率及
び透明性の両方を満足するものではない。

【０００７】特開平６−２８９３２号公報は、カラーレ
ジスト膜上に形成された有機樹脂表面にＩＴＯ導電膜を
形成させる方法を開示している。この方法は、（ａ）有
機樹脂表面に、錫−インジウム酸化物焼結体をターゲッ
トとして用い、アルゴンガス又は酸素を３容量％含むア
ルゴンと酸素との混合ガス雰囲気中で、直流マグネトロ
ンスパッタリングにより厚さ３〜３０ｎｍの結晶核生成
層（第１層）を被覆する工程、（ｂ）結晶核生成層を減
圧した雰囲気中で、且つ１００℃以上の前記有機樹脂が
劣化しない温度でアニールすることにより結晶核を成長
させる工程及び（ｃ）結晶核生成層上に酸素を３容量％
含むアルゴンと酸素との混合ガス雰囲気中で、マグネト
ロンスパッタリングにより低抵抗化層（第２層）を被覆
する工程を備えている。

【０００８】ＩＴＯ導電膜の比抵抗値を低くするには、
二つの方法がある。一つはキャリア（自由電子）の移動
度を大きくする方法であり、他の一つはキャリア（自由
電子）の密度を高くする方法である。上記特開昭６３−
１９７９０３号公報に記載の方法は、キャリアの移動度
を大きくし、その結果としてＩＴＯ導電膜の比抵抗値を
低く、即ち導電率を向上させようとするものである。

【０００９】しかしながら、この方法によると、キャリ
アの移動度は大きくなるが、それに伴ってキャリア密度
が低くなるので、導電率の改善効果は不充分である。

【００１０】また、特開平６−２８９３２号公報の方法
は、アニール処理という特別な処理を施す必要があり、
実用的ではない。

【００１１】更に、ＩＴＯ導電膜を形成させる方法とし
て、例えば特開平２−１８９８１６号公報などに記載さ
れた方法が知られている。

【００１２】上記公報は、減圧された不活性ガス又は不
活性ガスと酸素との混合ガスを含む雰囲気内において、
インジウム−錫酸化物焼結体のターゲットを用い、２０
０℃以下に維持された基板上に、マグネトロンスパッタ
リングにより、第１層のＩＴＯ膜を形成する工程、該基
板を３００℃以上に減圧下で加熱する工程、減圧された
不活性ガスと酸素との混合ガスを含む雰囲気内におい
て、前記ターゲットを用い、３００℃以上に加熱された
該基板の第１層上にマグネトロンスパッタリングによ
り、第２層のＩＴＯ膜を形成する工程、該基板を減圧さ
れた雰囲気中で２５０℃以下に冷却後該雰囲気を大気圧
に戻す工程を経て、基板上に２層からなるＩＴＯ導電膜
を形成する方法を開示している。

【００１３】上記特開平６−２８９３２号公報に記載の
方法もまた、ＩＴＯ導電膜中のキャリアの移動度を大き
くし、その結果としてＩＴＯ導電膜の比抵抗値を低く、
即ち導電率を向上させようとするものである。

【００１４】しかしながら、この方法によると、キャリ
アの移動度は大きくなるものの、キャリア密度は高くな
らず、導電率の改善効果は不充分である。

【００１５】また、上記方法では、基板が３００℃以上
の高温に晒されるために、使用される基板に制限を受け
るという欠点がある。

【００１６】更に、上記方法では、減圧下で２００℃以
下から３００℃以上の高温に加熱したり、３００℃以上
の高温から２５０℃以下に冷却する必要があり、これら
の加熱及び冷却に長時間を要する。上記方法は、基板を
減圧された雰囲気中で２５０℃以下に冷却後該雰囲気を
大気圧に戻す工程を含んでいる。この工程は、３００℃
以上に加熱された基板をその温度のままで大気圧に戻す
と、３００℃以上に加熱された基板が酸素と接触し、酸
化され、その結果基板が劣化するのを防ぐのに必要であ
る。

【００１７】従って、特開平６−２８９３２号公報の方
法は、基板を高温に加熱したり、冷却したりする煩雑な
操作が必要であり、実用的ではない。

【００１８】

【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、高い
導電率を備え、透明性に優れた透明導電膜積層基板の製
造方法を提供することである。

【００１９】

【課題を解決するための手段】本発明者は、上記課題を
解決するために種々の研究を重ねてきた。その結果、基
板上にＩＴＯ膜を形成させるに当たり、基板上に少なく
とも２層のＩＴＯ膜を形成させ、且つこれら各層のＩＴ
Ｏ膜を形成させるための電源としてそれぞれ特定の電源
を用い且つ特定のスパッタリングガス雰囲気中でスパッ
タリングすることにより、ＩＴＯ膜中のキャリア濃度を
高くすることができ、それ故高い導電率を備え、しかも
透明性に優れた導電膜が積層された基板が得られること
を見い出した。

【００２０】また、上記複数のＩＴＯ膜の一部を酸化イ
ンジウム膜に置き換えることによっても、所望の導電膜
積層基板が得られることを見い出した。

【００２１】本発明は、これらの知見に基づき完成され
たものである。

【００２２】本発明は、(1)インジウム−錫酸化物焼結
体のターゲットを、ＤＣ（直流）電源又はＤＣ＋ＲＦ
（高周波）電源を用い、不活性ガス又は不活性ガス及び
酸素の混合ガス雰囲気中でスパッタリングして、ＩＴＯ
膜を形成する工程、及び(2)インジウム−錫酸化物焼結
体及びインジウム酸化物焼結体からなる群より選ばれた
少なくとも１種のターゲットを、ＤＣ電源、ＲＦ電源又
はＤＣ＋ＲＦ電源を用い、不活性ガス雰囲気中でスパッ
タリングして上記(1)で形成されたＩＴＯ膜上にＩＴＯ
膜及び／又は酸化インジウム膜を形成する工程を含む透
明導電膜積層基板の製造方法を提供する。

【００２３】本発明は、(1)インジウム−錫酸化物焼結
体のターゲットを、ＤＣ電源又はＤＣ＋ＲＦ電源を用
い、不活性ガス又は不活性ガス及び酸素の混合ガス雰囲
気中でスパッタリングして、基板上に第１層のＩＴＯ膜
を形成する工程、(2)上記ターゲットを、ＤＣ電源、Ｒ
Ｆ電源又はＤＣ＋ＲＦ電源を用い、不活性ガス及び酸素
の混合ガス雰囲気中でスパッタリングして第１層上に第
２層のＩＴＯ膜を形成する工程、及び(3)上記ターゲッ
トを、ＤＣ電源又はＤＣ＋ＲＦ電源を用い、不活性ガス
又は不活性ガス及び酸素の混合ガス雰囲気中でスパッタ
リングして、第２層上に第３層のＩＴＯ膜を形成する工
程を含む透明導電膜積層基板の製造方法を提供する。

【００２４】本発明は、上記各種の方法により製造され
る透明導電膜積層基板を提供する。

【００２５】

【発明の実施の形態】透明導電膜積層基板の製造 本発明の透明導電膜積層基板は、基板上に少なくとも２
層からなるＩＴＯ膜又は少なくとも１層のＩＴＯ膜及び
少なくとも１層の酸化インジウム膜を形成することによ
り製造される。

【００２６】基板上に形成されるＩＴＯ膜は、２層、３
層、４層、５層又はそれ以上であってもよい。また、酸
化インジウム膜は、１層、２層又はそれ以上であっても
よい。

【００２７】これら各ＩＴＯ膜等は、公知の方法で基板
上に成膜される。本発明においては、２層又はそれ以上
からなるＩＴＯ膜の少なくとも１つを、(1)インジウム
−錫酸化物焼結体のターゲットを、ＤＣ電源又はＤＣ＋
ＲＦ電源を用い、不活性ガス又は不活性ガス及び酸素の
混合ガス雰囲気中でスパッタリングすることにより形成
し、更にそのようにして形成されたＩＴＯ膜上に、(2)
インジウム−錫酸化物焼結体又はインジウム酸化物焼結
体のターゲットを、ＤＣ電源、ＲＦ電源又はＤＣ＋ＲＦ
電源を用い、不活性ガス雰囲気中でスパッタリングして
ＩＴＯ膜又は酸化インジウム膜を形成することを必須と
している。

【００２８】上記(1)及び(2)の工程を経て形成される導
電膜は、導電膜中のキャリア密度が高くなり、しかもキ
ャリアの移動度は殆ど低下せず、いくつかのスパッタリ
ング条件下では導電膜中のキャリア密度が高くなり、し
かもキャリアの移動度も大きくなるので、導電膜は高導
電率を備えたものになる。

【００２９】本発明の透明導電膜積層基板は、より詳細
には、例えば下記に示す方法Ａ〜方法Ｃにより製造され
る。

【００３０】方法Ａ：方法Ａは、(1)インジウム−錫酸
化物焼結体のターゲットを、ＤＣ電源又はＤＣ＋ＲＦ電
源を用い、不活性ガス又は不活性ガス及び酸素の混合ガ
ス雰囲気中でスパッタリングして、基板上に第１層のＩ
ＴＯ膜を形成する工程、及び(2)上記ターゲットを、Ｄ
Ｃ電源、ＲＦ電源又はＤＣ＋ＲＦ電源を用い、不活性ガ
ス雰囲気中でスパッタリングして第１層上に第２層のＩ
ＴＯ膜を形成する工程を有している。

【００３１】基板は、公知の基板のいずれであってもよ
く、例えばガラス基板、ガラスエポキシ樹脂基板、セラ
ミック基板、アルミナ基板、シリコン基板、窒化アルミ
ニウム基板、メタル基板、ＩＭＳ基板、メタルコア基
板、ホーロー基板、樹脂基板などが挙げられる。樹脂基
板の樹脂材料としては、例えばポリカーボネート、ポリ
エーテルスルホン、ポリイミド、アクリル樹脂、環状ポ
リオレフィン（例えば、日本ゼオン（株）製のゼオノア
樹脂）、ポリアリレート、ポリエチレンナフタレート
（ＰＥＮ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）な
どが挙げられる。

