JP2002310954A - 試料解析装置 - Google Patents

試料解析装置

Info

Publication number
JP2002310954A
JP2002310954A JP2001119235A JP2001119235A JP2002310954A JP 2002310954 A JP2002310954 A JP 2002310954A JP 2001119235 A JP2001119235 A JP 2001119235A JP 2001119235 A JP2001119235 A JP 2001119235A JP 2002310954 A JP2002310954 A JP 2002310954A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
image
sample
analysis
ray
transmission
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2001119235A
Other languages
English (en)
Inventor
Shoji Kuwabara
章二 桑原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shimadzu Corp
Original Assignee
Shimadzu Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shimadzu Corp filed Critical Shimadzu Corp
Priority to JP2001119235A priority Critical patent/JP2002310954A/ja
Publication of JP2002310954A publication Critical patent/JP2002310954A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 試料上において目的とする測定位置や分析位
置を容易に見つける。 【解決手段】 試料を測定あるいは分析することによっ
て試料解析を行う装置であって、平面上の移動を行う試
料ステージ4と、解析対象の試料の透過X線像に基づい
て解析位置を定め、当該解析位置の位置データを求める
位置算出手段3とを備えた構成とし、試料ステージ4
は、位置算出手段3による位置データに基づいて移動
し、試料上の解析位置を位置決めする。試料の透過X線
像を観察することによって目的とする測定位置や分析位
置を容易に見つけ、これによって解析時間を短縮するも
のである。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、試料の微小部分を
測定あるいは分析する解析装置に関する。
【0002】
【従来の技術】蛍光X線分析装置、EPMA、SEM、
SPM、FTIR等、試料の微小部分を測定あるいは分
析する試料解析装置が知られており、例えば光学像やS
EM像によって試料表面を観察することで試料の微小部
分の形状や状態等の測定を行い、また、例えば蛍光X線
分析のように試料の微小部分にX線を照射して生じた蛍
光X線をエネルギー分析器で検出することで試料の微小
部分の組成等の分析を行う。このような微小部の測定や
分析による試料解析は、食品分野、薬品分野、あるいは
電子材料分野等をはじめ種々の分野に用いられている。
【0003】このような試料解析装置によて試料の任意
の位置を測定あるいは分析するには、目的とする試料上
において測定位置や分析位置を選出して指定し、その測
定位置や分析位置を観察中心とし、光軸合わせやプロー
ブの照射軸合わせ等を行う必要がある。従来の微小部解
析装置では、試料上で測定位置や分析位置を指定するた
めに、付属する光学顕微鏡やCCDカメラ等で求めた光
学像や、電子線照射で得られるSEM像を観察すること
によって目的とする測定位置や分析位置を設定してい
る。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】従来の微小部解析装置
では、光学像やSEM像を観察し、試料表面の色や濃淡
の差から目的とする測定位置や分析位置を定める必要が
ある。そのため、試料表面に存在する異物と異物の周囲
部分とで色や濃淡に差が少ない場合には、試料上で異物
を識別して位置を特定することが困難であるという問題
がある。また、食品中に異物や電子部品内部の欠陥部分
など試料内部に異物が存在する場合においても、異物を
識別して位置を特定することが困難であるという問題が
ある。
【0005】そのため、従来の微小部解析装置では、予
め広い範囲を測定あるいは分析して分布(マッピング)
データを求めておき、この分布データに基づいて目的と
する測定位置や分析位置を見つけ、再度、測定位置や分
析位置について測定あるいは分析を行う必要がある。
【0006】そこで、本発明は前記した従来の問題点を
解決し、試料上において目的とする測定位置や分析位置
を容易に見つけることができる試料解析装置を提供する
ことを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は、試料について
形状や状態の測定や組成分析等の解析を試料解析装置に
おいて、試料の透過X線像を観察することによって目的
