JP2002317296A - プリント配線基材及び電解スズ系合金メッキ方法 - Google Patents
プリント配線基材及び電解スズ系合金メッキ方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 槍状析出物の発生のないスズ系合金メッキを
有するプリント配線基材及び電解スズ系合金メッキ方法
を提供する。 【解決手段】 絶縁基材１１と、この絶縁基材１１の一
方面に導電層２０から形成された配線パターン１２とを
具備し、前記配線パターン１２の少なくとも一部にスズ
系合金からなるスズ系合金メッキ層２５を具備するプリ
ント配線基材１０において、前記スズ系合金メッキ層２
５の平均メッキ皮膜粒径が、２μｍ以下である。
有するプリント配線基材及び電解スズ系合金メッキ方法
を提供する。 【解決手段】 絶縁基材１１と、この絶縁基材１１の一
方面に導電層２０から形成された配線パターン１２とを
具備し、前記配線パターン１２の少なくとも一部にスズ
系合金からなるスズ系合金メッキ層２５を具備するプリ
ント配線基材１０において、前記スズ系合金メッキ層２
５の平均メッキ皮膜粒径が、２μｍ以下である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子部品を実装す
るために用いる配線パターンの少なくとも一部にスズ系
合金メッキを施したプリント配線基材及びプリント配線
基材への電解スズ系合金メッキ方法に関する。なお、プ
リント配線基材とは、硬質の絶縁基板を用いたリジット
配線基材や可撓性のあるフィルムを絶縁基板としたフレ
キシブル配線基板をいい、フレキシブル配線基材として
は、ＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄ
ｉｎｇ）、ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｆｉｌｍ）、ＣＳ
Ｐ（Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ Ｐａｃｋａｇｅ）、ＢＧＡ
（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）、μ−ＢＧＡ（μ
−Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）、ＦＣ（Ｆｌｉｐ
Ｃｈｉｐ）、ＱＦＰ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａ
ｇｅ）などに用いられるフィルムキャリアテープを挙げ
ることができる。
るために用いる配線パターンの少なくとも一部にスズ系
合金メッキを施したプリント配線基材及びプリント配線
基材への電解スズ系合金メッキ方法に関する。なお、プ
リント配線基材とは、硬質の絶縁基板を用いたリジット
配線基材や可撓性のあるフィルムを絶縁基板としたフレ
キシブル配線基板をいい、フレキシブル配線基材として
は、ＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄ
ｉｎｇ）、ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｆｉｌｍ）、ＣＳ
Ｐ（Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ Ｐａｃｋａｇｅ）、ＢＧＡ
（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）、μ−ＢＧＡ（μ
−Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）、ＦＣ（Ｆｌｉｐ
Ｃｈｉｐ）、ＱＦＰ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａ
ｇｅ）などに用いられるフィルムキャリアテープを挙げ
ることができる。
【０００２】
【従来の技術】エレクトロニクス産業の発達に伴い、Ｉ
Ｃ（集積回路）、ＬＳＩ（大規模集積回路）等の電子部
品を実装するプリント配線板の需要が急激に増加してい
るが、電子機器の小型化、軽量化、高機能化が要望さ
れ、これら電子部品の実装方法として、最近ではＴＡＢ
テープ、ＣＯＦテープ、ＣＳＰテープなどのフィルムキ
ャリアテープを用いた実装方式が採用されている。
Ｃ（集積回路）、ＬＳＩ（大規模集積回路）等の電子部
品を実装するプリント配線板の需要が急激に増加してい
るが、電子機器の小型化、軽量化、高機能化が要望さ
れ、これら電子部品の実装方法として、最近ではＴＡＢ
テープ、ＣＯＦテープ、ＣＳＰテープなどのフィルムキ
ャリアテープを用いた実装方式が採用されている。
【０００３】このようなプリント配線基材のうちのフレ
キシブル配線基材は、一般的に、連続した絶縁フィルム
上に、金属箔を接着、ラミネートすること又はスパッタ
リングや真空蒸着法あるいは無電解銅メッキにより極め
て薄い導電層を設け、この導電層の上に電気銅メッキを
施すという工程を経て積層基板を作製し、作製された積
層基板をフォトリソグラフィー法により所定のパターン
に形成後さらに表面仕上げ電気メッキを行うことによっ
て製造される。かかるフレキシブル配線基材は、絶縁フ
ィルム上に導体層及び導体層表面仕上げ用の電気メッキ
層からなる配線パターンを有するものとなる。
キシブル配線基材は、一般的に、連続した絶縁フィルム
上に、金属箔を接着、ラミネートすること又はスパッタ
リングや真空蒸着法あるいは無電解銅メッキにより極め
て薄い導電層を設け、この導電層の上に電気銅メッキを
施すという工程を経て積層基板を作製し、作製された積
層基板をフォトリソグラフィー法により所定のパターン
に形成後さらに表面仕上げ電気メッキを行うことによっ
て製造される。かかるフレキシブル配線基材は、絶縁フ
ィルム上に導体層及び導体層表面仕上げ用の電気メッキ
層からなる配線パターンを有するものとなる。
【０００４】このような電気メッキによるメッキ層とし
ては、スズ又はスズ合金からなるスズ系合金が用いられ
ている。例えば、従来より一般的には、スズ−鉛合金が
用いられており、また、国際的な鉛フリー化によって、
スズ−鉛合金の代わりにスズ−ビスマス合金等が用いら
れている。
ては、スズ又はスズ合金からなるスズ系合金が用いられ
ている。例えば、従来より一般的には、スズ−鉛合金が
用いられており、また、国際的な鉛フリー化によって、
スズ−鉛合金の代わりにスズ−ビスマス合金等が用いら
れている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】このようなスズ系合金
のメッキにおいては、配線パターンから面方向に槍状析
出物が多数発生するという問題がある。例えば、図１１
及び図１２に示すように、レジスト０１が設けられてい
ないエリアに複数配列された配線端子０２の幅方向に突
出するように槍状析出物０３が発生する。かかる槍状析
出物０３は、長いものでは５０μｍ以上となるので、端
子間でショートする事態も発生し、歩留まりを大幅に低
下させるという問題がある。このような問題は、特に高
密度化された配線パターンにおいては致命的な問題であ
り、歩留まりに深刻な影響を及ぼすことが容易に予想さ
れる。
のメッキにおいては、配線パターンから面方向に槍状析
出物が多数発生するという問題がある。例えば、図１１
及び図１２に示すように、レジスト０１が設けられてい
ないエリアに複数配列された配線端子０２の幅方向に突
出するように槍状析出物０３が発生する。かかる槍状析
出物０３は、長いものでは５０μｍ以上となるので、端
子間でショートする事態も発生し、歩留まりを大幅に低
下させるという問題がある。このような問題は、特に高
密度化された配線パターンにおいては致命的な問題であ
り、歩留まりに深刻な影響を及ぼすことが容易に予想さ
れる。
【０００６】本発明は、このような事情に鑑み、槍状析
出物の発生のないスズ系合金メッキを有するプリント配
線基材及び電解スズ系合金メッキ方法を提供することを
課題とする。
出物の発生のないスズ系合金メッキを有するプリント配
線基材及び電解スズ系合金メッキ方法を提供することを
課題とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決する本発
