JPH11233844A - 圧電素子及びその製造方法 - Google Patents
圧電素子及びその製造方法Info
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- JPH11233844A JPH11233844A JP4895198A JP4895198A JPH11233844A JP H11233844 A JPH11233844 A JP H11233844A JP 4895198 A JP4895198 A JP 4895198A JP 4895198 A JP4895198 A JP 4895198A JP H11233844 A JPH11233844 A JP H11233844A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＰＺＴを用いた圧電素子において、ＰＺＴの
圧電定数を従来よりさらに大きな値にし、また相境界付
近における結晶構造のばらつきに由来する圧電定数のば
らつきをなくすことにより、圧電素子の特性を安定かつ
良好にする。 【解決手段】 ペロブスカイト構造を有する菱面体晶組
成のＰＺＴ［例えば、Ｐｂ（Ｚｒ0.6Ｔｉ0.4）］の両面
に電極を形成した圧電素子において、ＰＺＴの［１０
０］方向、［０１０］方向又は［００１］方向が電極面
とほぼ垂直な方向を向くようにＰＺＴを結晶配向させ
た。
圧電定数を従来よりさらに大きな値にし、また相境界付
近における結晶構造のばらつきに由来する圧電定数のば
らつきをなくすことにより、圧電素子の特性を安定かつ
良好にする。 【解決手段】 ペロブスカイト構造を有する菱面体晶組
成のＰＺＴ［例えば、Ｐｂ（Ｚｒ0.6Ｔｉ0.4）］の両面
に電極を形成した圧電素子において、ＰＺＴの［１０
０］方向、［０１０］方向又は［００１］方向が電極面
とほぼ垂直な方向を向くようにＰＺＴを結晶配向させ
た。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、圧電材料としてＰ
ＺＴを用いた歪みセンサや圧電アクチュエータ、ダイナ
ミック・ランダム・アクセス・メモリ（ＤＲＡＭ）等の
圧電素子に関する。また、その製造方法に関する。
ＺＴを用いた歪みセンサや圧電アクチュエータ、ダイナ
ミック・ランダム・アクセス・メモリ（ＤＲＡＭ）等の
圧電素子に関する。また、その製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】圧電材料は、歪みを与えると電荷が生
じ、電圧を加えると歪みが生じる物質であって、この性
質（圧電性）を用いて歪みセンサや圧電アクチュエータ
等が作製されている。また、最近では、この電圧−歪み
特性をＤＲＡＭ等へ応用する研究・開発も多数なされて
いる。この圧電材料の性質を利用する場合には、低い電
圧で大きな歪みが得られ、また小さな歪みで大きな発生
電荷が得られることが必要であり、しかも、この性質が
顕著なことが望ましい。そのためには、圧電定数の大き
な材料を用いる必要がある。
じ、電圧を加えると歪みが生じる物質であって、この性
質（圧電性）を用いて歪みセンサや圧電アクチュエータ
等が作製されている。また、最近では、この電圧−歪み
特性をＤＲＡＭ等へ応用する研究・開発も多数なされて
いる。この圧電材料の性質を利用する場合には、低い電
圧で大きな歪みが得られ、また小さな歪みで大きな発生
電荷が得られることが必要であり、しかも、この性質が
顕著なことが望ましい。そのためには、圧電定数の大き
な材料を用いる必要がある。
【０００３】ＰＺＴ［＝Ｐｂ（ＺｒXＴｉ1-X）Ｏ3；チ
タン酸ジルコン酸鉛］は、圧電材料のうちでも比較的研
究・開発が活発で、よく知られた圧電材料であって、大
きな圧電定数を有している。ＰＺＴは、Ｐｂ、Ｚｒ、Ｔ
ｉとＯ（酸素）から構成される物質で、チタン酸鉛とジ
ルコン酸鉛の固溶体である。
タン酸ジルコン酸鉛］は、圧電材料のうちでも比較的研
究・開発が活発で、よく知られた圧電材料であって、大
きな圧電定数を有している。ＰＺＴは、Ｐｂ、Ｚｒ、Ｔ
ｉとＯ（酸素）から構成される物質で、チタン酸鉛とジ
ルコン酸鉛の固溶体である。
【０００４】従来においては、ＰＺＴの電圧−歪み特性
を最大限に引き出すためには、組成が正方晶と菱面体晶
の相境界（Morphotropic Phase Boundary；以下、ＭＰ
Ｂと記す）付近となる状態でＰＺＴを焼結させ、ペロブ
スカイト構造の［１１１］方向に結晶配向させることが
必要であるとされていた。すなわち、ＰＺＴは、図１に
示すＰｂ（ＺｒXＴｉ1-X）Ｏ3系の相図から分かるよう
に、室温では、ＺｒとＴｉの組成比によって正方晶と菱
面体晶に結晶構造が分かれており、大きな圧電定数を得
るためには、この正方晶と菱面体晶の相境界（ＭＰＢ）
でＰＺＴを焼結させていた。また、ＰＺＴは［１１１］
方向（以下においては、この方向をＺ軸方向ということ
がある）に自発分極しており、大きな圧電定数を得るた
めには自発分極の方向が電極面と垂直になるように［１
１１］方向に結晶配向させる必要があると考えられてい
たので、［１１１］配向を得るため、ＰＺＴの結晶配向
性を支配する下地金属層（下地電極）の表面を（１１
１）面とし、その下地金属層上に形成されるＰＺＴの組
成比が正方晶と菱面体晶の相境界付近になるように制御
していた。
を最大限に引き出すためには、組成が正方晶と菱面体晶
の相境界（Morphotropic Phase Boundary；以下、ＭＰ
Ｂと記す）付近となる状態でＰＺＴを焼結させ、ペロブ
スカイト構造の［１１１］方向に結晶配向させることが
必要であるとされていた。すなわち、ＰＺＴは、図１に
示すＰｂ（ＺｒXＴｉ1-X）Ｏ3系の相図から分かるよう
に、室温では、ＺｒとＴｉの組成比によって正方晶と菱
面体晶に結晶構造が分かれており、大きな圧電定数を得
るためには、この正方晶と菱面体晶の相境界（ＭＰＢ）
でＰＺＴを焼結させていた。また、ＰＺＴは［１１１］
方向（以下においては、この方向をＺ軸方向ということ
がある）に自発分極しており、大きな圧電定数を得るた
めには自発分極の方向が電極面と垂直になるように［１
１１］方向に結晶配向させる必要があると考えられてい
たので、［１１１］配向を得るため、ＰＺＴの結晶配向
性を支配する下地金属層（下地電極）の表面を（１１
１）面とし、その下地金属層上に形成されるＰＺＴの組
成比が正方晶と菱面体晶の相境界付近になるように制御
していた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、ＰＺＴの応用
分野が広がり、ＰＺＴ薄膜を利用した歪みセンサ、圧電
アクチュエータ、ＤＲＡＭ等が広く使用されるにつれ、
より圧電定数の大きなＰＺＴの開発が求められている。
分野が広がり、ＰＺＴ薄膜を利用した歪みセンサ、圧電
アクチュエータ、ＤＲＡＭ等が広く使用されるにつれ、
より圧電定数の大きなＰＺＴの開発が求められている。
【０００６】また、従来のＰＺＴは、その組成が正方晶
と菱面体晶の相境界付近になるように形成されていたの
で、実際にできあがったＰＺＴ薄膜の構造は、正方晶に
歪んだペロブスカイト構造か、菱面体晶に歪んだペロブ
スカイト構造かのどちらかで、その構造のばらつきによ
って圧電定数もばらつくという問題があった。
と菱面体晶の相境界付近になるように形成されていたの
で、実際にできあがったＰＺＴ薄膜の構造は、正方晶に
歪んだペロブスカイト構造か、菱面体晶に歪んだペロブ
スカイト構造かのどちらかで、その構造のばらつきによ
って圧電定数もばらつくという問題があった。
