JP2002319626A - 集積回路 - Google Patents
集積回路Info
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Abstract
提供する。 【解決手段】 機能ブロック1,2は、それぞれ接続切
替部10,20を介してブロック間配線3a〜3cに接
続される。接続切替部10,20は、ブロック間配線3
a〜3cに直列に挿入されたTG(トランスファ・ゲー
ト)と、これらのブロック間配線3a〜3cを相互に接
続するためのTGを有している。各TGは切替制御部1
4,24からの制御信号でオン/オフされる。従って、
ブロック間配線3a〜3cを任意に切り替えて接続し、
試験用の出力信号SO1を内部ノードN1a等に与え、
これらのブロック間配線3a〜3cを通って内部ノード
N2cに伝達された入力信号SI2をチェックする。こ
れにより、ブロック間配線の断線や短絡を検査すること
ができる。
Description
「IC」という)、特に半導体基板上に形成された複数
の機能ブロック間の配線の試験機能に関するものであ
る。
I」という)等のICは、そのICの機能を実現するた
めの複数の機能ブロックと、これらの機能ブロック間を
接続する配線を、半導体基板上に形成して構成されてい
る。
ICが設計通りの機能を実現できるか否かの動作試験を
行い、その動作結果に従って機能ブロック間の配線を含
めた回路の不具合を捜し出し、不具合箇所を修正すると
いう手法が採られていた。
ICでは、次のような課題があった。動作試験では、各
機能ブロックの機能の試験が主体となり、機能ブロック
間の配線の断線や短絡を想定した試験を行うことが少な
い。このため、配線に不具合があった場合、その不具合
箇所の検出に多大な時間を必要とする場合があった。
を解決し、機能ブロック間の配線の検査を行うことがで
きるICを提供するものである。
に、本発明の内の第1の発明は、所定の機能を有する複
数の機能ブロックと、これらの機能ブロック間を接続す
る複数のブロック間配線とを備えたICにおいて、前記
機能ブロックと前記ブロック間配線の間に配置され、試
験信号によって該機能ブロックと複数の内部ノードとの
間の接続を一括してオン/オフする第1のスイッチ手段
と、個別の制御信号によって前記内部ノードと前記ブロ
ック間配線との間の接続を個別にオン/オフする第2の
スイッチ手段と、個別の制御信号によって前記複数の内
部ノードの間の接続を個別にオン/オフする第3のスイ
ッチ手段とを設けている。
て、第2及び第3のスイッチ手段に対する個別の制御信
号を生成してブロック間配線を切り替えると共に、内部
ノードの内のいずれか1つに試験用の信号を出力し、該
内部ノードの内の他の1つに伝達された信号を入力して
ブロック間配線の断線や短絡を検出する切替制御手段を
設けている。
したので、次のような作用が行われる。各機能ブロック
は、第1のスイッチ手段を介して内部ノードに接続さ
れ、更に第2のスイッチ手段を介してブロック間配線に
接続されている。また、内部ノードの間は、第3のスイ
ッチ手段を介して接続されている。第1のスイッチ手段
は試験信号で一括してオン/オフされ、第2及び第3の
スイッチ手段は個別の制御信号でオン/オフされる。従
って、これらの試験信号と制御信号の組み合わせによ
り、通常動作時には、各機能ブロックはそれぞれブロッ
ク間配線を介して相互に接続される。
する場合、例えば、切替制御手段から第2及び第3のス
イッチ手段に対する個別の制御信号が与えられて、試験
用の接続が構成される。そして、試験用の接続構成を順
次変更して、内部ノードの内のいずれか1つに試験用の
信号を出力し、他の内部ノードの信号を入力することに
より、ブロック間配線の断線や短絡を検出することがで
きる。
LSIの概略の構成図である。このLSIは、相互に接
続されて所定の機能を実現する2つの機能ブロック1,
2を備えている。機能ブロック1は、機能ブロック2側
に接続するための端子1a,1b,1cを有し、これら
の端子1a〜1cが、接続切替部10を介してブロック
間配線3a,3b,3cの一端に接続されている。一
方、機能ブロック2は、機能ブロック1側に接続するた
めの端子2a,2b,2cを有し、これらの端子2a〜
2cが、接続切替部20を介してブロック間配線3a〜
3cの他端に接続されている。
1a〜1cと、この接続切替部10内のノードN1a,
N1b,N1cとの間の接続を、それぞれオン/オフす
るスイッチ手段(例えば、トランスファ・ゲート、以
下、「TG」という)11a,11b,11cを有して
いる。また、ノードN1a〜N1cとブロック間配線3
a〜3cとの間は、TG12a,12b,12cを介し
て接続されている。
3bを介して接続され、ノードN1b,N1c間は、T
G13cを介して接続されている。そして、TG11a
〜11cは、切替制御手段(例えば、切替制御部)14
の端子TSから出力される試験信号TS2によって一括
制御され、TG12a〜12c,13a〜13cは、そ
れぞれ切替制御部14の端子S21,S13から出力さ
れる制御信号S12a〜S12c,S13a〜S13c
によって、個別に制御されるようになっている。
子SIに直接接続され、このノードN1cの信号が入力
信号SI1として切替制御部14に与えられるようにな
っている。更に、切替制御部14の端子SOから出力さ
れる出力信号SO1が、TG13aを介してノードN1
aに与えられるようになっている。
である。即ち、機能ブロック2の端子2a〜2cと、こ
の接続切替部20内のノードN2a〜N2cとの間がT