【００３２】これら基板の中でも、ガラス基板が好適で
ある。ガラス基板としては、例えばカラーフィルター用
のガラス基板を広く使用でき、具体的にはソーダライム
ガラス基板などを例示できる。基板の大きさ、厚さなど
は、透明導電膜積層基板の使用目的により適宜選択する
ことができる。

【００３３】方法Ａにおいて使用されるターゲットは、
インジウム−錫酸化物焼結体である。この焼結体は公知
であり、例えば微粉末状の酸化錫と微粉末状酸化インジ
ウムとを十分に混合し、所定形状にプレス成型し、例え
ば約１０００〜約１５００℃の高温で焼成したものなど
を使用することができる。焼結体中の酸化錫の含有量
は、限定されるものではないが、通常約３〜約３０重量
％、好ましくは約５〜約１５重量％である。

【００３４】方法Ａにおいては、まず、インジウム−錫
酸化物焼結体をターゲットとして用い、これを基板上に
スパッタリングして、基板上に第１層のＩＴＯ膜を形成
させる（以下この工程を「第一工程」という）。

【００３５】この第一工程のスパッタリング条件は、以
下の通りである。

【００３６】電源は、ＤＣ電源とするか、又はＤＣ＋Ｒ
Ｆ電源とする。電源は、ＤＣ電源であるのが好ましい。

【００３７】印加電力などの条件は、ターゲットの大き
さなどにより異なり一概にはいえないが、ターゲットが
５インチ×１５インチの大きさであると仮定すれば、以
下の通りである。

【００３８】印加電力は、ＤＣ電源の場合、通常約０．
１〜約１ＫＷ、好ましくは約０．３〜約０．６ＫＷであ
る。ＤＣ＋ＲＦ電源の場合、ＤＣ電源の電力は、通常約
０．１〜約１ＫＷ、好ましくは約０．２〜約０．６Ｋ
Ｗ、ＲＦ電源の電力は、通常約０．１〜約３ＫＷ、好ま
しくは約０．２〜約０．６ＫＷである。ＤＣ／ＲＦ電力
比は約０．１〜約１０の範囲内で適宜調整するのがよ
い。ＲＦ電源を用いる場合、周波数は通常約６．７８〜
約２７．１２ＭＨｚ、好ましくは約１３．５６ＭＨｚで
ある。

【００３９】基板の温度は、基板の種類により異なる
が、例えばガラス基板を用いる場合は、通常室温付近〜
３００℃未満、好ましくは約１４０〜約２５０℃であ
る。

【００４０】スパッタリングガスは、不活性ガス又は不
活性ガス及び酸素の混合ガス、好ましくは不活性ガス及
び酸素の混合ガスである。不活性ガスとしては、公知の
不活性ガスを広く使用でき、その代表的なものとしてア
ルゴンガスなどを挙げることができる。

【００４１】ガス圧（スパッタ圧）は、通常約０．１〜
約１Ｐａ、好ましくは約０．２〜約０．８Ｐａである。

【００４２】第一工程で不活性ガス及び酸素の混合ガス
を用いる場合、該混合ガス中の酸素含有量は約１容量％
以下、好ましくは約０．６容量％以下である。

【００４３】第一工程により、基板上に第１層として形
成されるＩＴＯ膜の膜厚は、通常約５〜約１００ｎｍ、
好ましくは約１０〜約７０ｎｍ、特に好ましくは約１５
〜約５０ｎｍである。

【００４４】方法Ａにおいては、次に、インジウム−錫
酸化物焼結体をターゲットとして用い、これを基板上に
形成された第１層にスパッタリングして、第１層上に第
２層のＩＴＯ膜を形成させる（以下この工程を「第二工
程」という）。

【００４５】この第二工程のスパッタリング条件は、以
下の通りである。

【００４６】電源の種類は、ＤＣ電源とするか、ＲＦ電
源とするか又はＤＣ＋ＲＦ電源とする。電源は、ＲＦ電
源であるのが好ましい。

【００４７】印加電力は、ＤＣ電源の場合、通常約０．
１〜約１ＫＷ、好ましくは約０．３〜約０．６ＫＷであ
る。ＲＦ電源の電力は、通常約０．１〜約３ＫＷ、好ま
しくは約１〜約１．８ＫＷである。ＤＣ＋ＲＦ電源の場
合、ＤＣ電源の電力は、通常約０．１〜約１ＫＷ、好ま
しくは約０．２〜約０．６ＫＷ、ＲＦ電源の電力は、通
常約０．１〜約３ＫＷ、好ましくは約０．２〜約０．６
ＫＷである。ＤＣ／ＲＦ電力比は約０．１〜約１０の範
囲内で適宜調整するのがよい。ＲＦ電源を用いる場合、
周波数は通常約６．７８〜約２７．１２ＭＨｚ、好まし
くは約１３．５６ＭＨｚである。

【００４８】第１層が形成された基板の温度は、通常室
温付近〜３００℃未満、好ましくは約１４０〜約２５０
℃である。

【００４９】スパッタリングガスは、不活性ガスであ
る。不活性ガスとしては、公知の不活性ガスを広く使用
でき、その代表的なものとしてアルゴンガスなどを挙げ
ることができる。

【００５０】ガス圧は、通常約０．１〜約１Ｐａ、好ま
しくは約０．２〜約０．８Ｐａである。

【００５１】第二工程により、第１層上に第２層として
形成されるＩＴＯ膜の膜厚は、通常約５〜約１００ｎ
ｍ、好ましくは約１０〜約７０ｎｍ、特に好ましくは約
３０〜約７０ｎｍである。

【００５２】方法Ａにおいては、基板温度を約１４０〜
約２５０℃に維持したままで２回のスパッタリングを行
い、基板上に２層からなるＩＴＯ膜を形成させることが
できる。この場合には、基板温度は十分に低いので、基
板の周りの雰囲気を直ちに大気圧に戻しても、基板が劣
化するおそれがない。冷却は、分単位の短時間で完了す
ることができる。

【００５３】方法Ａには、以下の態様が含まれる。 (A-1)(1)インジウム−錫酸化物焼結体のターゲットを、
ＤＣ電源又はＤＣ＋ＲＦ電源を用い、不活性ガス又は不
活性ガス及び酸素の混合ガス雰囲気中でスパッタリング
して、基板上にＩＴＯ膜を形成する工程、及び(2)イン
ジウム−錫酸化物焼結体及びインジウム酸化物焼結体か
らなる群より選ばれた少なくとも１種のターゲットを、
ＤＣ電源、ＲＦ電源又はＤＣ＋ＲＦ電源を用い、不活性
ガス雰囲気中でスパッタリングして上記(1)で形成され
たＩＴＯ膜上にＩＴＯ膜及び／又は酸化インジウム膜を
形成する工程を含む透明導電膜積層基板の製造方法。 (A-2) (1)工程の電源をＤＣ電源とし、(2)工程の電源を
ＲＦ電源とする(A-1)に記載の透明導電膜積層基板の製
造方法。 (A-3) (1)工程のスパッタリングを不活性ガス及び酸素
の混合ガス雰囲気中で行い、(2)工程のスパッタリング
を不活性ガス雰囲気中で行う(A-2)に記載の透明導電膜
積層基板の製造方法。 (A-4) (1)工程の不活性ガス及び酸素の混合ガス中の酸
素含有量が約１容量％以下である上記(A-3)に記載の方
法。 (A-5) (1)工程の不活性ガス及び酸素の混合ガス中の酸
素含有量が約０．６容量％以下である上記(A-4)に記載
の方法。 (A-6) (1)工程の電源をＤＣ電源とし、(2)工程の電源を
ＤＣ電源とする(A-1)に記載の透明導電膜積層基板の製
造方法。 (A-7) (1)工程のスパッタリングを不活性ガス及び酸素
の混合ガス雰囲気中で行い、(2)工程のスパッタリング
を不活性ガス雰囲気中で行う(A-6)に記載の透明導電膜
積層基板の製造方法。 (A-8) (1)工程の不活性ガス及び酸素の混合ガス中の酸
素含有量が約１容量％以下である上記(A-7)に記載の方
法。 (A-9) (1)工程の不活性ガス及び酸素の混合ガス中の酸
素含有量が約０．６容量％以下である上記(A-8)に記載
の方法。 (A-10) (1)工程の電源をＤＣ＋ＲＦ電源とし、(2)工程
の電源をＲＦ電源とする(A-1)に記載の透明導電膜積層
基板の製造方法。 (A-11) (1)工程のスパッタリングを不活性ガス雰囲気中
で行う(A-10)に記載の透明導電膜積層基板の製造方法。 (A-12) (1)工程のスパッタリングを不活性ガス及び酸素
の混合ガス雰囲気中で行う(A-10)に記載の透明導電膜積
層基板の製造方法。 (A-13) (1)工程の不活性ガス及び酸素の混合ガス中の酸
素含有量が約０．６容量％以下である上記(A-12)に記載
の方法。 (A-14) (1)工程の不活性ガス及び酸素の混合ガス中の酸
素含有量が約０．４容量％以下である上記(A-13)に記載
の方法。 (A-15) (1)工程の不活性ガス及び酸素の混合ガス中の酸
素含有量が約０．２容量％以下である上記(A-14)に記載
の方法。 (A-16) (1)工程の電源をＤＣ電源とし、(2)工程の電源
をＤＣ＋ＲＦ電源とする(A-1)に記載の透明導電膜積層
基板の製造方法。 (A-17) (1)工程のスパッタリングを不活性ガス及び酸素
の混合ガス雰囲気中で行う(A-16)に記載の透明導電膜積
層基板の製造方法。 (A-18) (1)工程の不活性ガス及び酸素の混合ガス中の酸
素含有量が約１容量％以下である上記(A-17)に記載の方
法。 (A-19) (1)工程の不活性ガス及び酸素の混合ガス中の酸
素含有量が約０．６容量％以下である上記(A-18)に記載
の方法。

