JP2002299714A - 圧電体素子及びこれを用いた電気機器 - Google Patents
圧電体素子及びこれを用いた電気機器Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 電歪領域で駆動させる場合に好適な特性を示
すことのできる圧電体素子を提供する。 【解決手段】 圧電体膜２３と、この圧電体膜の両面を
挟んで配置される下部電極２２および上部電極２４とを
備えた圧電体素子２１であって、前記圧電体膜は、菱面
体晶系で、かつ（００１）面優先配向であり、電界方向
の格子定数が面内の格子定数より大きいことを特徴とす
る。前記圧電体膜は、面方向に圧縮応力を有することが
好ましく、前記圧電体膜をＳｉＯ２基板上に形成し、か
つ膜厚を１μｍ以上とすることが好ましい。
すことのできる圧電体素子を提供する。 【解決手段】 圧電体膜２３と、この圧電体膜の両面を
挟んで配置される下部電極２２および上部電極２４とを
備えた圧電体素子２１であって、前記圧電体膜は、菱面
体晶系で、かつ（００１）面優先配向であり、電界方向
の格子定数が面内の格子定数より大きいことを特徴とす
る。前記圧電体膜は、面方向に圧縮応力を有することが
好ましく、前記圧電体膜をＳｉＯ２基板上に形成し、か
つ膜厚を１μｍ以上とすることが好ましい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は圧電体とこれを挟ん
で配置される一対の電極を備えた圧電体素子に係り、特
に、電歪領域において良好な特性を得ることができる圧
電体素子に関する。
で配置される一対の電極を備えた圧電体素子に係り、特
に、電歪領域において良好な特性を得ることができる圧
電体素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】圧電体素子は、電気機械変換機能を呈す
る圧電体膜を２つの電極で挟んだ素子であり、圧電体膜
は結晶化した圧電性セラミックスにより構成されてい
る。この圧電性セラミックスとしては、ペロブスカイト
型結晶構造を有し、化学式ＡＢＯ ３で示すことのできる
複合酸化物が知られている。例えばＡには鉛（Ｐｂ），
Ｂにジルコニウム（Ｚｒ）とチタン（Ｔｉ）の混合を適
用したチタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）が知られてい
る。
る圧電体膜を２つの電極で挟んだ素子であり、圧電体膜
は結晶化した圧電性セラミックスにより構成されてい
る。この圧電性セラミックスとしては、ペロブスカイト
型結晶構造を有し、化学式ＡＢＯ ３で示すことのできる
複合酸化物が知られている。例えばＡには鉛（Ｐｂ），
Ｂにジルコニウム（Ｚｒ）とチタン（Ｔｉ）の混合を適
用したチタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）が知られてい
る。
【０００３】この圧電体素子において良好な圧電特性を
得るため、結晶系および配向性を制御する工夫が種々が
行われている。例えば、特開平１０−８１０１６号公報
には、圧電体膜の結晶構造が菱面体晶であり、面方位
（１１１）の結晶面、あるいは面方位（１００）の結晶
面、あるいはその両方に強く配向している圧電体薄膜素
子が記載されている。また、圧電体膜の結晶構造が正方
晶であり、面方位（００１）の結晶面に強く配向してい
る圧電体薄膜素子が記載されている。
得るため、結晶系および配向性を制御する工夫が種々が
行われている。例えば、特開平１０−８１０１６号公報
には、圧電体膜の結晶構造が菱面体晶であり、面方位
（１１１）の結晶面、あるいは面方位（１００）の結晶
面、あるいはその両方に強く配向している圧電体薄膜素
子が記載されている。また、圧電体膜の結晶構造が正方
晶であり、面方位（００１）の結晶面に強く配向してい
る圧電体薄膜素子が記載されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、圧電体
素子を電界強度が比較的小さい電歪領域で駆動させる場
合、圧電体膜を例えば菱面体晶系で００１（１００）配
向させても、無配向膜とあまり変わらないことがわかっ
てきた。このように、電歪領域で駆動する場合に好適な
