JP2002301375A - ダイオキシン類分解触媒、分解処理方法及び装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 都市ゴミ，産業廃棄物等の焼却設備から排出
される排ガスの浄化処理に使用されるダイオキシン類分
解触媒，処理方法及び装置を提供する。 【解決手段】このダイオキシン類分解触媒は、遷移金属
カチオン又はプロトンの少なくとも一方をイオン交換担
持した、Ｓｉ/Ａｌ原子比５〜２０の多孔質結晶性アル
ミノ珪酸塩からなる。アルミノ珪酸塩は、例えばモルデ
ナイト又は超安定Ｙ型ゼオライトである。遷移金属（IU
PAC1989版周期表，第8-11族）は、好ましくは銅，鉄，
コバルト，銀から選ばれる１種ないし２種以上の元素で
ある。この触媒は３００℃以下（例えば100〜250℃）の
低温域においても良好な触媒活性を発揮し、各種焼却排
ガス中の希薄なダイオキシン類を効果的に分解除去する
ことができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、都市ゴミ，産業廃
棄物等の焼却炉や各種工業炉等から排出される排ガス中
のダイオキシン類を安全かつ効率よく無害化するための
ダイオキシン類分解用触媒および該触媒によるダイオキ
シン類の分解処理方法並びに分解処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】都市ゴミや産業廃棄物の焼却炉等から発
生する排ガスは、焼却対象物の種類や焼却条件により、
毒性を有する有機塩素化合物であるダイオキシン類を含
有するので、この排ガスを大気中に放出するに当たりダ
イオキシン類を除去することを要する。ダイオキシン類
はポリクロロジベンゾパラジオキシン類（ＰＣＤＤ
ｓ），ポリクロロジベンゾフラン類（PCDFｓ）およびコ
プラナ-ポリクロロビフェニル類（Co-PCBｓ）を包含す
る総称であり、それぞれの化合物について多数の異性体
が知られている。従来こられ有害物質の除去技術とし
て、活性炭やゼオライト等を吸着剤とする吸着処理法が
主流とされてきた。

【０００３】近時これに代え、触媒を用いてダイオキシ
ン類をより毒性の低い物質に転化する分解処理技術が検
討され、例えば脱硝触媒として知られるＴｉＯ_２-Ｖ_２
Ｏ_５-ＷＯ_３系酸化物触媒やこれに白金族元素を担持し
た触媒（特開平2-35914号，特開平3-128464号公報）あ
るいは高Ｓｉゼオライト（SiO_２/Al_２O_３モル比≧30）
にＰｔ，Ｐｄ，Ｉｒ等の元素（もしくはその酸化物）、
Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｆｅ，Ｓｅ，Ｔｅ，Ｔａ等の元素
（もしくはその酸化物）を担持した触媒によるダイオキ
シン類の分解除去技術（特開平7-163877号公報）などが
提案されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかし前記ＴｉＯ_２-
Ｖ_２Ｏ_５-ＷＯ_３系酸化物触媒を用いてダイオキシン類
を分解処理する方法では、触媒コストが高く、かつその
原料に有害な重金属が使用されているため廃棄する際に
問題があり、しかも排ガス中の酸性成分による劣化を生
じ易く安定に乏しいという難点がある。また高Ｓｉゼオ
ライト（SiO_２/Al_２O_３モル比≧30）にＰｔ，Ｐｄ，Ｉ
ｒ等の元素（もしくはその酸化物）等を担持して調製さ
れる触媒についても高価な貴金属を使用することによる
コスト高を免れず、またその処理効率（分解活性）も更
に高めることが望まれる。

【０００５】排ガス中のダイオキシン類をより毒性の低
い物質へ分解・転化するには、ダイオキシン分子中の炭
素・炭素結合、炭素・酸素結合あるいは炭素・塩素結合
を分解する必要がある。一方、排ガス中に含まれるダイ
オキシン類の濃度は通常非常に希薄である。化学反応の
反応速度は、反応物の濃度に比例すると考えられるの
で、希薄なダイオキシン類の分解反応の反応速度を高め
るには、これを濃縮することが必要である。またダイオ
キシン類の分解反応は高付加価値生成物をもたらす訳で
はないので、使用する触媒はできるだけ廉価なこと、更
には環境に対し無害な物質で構成されていること等が望
まれる。