【０００７】本発明は叙上の従来例の欠点に鑑みてなさ
れたものであり、その目的とするところは、ＰＺＴを用
いた圧電素子において、ＰＺＴの圧電定数を従来よりさ
らに大きな値にし、また相境界付近における結晶構造の
ばらつきに由来する圧電定数のばらつきをなくすことに
より、圧電素子の特性を安定かつ良好にすることにあ
る。
れたものであり、その目的とするところは、ＰＺＴを用
いた圧電素子において、ＰＺＴの圧電定数を従来よりさ
らに大きな値にし、また相境界付近における結晶構造の
ばらつきに由来する圧電定数のばらつきをなくすことに
より、圧電素子の特性を安定かつ良好にすることにあ
る。
【０００８】
【発明の開示】請求項１に記載の圧電素子は、ＰＺＴと
電極を備えた圧電素子であって、前記ＰＺＴは、そこに
含まれるＺｒとＴｉが室温において菱面体晶となる組成
比のペロブスカイト構造であって、その［１００］方
向、［０１０］方向又は［００１］方向が前記電極面に
ほぼ垂直となるように結晶配向していることを特徴とし
ている。
電極を備えた圧電素子であって、前記ＰＺＴは、そこに
含まれるＺｒとＴｉが室温において菱面体晶となる組成
比のペロブスカイト構造であって、その［１００］方
向、［０１０］方向又は［００１］方向が前記電極面に
ほぼ垂直となるように結晶配向していることを特徴とし
ている。
【０００９】室温において菱面体晶となる組成からなる
ＰＺＴは、ペロブスカイト構造の［１００］、［０１
０］又は［００１］方向のいずれかの方向の付近で非常
に大きな圧電定数を持つことが分かった。よって、当該
配向方向のいずれかが電極面とほぼ垂直となるように結
晶配向させれば、［１１１］配向方向を電極面と垂直に
向けていた従来の圧電素子と比較して、電界方向（つま
り、電極面に垂直な方向）で非常に大きな圧電定数を持
つことになる。このようなＰＺＴを用いることにより、
歪みセンサや圧電アクチュエータ、ＤＲＡＭ等の圧電素
子の特性をより高くすることができる。
ＰＺＴは、ペロブスカイト構造の［１００］、［０１
０］又は［００１］方向のいずれかの方向の付近で非常
に大きな圧電定数を持つことが分かった。よって、当該
配向方向のいずれかが電極面とほぼ垂直となるように結
晶配向させれば、［１１１］配向方向を電極面と垂直に
向けていた従来の圧電素子と比較して、電界方向（つま
り、電極面に垂直な方向）で非常に大きな圧電定数を持
つことになる。このようなＰＺＴを用いることにより、
歪みセンサや圧電アクチュエータ、ＤＲＡＭ等の圧電素
子の特性をより高くすることができる。
【００１０】しかも、菱面体晶とすれば、正方晶と菱面
体晶の境界組成を用いた従来のＰＺＴのように組成の片
寄りが発生しにくく、組成の片寄りに起因する特性ばら
つきを抑制し、その特性を安定させることができる。
体晶の境界組成を用いた従来のＰＺＴのように組成の片
寄りが発生しにくく、組成の片寄りに起因する特性ばら
つきを抑制し、その特性を安定させることができる。
【００１１】請求項２に記載の圧電素子は、ＰＺＴと電
極を備えた圧電素子であって、前記ＰＺＴは、そこに含
まれるＺｒとＴｉが室温において正方晶となる組成比の
ペロブスカイト構造であって、その［００１］方向が前
記電極面にほぼ垂直となるように結晶配向していること
を特徴としている。
極を備えた圧電素子であって、前記ＰＺＴは、そこに含
まれるＺｒとＴｉが室温において正方晶となる組成比の
ペロブスカイト構造であって、その［００１］方向が前
記電極面にほぼ垂直となるように結晶配向していること
を特徴としている。
【００１２】正方晶組成のペロブスカイト構造を有する
ＰＺＴでは、［００１］方向で圧電定数が最大になるこ
とが分かった。よって、その［００１］方向が電極面に
ほぼ垂直となるように結晶配向させれば、電界方向（つ
まり、電極面に垂直な方向）では従来のＰＺＴよりも大
きな圧電定数を有することになる。このようなＰＺＴを
用いることにより、歪みセンサや圧電アクチュエータ、
ＤＲＡＭ等の圧電素子の特性をより高くすることができ
る。しかも、正方晶とすれば、正方晶と菱面体晶の境界
組成を用いた従来のＰＺＴのように組成の片寄りが発生
しにくく、組成の片寄りに起因する特性ばらつきを抑制
し、その特性を安定させることができる。
ＰＺＴでは、［００１］方向で圧電定数が最大になるこ
とが分かった。よって、その［００１］方向が電極面に
ほぼ垂直となるように結晶配向させれば、電界方向（つ
まり、電極面に垂直な方向）では従来のＰＺＴよりも大
きな圧電定数を有することになる。このようなＰＺＴを
用いることにより、歪みセンサや圧電アクチュエータ、
ＤＲＡＭ等の圧電素子の特性をより高くすることができ
る。しかも、正方晶とすれば、正方晶と菱面体晶の境界
組成を用いた従来のＰＺＴのように組成の片寄りが発生
しにくく、組成の片寄りに起因する特性ばらつきを抑制
し、その特性を安定させることができる。
【００１３】さらに、請求項３に記載の実施態様は、請
求項１又は２記載の圧電素子において、前記ＰＺＴに、
Ｂａ，Ｓｒ，Ｌａ，Ｂｉ，Ｍｇ，Ｗ，Ｎｂ，Ｚｎのうち
少なくとも一つが添加されていることを特徴としてい
る。
求項１又は２記載の圧電素子において、前記ＰＺＴに、
Ｂａ，Ｓｒ，Ｌａ，Ｂｉ，Ｍｇ，Ｗ，Ｎｂ，Ｚｎのうち
少なくとも一つが添加されていることを特徴としてい
る。
【００１４】この実施態様のように、ＰＺＴに、Ｂａ，
Ｓｒ，Ｌａ，Ｂｉ，Ｍｇ，Ｗ，Ｎｂ，Ｚｎのいずれかの
添加物を加えることにより、温度によるＰＺＴの特性ば
らつきを抑制することができる。
Ｓｒ，Ｌａ，Ｂｉ，Ｍｇ，Ｗ，Ｎｂ，Ｚｎのいずれかの
添加物を加えることにより、温度によるＰＺＴの特性ば
らつきを抑制することができる。
【００１５】請求項４に記載した圧電素子の製造方法
は、単結晶基板の上方に（１００）面、（０１０）面又
は（００１）面配向した下地金属層を成膜し、この下地
金属層の上に菱面体晶組成のＰＺＴ膜を形成した後、こ
のＰＺＴ膜を焼結させることにより、その［１００］方
向、［０１０］方向又は［００１］方向が下地金属層の
表面とほぼ垂直となるように結晶配向させることを特徴
としている。
は、単結晶基板の上方に（１００）面、（０１０）面又
は（００１）面配向した下地金属層を成膜し、この下地
金属層の上に菱面体晶組成のＰＺＴ膜を形成した後、こ
のＰＺＴ膜を焼結させることにより、その［１００］方
向、［０１０］方向又は［００１］方向が下地金属層の
表面とほぼ垂直となるように結晶配向させることを特徴
としている。
【００１６】この製造方法によれば、請求項１に記載し
た圧電素子を製造することができ、しかも、結晶配向性
の良好なＰＺＴ膜を得ることができる。
た圧電素子を製造することができ、しかも、結晶配向性
の良好なＰＺＴ膜を得ることができる。
【００１７】請求項５に記載した圧電素子の製造方法
は、単結晶基板の上方に（００１）面配向した下地金属
層を成膜し、この下地金属層の上に正方晶組成のＰＺＴ
膜を形成した後、このＰＺＴ膜を焼結させることによ
り、その［００１］方向が下地金属層の表面とほぼ垂直
となるように結晶配向させることを特徴としている。
は、単結晶基板の上方に（００１）面配向した下地金属
層を成膜し、この下地金属層の上に正方晶組成のＰＺＴ
膜を形成した後、このＰＺＴ膜を焼結させることによ
り、その［００１］方向が下地金属層の表面とほぼ垂直
となるように結晶配向させることを特徴としている。
【００１８】この製造方法によれば、請求項２に記載し
た圧電素子を製造することができ、しかも、結晶配向性
の良好なＰＺＴ膜を得ることができる。
た圧電素子を製造することができ、しかも、結晶配向性
の良好なＰＺＴ膜を得ることができる。