【００５４】方法Ｂ：方法Ｂは、(1)インジウム−錫酸
化物焼結体のターゲットを、ＤＣ電源又はＤＣ＋ＲＦ電
源を用い、不活性ガス又は不活性ガス及び酸素の混合ガ
ス雰囲気中でスパッタリングして、基板上に第１層のＩ
ＴＯ膜を形成する工程、(2)上記ターゲットを、ＤＣ電
源、ＲＦ電源又はＤＣ＋ＲＦ電源を用い、不活性ガス雰
囲気中でスパッタリングして第１層上に第２層のＩＴＯ
膜を形成する工程、及び(3)上記ターゲットを、ＤＣ電
源又はＤＣ＋ＲＦ電源を用い、不活性ガス又は不活性ガ
ス及び酸素の混合ガス雰囲気中でスパッタリングして、
第２層上に第３層のＩＴＯ膜を形成する工程を含んでい
る。

【００５５】この方法で用いられる基板及びターゲット
は、方法Ａと同じである。

【００５６】方法Ｂにおいては、まず、インジウム−錫
酸化物焼結体をターゲットとして用い、これを基板上に
スパッタリングして、基板上に第１層のＩＴＯ膜を形成
させる（以下この工程を「第一工程」という）。

【００５７】この第一工程のスパッタリング条件は、以
下の通りである。

【００５８】電源は、ＤＣ電源とするか、又はＤＣ＋Ｒ
Ｆ電源とする。電源は、ＤＣ電源であるのが好ましい。

【００５９】印加電力などの条件は、ターゲットの大き
さなどにより異なり一概にはいえないが、ターゲットが
５インチ×１５インチの大きさであると仮定すれば、以
下の通りである。

【００６０】印加電力は、ＤＣ電源の場合、通常約０．
１〜約１ＫＷ、好ましくは約０．３〜約０．６ＫＷであ
る。ＤＣ＋ＲＦ電源の場合、ＤＣ電源の電力は、通常約
０．１〜約１ＫＷ、好ましくは約０．２〜約０．６Ｋ
Ｗ、ＲＦ電源の電力は、通常約０．１〜約３ＫＷ、好ま
しくは約０．２〜約０．６ＫＷである。ＤＣ／ＲＦ電力
比は約０．１〜約１０の範囲内で適宜調整するのがよ
い。ＲＦ電源を用いる場合、周波数は通常約６．７８〜
約２７．１２ＭＨｚ、好ましくは約１３．５６ＭＨｚで
ある。

【００６１】基板の温度は、基板の種類により異なる
が、例えばガラス基板を用いる場合は、通常室温付近〜
３００℃未満、好ましくは約１４０〜約２５０℃であ
る。

【００６２】スパッタリングガスは、不活性ガス又は不
活性ガス及び酸素の混合ガスである。不活性ガスとして
は、公知の不活性ガスを広く使用でき、その代表的なも
のとしてアルゴンガスなどを挙げることができる。

【００６３】ガス圧は、通常約０．１〜約１Ｐａ、好ま
しくは約０．２〜約０．８Ｐａである。

【００６４】第一工程で不活性ガス及び酸素の混合ガス
を用いる場合、ＤＣ電源の場合は、該混合ガス中の酸素
含有量は約１容量％以下、好ましくは約０．６容量％以
下であり、ＤＣ＋ＲＦ電源の場合は、該混合ガス中の酸
素含有量は約０．６容量％以下、好ましくは約０．４容
量％以下、より好ましくは約０．２容量％以下である。

【００６５】第一工程により、基板上に第１層として形
成されるＩＴＯ膜の膜厚は、通常約５〜約１００ｎｍ、
好ましくは約１０〜約７０ｎｍ、特に好ましくは約１５
〜約５０ｎｍである。

【００６６】方法Ｂにおいては、次に、インジウム−錫
酸化物焼結体をターゲットとして用い、これを基板上に
形成された第１層にスパッタリングして、第１層上に第
２層のＩＴＯ膜を形成させる（以下この工程を「第二工
程」という）。

【００６７】この第二工程のスパッタリング条件は、以
下の通りである。

【００６８】電源の種類は、ＤＣ電源とするか、ＲＦ電
源とするか又はＤＣ＋ＲＦ電源とする。

【００６９】印加電力は、ＤＣ電源の場合、通常約０．
１〜約１ＫＷ、好ましくは約０．３〜約０．６ＫＷであ
る。ＲＦ電源の電力は、通常約０．１〜約３ＫＷ、好ま
しくは約１〜約１．８ＫＷである。ＤＣ＋ＲＦ電源の場
合、ＤＣ電源の電力は、通常約０．１〜約１ＫＷ、好ま
しくは約０．２〜約０．６ＫＷ、ＲＦ電源の電力は、通
常約０．１〜約３ＫＷ、好ましくは約０．２〜約０．６
ＫＷである。ＤＣ／ＲＦ電力比は約０．１〜約１０の範
囲内で適宜調整するのがよい。ＲＦ電源を用いる場合、
周波数は通常約６．７８〜約２７．１２ＭＨｚ、好まし
くは約１３．５６ＭＨｚである。

【００７０】第１層が形成された基板の温度は、通常室
温付近〜３００℃未満、好ましくは約１４０〜約２５０
℃である。

【００７１】スパッタリングガスは、不活性ガスであ
る。不活性ガスとしては、公知の不活性ガスを広く使用
でき、その代表的なものとしてアルゴンガスなどを挙げ
ることができる。

【００７２】ガス圧は、通常約０．１〜約１Ｐａ、好ま
しくは約０．２〜約０．８Ｐａである。

【００７３】第二工程により、第１層上に第２層として
形成されるＩＴＯ膜の膜厚は、通常約５〜約１５０ｎ
ｍ、好ましくは約１０〜約１００ｎｍ、特に好ましくは
約２０〜約７０ｎｍである。

【００７４】方法Ｂにおいては、次に、インジウム−錫
酸化物焼結体をターゲットとして用い、これを不活性ガ
ス又は不活性ガス及び酸素の混合ガス雰囲気中で基板上
に形成された第２層にスパッタリングして、第２層上に
第３層のＩＴＯ膜を形成させる（以下この工程を「第三
工程」という）。

【００７５】この第三工程のスパッタリング条件は、第
一工程のスパッタリング条件と同じでよい。

【００７６】即ち、第三工程のスパッタリング条件は、
以下の通りである。

【００７７】電源の種類は、ＤＣ電源とするか、又はＤ
Ｃ＋ＲＦ電源とする。

【００７８】印加電力は、ＤＣ電源の場合、通常約０．
１〜約１ＫＷ、好ましくは約０．３〜約０．６ＫＷであ
る。ＤＣ＋ＲＦ電源の場合、ＤＣ電源の電力は、通常約
０．１〜約１ＫＷ、好ましくは約０．２〜約０．６Ｋ
Ｗ、ＲＦ電源の電力は、通常約０．１〜約３ＫＷ、好ま
しくは約０．２〜約０．６ＫＷである。ＤＣ／ＲＦ電力
比は、約０．１〜約１０の範囲内で適宜調整するのがよ
い。ＲＦ電源を用いる場合、周波数は通常約６．７８〜
約２７．１２ＭＨｚ、好ましくは約１３．５６ＭＨｚで
ある。

【００７９】基板の温度は、通常室温付近〜３００℃未
満、好ましくは約１４０〜約２５０℃である。

【００８０】スパッタリングガスは、不活性ガス及び酸
素の混合ガスである。不活性ガスとしては、公知の不活
性ガスを広く使用でき、その代表的なものとしてアルゴ
ンガスなどを挙げることができる。

【００８１】ガス圧は、通常約０．１〜約１Ｐａ、好ま
しくは約０．２〜約０．８Ｐａである。

【００８２】第三工程において、ＤＣ電源の場合は、不
活性ガス及び酸素の混合ガス中の酸素含有量は約１容量
％以下、好ましくは約０．６容量％以下であり、ＤＣ＋
ＲＦ電源の場合は、該混合ガス中の酸素含有量は約０．
６容量％以下、好ましくは約０．４容量％以下である。

【００８３】第三工程により、第２層上に第３層として
形成されるＩＴＯ膜の膜厚は、通常約５〜約１００ｎ
ｍ、好ましくは約１０〜約７０ｎｍ、特に好ましくは約
１５〜約５０ｎｍである。

【００８４】本発明では、第一工程及び第三工程のスパ
ッタリングを全く同一条件で行ってもよいし、上記スパ
ッタリング条件の範囲内で適宜変更して第一工程及び第
三工程のスパッタリングを行ってもよい。

【００８５】本発明では、(1)工程、(2)工程及び(3)工
程の電源をいずれもＤＣ電源とするのがよい。この場
合、(1)工程及び(3)工程を不活性ガス及び酸素の混合ガ
スの雰囲気下に行い、(2)工程を不活性ガスの雰囲気下
に行うのがよい。更に、(1)工程及び(3)工程の不活性ガ
ス及び酸素の混合ガス中の酸素含有量が約１容量％以
下、好ましくは約０．２〜約０．６容量％とするのがよ
い。

【００８６】また、本発明では、(1)工程及び(3)工程の
電源をいずれもＤＣ電源とし、(2)工程の電源をＲＦ電
源とするのがよい。この場合、(1)工程及び(3)工程を不
活性ガス及び酸素の混合ガスの雰囲気下に行い、(2)工
程を不活性ガスの雰囲気下に行うのがよい。更に、(1)
工程及び(3)工程の不活性ガス及び酸素の混合ガス中の
酸素含有量が約１容量％以下、好ましくは約０．１〜約
０．６容量％とするのがよい。

