JPH02288297A - 積層セラミックス誘電体回路基板 - Google Patents
積層セラミックス誘電体回路基板Info
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- JPH02288297A JPH02288297A JP1107302A JP10730289A JPH02288297A JP H02288297 A JPH02288297 A JP H02288297A JP 1107302 A JP1107302 A JP 1107302A JP 10730289 A JP10730289 A JP 10730289A JP H02288297 A JPH02288297 A JP H02288297A
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- Japan
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- dielectric
- conductor
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Links
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- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Landscapes
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Waveguides (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、積層セラミックス誘電体回路基板に関し、特
にフイクｌｌ波回路用の積層誘電体回路基板に関する。
にフイクｌｌ波回路用の積層誘電体回路基板に関する。
［従来の技術及び発明が解決しようとする問題点］従来
、マイク［１波用セラミ／クス回路基板は、第２図の断
面図に示すように、セラミックス誘電体基板の一表面に
ストリップ導体を、他の表面にている。
、マイク［１波用セラミ／クス回路基板は、第２図の断
面図に示すように、セラミックス誘電体基板の一表面に
ストリップ導体を、他の表面にている。
然し乍ら、このストリップ線路では、伝ＰＩＩｉ４る電
磁界は、ストリップ導体と接地導体の間の誘電体層に完
全には集中することなく、誘電体と自由空間の両方に存
在４−る、そのため、電磁界が自由空間に放射されたり
、外部からの７ｆ凪界の彫りを受は易いものであった。
磁界は、ストリップ導体と接地導体の間の誘電体層に完
全には集中することなく、誘電体と自由空間の両方に存
在４−る、そのため、電磁界が自由空間に放射されたり
、外部からの７ｆ凪界の彫りを受は易いものであった。
また、ストリップ線路の幅は、ストリップ導体と接地導
体との間隔、即ら、誘電体基板の厚さに比例ｒるが、セ
ラミックス誘電体の場合、機械的強度にの制約から、あ
まり）、（板厚さを薄くできないために、高い密度の回
路パターンを形成できなかった。
体との間隔、即ら、誘電体基板の厚さに比例ｒるが、セ
ラミックス誘電体の場合、機械的強度にの制約から、あ
まり）、（板厚さを薄くできないために、高い密度の回
路パターンを形成できなかった。
本発明は、以［−述べた従来のマイク−１波川ヒラミ・
ｌクス誘電体回路基板の問題を解決した、伝搬する電磁
界を誘電体内に集中さけることにより、外部の影響を低
減し、高い密度に回路パターンを形成でさる積層セラミ
ックス誘′准体回路基板を提供することを［」的とする
。史に、本発明は、（てうミ！クス誘電体の積層のうり
に、ストリップ導体と接地導体に挾まれた部分に、誘電
率の低い誘電体を用いることにより、導体部分での電磁
界を弱め、導体損を低減さけることのできる積層セラミ
Ｘラス誘電体回路基板を提供−ることを［ｉ的と−する
。
ｌクス誘電体回路基板の問題を解決した、伝搬する電磁
界を誘電体内に集中さけることにより、外部の影響を低
減し、高い密度に回路パターンを形成でさる積層セラミ
ックス誘′准体回路基板を提供することを［」的とする