圧電体素子は未だ確立されていなかった。
素子を電界強度が比較的小さい電歪領域で駆動させる場
合、圧電体膜を例えば菱面体晶系で００１（１００）配
向させても、無配向膜とあまり変わらないことがわかっ
てきた。このように、電歪領域で駆動する場合に好適な
圧電体素子は未だ確立されていなかった。
【０００５】そこで、本発明は、電歪領域で駆動させる
場合に好適な特性を示すことのできる圧電体素子を提供
することを目的とする。そして、この圧電体素子を備え
たマイクロマシンなどの電気機器を提供することを目的
とする。
場合に好適な特性を示すことのできる圧電体素子を提供
することを目的とする。そして、この圧電体素子を備え
たマイクロマシンなどの電気機器を提供することを目的
とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明による圧電体素子
は、圧電体膜と、この圧電体膜の両面を挟んで配置され
る下部電極および上部電極とを備えた圧電体素子であっ
て、前記圧電体膜は、菱面体晶系で、かつ（００１）面
優先配向であり、電界方向の格子定数が面内の格子定数
より大きいことを特徴とする。
は、圧電体膜と、この圧電体膜の両面を挟んで配置され
る下部電極および上部電極とを備えた圧電体素子であっ
て、前記圧電体膜は、菱面体晶系で、かつ（００１）面
優先配向であり、電界方向の格子定数が面内の格子定数
より大きいことを特徴とする。
【０００７】圧電体膜の電歪領域における電界強度Ｅと
歪みＳとの関係は、Ｓ＝ＭＥ２で表すことができる。分
極Ｐと歪みＳとの関係は、Ｓ＝ＱＰ２で表すことができ
る。分極Ｐはベクトルであり、図２にその座標系を示
す。圧電体膜を構成する結晶が、立方晶、点群ｍ３ｍで
ある場合、上記Ｓ＝ＱＰ２を行列で表すと、
歪みＳとの関係は、Ｓ＝ＭＥ２で表すことができる。分
極Ｐと歪みＳとの関係は、Ｓ＝ＱＰ２で表すことができ
る。分極Ｐはベクトルであり、図２にその座標系を示
す。圧電体膜を構成する結晶が、立方晶、点群ｍ３ｍで
ある場合、上記Ｓ＝ＱＰ２を行列で表すと、
【０００８】
【数１】 となり、この式よりＳ３を求めると、
【数２】 が導かれる。ここでＱ11がＱ12より十分大きく、
【０００９】
【数３】 の条件では、Ｐ３が大きい方が特性が良いことがわか
る。すなわち、図２の「３」方向の分極を大きくするこ
とにより、歪みを大きくすることができる。このために
は、電界方向の格子定数を面内の格子定数より大きくす
ることが望ましい。
る。すなわち、図２の「３」方向の分極を大きくするこ
とにより、歪みを大きくすることができる。このために
は、電界方向の格子定数を面内の格子定数より大きくす
ることが望ましい。
【００１０】また、本発明の圧電体素子は、圧電体膜
と、この圧電体膜の両面を挟んで配置される下部電極お
よび上部電極とを備えた圧電体素子であって、前記圧電
体膜は、菱面体晶系で、かつ（００１）面優先配向であ
り、前記圧電体膜は、面方向に圧縮応力を有することを
特徴とする。
と、この圧電体膜の両面を挟んで配置される下部電極お
よび上部電極とを備えた圧電体素子であって、前記圧電
体膜は、菱面体晶系で、かつ（００１）面優先配向であ
り、前記圧電体膜は、面方向に圧縮応力を有することを
特徴とする。
【００１１】また、本発明の圧電体素子は、圧電体膜
と、この圧電体膜の両面を挟んで配置される下部電極お
よび上部電極とを備えた圧電体素子であって、前記圧電
体膜は、菱面体晶系で、かつ（００１）面優先配向であ
り、前記圧電体膜をＳｉＯ２基板上に形成し、かつ膜厚
を１μｍ以上としたことを特徴とする。
と、この圧電体膜の両面を挟んで配置される下部電極お
よび上部電極とを備えた圧電体素子であって、前記圧電
体膜は、菱面体晶系で、かつ（００１）面優先配向であ
り、前記圧電体膜をＳｉＯ２基板上に形成し、かつ膜厚
を１μｍ以上としたことを特徴とする。
【００１２】上記圧電体素子は、電歪領域で駆動される
ものであることが好ましい。
ものであることが好ましい。
【００１３】本発明の電気機器は、上記圧電体素子を駆
動素子として備えたことを特徴とする。電気機器とは電
気で駆動される機械器具一般をいい、例としては圧電フ
ァン、圧電モータ、圧電ポンプ、圧電リレー、圧電バル
ブ等が挙げられる。
動素子として備えたことを特徴とする。電気機器とは電
気で駆動される機械器具一般をいい、例としては圧電フ
ァン、圧電モータ、圧電ポンプ、圧電リレー、圧電バル
ブ等が挙げられる。
【００１４】本発明の圧電体素子の製造方法は、ＳｉＯ
２基板上に下部電極を形成する工程と、下部電極上に、
菱面体晶系でかつ（００１）面優先配向の圧電体膜を１
μｍ以上の厚みに形成する工程と、圧電体膜上に上部電
極を形成する工程と、を備えたことを特徴とする。
２基板上に下部電極を形成する工程と、下部電極上に、
菱面体晶系でかつ（００１）面優先配向の圧電体膜を１
μｍ以上の厚みに形成する工程と、圧電体膜上に上部電
極を形成する工程と、を備えたことを特徴とする。
【００１５】
【発明の実施の形態】（圧電体素子及び電気機器の構
成）図１は、本発明の実施形態による圧電体素子を備え
た電気機器の一例であるマイクロポンプの断面図であ
る。マイクロポンプ２０は、スペーサ２６を挟んで対向
する振動板２５及びノズル板２７と、振動板２５上に形
成された圧電体素子２１を備えている。振動板２５とノ
ズル板２７との間にはポンプ室２８が形成され、振動板
２５には吸入口２５ａ、ノズル板２７には吐出口２７ａ
が形成されている。吸入口２５ａ、吐出口２７ａには図
示しない逆止弁が形成されている。また、圧電体素子２
１は、圧電体薄膜２３並びにこれを上下両面から挟む上
部電極２４及び下部電極２２を備えている。
成）図１は、本発明の実施形態による圧電体素子を備え
た電気機器の一例であるマイクロポンプの断面図であ
る。マイクロポンプ２０は、スペーサ２６を挟んで対向
する振動板２５及びノズル板２７と、振動板２５上に形
成された圧電体素子２１を備えている。振動板２５とノ
ズル板２７との間にはポンプ室２８が形成され、振動板
２５には吸入口２５ａ、ノズル板２７には吐出口２７ａ
が形成されている。吸入口２５ａ、吐出口２７ａには図
示しない逆止弁が形成されている。また、圧電体素子２
１は、圧電体薄膜２３並びにこれを上下両面から挟む上
部電極２４及び下部電極２２を備えている。
【００１６】振動板２５は二酸化珪素（ＳｉＯ２）によ
り構成され、圧電体薄膜の変形により変形するようにな
っている。
り構成され、圧電体薄膜の変形により変形するようにな
っている。
【００１７】下部電極２２及び上部電極２４は、圧電体
薄膜２３に電圧を印加するための電極であり、導電性を
有する材料、例えば、白金（Ｐｔ）などにより構成され
ている。
薄膜２３に電圧を印加するための電極であり、導電性を
有する材料、例えば、白金（Ｐｔ）などにより構成され
ている。
【００１８】圧電体薄膜２３は、ペロブスカイト構造を
持つ圧電性セラミックスの結晶であり、例えばジルコニ
ウム酸チタン酸鉛（Ｐｂｘ（Ｚｒｙ、Ｔｉ１−ｙ）
Ｏ３：ＰＺＴ）等を用いる。特にここでは、菱面体晶
系、（００１）面優先配向であるＰＺＴが好ましい。そ
して、膜厚方向の分極を大きくして大きな変位を得るた
め、膜厚方向の格子定数が面内の格子定数より大きくな
るようにする。但し、膜厚方向の格子定数を大きくする
場合でも、立方晶系ないし疑似立方晶系の範囲であるこ
とが好ましい。また、膜厚方向の格子定数を大きくする
ためには、面内に圧縮応力を有するように圧電体膜を成
膜することが好ましい。
持つ圧電性セラミックスの結晶であり、例えばジルコニ
ウム酸チタン酸鉛（Ｐｂｘ（Ｚｒｙ、Ｔｉ１−ｙ）
Ｏ３：ＰＺＴ）等を用いる。特にここでは、菱面体晶
系、（００１）面優先配向であるＰＺＴが好ましい。そ
して、膜厚方向の分極を大きくして大きな変位を得るた
め、膜厚方向の格子定数が面内の格子定数より大きくな
るようにする。但し、膜厚方向の格子定数を大きくする
場合でも、立方晶系ないし疑似立方晶系の範囲であるこ
とが好ましい。また、膜厚方向の格子定数を大きくする
ためには、面内に圧縮応力を有するように圧電体膜を成
膜することが好ましい。
【００１９】上下両電極２２、２４間に電圧が供給され
ると、圧電体薄膜２３の膜厚方向に電圧が印加され、圧
電体素子２１に歪みが生じる。このため、ポンプ室２６
内の圧力が変化し、吸入口２７、吐出口２８にそれぞれ
設けられた逆止弁の働きによって流体が吸入口２７から
ポンプ室２６内に流れ、排出口２８から外部に排出され
る。
ると、圧電体薄膜２３の膜厚方向に電圧が印加され、圧
電体素子２１に歪みが生じる。このため、ポンプ室２６
内の圧力が変化し、吸入口２７、吐出口２８にそれぞれ
設けられた逆止弁の働きによって流体が吸入口２７から
ポンプ室２６内に流れ、排出口２８から外部に排出され
る。
【００２０】かかるマイクロポンプでは、膜厚２μｍ程
度の圧電体薄膜に対して数ボルト（Ｖ）以下の電圧を印
加するので、圧電体薄膜における電界強度は５×１０６
Ｖ／ｍ以下となり、圧電体素子は電歪領域で動作する。
本実施形態の圧電体素子はこのような電歪領域で好適な
特性を示す。
度の圧電体薄膜に対して数ボルト（Ｖ）以下の電圧を印
加するので、圧電体薄膜における電界強度は５×１０６
Ｖ／ｍ以下となり、圧電体素子は電歪領域で動作する。
本実施形態の圧電体素子はこのような電歪領域で好適な
特性を示す。
【００２１】本発明の圧電体素子は上記の他に、（位置
決め）ポジショナ、圧電ファン、圧電モータ、圧電リレ
ー、圧電バルブ等、種々の電気機器に用いることがで
き、その圧電特性の高さを利用して効率の高い電気機器
を作成することができる。また、本発明の圧電体素子
は、フィルタ、リードセレクタ、音叉発振子、音叉時
計、トランシーバ、圧電ピックアップ、圧電イヤホン、
圧電マイクロフォン、ＳＡＷフィルタ、ＲＦモジュレー
タ、共振子、遅延素子、マルチストリップカプラ、圧電
加速度計、圧電スピーカ等に応用することもできる。
決め）ポジショナ、圧電ファン、圧電モータ、圧電リレ
ー、圧電バルブ等、種々の電気機器に用いることがで
き、その圧電特性の高さを利用して効率の高い電気機器
を作成することができる。また、本発明の圧電体素子
は、フィルタ、リードセレクタ、音叉発振子、音叉時
計、トランシーバ、圧電ピックアップ、圧電イヤホン、
圧電マイクロフォン、ＳＡＷフィルタ、ＲＦモジュレー
タ、共振子、遅延素子、マルチストリップカプラ、圧電
加速度計、圧電スピーカ等に応用することもできる。
【００２２】（製造方法）次に、この実施形態による圧
電体素子の製造方法を説明する。
電体素子の製造方法を説明する。
【００２３】まず、振動板２５を構成する二酸化珪素基
板上に、下部電極２２を成膜する。下部電極２２は白金
等を電子ビーム蒸着法、スパッタ法等により０．２μｍ
の厚みに成膜して得られる。
板上に、下部電極２２を成膜する。下部電極２２は白金
等を電子ビーム蒸着法、スパッタ法等により０．２μｍ
の厚みに成膜して得られる。
【００２４】次に、下部電極上に圧電体薄膜２３をゾル
ゲル法等により成膜する。ゾルゲル法は、圧電体膜を構
成する金属成分の水酸化物の水和錯体（ゾル）を基板上
に塗布し、乾燥、脱脂させた後、結晶化熱処理を行う方
法である。特にこの実施形態では、ゾルの塗布から結晶
化までの工程を数回繰り返すことにより厚膜化する。
ゲル法等により成膜する。ゾルゲル法は、圧電体膜を構
成する金属成分の水酸化物の水和錯体（ゾル）を基板上
に塗布し、乾燥、脱脂させた後、結晶化熱処理を行う方
法である。特にこの実施形態では、ゾルの塗布から結晶
化までの工程を数回繰り返すことにより厚膜化する。
【００２５】まず、圧電体薄膜の原料となる圧電性セラ
ミックスのゾルを製造する。例えば、２−ｎ−ブトキシ
エタノール中にチタニウムテトライソプロポキシド、お
よびテトラ−ｎ−プロポキシジルコニウムを混入し、室
温下で２０分間攪拌する。次いでジエタノールアミンを
加えて室温下でさらに２０分間攪拌する。酢酸鉛を加え
８０℃に加温する。加温した状態で２０分間攪拌し、そ
の後室温になるまで自然冷却する。以上の工程で製造さ
れた金属アルコキシド溶液を前駆体として用いる。ただ
し、ゾルの製造方法は上記に限定されるものではない。
ミックスのゾルを製造する。例えば、２−ｎ−ブトキシ
エタノール中にチタニウムテトライソプロポキシド、お
よびテトラ−ｎ−プロポキシジルコニウムを混入し、室
温下で２０分間攪拌する。次いでジエタノールアミンを
加えて室温下でさらに２０分間攪拌する。酢酸鉛を加え
８０℃に加温する。加温した状態で２０分間攪拌し、そ
の後室温になるまで自然冷却する。以上の工程で製造さ
れた金属アルコキシド溶液を前駆体として用いる。ただ
し、ゾルの製造方法は上記に限定されるものではない。
【００２６】上記のようにして製造した金属アルコキシ
ド溶液を、下部電極２２上に一定の厚み（例えば０．２
μｍ）に塗布する。例えば公知のスピンコート法を用い
る場合には、毎分５００回転で３０秒、毎分１５００回
転で３０秒、最後に毎分５００回転で１０秒間塗布す
る。塗布した段階では、ＰＺＴを構成する各金属原子は
有機金属錯体として分散している。塗布後、一定温度で
一定時間乾燥させる。例えば、乾燥温度は例えば１５０
℃以上２００℃以下に設定する。好ましくは、１８０℃
で乾燥させる。乾燥時間は例えば５分以上１５分以下に
する。好ましくは１０分程度乾燥させる。
ド溶液を、下部電極２２上に一定の厚み（例えば０．２
μｍ）に塗布する。例えば公知のスピンコート法を用い
る場合には、毎分５００回転で３０秒、毎分１５００回
転で３０秒、最後に毎分５００回転で１０秒間塗布す
る。塗布した段階では、ＰＺＴを構成する各金属原子は
有機金属錯体として分散している。塗布後、一定温度で
一定時間乾燥させる。例えば、乾燥温度は例えば１５０
℃以上２００℃以下に設定する。好ましくは、１８０℃
で乾燥させる。乾燥時間は例えば５分以上１５分以下に
する。好ましくは１０分程度乾燥させる。
【００２７】乾燥後、さらに大気雰囲気下において一定
の脱脂温度で一定時間脱脂する。脱脂温度は、３００℃
以上５００℃以下の範囲が好ましい。この範囲より高い
温度では結晶化が始まってしまい、この範囲より低い温
度では、十分な脱脂が行えないからである。好ましくは
３５０℃程度に設定する。脱脂時間は、例えば５分以上
９０分以下にする。この範囲より長い時間では結晶化が
始まってしまい、この範囲より短い時間では十分に脱脂
されないからである。好ましくは１０分程度脱脂させ
る。脱脂により金属に配位している有機物が金属から解
離し酸化燃焼反応を生じ、大気中に飛散する。
の脱脂温度で一定時間脱脂する。脱脂温度は、３００℃
以上５００℃以下の範囲が好ましい。この範囲より高い
温度では結晶化が始まってしまい、この範囲より低い温
度では、十分な脱脂が行えないからである。好ましくは
３５０℃程度に設定する。脱脂時間は、例えば５分以上
９０分以下にする。この範囲より長い時間では結晶化が
始まってしまい、この範囲より短い時間では十分に脱脂
されないからである。好ましくは１０分程度脱脂させ
る。脱脂により金属に配位している有機物が金属から解
離し酸化燃焼反応を生じ、大気中に飛散する。
【００２８】上記の工程によって得られた圧電体前駆体
膜を加熱処理することによって結晶化させ、圧電体膜を
形成する。焼結温度は材料により異なるが、本実施形態
では６５０℃で５分から３０分間加熱を行う。加熱装置
としては、ＲＴＡ（Rapid Thermal Annealing）装置、
拡散炉等を使用することができる。
膜を加熱処理することによって結晶化させ、圧電体膜を
形成する。焼結温度は材料により異なるが、本実施形態
では６５０℃で５分から３０分間加熱を行う。加熱装置
としては、ＲＴＡ（Rapid Thermal Annealing）装置、
拡散炉等を使用することができる。
【００２９】上記のゾルの塗布、乾燥、脱脂、結晶化の
工程を複数回実施することにより圧電体膜を積層し、厚
膜化することにより圧電体薄膜層２３を形成する。
工程を複数回実施することにより圧電体膜を積層し、厚
膜化することにより圧電体薄膜層２３を形成する。
【００３０】圧電体薄膜層２３の上に、さらに電子ビー
ム蒸着法、スパッタ法等の技術を用いて、上部電極２４
を形成する。上部電極の材料は、白金（Ｐｔ）等を用い
る。厚みは０．１μｍ程度にする。
ム蒸着法、スパッタ法等の技術を用いて、上部電極２４
を形成する。上部電極の材料は、白金（Ｐｔ）等を用い
る。厚みは０．１μｍ程度にする。
【００３１】上記工程で圧電体素子が完成する。この圧
電体素子を用いて、例えば上記マイクロポンプを製造す
る場合にはスペーサを介してノズル板を貼りあわせ、吸
入口及び吐出口を形成し、これら吸入口及び吐出口にそ
れぞれ逆止弁を形成する。
電体素子を用いて、例えば上記マイクロポンプを製造す
る場合にはスペーサを介してノズル板を貼りあわせ、吸
入口及び吐出口を形成し、これら吸入口及び吐出口にそ