【００８７】また、本発明では、(1)工程及び(3)工程の
電源をいずれもＤＣ＋ＲＦ電源とし、(2)工程の電源を
ＲＦ電源とするのがよい。この場合、(1)工程及び(3)工
程を不活性ガス又は不活性ガス及び酸素の混合ガスの雰
囲気下に行い、(2)工程を不活性ガスの雰囲気下に行う
のがよい。更に、(1)工程及び(3)工程の不活性ガス及び
酸素の混合ガス中の酸素含有量が約０．２容量％以下で
あるのがよい。

【００８８】また、本発明では、(1)工程及び(3)工程の
電源をいずれもＤＣ電源とし、(2)工程の電源をＤＣ＋
ＲＦ電源とするのがよい。この場合、(1)工程及び(3)工
程を不活性ガス及び酸素の混合ガスの雰囲気下に行い、
(2)工程を不活性ガスの雰囲気下に行うのがよい。更
に、(1)工程及び(3)工程の不活性ガス及び酸素の混合ガ
ス中の酸素含有量が約０．１〜約０．６容量％であるの
がよい。

【００８９】本発明では、第三工程の終了後に、第二工
程と同様のスパッタリング条件下にスパッタリングし
て、第３層上にＩＴＯ膜からなる第４層を形成してもよ
い。この４層構造のＩＴＯ膜が積層した透明導電膜積層
基板は、高導電性及び透明性の点で特に好ましい。

【００９０】更に４層構造のＩＴＯ膜が積層した透明導
電膜積層基板の第４層上に、第一工程又は第三工程と同
様のスパッタリング条件下にスパッタリングして、ＩＴ
Ｏ膜からなる第５層を形成してもよい。

【００９１】本発明では、第二工程と同様のスパッタリ
ング条件及び第一工程と同様のスパッタリング条件を交
互に繰り返して、第５層の上に更に１又は２以上のＩＴ
Ｏ膜を形成してもよい。

【００９２】方法Ｂにおいては、基板温度を約１４０〜
約２５０℃に維持したままで３回又はそれ以上のスパッ
タリングを行い、基板上に３層又はそれ以上の層からな
るＩＴＯ膜を形成させることができる。この場合には、
基板温度は十分に低いので、基板の周りの雰囲気を直ち
に大気圧に戻しても、基板が劣化するおそれがない。冷
却は、分単位の短時間で完了することができる。

【００９３】方法Ｂには、以下の態様が含まれる。 (B-1)(1)インジウム−錫酸化物焼結体のターゲットを、
ＤＣ電源又はＤＣ＋ＲＦ電源を用い、不活性ガス又は不
活性ガス及び酸素の混合ガス雰囲気中でスパッタリング
して、基板上に第１層のＩＴＯ膜を形成する工程、(2)
上記ターゲットを、ＤＣ電源、ＲＦ電源又はＤＣ＋ＲＦ
電源を用い、不活性ガス雰囲気中でスパッタリングして
第１層上に第２層のＩＴＯ膜を形成する工程、及び(3)
上記ターゲットを、ＤＣ電源又はＤＣ＋ＲＦ電源を用
い、不活性ガス又は不活性ガス及び酸素の混合ガス雰囲
気中でスパッタリングして、第２層上に第３層のＩＴＯ
膜を形成する工程、を備えている透明導電膜積層基板の
製造方法。 (B-2) (1)工程、(2)工程及び(3)工程の電源をいずれも
ＤＣ電源とする上記(B-1)に記載の方法。 (B-3) (1)工程及び(3)工程を不活性ガス及び酸素の混合
ガスの雰囲気下に行い、(2)工程を不活性ガスの雰囲気
下に行う上記(B-2)に記載の方法。 (B-4) (1)工程及び(3)工程の不活性ガス及び酸素の混合
ガス中の酸素含有量が約１容量％以下である上記(B-3)
に記載の方法。 (B-5) (1)工程及び(3)工程の電源をいずれもＤＣ電源と
し、(2)工程の電源をＲＦ電源とする上記(B-1)に記載の
方法。 (B-6) (1)工程及び(3)工程を不活性ガス及び酸素の混合
ガスの雰囲気下に行い、(2)工程を不活性ガスの雰囲気
下に行う上記(B-5)に記載の方法。 (B-7) (1)工程及び(3)工程の不活性ガス及び酸素の混合
ガス中の酸素含有量が約１容量％以下である上記(B-6)
に記載の方法。 (B-8) (1)工程、(2)工程及び(3)工程を不活性ガスの雰
囲気下に行う上記(B-5)に記載の方法。 (B-9) (1)工程及び(3)工程の電源をいずれもＤＣ＋ＲＦ
電源とし、(2)工程の電源をＲＦ電源とする上記(B-1)に
記載の方法。 (B-10) (1)工程及び(3)工程を不活性ガス及び酸素の混
合ガスの雰囲気下に行い、(2)工程を不活性ガスの雰囲
気下に行う上記(B-9)に記載の方法。 (B-11) (1)工程及び(3)工程の不活性ガス及び酸素の混
合ガス中の酸素含有量が約０．２容量％以下である上記
(B-10)に記載の方法。 (B-12) (1)工程及び(3)工程の電源をいずれもＤＣ電源
とし、(2)工程の電源をＤＣ＋ＲＦ電源とする上記(B-1)
に記載の方法。 (B-13) (1)工程及び(3)工程を不活性ガス及び酸素の混
合ガスの雰囲気下に行い、(2)工程を不活性ガスの雰囲
気下に行う上記(B-12)に記載の方法。 (B-14) (1)工程及び(3)工程の不活性ガス及び酸素の混
合ガス中の酸素含有量が約１容量％以下である上記(B-1
3)に記載の方法。

【００９４】方法Ｃ 方法Ｃは、(1)インジウム−錫酸化物焼結体のターゲッ
トを、ＤＣ電源又はＤＣ＋ＲＦ電源を用い、不活性ガス
又は不活性ガス及び酸素の混合ガス雰囲気中でスパッタ
リングして、基板上に第１層のＩＴＯ膜を形成する工
程、及び(2)インジウム酸化物焼結体のターゲットを、
ＤＣ電源、ＲＦ電源又はＤＣ＋ＲＦ電源を用い、不活性
ガス又は不活性ガス及び酸素の混合ガス雰囲気中でスパ
ッタリングして第１層上に第２層の酸化インジウム膜を
形成する工程を有している。

【００９５】この方法は、(1)工程で用いられるターゲ
ットがインジウム−錫酸化物焼結体であり、(2)工程で
用いられるターゲットがインジウム酸化物焼結体である
ことを特徴とする。ターゲットが異なる場合を除き、他
の条件は方法Ａと同じでよい。

【００９６】本発明では、(1)工程の電源をＤＣ電源と
し、(2)工程の電源をＲＦ電源とするのがよい。この場
合には、(1)工程を不活性ガス及び酸素の混合ガスの雰
囲気下に行い、(2)工程を不活性ガスの雰囲気下に行う
のがよい。更に、(1)工程の不活性ガス及び酸素の混合
ガス中の酸素含有量は約１容量％以下、好ましくは約
０．６容量％以下であるのがよい。

【００９７】(1)工程により、基板上に第１層として形
成されるＩＴＯ膜の膜厚は、通常約５〜約１００ｎｍ、
好ましくは約１０〜約７０ｎｍ、特に好ましくは約１５
〜約５０ｎｍである。

【００９８】(2)工程により、第１層上に第２層として
形成される酸化インジウム膜の膜厚は、通常約５〜約１
５０ｎｍ、好ましくは約１０〜約１００ｎｍ、特に好ま
しくは約２０〜約７０ｎｍである。

【００９９】方法Ｃにおいては、基板温度を約１４０〜
約２５０℃に維持したままで２回のスパッタリングを行
い、基板上にＩＴＯ膜及び酸化インジウム膜を形成させ
ることができる。この場合には、基板温度は十分に低い
ので、基板の周りの雰囲気を直ちに大気圧に戻しても、
基板が劣化するおそれがない。冷却は、分単位の短時間
で完了することができる。

【０１００】方法Ｃには、以下の態様が含まれる。 (C-1)(1)インジウム−錫酸化物焼結体のターゲットを、
ＤＣ電源又はＤＣ＋ＲＦ電源を用い、不活性ガス又は不
活性ガス及び酸素の混合ガス雰囲気中でスパッタリング
して、基板上に第１層のＩＴＯ膜を形成する工程、及び
(2)インジウム酸化物焼結体のターゲットを、ＤＣ電
源、ＲＦ電源又はＤＣ＋ＲＦ電源を用い、不活性ガス又
は不活性ガス及び酸素の混合ガス雰囲気中でスパッタリ
ングして第１層上に第２層の酸化インジウム膜を形成す
る工程を備えている透明導電膜積層基板の製造方法。 (C-2) (1)工程の電源をＤＣ電源とし、(2)工程の電源を
ＲＦ電源とする上記(C-1)に記載の方法。 (C-3) (1)工程及び(2)工程を不活性ガス及び酸素の混合
ガスの雰囲気下に行う上記(C-2)に記載の方法。 (C-4) (1)工程の不活性ガス及び酸素の混合ガス中の酸
素含有量が約１容量％以下、(2)工程の不活性ガス及び
酸素の混合ガス中の酸素含有量が０．６容量％以下であ
る上記(C-3)に記載の方法。 (C-5) (1)工程を不活性ガス及び酸素の混合ガスの雰囲
気下に行い、(2)工程を不活性ガス雰囲気下に行う上記
(C-2)に記載の方法。 (C-6) (1)工程の不活性ガス及び酸素の混合ガス中の酸
素含有量が約１容量％以下である上記(C-5)に記載の方
法。