明の第１の態様は、絶縁基材と、この絶縁基材の一方面
に導電層から形成された配線パターンとを具備し、前記
配線パターンの少なくとも一部にスズ系合金からなるス
ズ系合金メッキ層を具備するプリント配線基材におい
て、前記スズ系合金メッキ層の平均メッキ皮膜粒径が、
２μｍ以下であることを特徴とするプリント配線基材に
ある。
明の第１の態様は、絶縁基材と、この絶縁基材の一方面
に導電層から形成された配線パターンとを具備し、前記
配線パターンの少なくとも一部にスズ系合金からなるス
ズ系合金メッキ層を具備するプリント配線基材におい
て、前記スズ系合金メッキ層の平均メッキ皮膜粒径が、
２μｍ以下であることを特徴とするプリント配線基材に
ある。
【０００８】かかる第１の態様では、スズ系合金メッキ
層の平均メッキ皮膜粒径が２μｍ以下であるので、槍状
析出物がほとんど発生しておらず、配線端子間のショー
トなどの虞もないものである。
層の平均メッキ皮膜粒径が２μｍ以下であるので、槍状
析出物がほとんど発生しておらず、配線端子間のショー
トなどの虞もないものである。
【０００９】本発明の第２の態様は、第１の態様におい
て、前記スズ系合金メッキ層のメッキ厚が、３５μｍ以
下であることを特徴とするプリント配線基材にある。
て、前記スズ系合金メッキ層のメッキ厚が、３５μｍ以
下であることを特徴とするプリント配線基材にある。
【００１０】かかる第２の態様では、スズ系合金メッキ
層のメッキ厚が３５μｍ以下であるので、槍状析出物が
さらに発生し難い。
層のメッキ厚が３５μｍ以下であるので、槍状析出物が
さらに発生し難い。
【００１１】本発明の第３の態様は、第１又は２の態様
において、前記スズ系合金が、スズ−ビスマス合金であ
ることを特徴とするプリント配線基材にある。
において、前記スズ系合金が、スズ−ビスマス合金であ
ることを特徴とするプリント配線基材にある。
【００１２】かかる第３の態様では、スズ−ビスマス合
金からなる配線パターンにおいて槍状析出物の発生がほ
とんどない。
金からなる配線パターンにおいて槍状析出物の発生がほ
とんどない。
【００１３】本発明の第４の態様は、第１〜３の何れか
の態様において、前記絶縁基材が可撓性を有するフィル
ムであることを特徴とするプリント配線基材にある。
の態様において、前記絶縁基材が可撓性を有するフィル
ムであることを特徴とするプリント配線基材にある。
【００１４】かかる第４の態様では、槍状析出物の発生
のないスズ系合金メッキ層を有するフレキシブル配線基
材となる。
のないスズ系合金メッキ層を有するフレキシブル配線基
材となる。
【００１５】本発明の第５の態様は、第１〜４の何れか
の態様において、前記スズ系合金メッキ層が、パルス電
圧を印加した電解メッキにより形成されたものであるこ
とを特徴とするプリント配線基材にある。
の態様において、前記スズ系合金メッキ層が、パルス電
圧を印加した電解メッキにより形成されたものであるこ
とを特徴とするプリント配線基材にある。
【００１６】かかる第５の態様では、パルス電圧を印加
した電解メッキにより、平均メッキ皮膜粒径が２μｍ以
下のスズ系合金メッキ層が容易に形成され、槍状析出物
の発生が有効に防止される。
した電解メッキにより、平均メッキ皮膜粒径が２μｍ以
下のスズ系合金メッキ層が容易に形成され、槍状析出物
の発生が有効に防止される。
【００１７】本発明の第６の態様は、プリント配線基材
の配線パターンの少なくとも一部にスズ系合金からなる
スズ系合金メッキ層を形成する際に、メッキ電極間にパ
ルス電圧を印加することを特徴とする電解スズ系合金メ
ッキ方法にある。
の配線パターンの少なくとも一部にスズ系合金からなる
スズ系合金メッキ層を形成する際に、メッキ電極間にパ
ルス電圧を印加することを特徴とする電解スズ系合金メ
ッキ方法にある。
【００１８】かかる第６の態様では、パルス電圧を印加
した電解メッキを施すことにより、槍状析出物の発生が
有効に防止されたスズ系合金メッキ層が形成される。
した電解メッキを施すことにより、槍状析出物の発生が
有効に防止されたスズ系合金メッキ層が形成される。
【００１９】本発明の第７の態様は、第６の態様におい
て、前記メッキ電極間にパルス電圧を印加するのに、直
流電圧を規則的に断続させるチョッパを使用することを
特徴とする電解スズ系合金メッキ方法にある。
て、前記メッキ電極間にパルス電圧を印加するのに、直
流電圧を規則的に断続させるチョッパを使用することを
特徴とする電解スズ系合金メッキ方法にある。
【００２０】かかる第７の態様では、直流電圧を規則的
に断続させるチョッパを使用することにより、比較的容
易にパルス電圧を印加することができる。
に断続させるチョッパを使用することにより、比較的容
易にパルス電圧を印加することができる。
【００２１】本発明の第８の態様は、第６又は７の態様
において、前記パルス電圧は、印加時間全体に対する通
電時間の比であるデューティ比Ｄが１／２以下となるよ
うに印加されることを特徴とする電解スズ系合金メッキ
方法にある。
において、前記パルス電圧は、印加時間全体に対する通
電時間の比であるデューティ比Ｄが１／２以下となるよ
うに印加されることを特徴とする電解スズ系合金メッキ
方法にある。
【００２２】かかる第８の態様では、前記パルス電圧が
デューティ比Ｄが１／２以下となるように印加されるこ
とにより、槍状析出物の発生が有効に防止されたスズ系
合金メッキ層が形成される。
デューティ比Ｄが１／２以下となるように印加されるこ
とにより、槍状析出物の発生が有効に防止されたスズ系
合金メッキ層が形成される。
【００２３】本発明の第９の態様は、第６又は７の態様
において、前記パルス電圧は、印加時間全体に対する通
電時間の比であるデューティ比Ｄが１／３以下となるよ
うに印加されることを特徴とする電解スズ系合金メッキ
方法にある。
において、前記パルス電圧は、印加時間全体に対する通
電時間の比であるデューティ比Ｄが１／３以下となるよ
うに印加されることを特徴とする電解スズ系合金メッキ
方法にある。
【００２４】かかる第９の態様では、前記パルス電圧が
デューティ比Ｄが１／３以下となるように印加されるこ
とにより、槍状析出物の発生が有効に防止されたスズ系
合金メッキ層が形成される。
デューティ比Ｄが１／３以下となるように印加されるこ
とにより、槍状析出物の発生が有効に防止されたスズ系
合金メッキ層が形成される。
【００２５】本発明の第１０の態様は、第６〜９の何れ
かの態様において、前記スズ系合金メッキ層の平均メッ
キ皮膜粒径を２μｍ以下とすることを特徴とする電解ス
ズ系合金メッキ方法にある。
かの態様において、前記スズ系合金メッキ層の平均メッ
キ皮膜粒径を２μｍ以下とすることを特徴とする電解ス
ズ系合金メッキ方法にある。
【００２６】かかる第１０の態様では、パルス電圧を印
加した電解メッキを施してスズ系合金メッキ層の平均メ
ッキ皮膜粒径を２μｍ以下とすることにより、槍状析出
物の発生が有効に防止されたスズ系合金メッキ層が形成
される。
加した電解メッキを施してスズ系合金メッキ層の平均メ
ッキ皮膜粒径を２μｍ以下とすることにより、槍状析出
物の発生が有効に防止されたスズ系合金メッキ層が形成
される。
【００２７】本発明の第１１の態様は、第６〜１０の何
れかの態様において、前記スズ系合金メッキ層のメッキ
厚を３５μｍ以下とすることを特徴とする電解スズ系合
金メッキ方法にある。
れかの態様において、前記スズ系合金メッキ層のメッキ
厚を３５μｍ以下とすることを特徴とする電解スズ系合
金メッキ方法にある。
【００２８】かかる第１１の態様では、パルス電圧を印
加した電解メッキを施してスズ系合金メッキ層のメッキ
厚が３５μｍ以下とすることにより、槍状析出物の発生
が有効に防止されたスズ系合金メッキ層が形成される。
加した電解メッキを施してスズ系合金メッキ層のメッキ
厚が３５μｍ以下とすることにより、槍状析出物の発生
が有効に防止されたスズ系合金メッキ層が形成される。
【００２９】本発明の第１２の態様は、第６〜１１の何
れかの態様において、前記プリント配線基材の一部をメ
ッキ液に浸漬した状態でパルス電圧を印加することによ
り前記配線パターンの一部に前記スズ系合金メッキ層を
形成することを特徴とする電解スズ系合金メッキ方法に
ある。
れかの態様において、前記プリント配線基材の一部をメ
