JP2002305872A - 昇圧電圧の調節が可能な昇圧回路及び昇圧電圧を生成する方法並びにそれを具備する集積回路 - Google Patents

昇圧電圧の調節が可能な昇圧回路及び昇圧電圧を生成する方法並びにそれを具備する集積回路

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 昇圧電圧の調節が可能な電圧昇圧回路及び昇
圧電圧を生成する方法並びにそれを具備する集積回路を
提供する。 【解決手段】 電圧昇圧回路は、制御信号発生部、発振
手段及び電荷ポンプ部を具備する。制御信号発生部は、
昇圧電圧を受信して昇圧電圧の電圧値を調節するための
昇圧電圧選択信号に応答して制御信号を生じる。発振手
段は、制御信号に応答して相補的な位相を有する内部ク
ロック信号対を生じる。電荷ポンプ部は、対応する内部
クロック信号対を各々受信して昇圧電圧を生じる。本発
明に係る電圧昇圧回路により生じる昇圧電圧のリプル現
象が減少し、生じる昇圧電圧を調節して所望の昇圧電圧
を得られる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は集積回路に係り、特
に昇圧電圧の調節が可能な昇圧回路に関する。
【0002】
【従来の技術】集積回路が応用される分野のうち電源電
圧より高い電圧を必要とする分野は非常に多い。例え
ば、EEPROM(Electrically Era
sable and Programmable RO
M)またはフラッシュEEPROMのような不揮発性メ
モリは電源電圧より高い読出し電圧を必要とする。この
ような高い電圧は一般にメモリ回路と共に集積された電
圧昇圧(または掛け算)回路によって生じる。
【0003】従来の電圧昇圧回路のうちの電荷ポンプの
原理を利用して実現されるものにおいて、電荷ポンピン
グに使われるキャパシタのキャパシタンスは、全体回路
に使われるクロック信号の周波数及び駆動しようとする
回路によって決定される。駆動しようとする回路に使わ
れるクロック信号の周波数が電圧昇圧回路で必要とする
周波数より低い場合には、電圧昇圧回路にはオン−チッ
プ化できない程度の大きいキャパシタンスを有するキャ
パシタが必要である。したがって、このような電圧昇圧
回路の外部には追加的に大きいキャパシタンスを有する
キャパシタが使われる。電圧昇圧回路の外部に大きいキ
ャパシタンスを有するキャパシタを追加的に使用する場
合には、電圧昇圧回路のチップとキャパシタの連結部分
でのポテンシャルがチップに供給される電源電圧より高
まる。これによって、チップのパッド部分にポテンシャ
ルの差を考慮した追加的な回路が使われねばならない。
【0004】また、電圧昇圧回路が設計された周波数よ
り低いかまたは高いかの周波数領域で動作すれば、昇圧
された電圧値が可変して全体回路の誤動作が誘発される
問題がある。これを解決するために従来の電圧昇圧回路
のうち外部から活性化信号を受信して内部クロックを生
じる発振手段と、内部クロックを受信して電源電圧を昇
圧して出力する昇圧手段とを具備する電圧昇圧回路も存
在する。このような電圧昇圧回路は全体回路の動作に独
立的なクロック信号を使用して電圧を昇圧することによ
って昇圧動作速度を向上させて全体回路も小さくでき
る。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような従来の電圧昇圧回路は、一応負荷電流や発振手段
の回路が一定に実現されれば、昇圧電圧がすべて固定さ
れた値、例えば電源電圧の2倍程度を生じて、出力され
る昇圧電圧を調節し難い問題がある。また、電荷ポンプ
に使われるキャパシタによって昇圧電圧のリプル(ri
pple)現象が生じる問題もある。そこで、本発明
は、生じる昇圧電圧が固定されずに所望の昇圧電圧レベ
ルへの調節が可能であり、また、生じる昇圧電圧のリプ
ル現象を減らせる昇圧回路を提供することを目的とす
る。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の本発明に係る電圧昇圧回路は、昇圧電圧を受信して前
記昇圧電圧の電圧値を調節するための昇圧電圧選択信号
に応答して制御信号を生じる制御信号発生部、前記制御
信号に応答して相補的な位相を有する内部クロック信号
対を生じる発振手段、及び前記内部クロック信号対を各
々受信して前記昇圧電圧を生じる電荷ポンプ部を具備す
ることを特徴とする。
【0007】さらに説明すれば、前記制御信号発生部
は、第1抵抗、第2抵抗、フィードバック素子及び電圧
分配部を具備する。第1抵抗は、一端が前記昇圧電圧に
連結され、他の一端が差動増幅器の逆相入力端子に連結
される。第2抵抗は、一端が前記差動増幅器の逆相入力
端子に連結され、他の一端が接地電圧VSSに連結され
る。フィードバック素子は、前記差動増幅器の逆相入力
端子と前記差動増幅器の出力端子との間に直列連結され
る。電圧分配部は、電源電圧と接地電圧VSSとの間に
直列連結される多数の抵抗を具備し、各々の抵抗値によ
って前記電源電圧を分配して前記差動増幅器の正相入力
端子に印加する。
【0008】上記課題を解決するための本発明の他の実
施形態に係る昇圧回路は、出力が共通で連結され、位相
周期信号に応答して電流パルスを生じる複数の電荷ポン
プ部、及び相異なる位相を有する前記位相周期信号を生
じる多位相周期信号発生部を具備することを特徴とす
る。前記多位相周期信号発生部は、前記複数の電荷ポン