れぞれ逆止弁を形成する。
【００３２】
【発明の効果】本発明によれば、電歪領域で駆動させる
場合に好適な特性を示すことのできる圧電体素子を提供
することができる。そして、この圧電体素子を備えたマ
イクロマシンなどの電気機器を提供することができる。
場合に好適な特性を示すことのできる圧電体素子を提供
することができる。そして、この圧電体素子を備えたマ
イクロマシンなどの電気機器を提供することができる。
【図１】本発明の実施形態による圧電体素子を備えた電
気機器の一例であるマイクロポンプの断面図である。
気機器の一例であるマイクロポンプの断面図である。
【図２】分極Ｐの座標系を示す図である。
２０…マイクロポンプ（電気機器）、 ２１…圧電体素
子、 ２２…下部電極、 ２３…圧電体薄膜、 ２４…
上部電極、 ２５…振動板、 ２６…スペーサ、 ２７
…ノズル板、 ２８…ポンプ室
子、 ２２…下部電極、 ２３…圧電体薄膜、 ２４…
上部電極、 ２５…振動板、 ２６…スペーサ、 ２７
…ノズル板、 ２８…ポンプ室
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 41/22 Ｈ０１Ｌ 41/22 Ｚ Ｆターム(参考） 3H075 AA01 BB04 BB21 CC00 CC32 DB02 3H077 AA00 CC02 CC09 DD06 EE34 FF07 FF22 FF36
Claims (6)
- 【請求項１】 圧電体膜と、この圧電体膜の両面を挟ん
で配置される下部電極および上部電極とを備えた圧電体
素子であって、 前記圧電体膜は、菱面体晶系で、かつ（００１）面優先
配向であり、 電界方向の格子定数が面内の格子定数より大きいことを
特徴とする圧電体素子。 - 【請求項２】 圧電体膜と、この圧電体膜の両面を挟ん
で配置される下部電極および上部電極とを備えた圧電体
素子であって、 前記圧電体膜は、菱面体晶系で、かつ（００１）面優先
配向であり、 前記圧電体膜は、面方向に圧縮応力を有することを特徴
とする圧電体素子。 - 【請求項３】 圧電体膜と、この圧電体膜の両面を挟ん
で配置される下部電極および上部電極とを備えた圧電体
素子であって、 前記圧電体膜は、菱面体晶系で、かつ（００１）面優先
配向であり、 前記圧電体膜をＳｉＯ２基板上に形成し、かつ膜厚を１
μｍ以上としたことを特徴とする圧電体素子。 - 【請求項４】 請求項１乃至請求項３の何れか一項にお
いて、 電歪領域で駆動されることを特徴とする圧電体素子。 - 【請求項５】 請求項１乃至請求項４に記載の圧電体素
子を駆動素子として備えた電気機器。 - 【請求項６】 ＳｉＯ２基板上に下部電極を形成する工
程と、 下部電極上に、菱面体晶系でかつ（００１）面優先配向
の圧電体膜を１μｍ以上の厚みに形成する工程と、 圧電体膜上に上部電極を形成する工程と、を備えたこと
を特徴とする圧電体素子の製造方法。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001101286A JP4629896B2 (ja) | 2001-03-30 | 2001-03-30 | 圧電体素子及びこれを用いた電気機器 |
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| JP2001101286A JP4629896B2 (ja) | 2001-03-30 | 2001-03-30 | 圧電体素子及びこれを用いた電気機器 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002299714A true JP2002299714A (ja) | 2002-10-11 |
| JP2002299714A5 JP2002299714A5 (ja) | 2005-04-28 |
| JP4629896B2 JP4629896B2 (ja) | 2011-02-09 |
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|---|---|---|---|---|
| JP2004146640A (ja) * | 2002-10-25 | 2004-05-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 圧電体薄膜素子およびそれを用いたアクチュエータ、インクジェットヘッドならびにインクジェット記録装置 |
| JP2005340428A (ja) * | 2004-05-26 | 2005-12-08 | Seiko Epson Corp | 圧電体素子及びその製造方法 |
| JP2007266275A (ja) * | 2006-03-28 | 2007-10-11 | Seiko Epson Corp | アクチュエータ装置、それを備えた液体噴射ヘッド及び液体噴射装置並びにアクチュエータ装置の製造方法 |
| WO2008069264A1 (ja) * | 2006-12-09 | 2008-06-12 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 圧電ポンプ |
| WO2008126377A1 (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-23 | Daikin Industries, Ltd. | 空気熱交換ユニット及び熱交換モジュール |
| WO2008129829A1 (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-30 | Daikin Industries, Ltd. | 送風ファン |
| US8277031B2 (en) | 2009-04-07 | 2012-10-02 | Seiko Epson Corporation | Liquid-ejecting head, liquid-ejecting apparatus, and actuator |
| CN105201796A (zh) * | 2015-10-29 | 2015-12-30 | 宁波大学 | 一种压电蠕动微泵 |
| US10391769B2 (en) | 2017-06-26 | 2019-08-27 | Seiko Epson Corporation | Liquid ejecting head, liquid ejecting apparatus, and piezoelectric device |
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|---|---|---|---|---|
| CN103339380B (zh) * | 2011-10-11 | 2015-11-25 | 株式会社村田制作所 | 流体控制装置、流体控制装置的调节方法 |
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|---|---|---|---|---|
| JPH06150716A (ja) * | 1991-05-09 | 1994-05-31 | Toto Ltd | 強誘電体磁器組成物 |
| JPH08268756A (ja) * | 1995-03-30 | 1996-10-15 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 強誘電性セラミックスの製造方法 |
| JPH09321361A (ja) * | 1996-05-27 | 1997-12-12 | Tdk Corp | 圧電振動部品及びその製造方法 |
| JPH11233844A (ja) * | 1998-02-13 | 1999-08-27 | Omron Corp | 圧電素子及びその製造方法 |
| JP2000158648A (ja) * | 1998-11-27 | 2000-06-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | インクジェット式記録ヘッド |
-
2001
- 2001-03-30 JP JP2001101286A patent/JP4629896B2/ja not_active Expired - Fee Related
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