JPS636171Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS636171Y2 JPS636171Y2 JP1982004494U JP449482U JPS636171Y2 JP S636171 Y2 JPS636171 Y2 JP S636171Y2 JP 1982004494 U JP1982004494 U JP 1982004494U JP 449482 U JP449482 U JP 449482U JP S636171 Y2 JPS636171 Y2 JP S636171Y2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- burner
- section
- soot
- center
- pipe
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
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Landscapes
- Gas Burners (AREA)
- Pre-Mixing And Non-Premixing Gas Burner (AREA)
- Manufacture, Treatment Of Glass Fibers (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は光フアイバー用母材（プレフオーム）
製造における、VAD法によるスス体の積層に使
用するガスバーナーの形状に関するものである。
製造における、VAD法によるスス体の積層に使
用するガスバーナーの形状に関するものである。
VAD法によるとスス体製造を第１図で示すと、
マツフル３内において、ガスバーナー４からパイ
プ５を経てSiCl4、GeCl4、POCl3、BBr3等の原
料ガスをH2、O2、Ar2等と共に流して、酸水素
炎中で酸化物微粒子とし、この微粒子を回転して
上に引き上げられている石英棒などの出発部材１
の先端をターゲツトとして吹き付け、多孔質母材
を長さ方向に成長させるものであり、この多孔質
母材をスス体２という。このスス体は更に加熱溶
融されて透明な母材となる。
マツフル３内において、ガスバーナー４からパイ
プ５を経てSiCl4、GeCl4、POCl3、BBr3等の原
料ガスをH2、O2、Ar2等と共に流して、酸水素
炎中で酸化物微粒子とし、この微粒子を回転して
上に引き上げられている石英棒などの出発部材１
の先端をターゲツトとして吹き付け、多孔質母材
を長さ方向に成長させるものであり、この多孔質
母材をスス体２という。このスス体は更に加熱溶
融されて透明な母材となる。
上記ガスバーナー４としては、第２図に示すよ
うな丸型断面の多重バーナーが広く用いられてお
り、多重バーナーの各層でドーパント濃度を変え
ることも行なわれている。このスス体中のドーパ
ントの濃度分布をよりよく制御するという目的の
ために、第３図に示すように、円形断面の多重パ
イプのバーナー４を複数本並べて、各多重バーナ
ー相互間でドーパント濃度を変化することも行な
われている。ここではバーナーが一本、一本独立
しているため、バーナーを並べると、シールドガ
スSG（例えばO2、H2、Arガス等）が間に存在す
るために全体としてのドーパント濃度が連続的に
変化し難くなる欠点を有している。
うな丸型断面の多重バーナーが広く用いられてお
り、多重バーナーの各層でドーパント濃度を変え
ることも行なわれている。このスス体中のドーパ
ントの濃度分布をよりよく制御するという目的の
ために、第３図に示すように、円形断面の多重パ
イプのバーナー４を複数本並べて、各多重バーナ
ー相互間でドーパント濃度を変化することも行な
われている。ここではバーナーが一本、一本独立
しているため、バーナーを並べると、シールドガ
スSG（例えばO2、H2、Arガス等）が間に存在す
るために全体としてのドーパント濃度が連続的に
変化し難くなる欠点を有している。
一方、炎の横断面の長さを長くとつて、スス体
中のドーパントの濃度分布をよりよい制御をする
ために、第４図に示すような長方形断面の多重バ
ーナーが用いられることもある。第４図は５重管
６〜１０を表わしており、６はその中央部の角パ
イプ、１０は最外部の角パイプである。
中のドーパントの濃度分布をよりよい制御をする
ために、第４図に示すような長方形断面の多重バ
ーナーが用いられることもある。第４図は５重管
６〜１０を表わしており、６はその中央部の角パ
イプ、１０は最外部の角パイプである。
しかしながら、この長方形断面のバーナーも、
その長軸を長くとると、例えばドーパントの２乗
分布を得ようとした場合にはその限界が存在す
る。本考案はこの限界をとり除くためのものであ
り、光フアイバ母材製造の際のVAD法によるス
ス体の積層に用いるバーナーにおいて、楕円また
は長方形断面の多重管バーナーであり、かつ該多
重管のうちの中央部の管を原料供給管とし、該中
央部の管がバーナーのガス体出口面に対し複数の
セクシヨンに分離され、隣接する上記セクシヨン
からはドーパント濃度が順次異なる原料ガスを供
給するよう構成されていることを特徴とするもの
である。
その長軸を長くとると、例えばドーパントの２乗
分布を得ようとした場合にはその限界が存在す
る。本考案はこの限界をとり除くためのものであ
り、光フアイバ母材製造の際のVAD法によるス
ス体の積層に用いるバーナーにおいて、楕円また
は長方形断面の多重管バーナーであり、かつ該多
重管のうちの中央部の管を原料供給管とし、該中
央部の管がバーナーのガス体出口面に対し複数の
セクシヨンに分離され、隣接する上記セクシヨン
からはドーパント濃度が順次異なる原料ガスを供
給するよう構成されていることを特徴とするもの
である。
本考案を第５図で具体的に説明すると、例えば
５重バーナーのうちの中央部の角パイプに相当す
る部分を、バーナーの縦方向に仕切りを入れてセ
クシヨン１１，１２，１３，１４〜を構成する。
セクシヨンは隣接するセクシヨンからガスが流れ
込まないように仕切られている。このセクシヨン
に、スス体の中心に近い側から他端にむかつてド
ーパント濃度を順次低くなるように組み合わせて
原料ガスを供給する。
５重バーナーのうちの中央部の角パイプに相当す
る部分を、バーナーの縦方向に仕切りを入れてセ
クシヨン１１，１２，１３，１４〜を構成する。
セクシヨンは隣接するセクシヨンからガスが流れ
込まないように仕切られている。このセクシヨン
に、スス体の中心に近い側から他端にむかつてド
ーパント濃度を順次低くなるように組み合わせて
原料ガスを供給する。
例えば第１図のVAD法において、バーナー４
