JP2002335111A - 共振器の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 マイクロストリップラインや共振器を構成す
るための金属膜が誘電体基板に構成されており、挿入損
失が小さい共振器の製造方法を提供する。 【解決手段】 第１〜第３のセラミックグリーンシート
２４，２６，３０を少なくとも積層してなり、各セラミ
ックグリーンシート２４，２６，３０上に、それぞれ、
共振器を構成するための金属膜２３、入出力結合回路を
構成する電極２７，２８及びグラウンド電極３３が合成
樹脂からなる支持フィルムに形成された転写材から各セ
ラミックグリーンシート２４，２６，３０上に転写する
ことにより形成されており、セラミックグリーンシート
２４，２６，３０を含む積層体を得た後、該積層体を焼
成することにより誘電体基板が構成される、共振器の製
造方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、デュアルモードバ
ンドパスフィルタなどに用いられる共振器の製造方法及
び共振器に関し、より詳細には、誘電体基板内に共振器
を構成するための金属膜が形成されている構造を有する
共振器の製造方法及び該共振器に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、誘電体セラミック基板内にストリ
ップラインなどの金属膜を形成してなる共振器やバンド
パスフィルタが知られている。この種の共振器の製造に
際しては、セラミックグリーンシート上に導電ペースト
をスクリーン印刷することにより、ストリップラインな
どが形成される。しかる後、導電ペーストが印刷された
セラミックグリーンシートと、他のセラミックグリーン
シートとが積層され、積層体が得られる。得られた積層
体を焼成することにより、セラミック焼結体が得られ
る。このセラミック焼結体の外表面にストリップライン
に接続もしくは結合される外部電極が形成され、それに
よって上記共振器が得られている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】従来の共振器の製造方
法では、ストリップラインなどがセラミックグリーンシ
ート上に導電ペーストをスクリーン印刷することにより
形成されていた。しかしながら、このような方法で形成
されたストリップラインでは、スクリーンマスクのメッ
シュの影響により、端縁部分に凹凸が生じていた。この
凹凸は、スクリーンマスクの凹凸に応じて現われるもの
である。従って、スクリーン印刷によりストリップライ
ンを形成した場合、端縁の凹凸をなくすことはできなか
った。

【０００４】上記端縁に生じた凹凸は、低周波領域の共
振器を構成する場合にはあまり問題とはならなかった。
しかしながら、ミリ波帯のような高周波領域で用いられ
る共振器では、表皮効果により電流がストリップライン
などの金属膜の外表面に集中的に流れることになる。従
って、端縁に凹凸が存在すると、損失が大きくなる。そ
のため、従来のスクリーン印刷法を用いて構成された共
振器やフィルタでは、挿入損失が大きくならざるを得な
かった。

【０００５】本発明の目的は、上述した従来技術の欠点
を解消し、共振器を構成するための金属膜端縁における
凹凸を抑制することができ、従って低損失の共振器を得
ることを可能とする共振器の製造方法及び該共振器を提
供することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明の製造方法は、誘
電体基板と、前記誘電体基板面または誘電体基板内のあ
る高さ位置に作成されており、共振器を構成するための
金属膜と、前記金属膜と誘電体基板層を介して対向する
ように配置された少なくとも１枚のグラウンド電極と、
前記金属膜に容量結合された一対の入出力結合回路とを
備える共振器の製造方法であって、前記金属膜が第１の
支持フィルム上に形成された第１の転写材と、前記入出
力結合回路を構成する電極が第２の支持フィルム上に形
成された第２の転写材と、前記グラウンド電極が第３の
支持フィルム上に形成された第３の転写材とを用意する
工程と、第１のセラミックグリーンシート上に前記第１
の転写材から金属膜を転写する工程と、第２のセラミッ
クグリーンシート上に、前記入出力結合回路を構成する
電極が形成されている第２の転写材から該電極を転写す
る工程と、第３のセラミックグリーンシート上に、前記
第３の転写材からグラウンド電極を転写する工程と、前
記金属膜、電極及びグラウンド電極がそれぞれ転写され
た前記第１〜第３のセラミックグリーンシートを少なく
とも備えるセラミックグリーンシート積層体を得る工程
と、前記セラミックグリーンシート積層体を焼成して前
記誘電体基板を形成する工程とを備えることを特徴とす
る。