G21a〜21cを介して接続され、これらのノードN
2a〜N2cとブロック間配線3a〜3cとの間がTG
22a〜22cを介して接続されている。また、ノード
N2a,N2b間はTG23bを介して接続され、ノー
ドN2b,N2c間はTG23cを介して接続されてい
る。そして、TG21a〜21cは、切替制御部24の
端子TSから出力される試験信号TS2によって一括制
御され、TG22a〜23cは、それぞれ切替制御部2
4の端子S22から出力される制御信号S22a〜S2
3cによって個別に制御されるようになっている。
子SIに直接接続され、このノードN2cの信号が入力
信号SI2として、この切替制御部24に与えられるよ
うになっている。更に、切替制御部24の端子SOから
出力される出力信号SO2が、TG23aを介してノー
ドN2aに与えられるようになっている。
る。このTG11aは、PチャネルMOSトランジスタ
(以下、「PMOS」という)とNチャネルMOSトラ
ンジスタ(以下、「NMOS」という)を有しており、
機能ブロック1の端子1aと接続切替部10のノードN
1aとの間に、これらのPMOSとNMOSが並列に接
続されている。NMOSのゲートには、切替制御部14
から試験信号TSが与えられ、PMOSのゲートには、
この試験信号TSがインバータINVで反転されて与え
られるようになっている。
の時、PMOSとNMOSがオンとなって、端子1aと
ノードN1aとの間が接続される。また、試験信号TS
がレベル“L”の時には、PMOSとNMOSがオフと
なって、端子1aとノードN1aとの間が切断されるよ
うになっている。なお、このTG11aに限らず、図1
中のTGは、すべて同様の構成となっている。
線の断線検出処理、(2)ブロック間配線の短絡検出処
理、及び(3)通常動作に分けて説明する。 (1) ブロック間配線の断線検出処理 まず、ブロック間配線3a〜3cに断線箇所が有るか否
かを調べるため、試験信号TS1,TS2を“L”に設
定してTG11a〜11c,TG21a〜21cをオフ
にし、機能ブロック1,2を接続切替部10,20から
切り離す。また、3本のブロック間配線3a〜3cが直
列に接続されるように、各TGのオン/オフを設定す
る。
cと接続切替部20のTG22a〜22cを、すべてオ
ンに設定する。更に、接続切替部10のTG13a,1
3cをオンに、TG13bをオフに設定する。また、接
続切替部20のTG23a,23cをオフに、TG23
bをオンに設定する。
制御部14の端子SOから出力信号SO1を“H”,
“L”に切り替えて出力し、切替制御部24の端子SI
の入力信号SI2をチェックする。入力信号SI2が出
力信号SO1に従って変化すれば、ブロック間配線3a
〜3cに断線箇所は存在しないと判定される。もしも、
入力信号SI2が出力信号SO1に従って変化しなけれ
ば、断線箇所が有ると判定される。
ク間配線3a〜3cの断線を個別にチェックする。例え
ば、ブロック間配線3aをチェックするときには、接続
切替部10のTG12a,13aをオンに、TG12
b,12c,13b,13cをオフに設定し、接続切替
部20のTG22a,23b,23cをオンに、TG2
2b,22c,23aをオフに設定する。
を“H”,“L”に切り替えて出力し、切替制御部24
の入力信号SI2をチェックする。入力信号SI2が出
力信号SO1に従って変化すれば、ブロック間配線3a
は正常と判定される。もしも、入力信号SI2が出力信
号SO1に従って変化しなければ、断線していると判定
される。ブロック間配線3b,3cも、ほぼ同様の設定
によって断線の有無が検出される。
箇所が有るか否かを個別に調べる。この時、試験信号T
Sは“L”で、機能ブロック1,2は切り離された状態
のままである。
絡を調べる場合、接続切替部10のTG12a,13a
をオンに、TG12b,12c,13b,13cをオフ
に設定し、接続切替部20のTG22b,23cをオン
に、TG22a,22c,23a,23bをオフに設定
する。そして、切替制御部14の出力信号SO1を
“H”,“L”に切り替えて出力し、切替制御部24の
入力信号SI2をチェックする。
O1に従って変化しなければ、短絡は無いと判定され
る。もしも、入力信号SI2が出力信号SO1に従って
変化すれば、ブロック間配線3a,3b間が短絡してい
ると判定される。
ブロック間配線3c,3aの短絡も、ほぼ同様の設定に
よって調べることができる。
ば、通常動作用の設定が行われる。この場合は、試験信
号TS1,TS2を“H”に設定し、TG11a〜11
c,TG21a〜21cをオンにして、機能ブロック
1,2をそれぞれ接続切替部10,20に接続する。ま
た、接続切替部10のTG12a〜12cと接続切替部
20のTG22a〜22cを、すべてオンに設定する。
更に、接続切替部10のTG13a〜13cと、接続切
替部20のTG23a〜23cをオフに設定する。これ
により、機能ブロック1,2は、ブロック間配線3a〜
3cによって、相互に接続される。
ブロック1,2とブロック間配線3a〜3cとの間を自
由に切り替えて接続するための複数のTGと、これらの
ブロック間配線3a〜3cに出力信号SO1,SO2を
与え、入力信号SI1,SI2をチェックする接続切替
部10,20を有している。これにより、機能ブロック
1,2間のブロック間配線3a〜3cの検査を容易に行
うことができるという利点がある。
ず、種々の変形が可能である。この変形例としては、例
えば、次のようなものがある。 (a) ブロック間配線3a〜3cの本数は、3本に限
定されない。
数は、2個に限定されない。3個以上の機能ブロックを
