JP2002326833A - 光ファイバ母材の製造装置及びそれを用いた光ファイバ母材の製造方法 - Google Patents

光ファイバ母材の製造装置及びそれを用いた光ファイバ母材の製造方法

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裕之 和田
Kiyoshi Arima
潔 有馬
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正英 桑原
Sadayuki Toda
貞行 戸田
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 コア火炎やクラッド火炎により生じた上昇ガ
ス流が下降ガス流に押されて乱れた下降気流となり、反
応容器壁面に当たって上昇流を生み、コア火炎の揺らぎ
を大きくし、ガラス成長速度が不安定で、得られる光フ
ァイバ母材は均一性に欠けるものとなる。また、スート
の先端温度が不均一となり、先端部のスート密度が低く
なり、スートにクラック(割れ)が発生しやすくなる。 【解決手段】 VAD法に用いる装置の反応容器におい
て、コアバーナ1の周りに、コアバーナ側に開口部を有
する筒状体のコアパーティション13を設置する光ファ
イバ母材の製造装置。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、VAD法による多
孔質光ファイバ母材の製造工程において、不良率を低減
し、より均質なコアスートを製造する装置及びその方法
に関する。
【0002】
【従来の技術】石英系光ファイバ母材の製造法として知
られているVAD法(気相軸付け法)は、酸水素火炎中
でハロゲン化金属の気相反応によりガラス合成が行わ
れ、生成されたガラス微粒子をターゲット部材の周囲に
堆積させて光ファイバ母材を製造する方法である。軸方
向へのターゲット部材の引き上げは、スートの先端位置
とコアバーナとの距離が一定になるように行われてい
る。この時の引き上げる速度を成長速度と呼ぶ。こうし
て造られたガラス多孔質母材(スート)は、その後高温
の熱処理により透明なプリフォームに燒結され、引き抜
き法等により光ファイバーとされる。これらの方法で光
ファイバ母材を製造する場合、バーナの火炎中で生成さ
れたガラス微粒子が均一に且つ効率良くターゲット部材
の表面に付着するようにターゲット部材およびバーナを
反応容器で覆って、空気の流れを整えるようにしてい
る。
【0003】この方法に用いられている光ファイバ母材
の製造装置は、図7に示すような構造を有している。図
7(a)は光ファイバ母材の製造装置の正面図で模式的
に示すものであり、図7(b)は図7(a)の矢視Aの
側面図である。図に示すように、反応容器12には、多
重管のコアバーナ1およびクラッドバーナ2が設けられ
ており、これによって作られる酸水素火炎3の中に四塩
化珪素のガスを投入し、火炎加水分解反応により、二酸
化珪素の微粒子を生成し、それを種棒4の長手方向に堆
積させて多孔質母材(スート)5を得るものである。こ
のときコア合成用のコアバーナ1には、四塩化珪素と共
に少量の四塩化ゲルマニウム、塩化ホスホリル、臭化ホ
ウ素等の添加物を投入すると、二酸化ゲルマニウム等の
微粒子が同時に生成し、多孔質母材の半径方向に二酸化
ゲルマニウム等の分布を作り込むことが可能である。
【0004】光ファイバ母材のVAD法による製造工程
では、図7に示すように、ガラス微粒子の均一且つ効率
的な付着のため、および反応容器の加熱防止や反応容器
壁へのガラス付着を避けるため、バーナ側の給気口1
4,15から排気管11側へと流れる水平ガス流6およ
びエアカーテン流7、下降ガス流8等の制御された気流
の中で、光ファイバ母材を回転させながら引き上げるこ
とによって行われている。また、ガラス合成中は図7に
示すように、サーモビュワ9を用いてスートの表面温度
を感知しながらその温度の管理を行っている。さらに母
材の成長に重要なスートの先端温度も同様に、放射温度
計10で管理している。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】ところが、より均質
で、さらに生産性を向上させるには、この水平ガス流や