【０００７】本発明に係る製造方法の特定の局面では、
前記金属膜の端縁部の長さが、該端縁に凹凸が全く存在
しない場合の１．０２倍以下の長さとされており、それ
によって表皮効果による損失をより一層低減することが
できる。

【０００８】本発明に係る製造方法の他の特定の局面で
は、前記第１〜第３の転写材において、支持フィルム上
に前記金属膜、入出力結合回路を構成する電極及びグラ
ウンド電極をそれぞれ形成する工程が、フォトリソグラ
フィ法により行われ、従って、上記金属膜、入出力結合
回路を構成する電極及びグラウンド電極の端縁を確実に
平滑化することができる。

【０００９】本発明に係る共振器は、本発明の製造方法
に従って得られるものであり、誘電体基板と、誘電体基
板面または誘電体基板内のある高さ位置に形成された金
属膜と、前記金属膜と誘電体基板層を介して対向される
ように、かつ前記金属膜に容量結合された一対の入出力
結合回路と、前記金属パターンに対して誘電体基板層を
介して対向するように配置された少なくとも１層のグラ
ウンド電極とを備える共振器であって、前記金属膜の端
縁の長さが、該端縁が凹凸を全く有しない場合の長さの
１．２倍以下とされていることを特徴とする。

【００１０】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ、本発明
の具体的な実施例を説明することにより、本発明を明ら
かにする。

【００１１】本実施例では、図２に示すデュアルモード
・バンドパスフィルタ１が製造される。図５にフローチ
ャートで示すように、まず、第１〜第３の転写材が用意
される。図６（ａ）に示すように、第１の転写材２１
は、第１の支持フィルム２２と、第１の支持フィルム２
２上に形成された金属膜２３とを有する。金属膜２３
は、デュアルモード・バンドパスフィルタ１（図２参
照）に内蔵されており、かつ共振器を構成するための金
属膜に相当する。この金属膜の具体的な形状について
は、後ほど詳述するが、図６（ａ）では、略図的に金属
膜２３が示されている。

【００１２】支持フィルム２２としては、ポリエチレン
テレフタレートフィルムなどの、保形性に優れた適宜の
合成樹脂フィルムを用いることができる。支持フィルム
２２上に金属膜２３を形成するにあたっては、本実施例
では、先ず、支持フィルム２２の上面の全面に金属膜が
形成される。すなわち、感光性ペーストを塗布した後、
金属膜２３の形状に応じて、感光・現像することによ
り、すなわちフォトリソグラフィ法により、所望のパタ
ーン形状の金属膜２３が形成される。また、この金属膜
の形成方法に蒸着もしくはスパッタなどを用いた場合に
は、金属膜２３の形状に応じてフォトレジストを付与し
た後、感光性ペーストの場合と同様に、感光・現像する
ことにより、所望のパターン形状の金属膜２３が形成さ
れる。

【００１３】金属膜２３は、上記のように、フォトリソ
グラフィ法により形成されるので、導電ペーストの印刷
により形成された金属膜に比べて、端縁における凹凸が
非常に少ない。

【００１４】なお、上記金属膜２３を構成する金属とし
ては、Ｃｕなどの適宜の金属もしくは合金を用いること
ができる。次に、図５に転写材を用意する工程の右側に
示されているように、別途セラミックグリーンシートを
用意する。セラミックグリーンシートは、バンドパスフ
ィルタ１の誘電体基板２を構成する誘電体セラミックス
を主成分とするセラミックスラリーをシート成形するこ
とにより得られる。