プ部により生じる前記電流パルスが毎周期ごとに分布
し、前記分布が反復されるように位相周期信号を生じ
る。また、前記多位相周期信号発生部は、前記複数の電
荷ポンプ部により生成された電圧に応答して制御信号を
生じる制御信号発生部、及び前記制御信号に応答して前
記位相周期信号を生じる発振手段を具備することを特徴
とする。
【0009】前記制御信号発生部は、所定値と前記電圧
とを比較した結果に応答して前記制御信号を生じる。ま
た、前記制御信号発生部は、所定値と前記複数の電荷ポ
ンプ部により生じる前記電圧とを比較した結果に応答し
て制御電圧を生じ、前記発振手段は、前記制御電圧に応
答して前記位相周期信号の周波数を変える電圧制御発振
器を具備することを特徴とする。
【0010】望ましくは、前記制御信号発生部は、所定
の差動増幅器の第1及び第2入力に印加される第1及び
第2電圧に応答して前記制御電圧を生じる差動増幅器、
前記複数の電荷ポンプ部によって生じる電圧から前記第
1電圧を生じる第1電圧分配部、及び電源電圧から前記
第2電圧を生じる第2電圧分配部を具備することを特徴
とする。
【0011】前記差動増幅器は、前記差動増幅器の出力
端と前記第1入力との間に連結されるフィードバック素
子を具備する。前記第1電圧分配部は、命令信号に応答
して前記第1電圧を変えるための可変電圧分配器を具備
し、前記第2電圧分配部は、固定電圧分配器を具備す
る。 前記多位相周期信号発生部は、相異なる位相を有
する相補的な位相周期信号対を生じ、電荷ポンプ部は、
各々対応する前記相補的な位相周期信号対を受信するこ
とを特徴とする。前記電荷ポンプ部の各々は、相補的な
第1及び第2位相周期信号を受信する第1及び第2入力
ノード、出力ノード、ソースが電源電圧に連結され、ド
レインが第1ノードに連結され、ゲートが第2ノードに
連結される第1トランジスタ、ソースが前記電源電圧に
連結され、ドレインが前記第2ノードに連結され、ゲー
トが前記第1ノードに連結される第2トランジスタ、入
力が対応する前記第1及び第2入力ノードに各々連結さ
れる第1及び第2インバータ、一端が前記第1及び第2
インバータの出力に各々連結され、他の一端が前記第1
及び第2ノードに各々連結される第1及び第2キャパシ
タ、ドレインが前記第1ノードに連結され、ソースが出
力ノードに連結され、ゲートが前記第2ノードに連結さ
れる第3トランジスタ、及びドレインが前記第2ノード
に連結され、ソースが前記出力ノードに連結され、ゲー
トが前記第1ノードに連結される第4トランジスタを具
備することを特徴とする。
【0012】上記課題を解決するための本発明のさらに
他の実施形態に係る集積回路は、電源電圧ノード、前記
電源電圧ノードに連結され、出力が共通的に連結される
複数の電荷ポンプ部であって、所定の位相周期信号に応
答して電流パルスを前記電源電圧ノードから前記電荷ポ
ンプ部の出力端に伝達するように動作する前記複数の電
荷ポンプ部、及び相異なる位相を有する前記位相周期信
号を生じる多位相周期信号発生部を具備することを特徴
とする。
【0013】前記多位相周期信号発生部は、前記複数の
電荷ポンプ部により生じる前記電流パルスが毎周期ごと
に分布し、前記分布が反復させられるように位相周期信
号を生じる。また、前記多位相周期信号発生部は、前記
複数の電荷ポンプ部により生成された出力電圧に応答し
て制御信号を生じる制御信号発生部、及び前記制御信号
に応答して前記位相周期信号を生じる発振手段を具備す
る。
【0014】上記課題を解決するための本発明のさらに
他の実施形態に係る集積回路で電圧を生じる方法は、
(a)相異なる位相を有する複数の位相周期信号を生じ
る段階、(b)対応する前記複数の位相周期信号に応答
して、集積回路の電源電圧ノードから対応する複数の電
流源を経由して電流パルスを伝達する段階、及び(c)
前記電流パルスに応答してキャパシタを充電し、前記電
圧を生じる段階を具備することを特徴とする。
【0015】望ましくは、前記(a)段階は、前記複数
の電流源により生じる前記電流パルスが毎周期ごとに分
布し、前記分布が反復されるように位相周期信号を生じ
ることを特徴とする。また、(a)段階は、(a1)前
記生じた電圧に応答して制御信号を生じる段階、及び
(a2)前記制御信号に応答して前記複数の位相周期信
号を生じる段階を具備することを特徴とする。(a2)
段階は、前記制御信号に応答して前記位相周期信号の周
波数を変えることを具備する。前記(a1)段階は、前
記生じた電圧を所定値と比較した結果に応答して前記制
御信号を生じることを具備することを特徴とする。
【0016】
【発明の実施の形態】本発明と本発明の動作上の利点及
び本発明の実施によって達成される目的とを十分に理解
するために、本発明の望ましい実施形態を例示する添付
図面及び図面に記載された内容を参照する。以下、添付
した図面を参照して本発明の望ましい実施形態を説明す
ることによって、本発明を詳細に説明する。各図面に付
された同じ参照符号は同じ部材を示す。
【0017】図1は、本発明の実施の形態に係る電圧昇
圧回路のブロック図である。図1を参照すれば、本発明
の実施形態に係る電圧昇圧回路100は、制御信号発生
部110、発振手段120及び電荷ポンプ部130、1
31、132を具備する。制御信号発生部110は、昇
圧電圧VDD_HIに応答して制御信号VCNTを生じ
る。発振手段120は、制御信号VCNTに応答して相