【００１９】
【発明の実施の形態】（発明の要旨）ＰＺＴ［＝Ｐｂ
（ＺｒXＴｉ1-X）Ｏ3］の２つの結晶系（正方晶、菱面
体晶）でそれぞれの圧電定数を３次元的に計算した結
果、高い圧電定数を得るためには、従来の定説のように
正方晶と菱面体晶の相境界（ＭＰＢ）付近の組成で［１
１１］配向とするよりも、菱面体晶の組成でペロブスカ
イト構造の［１００］配向、［０１０］配向または［０
０１］配向にする方が最も大きな圧電定数を得られるこ
とがわかった。また、正方晶の組成でペロブスカイト構
造の［００１］配向にしても、従来より大きな圧電定数
を得られることがわかった。
（ＺｒXＴｉ1-X）Ｏ3］の２つの結晶系（正方晶、菱面
体晶）でそれぞれの圧電定数を３次元的に計算した結
果、高い圧電定数を得るためには、従来の定説のように
正方晶と菱面体晶の相境界（ＭＰＢ）付近の組成で［１
１１］配向とするよりも、菱面体晶の組成でペロブスカ
イト構造の［１００］配向、［０１０］配向または［０
０１］配向にする方が最も大きな圧電定数を得られるこ
とがわかった。また、正方晶の組成でペロブスカイト構
造の［００１］配向にしても、従来より大きな圧電定数
を得られることがわかった。
【００２０】すなわち、ＰＺＴの組成のうちでＺｒとＴ
ｉの組成比を、常温で菱面体晶となる組成領域（図１参
照）に調製し、焼結により菱面体晶に歪んだペロブスカ
イト構造のＰＺＴを焼成すれば、ＰＺＴは［１１１］方
向で自発分極するが、圧電定数は［１００］、［０１
０］又は［００１］方向で最大となることが分かった。
ｉの組成比を、常温で菱面体晶となる組成領域（図１参
照）に調製し、焼結により菱面体晶に歪んだペロブスカ
イト構造のＰＺＴを焼成すれば、ＰＺＴは［１１１］方
向で自発分極するが、圧電定数は［１００］、［０１
０］又は［００１］方向で最大となることが分かった。
【００２１】本発明は上記知見に基づいてなされたもの
であって、その第１の実施形態による圧電素子１は、図
２に示すように、菱面体晶組成のペロブスカイト構造を
有するＰＺＴ２を、その［１００］方向、［０１０］方
向又は［００１］方向が電極３ａ，３ｂの表面に対して
ほぼ垂直となるように結晶配向させたものである。
であって、その第１の実施形態による圧電素子１は、図
２に示すように、菱面体晶組成のペロブスカイト構造を
有するＰＺＴ２を、その［１００］方向、［０１０］方
向又は［００１］方向が電極３ａ，３ｂの表面に対して
ほぼ垂直となるように結晶配向させたものである。
【００２２】また、ＰＺＴの組成のうちＺｒとＴｉの組
成比を、常温で正方晶となる組成領域（図１参照）に調
製し、焼結により正方晶に歪んだペロブスカイト構造の
ＰＺＴを焼成すると、［１１１］方向で自発分極する
が、圧電定数は［００１］方向で最大となることが分か
った。
成比を、常温で正方晶となる組成領域（図１参照）に調
製し、焼結により正方晶に歪んだペロブスカイト構造の
ＰＺＴを焼成すると、［１１１］方向で自発分極する
が、圧電定数は［００１］方向で最大となることが分か
った。
【００２３】本発明の第２の実施形態による圧電素子４
は、上記知見に基づいてなされたものであって、図３に
示すように、正方晶組成のペロブスカイト構造を有する
ＰＺＴ５を、その［００１］方向が電極３ａ，３ｂの表
面に対してほぼ垂直となるように結晶配向させたもので
ある。
は、上記知見に基づいてなされたものであって、図３に
示すように、正方晶組成のペロブスカイト構造を有する
ＰＺＴ５を、その［００１］方向が電極３ａ，３ｂの表
面に対してほぼ垂直となるように結晶配向させたもので
ある。
【００２４】本発明の圧電素子によれば、特別な圧電材
料を用いることなく、従来例と比較して非常に大きな圧
電定数を利用することができ、特性の良好な各種圧電素
子を製作することができる。具体的には、［１１１］方
向の圧電定数を利用する従来の圧電素子と比較すると、
菱面体晶組成のＰＺＴにおいて［１００］方向、［０１
０］方向又は［００１］方向の圧電定数を利用する本発
明の圧電素子では、従来例と比較して圧電定数は２.７
倍となり、正方晶組成のＰＺＴにおいて［００１］方向
の圧電定数を利用する本発明の圧電素子では、従来例と
比較して２.２７倍となる。
料を用いることなく、従来例と比較して非常に大きな圧
電定数を利用することができ、特性の良好な各種圧電素
子を製作することができる。具体的には、［１１１］方
向の圧電定数を利用する従来の圧電素子と比較すると、
菱面体晶組成のＰＺＴにおいて［１００］方向、［０１
０］方向又は［００１］方向の圧電定数を利用する本発
明の圧電素子では、従来例と比較して圧電定数は２.７
倍となり、正方晶組成のＰＺＴにおいて［００１］方向
の圧電定数を利用する本発明の圧電素子では、従来例と
比較して２.２７倍となる。
【００２５】（理論的説明）つぎに、本発明の理論的根
拠について説明する。図１に示したようなＰＺＴの相図
はよく知られており［例えば、B.Jaffe, W.J.Cook and
J.Jaffe: Piezoelectric Ceramics（Academic Press, L
ondon, 1971）］、ＰＺＴは、高温では立方晶系常誘電
相を示すが、温度が下がって常温になると、ＺｒとＴｉ
の組成比によって菱面体晶系強誘電相となったり、正方
晶系強誘電体相になったりする。例えばＴｉリッチ側
の、例えばＰＴ［＝ＰｂＴｉＯ3；チタン酸鉛］が６０
％（ｘ＝０.４）のＰＺＴは正方晶ＰＺＴが圧電性を示
し、Ｚｒリッチ側の、例えばＰＴが４０％（ｘ＝０.
６）のＰＺＴは菱面体晶ＰＺＴが圧電性を示す。
拠について説明する。図１に示したようなＰＺＴの相図
はよく知られており［例えば、B.Jaffe, W.J.Cook and
J.Jaffe: Piezoelectric Ceramics（Academic Press, L
ondon, 1971）］、ＰＺＴは、高温では立方晶系常誘電
相を示すが、温度が下がって常温になると、ＺｒとＴｉ
の組成比によって菱面体晶系強誘電相となったり、正方
晶系強誘電体相になったりする。例えばＴｉリッチ側
の、例えばＰＴ［＝ＰｂＴｉＯ3；チタン酸鉛］が６０
％（ｘ＝０.４）のＰＺＴは正方晶ＰＺＴが圧電性を示
し、Ｚｒリッチ側の、例えばＰＴが４０％（ｘ＝０.
６）のＰＺＴは菱面体晶ＰＺＴが圧電性を示す。
【００２６】ここで、菱面体晶ＰＺＴのペロブスカイト
構造とは、図４に示すような結晶構造であって、斜線を
施した球がＰｂ原子を、網掛けした球がＺｒ又はＴｉの
原子を、白色の球がＯ（酸素）原子を示している。ま
た、菱面体晶系のペロブスカイト構造では、立方晶系を
対角方向（つまり、立方晶系の［１１１］方向など）に
引き伸ばすか、縮めたような形態を有しているため、
［１００］方向、［０１０］方向および［００１］方向
では等価な構造となっている。なお、この明細書におい
ては、菱面体晶系でも正方晶系でも、［１００］方向、
［０１０］方向などの結晶軸方向は、図４などからも分
るように、立方結晶系の結晶軸方向を示している。
構造とは、図４に示すような結晶構造であって、斜線を
施した球がＰｂ原子を、網掛けした球がＺｒ又はＴｉの
原子を、白色の球がＯ（酸素）原子を示している。ま
た、菱面体晶系のペロブスカイト構造では、立方晶系を
対角方向（つまり、立方晶系の［１１１］方向など）に
引き伸ばすか、縮めたような形態を有しているため、
［１００］方向、［０１０］方向および［００１］方向
では等価な構造となっている。なお、この明細書におい
ては、菱面体晶系でも正方晶系でも、［１００］方向、
［０１０］方向などの結晶軸方向は、図４などからも分