【０１０１】上記の方法以外に、本発明の透明導電膜積
層基板は、下記に示す方法Ｄにより製造することができ
る。

【０１０２】方法Ｄ：方法Ｄは、(1)インジウム−錫酸
化物焼結体のターゲットを、ＤＣ電源又はＤＣ＋ＲＦ電
源を用い、不活性ガス又は不活性ガス及び酸素の混合ガ
ス雰囲気中でスパッタリングして、基板上に第１層のＩ
ＴＯ膜を形成する工程、(2)上記ターゲットを、ＤＣ電
源、ＲＦ電源又はＤＣ＋ＲＦ電源を用い、不活性ガス及
び酸素の混合ガス雰囲気中でスパッタリングして第１層
上に第２層のＩＴＯ膜を形成する工程、及び(3)上記タ
ーゲットを、ＤＣ電源又はＤＣ＋ＲＦ電源を用い、不活
性ガス又は不活性ガス及び酸素の混合ガス雰囲気中でス
パッタリングして、第２層上に第３層のＩＴＯ膜を形成
する工程を含んでいる。

【０１０３】この方法で用いられる基板及びターゲット
は、方法Ａと同じである。

【０１０４】(2)工程のスパッタリングを不活性ガス及
び酸素の混合ガス雰囲気中で行う以外、他の条件は方法
Ｂと同じである。

【０１０５】(1)工程、(2)工程及び(3)工程を不活性ガ
ス及び酸素の混合ガスの雰囲気下に行う場合、(2)工程
の不活性ガス及び酸素の混合ガス中の酸素含有量は、
(1)工程における混合ガス中の酸素含有量と同レベル又
はそれよりも低いのがよい。具体的には、(1)工程及び
(3)工程の不活性ガス及び酸素の混合ガス中の酸素含有
量を約１容量％以下、好ましくは約０．２〜約０．６容
量％とし、(2)工程の不活性ガス及び酸素の混合ガス中
の酸素含有量を約０．３容量％以下、好ましくは約０．
２容量％以下とするのがよい。

【０１０６】(1)工程により、基板上に第１層として形
成されるＩＴＯ膜の膜厚は、通常約５〜約１００ｎｍ、
好ましくは約１０〜約７０ｎｍ、特に好ましくは約１５
〜約５０ｎｍである。

【０１０７】(2)工程により、第１層上に第２層として
形成されるＩＴＯ膜の膜厚は、通常約５〜約１５０ｎ
ｍ、好ましくは約１０〜約１００ｎｍ、特に好ましくは
約２０〜約７０ｎｍである。

【０１０８】(3)工程により、第２層上に第３層として
形成されるＩＴＯ膜の膜厚は、通常約５〜約１００ｎ
ｍ、好ましくは約１０〜約７０ｎｍ、特に好ましくは約
１５〜約５０ｎｍである。

【０１０９】本発明では、(3)工程の終了後に、(2)工程
と同様のスパッタリング条件下にスパッタリングして、
第３層上にＩＴＯ膜からなる第４層を形成してもよく、
更に第４層上に、(1)又は(3)工程と同様のスパッタリン
グ条件下にスパッタリングして、ＩＴＯ膜からなる第５
層を形成してもよい。

【０１１０】本発明では、(2)工程と同様のスパッタリ
ング条件及び(1)工程と同様のスパッタリング条件を交
互に繰り返して、第５層の上に更に１又は２以上のＩＴ
Ｏ膜を形成してもよい。

【０１１１】方法Ｄにおいては、基板温度を約１４０〜
約２５０℃に維持したままで３回又はそれ以上のスパッ
タリングを行い、基板上に３層又はそれ以上の層からな
るＩＴＯ膜を形成させることができる。この場合には、
基板温度は十分に低いので、基板の周りの雰囲気を直ち
に大気圧に戻しても、基板が劣化するおそれがない。冷
却は、分単位の短時間で完了することができる。

【０１１２】方法Ｄには、以下の態様が含まれる。 (D-1) (1)インジウム−錫酸化物焼結体のターゲットを、ＤＣ
電源又はＤＣ＋ＲＦ電源を用い、不活性ガス又は不活性
ガス及び酸素の混合ガス雰囲気中でスパッタリングし
て、基板上に第１層のＩＴＯ膜を形成する工程、(2)上
記ターゲットを、ＤＣ電源、ＲＦ電源又はＤＣ＋ＲＦ電
源を用い、不活性ガス及び酸素の混合ガス雰囲気中でス
パッタリングして第１層上に第２層のＩＴＯ膜を形成す
る工程、及び(3)上記ターゲットを、ＤＣ電源又はＤＣ
＋ＲＦ電源を用い、不活性ガス又は不活性ガス及び酸素
の混合ガス雰囲気中でスパッタリングして、第２層上に
第３層のＩＴＯ膜を形成する工程、を備えている透明導
電膜積層基板の製造方法。 (D-2) (1)工程、(2)工程及び(3)工程の電源をいずれも
ＤＣ電源とする上記(D-1)に記載の方法。 (D-3) (1)工程、(2)工程及び(3)工程を不活性ガス及び
酸素の混合ガスの雰囲気下に行う上記(D-2)に記載の方
法。 (D-4) (1)工程及び(3)工程の不活性ガス及び酸素の混合
ガス中の酸素含有量が約１容量％以下、(2)工程の不活
性ガス及び酸素の混合ガス中の酸素含有量が約０．３容
量％以下である上記(D-3)に記載の方法。 (D-5) (1)工程及び(3)工程の不活性ガス及び酸素の混合
ガス中の酸素含有量が約０．２〜約０．６容量％、(2)
工程の不活性ガス及び酸素の混合ガス中の酸素含有量が
約０．２容量％以下である上記(D-4)に記載の方法。 (D-6) (1)工程及び(3)工程の電源をいずれもＤＣ電源と
し、(2)工程の電源をＲＦ電源とする上記(D-1)に記載の
方法。 (D-7) (1)工程及び(3)工程を不活性ガス雰囲気下に行
い、(2)工程を不活性ガス及び酸素の混合ガスの雰囲気
下に行う上記(D-6)に記載の方法。 (D-8) (2)工程の不活性ガス及び酸素の混合ガス中の酸
素含有量が約１容量％以下である上記(D-7)に記載の方
法。 (D-9) (2)工程の不活性ガス及び酸素の混合ガス中の酸
素含有量が約０．３容量％以下である上記(D-8)に記載
の方法。

【０１１３】上記方法Ａ〜方法Ｄにおけるスパッタリン
グは、公知のスパッタリング、例えば、マグネトロンス
パッタリング、反応性スパッタリング、ＥＣＲスパッタ
リング等を包含する。

【０１１４】

【発明の効果】本発明の透明導電膜積層基板の製造方法
によれば、導電膜中のキャリア（自由電子）密度を高く
することができ、しかもキャリア移動度を殆ど低下させ
ないか又はキャリア移動度を維持もしくは大きくできる
ので、高い導電率を備えた透明導電膜積層基板を得るこ
とができる。

【０１１５】基板上に形成された導電膜は高い導電率を
備えているので、膜厚を厚くする必要はなく、優れた透
明性を確保することができる。

【０１１６】従って、本発明の方法によれば、高い導電
率を備えた、即ち比抵抗値が小さい透明導電膜積層基板
を製造することができる。本発明の方法によれば、透明
性に優れた透明導電膜積層基板を製造することができ
る。

【０１１７】本発明の方法においては、基板温度を３０
０℃以上の温度に維持する必要はなく、場合によっては
１４０〜２５０℃の比較的低い温度でも、基板上に良好
な導電膜を形成することができる。そのために、使用さ
れる基板の種類に制限を受けない。本発明の方法は、真
空下で３００℃以上の高温から２５０℃以下に冷却する
必要がなく、実用的である。

【０１１８】本発明の方法では、スパッタリングの際の
電源の種類及びスパッタリングガスを変更するだけで、
所望のＩＴＯ膜を基板上に成膜することができ、工業的
に有利である。

【０１１９】本発明の方法では、アニール処理という特
別な処理を施す必要がなく、極めて実用的である。

【０１２０】

【実施例】以下に実施例及び比較例を掲げて、本発明を
より一層明らかにする。

【０１２１】以下の実施例及び比較例における操作の概
略は、次の通りである。

【０１２２】ガラス基板（２００ｍｍ×２６０ｍｍ、厚
さ０．７ｍｍ）を予熱ゾーンに設置し、高真空下で６０
分間所定の温度まで予熱する。

【０１２３】所定温度まで基板が予熱されると、アルゴ
ンガスと酸素とが所定の割合になるようにガスを導入
し、全圧（スパッタ圧）が０．７Ｐａになるように調整
した後、ターゲットに所定の電源を用いて印加し、放電
を開始する。

【０１２４】ターゲット上のグロー放電が安定したこと
を確認した後、予熱された基板を移動速度１．０ｍ／分
の速度で放電中を移動させ、基板上に所定厚の第１層の
透明導電膜を形成させる。所定膜厚になるまで、ターゲ
ット上を往復させる。

【０１２５】次に、アルゴンガスと酸素とが所定の割合
になるようにガスを導入し、全圧が所定圧力になるよう
に調整した後、ターゲットに所定の電源を用いて印加
し、放電を開始する。

【０１２６】ターゲット上のグロー放電が安定したこと
を確認した後、予熱された基板を移動速度１．０ｍ／分
の速度で放電中を移動させ、基板上に所定厚の第２層の
透明導電膜を形成させる。所定膜厚になるまで、ターゲ
ット上を往復させる。

【０１２７】更に、第２層の透明導電膜上に第３層の透
明導電膜及び第５層の透明導電膜を形成させる場合に
は、第１層の透明導電膜を形成させる操作と同様の操作
を繰り返す。第３層の透明導電膜上に第４層の透明導電
膜を形成させる場合には、第２層の透明導電膜を形成さ
せる操作と同様の操作を繰り返す。