【０００６】本発明はかかる観点に基づいて種々検討の
結果なされたものであり、排ガス中の希薄なダイオキシ
ン類を比較的低温域で効率的に毒性の低い物質に分解・
転化することができ、かつ廉価で環境負荷も少ないダイ
オキシン類分解用触媒及び分解処理方法並びに処理装置
を提供するものである。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明のダイオキシン類
分解触媒は、遷移金属カチオン又はプロトンの少なくと
も一方をイオン交換担持した、Ｓｉ/Ａｌ原子比５〜２
０の多孔質結晶性アルミノ珪酸塩からなる。

【０００８】本発明の触媒は、アルミノ珪酸塩の結晶性
細孔構造による大きな比表面積を有すると共に、Ｓｉ/
Ａｌ原子比を５〜２０の範囲に規制していることによ
り、疎水性と分解活性とをバランス良く兼備している。
疎水性であることにより排ガス中の水分の影響が少なく
希薄なダイオキシン類を濃縮して触媒表面に接触させる
ことができ、またイオン交換担持された遷移金属カチオ
ン，プロトンを活性点として、カルベニウムイオンを反
応中間体とする分解反応、および排ガス中の酸素分子を
利用した酸化反応によるダイオキシン類の分解反応（炭
素・炭素結合，炭素・酸素結合，炭素・塩素結合の分
解）が効果的に生起する。

【０００９】本発明の触媒によるダイオキシン類の分解
処理は、約３００℃以下（例えば250℃以下）の低温域
で行なうことができる。これを超える高温域（例えば40
0〜500℃）で分解処理を行なう場合は、反応後の降温過
程で、排ガス中に混在する有機塩素化合物（例えばクロ
ロベンゼン類，クロロフェノール類等）を前駆体とする
ダイオキシン類の生成反応を付随するといわれている。
本発明の触媒によるダイオキシン類の分解反応は、それ
より低い温度域で行なわれるので、ダイオキシン類の生
成反応が回避され効率よく分解除去処理を達成すること
ができる。また本発明の触媒は、Ｓｉ/Ａｌ原子比（=5
〜20）の規制効果として、実機使用において、酸による
劣化も少なく良好な耐用寿命を発揮する。耐熱性にも優
れ、５００℃前後の高温雰囲気に曝されてもその触媒機
能を損なわれない。

【００１０】

【発明の実施の形態】アルミノ珪酸塩は、ＡｌＯ_４とＳ
ｉＯ_４の四面体がＯを共有して連結した三次元網目構造
の骨格を有する化合物（固体酸）であり、本発明はＳｉ
/Ａｌ原子比を５〜２０に調整されたものを使用する。
Ｓｉ/Ａｌ原子比の下限値を５に規定しているのは、こ
れより低いと、排ガス中の希薄なダイオキシン類の吸着
濃縮に必要な疎水性を確保し難くなるからであり、他方
その上限値を２０に規定しているのは、これを超えると
分解反応の活性点（イオン交換による遷移金属カチオン
やプロトンの担持）が不足し、ダイオキシン類の効率的
な分解・転化反応を確保し難くなるからである。Ｓｉ/
Ａｌ原子比は好ましくは、５≦Si/Al＜１５であり,更に
好ましくは５≦Si/Al≦１３、である。

【００１１】上記アルミノ珪酸塩は、大きな比表面積を
活用できるように、反応物であるダイオキシン類の分子
径と同等以上の大きい細孔径を有するものが好ましい。
アルミノ珪酸塩には、組成・結晶構造を異にする各種の
化合物（天然ゼオライト及び合成ゼオライト）が知られ
ているが、大きな細孔径を有し所定のＳｉ/Ａｌ原子比
に調整されたものであれば、天然品又は合成品のいずれ
を問わず使用することができる。好適なアルミノ珪酸塩
の具体例として、モルデナイト、超安定Ｙ型ゼオライト
（ＵＳＹ型ゼオライト,Si/Al原子比の比較的高いＨＳＵ
ＳＹ型ゼオライト等）が挙げられる。これらは市販品と
して入手容易である。