有するLSIの場合は、各機能ブロック間のブロック間
配線の両端に、接続切替部を設ければ良い。
TGのオン/オフ設定は、説明したものに限定されな
い。即ち、断線や短絡の箇所を特定することができるよ
うな接続となれば良い。
続を切り替えるスイッチ手段として、図2のようなTG
を用いているが、TGの構成はこれに限定されない。例
えば、NMOSまたはPMOSの一方だけを使用するこ
とができる。また、3ステートバッファ等のスイッチ機
能を有する回路を用いることもできる。
TS2や制御信号S12a,13a等を、切替制御部1
4,24から出力するようにしているが、外部端子から
与えるようにしても良い。また、出力信号SO1,SO
2や入力信号SI1,SI2も、外部端子から入出力す
るようにしても良い。
は、実際に使用する配線の数と同じ数である必要はな
い。例えば、1本乃至数本の予備のブロック間配線を用
意しておき、ブロック間配線に断線や短絡が有った場合
に、TGによって予備のブロック間配線に切り替えるよ
うにすることができる。
によれば、試験信号によって機能ブロックと内部ノード
の間をオン/オフする第1のスイッチ手段と、個別の制
御信号によって内部ノードとブロック間配線の間をオン
/オフする第2のスイッチ手段と、複数の内部ノード間
をオン/オフする第3のスイッチ手段を有している。こ
れにより、ブロック間配線を任意に接続することが可能
になり、このブロック間配線の状態を検査することがで
きる。
ッチ手段に対する個別の制御信号を生成すると共に、内
部ノードに試験用の信号を出力してブロック間配線を介
して他の内部ノードに伝達された信号を入力し、ブロッ
ク間配線の断線や短絡を検出する切替制御手段を有して
いる。これにより、ブロック間配線の断線や短絡を容易
に検出することができる。
である。
スファ・ゲート) 14,24 切替制御部
Claims (2)
- 【請求項1】 所定の機能を有する複数の機能ブロック
と、これらの機能ブロック間を接続する複数のブロック
間配線とを備えた集積回路において、 前記機能ブロックと前記ブロック間配線の間に配置さ
れ、試験信号によって該機能ブロックと複数の内部ノー
ドとの間の接続を一括してオン/オフする第1のスイッ
チ手段と、 個別の制御信号によって前記内部ノードと前記ブロック
間配線との間の接続を個別にオン/オフする第2のスイ
ッチ手段と、 個別の制御信号によって前記複数の内部ノードの間の接
続を個別にオン/オフする第3のスイッチ手段とを、 設けたことを特徴とする集積回路 - 【請求項2】 前記第2及び第3のスイッチ手段に対す
る個別の制御信号を生成してブロック間配線を切り替え
ると共に、前記内部ノードの内のいずれか1つに試験用
の信号を出力し、該内部ノードの内の他の1つに伝達さ
れた信号を入力して前記ブロック間配線の断線や短絡を
検出する切替制御手段を設けたことを特徴とする請求項
1記載の集積回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001124465A JP4310052B2 (ja) | 2001-04-23 | 2001-04-23 | 集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001124465A JP4310052B2 (ja) | 2001-04-23 | 2001-04-23 | 集積回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002319626A true JP2002319626A (ja) | 2002-10-31 |
JP4310052B2 JP4310052B2 (ja) | 2009-08-05 |
Family
ID=18973849
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001124465A Expired - Fee Related JP4310052B2 (ja) | 2001-04-23 | 2001-04-23 | 集積回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4310052B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005210122A (ja) * | 2004-01-20 | 2005-08-04 | Samsung Electronics Co Ltd | 半導体素子のテストパターン及びこれを用いたテスト方法 |
-
2001
- 2001-04-23 JP JP2001124465A patent/JP4310052B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005210122A (ja) * | 2004-01-20 | 2005-08-04 | Samsung Electronics Co Ltd | 半導体素子のテストパターン及びこれを用いたテスト方法 |
JP4576242B2 (ja) * | 2004-01-20 | 2010-11-04 | 三星電子株式会社 | 半導体素子のテストパターン及びこれを用いたテスト方法 |
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JP4310052B2 (ja) | 2009-08-05 |
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