るように、立方結晶系の結晶軸方向を示している。
【００２７】また、正方晶ＰＺＴのペロブスカイト構造
とは、図５に示すような結晶構造であって、格子が［０
０１］方向に少し延びていて、［００１］方向の格子定
数ｃが［１００］方向および［０１０］方向の格子定数
ａ，ｂ（ａ＝ｂ）と異なっている。
とは、図５に示すような結晶構造であって、格子が［０
０１］方向に少し延びていて、［００１］方向の格子定
数ｃが［１００］方向および［０１０］方向の格子定数
ａ，ｂ（ａ＝ｂ）と異なっている。
【００２８】以下での議論の目的は、上記のような菱面
体晶系ペロブスカイト構造のＰＺＴと正方晶系ペロブス
カイト構造のＰＺＴについて、それぞれ圧電定数が最大
となる結晶方位を求めることである。
体晶系ペロブスカイト構造のＰＺＴと正方晶系ペロブス
カイト構造のＰＺＴについて、それぞれ圧電定数が最大
となる結晶方位を求めることである。
【００２９】まず、ＰＺＴの結晶に電界（ベクトル）Ｅ
*＝（Ｅ1，Ｅ2，Ｅ3）を印加したときに生じるＰＺＴの
歪み（ベクトル）をε*＝（ε1，ε2，ε3）とすると、
この歪みε*は、圧電定数の行列ｄ*＝｛ｄij｝を用い
て、つぎの（１）式のように表わされる。ここで、電界
成分Ｅ1，Ｅ2，Ｅ3、歪み成分ε1，ε2，ε3、圧電定数
のマトリクス成分ｄij（ｉ，ｊ＝１，２，３）は、任意
の直交座標系における座標軸Ｘ1，Ｘ2，Ｘ3の方向にお
ける成分である。
*＝（Ｅ1，Ｅ2，Ｅ3）を印加したときに生じるＰＺＴの
歪み（ベクトル）をε*＝（ε1，ε2，ε3）とすると、
この歪みε*は、圧電定数の行列ｄ*＝｛ｄij｝を用い
て、つぎの（１）式のように表わされる。ここで、電界
成分Ｅ1，Ｅ2，Ｅ3、歪み成分ε1，ε2，ε3、圧電定数
のマトリクス成分ｄij（ｉ，ｊ＝１，２，３）は、任意
の直交座標系における座標軸Ｘ1，Ｘ2，Ｘ3の方向にお
ける成分である。
【００３０】
【数１】
【００３１】圧電定数が最大となる方向とは、ＰＺＴに
印加した電界Ｅ*と平行な方向における歪み成分ε//と
その電界の強さＥとの比［（ε//）／Ｅ］が最大となる
方向である。いま、座標軸Ｘ3と平行な方向に強さＥの
電界が印加されているとすると、当該電界に平行な方向
の歪み成分とはε3であるから、電界の印加方向におけ
る歪み成分と電界の強さの比（すなわち、電界印加方向
における圧電定数の大きさ）はｄ33である。
印加した電界Ｅ*と平行な方向における歪み成分ε//と
その電界の強さＥとの比［（ε//）／Ｅ］が最大となる
方向である。いま、座標軸Ｘ3と平行な方向に強さＥの
電界が印加されているとすると、当該電界に平行な方向
の歪み成分とはε3であるから、電界の印加方向におけ
る歪み成分と電界の強さの比（すなわち、電界印加方向
における圧電定数の大きさ）はｄ33である。
【００３２】ここで、任意方向の電界Ｅ*を考えるとと
もに、座標軸Ｘ3´が電界Ｅ*の方向と一致し、元の直交
座標軸［座標系］（Ｘ1，Ｘ2，Ｘ3）と原点を共有する
新たな直交座標軸［座標系］（Ｘ1´，Ｘ2´，Ｘ3´）
を考えると、新たな座標系では、歪みε*、圧電定数
｛ｄij｝及び電界Ｅ*の関係は、新たな座標系において
は、つぎの（２）式のように表わされる。
もに、座標軸Ｘ3´が電界Ｅ*の方向と一致し、元の直交
座標軸［座標系］（Ｘ1，Ｘ2，Ｘ3）と原点を共有する
新たな直交座標軸［座標系］（Ｘ1´，Ｘ2´，Ｘ3´）
を考えると、新たな座標系では、歪みε*、圧電定数
｛ｄij｝及び電界Ｅ*の関係は、新たな座標系において
は、つぎの（２）式のように表わされる。
【００３３】
【数２】
【００３４】ここで、ダッシュ（´）は、新たな座標系
における成分であることを示している。（２）式より、
この座標系では、電界Ｅ*の印加方向における歪み成分
と電界の強さの比（すなわち、圧電定数の大きさ）は、
新たな座標系における圧電定数の対角成分ｄ33´である
ことが分かる。よって、圧電定数が最大となる方向を求
めるためには、座標系を回転させたときの、圧電定数の
対角成分ｄ33の座標変換を考えて最大の対角成分ｄ33´
を求めればよいことになる。
における成分であることを示している。（２）式より、
この座標系では、電界Ｅ*の印加方向における歪み成分
と電界の強さの比（すなわち、圧電定数の大きさ）は、
新たな座標系における圧電定数の対角成分ｄ33´である
ことが分かる。よって、圧電定数が最大となる方向を求
めるためには、座標系を回転させたときの、圧電定数の
対角成分ｄ33の座標変換を考えて最大の対角成分ｄ33´
を求めればよいことになる。
【００３５】新しい座標系における圧電定数ｄ＝｛ｄij
´｝は、変換行列Ａ＝｛Ａij｝及びＮ＝｛Ｎij｝を用い
て元の座標系における圧電定数ｄ＝｛ｄij｝を一次変換
することにより求まる。すなわち、その変換式は、つぎ
の（３）式で表わされる。ここで、右肩の添字ｔは転置
行列を意味する。
´｝は、変換行列Ａ＝｛Ａij｝及びＮ＝｛Ｎij｝を用い
て元の座標系における圧電定数ｄ＝｛ｄij｝を一次変換
することにより求まる。すなわち、その変換式は、つぎ
の（３）式で表わされる。ここで、右肩の添字ｔは転置
行列を意味する。
【００３６】
【数３】
【００３７】また、変換行列Ａ＝｛Ａij｝およびＮ＝
｛Ｎij｝は、次の行列（４）、（５）で定義される。こ
こで、｛ｅ1，ｅ2，ｅ3｝は元の座標系（Ｘ1，Ｘ2，
Ｘ3）における基底ベクトル、｛ｅ1´，ｅ2´，ｅ3´｝
は新しい座標系（Ｘ1，Ｘ2，Ｘ3）における基底ベクト
ルであって、例えば、ｅ1・ｅ2´は座標軸Ｘ1と座標軸
Ｘ2´のなす角度の方向余弦を表している。また、行列
（５）で用いられている記号ａijはスティフネス定数を
表している。
｛Ｎij｝は、次の行列（４）、（５）で定義される。こ
こで、｛ｅ1，ｅ2，ｅ3｝は元の座標系（Ｘ1，Ｘ2，
Ｘ3）における基底ベクトル、｛ｅ1´，ｅ2´，ｅ3´｝
は新しい座標系（Ｘ1，Ｘ2，Ｘ3）における基底ベクト
ルであって、例えば、ｅ1・ｅ2´は座標軸Ｘ1と座標軸
Ｘ2´のなす角度の方向余弦を表している。また、行列
（５）で用いられている記号ａijはスティフネス定数を
表している。
【００３８】
【数４】
【００３９】
【数５】
【００４０】この計算を実行して任意の方向における圧
電定数ｄ33´を具体的に求めるためには、圧電定数ｄの
マトリクス成分ｄijの値が必要となる。表１は、定電界
下における菱面体晶ＰＺＴ６０／４０［つまり、Ｐｂ
（Ｚｒ0.6Ｔｉ0.4）］の圧電定数ｄ33，ｄ22，ｄ31，ｄ
15の値を示す（圧電定数の他のマトリクス成分は０であ
るとする）。表２は、定電界下における正方晶ＰＺＴ４
０／６０［つまり、Ｐｂ（Ｚｒ0.4Ｔｉ0.6）Ｏ3］の圧
電定数ｄ33，ｄ31，ｄ15の値を示す（圧電定数の他のマ
トリクス成分は０であるとする）。表１、表２は、M.J.
Haun, E.Furman,S.J.Jang and L.E.Cross: Ferroelectr
ics, 99(1989)63に掲載されているデータを用いて計算
したものである。
電定数ｄ33´を具体的に求めるためには、圧電定数ｄの
マトリクス成分ｄijの値が必要となる。表１は、定電界
下における菱面体晶ＰＺＴ６０／４０［つまり、Ｐｂ
（Ｚｒ0.6Ｔｉ0.4）］の圧電定数ｄ33，ｄ22，ｄ31，ｄ
15の値を示す（圧電定数の他のマトリクス成分は０であ
るとする）。表２は、定電界下における正方晶ＰＺＴ４
０／６０［つまり、Ｐｂ（Ｚｒ0.4Ｔｉ0.6）Ｏ3］の圧
電定数ｄ33，ｄ31，ｄ15の値を示す（圧電定数の他のマ
トリクス成分は０であるとする）。表１、表２は、M.J.