【０１２８】更に、成膜後のガラス基板を真空室に移動
し、３分間放冷した後、窒素ガスで真空室を置換し、透
明導電膜が形成されたガラス基板を取り出した。

【０１２９】実施例１ アルゴンガスと酸素との混合気体（酸素含有量０．５４
２容量％、スパッタ圧０．７Ｐａ）の雰囲気下、インジ
ウム−錫酸化物焼結体（酸化錫含有量１０重量％、以下
同じ）ターゲットを、ＤＣ電源（電力０．５ＫＷ）を用
いてスパッタリングして、２００℃に維持されたガラス
基板上にＩＴＯ膜からなる第１層（膜厚４３８．８Å）
を形成させた。

【０１３０】次に、アルゴンガス（スパッタ圧０．７Ｐ
ａ）の雰囲気下、インジウム−錫酸化物焼結体ターゲッ
トを、ＲＦ電源（電力１．５ＫＷ、周波数１３．５６Ｍ
Ｈｚ）を用いてスパッタリングして、第１層上にＩＴＯ
膜からなる第２層（膜厚４３８．８Å）を形成させて、
本発明の透明導電膜積層基板を得た。

【０１３１】比較例１ アルゴンガス（スパッタ圧０．７Ｐａ）の雰囲気下、イ
ンジウム−錫酸化物焼結体ターゲットを、ＲＦ電源（電
力１．５ＫＷ、周波数１３．５６ＭＨｚ）を用いてスパ
ッタリングして、２００℃に維持されたガラス基板上に
ＩＴＯ膜からなる第１層（膜厚５５３．９Å）を形成さ
せた。

【０１３２】次に、アルゴンガスと酸素との混合気体
（酸素含有量０．５４２容量％、スパッタ圧０．７Ｐ
ａ）の雰囲気下、インジウム−錫酸化物焼結体ターゲッ
トを、ＤＣ電源（電力０．５ＫＷ）を用いてスパッタリ
ングして、第１層上にＩＴＯ膜からなる第２層（膜厚５
５３．９Å）を形成させて、導電膜積層基板を得た。

【０１３３】実施例１で得られた本発明の透明導電膜積
層基板及び比較例１で得られた導電膜積層基板につき、
シート抵抗を求めた。

【０１３４】シート抵抗値は次のようにして求めた。即
ち、２００ｍｍ×２６０ｍｍ、厚み０．７ｍｍのガラス
基板上に形成された膜面に、均等に６７点の測定点を設
け、三菱化学製の四探針抵抗計（ＭＣＰ−Ｔ６００）を
用いて抵抗値を求め、これらの平均値を求め、更に定数
＝４．５４２４を乗じてシート抵抗値を求めた。

【０１３５】膜厚は次のようにして測定した。即ち、小
坂研究所製の二次元微細形状測定器（ＥＴ４０００）を
用い、ガラス基板上に成膜された導電膜の膜厚を測定し
た。測定は、ガラス基板上に５点の測定ポイントを設定
し、カブトンテープでマスクし、成膜後マスクを剥が
し、膜厚を測定し、その平均値を膜の膜厚とした。

【０１３６】比抵抗値（Ω・ｃｍ）は、上記四探針法で
求めたシート抵抗値に膜厚を乗じることにより求めた。

【０１３７】また、実施例１で得られた本発明の透明導
電膜積層基板及び比較例１で得られた導電膜積層基板に
つき、透過率（％）を求めた。即ち、日立製作所製分光
光度計（Ｕ−２０１０）を使用して、波長２００〜９０
０ｎｍの範囲で導電膜積層基板の透過率（％）を測定
し、成膜前のガラス基板（ブランク）の透過率（％）を
１００％として、６２０ｎｍ、５４０ｎｍ及び４６０ｎ
ｍにおける透過率（％）を算出した。

【０１３８】結果を表１に示す。

【０１３９】

【表１】

【０１４０】実施例２ アルゴンガスと酸素との混合気体（酸素含有量０．５４
容量％、スパッタ圧０．７Ｐａ）の雰囲気下、インジウ
ム−錫酸化物焼結体ターゲットを、ＤＣ電源（電力０．
５ＫＷ）を用いてスパッタリングして、２００℃に維持
されたガラス基板上にＩＴＯ膜からなる第１層（膜厚４
３３Å）を形成させた。

【０１４１】次に、アルゴンガス（スパッタ圧０．７Ｐ
ａ）の雰囲気下、インジウム−錫酸化物焼結体ターゲッ
トを、ＤＣ電源（電力０．５ＫＷ）を用いてスパッタリ
ングして、第１層上にＩＴＯ膜からなる第２層（膜厚４
３３Å）を形成させた。

【０１４２】次に、アルゴンガスと酸素との混合気体
（酸素含有量０．５４容量％、スパッタ圧０．７Ｐａ）
の雰囲気下、インジウム−錫酸化物焼結体ターゲット
を、ＤＣ電源（電力０．５ＫＷ）を用いてスパッタリン
グして、第２層上にＩＴＯ膜からなる第３層（膜厚４３
３Å）を形成させて、本発明の透明導電膜積層基板を得
た。

【０１４３】比較例２ アルゴンガス（スパッタ圧０．７Ｐａ）の雰囲気下、イ
ンジウム−錫酸化物焼結体ターゲットを、ＤＣ電源（電
力０．５ＫＷ）を用いてスパッタリングして、２００℃
に維持されたガラス基板上にＩＴＯ膜からなる単層（膜
厚１６８６．６Å）を形成させて、導電膜積層基板を得
た。

【０１４４】比較例３ アルゴンガスと酸素との混合気体（酸素含有量０．５４
２容量％、スパッタ圧０．７Ｐａ）の雰囲気下、インジ
ウム−錫酸化物焼結体ターゲットを、ＤＣ電源（電力
０．５ＫＷ）を用いてスパッタリングして、２００℃に
維持されたガラス基板上にＩＴＯ膜からなる単層（膜厚
１５０４．３Å）を形成させて、導電膜積層基板を得
た。

【０１４５】実施例２で得られた本発明の透明導電膜積
層基板並びに比較例２及び３で得られた導電膜積層基板
につき、上記と同様にして、シート抵抗値（Ω／□）、
比抵抗値（Ω・ｃｍ）並びに６２０ｎｍ、５４０ｎｍ及
び４６０ｎｍにおける透過率（％）を求めた。

【０１４６】結果を表２に示す。

【０１４７】

【表２】

【０１４８】実施例３ アルゴンガスと酸素との混合気体（酸素含有量０．５４
２容量％、スパッタ圧０．７Ｐａ）の雰囲気下、インジ
ウム−錫酸化物焼結体ターゲットを、ＤＣ電源（電力
０．５ＫＷ）を用いてスパッタリングして、２００℃に
維持されたガラス基板上にＩＴＯ膜からなる第１層（膜
厚４４６．５Å）を形成させた。

【０１４９】次に、アルゴンガス（スパッタ圧０．７Ｐ
ａ）の雰囲気下、インジウム−錫酸化物焼結体ターゲッ
トを、ＲＦ電源（電力１．５ＫＷ、周波数１３．５６Ｍ
Ｈｚ）を用いてスパッタリングして、第１層上にＩＴＯ
膜からなる第２層（膜厚４４６．５Å）を形成させた。

【０１５０】次に、アルゴンガスと酸素との混合気体
（酸素含有量０．５４２容量％、スパッタ圧０．７Ｐ
ａ）の雰囲気下、インジウム−錫酸化物焼結体ターゲッ
トを、ＤＣ電源（電力０．５ＫＷ）を用いてスパッタリ
ングして、第２層上にＩＴＯ膜からなる第３層（膜厚４
４６．５Å）を形成させて、本発明の透明導電膜積層基
板を得た。

【０１５１】実施例４ アルゴンガスと酸素との混合気体（酸素含有量０．５４
２容量％、スパッタ圧０．７Ｐａ）の雰囲気下、インジ
ウム−錫酸化物焼結体ターゲットを、ＤＣ電源（電力
０．５ＫＷ）を用いてスパッタリングして、２００℃に
維持されたガラス基板上にＩＴＯ膜からなる第１層（膜
厚１７７．８Å）を形成させた。

【０１５２】次に、アルゴンガス（スパッタ圧０．７Ｐ
ａ）の雰囲気下、インジウム−錫酸化物焼結体ターゲッ
トを、ＲＦ電源（電力１．５ＫＷ、周波数１３．５６Ｍ
Ｈｚ）を用いてスパッタリングして、第１層上にＩＴＯ
膜からなる第２層（膜厚１７７．８Å）を形成させた。

【０１５３】次に、アルゴンガスと酸素との混合気体
（酸素含有量０．５４２容量％、スパッタ圧０．７Ｐ
ａ）の雰囲気下、インジウム−錫酸化物焼結体ターゲッ
トを、ＤＣ電源（電力０．５ＫＷ）を用いてスパッタリ
ングして、第２層上にＩＴＯ膜からなる第３層（膜厚１
７７．８Å）を形成させた。

【０１５４】次に、アルゴンガス（スパッタ圧０．７Ｐ
ａ）の雰囲気下、インジウム−錫酸化物焼結体ターゲッ
トを、ＲＦ電源（電力１．５ＫＷ、周波数１３．５６Ｍ
Ｈｚ）を用いてスパッタリングして、第３層上にＩＴＯ
膜からなる第４層（膜厚１７７．８Å）を形成させた。

【０１５５】次に、アルゴンガスと酸素との混合気体
（酸素含有量０．５４２容量％、スパッタ圧０．７Ｐ
ａ）の雰囲気下、インジウム−錫酸化物焼結体ターゲッ
トを、ＤＣ電源（電力０．５ＫＷ）を用いてスパッタリ
ングして、第４層上にＩＴＯ膜からなる第５層（膜厚１
７７．８Å）を形成させて、本発明の透明導電膜積層基
板を得た。