【００１２】本発明の触媒はアルミノ珪酸塩にプロトン
をイオン交換担持した酸型触媒、又は遷移金属カチオン
をイオン交換担持した触媒として構成される。酸型触媒
（プロトン担持）は、例えばアンモニウム塩（NH_４Cl
等）の水溶液を処理液としてアルミノ珪酸塩を浸漬処理
したうえ，適当な温度（例えば400℃）で焼成（アンモ
ニア除去）することにより調製される。酸型触媒の具体
例として、プロトン担持モルデナイト触媒、プロトン担
持超安定Ｙ型ゼオライト触媒が挙げられる。

【００１３】遷移金属カチオン担持型の触媒は、遷移金
属塩、例えば酢酸塩，硝酸塩，ハロゲン化物（塩化物
等）の溶液を処理液としアルミノ珪酸塩を浸漬処理した
うえ適宜温度で焼成することにより調製される。処理液
が比較的低いｐＨに調整される場合は、遷移金属カチオ
ンとプロトンとが共存して担持された触媒が得られる。

【００１４】アルミノ珪酸塩にカチオンとして担持され
る遷移金属は、第８〜１１族（IUPAC周期表1989改訂
版）に属する元素であるが、こられの元素のうち、分解
活性及び環境負荷等の点から、銅（Cu），鉄（Fe），銀
（Ag），コバルト（Co）が好ましい。これらの元素はそ
の１種のカチオンをアルミノ珪酸塩にイオン交換担持さ
れ、または任意に選択される２種以上の元素のカチオン
をアルミノ珪酸塩にイオン交換担持される。

【００１５】遷移金属カチオンをイオン交換担持した本
発明の触媒の好ましい具体例として、銅担持モルデナイ
ト触媒、鉄担持モルデナイト触媒、銀担持モルデナイト
触媒、コバルト担持モルデナイト触媒、銅担持超安定Ｙ
型ゼオライト触媒、鉄担持超安定Ｙ型ゼオライト触媒、
銀担持超安定Ｙ型ゼオライト触媒、コバルト担持超安定
Ｙ型ゼオライト触媒などを挙げることができる。

【００１６】本発明の触媒は、粉末の形態で使用され、
又は粉末の比表面積を過度に損なわないように圧縮成形
された適宜形状（例えば，球状，円筒状，ハニカム状
等）の成形体として使用される。成形体の製法の一例と
して、粉末に適宜のバインダー（例えばグラスファイバ
ー，カオリン等）と水を適量添加して混練物を調製し押
出し成形した後、乾燥・焼成する工程により触媒成形体
を得る。

【００１７】次に本発明の触媒によるダイオキシン類の
分解処理について説明する。図１は本発明の触媒を用い
てダイオキシン類を分解除去する装置を模式的に示して
いる。この装置は、都市ゴミ等を焼却処理する焼却炉
（１）と排ガスの集塵装置(２)を備えた焼却処理設備の
出側に、触媒塔(３)が設置されている。触媒塔(３)は流
動床又は固定床式として本発明の触媒（粉末又はハニカ
ム等の成形体）からなる触媒層が形成される。焼却炉
(１)から排出される排ガスは、集塵装置(２)で煤塵を除
去されて触媒塔(３)に導入され、そこを通過する間にダ
イオキシン類を分解除去され、送風機（４）を経て煙突
（５）から大気に放出される。

【００１８】本発明の触媒は疎水性でかつ大きな比表面
積を有しているので、上記装置によるダイオキシン類の
分解処理において、排ガス中の希薄なダイオキシン類
は、共存する水分等に影響されずに触媒上に吸着濃縮さ
れ、カルベニウムイオンを反応中間体とする分解、及び
排ガス中の酸素分子が関与する酸化分解反応により、炭
素・炭素結合、炭素・酸素結合あるいは炭素・塩素結合
を分解され無害な物質へ転化される。