補的な位相を有する内部クロック信号対ICK1、IC
KB1、ICK2、ICKB2〜ICKn、ICKBn
を生じる。電荷ポンプ部130、131、132は、内
部クロック信号対ICK1、ICKB1、ICK2、I
CKB2〜ICKn、ICKBnを各々受信して昇圧電
圧VDD_HIを生じる。
【0018】以下図1を参照して、本発明に係る電圧昇
圧回路100の動作を詳細に説明する。複数の電荷ポン
プ部130、131、132は、電圧を昇圧させる機能
を有する。電荷ポンプ部130、131、132は、発
振手段120で生じる相補的な位相を有する内部クロッ
ク信号対ICK1、ICKB1、ICK2、ICKB2
〜ICKn、ICKBnを受信する。内部クロック信号
対ICK1、ICKB1、ICK2、ICKB2〜IC
Kn、ICKBnの各々は、互いに周波数は一致する
が、位相差を有する信号である。この時に、発振手段1
20から出る内部クロック信号対ICK1、ICKB
1、ICK2、ICKB2〜ICKn、ICKBnの周
波数は、制御信号発生部110で生じる制御信号VCN
Tによって決定される。
【0019】制御信号VCNTは電圧値であり、発振手
段120は電圧によって制御される。発振手段120と
して、例えば電圧制御発振器あるいはリングオシレータ
が使われる。内部クロック信号対ICK1、ICKB
1、ICK2、ICKB2〜ICKn、ICKBnは、
同時に生じて複数の電荷ポンプ部130、131、13
2に印加され、各々の電荷ポンプ部130、131、1
32の出力電圧値が足されて昇圧電圧VDD_HIとし
て生じる。このような機能を有する発振手段120は当
業者であれば誰でも回路の実現が可能であるのでその詳
細な構成に関する説明は省略する。
【0020】制御信号発生部110は、昇圧電圧VDD
_HIが所望の電圧より低い時は制御信号VCNTの電
圧値を高めて内部クロック信号対ICK1、ICKB
1、ICK2、ICKB2〜ICKn、ICKBnの周
波数を高める。内部クロック信号対ICK1、ICKB
1、ICK2、ICKB2〜ICKn、ICKBnの周
波数が高まれば、電荷ポンプ部130、131、132
のポンピング動作の頻度数が増加して、昇圧電圧VDD
_HIが高まる。反対に、制御信号発生部110は、昇
圧電圧VDD_HIが所望の電圧より高い時は制御信号
VCNTの電圧値を低くめて内部クロック信号対ICK
1、ICKB1、ICK2、ICKB2〜ICKn、I
CKBnの周波数を低める。内部クロック信号対ICK
1、ICKB1、ICK2、ICKB2〜ICKn、I
CKBnの周波数が低くなれば、電荷ポンプ部130、
131、132のポンピング動作の頻度数が減少して、
昇圧電圧VDD_HIが低くなる。
【0021】このような機能をするために制御信号発生
部110は、電荷ポンプ部130、131、132で生
じる昇圧電圧VDD_HIをフィードバックして受信す
る。このようなフィードバック構造により、まず所望の
昇圧電圧VDD_HIを定めれば、一定時間後に所望の
昇圧電圧VDD_HIが出力される。したがって、昇圧
電圧VDD_HIを固定された電圧ではなく、所望の電
圧値で内部的な操作を通じて得られる。所望の昇圧電圧
VDD_HIを得るために昇圧電圧選択信号VDD_H
I_SELが使われる。制御信号発生部110の構成及
び詳細な動作は後述する図2で詳細に説明する。
【0022】電荷ポンプ部130、131、132は、
発振手段120で生じる対応する相補的な位相を有する
内部クロック信号対ICK1、ICKB1、ICK2、
ICKB2〜ICKn、ICKBnを各々受信して昇圧
された電圧を生じ、各々の電圧は、加えられて、昇圧電
圧VDD_HIになる。各々の電荷ポンプ部130、1
31、132は、対応する各々の内部クロック信号対I
CK1、ICKB1、ICK2、ICKB2〜ICK
n、ICKBnを受信して、互いに並列に連結される。
電荷ポンプ部130、131、132が複数使われるこ
とによって内部のキャパシタの容量を減らすことがで
き、したがって、各々の電荷ポンプ部130、131、
132でポンピングされる電荷量が減少して昇圧電圧V
DD_HIのリプル現象が減る。電荷ポンプ部130、
131、132の構成及び詳細な動作は後述する図3で
詳細に説明する。
【0023】図2は、制御信号発生部を示す回路図であ
る。図2を参照すれば、制御信号発生部110は、第1
抵抗R1、第2抵抗R2、フィードバック素子CF、R
F及び電圧分配部220を具備する。第1抵抗R1は、
一端が昇圧電圧VDD_HIに連結され、他の一端が差
動増幅器210の逆相入力端子に連結される。第1抵抗
R1は、昇圧電圧選択信号VDD_HI_SELに応答
してその抵抗値が変わる。第2抵抗R2は、一端が差動
増幅器210の逆相入力端子に連結され、他の一端が接
地電圧VSSに連結される。フィードバック素子CF、
RFは、差動増幅器210の逆相入力端子と差動増幅器
210の出力端子との間に直列連結される。電圧分配部
220は、電源電圧VDDと接地電圧VSSとの間に直
列連結される多数の抵抗RA、RBを具備し、各々の抵
抗値によって電源電圧VDDを分配して差動増幅器21
0の正相入力端子に印加する。制御信号発生部110
は、フィルターの役割をし、特に低域通過フィルターの
役割を行う。
【0024】以下、図2を参照して制御信号発生部11
0の動作を詳細に説明する。電圧分配部220は抵抗R
A、RBにより電源電圧VDDを分配する。もし、電源