【０１５６】実施例５ アルゴンガスと酸素との混合気体（酸素含有量０．５４
２容量％、スパッタ圧０．７Ｐａ）の雰囲気下、インジ
ウム−錫酸化物焼結体ターゲットを、ＤＣ電源（電力
０．５ＫＷ）を用いてスパッタリングして、２００℃に
維持されたガラス基板上にＩＴＯ膜からなる第１層（膜
厚１８２．１Å）を形成させた。

【０１５７】次に、アルゴンガス（スパッタ圧０．７Ｐ
ａ）の雰囲気下、インジウム−錫酸化物焼結体ターゲッ
トを、ＲＦ電源（電力１．５ＫＷ、周波数１３．５６Ｍ
Ｈｚ）を用いてスパッタリングして、第１層上にＩＴＯ
膜からなる第２層（膜厚４５５．３Å）を形成させた。

【０１５８】次に、アルゴンガスと酸素との混合気体
（酸素含有量０．５４２容量％、スパッタ圧０．７Ｐ
ａ）の雰囲気下、インジウム−錫酸化物焼結体ターゲッ
トを、ＤＣ電源（電力０．５ＫＷ）を用いてスパッタリ
ングして、第２層上にＩＴＯ膜からなる第３層（膜厚１
８２．１Å）を形成させて、本発明の透明導電膜積層基
板を得た。

【０１５９】実施例６ アルゴンガスと酸素との混合気体（酸素含有量０．５４
２容量％、スパッタ圧０．７Ｐａ）の雰囲気下、インジ
ウム−錫酸化物焼結体ターゲットを、ＤＣ電源（電力
０．５ＫＷ）を用いてスパッタリングして、２９９℃に
維持されたガラス基板上にＩＴＯ膜からなる第１層（膜
厚２０８Å）を形成させた。

【０１６０】次に、アルゴンガス（スパッタ圧０．７Ｐ
ａ）の雰囲気下、インジウム−錫酸化物焼結体ターゲッ
トを、ＲＦ電源（電力１．５ＫＷ、周波数１３．５６Ｍ
Ｈｚ）を用いてスパッタリングして、第１層上にＩＴＯ
膜からなる第２層（膜厚５１９．９Å）を形成させた。

【０１６１】次に、アルゴンガスと酸素との混合気体
（酸素含有量０．５４２容量％、スパッタ圧０．７Ｐ
ａ）の雰囲気下、インジウム−錫酸化物焼結体ターゲッ
トを、ＤＣ電源（電力０．５ＫＷ）を用いてスパッタリ
ングして、第２層上にＩＴＯ膜からなる第３層（膜厚２
０８Å）を形成させて、本発明の透明導電膜積層基板を
得た。

【０１６２】実施例３〜６で得られた本発明の透明導電
膜積層基板につき、上記と同様にして、シート抵抗値
（Ω／□）、比抵抗値（Ω・ｃｍ）並びに６２０ｎｍ、
５４０ｎｍ及び４６０ｎｍにおける透過率（％）を求め
た。

【０１６３】結果を表３に示す。

【０１６４】

【表３】

【０１６５】実施例７ 第１層上に第２層を形成させるスパッタリングを、アル
ゴンガスと酸素との混合気体（酸素含有量０．１８容量
％、スパッタ圧０．７Ｐａ）の雰囲気下で行う以外は、
実施例３と同様にして、本発明の透明導電膜積層基板を
得た。この基板上に形成された第１層、第２層及び第３
層の膜厚は、いずれも４８８．１Åであった。

【０１６６】実施例８ 第１層上に第２層を形成させるスパッタリングを、アル
ゴンガスと酸素との混合気体（酸素含有量０．５４２容
量％、スパッタ圧０．７Ｐａ）の雰囲気下で行う以外
は、実施例３と同様にして、本発明の透明導電膜積層基
板を得た。この基板上に形成された第１層、第２層及び
第３層の膜厚は、いずれも４３２．１Åであった。

【０１６７】実施例７及び８で得られた本発明の透明導
電膜積層基板につき、上記と同様にして、シート抵抗値
（Ω／□）、比抵抗値（Ω・ｃｍ）並びに６２０ｎｍ、
５４０ｎｍ及び４６０ｎｍにおける透過率（％）を求め
た。

【０１６８】結果を表４に示す。

【０１６９】

【表４】

【０１７０】実施例９ アルゴンガス（スパッタ圧０．７Ｐａ）の雰囲気下、イ
ンジウム−錫酸化物焼結体ターゲットを、ＤＣ＋ＲＦ電
源（ＤＣ：電力０．４ＫＷ、ＲＦ：電力０．４ＫＷ、周
波数１３．５６ＭＨｚ）を用いてスパッタリングして、
２００℃に維持されたガラス基板上にＩＴＯ膜からなる
第１層（膜厚４５１．９Å）を形成させた。

【０１７１】次に、アルゴンガス（スパッタ圧０．７Ｐ
ａ）の雰囲気下、インジウム−錫酸化物焼結体ターゲッ
トを、ＲＦ電源（電力１．５ＫＷ、周波数１３．５６Ｍ
Ｈｚ）を用いてスパッタリングして、第１層上にＩＴＯ
膜からなる第２層（膜厚４５１．９Å）を形成させた。

【０１７２】次に、アルゴンガス（スパッタ圧０．７Ｐ
ａ）の雰囲気下、インジウム−錫酸化物焼結体ターゲッ
トを、ＤＣ＋ＲＦ電源（ＤＣ：電力０．４ＫＷ、ＲＦ：
電力０．４ＫＷ、周波数１３．５６ＭＨｚ）を用いてス
パッタリングして、第２層上にＩＴＯ膜からなる第３層
（膜厚４５１．９Å）を形成させて、本発明の透明導電
膜積層基板を得た。

【０１７３】実施例１０ ガラス基板上に第１層を形成させるスパッタリング及び
第２層上に第３層を形成させるスパッタリングを、アル
ゴンガスと酸素との混合気体（酸素含有量０．１８容量
％、スパッタ圧０．７Ｐａ）の雰囲気下で行う以外は、
実施例９と同様にして、本発明の透明導電膜積層基板を
得た。この基板上に形成された第１層、第２層及び第３
層の膜厚は、いずれも４７０．６Åであった。

【０１７４】実施例９及び１０で得られた本発明の透明
導電膜積層基板につき、上記と同様にして、シート抵抗
値（Ω／□）、比抵抗値（Ω・ｃｍ）並びに６２０ｎ
ｍ、５４０ｎｍ及び４６０ｎｍにおける透過率（％）を
求めた。

【０１７５】結果を表５に示す。

【０１７６】

【表５】

【０１７７】実施例１１ アルゴンガスと酸素との混合気体（酸素含有量０．５４
２容量％、スパッタ圧０．７Ｐａ）の雰囲気下、インジ
ウム−錫酸化物焼結体ターゲットを、ＤＣ電源（電力
０．５ＫＷ）を用いてスパッタリングして、２００℃に
維持されたガラス基板上にＩＴＯ膜からなる第１層（膜
厚４６７．５Å）を形成させた。

【０１７８】次に、アルゴンガスと酸素との混合気体
（酸素含有量０．５４２容量％、スパッタ圧０．７Ｐ
ａ）の雰囲気下、インジウム酸化物焼結体ターゲット
を、ＲＦ電源（電力１．５ＫＷ、周波数１３．５６ＭＨ
ｚ）を用いてスパッタリングして、第１層上に酸化イン
ジウム膜からなる第２層（膜厚４６７．５Å）を形成さ
せた。

【０１７９】次に、アルゴンガスと酸素との混合気体
（酸素含有量０．５４２容量％、スパッタ圧０．７Ｐ
ａ）の雰囲気下、インジウム−錫酸化物焼結体ターゲッ
トを、ＤＣ電源（電力０．５ＫＷ）を用いてスパッタリ
ングして、第２層上にＩＴＯ膜からなる第３層（膜厚４
６７．５Å）を形成させて、本発明の透明導電膜積層基
板を得た。

【０１８０】実施例１２ アルゴンガス（スパッタ圧０．７Ｐａ）の雰囲気下、イ
ンジウム−錫酸化物焼結体ターゲットを、ＤＣ電源（電
力０．５ＫＷ）を用いてスパッタリングして、２００℃
に維持されたガラス基板上にＩＴＯ膜からなる第１層
（膜厚４７０．８Å）を形成させた。

【０１８１】次に、アルゴンガスと酸素との混合気体
（酸素含有量０．５４２容量％、スパッタ圧０．７Ｐ
ａ）の雰囲気下、インジウム酸化物焼結体ターゲット
を、ＤＣ電源（電力０．５ＫＷ）を用いてスパッタリン
グして、第１層上に酸化インジウム膜からなる第２層
（膜厚４７０．８Å）を形成させた。

【０１８２】次に、アルゴンガス（スパッタ圧０．７Ｐ
ａ）の雰囲気下、インジウム−錫酸化物焼結体ターゲッ
トを、ＤＣ電源（電力０．５ＫＷ）を用いてスパッタリ
ングして、第２層上にＩＴＯ膜からなる第３層（膜厚４
７０．８Å）を形成させて、本発明の透明導電膜積層基
板を得た。

【０１８３】実施例１１及び１２で得られた本発明の透
明導電膜積層基板につき、上記と同様にして、シート抵
抗値（Ω／□）、比抵抗値（Ω・ｃｍ）並びに６２０ｎ
ｍ、５４０ｎｍ及び４６０ｎｍにおける透過率（％）を
求めた。

【０１８４】結果を表６に示す。

【０１８５】

【表６】

【０１８６】実施例１３ アルゴンガスと酸素との混合気体（酸素含有量０．３６
容量％、スパッタ圧０．２８Ｐａ）の雰囲気下、インジ
ウム−錫酸化物焼結体ターゲットを、ＤＣ電源（電力
０．５ＫＷ）を用いてスパッタリングして、１５０℃に
維持されたガラス基板上にＩＴＯ膜からなる第１層（膜
厚２８８．５Å）を形成させた。