【００１９】本発明の触媒は、低温域で高い分解活性を
示し、３００℃以下の温度域でダイオキシン類含有排ガ
スの処理を行うことができるが、触媒活性を効果的に発
揮させるために１５０℃以上であるのが好ましい。この
ような低温域（300℃以下）であれば、該ガス中に共存
する種々の物質の影響を受けにくく、またダイオキシン
類の前駆体である各種有機塩素化合物等が共存していて
もダイオキシン類の新たな生成を付随することなく分解
処理を進めることができる。また、本発明の触媒は、耐
酸性、耐熱性を有し、使用による劣化も少なく、高い分
解活性が安定に維持される。

【００２０】次に本発明の触媒によるダイオキシン類分
解処理試験について説明する。試験装置は、図２に示す
ように、制御盤(１１)、ガス混合器（１２）、ダイオキ
シン類気化器（１３）及びカラムを設置する恒温槽（１
４）とで構成されている。 制御盤（１１）は、各ボン
ベからガス混合器（１２）にキャリアガスとして供給さ
れる空気，窒素ガス，二酸化炭素を、減圧弁（１５）お
よびフローメーター（図示省略）を介して制御する。ガ
ス混合器(１２)には、上記キャリアガスと併せて、純水
貯水槽（１７）とチューブポンプ（１８）からなる水供
給系（１６）を介して純水が供給される。

【００２１】ダイオキシン類気化器(１３)は、ダイオキ
シン類含有溶剤供給系（１９）から供給されるダイオキ
シン類のメタノール溶液を、管状炉内（350℃）に噴霧
気化してガス混合器（１２）に供給する。ダイオキシン
類含有溶剤供給系（１９）は、ダイオキシン類含有メタ
ノール溶液を貯留する薬液槽（２０）とチューブポンプ
（２１）からなり、ダイオキシン類含有メタノール溶液
はチューブポンプ（２１）により所定の供給速度（30ml
/ｈ）で供給される。

【００２２】薬液槽（２０）のダイオキシン類含有メタ
ノール溶液は、標準試薬としての各種ダイオキシン化合
物をメタノールで設定濃度に希釈したものであり、ダイ
オキシン類の標準試薬はノナン溶液にダイオキシン類を
溶解したもの（濃度50μｇ/ｍｌ）である。ダイオキシ
ン類含有メタノール溶液のダイオキシン化合物と希釈濃
度は次のとおりである。 2,3,7,8-テトラクロロジベンゾパラジオキシン(2,3,7,8-TeCDD) …200ng/1000ml オクタクロロジベンゾパラジオキシン(O-CDD) …500ng/1000ml 2,3,7,8-テトラクロロジベンゾフラン(2,3,7,8-TeCDF) …400ng/1000ml 1,2,3,6,7,8-ヘキサクロロジベンゾフラン(1,2,3,6,7,8-HxCDF) …1000ng/1000ml

【００２３】恒温槽（１４）には、触媒充填カラム（２
２）とブランクカラム（ろ紙装填,図示省略）を並列設
置し、触媒充填カラム（２２）に供試触媒（粉体）を充
填している。カラム（２２）の供試触媒は、試料ガスに
よる飛散や触媒槽でのショートパス等を防止するため
に、複数層に分けて充填されている。供試触媒は、銅イ
オン交換担持モルデナイト（後記実機排ガス試験におけ
る触媒Ｂと同じ,表７参照）である。

【００２４】上記試験において、触媒充填カラム(２２)
及びブランクカラム（ろ紙のみ装填）を恒温槽(１４)に
セットし試験温度に昇温設定する（試験ａ：170℃，試
験ｂ：250℃）。ついでキャリアガスと溶媒希釈された
ダイオキシン類を気化器(１３)で気化・混合して試料ガ
スとし各カラムに導入する。試料ガスの流通は、各カラ
ムの入口ガス採取装置（２３）及び出口ガス採取装置
（２４）の試料ガス吸引ポンプを起動して行なう。ガス
流量は、試料ガスの発生流量を約５(ｌ/min)、各カラム
における試料ガスの流通量を約500(ml/min)となるよう
に設定した。各ガス採取装置での吸引ガス量は約0.3m^３
N（吸引時間約10ｈ）である。