ッキ液に浸漬した状態でパルス電圧を印加することによ
り前記配線パターンの一部に前記スズ系合金メッキ層を
形成することを特徴とする電解スズ系合金メッキ方法に
ある。
【００３０】かかる第１２の態様では、プリント配線基
材の配線パターンの一部のみに容易にスズ系合金メッキ
層を形成することができる。
材の配線パターンの一部のみに容易にスズ系合金メッキ
層を形成することができる。
【００３１】本発明の第１３の態様は、第６〜１２の何
れかの態様において、前記プリント配線基材は、可撓性
を有するフィルムからなる絶縁基材上に前記配線パター
ンを有することを特徴とする電解スズ系合金メッキ方法
にある。
れかの態様において、前記プリント配線基材は、可撓性
を有するフィルムからなる絶縁基材上に前記配線パター
ンを有することを特徴とする電解スズ系合金メッキ方法
にある。
【００３２】かかる第１３の態様では、槍状析出物の発
生のないスズ系合金メッキ層を有するフレキシブル配線
基材を製造できる。
生のないスズ系合金メッキ層を有するフレキシブル配線
基材を製造できる。
【００３３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態に係る
フレキシブル配線基材をその製造方法及び使用例と共に
説明する。勿論、本発明はこれに限定されるものでない
ことはいうまでもない。
フレキシブル配線基材をその製造方法及び使用例と共に
説明する。勿論、本発明はこれに限定されるものでない
ことはいうまでもない。
【００３４】図１には実施形態１に係るフレキシブル配
線基材の概略平面、図２には電子部品を実装した状態の
Ａ−Ａ′断面を示す。
線基材の概略平面、図２には電子部品を実装した状態の
Ａ−Ａ′断面を示す。
【００３５】図１及び図２に示すように、本実施形態の
フレキシブル配線基材１０は、ＴＡＢテープであり、テ
ープ状の絶縁フィルム１１の一方面に、複数の配線パタ
ーン１２が連続的に形成されている。絶縁フィルム１１
は、幅方向両側に移送用のスプロケット孔１３を一定間
隔で有し、一般的には、移送されながらＩＣ等の電子部
品３０が実装され、電子部品３０実装後、各配線パター
ン１２毎に切断される。このようなフレキシブル配線基
材１０は、電子部品３０が実装された後、各配線パター
ン１２毎に切断される場合と、各配線パターン１２毎に
切断された後、電子部品３０が実装される場合がある。
なお、テープ状の状態の場合も、各配線パターン１２毎
に切断した場合も、フレキシブル配線基材１０であり、
電子部品３０の実装の有無も問わない。
フレキシブル配線基材１０は、ＴＡＢテープであり、テ
ープ状の絶縁フィルム１１の一方面に、複数の配線パタ
ーン１２が連続的に形成されている。絶縁フィルム１１
は、幅方向両側に移送用のスプロケット孔１３を一定間
隔で有し、一般的には、移送されながらＩＣ等の電子部
品３０が実装され、電子部品３０実装後、各配線パター
ン１２毎に切断される。このようなフレキシブル配線基
材１０は、電子部品３０が実装された後、各配線パター
ン１２毎に切断される場合と、各配線パターン１２毎に
切断された後、電子部品３０が実装される場合がある。
なお、テープ状の状態の場合も、各配線パターン１２毎
に切断した場合も、フレキシブル配線基材１０であり、
電子部品３０の実装の有無も問わない。
【００３６】また、絶縁フィルム１１の幅方向両端部に
は、スプロケット孔１３が設けられているが、絶縁フィ
ルム１１にスプロケット孔１３と共に位置合わせのため
の貫通孔、不良パッケージ表示、パッケージ外形などの
種々の目的に合わせた貫通孔が形成されていてもよい。
は、スプロケット孔１３が設けられているが、絶縁フィ
ルム１１にスプロケット孔１３と共に位置合わせのため
の貫通孔、不良パッケージ表示、パッケージ外形などの
種々の目的に合わせた貫通孔が形成されていてもよい。
【００３７】配線パターン１２は、実装する電子部品３
０と接続するデバイス側接続端子１４と、外部と接続す
る入力側外部接続端子１５及び出力側外部接続端子１６
とを具備し、これらを除く領域が、ソルダーレジスト層
１７によって覆われている。
０と接続するデバイス側接続端子１４と、外部と接続す
る入力側外部接続端子１５及び出力側外部接続端子１６
とを具備し、これらを除く領域が、ソルダーレジスト層
１７によって覆われている。
【００３８】ここで、絶縁フィルム１１としては、可撓
性を有すると共に耐薬品性及び耐熱性を有する材料を用
いることができる。かかる絶縁フィルム１１の材料とし
ては、ポリエステル、ポリアミド、ポリイミド等を挙げ
ることができ、特に、ビフェニル骨格を有する全芳香族
ポリイミド（例えば、商品名：ユーピレックス；宇部興
産（株））が好ましい。なお、絶縁フィルム１１の厚さ
は、一般的には、２５〜１２５μｍ、好ましくは、５０
〜７５μｍである。
性を有すると共に耐薬品性及び耐熱性を有する材料を用
いることができる。かかる絶縁フィルム１１の材料とし
ては、ポリエステル、ポリアミド、ポリイミド等を挙げ
ることができ、特に、ビフェニル骨格を有する全芳香族
ポリイミド（例えば、商品名：ユーピレックス；宇部興
産（株））が好ましい。なお、絶縁フィルム１１の厚さ
は、一般的には、２５〜１２５μｍ、好ましくは、５０
〜７５μｍである。
【００３９】このような絶縁フィルム１１は、配線パタ
ーン１２の所定の領域にデバイスホール１８がパンチン
グにより形成されている。配線パターン１２のデバイス
側接続端子１４は、デバイスホール１８の縁部からデバ
イスホール１８内に突出するように設けられており、こ
のデバイス側接続端子１４には、例えば、金（Ａｕ）か
らなるバンプ３１を介して電子部品３０が接続されてい
る。詳しくは、電子部品３０は、デバイスホール１８よ
りも小さな外形を有し、電子部品３０の電極３２に施さ
れたバンプ３１を介してデバイスホール１８内に突出し
たデバイス側接続端子１４と電気的に接続されている。
ーン１２の所定の領域にデバイスホール１８がパンチン
グにより形成されている。配線パターン１２のデバイス
側接続端子１４は、デバイスホール１８の縁部からデバ
イスホール１８内に突出するように設けられており、こ
のデバイス側接続端子１４には、例えば、金（Ａｕ）か
らなるバンプ３１を介して電子部品３０が接続されてい
る。詳しくは、電子部品３０は、デバイスホール１８よ
りも小さな外形を有し、電子部品３０の電極３２に施さ
れたバンプ３１を介してデバイスホール１８内に突出し
たデバイス側接続端子１４と電気的に接続されている。
【００４０】配線パターン１２は、絶縁フィルム１１に
形成されたデバイスホール１８及びスプロケット孔１３
などが形成された一方の面に、一般的には、銅やアルミ
ニウムからなる導電体箔などの導電層２０をパターニン
グすることにより形成される。このような導電層２０
は、絶縁フィルム１１上に直接積層しても、接着剤層を
介して熱圧着等により形成してもよい。導電層２０の厚
さは、例えば、６〜７０μｍ、好ましくは、８〜３５μ
ｍである。導電体箔からなる導電層２０としては、銅箔
が好ましい。
形成されたデバイスホール１８及びスプロケット孔１３
などが形成された一方の面に、一般的には、銅やアルミ
ニウムからなる導電体箔などの導電層２０をパターニン
グすることにより形成される。このような導電層２０
は、絶縁フィルム１１上に直接積層しても、接着剤層を
介して熱圧着等により形成してもよい。導電層２０の厚
さは、例えば、６〜７０μｍ、好ましくは、８〜３５μ
ｍである。導電体箔からなる導電層２０としては、銅箔
が好ましい。
【００４１】なお、絶縁フィルム１１上に導電体箔を設
けるのではなく、導電体箔に、例えば、ポリイミド前駆
体を塗布し、焼成してポリイミドフィルムからなる絶縁
フィルムとすることもできる。
けるのではなく、導電体箔に、例えば、ポリイミド前駆
体を塗布し、焼成してポリイミドフィルムからなる絶縁
フィルムとすることもできる。
【００４２】また、絶縁フィルム１１上に設けられた導
電層２０は、フォトリソグラフィー法により、デバイス
側接続端子１４、入力側外部接続端子１５及び出力側外
部接続端子１６を含む配線パターン１２としてパターニ
ングされる。すなわち、フォトレジスト層を塗布した
後、フォトレジスト層をフォトマスクを介してエッチン