として第５図のバーナーを用い、そのセクシヨン
１１をスス体２の中心に近い側に置き、且つ原料
ガスの濃度を、１１を濃くし、１２，１３，１４
〜にしたがつて順次、薄めていくと、スス体２中
のドーパントのプロフアイルは中心から外側に向
かつて濃度が下る分布とすることができる。この
ように本考案ではドーパント濃度の連続的な変化
を行うことができる。
として第５図のバーナーを用い、そのセクシヨン
１１をスス体２の中心に近い側に置き、且つ原料
ガスの濃度を、１１を濃くし、１２，１３，１４
〜にしたがつて順次、薄めていくと、スス体２中
のドーパントのプロフアイルは中心から外側に向
かつて濃度が下る分布とすることができる。この
ように本考案ではドーパント濃度の連続的な変化
を行うことができる。
且つ、上記方法で第５図の長方形多重バーナー
の長軸を長くすることにより、その濃度分布の制
御がより安定してくる。いいかえれば、スス体の
径の大きなものが、しかもドーパントのプロフア
イルの制御を行ないながらつくることができる。
要するに太い母材にするほど同じプロフアイルで
も断面収縮率が大きくとれるのでフアイバーの精
度は上る。このように従来より太い母材をプロフ
アイルを付けて作ることができるので、これを一
定の太さに線引きして細くなつたフアイバーの内
部で、所望のプロフアイルとするための安定性、
制御性が増すことは自明である。本考案では中央
部の管の他に、更に、多重管のうちの複数層にそ
のセクシヨンを設けることもできる。
の長軸を長くすることにより、その濃度分布の制
御がより安定してくる。いいかえれば、スス体の
径の大きなものが、しかもドーパントのプロフア
イルの制御を行ないながらつくることができる。
要するに太い母材にするほど同じプロフアイルで
も断面収縮率が大きくとれるのでフアイバーの精
度は上る。このように従来より太い母材をプロフ
アイルを付けて作ることができるので、これを一
定の太さに線引きして細くなつたフアイバーの内
部で、所望のプロフアイルとするための安定性、
制御性が増すことは自明である。本考案では中央
部の管の他に、更に、多重管のうちの複数層にそ
のセクシヨンを設けることもできる。
本考案のセクシヨンに対してはこれを１対１に
対応するガス供給パイプが当該バーナーの後部に
設けられていることはいうまでもない。
対応するガス供給パイプが当該バーナーの後部に
設けられていることはいうまでもない。
バーナーの材質としては従来同様、石英ガラ
ス、バイコール、パイレツクス、多成分ガラス、
金属、セラミツクス等が使用できる。
ス、バイコール、パイレツクス、多成分ガラス、
金属、セラミツクス等が使用できる。
第１図はVAD法によるスス体製造の概略を示
す図であり、第２図はVAD法に用いる円形断面
のガスバーナーを示し、第３図は第２図の円形断
面バーナーを複数個用いるVAD法を示す図であ
り、第４図はVAD法に用いる従来の長方形断面
のガスバーナーを示す断面図であり、第５図は本
考案のバーナーの断面図である。
す図であり、第２図はVAD法に用いる円形断面
のガスバーナーを示し、第３図は第２図の円形断
面バーナーを複数個用いるVAD法を示す図であ
り、第４図はVAD法に用いる従来の長方形断面
のガスバーナーを示す断面図であり、第５図は本
考案のバーナーの断面図である。
Claims (1)
- 光フアイバ母材製造の際のVAD法によるスス
体の積層に用いるバーナーにおいて、楕円または
長方形断面の多重管バーナーであり、かつ該多重
管のうちの中央部の管を原料供給管とし、該中央
部の管がバーナーのガス体出口面に対し複数のセ
クシヨンに分離され、隣接する上記セクシヨンか
らはスス体の中心に近い側から他端にむかつてド
ーパント濃度を順次低くした原料ガスを供給する
よう構成されていることを特徴とする、光フアイ
バー製造用バーナー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP449482U JPS58110027U (ja) | 1982-01-19 | 1982-01-19 | 光フアイバ−製造用バ−ナ− |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP449482U JPS58110027U (ja) | 1982-01-19 | 1982-01-19 | 光フアイバ−製造用バ−ナ− |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58110027U JPS58110027U (ja) | 1983-07-27 |
| JPS636171Y2 true JPS636171Y2 (ja) | 1988-02-22 |
Family
ID=30017339
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP449482U Granted JPS58110027U (ja) | 1982-01-19 | 1982-01-19 | 光フアイバ−製造用バ−ナ− |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58110027U (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5782131A (en) * | 1980-11-04 | 1982-05-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Preparation of doped silica glass |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5852260Y2 (ja) * | 1979-05-22 | 1983-11-29 | 日本電信電話株式会社 | ステツプ型光フアイバ母材作製用ト−チ |
-
1982
- 1982-01-19 JP JP449482U patent/JPS58110027U/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5782131A (en) * | 1980-11-04 | 1982-05-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Preparation of doped silica glass |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58110027U (ja) | 1983-07-27 |
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