【００１５】図６（ｂ）に示すように、このようにして
用意された第１のセラミックグリーンシート２４上に、
第１の転写材２１が金属膜２３側から被せられる。しか
る後、第１の転写材２１がセラミックグリーンシート２
４に加圧され、金属膜２３がセラミックグリーンシート
２４に圧着される。次に、金属膜２３から支持フィルム
２２が剥離される。このようにして、図６（ｃ）に示す
ように、第１のセラミックグリーンシート２４に、第１
の転写材２１から金属膜２３が転写される。

【００１６】図６（ｃ）に示されているように、金属膜
２３は、第１のセラミックグリーンシート２４に下方部
分が埋まるようにして、第１のセラミックグリーンシー
ト２４に圧着されている。

【００１７】図６（ａ）〜（ｃ）では、第１のセラミッ
クグリーンシート２４上に、金属膜２３が第１の転写材
２１から転写されていたが、後述の入出力結合回路を構
成する電極及びグラウンド電極も、同様にして転写され
る。すなわち、第２，第３の支持フィルム上に上記金属
膜２３と同様にフォトリソグラフィにより入出力結合回
路を構成する電極及びグラウンド電極が形成され、第
２，第３の転写材が用意される。次に、第２，第３の転
写材から、第２，第３のセラミックグリーンシートに、
それぞれ、転写法により入出力結合回路を構成する電極
及びグラウンド電極が転写される。

【００１８】上記第１〜第３のセラミックグリーンシー
トを図１を参照して説明する。図１は、図２に示したバ
ンドパスフィルタ１を得るのに用いられるセラミックグ
リーンシートと、その上に形成される電極パターンの形
状を説明するための分解斜視図である。

【００１９】平面形状が長方形の第１のセラミックグリ
ーンシート２４上に、上述した転写工程により金属膜２
３が転写されている。本実施例では、金属膜２３は、菱
形の形状を有する。金属膜２３の中央には一方の対角線
方向に延びる貫通孔２３ａが形成されている。貫通孔２
３ａは長方形の形状を有し、その長手方向が、第１のセ
ラミックグリーンシート２４の長手方向と平行となるよ
うに配置されている。

【００２０】本実施例のデュアルモード・バンドパスフ
ィルタ１では、後述の入出力結合回路から入力が加えら
れると、金属膜２３の貫通孔２３ａの長さ方向と平行な
方向、並びに該長さ方向と直交する方向に伝搬する共振
が生じる。貫通孔２３ａは、この２つの共振を結合さ
せ、デュアルモード・バンドパスフィルタとしての特性
を得るために設けられている。

【００２１】なお、図６（ａ）〜（ｃ）では、第１のセ
ラミックグリーンシート２４及び金属膜２３の形成工程
を略図的に示したが、図１に示すように、第１のセラミ
ックグリーンシート２４には、４つのコーナー部分近傍
にビアホール２４ａが形成されており、各ビアホール２
４ａに、ビアホール電極２５が形成されている。ビアホ
ール電極２５は、セラミックグリーンシート２４にビア
ホール２４ａを打ち抜き等により形成した後、例えば導
電ペーストを充填することにより形成される。

【００２２】もっとも、ビアホール２４ａが形成されて
いるセラミックグリーンシート２４を用意した後、金属
膜２３を転写する工程において、ビアホール電極２５を
同様に転写法によりビアホール２４ａ内に充填してもよ
い。

【００２３】図１に示すように、第１のセラミックグリ
ーンシート２４の上方には、第２のセラミックグリーン
シート２６が積層される。第２のセラミックグリーンシ
ート２６には、入出力結合回路を構成する電極２７，２
８が形成されている。電極２７，２８は、最終的に、誘
電体層を介して金属膜２３に対して容量結合され得るよ
うに構成されている。

【００２４】入出力結合回路を構成する電極２７，２８
の一端の接合部２７ａ，２８ａは、金属膜２３に対して
容量結合される部分であり、他方側の端部２７ｂ，２８
ｂは、第３のセラミックグリーンシートに形成される後
述のビアホール電極に電気的に接続される。