。史に、本発明は、（てうミ！クス誘電体の積層のうり
に、ストリップ導体と接地導体に挾まれた部分に、誘電
率の低い誘電体を用いることにより、導体部分での電磁
界を弱め、導体損を低減さけることのできる積層セラミ
Ｘラス誘電体回路基板を提供−ることを［ｉ的と−する
。
［発明の構成〕
［問題点を解決４るためのｆ段］
本発明の便宜と峻′るものは、積層誘電体回路基板にお
いて、比誘電率の異なる２種類の誘電体を積層し、比誘
′ＩＥ率の低い誘電体層の表面に接地電極を、２種類の
誘電体の層の内部にストリップ導体を設ける、−とによ
り、導体線路を内蔵したことを特徴と４”る前記積層誘
電体回路基板である。
いて、比誘電率の異なる２種類の誘電体を積層し、比誘
′ＩＥ率の低い誘電体層の表面に接地電極を、２種類の
誘電体の層の内部にストリップ導体を設ける、−とによ
り、導体線路を内蔵したことを特徴と４”る前記積層誘
電体回路基板である。
［作用］
本発明によると、積層セラミックス誘電体回路基板を用
いて、比誘電率の異なる２種類の誘電体を積層し、比誘
電率の低い誘電体層の表面に接地電極を、２種類の誘電
体の層の内部にストリップ導体を設けることにより、ス
トリップ導体と接地導体に挾まれた部分を、誘電率の低
い誘電体にし、導体部分での電磁官を弱め、導体損を低
減さける特性を有するものにした。
いて、比誘電率の異なる２種類の誘電体を積層し、比誘
電率の低い誘電体層の表面に接地電極を、２種類の誘電
体の層の内部にストリップ導体を設けることにより、ス
トリップ導体と接地導体に挾まれた部分を、誘電率の低
い誘電体にし、導体部分での電磁官を弱め、導体損を低
減さける特性を有するものにした。
本発明に従って、ストリップ導体を、誘電体基板内部に
形成積る。このために、伝搬する電磁界は、はぼ完全に
誘電体内に集中し、外部への放１４は、低減し、外部か
らの影響を受は難くなる。
形成積る。このために、伝搬する電磁界は、はぼ完全に
誘電体内に集中し、外部への放１４は、低減し、外部か
らの影響を受は難くなる。
更に、ストリップ導体と接地導体に挾まれる部分には、
誘電率の低い誘電体層を用いることにより、接地導体と
ストリップ導体の部分での′ｉ１を磁界を弱め、導体損
を低減させることができる。
誘電率の低い誘電体層を用いることにより、接地導体と
ストリップ導体の部分での′ｉ１を磁界を弱め、導体損
を低減させることができる。
また、誘電体積層技術の応用により、誘電体層の厚さ、
即し、ストリップ導体と接地導体の間隔を１０μｍ程度
トｒル、”ｌ：もｌ’ｆ （Ｅ−Ｃある。コノことから
、本発明のセラミックス誘電体回路基板は、従来の誘電
体回路基板と比べて、ストリ・ノブ線路の幅を飛躍的に
小さくすることがｊｉｆ能である。
即し、ストリップ導体と接地導体の間隔を１０μｍ程度
トｒル、”ｌ：もｌ’ｆ （Ｅ−Ｃある。コノことから
、本発明のセラミックス誘電体回路基板は、従来の誘電
体回路基板と比べて、ストリ・ノブ線路の幅を飛躍的に
小さくすることがｊｉｆ能である。
本発明の積層セラミ／ラス誘電体回路基板の構造の１つ
によると、セラミックス誘電体回路基板において、比誘
電率の異なる２種類の誘電体を積層し、比誘電率の低い
誘電体層の表面に接地電極を、２種類の誘電体の層の内
部にストリップ導体を設けることにより、導体線路を内
蔵した構造である。
によると、セラミックス誘電体回路基板において、比誘
電率の異なる２種類の誘電体を積層し、比誘電率の低い
誘電体層の表面に接地電極を、２種類の誘電体の層の内
部にストリップ導体を設けることにより、導体線路を内
蔵した構造である。
その接地導体は、厚み３μｍ以トのＡ ｕ ／ Ｐ ｄ
／ Ｔ ａ −Ｎのいずれかの材質からなる３層の構造
を４１４−るものが好適である。また、誘電体基板と導
体層の接着強度を確保［るため、このような構造が好適
である。
／ Ｔ ａ −Ｎのいずれかの材質からなる３層の構造
を４１４−るものが好適である。また、誘電体基板と導
体層の接着強度を確保［るため、このような構造が好適
である。
本発明により積層され、用いられるセラミックス誘電体
としては、アルミナ、チタン酸バリウムＢ ａ Ｔ ｉ