Haun, E.Furman,S.J.Jang and L.E.Cross: Ferroelectr
ics, 99(1989)63に掲載されているデータを用いて計算
したものである。
【００４１】
【表１】
【００４２】
【表２】
【００４３】座標系が３次元空間で回転すると、回転し
た新たな座標系（Ｘ1´，Ｘ2´，Ｘ3´）における圧電
定数ｄの対角成分ｄ33´（以下、変換前の座標系と変換
後の座標系を区別するためのダッシュ記号は省略する）
は、上記（３）式と表１又は表２から計算される。
た新たな座標系（Ｘ1´，Ｘ2´，Ｘ3´）における圧電
定数ｄの対角成分ｄ33´（以下、変換前の座標系と変換
後の座標系を区別するためのダッシュ記号は省略する）
は、上記（３）式と表１又は表２から計算される。
【００４４】菱面体晶ＰＺＴ６０／４０に対する結果を
図６（ａ）（ｂ）に示す。図６（ａ）は圧電定数ｄ33の
結晶方向依存性を３次元表示したもの、図６（ｂ）は図
６（ａ）の３次元表示をＹＺ平面でカットした断面であ
る。なお、Ｚ軸は自発分極の方向である［１１１］方
向、Ｘ軸はＰＺＴの鏡面と垂直な方向、Ｙ軸はＺ軸及び
Ｘ軸に垂直な方向であって、座標原点と表示図形上の１
点との間の距離は、対応する方向における圧電定数ｄ33
の値を表わしている。従来の［１１１］方向（図６のＺ
軸）での圧電定数ｄ33は、図６（ａ）の３次元表示とＺ
軸との交点にあたり、ちょうど３次元表示の凹みになっ
ている。これに対し、図６（ｂ）によれば、Ｚ軸から５
６.７゜傾いた方向で圧電定数ｄ33が最大値［＝１８９
×１０-12Ｃ／Ｎ］となっている。この圧電定数ｄ33が
最大になる方向は、厳密には菱面体晶ＰＺＴの［１０
０］方向、［０１０］方向、［００１］方向から２゜ず
れているが、実用上はそれぞれ［１００］配向、［０１
０］配向、［００１］配向と考えて問題ない。
図６（ａ）（ｂ）に示す。図６（ａ）は圧電定数ｄ33の
結晶方向依存性を３次元表示したもの、図６（ｂ）は図
６（ａ）の３次元表示をＹＺ平面でカットした断面であ
る。なお、Ｚ軸は自発分極の方向である［１１１］方
向、Ｘ軸はＰＺＴの鏡面と垂直な方向、Ｙ軸はＺ軸及び
Ｘ軸に垂直な方向であって、座標原点と表示図形上の１
点との間の距離は、対応する方向における圧電定数ｄ33
の値を表わしている。従来の［１１１］方向（図６のＺ
軸）での圧電定数ｄ33は、図６（ａ）の３次元表示とＺ
軸との交点にあたり、ちょうど３次元表示の凹みになっ
ている。これに対し、図６（ｂ）によれば、Ｚ軸から５
６.７゜傾いた方向で圧電定数ｄ33が最大値［＝１８９
×１０-12Ｃ／Ｎ］となっている。この圧電定数ｄ33が
最大になる方向は、厳密には菱面体晶ＰＺＴの［１０
０］方向、［０１０］方向、［００１］方向から２゜ず
れているが、実用上はそれぞれ［１００］配向、［０１
０］配向、［００１］配向と考えて問題ない。
【００４５】正方晶ＰＺＴ４０／６０に対して得られた
結果を図７に示す。図７（ａ）は正方晶ＰＺＴ４０／６
０の圧電定数ｄ33の結晶方向依存性を３次元表示したも
のであり、図７（ｂ）は図７（ａ）の３次元表示を（０
１０）面でカットした断面を示す。正方晶ＰＺＴでは、
Ｚ軸から５１.３゜傾いた［００１］方向で圧電定数ｄ
33が最大値［＝１６２×１０-12Ｃ／Ｎ］となってお
り、菱面体晶の場合の最大値よりも若干小さいものの、
やはり［１１１］方向での圧電定数ｄ33よりも大きな値
となっている。
結果を図７に示す。図７（ａ）は正方晶ＰＺＴ４０／６
０の圧電定数ｄ33の結晶方向依存性を３次元表示したも
のであり、図７（ｂ）は図７（ａ）の３次元表示を（０
１０）面でカットした断面を示す。正方晶ＰＺＴでは、
Ｚ軸から５１.３゜傾いた［００１］方向で圧電定数ｄ
33が最大値［＝１６２×１０-12Ｃ／Ｎ］となってお
り、菱面体晶の場合の最大値よりも若干小さいものの、
やはり［１１１］方向での圧電定数ｄ33よりも大きな値
となっている。
【００４６】従って、大きな圧電定数を有するＰＺＴを
得るためには、菱面体晶の組成比を有するペロブスカイ
ト構造のＰＺＴを、（立方晶ペロブスカイト構造の等価
な方向の）［１００］方向、［０１０］方向または［０
０１］方向が電極面とほぼ垂直となるように配向させれ
ば、従来の３倍近い圧電定数を有する圧電素子が得ら
れ、この圧電素子を各種センサ等に適用することによ
り、その特性を大きく向上させることができる。また、
正方晶の組成比を有するペロブスカイト構造のＰＺＴ
を、（立方晶ペロブスカイト構造の等価な方向の）［０
０１］方向が電極面とほぼ垂直となるように配向させれ
ば、従来の２倍以上の圧電定数を有する圧電素子が得ら
れ、この圧電素子を各種センサ等に適用することによ
り、その特性を大きく向上させることができる。よっ
て、従来にない大きな力のとれる圧電アクチュエータや
感度の高い歪みセンサ等を実現でき、また、歪みを大き
くとれるため、マイクロマシンを用いた超小型センサや
アクチュエータ等に適用できる。
得るためには、菱面体晶の組成比を有するペロブスカイ
ト構造のＰＺＴを、（立方晶ペロブスカイト構造の等価
な方向の）［１００］方向、［０１０］方向または［０
０１］方向が電極面とほぼ垂直となるように配向させれ
ば、従来の３倍近い圧電定数を有する圧電素子が得ら
れ、この圧電素子を各種センサ等に適用することによ
り、その特性を大きく向上させることができる。また、
正方晶の組成比を有するペロブスカイト構造のＰＺＴ
を、（立方晶ペロブスカイト構造の等価な方向の）［０
０１］方向が電極面とほぼ垂直となるように配向させれ
ば、従来の２倍以上の圧電定数を有する圧電素子が得ら
れ、この圧電素子を各種センサ等に適用することによ
り、その特性を大きく向上させることができる。よっ
て、従来にない大きな力のとれる圧電アクチュエータや
感度の高い歪みセンサ等を実現でき、また、歪みを大き
くとれるため、マイクロマシンを用いた超小型センサや
アクチュエータ等に適用できる。
【００４７】（圧電素子の製造方法）次に、上記のよう
なＰＺＴ薄膜を用いた圧電素子の製造方法を図８（ａ）
〜（ｄ）により説明する。まずは、菱面体晶組成のＰＺ
Ｔ薄膜２を用いた圧電素子１を製造する場合について述
べる。図８（ａ）に示すように、Ｓｉ基板のような単結
晶基板（単結晶基板の表面には、ＳｉＯ2のような酸化
膜が形成されていてもよい）６の上に中間金属層として
Ｔｉ膜７を形成する。ここで、単結晶基板６として（１
００）基板、（０１０）基板又は（００１）基板を用い
ることにより、［１０１］方向、［０１０］方向又は
［００１］方向が単結晶基板６の表面と垂直な方向を向
くようにＴｉ膜７がエピタキシャル成長される。
なＰＺＴ薄膜を用いた圧電素子の製造方法を図８（ａ）
〜（ｄ）により説明する。まずは、菱面体晶組成のＰＺ
Ｔ薄膜２を用いた圧電素子１を製造する場合について述
べる。図８（ａ）に示すように、Ｓｉ基板のような単結
晶基板（単結晶基板の表面には、ＳｉＯ2のような酸化
膜が形成されていてもよい）６の上に中間金属層として
Ｔｉ膜７を形成する。ここで、単結晶基板６として（１
００）基板、（０１０）基板又は（００１）基板を用い
ることにより、［１０１］方向、［０１０］方向又は
［００１］方向が単結晶基板６の表面と垂直な方向を向
くようにＴｉ膜７がエピタキシャル成長される。
【００４８】ついで、図８（ｂ）に示すように、このＴ
ｉ膜７の上に下地金属層としてＰｔ膜８を成膜する。こ
のとき、Ｔｉ膜７は［１００］方向、［０１０］方向又
は［００１］方向が膜厚方向を向くように結晶配向して
いるので、その上にエピタキシャル成長させられたＰｔ
膜８も、［１００］方向、［０１０］方向又は［００
１］方向が膜厚方向を向くように結晶配向する。こうし
て、単結晶基板６の上に形成されたＴｉ膜７とＰｔ膜８
とによって下面側の電極３ａが形成される。また、Ｐｔ
膜８を直接単結晶基板６の上に形成せず、中間にＴｉ膜
７を形成しているのは、Ｐｔ膜８と単結晶基板６との密
着性を高めて電極３ａの剥離を防止するためである。
ｉ膜７の上に下地金属層としてＰｔ膜８を成膜する。こ
のとき、Ｔｉ膜７は［１００］方向、［０１０］方向又
は［００１］方向が膜厚方向を向くように結晶配向して
いるので、その上にエピタキシャル成長させられたＰｔ
膜８も、［１００］方向、［０１０］方向又は［００
１］方向が膜厚方向を向くように結晶配向する。こうし
て、単結晶基板６の上に形成されたＴｉ膜７とＰｔ膜８
とによって下面側の電極３ａが形成される。また、Ｐｔ
膜８を直接単結晶基板６の上に形成せず、中間にＴｉ膜
７を形成しているのは、Ｐｔ膜８と単結晶基板６との密
着性を高めて電極３ａの剥離を防止するためである。
【００４９】さらに、このＰｔ膜８の上には、図８
（ｃ）に示すように、菱面体晶組成となるようにＺｒと
Ｔｉの成分組成を制御しながらＰＺＴ薄膜２を形成す
る。
（ｃ）に示すように、菱面体晶組成となるようにＺｒと
Ｔｉの成分組成を制御しながらＰＺＴ薄膜２を形成す
る。
【００５０】このとき、上記圧電素子中のＰＺＴ薄膜２
には、Ｂａ，Ｓｒ，Ｌａ，Ｂｉ，Ｍｇ，Ｗ，Ｎｂ，Ｚｎ