【００２５】なお、第２のセラミックグリーンシート２
６上に形成されている上記電極２７，２８は、図６
（ａ）〜（ｃ）に示した第１のセラミックグリーンシー
ト２４上に金属膜２３を転写する方法と同様にして得ら
れる。すなわち、金属膜２７，２８が形成された第２の
支持フィルムを、第２のセラミックグリーンシート２６
に電極２７，２８側から被せ、圧着した後、第２の支持
フィルムを剥離することにより、電極２７，２８がセラ
ミックグリーンシート２６に転写される。

【００２６】また、セラミックグリーンシート２６にお
いても、４つのコーナー部分近傍に、ビアホール２６ａ
が形成されており、該ビアホール２６ａに、それぞれ、
ビアホール電極２９が形成されている。ビアホール電極
２９は、第１のセラミックグリーンシート２４に形成さ
れたビアホール電極２５と電気的に接続されるように構
成されている。

【００２７】第３のセラミックグリーンシート３０上に
は、ほぼ全面に、ただし、接続電極３１，３２が形成さ
れている部分を除いて、グラウンド電極３３が形成され
ている。接続電極３１，３２は、外部と接続するための
電極であり、該接続電極３１，３２はグラウンド電極３
３と電気的に分離されている。すなわち、グラウンド電
極３３の切欠３３ａ，３３ｂ内に接続電極３１，３２が
配置されている。接続電極３１，３２の下面には、破線
で示すように、ビアホール電極３４ａ，３４ｂが形成さ
れている。ビアホール電極３４ａ，３４ｂは、その下端
が第２のセラミックグリーンシート２６上に形成されて
いる入出力電極２７，２８に電気的に接続されている。

【００２８】また、第３のセラミックグリーンシート３
０においても、４つのコーナー近傍に、ビアホール電極
３５が形成されており、ビアホール電極３５は、第２の
セラミックグリーンシート２６に形成されたビアホール
電極２９に電気的に接続されている。

【００２９】なお、第３のセラミックグリーンシート３
０上に形成されているグラウンド電極３３及び接続電極
３１，３２は、第３の支持フィルム上に薄膜形成法によ
り形成された後、第３のセラミックグリーンシート３０
上に転写することにより構成されている。

【００３０】本実施例では、最下方に第４のセラミック
グリーンシート３６が積層される。セラミックグリーン
シート３６は、４つのコーナー部分近傍に、ビアホール
電極３７を有する。また、図１では図示されていない
が、セラミックグリーンシート３６の下面には、全面に
グラウンド電極が形成されている。

【００３１】上記第１〜第４のセラミックグリーンシー
ト２４，２６，３０，３６を積層し、厚み方向に加圧す
ることにより、積層体が得られる。この積層体を焼成す
ることにより、図２に示すバンドパスフィルタ１が得ら
れる。

【００３２】デュアルモード・バンドパスフィルタ１に
おいては、図３に略図的平面図で示すように、上記金属
膜２３の上方に、すなわち誘電体基板層を介して重なり
合うように入出力電極２７，２８が配置されている。ま
た、入出力電極２７，２８の端部２７ｂ，２８ｂが、ビ
アホール電極３４ａ，３４ｂにより接続電極３１，３２
に接続される。

【００３３】また、図４（ａ）〜（ｃ）に示すように、
誘電体基板２の上面及び下面に形成されているグラウン
ド電極３３，３８が、ビアホール電極３により電気的に
接続されている。ビアホール電極３は、前述した各セラ
ミックグリーンシート２４，２６，３０，３６において
コーナー部分に形成されているビアホール電極２５，２
９，３５，３７が積層されて構成されている。