とする測定位置や分析位置を容易に見つけ、これによっ
て解析時間を短縮するものである。本発明の試料解析装
置が行う解析は、試料について形状や状態を検出する測
定や、例えば蛍光X線分析等のように試料の組成を求め
る分析を含むものであり、測定のみあるいは分析のみを
行う装置に適用することも、あるいは測定と分析の両方
を行う装置に適用することもできる。
【0008】本発明の試料解析装置は、試料を測定ある
いは分析することによって試料解析を行う装置であっ
て、平面上の移動を行う試料ステージと、解析対象の試
料の透過X線像に基づいて解析位置を定め、当該解析位
置の位置データを求める位置算出手段とを備えた構成と
し、試料ステージは、位置算出手段による位置データに
基づいて移動し、試料上の解析位置を位置決めする。
【0009】試料の透過X線像は、試料表面に存在する
異物と異物の周囲部分とで色や濃淡に差が少ない場合
や、試料内部に異物が存在する場合においても、異物を
識別しすることができる。位置算出手段は、この透過X
線像上において異物等の解析対象を測定あるいは分析す
る際に、試料上における解析位置を指定し、この解析位
置の位置データを求める。試料ステージは、この位置デ
ータに基づいて移動し、載置する試料の解析位置を位置
決めする。なお、試料ステージでは、透過X線像上で求
めた位置データを試料ステージ上の座標に換算した後に
位置決めを行う。
【0010】位置算出手段は、透過X線像と解析対象の
試料の光学像あるいはSEM像とを重ね合わせた画像を
形成して表示画面上に表示し、重ね合わせ画像上で解析
位置を定めることも、あるいは、透過X線像と解析対象
の試料の光学像あるいはSEM像とを表示画面上に並べ
て表示し、透過X線像、あるいは光学像ないしSEM像
の画像上で解析位置を定めることもできる。
【0011】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を、図
を参照しながら詳細に説明する。図1は本発明の試料解
析装置の概要を説明するための概略図である。試料解析
装置1は、試料ステージ4上に配置された試料Sに一次
X線を照射し、試料Sから放出された二次X線や散乱X
線等を検出し解析する解析部2、及び試料S上の解析位
置を定める位置算出手段3、及び試料の光学像、SEM
像、あるいは透過X線像等の画像を表示する表示手段5
を備える。
【0012】解析部2は、試料Sを測定する測定機構と
して、試料Sを光学的に観察するためのCCDカメラ2
d等の光学機器を備える他、試料Sを分析する分析機構
として、一次X線を照射するX線源2b、X線源2bと
試料Sの照射位置との間に設置するX線導入機構2c、
一次X線の照射によって試料Sから発生した蛍光X線等
の二次X線や散乱X線等を検出する、例えばエネルギー
分散型検出器等のX線検出器2eを備える。なお、X線
導入機構2cは、一次X線の照射径を制限するコリメー
タ、X線を集光するX線導管あるいはポリキャピラリと
することができる。上記解析部の測定機構及び分析機構
は、解析室2aに取り付けられる。解析室2aは、外部
へのX線漏洩を遮蔽し内部を真空としたとき大気圧に耐
える壁を備える。
【0013】試料ステージ4は、試料Sを載置すると共
に平面方向に移動可能であり、試料S上で定めた解析位
置に位置決めして、解析位置に光軸を合わせたり、X線
軸を合わせる。位置算出手段3は、表示手段5に表示さ
れる透過X線像の画像を参照して解析位置を定め、表示
画像上で指定した解析位置の位置座標を求め、さらに、
求めた位置座標を試料ステージ4上の位置座標に換算す
る。試料ステージ4は、位置算出手段3で算出された解
析位置の位置座標に基づいて移動し、解析位置に位置合
わせする。位置算出手段3において、表示手段5で表示
される画像上で定めた解析位置を試料ステージ上の位置
座標に換算し、試料S上の解析位置に位置決めすること
ができる。
【0014】解析位置を定めるために用いる画像は透過
X線像とすることができ、透過X線像を用いることによ
って、試料表面において異物と周囲とで色や濃淡に差異
がない場合や、試料内部に異物が存在する場合であって
も、異物等の解析対象物を明瞭に識別することができ
る。透過X線像は、試料解析装置と接続した透過X線装
置から信号線を介して入力したり、あるいは、透過X線
像のデータを記録した記録媒体を用いて入力することが
できる。
【0015】表示手段5は、入力した透過X線像を表示
すると共に、表示された透過X線像上で任意に点を指定
し、その位置座標を求めることができる。この透過X線
像上で指定した位置座標を解析位置の位置座標とし、試
料ステージ4上での位置決めに使用することができる。
【0016】表示手段5には透過X線像の他に、CCD
カメラ2dで測定した光学像や、図示しない二次電子検
出器等で求めたSEM像を表示することができる。以下
では、本発明の試料解析装置で得られる像の代表として
SEM像を用いて説明する。透過X線像は、光学像ある
いはSEM像と重ね合わせて表示することも、あるいは
並べて表示することもできる。透過X線像を光学像ある
いはSEM像と重ね合わせて表示する場合には、位置算
出手段3で重ね合わせた画像データを形成しこの画像デ
ータを表示する。この重ね合わせた画像表示、あるいは
並べた画像表示によれば、試料内部に存在するためある