等の添加物のうち少なくとも一種を微量添加することに
より、ＰＺＴの温度による特性ばらつきを抑えることが
でき、圧電素子１の温度特性を安定させることができ
る。また、このＰＺＴ薄膜２の膜厚は、２μｍ以下とす
るのが好ましい。膜厚を２μｍ以下にすれば、マイクロ
マシニング技術で作製される微小なセンサやアクチュエ
ータなどにも用いることができるからである。
には、Ｂａ，Ｓｒ，Ｌａ，Ｂｉ，Ｍｇ，Ｗ，Ｎｂ，Ｚｎ
等の添加物のうち少なくとも一種を微量添加することに
より、ＰＺＴの温度による特性ばらつきを抑えることが
でき、圧電素子１の温度特性を安定させることができ
る。また、このＰＺＴ薄膜２の膜厚は、２μｍ以下とす
るのが好ましい。膜厚を２μｍ以下にすれば、マイクロ
マシニング技術で作製される微小なセンサやアクチュエ
ータなどにも用いることができるからである。
【００５１】こうしてＰｔ膜８の上に形成された菱面体
晶組成の未焼成ＰＺＴ薄膜２はアモルファス構造である
ので、ついで、焼結（アニール）によってＰＺＴ薄膜２
の結晶化を行なう。このとき、焼結方法によってペロブ
スカイト構造と呼ばれる圧電性を示す結晶構造のＰＺＴ
膜２が得られるが、このペロブスカイト構造のＰＺＴ薄
膜２は、ＺｒとＴｉの組成比によって決まる結晶の歪み
を受ける。すなわち、ＺｒとＴｉの組成比が菱面体晶組
成であると、菱面体晶に歪んだぺロブスカイト構造のＰ
ＺＴ薄膜２が得られる。
晶組成の未焼成ＰＺＴ薄膜２はアモルファス構造である
ので、ついで、焼結（アニール）によってＰＺＴ薄膜２
の結晶化を行なう。このとき、焼結方法によってペロブ
スカイト構造と呼ばれる圧電性を示す結晶構造のＰＺＴ
膜２が得られるが、このペロブスカイト構造のＰＺＴ薄
膜２は、ＺｒとＴｉの組成比によって決まる結晶の歪み
を受ける。すなわち、ＺｒとＴｉの組成比が菱面体晶組
成であると、菱面体晶に歪んだぺロブスカイト構造のＰ
ＺＴ薄膜２が得られる。
【００５２】しかも、この焼結時には、ＰＺＴ薄膜２は
下地金属層であるＰｔ膜８の格子によって結晶配向を支
配されるので、Ｐｔ膜８の結晶方位に従って［１００］
方向、［０１０］方向又は［００１］方向が電極３ａと
ほぼ垂直な方向を向くように結晶配向する。
下地金属層であるＰｔ膜８の格子によって結晶配向を支
配されるので、Ｐｔ膜８の結晶方位に従って［１００］
方向、［０１０］方向又は［００１］方向が電極３ａと
ほぼ垂直な方向を向くように結晶配向する。
【００５３】従って、ＰＺＴ薄膜２の形成にあたって
は、ＰＺＴ薄膜２の結晶配向性を支配する下地金属層の
結晶配向を［１００］方向、［０１０］方向又は［００
１］方向にしておくことと、その下地金属層上に形成す
るＰＺＴ薄膜２の組成が菱面体晶となるように組成比を
制御することが重要である。
は、ＰＺＴ薄膜２の結晶配向性を支配する下地金属層の
結晶配向を［１００］方向、［０１０］方向又は［００
１］方向にしておくことと、その下地金属層上に形成す
るＰＺＴ薄膜２の組成が菱面体晶となるように組成比を
制御することが重要である。
【００５４】こうして菱面体晶のＰＺＴ薄膜２を得た
後、図８（ｄ）に示すように、ＰＺＴ薄膜２の上にＰｔ
膜などによって上側の電極３ｂを形成し、圧電素子１の
製造を完了する。
後、図８（ｄ）に示すように、ＰＺＴ薄膜２の上にＰｔ
膜などによって上側の電極３ｂを形成し、圧電素子１の
製造を完了する。
【００５５】なお、ここでは、菱面体晶組成のＰＺＴ薄
膜の場合について説明したが、正方晶組成のＰＺＴ薄膜
を必要とする場合には、中間金属層であるＴｉ膜と下地
金属層であるＰｔ膜の［００１］方向を膜厚方向と垂直
な方向を向くように形成し、Ｐｔ膜の上に形成する未焼
成のＰＺＴ薄膜を正方晶組成となるように制御すればよ
い。
膜の場合について説明したが、正方晶組成のＰＺＴ薄膜
を必要とする場合には、中間金属層であるＴｉ膜と下地
金属層であるＰｔ膜の［００１］方向を膜厚方向と垂直
な方向を向くように形成し、Ｐｔ膜の上に形成する未焼
成のＰＺＴ薄膜を正方晶組成となるように制御すればよ
い。
【００５６】上記圧電素子の製造方法では、従来の圧電
素子の製造工程におけるプロセス条件を変更するだけで
よいので、従来のプロセスをそのまま使用でき、新たな
設備を必要とせず、製造プロセスの変更に対するコスト
が掛からない。従って、圧電アクチュエータや歪みセン
サ等を製造する場合にも、コストパフォーマンスの良い
ものを製造することができる。
素子の製造工程におけるプロセス条件を変更するだけで
よいので、従来のプロセスをそのまま使用でき、新たな
設備を必要とせず、製造プロセスの変更に対するコスト
が掛からない。従って、圧電アクチュエータや歪みセン
サ等を製造する場合にも、コストパフォーマンスの良い
ものを製造することができる。
【００５７】また、上記製造方法では、焼結によりＰＺ
Ｔを結晶配向させる方法について説明したが、これ以外
の製造方法によって本発明の圧電素子を製造することも
できる。例えば、ペロブスカイト構造を有する菱面体晶
組成〔あるいは、正方晶組成〕のＰＺＴのバルク結晶を
製作した後、このバルク結晶を（１００）面、（０１
０）面又は（００１）面〔あるいは、正方晶組成の場合
には、（００１）面〕で切り出し、その切り出した面に
電極を形成するようにしてもよい。あるいは、ＰＺＴ薄
膜を下地結晶又は下地金属層の上にエピタキシャル成長
させるようにしてもよい。
Ｔを結晶配向させる方法について説明したが、これ以外
の製造方法によって本発明の圧電素子を製造することも
できる。例えば、ペロブスカイト構造を有する菱面体晶
組成〔あるいは、正方晶組成〕のＰＺＴのバルク結晶を
製作した後、このバルク結晶を（１００）面、（０１
０）面又は（００１）面〔あるいは、正方晶組成の場合
には、（００１）面〕で切り出し、その切り出した面に
電極を形成するようにしてもよい。あるいは、ＰＺＴ薄
膜を下地結晶又は下地金属層の上にエピタキシャル成長
させるようにしてもよい。
【００５８】（応用例）以下においては、上記圧電素子
を応用した装置を説明する。そこでは［１００］方向を
電極面と垂直な方向に向けた菱面体晶ＰＺＴを用いた場
合を例にとっているが、［０１０］方向や［００１］方
向を電極面と垂直な方向に向けた菱面体晶ＰＺＴや［０
０１］方向を電極面と垂直な方向に向けた正方晶ＰＺＴ
であってもよい。
を応用した装置を説明する。そこでは［１００］方向を
電極面と垂直な方向に向けた菱面体晶ＰＺＴを用いた場
合を例にとっているが、［０１０］方向や［００１］方
向を電極面と垂直な方向に向けた菱面体晶ＰＺＴや［０
０１］方向を電極面と垂直な方向に向けた正方晶ＰＺＴ
であってもよい。
【００５９】（振動センサ）図９は本発明にかかる圧電
素子を利用した振動センサ１１を示す斜視図である。こ
れは、シリコン基板（ウエハ）を加工することにより形
成されたものであって、ウエイト部１２がビーム１３に
よりフレーム１４に片持ち状に支持されている。また、
ビーム１３からウエイト部１２にわたる領域の上面には
圧電素子１が一体に設けられている。
素子を利用した振動センサ１１を示す斜視図である。こ
れは、シリコン基板（ウエハ）を加工することにより形
成されたものであって、ウエイト部１２がビーム１３に
よりフレーム１４に片持ち状に支持されている。また、
ビーム１３からウエイト部１２にわたる領域の上面には
圧電素子１が一体に設けられている。
【００６０】しかして、この振動センサ１１に振動や加
速度が加わると、ウエイト部１２が上下に振動ないし変
位するので、ビーム１３が弾性的に屈曲する。ビーム１
３が弾性的に屈曲すると、それに応じて圧電素子１も機
械的に屈曲させられて圧電素子１の電極３ａ，３ｂ間に
は電荷が発生する。従って、この発生した電荷による電
圧を計測することによってビーム１３の屈曲程度、ひい
ては振動や加速度を計測することができる。ここで、本
発明の圧電素子１を用いると同じ振動や加速度でも、大
きな電圧を発生させることが可能になり、検出感度を向
上させることができる。
速度が加わると、ウエイト部１２が上下に振動ないし変
位するので、ビーム１３が弾性的に屈曲する。ビーム１
３が弾性的に屈曲すると、それに応じて圧電素子１も機
械的に屈曲させられて圧電素子１の電極３ａ，３ｂ間に
は電荷が発生する。従って、この発生した電荷による電
圧を計測することによってビーム１３の屈曲程度、ひい
ては振動や加速度を計測することができる。ここで、本
発明の圧電素子１を用いると同じ振動や加速度でも、大
きな電圧を発生させることが可能になり、検出感度を向
上させることができる。
【００６１】この振動センサ１１の製造プロセスを図１
０（ａ）〜（ｊ）に示す。まず、Ｓｉ基板（ウエハ）１
５を準備し〔図１０（ａ）〕、Ｓｉ基板１５の表裏両面
を熱酸化により酸化させて酸化膜（ＳｉＯ2）１６を形
成する〔図１０（ｂ）〕。ついで、Ｓｉ基板１５の下面
において、酸化膜１６をふっ酸でエッチングしてウエイ
ト部１２及びビーム１３となるＳｉ基板領域を部分的に
露出させ〔図１０（ｃ）〕、酸化膜１６をエッチング用
マスクとしてＳｉ基板１５をエッチングし、ウエイト部