下降ガス流中でのスート合成においては、次のような問
題点があることがわかった。 1.図8に矢印でガスの流れを示すように、コア火炎や
クラッド火炎により生じた上昇ガス流が下降ガス流に押
されて乱れた下降気流が流れ、反応容器の底面部や側面
部に当たって上昇流を生み、コア火炎の揺らぎを大きく
し、ガラス成長速度が不安定で、得られる光ファイバ母
材は長手方向の均一性に欠けるものである。 2.コア火炎の揺らぎが大きいために、スートの先端温
度が不均一となり、先端部のスート密度が低くなり、ス
ートにクラック(割れ)が発生しやすくなっている。
【0006】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明者等は、
上記の課題のもとに研究に鋭意取り組んだ結果、コアバ
ーナの周りにコア火炎およびスートに接触しないように
所定の高さの障壁(以下、コアパーティションという)を
設けることで、水平ガス流および下降ガス流による影響
でコア火炎に向かって不規則に流れ込む気流を防ぐこと
ができ、また反応容器内の気流の乱れを整流化できるこ
とを見出し、コア火炎の揺らぎ防止に効果があることを
確認し本発明を完成するに至った。
【0007】すなわち、本発明は、(1)VAD法に用
いる装置の反応容器おいて、コアバーナの周りにコアパ
ーティションが設置されていることを特徴とする光ファ
イバ母材の製造装置、(2)コアパーティションはコア
バーナ側に開口部を有するものであることを特徴とする
(1)記載の光ファイバ母材の製造装置、(3)コアパ
ーティションは、少なくともコアバーナノズルの高さを
有し、多孔質母材の太さ以上の筒状体であり、かつ多孔
質母材の下方に設けられ、その下部を反応容器底面に接
していることを特徴とする(1)又は(2)記載の光フ
ァイバ母材の製造装置、(4)コアパーティションの開
口部の幅がコアパーティション自体の幅よりも小さい形
状をもつものであることを特徴とする(1)、(2)又は
(3)記載の光ファイバ母材の製造装置、(5)コアパー
ティションは、反応容器内の気流を整流化するものであ
ることを特徴とする(1)〜(4)のいずれか1項に記載の
光ファイバ母材の製造装置、及び、(6)(1)〜(5)の
いずれか1項に記載の光ファイバ母材の製造装置を用い
ることを特徴とする光ファイバ母材の製造方法、を提供
するものである。
【0008】
【発明の実施の形態】本発明の光ファイバ母材の製造装
置の好ましい実施の態様について、図面を参照しながら
詳細に説明をする。図1(a)(b)は本発明の光ファ
イバ母材を製造する装置を模式的に示すもので、(a)
は正面図であり、(b)は下面から見た平面図である。
これらの図に示す光ファイバ母材の製造装置は、基本的
には図7に示した光ファイバ母材の製造装置と同様であ
り、対応する部位には対応する番号が付してある。
【0009】本実施態様では、図1に示すように12は
耐熱性の反応容器であり、反応容器の上部に給気筒状部
16が設けられ種棒4が上下動且つ回転自在に反応容器
内部へ挿入されている。この態様では給気筒状部16は
内筒16aと外筒16bからなる二重筒のものを示して
いるが、単筒のものでもよい。さらに反応容器上部に
は、排気管11が設けられており、バーナ側の側壁面に
は、図7に示すと同様に給気口(水平ガス流用及びエア
カーテン用)が開口されており、ガラス合成中は給気口
側から排気管側へ水平ガス流及びエアカーテンガス流が
形成されている(以下、給気口側を上流側という)。ま
た、上部給気筒状部16側から下降流が形成されてい
る。以上の構成は、図7に示すものと同じである。
【0010】この実施態様では、コアパーティション1
3が反応容器12の底面に接して、上流側を開けコアバ
ーナを囲むようにスートの下方に配置されている。コア
パーティションはコアノズルの高さまであり、これによ
り、反応容器の側面側、上流側および底面側から不規則
に流れ込んでくる気流を防ぐことができると共に、反応
容器内の気流の乱れを整流化するものである。その形状
は、この実施態様で示すように四角筒のコアバーナ側の
1面を開口部としたコ字状角筒体や、以下の実施例に示
すようにコアバーナ側に開口部をもつ円筒体、コアバー
ナ側の開口部を狭めた角筒体、コアバーナ側の一面を開
口部とした三角筒体等反応容器の側面側、上流側および