【００２５】表１及び表２に試験条件を、試験結果を表
３（試験ａ：試験温度170℃）、表４（試験ｂ：試験温
度250℃）に示す。本発明触媒の使用により排ガス中の
ダイオキシン類は３００℃以下の低温処理で効果的に除
去されている。なお試験ａ(170℃)の排ガス浄化効果
は、試験ｂ(250℃)のそれに比し低くなっているが、200
℃に満たないこのような低温域においても触媒作用を発
揮し、排ガスの浄化に有効に寄与している。この浄化効
果は触媒の増量により更に高めることもできる。

【００２６】

【表1】

【００２７】

【表２】

【００２８】

【表３】

【００２９】

【表４】

【００３０】次に、実機排ガスを処理対象として行なっ
た試験結果について説明する。図３に試験装置を示す。
この試験装置は、焼却設備に付帯するバグフィルタの出
口ダクト（３１）に排ガス採取口（３２）を設けて恒温
槽（３４）を設置した構成を有している。恒温槽（３
４）内には、ブランクカラム（３５_１）と触媒充填カラ
ム（３５_２）とが並列設置され、触媒充填カラム（３５
_２）はガラスろ紙（ｆ）の上に触媒試料（CT）が層状に
装填され、ブランクカラム（３５_１）にはろ紙（ｆ）の
みが設置されている。

【００３１】上記試験装置において、バグフィルタの出
口ダクト（３１）の排ガスは、排ガス採取口（３２）の
円筒ろ紙（３３）を通して取込まれ、恒温槽（３４）内
のカラム（３５_１）（３５_２）のそれぞれに分岐管を介
して送り込まれる。各カラム（３５_１）（３５_２）を通
過した排ガスを、それぞれの出口側においてサンプリン
グしダイオキシン類の含有量を測定すると共に、試験後
の触媒充填カラム（３５_２）内の触媒によるダイオキシ
ン類の吸着量を測定する。表５及び表６に試験条件及び
排ガス組成（ダイオキシン類を除く）を示す。

【００３２】表７は供試触媒の構成を示し、表８,表９
は試験結果を示している。表８及び表９における各試験
欄の「入口側」はブランクカラム（３５_１）の出口側で
サンプリングされた排ガス、「出口側」は触媒充填カラ
ム（３５_２）」の出口側でサンプリングされた排ガスの
それぞれのダイオキシン類含有量(TotalDXNｓ[ng](TEQ)
はWHO-1997毒性等価換算による排ガス中DXNｓの総量)を
示している。表中、「DXNｓ除去率[%]」は下式による算
出値であり、「DXNｓ分解率」は「DXNｓ除去率[%]」か
ら触媒の吸着作用による減少分を差引いた値である。

【数1】DXNｓ除去率 [%]=(入口側TotalDXNs[ng]−出口
側TotalDXNs[ng] )/入口側TotalDXNs[ng] ×100

【００３３】なお、「ＰＣＤＤｓ」は、テトラクロロジ
ベンゾパラジオキシン(TeCDD),ペンタクロロジベンゾパ
ラジオキシン(PeCDD),ヘキサクロロジベンゾパラジオキ
シン(HxCDD),へプタクロロジベンゾパラジオキシン(HpC
DD),オクタクロロジベンゾパラジオキシン(OCDD)を包含
し、「ＰＣＤＦｓ」は、テトラクロロジベンゾフラン(T
eCDF),ペンタクロロジベンゾフラン(PeCDF),ヘキサクロ
ロジベンゾフラン(HxCDF),ヘプタクロロジベンゾフラン
(HpCDF),オクタクロロジベンゾフラン(OCDF)を包含し、
「Co-ＰＣＢｓ」は、ノンオルト体,モノオルト体,及び
ジオルト体のコプラナ-ポリクロロビフェニル[テトラク
ロロビフェニル(TeCB),ペンタクロロビフェニル(PeCB),
ヘキサクロロビフェニル(HxCB),ヘプタクロロビフェニ
ル(HpCB)]を包含している。