Ｏｊ、 チタン醜鉛Ｐ ｂ Ｔ ｉ Ｏ１，チタン酸
スト＋１ンテウ１．ｓｒＴ＋ｏｓ及び酸化チタンＴｌＯ
８からなる群より選択される少なくとも１つの誘電体化
合物を主成分とする誘電体により形成される誘電体層を
用いることができる。
としては、アルミナ、チタン酸バリウムＢ ａ Ｔ ｉ
Ｏｊ、 チタン醜鉛Ｐ ｂ Ｔ ｉ Ｏ１，チタン酸
スト＋１ンテウ１．ｓｒＴ＋ｏｓ及び酸化チタンＴｌＯ
８からなる群より選択される少なくとも１つの誘電体化
合物を主成分とする誘電体により形成される誘電体層を
用いることができる。
セラミックス誘電体グリーンシートの表面に４尼性ペー
ストを塗布し、そのＬに更に誘電体層を積層し、これを
焼成することにより、内部に導体層をストリ／）導体と
して形成できる。
ストを塗布し、そのＬに更に誘電体層を積層し、これを
焼成することにより、内部に導体層をストリ／）導体と
して形成できる。
本発明に利用するセラミックス誘電体薄板の製法は、特
に限定されるものではないが、上記に説明したセラミ７
クスンートの形成方法、セラミ７クス板を形成し、焼成
する方法などがあり、他は特に限定されるものではない
。
に限定されるものではないが、上記に説明したセラミ７
クスンートの形成方法、セラミ７クス板を形成し、焼成
する方法などがあり、他は特に限定されるものではない
。
本発明のマイク１１波川積層セラミ７クス誘電体回路基
板は、マイクＬ１波帯を用いるｉｆ−機器・般に使用、
適Ｊ１１ ス−ることかできる。
板は、マイクＬ１波帯を用いるｉｆ−機器・般に使用、
適Ｊ１１ ス−ることかできる。
次に、本発明のマイク【１波用積層セラミックス誘電体
回路基板について、具体的な実施例により、説明するが
、本発明は、その説明により限定されるものではない。
回路基板について、具体的な実施例により、説明するが
、本発明は、その説明により限定されるものではない。
［実施例１］
本実施例を第１図により説明する。第１図は、本発明の
回路基板の１例の断面を示す断面図である。セラミック
ス誘電体ＷＪ３としては、ＭｇＴ１０ｓ（即しそのと、
キ１６）を用い、セラミックス誘電体層４としては、Ｂ
ａＴｉ１Ｏ＊ （即ちそのｔ：、西４Ｏ）を用い、これ
らの誘電体ペーストを各々印刷法により積層する。また
、ストリップ導体１として、銀ペーストを誘電体層３の
表面１−に印刷し、形成し、更に、その上に誘電体層４
が積層形成される５−とにより、本発明の誘電体積層構
造体が形成される０、−の構造体を焼成することにより
、ストＪ・／ノ導体１を内蔵した誘電体基板が得られる
。
回路基板の１例の断面を示す断面図である。セラミック
ス誘電体ＷＪ３としては、ＭｇＴ１０ｓ（即しそのと、
キ１６）を用い、セラミックス誘電体層４としては、Ｂ
ａＴｉ１Ｏ＊ （即ちそのｔ：、西４Ｏ）を用い、これ
らの誘電体ペーストを各々印刷法により積層する。また
、ストリップ導体１として、銀ペーストを誘電体層３の
表面１−に印刷し、形成し、更に、その上に誘電体層４
が積層形成される５−とにより、本発明の誘電体積層構
造体が形成される０、−の構造体を焼成することにより
、ストＪ・／ノ導体１を内蔵した誘電体基板が得られる
。
接地導体２は、焼成した誘電体基板の誘電体層３の側の
表面１：に、Ｔａ、Ｐｄ、Ａｕ等の貴金属を用いて、ス
パッタリング法により、形成される。
表面１：に、Ｔａ、Ｐｄ、Ａｕ等の貴金属を用いて、ス
パッタリング法により、形成される。
［発明の効果］
未発明の積層誘電体回路基板は、その構造により、
第１に、誘電体層内部にストリップ導体を設けることに
より、ストリ・／ブ線路の幅を飛躍的に小許くｒること
かできる誘電体回路基板を提供できること、 第２に５従って、伝送特性の向上、回路パター体回路基
板を提供４ることかでさること、第３に、史に、比誘電
率の高い誘電体と比誘電率の低い誘電体を積層し、スト
リップ導体を両誘電体層の間に形成争ることにより、更
に、伝送特性の向（二、回路の高密度化が期待できる誘
電体回路基板を提供したこと、 などの技術的な効果が得られた。
より、ストリ・／ブ線路の幅を飛躍的に小許くｒること
かできる誘電体回路基板を提供できること、 第２に５従って、伝送特性の向上、回路パター体回路基