【００３４】本実施例により得られるデュアルモード・
バンドパスフィルタ１は、上記のように、共振器を構成
するための金属膜２３、入出力結合回路を構成する電極
２７，２８及びグラウンド電極３３，３８が転写法によ
り形成されていることにより、それによって、これらの
端縁における凹凸が非常に少なくされており、特に、上
記金属膜２３においては、金属膜の端縁の長さが、該端
縁に凹凸が全く存在しない場合の１．０２倍以下とされ
ている。従って、表皮効果による端縁近傍への電流集中
が生じたとしても、挿入損失を低減することができる。
これを具体的な実験例に基づき説明する。

【００３５】上記誘電体基板２を構成する誘電体セラミ
ックスとして、比誘電率６．２７のＢａ、Ａｌ、Ｓｉの
酸化物を主成分とするセラミックスを用いた。また、金
属膜２３などの各種電極はＣｕにより構成した。上記実
施例の製造方法に従って、外形が３．６×３．６×高さ
０．６ｍｍのトリプレート構造を有するデュアルモード
・バンドパスフィルタ１を作製した。なお、金属膜２３
は、中間高さ位置に配置した。金属膜２３の形状は、長
さ方向が２８００μｍ、長さ方向と直交する方向の寸法
が２０００μｍの菱形形状である。貫通孔２３ａは２０
０×１４００μｍの長方形の形状を有し、金属膜２３の
中央に配置された。

【００３６】上記のようにして構成されたデュアルモー
ド・バンドパスフィルタ１において、入出力結合回路を
構成するための電極２７，２８の一部を、誘電体基板２
を電極２７，２８が形成されている高さで切断し、電極
２７の一部を観察した。結果を図７（ａ）に示す。図７
（ａ）は、電極２７の一部を示す走査型電子顕微鏡写真
による図である。

【００３７】比較のために、導電ペーストの印刷法によ
り各電極が形成されたことを除いては上記実施例と同様
に構成されたデュアルモード・バンドパスフィルタを用
意した。この比較のために用意したデュアルモード・バ
ンドパスフィルタの電極２７の一部の走査型電子顕微鏡
写真を図７（ｂ）に示す。

【００３８】図７（ａ），（ｂ）から明らかなように、
本実施例によれば、転写法により電極が形成されている
ため、端縁が平滑であり、電極の線幅及び膜厚のばらつ
きの小さいことがわかる。

【００３９】また、上記のようにして構成された実施例
のデュアルモード・バンドパスフィルタの反射特性と通
過特性とを、図８に一点鎖線Ａ及び実線Ｂでそれぞれ示
す。また、比較のために用意したデュアルモード・バン
ドパスフィルタの反射特性を破線Ｃで、通過特性を破線
Ｄで示す。

【００４０】さらに、上記通過特性の拡大図を、図９に
示す。図９において、実線Ｂ及び破線Ｄは、それぞれ、
図８に示した実施例及び比較例の通過特性を拡大して示
す。図８，図９から明らかなように、本実施例によれ
ば、比較例に比べて、通過帯域における挿入損失を約
０．６ｄＢ低減し得ることがわかる。

【００４１】従って、本実施例のデュアルモード・バン
ドパスフィルタ１では、電極、特に金属膜３が上記転写
法により形成されているので、挿入損失を効果的に低減
し得ることがわかる。

【００４２】バンドパスフィルタの通過帯域における挿
入損失は消費電力に関連する。従って、挿入損失が小さ
いほど、消費電力を小さくすることができる。図１０
は、本発明の第２の実施例に係るデュアルモード・バン
ドパスフィルタの要部を説明するための略図的斜視図で
ある。デュアルモード・バンドパスフィルタ５１では、
誘電体基板５２の中間高さ位置に、金属膜５３が形成さ
れている。金属膜５３の上方には、誘電体基板層が第１
の実施例のデュアルモード・バンドパスフィルタと同様
に形成されており、かつ入出力結合回路を構成するため
の電極２７，２８（図１参照）及びグラウンド電極３３
（図１参照）などが同様に形成されている。デュアルモ
ード・バンドパスフィルタ５１は、金属膜５３の形状
が、第１の実施例の金属膜２３と異なることを除いて
は、同様に構成されている。