【００３４】表８及び表９の試験結果に示されるよう
に、本発明の触媒は、排ガス中の希薄なダイオキシン類
を効果的に除去することができ、触媒活性は低温域（試
験温度は200℃である）においても十分に発揮されてい
る。その触媒機能は、TiO_２-V_２O_５系（脱硝用触媒）と
同等であり、実機焼却設備における焼却排ガスの浄化処
理手段として実用価値を有している。

【００３５】

【表５】

【００３６】

【表６】

【００３７】

【表７】

【００３８】

【表８】

【００３９】

【表９】

【００４０】本発明の実施態様について具体例を以下に
示す。 (1)遷移金属カチオンをイオン交換担持した、Si/Al原子
比５〜２０の多孔質結晶性アルミノ珪酸塩からなるダイ
オキシン類分解触媒。 (2)遷移金属カチオンをイオン交換担持した、Si/Al原子
比５以上,１５未満の多孔質結晶性アルミノ珪酸塩から
なるダイオキシン類分解触媒。 (3)遷移金属カチオンをイオン交換担持した、Si/Al原子
比５以上,１３以下の多孔質結晶性アルミノ珪酸塩から
なるダイオキシン類分解触媒。

【００４１】(4)プロトンをイオン交換担持した、Si/Al
原子比５〜２０の多孔質結晶性アルミノ珪酸塩からなる
ダイオキシン類分解触媒。 (5)プロトンをイオン交換担持した、Si/Al原子比５以
上,１５未満の多孔質結晶性アルミノ珪酸塩からなるダ
イオキシン類分解触媒。 (6)プロトンをイオン交換担持した、Si/Al原子比５以
上,１３以下の多孔質結晶性アルミノ珪酸塩からなるダ
イオキシン類分解触媒。

【００４２】(7)遷移金属カチオン及びプロトンをイオ
ン交換担持した、Si/Al原子比５〜２０の多孔質結晶性
アルミノ珪酸塩からなるダイオキシン類分解触媒。 (8)遷移金属カチオン及びプロトンをイオン交換担持し
た、Si/Al原子比５以上,１５未満の多孔質結晶性アルミ
ノ珪酸塩からなるダイオキシン類分解触媒。 (9)遷移金属カチオン及びプロトンをイオン交換担持し
た、Si/Al原子比５以上,１３以下の多孔質結晶性アルミ
ノ珪酸塩からなるダイオキシン類分解触媒。

【００４３】(10)遷移金属カチオンとして、銅(Cu),鉄
(Fe),銀(Ag),コバルト(Co)の群から選ばれる１種の金属
カチオン又は２種以上の金属カチオンがイオン交換担持
されている上記(1),(2),(3),(7),(8),(9)のいずれか１
項に記載の触媒。

【００４４】(11)アルミノ珪酸塩はモルデナイトである
上記(1)〜(10)のいずれか１項に記載の触媒。 (12)アルミノ珪酸塩は超安定Ｙ型ゼオライト（USY型ゼ
オライト又はHSUSY型ゼオライト）である上記(1)〜(10)
のいずれか１項に記載の触媒。 (13)粉末である上記(1)〜(12)のいずれか１項に記載の
触媒。 (14)成形体（球状,筒状,又はハニカム状等）に成形され
ている上記(1)〜(12)のいずれか１項に記載の触媒。

【００４５】(15)焼却炉等から排出されるダイオキシン
類含有排ガスを、除塵処理の後、上記(13)又は/及び(1
4)に記載の触媒を有する触媒塔に導入し、触媒と接触さ
せることにより排ガス中のダイオキシン類を毒性の低い
物質に分解・転化するダイオキシン類含有排ガスの処理
方法。 (16)触媒塔における排ガスの処理温度は１５０〜３００
℃である上記(15)に記載のダイオキシン類含有排ガス処
理方法。 (17)焼却設備における焼却炉から排出されるダイオキシ
ン類含有排ガスの煤塵を除去するバグフィルタ等の除塵
装置（集塵装置）の下流側に、触媒塔が設置されてい、
除塵処理後の排ガスを触媒塔に導入し、上記(15)又は(1
6)に記載の排ガス処理を行うダイオキシン類含有排ガス
処理装置。