電圧が5ボルトであり抵抗RA、RBの比が1:1であ
れば、差動増幅器210の正相入力端子には2.5ボル
トが印加される。第1抵抗R1は、可変抵抗であって昇
圧電圧選択信号VDD_HI_SELによってその値が
変わる。昇圧電圧選択信号VDD_HI_SELとして
デジタル信号が入力されれば、いくつかの抵抗のうちの
一つの抵抗をスイッチング動作によって選択する方法で
第1抵抗R1の値を変えられる。実際、シミュレーショ
ンにより実現された例を調べれば、昇圧電圧VDD_H
Iを電源電圧VDDの1.5倍とするためにはR1/R
2=2/1、RA/RB=1/1にすればよい。このよ
うな機能を有する制御信号発生部110は上記のような
構成以外にも多くの構成があり得る。
【0025】図3は、電荷ポンプ部を示す回路図であ
る。電荷ポンプ部130、1310、132の構成及び
機能はすべて同一なので電荷ポンプ部130についての
み説明する。図3を参照すれば、電荷ポンプ部130
は、発振手段120から生じる相補的な位相を有する内
部クロック信号対ICK1、ICKB1を受信して反転
させるインバータI1、I2と、インバータI1、I2
の出力端子に各々連結されたキャパシタCP1、CP2
と、電源電圧VDDとキャパシタCP1、CP2の一端
の第1及び第2ノードN1、N2との間に各々連結され
た第1及び第2NMOSトランジスタMN1、MN2
と、第1及び第2ノードN1、N2と昇圧電圧VDD_
HIの出力端子との間に連結された第1及び第2PMO
SトランジスタMP1、MP2と、第1及び第2PMO
SトランジスタMP1、MP2のバルクに一端が連結さ
れ、他の一端が接地電圧VSSに連結されるキャパシタ
CWBと、昇圧電圧VDDの出力端子と接地電圧VSS
との間に連結されるキャパシタCSとを具備する。第1
NMOSトランジスタMN1と第1PMOSトランジス
タMP1とのゲートは、第2ノードN2と連結されて内
部クロック信号ICKBにより制御され、第2NMOS
トランジスタMN2と第2PMOSトランジスタMP2
とのゲートは、第1ノードN1と連結されて内部クロッ
ク信号ICKにより制御される。
【0026】以下、図3を参照して電荷ポンプ部130
の動作を詳細に説明する。インバータI1、I2は、発
振回路120から所定の周波数を有して相補的な位相を
有する内部クロック信号対ICK1、ICKB1が入力
されれば、内部クロック信号対ICK1、ICKB1を
反転させてキャパシタCP1、CP2に印加する。キャ
パシタCWBは、第1及び第2PMOSトランジスタM
P1、MP2が動作する時に生じるラッチアップ現象を
防止する。キャパシタCP1、CP2は、インバータI
1、I2から供給される内部クロック信号対ICK1、
ICKB1を各々充放電する。例えば、ハイレベルの内
部クロック信号ICK1がキャパシタCP1に印加さ
れ、ローレベルの内部クロック信号ICKB1がキャパ
シタCP2に印加されれば、キャパシタCP1はハイレ
ベルの内部クロック信号ICK1を充電して第1ノード
N1に印加し、キャパシタCP2はローレベルの内部ク
ロック信号ICKB1により第2ノードN2を放電す
る。この時に、第1ノードN1はハイレベルで充電さ
れ、第2ノードN2はローレベルで放電される。
【0027】第1及び第2NMOSトランジスタMN
1、MN2及び第1及び第2PMOSトランジスタMP
1、MP2の電流通路は、第1及び第2ノードN1、N
2の電圧レベルによってターンオンされたりあるいはタ
ーンオフされたりする。第1ノードN1の電圧レベルが
ハイレベルである時に、第2NMOSトランジスタMN
2と第1PMOSトランジスタMP1との電流通路がタ
ーンオンされ、第2ノードN2の電圧レベルがローレベ
ルである時に、第1NMOSトランジスタMN1と第2
PMOSトランジスタMP2との電流通路はターンオフ
される。これにより、第1ノードN1に充電された電源
電圧VDDレベルの昇圧電圧VDD_HIがキャパシタ
CSに印加される。反対に、ローレベルの内部クロック
信号ICK1がキャパシタCP1に印加され、ハイレベ
ルの内部クロック信号ICKB1がキャパシタCP2に
印加されれば、キャパシタCP1はローレベルの内部ク
ロック信号ICK1により第1ノードN1を放電し、キ
ャパシタCP2はハイレベルの内部クロック信号ICK
B1を充電して第2ノードN2に印加する。この時に、
第1ノードN1はローレベルで放電され、第2ノードN
2はハイレベルで充電される。第1ノードN1の電圧レ
ベルがローレベルである時に、第2NMOSトランジス
タMN2と第1PMOSトランジスタMP1との電流通
路がターンオフされ、第2ノードN2の電圧レベルがハ
イレベルである時に、第1NMOSトランジスタMN1
と第2PMOSトランジスタMP2との電流通路はター
ンオンされる。これにより、第2ノードN2に充電され
た電源電圧VDDレベルの昇圧電圧VDD_HIがキャ
パシタCSに印加される。この時に、キャパシタCSは
昇圧電圧CDD_HIを充電し続けて出力端子に出力す
る。
【0028】このような電荷ポンプ部130は、内部ク
ロック信号対ICK1、ICKB1の半周期の間に1回
ずつポンピング動作を行ない、速いポンピング速度を得
られる。ポンピング速度を速くすることによって使用さ
れるキャパシタのキャパシタンスを、ポンピング動作速
度に比例して、減らし得る。複数の電荷ポンプ部13