【００４３】上記金属膜５３は、図１０から明らかなよ
うに、外形がランダムな形状とされている。金属膜５３
には、貫通孔５３ａが形成されている。貫通孔５３ａ
は、入出力結合回路５４，５５の金属膜５３との結合点
を結ぶ方向に伝搬する共振と、該共振と直交する方向に
伝搬する共振とが結合されて、デュアルモード・バンド
パスフィルタとしての特性が得られるように構成されて
いる。

【００４４】本発明における共振器を構成するための金
属膜の形状は、第１の実施例のように菱形に限定される
ものではなく、三角形、長方形、図１０に示したランダ
ムな形状のように適宜に変形することができる。

【００４５】次に、本発明において、金属膜の端縁の長
さが、凹凸が全く存在しない場合の１．０２倍以下のと
きに、挿入損失を効果的に低減し得ることを具体的な実
験例に基づき説明する。実験はシミュレーション解析を
用いて行った。

【００４６】比誘電率６．２７の誘電体基板が得られる
ように構成された誘電体セラミックスを用いて、４．０
×１．０×厚み０．２ｍｍのセラミックグリーンシート
を用意した。このセラミックグリーンシート上に、中央
に、０．５ｍｍ×１．０ｍｍ×厚み５μｍの矩形のＣｕ
膜を第１の実施例と同様に転写法により形成し、Ｃｕ膜
からなるマイクロストリップラインを形成した。

【００４７】上記マイクロストリップラインが形成され
たセラミックグリーンシートを焼成し、該マイクロスト
リップラインの伝送特性を測定した。この場合、上記マ
イクロストリップラインの端縁に故意に種々の大きさの
凹凸（端縁に沿う長さが１００μｍ、山と谷との距離が
ｘμｍ）を形成し、該凹凸の大きさｘを変化させ、種々
のマイクロストリップラインを形成した。これらのマイ
クロストリップラインの伝送特性を測定した。結果を図
１１に示す。

【００４８】また、上記マイクロストリップラインと同
様に、ただしマイクロストリップラインを構成する金属
材料を変化させ、様々な抵抗率の金属からなるマイクロ
ストリップラインを構成した。これらの様々な金属から
なるマイクロストリップラインを構成した場合の伝送特
性を図１２に示す。

【００４９】また、図１３は、上記マイクロストリップ
ラインの端縁の凹凸が±５μｍであり、凹凸が全く存在
しない場合に比べて端縁の長さが１．０２倍であるよう
に構成されたＣｕからなるマイクロストリップラインの
伝送特性と、凹凸が存在しないが、Ａｌによりマイクロ
ストリップラインを構成した場合の伝送特性の比較を示
す図である。なお、Ａｌは、Ｃｕの抵抗率の１．６４倍
である。

【００５０】マイクロストリップラインの端縁に凹凸が
存在する場合、凹凸が存在しない場合に比べて端縁の長
さが長くなる。図１１〜図１３から明らかなように、Ｃ
ｕを用いて、端縁の長さが凹凸が存在しない場合の端縁
の長さの１．０２倍となるような凹凸が存在する場合の
損失は、Ａｌを用いかつ凹凸が存在しないマイクロスト
リップラインを構成した場合とほぼ同じであることがわ
かる。すなわち、電極材料としてＣｕを用いた場合であ
っても、端縁の凹凸が、凹凸が存在しない場合の１．０
２倍を越えると、抵抗率が大きなＡｌを電極材料として
用いた場合と損失が同じ程度に拡大してしまうことがわ
かる。このような損失は、周波数が高くなるほど大きく
なる。