【００４６】

【発明の効果】本発明によれば、都市ゴミ，産業廃棄物
等を焼却処理する各種焼却処理設備、あるいは製鋼所，
金属精錬所等から発生する排ガス中に含有される希薄な
ダイオキシン類を、排ガス中に共存する水分やその他の
各種物質の影響を受けずに効率よく分解除去することが
できる。その排ガス浄化処理は約３００℃以下の温度域
で行なわれるので、排ガス中に共存する各種有機塩素化
合物からのダイオキシン類の再生反応を付随するおそれ
もない。また本発明の触媒は耐酸性、耐熱性を有し、実
機使用における劣化を生じにくく高い分解活性を安定に
維持し長期に亘り安定に使用することができ、かつ比較
的廉価であると共に環境負荷も少なく、工業的に大なる
価値を有するものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明によるダイオキシン類含有排ガス処理装
置を模式的に示す図である。

【図２】触媒性能試験の試験装置を示す説明図である。

【図３】実機排ガスに対する触媒性能試験の試験装置を
示す説明図である。

【符号の説明】

１：焼却炉 ２：集塵装置 ３：触媒塔 ４：送風機 ５：煙突 １１：制御盤 １２：ガス混合器 １３：ダイオキシン類気化器 １４：恒温槽 １６：純水供給器 １９：ダイオキシン類含有有機溶剤供給系 ２２：触媒充填カラム ３１:集塵装置のバグフィルタ出側ダクト ３２:排ガス採取口 ３３：円筒ろ紙 ３４:恒温槽 ３５_１:ブランクカラム ３５_２:触媒充填カラム CT:触媒試料 ｆ:ガラスろ紙

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 木村 哲雄 大阪市浪速区敷津東一丁目２番47号 株式 会社クボタ内 (72)発明者 上林 史朗 大阪市浪速区敷津東一丁目２番47号 株式 会社クボタ内 (72)発明者 佐藤 淳 大阪市浪速区敷津東一丁目２番47号 株式 会社クボタ内 (72)発明者 倉田 雅人 大阪市浪速区敷津東一丁目２番47号 株式 会社クボタ内 (72)発明者 八嶋 建明 東京都世田谷区松原５−25−６ Ｆターム(参考） 4D048 AA11 AB03 BA11X BA35X BA36X CA03 CD03 4G069 AA03 AA08 BA07A BA07B BC31B BC66B CA02 CA10 CA19 DA06 ZA05B ZA06B ZC04 ZD01 ZF02B

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 遷移金属カチオン又はプロトンの少なく
   とも一方をイオン交換担持した、Ｓｉ/Ａｌ原子比５〜
   ２０の多孔質結晶性アルミノ珪酸塩からなるダイオキシ
   ン類分解触媒。
2. 【請求項２】 遷移金属は、銅，鉄，コバルト，銀から
   選ばれる１種ないし２種以上の元素である請求項１に記
   載のダイオキシン類分解触媒。
3. 【請求項３】 焼却炉等から排出されるダイオキシン類
   含有排ガスを除塵処理した後、請求項１又は請求項２に
   記載の触媒を有する触媒塔に導入して触媒と接触させて
   ダイオキシン類を分解するダイオキシン類分解処理方
   法。
4. 【請求項４】 排ガスの処理温度は１５０〜３００℃で
   ある請求項３に記載のダイオキシン類分解処理方法。
5. 【請求項５】 焼却炉等から排出されるダイオキシン類
   含有排ガス中の煤塵を除去する除塵装置の下流側に、請
   求項１又は請求項２に記載の触媒を有する触媒塔を備え
   てなるダイオキシン類分解処理装置。