底面側から流れ込んでくる気流を防ぐことができる形状
のもならば、どのようなものでも良い。コアパーティシ
ョンの幅W又は直径Dは、適宜設定できるものである
が、エアーカーテン気流を妨げなければ良く、反応容器
の幅の3/4程度以下からスートの太さ以上コアバーナ
火炎の広がり以上であればよい。その開口部の幅dは、
W又はDと同じかそれ以下にすればよく、0.5倍〜
0.8倍程度が好ましく、最小幅はコアバーナの開口径
の3倍程度である。その高さは、コアバーナノズルの先
端が隠れる程度からコア火炎先端が隠れる程度が好まし
いが、水平ガス流はコアバーナ火炎先端よりかなり上方
を流れているので、水平ガス流を妨げない程度まで高く
できる。その高さがコアバーナノズルの先端位置より低
いと、気流防止の作用を発揮することができず、また、
水平ガス流を妨げる程高くなれば、排気管口への水平ガ
ス流を乱してしまうことになり、火炎の揺らぎを生起す
る原因となる。
【0011】このようなコアパーティションを設けるこ
とによりガラス合成中コア火炎の揺らぎを小さくできガ
ラス成長速度を安定化することができる。コア火炎の揺
らぎ具合を調べる一つの指標として、ガラス合成中のコ
ア先端部の温度を放射温度計で測定し、そのばらつき
(標準偏差)で評価した。コアパーティションがない場合
では、コア先端の温度のばらつきは5℃〜8℃であった
が、上述したコアパーティションを用いた場合は、その
ばらつきは2℃以下に収まった。また、成長速度の変動
幅も8mm/h〜10mm/h程度あったものが2mm
/h以下となり、非常に安定するようになった。したが
って、光ファイバ母材の先端温度が不均一となってスー
ト密度が低下し、クラックが発生することも避けられ、
長手方向に変動の小さい均質で良質な光ファイバ母材を
安定して製造することができる。
【0012】
【実施例】次いで、実施例1から5及び比較例を参照し
て本発明をさらに詳細に説明する。 実施例1 本発明の第1実施例を正面側と下面側から見た模式図図
2(a)、(b)によって説明する。コアパーティショ
ンは、円筒形に形成されており、コアバーナを挿入する
開口部dは直径Dに対しd=0.7Dとした。この場合の
コア火炎の揺らぎ度合いを上記したとおり、コア先端部
の温度のばらつき(標準偏差)で評価した。コアパーティ
ションなしの場合では、コア先端の温度のばらつきは6
℃〜7℃であったが、このコアパーティションを用いた
場合は、そのばらつきは1℃以下に収まった。また、成
長速度の変動も8mm/h〜9mm/hあったものが2
mm/h以下となり、非常に安定した製造が可能となっ
た。開口部の幅dを種々に変更して実施した結果、0.5
D<d<0.8Dとするのが特に好ましいことがわかっ
た。
【0013】実施例2 第2実施例をその下面から見た模式図で図3に示す。正
面図は、図1、図2と同様なものであるので省略する。
この例は、コアパーティションとして図1の形状に対し
てコアバーナの挿入側の開口部を狭めたものを使用し
た。実施例1と同様な効果が得られた。さらにコア火炎
の揺らぎが小さいので先端温度が均一に加熱され、スー
ト密度の低下を防止することができた。このコアパーテ
ィションは、その開口部幅を変更できるのようにすれば
さらに好都合である。
【0014】実施例3 この例は、図4に下面から見た模式図で示すようにコア
パーティションの形状として一面を開口部とした三角筒
体の形をしたものである。コアバーナを挿入する開口部
の幅dを、任意に容易に変更できるものである。例とし
て、dをコアバーナの開口径の10倍にしてガラス合成
を行ったところ、コア火炎の揺らぎは実施例1および実
施例2と同等なレベルが得られた。
【0015】実施例4 この例は、図5に示すようにコアパーティションの形状
を実施例1と同様に円筒形とし、その開口部の幅dを0.
5D未満にしたものである。この形状のものを用いて合
成を行った場合、側面側および反応容器下流側から流れ
込んでくる気流に対しては防止できるものの、コア火炎
によって生ずる上昇流がコアパーティション内で滞留
し、実施例1ほどにはコア火炎は安定しなかった。
【0016】実施例5 この例は、図6に示すようにコアパーティションの形状
を実施例1と同様に円筒形とし、その開口部の幅dを0.