板を提供４ることかでさること、第３に、史に、比誘電
率の高い誘電体と比誘電率の低い誘電体を積層し、スト
リップ導体を両誘電体層の間に形成争ることにより、更
に、伝送特性の向（二、回路の高密度化が期待できる誘
電体回路基板を提供したこと、 などの技術的な効果が得られた。
第１図は、本発明の積層セラミックス誘電体回路基板の
１例を示を一断面図である。 第２ＩＡは、従来のせラミｙクス誘電体回路基板（゛マ
イク１１ストリツプ）の断面図である。 し主要部分の符号の説明］ １、 、 、ストリップ導体 ２ 、、、、、、、、接地導体
１例を示を一断面図である。 第２ＩＡは、従来のせラミｙクス誘電体回路基板（゛マ
イク１１ストリツプ）の断面図である。 し主要部分の符号の説明］ １、 、 、ストリップ導体 ２ 、、、、、、、、接地導体
Claims (1)
- 積層セラミックス誘電体回路基板において、比誘電率
の異なる２種類の誘電体を積層し、比誘電率の低い誘電
体層の外部表面に接地電極を設け、その２種類の誘電体
の層の内部にストリップ導体を設けることにより、導体
線路を内蔵していることを特徴とする前記積層セラミッ
クス誘電体回路基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1107302A JPH02288297A (ja) | 1989-04-28 | 1989-04-28 | 積層セラミックス誘電体回路基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1107302A JPH02288297A (ja) | 1989-04-28 | 1989-04-28 | 積層セラミックス誘電体回路基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02288297A true JPH02288297A (ja) | 1990-11-28 |
Family
ID=14455649
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1107302A Pending JPH02288297A (ja) | 1989-04-28 | 1989-04-28 | 積層セラミックス誘電体回路基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02288297A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100958268B1 (ko) * | 2008-02-15 | 2010-05-19 | (주)기가레인 | 임피던스 미스매칭 없이 신호전송라인의 폭을 넓힐 수 있는인쇄회로기판 |
| JP2020014137A (ja) * | 2018-07-19 | 2020-01-23 | 双信電機株式会社 | 共振器及びフィルタ |
| CN114804858A (zh) * | 2021-01-28 | 2022-07-29 | 山东国瓷功能材料股份有限公司 | 一种滤波器用低温共烧陶瓷材料及其制备方法与应用 |
-
1989
- 1989-04-28 JP JP1107302A patent/JPH02288297A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100958268B1 (ko) * | 2008-02-15 | 2010-05-19 | (주)기가레인 | 임피던스 미스매칭 없이 신호전송라인의 폭을 넓힐 수 있는인쇄회로기판 |
| JP2020014137A (ja) * | 2018-07-19 | 2020-01-23 | 双信電機株式会社 | 共振器及びフィルタ |
| CN114804858A (zh) * | 2021-01-28 | 2022-07-29 | 山东国瓷功能材料股份有限公司 | 一种滤波器用低温共烧陶瓷材料及其制备方法与应用 |
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