【００５１】他方、Ｃｕの抵抗率を１．０とした場合、
各種金属の抵抗率は下記の表１に示す通りである。

【００５２】

【表１】

【００５３】よって、本発明において、抵抗率が低いＣ
ｕを電極材料を用いたにもかかわらず、金属膜の端縁の
長さが、凹凸が存在しない場合の１．０２倍を越える場
合には、Ａｌを用いかつ凹凸が存在しない場合と同等の
特性しか得られなくなることがわかる。よって、好まし
くは、金属膜の端縁の長さが、凹凸が存在しない場合の
端縁の長さの１．０２倍以下であることが望ましい。

【００５４】なお、上記第１，第２の実施例では、デュ
アルモード・バンドパスフィルタの製造方法につき説明
したが、本発明は、デュアルモード・バンドパスフィル
タに限らず、誘電体基板内に共振器を構成するための金
属膜が形成されている共振器の製造方法一般に適用する
ことができる。

【００５５】

【発明の効果】本発明に係る共振器の製造方法では、金
属膜、入出力結合回路を構成する電極及びグラウンド電
極が、セラミックグリーンシートに第１〜第３の転写材
から転写され、これらが転写された第１〜第３のセラミ
ックグリーンシートが積層されてセラミックグリーンシ
ート積層体が得られ、該積層体を焼成することにより誘
電体基板が構成される。従って、これらの電極、特に共
振器を構成する金属膜の端縁における凹凸を効果的に低
減することができる。よって、損失の小さい共振器やデ
ュアルモード・バンドパスフィルタを提供することがで
き、共振器やデュアルモード・バンドパスフィルタの消
費電力を低減することが可能となる。

【００５６】上記金属膜の端縁部の長さが、該端縁部に
凹凸が全く存在しない場合の１．０２倍以下の長さとさ
れている場合には、損失をより一層低減することがで
き、低い抵抗率の金属材料、例えばＣｕやＡｇを金属膜
材料として用いた場合の効果を確実に期待することがで
きる。

【００５７】第１〜第３の転写材において、支持フィル
ム上に金属膜、入出力結合回路を構成する電極及びグラ
ウンド電極をそれぞれ形成する工程がフォトリソグラフ
ィ法により行われる場合には、端縁に凹凸の少ない金属
膜などの電極を確実に形成することができる。

【００５８】本発明にかかる共振器では、金属膜の端縁
の長さが、該端縁が凹凸を全く有しない場合の長さの
１．０２倍以下とされているので、挿入損失が低減さ
れ、それによって共振器の消費電力の低減を図ることが
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は、本発明の第１の実施例に係るデュアル
モード・バンドパスフィルタの製造に際して用意される
セラミックグリーンシート及びその上に形成される電極
パターンを説明するための分解斜視図。

【図２】本発明の第１の実施例により得られるデュアル
モード・バンドパスフィルタの外観を示す斜視図。

【図３】図２に示したデュアルモード・バンドパスフィ
ルタの平面図。

【図４】（ａ）〜（ｃ）は、図２に示したデュアルモー
ド・バンドパスフィルタの正面断面図であり、図３のＸ
−Ｘ線、Ｙ−Ｙ線及びＺ−Ｚ線に沿う各断面図。

【図５】本発明の第１の実施例の製造工程を説明するた
めのフロー図。

【図６】（ａ）〜（ｃ）は、第１のセラミックグリーン
シート上に第１の転写材から金属膜を転写する工程を説
明するための各正面断面図。

【図７】（ａ）は、本発明の第１の実施例において形成
された電極形状を示す走査型電子顕微鏡写真であり、
（ｂ）は、比較のために用意したデュアルモード・バン
ドパスフィルタの電極形状を説明するための走査型電子
顕微鏡写真である。

【図８】実施例及び比較例のデュアルモード・バンドパ
スフィルタの反射特性及び通過特性を示す図。

【図９】図８に示した通過特性を拡大して示す斜視図。

【図１０】第１の実施例の変形例に係るデュアルモード
・バンドパスフィルタの要部を示す略図的斜視図。

【図１１】第２の実施例においてマイクロストリップラ
インの端縁の凹凸を変化させた場合の伝送特性の変化を
示す図。

【図１２】第２の実施例の比較のために、凹凸を有しな
いマイクロストリップラインにおいて、マイクロストリ
ップラインを構成する電極材料を変化させた場合の伝送
特性の変化を示す図。