0、131、132が並列に連結されて使われるので、
電荷ポンプ部130、131、132内部のキャパシタ
のキャパシタンスを減らすことができ、各々の電荷ポン
プ部130、131、132でポンピングする電荷量が
減る。したがって、昇圧電圧VDD_HIのリプル現象
も減る。
【0029】
【発明の効果】上述したように、本発明に係る電圧昇圧
回路は、生じる昇圧電圧のリプル現象が減少し、生じる
昇圧電圧を調節して所望の昇圧電圧を得られる。
【0030】以上のように図面と明細書で最適な実施形
態が開示した。ここで特定の用語が使われたが、これは
単に本発明を説明するための目的で使われたものであっ
て意味限定や特許請求の範囲に記載された本発明の範囲
を制限するために使われたものではない。したがって、
本技術分野の通常の知識を有する者であればこれより多
様な変形及び均等な他の実施形態が可能である。したが
って、本発明の技術的保護範囲は特許請求範囲の技術的
思想により決まらねばならない。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態に係る電圧昇圧回路のブロッ
ク図である。
【図2】図1の制御信号発生部を示す回路図である。
【図3】図1の電荷ポンプ部を示す回路図である。
【符号の説明】
100:電圧昇圧回路 110:制御信号発生部130:電荷ポンプ部 210:差動増幅器 220:電圧分配部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 5B025 AD10 AE00 AE08 5H730 AA02 AS04 BB02 BB57 DD04 DD26 EE07 FG01

Claims (24)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 出力が共通に連結され、位相周期信号に
    応答して電流パルスを生じる複数の電荷ポンプ部と、 相異なる位相を有する前記位相周期信号を生じる多位相
    周期信号発生部とを具備することを特徴とする昇圧回
    路。
  2. 【請求項2】 前記多位相周期信号発生部は、 前記複数の電荷ポンプ部により生じる前記電流パルスが
    毎周期ごとに分布し、前記分布が反復されるように前記
    位相周期信号を生じることを特徴とする請求項1に記載
    の昇圧回路。
  3. 【請求項3】 前記多位相周期信号発生部は、 前記複数の電荷ポンプ部により生成された電圧に応答し
    て制御信号を生じる制御信号発生部と、 前記制御信号に応答して前記位相周期信号を生じる発振
    手段とを具備することを特徴とする請求項1に記載の昇
    圧回路。
  4. 【請求項4】 前記制御信号発生部は、 所定値と前記複数の電荷ポンプ部により生成された電圧
    とを比較した結果に応答して前記制御信号を生じること
    を特徴とする請求項3に記載の昇圧回路。
  5. 【請求項5】 前記制御信号発生部は、 所定値と前記複数の電荷ポンプ部により生成された電圧
    とを比較した結果に応答して制御電圧を生じ、 前記発振手段は、前記制御電圧に応答して前記位相周期
    信号の周波数を変える電圧制御発振器を具備することを
    特徴とする請求項3に記載の昇圧回路。
  6. 【請求項6】 前記制御信号発生部は、 所定の差動増幅器の第1及び第2入力に印加される第1
    及び第2電圧に応答して前記制御電圧を生じる前記差動
    増幅器と、 前記複数の電荷ポンプ部により生成された電圧から前記
    第1電圧を生じる第1電圧分配部と、 電源電圧から前記第2電圧を生じる第2電圧分配部と、 を具備することを特徴とする請求項5に記載の昇圧回
    路。
  7. 【請求項7】 前記差動増幅器は、 前記差動増幅器の出力端と前記第1入力との間に連結さ
    れるフィードバック素子を具備することを特徴とする請
    求項6に記載の昇圧回路。
  8. 【請求項8】 前記第1電圧分配部は、命令信号に応答
    して前記第1電圧を変えるための可変電圧分配器を具備
    し、 前記第2電圧分配部は、固定電圧分配器を具備すること
    を特徴とする請求項6に記載の昇圧回路。
  9. 【請求項9】 前記多位相周期信号発生部は、相異なる
    位相を有する相補的な位相周期信号対を生じ、 電荷ポンプ部の各々は、所定の前記相補的な位相周期信
    号対を受信することを特徴とする請求項1に記載の昇圧
    回路。
  10. 【請求項10】 前記電荷ポンプ部の各々は、 相補的な第1及び第2位相周期信号を受信する第1及び
    第2入力ノードと、 出力ノードと、 ソースが電源電圧に連結され、ドレインが第1ノードに
    連結され、ゲートが第2ノードに連結される第1トラン
    ジスタと、 ソースが前記電源電圧に連結され、ドレインが前記第2
    ノードに連結され、ゲートが前記第1ノードに連結され
    る第2トランジスタと、 入力が前記第1及び第2入力ノードに各々連結される第
    1及び第2インバータと、 一端が前記第1及び第2インバータの出力に各々連結さ
    れ、他の一端が前記第1及び第2ノードに各々連結され
    る第1及び第2キャパシタと、 ドレインが前記第1ノードに連結され、ソースが出力ノ
    ードに連結され、ゲートが前記第2ノードに連結される
    第3トランジスタと、 ドレインが前記第2ノードに連結され、ソースが前記出