グ液で化学的に溶解（エッチング処理）して除去し、さ
らにフォトレジストをアルカリ液等にて溶解除去するこ
とにより導電体箔をパターニングする。
電層２０は、フォトリソグラフィー法により、デバイス
側接続端子１４、入力側外部接続端子１５及び出力側外
部接続端子１６を含む配線パターン１２としてパターニ
ングされる。すなわち、フォトレジスト層を塗布した
後、フォトレジスト層をフォトマスクを介してエッチン
グ液で化学的に溶解（エッチング処理）して除去し、さ
らにフォトレジストをアルカリ液等にて溶解除去するこ
とにより導電体箔をパターニングする。
【００４３】なお、絶縁フィルム１１上の幅方向両側に
は、配線パターン１２に連続して、入力側外部接続端子
１５及び出力側外部接続端子１６のそれぞれに亘ってメ
ッキリード２１及びこれらを相互に導通する導通部２２
がパターニングされている。これらは後述するメッキ時
に使用されるもので、その後、除去できる領域に形成さ
れている。
は、配線パターン１２に連続して、入力側外部接続端子
１５及び出力側外部接続端子１６のそれぞれに亘ってメ
ッキリード２１及びこれらを相互に導通する導通部２２
がパターニングされている。これらは後述するメッキ時
に使用されるもので、その後、除去できる領域に形成さ
れている。
【００４４】次いで、このようにエッチングによりパタ
ーニングされた配線パターン１２上には、ソルダーレジ
スト材料塗布液が塗布され、所定のパターニングによ
り、ソルダーレジスト層１７が形成される。
ーニングされた配線パターン１２上には、ソルダーレジ
スト材料塗布液が塗布され、所定のパターニングによ
り、ソルダーレジスト層１７が形成される。
【００４５】さらに、ソルダーレジスト層１７により覆
われていない配線パターン１２上、すなわち、デバイス
側接続端子１４、入力側外部接続端子１５及び出力側外
部接続端子１６上には、メッキ層２５が形成される。具
体的には、デバイス側接続端子１４上には、スズからな
る第１のメッキ層２５ａが設けられ、入力側外部接続端
子１５及び出力側外部接続端子１６上には、スズからな
る第１のメッキ層２５ａとこの上にスズ−ビスマス合金
からなる第２のメッキ層２５ｂとが設けられている。
われていない配線パターン１２上、すなわち、デバイス
側接続端子１４、入力側外部接続端子１５及び出力側外
部接続端子１６上には、メッキ層２５が形成される。具
体的には、デバイス側接続端子１４上には、スズからな
る第１のメッキ層２５ａが設けられ、入力側外部接続端
子１５及び出力側外部接続端子１６上には、スズからな
る第１のメッキ層２５ａとこの上にスズ−ビスマス合金
からなる第２のメッキ層２５ｂとが設けられている。
【００４６】本実施形態では、スズからなる第１のメッ
キ層２５ａは無電解メッキで形成し、スズ−ビスマス合
金からなる第２のメッキ層２５ｂは、詳細は後述する本
発明に係る電解スズ系合金メッキ方法により形成した。
なお、スズからなる第１のメッキ層２５ａも本発明に係
る電解スズ系合金メッキ方法により形成してもよい。
キ層２５ａは無電解メッキで形成し、スズ−ビスマス合
金からなる第２のメッキ層２５ｂは、詳細は後述する本
発明に係る電解スズ系合金メッキ方法により形成した。
なお、スズからなる第１のメッキ層２５ａも本発明に係
る電解スズ系合金メッキ方法により形成してもよい。
【００４７】ここで、スズ系合金メッキ層である第１及
び第２のメッキ層２５ａ及び２５ｂの平均メッキ皮膜粒
径は２μｍ以下であり、メッキ厚はそれぞれ３５μｍ以
下、好ましくは１０μｍ以下である。これにより、第１
及び第２のメッキ層２５ａ及び２５ｂには槍状析出物が
ほとんど発生しておらず、デバイス側接続端子１４、入
力側外部接続端子１５及び出力側外部接続端子１６の配
線端子間のショートは全くない。
び第２のメッキ層２５ａ及び２５ｂの平均メッキ皮膜粒
径は２μｍ以下であり、メッキ厚はそれぞれ３５μｍ以
下、好ましくは１０μｍ以下である。これにより、第１
及び第２のメッキ層２５ａ及び２５ｂには槍状析出物が
ほとんど発生しておらず、デバイス側接続端子１４、入
力側外部接続端子１５及び出力側外部接続端子１６の配
線端子間のショートは全くない。
【００４８】このような平均メッキ皮膜粒径は２μｍ以
下であり、メッキ厚はそれぞれ３５μｍ以下、好ましく
は１０μｍ以下であるスズ系合金メッキ層の形成方法は
特に限定されず、少なくとも平均メッキ皮膜粒径は２μ
ｍ以下となるようにメッキすれば槍状析出物はほとんど
生成することはない。実験の結果、少なくとも平均メッ
キ皮膜粒径を２μｍ以下とし、さらに必要に応じて、メ
ッキ厚を３５μｍ、好ましくは１０μｍ以下とすれば、
長さが１０μｍを超す槍状析出物はほとんど発生しない
ことが確認された。
下であり、メッキ厚はそれぞれ３５μｍ以下、好ましく
は１０μｍ以下であるスズ系合金メッキ層の形成方法は
特に限定されず、少なくとも平均メッキ皮膜粒径は２μ
ｍ以下となるようにメッキすれば槍状析出物はほとんど
生成することはない。実験の結果、少なくとも平均メッ
キ皮膜粒径を２μｍ以下とし、さらに必要に応じて、メ
ッキ厚を３５μｍ、好ましくは１０μｍ以下とすれば、
長さが１０μｍを超す槍状析出物はほとんど発生しない
ことが確認された。
【００４９】このような平均メッキ皮膜粒径が２μｍ以
下となるメッキ層を形成するメッキ方法としては、後述
するようにパルス電圧を印加してメッキする本発明のメ
ッキ方法の他、メッキ液に添加剤を添加して平均メッキ
皮膜粒径を小さくする方法が考えられる。このような添
加剤としては、例えば、アミン−アルデヒドの反応生成
物であるＲＰＡＡなどを挙げることができる。なお、こ
のような添加剤を添加して形成したスズ系合金メッキ層
は、添加剤を添加しないで形成した場合と比較して脆く
なり、曲げ強度が低下するなどの欠点を有する。
下となるメッキ層を形成するメッキ方法としては、後述
するようにパルス電圧を印加してメッキする本発明のメ
ッキ方法の他、メッキ液に添加剤を添加して平均メッキ
皮膜粒径を小さくする方法が考えられる。このような添
加剤としては、例えば、アミン−アルデヒドの反応生成
物であるＲＰＡＡなどを挙げることができる。なお、こ
のような添加剤を添加して形成したスズ系合金メッキ層
は、添加剤を添加しないで形成した場合と比較して脆く
なり、曲げ強度が低下するなどの欠点を有する。
【００５０】次に、本発明に係るスズ系合金メッキ方法
を実施するためのメッキ装置の一例を図３を参照しなが
ら説明する。
を実施するためのメッキ装置の一例を図３を参照しなが
ら説明する。
【００５１】図３に示すように、メッキ装置４０は、メ
ッキ液４１を保持するメッキ槽４２と、このメッキ槽４
２内に設けられてアノードを構成する電極４３とを有す
る。
ッキ液４１を保持するメッキ槽４２と、このメッキ槽４
２内に設けられてアノードを構成する電極４３とを有す
る。
【００５２】また、メッキ槽４２は、本実施形態のフィ
ルムキャリアテープとなる連続する絶縁フィルム１１、
すなわち、表面に導電層２０をパターニングした配線パ
ターン１２が設けられた連続する絶縁フィルム１１が、
その内部で起立した状態でメッキ液４１中に浸漬されな
がら、図示しない搬送手段によって連続的に搬送される
ように、略矩形断面形状で長手方向に延びる樋形状に構
成されている。すなわち、メッキ槽４２の長手方向両側
の壁４２ａに、それぞれスリット部４２ｂが設けられて
おり、絶縁フィルム１１は、このメッキ槽４２の長手方
向一方の壁４２ａに設けられたスリット部４２ｂからメ
ッキ槽４２内の幅方向ほぼ中央部を長手方向に搬送さ
れ、他方の壁４２ａに設けられたスリット部４２ｂを介
してメッキ槽４２の外側に搬送されるようになってい
る。なお、このメッキ槽４２には、図示しない循環装置
によって新しいメッキ液が供給されるようになってお
り、液面の高さは常に一定の位置に保持されている。
ルムキャリアテープとなる連続する絶縁フィルム１１、
すなわち、表面に導電層２０をパターニングした配線パ
ターン１２が設けられた連続する絶縁フィルム１１が、
その内部で起立した状態でメッキ液４１中に浸漬されな
がら、図示しない搬送手段によって連続的に搬送される
ように、略矩形断面形状で長手方向に延びる樋形状に構
成されている。すなわち、メッキ槽４２の長手方向両側
の壁４２ａに、それぞれスリット部４２ｂが設けられて