【図１３】Ｃｕからなり、凹凸が存在しない場合の端縁
の長さに比べて１．０２倍の長さとなるように凹凸が付
与されているマイクロストリップラインの伝送特性と、
凹凸が存在せず、Ａｌからなるマイクロストリップライ
ンの伝送特性を示す図。

【符号の説明】

１…デュアルモード・バンドパスフィルタ ２…誘電体基板 ２１…第１の転写材 ２２…第１の支持フィルム ２３…金属膜 ２３ａ…貫通孔 ２４…第１のセラミックグリーンシート ２６…第２のセラミックグリーンシート ２７，２８…入出力結合回路を構成する電極 ３０…第３のセラミックグリーンシート ３１，３２…接続電極 ３３…グラウンド電極 ３６…セラミックグリーンシート ５１…デュアルモード・バンドパスフィルタ ５２…誘電体基板 ５３…金属膜 ５３ａ…貫通孔 ５４，５５…入出力結合回路

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 神波 誠治 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 (72)発明者 伊波 通明 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 (72)発明者 砥綿 修一 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 (72)発明者 久保田 正博 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 Ｆターム(参考） 5J006 HB05 HB15 HB21 JA01 JA14 LA02 NA04 NB02 NC03

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 誘電体基板と、 前記誘電体基板面または誘電体基板内のある高さ位置に
   作成されており、共振器を構成するための金属膜と、 前記金属膜と誘電体基板層を介して対向するように配置
   された少なくとも１枚のグラウンド電極と、 前記金属膜に容量結合された一対の入出力結合回路とを
   備える共振器の製造方法であって、 前記金属膜が第１の支持フィルム上に形成された第１の
   転写材と、前記入出力結合回路を構成する電極が第２の
   支持フィルム上に形成された第２の転写材と、前記グラ
   ウンド電極が第３の支持フィルム上に形成された第３の
   転写材とを用意する工程と、 第１のセラミックグリーンシート上に前記第１の転写材
   から金属膜を転写する工程と、 第２のセラミックグリーンシート上に、前記入出力結合
   回路を構成する電極が形成されている第２の転写材から
   該電極を転写する工程と、 第３のセラミックグリーンシート上に、前記第３の転写
   材からグラウンド電極を転写する工程と、 前記金属膜、電極及びグラウンド電極がそれぞれ転写さ
   れた前記第１〜第３のセラミックグリーンシートを少な
   くとも備えるセラミックグリーンシート積層体を得る工
   程と、 前記セラミックグリーンシート積層体を焼成して前記誘
   電体基板を形成する工程とを備える、共振器の製造方
   法。
2. 【請求項２】 前記金属膜の端縁部の長さが、該端縁に
   凹凸が全く存在しない場合の１．０２倍以下の長さとさ
   れている、請求１に記載の共振器の製造方法。
3. 【請求項３】 前記第１〜第３の転写材において、支持
   フィルム上に前記金属膜、入出力結合回路を構成する電
   極及びグラウンド電極をそれぞれ形成する工程が、フォ
   トリソグラフィ法により行われる、請求項１に記載の共
   振器の製造方法。
4. 【請求項４】 誘電体基板と、誘電体基板面または誘電
   体基板内のある高さ位置に形成された金属膜と、 前記金属膜と誘電体基板層を介して対向されるように、
   かつ前記金属膜に容量結合された一対の入出力結合回路
   と、 前記金属パターンに対して誘電体基板層を介して対向す
   るように配置された少なくとも１層のグラウンド電極と
   を備える共振器であって、 前記金属膜の端縁の長さが、該端縁が凹凸を全く有しな
   い場合の長さの１．２倍以下とされていることを特徴と
   する、請求項１に記載の共振器の製造方法により得られ
   る共振器。