    力ノードに連結され、ゲートが前記第1ノードに連結さ
    れる第4トランジスタと、 を具備することを特徴とする請求項9に記載の昇圧回
    路。
  11. 【請求項11】 電源電圧ノードと、 前記電源電圧ノードに連結され、出力が共通的に連結さ
    れる複数の電荷ポンプ部であって、所定の位相周期信号
    に応答して電流パルスを前記電源電圧ノードから前記電
    荷ポンプ部の出力端に伝達するように動作する前記複数
    の電荷ポンプ部と、 相異なる位相を有する前記位相周期信号を生じる多位相
    周期信号発生部と、 を具備することを特徴とする集積回路。
  12. 【請求項12】 前記多位相周期信号発生部は、 前記複数の電荷ポンプ部により伝達される前記電流パル
    スが毎周期ごとに分布し、前記分布が反復されるように
    位相周期信号を生じることを特徴とする請求項11に記
    載の集積回路。
  13. 【請求項13】 前記多位相周期信号発生部は、 前記複数の電荷ポンプ部により生成された電圧に応答し
    て制御信号を生じる制御信号発生部と、 前記制御信号に応答して前記位相周期信号を生じる発振
    手段とを具備することを特徴とする請求項11に記載の
    集積回路。
  14. 【請求項14】 集積回路で電圧を生じる方法におい
    て、 (a)相異なる位相を有する複数の位相周期信号を生じ
    る段階と、 (b)対応する前記複数の位相周期信号に応答して、集
    積回路の電源電圧ノードから対応する複数の電流源を経
    由して電流パルスを伝達する段階と、 (c)前記電流パルスに応答してキャパシタを充電し、
    前記電圧を生じる段階と、 を具備することを特徴とする集積回路で電圧を生じる方
    法。
  15. 【請求項15】 前記(a)段階は、 前記複数の電流源により生じる前記電流パルスが毎周期
    ごとに分布し、前記分布が反復するように位相周期信号
    を生じることを特徴とする請求項14に記載の集積回路
    で電圧を生じる方法。
  16. 【請求項16】 前記(a)段階は、 (a1)前記生じた電圧に応答して制御信号を生じる段
    階と、 (a2)前記制御信号に応答して前記複数の位相周期信
    号を生じる段階とを具備することを特徴とする請求項1
    4に記載の集積回路で電圧を生じる方法。
  17. 【請求項17】 前記(a2)段階は、 前記制御信号に応答して前記位相周期信号の周波数を変
    えることを具備することを特徴とする請求項16に記載
    の集積回路で電圧を生じる方法。
  18. 【請求項18】 前記(a1)段階は、 前記生じた電圧を所定値と比較した結果に応答して前記
    制御信号を生じることを具備することを特徴とする請求
    項16に記載の集積回路で電圧を生じる方法。
  19. 【請求項19】 昇圧電圧を受信して前記昇圧電圧の電
    圧値を調節するための昇圧電圧選択信号に応答して制御
    信号を生じる制御信号発生部と、 前記制御信号に応答して相補的な位相を有する内部クロ
    ック信号対を生じる発振手段と、 所定の前記内部クロック信号対を各々受信して前記昇圧
    電圧を生じる複数の電荷ポンプ部と、 を具備することを特徴とする電圧昇圧回路。
  20. 【請求項20】 前記制御信号発生部は、 フィルターであることを特徴とする請求項19に記載の
    電圧昇圧回路。
  21. 【請求項21】 前記制御信号発生部は、 一端が前記昇圧電圧に連結され、他の一端が差動増幅器
    の逆相入力端子に連結される第1抵抗と、 一端が前記差動増幅器の逆相入力端子に連結され、他の
    一端が接地電圧に連結される第2抵抗と、 前記差動増幅器の逆相入力端子と前記差動増幅器の出力
    端子との間に直列連結されるフィードバック素子と、 電源電圧と接地電圧との間に直列連結される多数の抵抗
    を具備し、各々の抵抗値によって前記電源電圧を分配し
    て前記差動増幅器の正相入力端子に印加する電圧分配部
    と、 を具備することを特徴とする請求項20に記載の電圧昇
    圧回路。
  22. 【請求項22】 前記第1抵抗は、 前記昇圧電圧選択信号に応答してその抵抗値が変わるこ
    とを特徴とする請求項21に記載の電圧昇圧回路。
  23. 【請求項23】 前記発振手段は、 電圧によって制御されることを特徴とする請求項19に
    記載の電圧昇圧回路。
  24. 【請求項24】 前記電荷ポンプ部は、 並列に連結されることを特徴とする請求項19に記載の
    電圧昇圧回路。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1310410C (zh) * 2002-11-28 2007-04-11 华邦电子股份有限公司 具有时钟脉冲倍压的电荷泵送电路与方法
JP2008167258A (ja) * 2006-12-28 2008-07-17 Sony Corp 電圧供給回路、表示装置、および電子機器、並びに電圧供給方法
CN100449648C (zh) * 2003-12-24 2009-01-07 上海贝岭股份有限公司 低工作电压驱动的电荷泵电路

Families Citing this family (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100404001B1 (ko) * 2001-12-29 2003-11-05 주식회사 하이닉스반도체 차지 펌프 회로