【０１８７】次に、アルゴンガス（スパッタ圧０．２８
Ｐａ）の雰囲気下、インジウム−錫酸化物焼結体ターゲ
ットを、ＲＦ電源（電力１．５ＫＷ、周波数１３．５６
ＭＨｚ）を用いてスパッタリングして、第１層上にＩＴ
Ｏ膜からなる第２層（膜厚６７３．３Å）を形成させ
て、本発明の透明導電膜積層基板を得た。

【０１８８】比較例４ アルゴンガスと酸素との混合気体（酸素含有量０．５４
２容量％、スパッタ圧０．７Ｐａ）の雰囲気下、インジ
ウム−錫酸化物焼結体ターゲットを、ＤＣ電源（電力
０．５ＫＷ）を用いてスパッタリングして、１５０℃に
維持されたガラス基板上にＩＴＯ膜からなる単層（膜厚
１０６９．２Å）を形成させて、導電膜積層基板を得
た。

【０１８９】比較例５ アルゴンガス（スパッタ圧０．７Ｐａ）の雰囲気下、イ
ンジウム−錫酸化物焼結体ターゲットを、ＤＣ電源（電
力０．５ＫＷ）を用いてスパッタリングして、１５０℃
に維持されたガラス基板上にＩＴＯ膜からなる単層（膜
厚９２８．０Å）を形成させて、導電膜積層基板を得
た。

【０１９０】比較例６ アルゴンガスと酸素との混合気体（酸素含有量０．３６
容量％、スパッタ圧０．７Ｐａ）の雰囲気下、インジウ
ム−錫酸化物焼結体ターゲットを、ＤＣ電源（電力０．
５ＫＷ）を用いてスパッタリングして、１５０℃に維持
されたガラス基板上にＩＴＯ膜からなる単層（膜厚１４
０６．５Å）を形成させて、導電膜積層基板を得た。

【０１９１】比較例７ アルゴンガス（スパッタ圧０．７Ｐａ）の雰囲気下、イ
ンジウム−錫酸化物焼結体ターゲットを、ＤＣ＋ＲＦ電
源（ＤＣ：電力０．４ＫＷ、ＲＦ：電力０．４ＫＷ、周
波数１３．５６ＭＨｚ）を用いてスパッタリングして、
１５０℃に維持されたガラス基板上にＩＴＯ膜からなる
単層膜（膜厚１４２０．２Å）を形成させて、導電膜積
層基板を得た。

【０１９２】実施例１３で得られた本発明の透明導電膜
積層基板及び比較例４〜７で得られた導電膜積層基板に
つき、上記と同様にして、シート抵抗値（Ω／□）、比
抵抗値（Ω・ｃｍ）並びに６２０ｎｍ、５４０ｎｍ及び
４６０ｎｍにおける透過率（％）を求めた。

【０１９３】結果を表７に示す。

【０１９４】

【表７】

【０１９５】実施例１４ アルゴンガスと酸素との混合気体（酸素含有量０．３６
容量％、スパッタ圧０．２８Ｐａ）の雰囲気下、インジ
ウム−錫酸化物焼結体ターゲットを、ＤＣ電源（電力
０．５ＫＷ）を用いてスパッタリングして、１５０℃に
維持されたガラス基板上にＩＴＯ膜からなる第１層（膜
厚３０８．６Å）を形成させた。

【０１９６】次に、アルゴンガス（スパッタ圧０．２８
Ｐａ）の雰囲気下、インジウム−錫酸化物焼結体ターゲ
ットを、ＲＦ電源（電力１．５ＫＷ、周波数１３．５６
ＭＨｚ）を用いてスパッタリングして、第１層上にＩＴ
Ｏ膜からなる第２層（膜厚７２０．０Å）を形成させ
た。

【０１９７】次に、アルゴンガスと酸素との混合気体
（酸素含有量０．３６容量％、スパッタ圧０．２８Ｐ
ａ）の雰囲気下、インジウム−錫酸化物焼結体ターゲッ
トを、ＤＣ電源（電力０．５ＫＷ）を用いてスパッタリ
ングして、第２層上にＩＴＯ膜からなる第３層（膜厚３
０８．６Å）を形成させた。

【０１９８】更に、アルゴンガス（スパッタ圧０．２８
Ｐａ）の雰囲気下、インジウム−錫酸化物焼結体ターゲ
ットを、ＲＦ電源（電力１．５ＫＷ、周波数１３．５６
ＭＨｚ）を用いてスパッタリングして、第３層上にＩＴ
Ｏ膜からなる第４層（膜厚７２０．０Å）を形成させ
て、本発明の透明導電膜積層基板を得た。

【０１９９】上記と同様にして、シート抵抗値（Ω／
□）、比抵抗値（Ω・ｃｍ）並びに６２０ｎｍ、５４０
ｎｍ及び４６０ｎｍにおける透過率（％）を求めた。

【０２００】シート抵抗値（Ω／□）は８．９３、比抵
抗値（Ω・ｃｍ）は１．８４×１０ ^-4であった。６２０
ｎｍ、５４０ｎｍ及び４６０ｎｍにおける透過率（％）
は、それぞれ９１．１％、８７．０％、９３．７％であ
った。

【０２０１】上記で得られるいくつかの代表的な透明導
電膜積層基板について、導電膜の電気特性（キャリア密
度及び移動度）を表８に示す。導電膜のキャリア密度及
び移動度は、東洋テクニカ（株）製の Resi Test 8320
を用い、２３℃で測定した値である。

【０２０２】

【表８】

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 深田 弘 滋賀県守山市阿村町188−３ (72)発明者 廣岡 岳治 滋賀県近江八幡市柳町二丁目465−29 (72)発明者 上條 榮治 大阪府高槻市安岡寺町３−11−19 (72)発明者 青井 芳史 滋賀県大津市大萓４丁目３−７−1110 (72)発明者 坪田 年 兵庫県芦屋市親王塚町２−３ (72)発明者 今道 高志 滋賀県栗東市荒張996−109 (72)発明者 坂山 邦彦 滋賀県大津市栗林町４−28 職員住宅Ａ− ３−４ (72)発明者 佐々木 宗生 滋賀県栗東市綣５丁目13−11−305 Ｆターム(参考） 4F100 AA33A AA33B AA33C BA02 BA03 BA10A BA10C BA13 EH66A EH66B EH66C JG01 JN01 4K029 AA24 BA10 BA15 BA45 BA47 BA50 BB02 BC09 CA05 DC09 DC34 DC35 EA08 5G323 BA02 BB05

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 (1)インジウム−錫酸化物焼結体のター
   ゲットを、ＤＣ電源又はＤＣ＋ＲＦ電源を用い、不活性
   ガス又は不活性ガス及び酸素の混合ガスの雰囲気中でス
   パッタリングして、ＩＴＯ膜を形成する工程、及び(2)
   インジウム−錫酸化物焼結体及びインジウム酸化物焼結
   体からなる群より選ばれた少なくとも１種のターゲット
   を、ＤＣ電源、ＲＦ電源又はＤＣ＋ＲＦ電源を用い、不
   活性ガス雰囲気中でスパッタリングして上記(1)で形成
   されたＩＴＯ膜上にＩＴＯ膜及び／又は酸化インジウム
   膜を形成する工程を含む透明導電膜積層基板の製造方
   法。
2. 【請求項２】 (1)工程の電源をＤＣ電源とし、(2)工程
   の電源をＲＦ電源とする請求項１に記載の透明導電膜積
   層基板の製造方法。
3. 【請求項３】 (1)工程のスパッタリングを不活性ガス
   及び酸素の混合ガス雰囲気中で行い、(2)工程のスパッ
   タリングを不活性ガス雰囲気中で行う請求項２に記載の
   透明導電膜積層基板の製造方法。
4. 【請求項４】 (1)工程の電源をＤＣ電源とし、(2)工程
   の電源をＤＣ電源とする請求項１に記載の透明導電膜積
   層基板の製造方法。
5. 【請求項５】 (1)工程のスパッタリングを不活性ガス
   及び酸素の混合ガス雰囲気中で行い、(2)工程のスパッ
   タリングを不活性ガス雰囲気中で行う請求項４に記載の
   透明導電膜積層基板の製造方法。
6. 【請求項６】 (2)工程で用いるターゲットがインジウ
   ム−錫酸化物焼結体である請求項１に記載の透明導電膜
   積層基板の製造方法。
7. 【請求項７】 基板上にＩＴＯ膜を形成する請求項１の
   方法であって、(1)工程及び(2)工程でスパッタリング処
   理される基板の温度が３００℃未満である透明導電膜積
   層基板の製造方法。
8. 【請求項８】 (1)工程及び(2)工程でスパッタリング処
   理される基板の温度が１４０〜２５０℃である請求項７
   に記載の透明導電膜積層基板の製造方法。
9. 【請求項９】 (1)インジウム−錫酸化物焼結体のター
   ゲットを、ＤＣ電源又はＤＣ＋ＲＦ電源を用い、不活性
   ガス又は不活性ガス及び酸素の混合ガス雰囲気中でスパ
   ッタリングして、基板上に第１層のＩＴＯ膜を形成する
   工程、(2)上記ターゲットを、ＤＣ電源、ＲＦ電源又は
   ＤＣ＋ＲＦ電源を用い、不活性ガス及び酸素の混合ガス
   雰囲気中でスパッタリングして第１層上に第２層のＩＴ
   Ｏ膜を形成する工程、及び(3)上記ターゲットを、ＤＣ
   電源又はＤＣ＋ＲＦ電源を用い、不活性ガス又は不活性
   ガス及び酸素の混合ガス雰囲気中でスパッタリングし
   て、第２層上に第３層のＩＴＯ膜を形成する工程を含む
   透明導電膜積層基板の製造方法。