おり、絶縁フィルム１１は、このメッキ槽４２の長手方
向一方の壁４２ａに設けられたスリット部４２ｂからメ
ッキ槽４２内の幅方向ほぼ中央部を長手方向に搬送さ
れ、他方の壁４２ａに設けられたスリット部４２ｂを介
してメッキ槽４２の外側に搬送されるようになってい
る。なお、このメッキ槽４２には、図示しない循環装置
によって新しいメッキ液が供給されるようになってお
り、液面の高さは常に一定の位置に保持されている。
【００５３】メッキ装置４０では、陰極（カソード）
は、フレキシブル配線基材１０の配線パターン１２を構
成する導電層２０であり、この導電層２０は、メッキリ
ード２１を介して、例えば、メッキ槽４２の外側に設け
られるロール状の接触部材４５に導通し、接触部材４５
はそれぞれ電源４６に接続されている。
は、フレキシブル配線基材１０の配線パターン１２を構
成する導電層２０であり、この導電層２０は、メッキリ
ード２１を介して、例えば、メッキ槽４２の外側に設け
られるロール状の接触部材４５に導通し、接触部材４５
はそれぞれ電源４６に接続されている。
【００５４】ここで、電源４６は、電極４３と接触部材
４５との間にパルス電圧を印加するもので、直流電源４
７とチョッパ４８とを具備するものである。すなわち、
電源４６は、直流電源４７の直流電圧をチョッパ４８に
より規則的に断続させることにより、パルス電圧を電極
４３と接触部材４５との間に印加するものである。な
お、パルス電圧の印加手段はこれに限定されるものでは
なく、パルス電圧を発生させる種々の手段が使用でき
る。
４５との間にパルス電圧を印加するもので、直流電源４
７とチョッパ４８とを具備するものである。すなわち、
電源４６は、直流電源４７の直流電圧をチョッパ４８に
より規則的に断続させることにより、パルス電圧を電極
４３と接触部材４５との間に印加するものである。な
お、パルス電圧の印加手段はこれに限定されるものでは
なく、パルス電圧を発生させる種々の手段が使用でき
る。
【００５５】次に、このようなメッキ装置４０を用いて
第２のメッキ層２５ｂを形成する本発明に係るメッキ方
法について説明する。まず、図４に示すように、配線パ
ターン１２の入力側外部接続端子１５側を下向きとして
フレキシブル配線基材１０をメッキ装置４０に配置す
る。すなわち、配線パターン１２の入力側外部接続端子
１５のみがメッキ液４１に浸漬するように、フレキシブ
ル配線基材１０をメッキ装置４０に配置する。そして、
このフレキシブル配線基材１０を連続的に移動させなが
ら電気メッキを行う。このとき、電極４３と接触部材４
５との間には、直流電源４７により所定のパルス電圧を
印加する。これにより、入力側外部接続端子１５の第１
のメッキ層２５ａ上のみに第２のメッキ層２５ｂが形成
されるが、槍状析出物はほとんど発生せず、入力側外部
接続端子１５の配線端子間のショートは全くない。な
お、第２のメッキ層２５ｂは、平均メッキ皮膜粒径は２
μｍ以下であり、メッキ厚が３５μｍ以下である。
第２のメッキ層２５ｂを形成する本発明に係るメッキ方
法について説明する。まず、図４に示すように、配線パ
ターン１２の入力側外部接続端子１５側を下向きとして
フレキシブル配線基材１０をメッキ装置４０に配置す
る。すなわち、配線パターン１２の入力側外部接続端子
１５のみがメッキ液４１に浸漬するように、フレキシブ
ル配線基材１０をメッキ装置４０に配置する。そして、
このフレキシブル配線基材１０を連続的に移動させなが
ら電気メッキを行う。このとき、電極４３と接触部材４
５との間には、直流電源４７により所定のパルス電圧を
印加する。これにより、入力側外部接続端子１５の第１
のメッキ層２５ａ上のみに第２のメッキ層２５ｂが形成
されるが、槍状析出物はほとんど発生せず、入力側外部
接続端子１５の配線端子間のショートは全くない。な
お、第２のメッキ層２５ｂは、平均メッキ皮膜粒径は２
μｍ以下であり、メッキ厚が３５μｍ以下である。
【００５６】上述したメッキ装置４０では、メッキする
領域のみをメッキ液４１に浸漬してメッキを行ったが、
メッキする領域以外をパッキンやレジストでマスキング
し、例えば、全体をメッキ液４１に浸漬してメッキする
ようにしてもよい。
領域のみをメッキ液４１に浸漬してメッキを行ったが、
メッキする領域以外をパッキンやレジストでマスキング
し、例えば、全体をメッキ液４１に浸漬してメッキする
ようにしてもよい。
【００５７】このようなスズ系合金メッキ方法における
パルス電圧の印加条件は、槍状析出物が生成しないで、
基本的な特性を備えたメッキ膜を形成できる条件であれ
ばよい。一般的には、パルス電圧は、印加時間全体に対
する通電時間の比であるデューティ比Ｄが１／２以下、
好ましくは、１／３以下として、繰り返し印加するよう
にすると、槍状析出物が発生しないメッキ層が形成され
る。ここで、デューティ比Ｄは、以下の式で定義され、
図５で表される。
パルス電圧の印加条件は、槍状析出物が生成しないで、
基本的な特性を備えたメッキ膜を形成できる条件であれ
ばよい。一般的には、パルス電圧は、印加時間全体に対
する通電時間の比であるデューティ比Ｄが１／２以下、
好ましくは、１／３以下として、繰り返し印加するよう
にすると、槍状析出物が発生しないメッキ層が形成され
る。ここで、デューティ比Ｄは、以下の式で定義され、
図５で表される。
【００５８】
【数１】Ｄ＝Ｔon／（Ｔon＋Ｔoff） ここで、Ｔonはパルス電圧通電時間、Ｔoffはパルス電
圧中断時間である。
圧中断時間である。
【００５９】このようにすることで、配線パターン１２
のソルダーレジスト層１７が形成されていない領域、す
なわち、メッキ液４１に浸漬された被メッキ部である入
力側外部接続端子１５にスズ系合金メッキからなる第２
のメッキ層２５ｂを、槍状析出物を発生させることなく
形成することができる。
のソルダーレジスト層１７が形成されていない領域、す
なわち、メッキ液４１に浸漬された被メッキ部である入
力側外部接続端子１５にスズ系合金メッキからなる第２
のメッキ層２５ｂを、槍状析出物を発生させることなく
形成することができる。
【００６０】なお、本実施形態では、スズ系合金メッキ
層として、スズ−ビスマス合金メッキ（ビスマス濃度が
５〜２０％程度）を採用した。スズ−ビスマス合金は、
鉛フリーの半田として有望なものであり、ビスマス濃度
を５〜２０％と高濃度とすることにより、鉛半田と同等
の融点を有するメッキ層を得ることができる。
層として、スズ−ビスマス合金メッキ（ビスマス濃度が
５〜２０％程度）を採用した。スズ−ビスマス合金は、
鉛フリーの半田として有望なものであり、ビスマス濃度
を５〜２０％と高濃度とすることにより、鉛半田と同等
の融点を有するメッキ層を得ることができる。
【００６１】また、このようなスズ−ビスマス合金メッ
キを施すメッキ装置４０では、メッキ液４１のビスマス
が第２のメッキ層２５ｂとして析出されるため、常に一
定のビスマス濃度の第２のメッキ層２５ｂを形成するに
はメッキ液４１にビスマス化合物を補充する必要があ
る。このビスマス化合物としては、例えば、アルカンス
ルホン酸系またはアルカノールスルホン酸系の３価のビ
スマス化合物を挙げることができる。このようなビスマ
ス化合物をメッキ液４１中に補充することにより、一定
のビスマス濃度（約５〜２０％）の組成であるスズ−ビ
スマス合金からなる第２のメッキ層２５ｂを容易に形成
することができる。
キを施すメッキ装置４０では、メッキ液４１のビスマス
が第２のメッキ層２５ｂとして析出されるため、常に一
定のビスマス濃度の第２のメッキ層２５ｂを形成するに
はメッキ液４１にビスマス化合物を補充する必要があ
る。このビスマス化合物としては、例えば、アルカンス
ルホン酸系またはアルカノールスルホン酸系の３価のビ
スマス化合物を挙げることができる。このようなビスマ
ス化合物をメッキ液４１中に補充することにより、一定
のビスマス濃度（約５〜２０％）の組成であるスズ−ビ
スマス合金からなる第２のメッキ層２５ｂを容易に形成
することができる。
【００６２】さらに、本実施形態では、フレキシブル配
線基材１０としてＴＡＢテープを例示したが、勿論、こ
れに限定されず、本発明をＴ−ＢＧＡ（Ｔａｐｅ Ｂａ
ｌｌＧｒｉｄ Ａｒｒａｙ）テープ、テープＣＳＰ（Ｃ
ｈｉｐ Ｓｉｚｅ Ｐａｃｋａｇｅ）、ＡＳＩＣ（Ａｐ