ITMI20021902A1 (it) * 2002-09-06 2004-03-07 Atmel Corp Architettura di pompa di carica modulare
TW556262B (en) * 2002-10-24 2003-10-01 Nanya Technology Corp A leakage control circuit and a DRAM with a leakage control circuit
US6778003B1 (en) * 2003-04-30 2004-08-17 Micron Technology, Inc. Method and circuit for adjusting a voltage upon detection of a command applied to an integrated circuit
ITRM20030512A1 (it) * 2003-11-05 2005-05-06 St Microelectronics Srl Circuito a pompa di carica a basso tempo di assestamento
KR100572323B1 (ko) * 2003-12-11 2006-04-19 삼성전자주식회사 멀티레벨 고전압 발생장치
JP4257196B2 (ja) * 2003-12-25 2009-04-22 株式会社東芝 半導体装置および半導体装置の駆動方法
KR100567533B1 (ko) * 2004-03-03 2006-04-03 주식회사 하이닉스반도체 차지 펌프 회로
JP4492935B2 (ja) * 2004-03-08 2010-06-30 ルネサスエレクトロニクス株式会社 昇圧回路および昇圧回路を備えた半導体装置
JP4263650B2 (ja) * 2004-03-31 2009-05-13 パナソニック株式会社 昇圧回路
KR100716661B1 (ko) * 2005-03-31 2007-05-09 주식회사 하이닉스반도체 전압 부스터 회로
US20060250177A1 (en) * 2005-05-09 2006-11-09 Thorp Tyler J Methods and apparatus for dynamically reconfiguring a charge pump during output transients
US7259612B2 (en) * 2005-06-28 2007-08-21 Atmel Corporation Efficient charge pump for a wide range of supply voltages
US7443230B2 (en) * 2006-08-10 2008-10-28 Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Charge pump circuit
US20080054990A1 (en) * 2006-08-30 2008-03-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Charge pump method and architecture
KR100780619B1 (ko) * 2006-08-31 2007-11-30 주식회사 하이닉스반도체 반도체 장치
KR100913527B1 (ko) * 2007-10-29 2009-08-21 주식회사 실리콘웍스 출력전압을 조절할 수 있는 반전전하펌프
KR100908537B1 (ko) * 2007-12-28 2009-07-20 주식회사 하이닉스반도체 고전압 제공 장치
KR100911184B1 (ko) * 2008-01-02 2009-08-06 주식회사 하이닉스반도체 차지 펌핑 회로
US7847618B2 (en) * 2008-01-08 2010-12-07 International Business Machines Corporation Peak power reduction methods in distributed charge pump systems
KR101043824B1 (ko) * 2008-02-04 2011-06-22 주식회사 하이닉스반도체 펌핑전압 발생장치 및 그 방법
KR100927406B1 (ko) * 2008-02-29 2009-11-19 주식회사 하이닉스반도체 내부 전압 생성 회로
KR100965766B1 (ko) * 2008-06-30 2010-06-24 주식회사 하이닉스반도체 링 오실레이터와 이를 이용한 멀티 위상 클럭 보정 회로
KR100912968B1 (ko) * 2008-06-30 2009-08-20 주식회사 하이닉스반도체 반도체 메모리 소자
KR100967103B1 (ko) * 2008-06-30 2010-07-05 주식회사 하이닉스반도체 클럭생성회로 및 클럭생성방법
KR101046244B1 (ko) * 2009-07-31 2011-07-04 주식회사 하이닉스반도체 반도체 집적 회로의 클럭 생성 장치