いは色や濃淡が類似するために光学像あるいはSEM像
で識別できない異物等の解析対象物を、透過X線像によ
って識別することができ、解析対象を指定することがで
きる。
【0017】位置算出手段3が行う処理について、図2
の概略図を用いて説明する。位置算出手段3は、表示手
段5に透過X線像の画像を表示させるために、透過X線
像データ3a1,光学像データ3a2,SEM像データ
3a3等の画像データを記憶手段3aと、これら画像デ
ータを表示手段5に表示する表示制御手段3dと、透過
X線像と光学像データあるいはSEM像データとを重ね
合わせた画像データを形成する画像合成手段3cを備
え、表示画像上で解析位置を定め表示画像上で指定した
解析位置の位置座標を求めるために、マウス等の位置指
定手段6によって表示手段5の表示画面に表示された画
像上で指定した位置の位置座標を位置データとして算出
する位置データ算出手段3bを備える。
【0018】位置データ算出手段3bで算出した位置デ
ータは、記憶手段3a内に位置データ3a4として格納
される。なお、位置指定手段6で指定した位置は、表示
制御手段3dによって表示手段5の表示画面上に表示す
ることによって、指定位置を確認することができる。な
お、透過X線像データ3a1は、図示しない透過X線検
査装置から信号線やネットワークを介して入力する他
に、図示しない記録媒体から入力することができる。
【0019】また、位置算出手段3は、求めた位置座標
を試料ステージ4上の位置座標に換算し、試料S上の解
析位置に位置決めするために、記憶手段3aに格納され
る位置データ3a4を試料ステージ4上の位置座標に換
算するステージ位置換算手段3eと、換算された位置座
標に基づいて試料ステージ4を駆動制御するステージ制
御手段3fを備える。
【0020】なお、画像合成手段3cは、透過X線像デ
ータ3aと光学像データ3a2との重ね合わせた画像、
あるいは透過X線像データ3aとSEMデータ3a3と
の重ね合わせた画像を形成することができる。また、表
示制御手段3dは、画像合成手段3cで形成した画像の
他に、透過X線像データ3aと光学像データ3a2、あ
るいは透過X線像データ3aSEMデータ3a3とを並
べて表示したり、透過X線像データ3a,光学像データ
3a2,SEMデータ3a3の各画像を単独で表示する
ことができる。
【0021】次に、本発明の試料解析装置による解析動
作の一例を図3のフローチャートを用いて説明する。は
じめに、試料を透過X線検査装置(図示していない)に
セットし(ステップS1)透過X線像を撮像する。撮像
して得た透過X線像の画像データは、信号線やネットワ
ークを介して、あるいは記録媒体によって試料解析装置
に入力し記憶手段3aに格納する。ネットワークは、イ
ンターネットやLAN等のイントラネットを用いること
ができる(ステップS2)。
【0022】透過X線検査装置から試料を取り外し、試
料解析装置1の試料ステージ4上に配置し(ステップS
3)、光学像やSEM像を求める(ステップS4)。記
憶手段3aに格納される透過X線像データ3a1を読出
し、表示制御手段3dによって表示手段5に表示する。
透過X線像は、光学像あるいはSEM像と重ね合わせて
表示する他に、並べて表示することができる。透過X線
像を光学像あるいはSEM像と重ね合わせた画像を形成
するには、両画像の位置合わせして重ねる。画像の位置
合わせは、例えば、エッジ検出処理によって画像の輪郭
等の特徴的な形状を抽出して位置合わせする他、試料上
に予めマークを設けておきこのマークを用いて位置合わ
せすることで行うことでができる(ステップS5)。
【0023】表示された画像に基づいて解析位置を定め
る。表示画像には、透過X線像による画像が含まれてい
るため、光学像やSEM像で確認が困難な異物等につい
ても容易に確認することができる(ステップS6)。表
示画像上において、解析位置を定め、当該位置データを
求める。透過X線像と光学像あるいはSEM像とを重ね
合わせた画像上において解析位置を定める場合には、解
析位置の位置データは光学像あるいはSEM像上の位置
座標から求めることができる。また、透過X線像を光学
像あるいはSEM像と並べ、透過X線像上において解析
位置を定める場合には、透過X線像と光学像あるいはS
EM像との位置座標の対応関係を予め求めておき、透過
X線像上の位置座標に対応する光学像あるいはSEM像
上の位置座標を求めことで得ることができる(ステップ
S7)。
【0024】ステージ位置換算手段3eは、前記工程で
求めた位置座標を試料ステージ4上の位置座標に換算
し、ステージ制御手段3fはこの位置座標に基づいて試
料ステージ4を制御し位置決めを行う。これによって、
表示画像上で解析位置を定め得ることによって、当該解
析位置を試料ステージ上に位置決めすることができる
(ステップS8)。試料ステージ上に解析位置を位置決
めした後、試料解析装置による解析を行う(ステップS
9)。表示画像上において定めた解析位置について、ス
テップS6〜ステップS9を繰り返すことによって、全
解析位置の解析処理を行う(ステップS10)。
【0025】以下、透過X線像を光学像あるいはSEM
像と重ね合わせて表示する表示例、及び透過X線像を光
学像あるいはSEM像と並べて表示する表示例につい
て、図4,5を用いて説明する。図4は透過X線像を光
学像あるいはSEM像と重ね合わせて表示する表示例を
説明するための概略図である。