ｐｌｉｃａｔｉｏｎ Ｓｐｅｃｉｆｉｃ Ｉｎｔｅｇｒ
ａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）テープなどの各種半導体パ
ッケージ等に適用できることはいうまでもない。
線基材１０としてＴＡＢテープを例示したが、勿論、こ
れに限定されず、本発明をＴ−ＢＧＡ（Ｔａｐｅ Ｂａ
ｌｌＧｒｉｄ Ａｒｒａｙ）テープ、テープＣＳＰ（Ｃ
ｈｉｐ Ｓｉｚｅ Ｐａｃｋａｇｅ）、ＡＳＩＣ（Ａｐ
ｐｌｉｃａｔｉｏｎ Ｓｐｅｃｉｆｉｃ Ｉｎｔｅｇｒ
ａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）テープなどの各種半導体パ
ッケージ等に適用できることはいうまでもない。
【００６３】（実施例１）上述したようなＴＡＢテープ
であるフレキシブル配線基材１０の配線部、すなわち、
デバイス側接続端子１４、入力側外部接続端子１５及び
出力側外部接続端子１６上以外の部分にソルダーレジス
ト層１７を設け、デバイス側接続端子１４、入力側外部
接続端子１５及び出力側外部接続端子１６上に、無電解
メッキにより、スズからなる第１のメッキ層２５ａを設
け、その後、アニール処理したものを用意した。
であるフレキシブル配線基材１０の配線部、すなわち、
デバイス側接続端子１４、入力側外部接続端子１５及び
出力側外部接続端子１６上以外の部分にソルダーレジス
ト層１７を設け、デバイス側接続端子１４、入力側外部
接続端子１５及び出力側外部接続端子１６上に、無電解
メッキにより、スズからなる第１のメッキ層２５ａを設
け、その後、アニール処理したものを用意した。
【００６４】このようなＴＡＢテープに上述したメッキ
装置４０を用いて、入力側外部接続端子１５及び出力側
外部接続端子１６にスズ−ビスマス合金（ビスマス５重
量％）からなる第２のメッキ層２５ｂを形成した。
装置４０を用いて、入力側外部接続端子１５及び出力側
外部接続端子１６にスズ−ビスマス合金（ビスマス５重
量％）からなる第２のメッキ層２５ｂを形成した。
【００６５】詳細には、メッキ装置４０のメッキ液４１
として、５重量％Ｂｉ−Ｓｎ合金メッキ液（石原薬品社
製；ＰＦ−０５Ｍをベースとする）を用い、４０℃に保
持してＴＡＢテープの入力側外部接続端子１５及び出力
側外部接続端子１６の何れか一方側を浸漬し、電極４３
と接触部材４５との間に、電流密度１０Ａ／ｄｍ２、デ
ューティ比Ｄ＝１／３（Ｔon＝４５ｍｓｅｃ、Ｔoff＝
９０ｍｓｅｃ）のパルス電圧を印加し、厚さ１０μｍの
第２のメッキ層２５ｂを形成した。同様にして、入力側
外部接続端子１５及び出力側外部接続端子１６の他方側
にも第２のメッキ層２５ｂを形成した。なお、電極４３
としてはＳｎ電極を用いた。
として、５重量％Ｂｉ−Ｓｎ合金メッキ液（石原薬品社
製；ＰＦ−０５Ｍをベースとする）を用い、４０℃に保
持してＴＡＢテープの入力側外部接続端子１５及び出力
側外部接続端子１６の何れか一方側を浸漬し、電極４３
と接触部材４５との間に、電流密度１０Ａ／ｄｍ２、デ
ューティ比Ｄ＝１／３（Ｔon＝４５ｍｓｅｃ、Ｔoff＝
９０ｍｓｅｃ）のパルス電圧を印加し、厚さ１０μｍの
第２のメッキ層２５ｂを形成した。同様にして、入力側
外部接続端子１５及び出力側外部接続端子１６の他方側
にも第２のメッキ層２５ｂを形成した。なお、電極４３
としてはＳｎ電極を用いた。
【００６６】このように形成した第２のメッキ層２５ｂ
を有する入力側外部接続端子１５及び出力側外部接続端
子１６を顕微鏡で観察した結果を図６に示す。図６から
わかるように、第２のメッキ層２５ｂには槍状析出物は
確認されず、第２のメッキ層２５ｂを形成した入力側外
部接続端子１５及び出力側外部接続端子１６も凹凸の少
ないシャープなものであった。なお、第２のメッキ層２
５ｂの平均メッキ皮膜粒径は平均で１．６８μｍであっ
た。
を有する入力側外部接続端子１５及び出力側外部接続端
子１６を顕微鏡で観察した結果を図６に示す。図６から
わかるように、第２のメッキ層２５ｂには槍状析出物は
確認されず、第２のメッキ層２５ｂを形成した入力側外
部接続端子１５及び出力側外部接続端子１６も凹凸の少
ないシャープなものであった。なお、第２のメッキ層２
５ｂの平均メッキ皮膜粒径は平均で１．６８μｍであっ
た。
【００６７】ここで、平均メッキ皮膜粒径は、図１０に
示すように、走査顕微鏡（ＳＥＭ）写真から求めた。す
なわち、対角線ａ、ｂの実際の長さを測定し、これをα
とする（=α）、次にその対角線上に有る結晶粒の個数
を測定し、これをβとする（=β）、このα及びβを用
いて平均粒径＝α／βを求めた。
示すように、走査顕微鏡（ＳＥＭ）写真から求めた。す
なわち、対角線ａ、ｂの実際の長さを測定し、これをα
とする（=α）、次にその対角線上に有る結晶粒の個数
を測定し、これをβとする（=β）、このα及びβを用
いて平均粒径＝α／βを求めた。
【００６８】（比較例）メッキする際に、電極４３と接
触部材４５との間に、電流密度１０Ａ／ｄｍ２の直流電
圧を印加した以外は実施例と同様にして、厚さ１０μｍ
のスズ−ビスマス合金からなるメッキ皮膜を形成した。
触部材４５との間に、電流密度１０Ａ／ｄｍ２の直流電
圧を印加した以外は実施例と同様にして、厚さ１０μｍ
のスズ−ビスマス合金からなるメッキ皮膜を形成した。
【００６９】かかるメッキ皮膜を有する配線部を実施例
と同様に顕微鏡で観察した結果を図７に示す。図７から
わかるように、比較例のメッキ皮膜には、長さが５０μ
ｍを超す槍状析出物３が確認され、又、多数の短い槍状
析出物も確認され、メッキ皮膜を有する配線部の形状も
凹凸の多いものであった。
と同様に顕微鏡で観察した結果を図７に示す。図７から
わかるように、比較例のメッキ皮膜には、長さが５０μ
ｍを超す槍状析出物３が確認され、又、多数の短い槍状
析出物も確認され、メッキ皮膜を有する配線部の形状も
凹凸の多いものであった。
【００７０】（実施例２）１６重量％Ｂｉ−Ｓｎ合金メ
ッキ液（石原薬品社製；ＰＦ−０５Ｍをベースとする）
を用い、電流密度を出力端子側で１５Ａ／ｄｍ２、入力
端子側で１３Ａ／ｄｍ２、デューティ比Ｄ＝１／４（Ｔ
on＝１０ｍｓｅｃ、Ｔoff＝３０ｍｓｅｃ）とした以外
は実施例１と同様にスズ−ビスマス合金メッキを施し
た。メッキ厚は５〜６μｍの狙いとした。なお、電極４
３としては表面にＰｔメッキを施したＰｔ電極を用い
た。
ッキ液（石原薬品社製；ＰＦ−０５Ｍをベースとする）
を用い、電流密度を出力端子側で１５Ａ／ｄｍ２、入力
端子側で１３Ａ／ｄｍ２、デューティ比Ｄ＝１／４（Ｔ
on＝１０ｍｓｅｃ、Ｔoff＝３０ｍｓｅｃ）とした以外
は実施例１と同様にスズ−ビスマス合金メッキを施し
た。メッキ厚は５〜６μｍの狙いとした。なお、電極４
３としては表面にＰｔメッキを施したＰｔ電極を用い
た。
【００７１】４００ｍ、１１００ｍ及び１７００ｍ処理
した後、それぞれ１４ずつの配線パターンの２８配線端
子分を顕微鏡で観察し、槍状析出物の数及び大きさを測
定した。結果を表１に示す。また、それぞれの処理品の
走査顕微鏡（ＳＥＭ）写真を図８及び図９に示す。な
お、平均メッキ皮膜粒径は、実施例１と同様に測定し
た。
した後、それぞれ１４ずつの配線パターンの２８配線端
子分を顕微鏡で観察し、槍状析出物の数及び大きさを測
定した。結果を表１に示す。また、それぞれの処理品の
走査顕微鏡（ＳＥＭ）写真を図８及び図９に示す。な
お、平均メッキ皮膜粒径は、実施例１と同様に測定し
た。
【００７２】
【表１】
【００７３】（試験例１〜９）絶縁フィルム上に設けた
銅の導電層の上にスズの無電解メッキを施したテストサ
ンプル（配線用端子を２８本有する）に、５％Ｂｉ−Ｓ
ｎ合金メッキのメッキ液（石原薬品社製；ＰＦ−０５Ｍ
をベースとする）を用いて、下記条件下で電解メッキを
施した。その後、メッキ厚、メッキ層の外観観察、ＳＥ
Ｍによるメッキ皮膜粒径の測定を行った。
銅の導電層の上にスズの無電解メッキを施したテストサ
ンプル（配線用端子を２８本有する）に、５％Ｂｉ−Ｓ
ｎ合金メッキのメッキ液（石原薬品社製；ＰＦ−０５Ｍ
をベースとする）を用いて、下記条件下で電解メッキを
施した。その後、メッキ厚、メッキ層の外観観察、ＳＥ
Ｍによるメッキ皮膜粒径の測定を行った。
【００７４】アノードとしてＳｎ板を用い、アノードと