9Dにしたものである。この形状のものを用いてガラス
合成を行った場合、反応容器下流側から流れ込んでくる
気流に対しては遮断できた。しかし、反応容器側面側か
ら流れ込んでくる気流に対しては防ぐことができず、実
施例1ほどコア火炎を安定させることはできなかった。
【0017】比較例 反応容器内にコアパーティションを設置しないで合成を
行った。この場合コア火炎の揺らぎは大きくなり、ガラ
ス合成中のコア先端温度のばらつきは5℃となり、成長
速度の変動も8mm/hにもなってしまった。さらにコ
ア先端温度も不均一でスート密度も低く、コア先端部に
クラックが発生して良質なガラスファイバが形成できな
かった。
【0018】
【発明の効果】以上に説明したように、VAD法で光フ
ァイバ母材を製造する際に、コアバーナ火炎の周りにコ
アパーティションを設置すると、反応容器内の気流を整
流化し、コア火炎に向かう不規則流を防ぐので、コアバ
ーナの揺らぎは小さくなり、成長速度も安定化できる。
さらに、コア先端部の温度が均一になり、コア先端部が
低密度となることもなく、クラックが発生することも避
けられる。そして、本発明の光ファイバ母材の製造装置
によれば、高品質の光ファイバ母材を効率よく製造する
ことができ、長手変動の小さい光ファイバを安定して製
造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る光ファイバ母材の製造装置の一実
施態様を示す模式図であって、(a)は正面図、(b)
はそのコアパーティション部の模式図(スート先端部5
aの位置を併せて示した。以下同様。)である。
【図2】本発明の第1の実施例を示す装置の模式図であ
って、(a)正面図、(b)はそのコアパーティション
部の模式図である。
【図3】本発明の第2実施例のコアパーティション部を
示す模式図である。
【図4】本発明の第3実施例のコアパーティション部を
示す模式図である。
【図5】本発明の第4実施例のコアパーティション部を
示す模式図である。
【図6】本発明の第5実施例のコアパーティション部を
示す模式図である。
【図7】従来例の光ファイバ母材の製造装置の模式図で
あり、(a)はその正面図、(b)は(a)の矢視Aの
側面図である。
【図8】従来例の光ファイバ母材の製造装置における、
ガスの流れを説明する図である。
【符号の説明】
1 コアバーナ 2 クラッドバーナ 3 コア火炎 4 種棒 5 多孔質母材(スート) 6 水平ガス流 7 エアカーテン流 8 下降ガス流 9 サーモビュワ 10 放射温度計 11 排気管 12 反応容器 13 コアパーティション 14 水平ガス流給気口 15 エアカーテン流給気口 16 給気筒状部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 桑原 正英 東京都千代田区丸の内2丁目6番1号 古 河電気工業株式会社内 (72)発明者 戸田 貞行 東京都千代田区丸の内2丁目6番1号 古 河電気工業株式会社内 Fターム(参考) 4G021 EA01 EB18

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 VAD法に用いる装置の反応容器におい
    て、コアバーナの周りにコアパーティションが設置され
    ていることを特徴とする光ファイバ母材の製造装置。
  2. 【請求項2】 コアパーティションはコアバーナ側に開
    口部を有するものであることを特徴とする請求項1記載
    の光ファイバ母材の製造装置。
  3. 【請求項3】 コアパーティションは、少なくともコア
    バーナノズルの高さを有し、多孔質母材の太さ以上の筒
    状体であり、かつ多孔質母材の下方に設けられ、その下
    部を反応容器底面に接していることを特徴とする請求項
    1又は2記載の光ファイバ母材の製造装置。
  4. 【請求項4】 コアパーティションの開口部の幅がコア
    パーティション自体の幅よりも小さい形状をもつもので
    あることを特徴とする請求項1、2又は3記載の光ファ
    イバ母材の製造装置。
  5. 【請求項5】 コアパーティションは、反応容器内の気
    流を整流化するものであることを特徴とする請求項1〜
    4のいずれか1項に記載の光ファイバ母材の製造装置。
  6. 【請求項6】 請求項1〜5のいずれか1項に記載の光
    ファイバ母材の製造装置を用いることを特徴とする光フ
    ァイバ母材の製造方法。
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