JP2011050172A (ja) * 2009-08-27 2011-03-10 Renesas Electronics Corp 半導体装置
US8493134B2 (en) * 2010-03-23 2013-07-23 Qualcomm Incorporated Method and apparatus to provide a clock signal to a charge pump
US8482208B2 (en) * 2010-05-28 2013-07-09 Shamrock Micro Devices Corp. Switching mode power supplies and control methods used therein to provide power factor correction and constant output current
TWI418125B (zh) * 2010-05-28 2013-12-01 Shamrock Micro Devices Corp 開關式電源供應器與應用其中之控制方法
KR101222062B1 (ko) 2011-01-27 2013-01-15 에스케이하이닉스 주식회사 반도체 집적회로
CN102307013A (zh) * 2011-08-29 2012-01-04 深圳市芯海科技有限公司 电荷泵电路及电压调节方法
US9081399B2 (en) 2012-07-09 2015-07-14 Silanna Semiconductor U.S.A., Inc. Charge pump regulator circuit with variable amplitude control
US9041370B2 (en) 2012-07-09 2015-05-26 Silanna Semiconductor U.S.A., Inc. Charge pump regulator circuit with a variable drive voltage ring oscillator
US8619445B1 (en) 2013-03-15 2013-12-31 Arctic Sand Technologies, Inc. Protection of switched capacitor power converter
US9337724B2 (en) * 2013-11-19 2016-05-10 Globalfoundries Inc. Load sensing voltage charge pump system
US10193441B2 (en) * 2015-03-13 2019-01-29 Psemi Corporation DC-DC transformer with inductor for the facilitation of adiabatic inter-capacitor charge transport
KR102426494B1 (ko) * 2015-07-07 2022-07-27 삼성전자주식회사 전하 펌프와 이를 포함하는 장치들

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5036229A (en) * 1989-07-18 1991-07-30 Gazelle Microcircuits, Inc. Low ripple bias voltage generator
GB9007791D0 (en) * 1990-04-06 1990-06-06 Foss Richard C High voltage boosted wordline supply charge pump and regulator for dram
EP0626750B1 (en) * 1992-11-18 1997-09-24 Oki Electric Industry Company, Limited Power supply voltage booster
US5553030A (en) * 1993-09-10 1996-09-03 Intel Corporation Method and apparatus for controlling the output voltage provided by a charge pump circuit
DE69424668T2 (de) * 1994-08-31 2001-01-25 St Microelectronics Srl Spannungsvervielfacher mit linearstabilisierten Ausgangspannung
JP2000173266A (ja) * 1998-12-07 2000-06-23 Mitsubishi Electric Corp 昇圧回路

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1310410C (zh) * 2002-11-28 2007-04-11 华邦电子股份有限公司 具有时钟脉冲倍压的电荷泵送电路与方法
CN100449648C (zh) * 2003-12-24 2009-01-07 上海贝岭股份有限公司 低工作电压驱动的电荷泵电路
JP2008167258A (ja) * 2006-12-28 2008-07-17 Sony Corp 電圧供給回路、表示装置、および電子機器、並びに電圧供給方法

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