９ｃｍの距離をおいてテストサンプルを配置し、パルス
通電量１０Ａ／ｄｍ２としてメッキ厚１０μｍを狙って
メッキした。また、メッキ液はポンプにより循環させ
た。
９ｃｍの距離をおいてテストサンプルを配置し、パルス
通電量１０Ａ／ｄｍ２としてメッキ厚１０μｍを狙って
メッキした。また、メッキ液はポンプにより循環させ
た。
【００７５】メッキ条件、メッキ厚を表２に、槍状析出
物の生成、平均メッキ皮膜粒径を表３に示す。なお、メ
ッキ厚は蛍光Ｘ線により測定し、槍状析出物は２８本の
端子について、１１μｍ以上のものの数を計測した。ま
た、平均メッキ皮膜粒径は、実施例１と同様の方法で測
定した。
物の生成、平均メッキ皮膜粒径を表３に示す。なお、メ
ッキ厚は蛍光Ｘ線により測定し、槍状析出物は２８本の
端子について、１１μｍ以上のものの数を計測した。ま
た、平均メッキ皮膜粒径は、実施例１と同様の方法で測
定した。
【００７６】（比較試験例）パルス電圧の代わりに直流
電圧を印加した以外は試験例１〜９と同様にしてメッキ
を行った。
電圧を印加した以外は試験例１〜９と同様にしてメッキ
を行った。
【００７７】
【表２】
【００７８】
【表３】
【００７９】この結果、平均メッキ皮膜粒径を約２μｍ
以下とすることにより、１１μｍ以上の槍状析出物はほ
とんど発生しなくなり、配線端子間のショートなどの虞
がないことが確認された。
以下とすることにより、１１μｍ以上の槍状析出物はほ
とんど発生しなくなり、配線端子間のショートなどの虞
がないことが確認された。
【００８０】また、パルス電圧を印加してメッキを施す
場合、デューティ比を低下するほど槍状析出物の発生数
が減少し、デューティ比が１／２以下で直流電圧印加と
の差が顕著に現れ、１／３以下ではさらに効果的であ
り、０．１７以下では１１μｍ以上の槍状析出物は発生
しなくなることが確認された。一方、同一デューティ比
では、Ｔon時間を長くした方が槍状析出物の数を低減で
きることがわかった。
場合、デューティ比を低下するほど槍状析出物の発生数
が減少し、デューティ比が１／２以下で直流電圧印加と
の差が顕著に現れ、１／３以下ではさらに効果的であ
り、０．１７以下では１１μｍ以上の槍状析出物は発生
しなくなることが確認された。一方、同一デューティ比
では、Ｔon時間を長くした方が槍状析出物の数を低減で
きることがわかった。
【００８１】なお、異常析出、メッキむら、変色、液潜
り、耐熱テスト、クラック、半田濡れ性などについても
比較したところ、試験例１〜９と比較試験例とでは差異
は認められなかった。
り、耐熱テスト、クラック、半田濡れ性などについても
比較したところ、試験例１〜９と比較試験例とでは差異
は認められなかった。
【００８２】（試験例１０）試験例１〜９と同様に、絶
縁フィルム上に設けた銅の導電層の上にスズの無電解メ
ッキを施したテストサンプル（配線用端子を２８本有す
る）に、１６％Ｂｉ−Ｓｎ合金メッキのメッキ液（石原
薬品社製；ＰＦ−０５Ｍをベースとする）を用いて、下
記条件下で電解メッキを施した。その後、メッキ厚、メ
ッキ層の外観観察、ＳＥＭによるメッキ皮膜粒径の測定
を行った。メッキ条件は以下の通りである。
縁フィルム上に設けた銅の導電層の上にスズの無電解メ
ッキを施したテストサンプル（配線用端子を２８本有す
る）に、１６％Ｂｉ−Ｓｎ合金メッキのメッキ液（石原
薬品社製；ＰＦ−０５Ｍをベースとする）を用いて、下
記条件下で電解メッキを施した。その後、メッキ厚、メ
ッキ層の外観観察、ＳＥＭによるメッキ皮膜粒径の測定
を行った。メッキ条件は以下の通りである。
【００８３】アノード：Ｐｔメッキを施したメッシュ状
のＰｔ電極 印加電源：パルス電源（デューティ比Ｄ＝１／４（Ｔon
＝１０ｍｓｅｃ、Ｔoff＝３０ｍｓｅｃ） 電流密度：１６．７Ａ／ｄｍ２ 狙いメッキ厚：３０μｍ
のＰｔ電極 印加電源：パルス電源（デューティ比Ｄ＝１／４（Ｔon
＝１０ｍｓｅｃ、Ｔoff＝３０ｍｓｅｃ） 電流密度：１６．７Ａ／ｄｍ２ 狙いメッキ厚：３０μｍ
【００８４】メッキ厚は、平均で３１．７９μｍであ
り、平均メッキ皮膜粒径は、１．６８μｍであった。ま
た、槍状析出物は２８本の端子×２ピースについて、１
１μｍ以上のものが２カ所で観察された（１１μｍのも
の１２μｍのもの）。なお、メッキ厚及び平均メッキ皮
膜粒径は、試験例及び実施例１と同様の方法で測定し
た。
り、平均メッキ皮膜粒径は、１．６８μｍであった。ま
た、槍状析出物は２８本の端子×２ピースについて、１
１μｍ以上のものが２カ所で観察された（１１μｍのも
の１２μｍのもの）。なお、メッキ厚及び平均メッキ皮
膜粒径は、試験例及び実施例１と同様の方法で測定し
た。
【００８５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
スズ系合金メッキ層の平均メッキ皮膜粒径を２μｍ以下
とすることにより、槍状析出物がほとんど発生しないで
配線端子間のショートなどの虞もないスズ系合金メッキ
を有するプリント配線基材を提供することができ、ま
た、メッキ電極間にパルス電圧を印加してメッキするこ
とにより、槍状析出物の発生が有効に防止されたスズ系
合金メッキ層を形成することができるという効果を奏す
る。
スズ系合金メッキ層の平均メッキ皮膜粒径を２μｍ以下
とすることにより、槍状析出物がほとんど発生しないで
配線端子間のショートなどの虞もないスズ系合金メッキ
を有するプリント配線基材を提供することができ、ま
た、メッキ電極間にパルス電圧を印加してメッキするこ
とにより、槍状析出物の発生が有効に防止されたスズ系
合金メッキ層を形成することができるという効果を奏す
る。
【図１】図１には本発明の実施形態１に係るフレキシブ
ル配線基材の概略平面図である。
ル配線基材の概略平面図である。
【図２】図１のフレキシブル配線基材に電子部品を実装
した状態のＡ−Ａ′断面図である。
した状態のＡ−Ａ′断面図である。
【図３】本発明のスズ系合金メッキ方法を実施するため
のメッキ装置を示す概略斜視図である。
のメッキ装置を示す概略斜視図である。
【図４】本発明のスズ系合金メッキ方法の一例を説明す
るための図である。
るための図である。
【図５】本発明のスズ系合金メッキ方法を実施する際の
パルス電圧の印加状態を示す説明図である。
パルス電圧の印加状態を示す説明図である。
【図６】本発明の実施例１の配線部の拡大図である。
【図７】本発明の比較例の配線部の拡大図である。
【図８】本発明の実施例２のスズ系合金メッキ層の表面
のＳＥＭ写真である。
のＳＥＭ写真である。
【図９】本発明の実施例２のスズ系合金メッキ層の表面
のＳＥＭ写真である。
のＳＥＭ写真である。
【図１０】本発明における平均メッキ皮膜粒径を測定す
る方法を示す説明図である。
る方法を示す説明図である。
【図１１】従来技術にかかる電解スズメッキ方法により
プリント配線基材にスズ系合金メッキを行った場合の配
線部の拡大図である。
プリント配線基材にスズ系合金メッキを行った場合の配
線部の拡大図である。
【図１２】図１１の槍状析出物を拡大して示す図であ
る。
る。
３ 槍状析出物 １０ フレキシブル配線基材 １１ 絶縁フィルム １２ 配線パターン １３ スプロケット孔 １４ デバイス側接続端子 １５ 入力側外部接続端子 １６ 出力側外部接続端子 １７ ソルダーレジスト層 ２０ 導電層 ２５ａ 第１のメッキ層 ２５ｂ 第２のメッキ層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/60 ３１１ Ｈ０１Ｌ 21/60 ３１１Ｗ Ｈ０５Ｋ 1/09 Ｈ０５Ｋ 1/09 Ａ 3/18 3/18 Ｇ Ｆターム(参考） 4E351 AA02 AA04 AA16 BB01 BB33 BB35 CC06 CC07 DD04 DD06 DD12 DD13 DD21 DD54 GG14 4K024 AA21 AB02 AB08 AB17 AB19 BA09 BA12 BB11 BC02 CA07 DA02 EA04 FA02 FA05 GA16 5E343 AA07 AA16 AA18 AA33 BB14 BB23 BB24 BB28 BB54 BB67 CC67 DD33 DD43 DD46 DD76 ER12 ER18 GG08 5F044 MM03 MM13 MM23 MM48
Claims (13)
- 【請求項１】 絶縁基材と、この絶縁基材の一方面に導
電層から形成された配線パターンとを具備し、前記配線
パターンの少なくとも一部にスズ系合金からなるスズ系
合金メッキ層を具備するプリント配線基材において、 前記スズ系合金メッキ層の平均メッキ皮膜粒径が、２μ
ｍ以下であることを特徴とするプリント配線基材。 - 【請求項２】 請求項１において、前記スズ系合金メッ
キ層のメッキ厚が、３５μｍ以下であることを特徴とす
るプリント配線基材。 - 【請求項３】 請求項１又は２において、前記スズ系合
金が、スズ−ビスマス合金であることを特徴とするプリ
ント配線基材。 - 【請求項４】 請求項１〜３の何れかにおいて、前記絶
縁基材が可撓性を有するフィルムであることを特徴とす
るプリント配線基材。 - 【請求項５】 請求項１〜４の何れかにおいて、前記ス
ズ系合金メッキ層が、パルス電圧を印加した電解メッキ
により形成されたものであることを特徴とするプリント
配線基材。 - 【請求項６】 プリント配線基材の配線パターンの少な
くとも一部にスズ系合金からなるスズ系合金メッキ層を
形成する際に、メッキ電極間にパルス電圧を印加するこ
とを特徴とする電解スズ系合金メッキ方法。 - 【請求項７】 請求項６において、前記メッキ電極間に
パルス電圧を印加するのに、直流電圧を規則的に断続さ
せるチョッパを使用することを特徴とする電解スズ系合
金メッキ方法。 - 【請求項８】 請求項６又は７において、前記パルス電
圧は、印加時間全体に対する通電時間の比であるデュー
ティ比Ｄが１／２以下となるように印加されることを特
徴とする電解スズ系合金メッキ方法。 - 【請求項９】 請求項６又は７において、前記パルス電
圧は、印加時間全体に対する通電時間の比であるデュー
ティ比Ｄが１／３以下となるように印加されることを特
徴とする電解スズ系合金メッキ方法。 - 【請求項１０】 請求項６〜９の何れかにおいて、前記
スズ系合金メッキ層の平均メッキ皮膜粒径を２μｍ以下
とすることを特徴とする電解スズ系合金メッキ方法。 - 【請求項１１】 請求項６〜１０の何れかにおいて、前
記スズ系合金メッキ層のメッキ厚を３５μｍ以下とする
ことを特徴とする電解スズ系合金メッキ方法。 - 【請求項１２】 請求項６〜１１の何れかにおいて、前
記プリント配線基材の一部をメッキ液に浸漬した状態で
パルス電圧を印加することにより前記配線パターンの一
部に前記スズ系合金メッキ層を形成することを特徴とす
る電解スズ系合金メッキ方法。 - 【請求項１３】 請求項６〜１２の何れかにおいて、前
記プリント配線基材は、可撓性を有するフィルムからな
る絶縁基材上に前記配線パターンを有することを特徴と
する電解スズ系合金メッキ方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001393551A JP3825689B2 (ja) | 2001-02-13 | 2001-12-26 | プリント配線基材及び電解スズ系合金メッキ方法 |
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| JP2001035419 | 2001-02-13 | ||
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|---|---|
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| JP3825689B2 JP3825689B2 (ja) | 2006-09-27 |
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|---|---|---|---|
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|---|---|
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| KR (1) | KR100589071B1 (ja) |
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Cited By (3)
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|---|---|---|---|---|
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| US7112305B2 (en) * | 2001-01-31 | 2006-09-26 | Agilent Technologies, Inc. | Automation-optimized microarray package |
| US7160428B2 (en) * | 2003-06-06 | 2007-01-09 | Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. | Plating machine and process for producing film carrier tapes for mounting electronic parts |
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| CN102323682B (zh) * | 2011-08-05 | 2013-06-26 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 液晶面板及软板上芯片构造的卷带基板 |
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| JP2001110666A (ja) * | 1999-10-08 | 2001-04-20 | Murata Mfg Co Ltd | 電子部品、および電子部品の製造方法 |
-
2001
- 2001-12-26 JP JP2001393551A patent/JP3825689B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-01-22 TW TW091100971A patent/TW526570B/zh not_active IP Right Cessation
- 2002-02-09 KR KR1020020007627A patent/KR100589071B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7112305B2 (en) * | 2001-01-31 | 2006-09-26 | Agilent Technologies, Inc. | Automation-optimized microarray package |
| KR100574875B1 (ko) * | 2002-12-13 | 2006-04-27 | 미쓰이 긴조꾸 고교 가부시키가이샤 | 전자부품 실장용 필름 캐리어 테이프, 그 제조방법 및도금장치 |
| US7071026B2 (en) | 2002-12-13 | 2006-07-04 | Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. | Production method for making film carrier tape for mounting electronic devices thereon |
| US7160428B2 (en) * | 2003-06-06 | 2007-01-09 | Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. | Plating machine and process for producing film carrier tapes for mounting electronic parts |
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|---|---|
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