１２及びビーム１３となる領域でＳｉ基板１５の厚みを
薄くする〔図１０（ｄ）〕。
０（ａ）〜（ｊ）に示す。まず、Ｓｉ基板（ウエハ）１
５を準備し〔図１０（ａ）〕、Ｓｉ基板１５の表裏両面
を熱酸化により酸化させて酸化膜（ＳｉＯ2）１６を形
成する〔図１０（ｂ）〕。ついで、Ｓｉ基板１５の下面
において、酸化膜１６をふっ酸でエッチングしてウエイ
ト部１２及びビーム１３となるＳｉ基板領域を部分的に
露出させ〔図１０（ｃ）〕、酸化膜１６をエッチング用
マスクとしてＳｉ基板１５をエッチングし、ウエイト部
１２及びビーム１３となる領域でＳｉ基板１５の厚みを
薄くする〔図１０（ｄ）〕。
【００６２】ついで、Ｓｉ基板１５の厚みを薄くした薄
肉領域１７において、酸化膜１６の上にＴｉ膜（中間金
属層）７を形成し〔図１０（ｅ）〕、さらにＴｉ膜７の
上にＰｔ膜（下地金属層）８を形成して〔図１０
（ｆ）〕下側の電極３ａを作った後、Ｐｔ膜８の上に菱
面体晶組成のＰＺＴ薄膜２を成膜する〔図１０
（ｇ）〕。この後、ＰＺＴ薄膜２を焼結（アニール）す
ることによって、ＰＺＴ薄膜２の［１００］方向を電極
３ａの表面と垂直な方向に結晶配向させる〔図１０
（ｈ）〕。ついで、ＰＺＴ薄膜２の上にＰｔ膜等によっ
て上側の電極３ｂを形成してＳｉ基板１５の上に高性能
の圧電素子１を形成する〔図１０（ｉ）〕。その後、Ｓ
ｉ基板１５及び酸化膜１６をエッチングすることによっ
てＳｉ基板１５のフレーム１４となる部分とウエイト部
１２及びビーム１３となる部分を切り離す開口１８を形
成して振動センサ１１を完成する〔図１０（ｊ）〕。
肉領域１７において、酸化膜１６の上にＴｉ膜（中間金
属層）７を形成し〔図１０（ｅ）〕、さらにＴｉ膜７の
上にＰｔ膜（下地金属層）８を形成して〔図１０
（ｆ）〕下側の電極３ａを作った後、Ｐｔ膜８の上に菱
面体晶組成のＰＺＴ薄膜２を成膜する〔図１０
（ｇ）〕。この後、ＰＺＴ薄膜２を焼結（アニール）す
ることによって、ＰＺＴ薄膜２の［１００］方向を電極
３ａの表面と垂直な方向に結晶配向させる〔図１０
（ｈ）〕。ついで、ＰＺＴ薄膜２の上にＰｔ膜等によっ
て上側の電極３ｂを形成してＳｉ基板１５の上に高性能
の圧電素子１を形成する〔図１０（ｉ）〕。その後、Ｓ
ｉ基板１５及び酸化膜１６をエッチングすることによっ
てＳｉ基板１５のフレーム１４となる部分とウエイト部
１２及びビーム１３となる部分を切り離す開口１８を形
成して振動センサ１１を完成する〔図１０（ｊ）〕。
【００６３】（積層型圧電アクチュエータ）図１１は本
発明にかかる圧電素子を利用した積層型の圧電アクチュ
エータ２１を示す側面図である。この積層型圧電アクチ
ュエータは、ＰＺＴ薄膜２と電極３とを交互に積層した
ものであり、菱面体晶組成のＰＺＴ薄膜２の［１００］
方向が電極３と垂直な方向を向くようにＰＺＴ薄膜２が
結晶配向されている。また、各ＰＺＴ薄膜２の自発分極
Ｐの方向は電極３と垂直な方向から傾いているが、さら
にＰＺＴ薄膜２の分極方向は積層方向に沿って交互に反
転している。電極３は、一層おき毎に＋側端子２２と−
側端子２３に接続されている。
発明にかかる圧電素子を利用した積層型の圧電アクチュ
エータ２１を示す側面図である。この積層型圧電アクチ
ュエータは、ＰＺＴ薄膜２と電極３とを交互に積層した
ものであり、菱面体晶組成のＰＺＴ薄膜２の［１００］
方向が電極３と垂直な方向を向くようにＰＺＴ薄膜２が
結晶配向されている。また、各ＰＺＴ薄膜２の自発分極
Ｐの方向は電極３と垂直な方向から傾いているが、さら
にＰＺＴ薄膜２の分極方向は積層方向に沿って交互に反
転している。電極３は、一層おき毎に＋側端子２２と−
側端子２３に接続されている。
【００６４】このような圧電アクチュエータ２１によれ
ば、電圧を印加したときの伸縮量は各ＰＺＴ薄膜２の伸
縮量の合計となり、しかも、各ＰＺＴ薄膜２の伸縮量が
従来例に比べて大きいので、大きな伸縮量もしくは駆動
力を得ることができる。
ば、電圧を印加したときの伸縮量は各ＰＺＴ薄膜２の伸
縮量の合計となり、しかも、各ＰＺＴ薄膜２の伸縮量が
従来例に比べて大きいので、大きな伸縮量もしくは駆動
力を得ることができる。
【００６５】（光スキャナ）図１２は本発明にかかる圧
電素子を利用した光スキャナ２４を示す斜視図である。
この光スキャナ２４は、図１１に示したような構造の積
層型圧電アクチュエータ２１の先端（駆動端）に弾性板
２５を取り付けたものである。弾性板２５は、Ｓｉ基板
を加工することにより形成されており、駆動部２６から
延出されたトーションバー２７の先に非対称な形状をし
たミラー部２８を設けたものであって、駆動部２６が圧
電アクチュエータ２１に固定されている。
電素子を利用した光スキャナ２４を示す斜視図である。
この光スキャナ２４は、図１１に示したような構造の積
層型圧電アクチュエータ２１の先端（駆動端）に弾性板
２５を取り付けたものである。弾性板２５は、Ｓｉ基板
を加工することにより形成されており、駆動部２６から
延出されたトーションバー２７の先に非対称な形状をし
たミラー部２８を設けたものであって、駆動部２６が圧
電アクチュエータ２１に固定されている。
【００６６】しかして、圧電アクチュエータ２１に交流
電圧を印加すると、圧電アクチュエータ２１が伸縮して
弾性板２５の駆動部２６を振動させる。駆動部２６が微
小振動すると、ミラー部２８が非対称で、その重心がト
ーションバー２７の軸心から偏心しているために、ミラ
ー部２８はトーションバー２７を捩らせることによって
一定の周期で回転する。従って、光源から出射されたレ
ーザー光をミラー部２８に照射すると、ミラー部２８で
反射された光は往復走査されることになる。
電圧を印加すると、圧電アクチュエータ２１が伸縮して
弾性板２５の駆動部２６を振動させる。駆動部２６が微
小振動すると、ミラー部２８が非対称で、その重心がト
ーションバー２７の軸心から偏心しているために、ミラ
ー部２８はトーションバー２７を捩らせることによって
一定の周期で回転する。従って、光源から出射されたレ
ーザー光をミラー部２８に照射すると、ミラー部２８で
反射された光は往復走査されることになる。
【００６７】このような光スキャナ２４において、本発
明にかかる圧電アクチュエータ２１を用いれば弾性板２
５を大きな振幅で振動させることができるので、光の走
査幅を大きくすることができる。
明にかかる圧電アクチュエータ２１を用いれば弾性板２
５を大きな振幅で振動させることができるので、光の走
査幅を大きくすることができる。
【００６８】（歪みセンサ）図１３（ａ）は本発明にか
かる圧電素子を利用した歪みセンサ３１を示す断面図で
ある。歪みセンサ３１は、ＰＺＴ薄膜２の両面に電極３
ａ，３ｂを形成した圧電素子１を歪み検出対象物３２の
上に取り付けたものであり、両電極３ａ，３ｂ間の電圧
をチャージアンプ等の検出器３３で検出できるようにし
ている。
かる圧電素子を利用した歪みセンサ３１を示す断面図で
ある。歪みセンサ３１は、ＰＺＴ薄膜２の両面に電極３
ａ，３ｂを形成した圧電素子１を歪み検出対象物３２の
上に取り付けたものであり、両電極３ａ，３ｂ間の電圧
をチャージアンプ等の検出器３３で検出できるようにし
ている。
【００６９】しかして、図１３（ｂ）に示すように、歪
み検出対象物３２が変形して歪むと、歪み検出対象物３
２とともに圧電素子１が歪み、両電極３ａ，３ｂ間には
歪み量に応じた電荷が発生するので、この電荷量を電極
３ａ，３ｂ間の電圧として検出器３３により計測する。
このような歪みセンサ３１に本発明の圧電素子を利用す
ることにより、感度の高い歪みセンサを製作することが
できる。
み検出対象物３２が変形して歪むと、歪み検出対象物３
２とともに圧電素子１が歪み、両電極３ａ，３ｂ間には
歪み量に応じた電荷が発生するので、この電荷量を電極
３ａ，３ｂ間の電圧として検出器３３により計測する。
このような歪みセンサ３１に本発明の圧電素子を利用す
ることにより、感度の高い歪みセンサを製作することが
できる。
【００７０】（圧電式振動ジャイロ）図１４は本発明に
かかる圧電素子を利用した圧電式振動ジャイロ３４を示
す斜視図である。この振動ジャイロ３４は、熱膨張の少
ないエリンヴァー合金などで作った音叉３５に発振駆動
用の圧電素子１ａを貼り付け、それと直角な面に検出用
の圧電振動子１ｂを貼り付けたものである。このような
振動ジャイロ３４における両圧電素子１ａ，１ｂとして
も本発明の圧電素子を用いることができる。
かかる圧電素子を利用した圧電式振動ジャイロ３４を示
す斜視図である。この振動ジャイロ３４は、熱膨張の少
ないエリンヴァー合金などで作った音叉３５に発振駆動
用の圧電素子１ａを貼り付け、それと直角な面に検出用
の圧電振動子１ｂを貼り付けたものである。このような
振動ジャイロ３４における両圧電素子１ａ，１ｂとして
も本発明の圧電素子を用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】ＰＺＴの組成のうちＺｒ，Ｔｉの２成分におけ
る、ＰＺＴの相図である。
る、ＰＺＴの相図である。
【図２】本発明の第１の実施形態による圧電素子を示す