【0026】図4(b)及び図4(c)は、同一の試料
についての透過X線像、及び光学像あるいはSEM像を
示している。また、図4(a)は、同試料の断面状態
(図4(b)の一点鎖線上の断面)を示している。図4
(c)に示す光学像あるいはSEM像では、表面形状B
等は確認することができるが、試料内に存在する異物
(図4(a)中に示すA)や色や濃淡が近い場合には確
認することができない。これに対して、図4(b)に示
す透過X線像では、試料内に存在する異物Aについても
確認することができる。なお、表面状態B等は場合によ
っては光学像あるいはSEM像よりも明瞭度が落ちる場
合がある。
【0027】ここで、図4(b)の透過X線像と図4
(c)の光学像あるいはSEM像を重ね合わせることに
よって、図4(d)に示す重ね合わせ像を得る。重ね合
わせ像は、光学像あるいはSEM像による表面状態B
と、透過X線像による異物Aとを共に明瞭に表示するこ
とができる。したがって、試料内部に存在したり識別が
困難な異物Aが、試料上においてどの位置にあるかを明
瞭に確認することが容易となる。図5(a)は、表示画
像面上における重ね合わせ表示の例を示している。な
お、透過X線像と光学像あるいはSEM像との像の位置
合わせは、表面状態Bの形状をエッジ検出等で検出して
合わせる他、試料上の設けたマーカCを用いることもで
きる。
【0028】図4(b)の透過X線像と図4(c)の光
学像あるいはSEM像は、図5(b)に示すように、表
示画像面上において並べて表示することができる。この
表示において、透過X線像と光学像あるいはSEM像と
の位置関係を対応付けて表示することによって、透過X
線像上で解析位置を指定することで光学像あるいはSE
M像上の位置データを求めることができる。
【0029】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の試料解析
装置によれば、試料上において目的とする測定位置や分
析位置を容易に見つけることができ。測定あるいは分析
の効率を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の試料解析装置の概要を説明するための
概略図である。
【図2】本発明の位置算出手段が行う処理を説明するた
めの概略図である。
【図3】本発明の試料解析装置による解析動作の一例を
説明するためのフローチャートである。
【図4】本発明の透過X線像を光学像あるいはSEM像
と重ね合わせて表示する表示例を説明するための概略図
である。
【図5】本発明の透過X線像、及び光学像あるいはSE
M像の表示例を説明するための概略図である。
【符号の説明】
1…試料解析装置、2…解析部、2a…解析室、2b…
X線源、2c…X線導入機構、2d…CCDカメラ、2
e…X線検出器、3…位置算出手段、3a…記憶手段、
3a1…透過X線像データ、3a2…光学像データ、3
a3…SEM像データ、3a4…位置データ、3b…位
置データ算出手段、3c…画像合成手段、3d…表示制
御手段、3e…ステージ位置換算手段、3f…ステージ
制御手段、4…試料ステージ、5…表示手段、6…位置
指定手段。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 試料を測定あるいは分析することによっ
    て試料解析を行う装置であって、平面上の移動を行う試
    料ステージと、解析対象の試料の透過X線像に基づいて
    解析位置を定め、当該解析位置の位置データを求める位
    置算出手段とを備え、前記試料ステージは、前記位置算
    出手段による位置データに基づいて移動し、試料上の解
    析位置に位置決めすることを特徴とする試料解析装置。
  2. 【請求項2】 前記位置算出手段は、前記透過X線像と
    解析対象の試料の光学像あるいはSEM像とを重ね合わ
    せてあるいは並べて表示し、当該表示に基づいて解析位
    置を定めることを特徴とする請求項1記載の試料解析装
    置。
JP2001119235A 2001-04-18 2001-04-18 試料解析装置 Withdrawn JP2002310954A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001119235A JP2002310954A (ja) 2001-04-18 2001-04-18 試料解析装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001119235A JP2002310954A (ja) 2001-04-18 2001-04-18 試料解析装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2002310954A true JP2002310954A (ja) 2002-10-23

Family

ID=18969488

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001119235A Withdrawn JP2002310954A (ja) 2001-04-18 2001-04-18 試料解析装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2002310954A (ja)

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004340583A (ja) * 2003-05-13 2004-12-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd X線測定装置
JP2006170770A (ja) * 2004-12-15 2006-06-29 Jeol Ltd 試料分析装置
JP2006177896A (ja) * 2004-12-24 2006-07-06 Sii Nanotechnology Inc 観察または加工位置特定方法および装置ならびに試料加工方法および装置
JP2006300957A (ja) * 2004-02-19 2006-11-02 House Foods Corp 固形状測定対象物質断面における検出成分分布濃度を測定するための方法
JP2007107906A (ja) * 2005-10-11 2007-04-26 Shimadzu Corp X線検査装置
JP2007127601A (ja) * 2005-11-07 2007-05-24 Shimadzu Corp X線検査装置
JP2007178229A (ja) * 2005-12-27 2007-07-12 Shimadzu Corp X線検査装置
JP2008521003A (ja) * 2004-11-29 2008-06-19 モトローラ・インコーポレイテッド X線マイクロ分析法を用いて複雑な構造の含有化学物質を決定するための方法
JP2009300232A (ja) * 2008-06-12 2009-12-24 Shimadzu Corp マッピング分析装置
WO2012157467A1 (ja) * 2011-05-13 2012-11-22 オムロン株式会社 検査領域設定方法およびx線検査システム
JP2013036793A (ja) * 2011-08-05 2013-02-21 Sii Nanotechnology Inc X線分析装置及び方法
JP2017536551A (ja) * 2014-12-03 2017-12-07 アドヴァカム エス.アール.オー.Advacam S.R.O. X線ナノラジオグラフィ及びナノトモグラフィの方法及び装置
WO2019059012A1 (ja) * 2017-09-19 2019-03-28 コニカミノルタ株式会社 非破壊検査方法
WO2019058993A1 (ja) * 2017-09-19 2019-03-28 コニカミノルタ株式会社 非破壊検査方法
WO2020003458A1 (ja) * 2018-06-28 2020-01-02 株式会社日立ハイテクノロジーズ 半導体検査装置

Cited By (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004340583A (ja) * 2003-05-13 2004-12-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd X線測定装置
JP4611931B2 (ja) * 2004-02-19 2011-01-12 ハウス食品株式会社 固形状測定対象物質断面における検出成分分布濃度を測定するための方法
JP2006300957A (ja) * 2004-02-19 2006-11-02 House Foods Corp 固形状測定対象物質断面における検出成分分布濃度を測定するための方法
JP2008521003A (ja) * 2004-11-29 2008-06-19 モトローラ・インコーポレイテッド X線マイクロ分析法を用いて複雑な構造の含有化学物質を決定するための方法
JP2006170770A (ja) * 2004-12-15 2006-06-29 Jeol Ltd 試料分析装置
JP4616631B2 (ja) * 2004-12-15 2011-01-19 日本電子株式会社 試料分析装置
JP2006177896A (ja) * 2004-12-24 2006-07-06 Sii Nanotechnology Inc 観察または加工位置特定方法および装置ならびに試料加工方法および装置
JP4634134B2 (ja) * 2004-12-24 2011-02-16 エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 観察位置表示方法及び装置ならびに試料加工方法及び装置
JP4696826B2 (ja) * 2005-10-11 2011-06-08 株式会社島津製作所 X線検査装置
JP2007107906A (ja) * 2005-10-11 2007-04-26 Shimadzu Corp X線検査装置
JP4622814B2 (ja) * 2005-11-07 2011-02-02 株式会社島津製作所 X線検査装置
JP2007127601A (ja) * 2005-11-07 2007-05-24 Shimadzu Corp X線検査装置
JP4577214B2 (ja) * 2005-12-27 2010-11-10 株式会社島津製作所 X線検査装置
JP2007178229A (ja) * 2005-12-27 2007-07-12 Shimadzu Corp X線検査装置
JP2009300232A (ja) * 2008-06-12 2009-12-24 Shimadzu Corp マッピング分析装置
WO2012157467A1 (ja) * 2011-05-13 2012-11-22 オムロン株式会社 検査領域設定方法およびx線検査システム
JP2012237729A (ja) * 2011-05-13 2012-12-06 Omron Corp 検査領域設定方法およびx線検査システム
JP2013036793A (ja) * 2011-08-05 2013-02-21 Sii Nanotechnology Inc X線分析装置及び方法
JP2017536551A (ja) * 2014-12-03 2017-12-07 アドヴァカム エス.アール.オー.Advacam S.R.O. X線ナノラジオグラフィ及びナノトモグラフィの方法及び装置
WO2019059012A1 (ja) * 2017-09-19 2019-03-28 コニカミノルタ株式会社 非破壊検査方法
WO2019058993A1 (ja) * 2017-09-19 2019-03-28 コニカミノルタ株式会社 非破壊検査方法
CN111094953A (zh) * 2017-09-19 2020-05-01 柯尼卡美能达株式会社 非破坏检查方法
CN111108370A (zh) * 2017-09-19 2020-05-05 柯尼卡美能达株式会社 非破坏检查方法
JPWO2019058993A1 (ja) * 2017-09-19 2020-11-05 コニカミノルタ株式会社 非破壊検査方法
JPWO2019059012A1 (ja) * 2017-09-19 2020-11-05 コニカミノルタ株式会社 非破壊検査方法
JP7126147B2 (ja) 2017-09-19 2022-08-26 コニカミノルタ株式会社 非破壊試験方法
JP7126146B2 (ja) 2017-09-19 2022-08-26 コニカミノルタ株式会社 非破壊試験方法
US11652243B2 (en) 2017-09-19 2023-05-16 Konica Minolta, Inc Non-destructive inspection method
WO2020003458A1 (ja) * 2018-06-28 2020-01-02 株式会社日立ハイテクノロジーズ 半導体検査装置
US11719746B2 (en) 2018-06-28 2023-08-08 Hitachi High-Tech Corporation Semiconductor inspection device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2002310954A (ja) 試料解析装置
JP4753711B2 (ja) 3次元画像表示装置、3次元画像表示装置の操作方法、3次元画像表示プログラム及びコンピュータで読み取り可能な記録媒体並びに記録した機器
JP5599062B2 (ja) X線回折装置及びx線回折測定方法
KR102354765B1 (ko) 형광 x 선 분석 장치 및 그 측정 위치 조정 방법
KR101137045B1 (ko) 미세 구조체 검사 방법, 미세 구조체 검사 장치, 및 미세 구조체 검사 프로그램 기록 매체
JP2013513418A (ja) 微分位相コントラストイメージングシステム
JP2010048727A (ja) X線分析装置及びx線分析方法
JP4725350B2 (ja) 透過x線測定方法
KR101387844B1 (ko) X선 분석 장치 및 x선 분석 방법
JP5563995B2 (ja) 電子プローブマイクロアナライザにおけるデータ処理方法及び電子プローブマイクロアナライザ
JP2006047206A (ja) 複合型顕微鏡
KR960012331B1 (ko) 시료표면 분석에 있어서 백그라운드 보정을 위한 방법 및 장치
JP2006173038A (ja) 荷電粒子線装置、試料像表示方法及びイメージシフト感度計測方法
JP3655778B2 (ja) X線分析装置
JP2002286663A (ja) 試料分析および試料観察装置
JP3487292B2 (ja) X線透視装置
JP2002062270A (ja) 電子線を用いた表面分析装置における面分析データ表示方法
JP4616631B2 (ja) 試料分析装置
Patterson et al. Nondestructive investigations of a copper-and argon-doped sputtered beryllium capsule using X-rays in three dimensions
JP2006172919A (ja) 三次元形状解析機能を有する走査型電子顕微鏡
JP2004163135A (ja) X線分析装置
US20230377836A1 (en) Analysis System
JP2003004677A (ja) X線照射位置指示装置及びx線分析装置
JP4041386B2 (ja) 荷電粒子ビーム装置におけるステージ移動制御方法並びに荷電粒子ビームを用いた観察方法及び装置
JP2003207467A (ja) X線分析装置

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20080701