概略断面図である。
概略断面図である。
【図３】本発明の第２の実施形態による圧電素子を示す
概略断面図である。
概略断面図である。
【図４】菱面体晶系のペロブスカイト構造を有するＰＺ
Ｔの結晶構造を示す図である。
Ｔの結晶構造を示す図である。
【図５】正方晶系のペロブスカイト構造を有するＰＺＴ
の結晶構造を示す図である。
の結晶構造を示す図である。
【図６】（ａ）は菱面体晶ＰＺＴ６０／４０の圧電定数
ｄ33の結晶方向依存性を３次元表示したもの、（ｂ）は
（ａ）の３次元表示をＹＺ平面でカットした断面であ
る。
ｄ33の結晶方向依存性を３次元表示したもの、（ｂ）は
（ａ）の３次元表示をＹＺ平面でカットした断面であ
る。
【図７】（ａ）は正方晶ＰＺＴ４０／６０の圧電定数ｄ
33の結晶方向依存性を３次元表示したもの、（ｂ）は
（ａ）の３次元表示を（０１０）面でカットした断面で
ある。
33の結晶方向依存性を３次元表示したもの、（ｂ）は
（ａ）の３次元表示を（０１０）面でカットした断面で
ある。
【図８】（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）は、本発明にかかる
圧電素子の製造工程を示す断面図である。
圧電素子の製造工程を示す断面図である。
【図９】本発明にかかる圧電素子を利用した振動センサ
を示す斜視図である。
を示す斜視図である。
【図１０】（ａ）〜（ｊ）同上の振動センサの製造プロ
セスを示す断面図である。
セスを示す断面図である。
【図１１】本発明にかかる圧電素子を利用した積層型の
圧電アクチュエータを示す側面図である。
圧電アクチュエータを示す側面図である。
【図１２】本発明にかかる圧電素子を利用した光スキャ
ナを示す斜視図である。
ナを示す斜視図である。
【図１３】（ａ）は本発明にかかる圧電素子を利用した
歪みセンサを示す断面図、（ｂ）は歪みセンサに歪みが
加わった状態を示す断面図である。
歪みセンサを示す断面図、（ｂ）は歪みセンサに歪みが
加わった状態を示す断面図である。
【図１４】本発明にかかる圧電素子を利用した圧電式振
動ジャイロを示す斜視図である。
動ジャイロを示す斜視図である。
１ 圧電素子 ２ 菱面体晶組成のＰＺＴ ３ａ，３ｂ 電極 ４ 圧電素子 ５ 正方晶組成のＰＺＴ
フロントページの続き (72)発明者 川畑 達央 京都府京都市右京区花園土堂町10番地 オ ムロン株式会社内 (72)発明者 後藤 博史 京都府京都市右京区花園土堂町10番地 オ ムロン株式会社内 (72)発明者 松本 幹雄 京都府京都市右京区花園土堂町10番地 オ ムロン株式会社内
Claims (5)
- 【請求項１】 ＰＺＴと電極を備えた圧電素子であっ
て、 前記ＰＺＴは、そこに含まれるＺｒとＴｉが室温におい
て菱面体晶となる組成比のペロブスカイト構造であっ
て、その［１００］方向、［０１０］方向又は［００
１］方向が前記電極面にほぼ垂直となるように結晶配向
していることを特徴とする圧電素子。 - 【請求項２】 ＰＺＴと電極を備えた圧電素子であっ
て、 前記ＰＺＴは、そこに含まれるＺｒとＴｉが室温におい
て正方晶となる組成比のペロブスカイト構造であって、
その［００１］方向が前記電極面にほぼ垂直となるよう
に結晶配向していることを特徴とする圧電素子。 - 【請求項３】 前記ＰＺＴに、Ｂａ，Ｓｒ，Ｌａ，Ｂ
ｉ，Ｍｇ，Ｗ，Ｎｂ，Ｚｎのうち少なくとも一つが添加
されていることを特徴とする、請求項１又は２に記載の
圧電素子。 - 【請求項４】 単結晶基板の上方に（１００）面、（０
１０）面又は（００１）面配向した下地金属層を成膜
し、この下地金属層の上に菱面体晶組成のＰＺＴ膜を形
成した後、このＰＺＴ膜を焼結させることにより、その
［１００］方向、［０１０］方向又は［００１］方向が
下地金属層の表面とほぼ垂直となるように結晶配向させ
ることを特徴とする圧電素子の製造方法。 - 【請求項５】 単結晶基板の上方に（００１）面配向し
た下地金属層を成膜し、この下地金属層の上に正方晶組
成のＰＺＴ膜を形成した後、このＰＺＴ膜を焼結させる
ことにより、その［００１］方向が下地金属層の表面と
ほぼ垂直となるように結晶配向させることを特徴とする
圧電素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4895198A JP3755283B2 (ja) | 1998-02-13 | 1998-02-13 | 圧電素子及びその製造方法、圧電素子を用いた振動センサ、圧電アクチュエータ、光スキャナ、歪みセンサ、圧電式振動ジャイロ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4895198A JP3755283B2 (ja) | 1998-02-13 | 1998-02-13 | 圧電素子及びその製造方法、圧電素子を用いた振動センサ、圧電アクチュエータ、光スキャナ、歪みセンサ、圧電式振動ジャイロ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11233844A true JPH11233844A (ja) | 1999-08-27 |
| JP3755283B2 JP3755283B2 (ja) | 2006-03-15 |
Family
ID=12817591
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4895198A Expired - Fee Related JP3755283B2 (ja) | 1998-02-13 | 1998-02-13 | 圧電素子及びその製造方法、圧電素子を用いた振動センサ、圧電アクチュエータ、光スキャナ、歪みセンサ、圧電式振動ジャイロ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3755283B2 (ja) |
Cited By (14)
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| JP2002299714A (ja) * | 2001-03-30 | 2002-10-11 | Seiko Epson Corp | 圧電体素子及びこれを用いた電気機器 |
| JP2003017767A (ja) * | 2001-07-03 | 2003-01-17 | Sony Corp | 圧電素子 |
| JP2003133604A (ja) * | 2001-10-26 | 2003-05-09 | Seiko Epson Corp | 圧電体薄膜素子およびその製造方法、ならびにこれを用いたインクジェット記録ヘッド及びインクジェットプリンタ |
| WO2004057683A1 (ja) * | 2002-12-19 | 2004-07-08 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | 圧電変換シート |
| JP2005039182A (ja) * | 2003-06-30 | 2005-02-10 | Kyocera Corp | 積層電子部品用基板、積層電子部品およびこれらの製造方法、並びに圧電アクチュエータおよびインクジェット記録ヘッド |
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| JP2006024748A (ja) * | 2004-07-08 | 2006-01-26 | Fujitsu Ltd | 強誘電体キャパシタをもつ半導体装置及びその製造方法 |
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-
1998
- 1998-02-13 JP JP4895198A patent/JP3755283B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3755283B2 (ja) | 2006-03-15 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040629 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050607 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A521 | Request for written amendment filed |
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|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090106 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100106 Year of fee payment: 4 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |