JP2002299250A - 熱処理装置用ヒータの結線方法及び熱処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 一部のヒータエレメントが断線しても、被処
理体を均一に熱処理することができる熱処理装置用ヒー
タの結線方法及び熱処理装置を提供する。 【解決手段】 熱処理装置は、被処理体を収容する反応
室を囲むように設けられた断熱体と、断熱体と反応室と
の間に反応室を囲むように配置された複数のヒータエレ
メントから構成されたヒータとを備えている。そして、
ヒータエレメントの周方向の均等な位置に設けられた所
定数のヒータエレメントを直列に接続した複数の回路が
形成されている。この回路は並列に結線されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、熱処理装置用ヒー
タの結線方法及び熱処理装置に関し、詳しくは、複数の
ヒータエレメントから構成されたヒータにより、被処理
体、例えば、半導体ウエハを熱処理する熱処理装置に用
いられる熱処理装置用ヒータの結線方法及び熱処理装置
に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置の製造工程においては、被処
理体、例えば、半導体ウエハの成膜処理、酸化処理等の
各種の処理を行うために、熱処理装置が用いられてい
る。熱処理装置は、半導体ウエハを収容する反応室を囲
むように、ヒータと断熱体とを有する加熱部材が設けら
れ、ヒータにより反応室を所定の温度に加熱して、半導
体ウエハに各種の処理を行うものである。

【０００３】熱処理装置のヒータには、例えば、複数の
ヒータエレメントから構成されたものが用いられ、各ヒ
ータエレメントは反応室を囲むように配置されている。
このようなヒータエレメントとしては、例えば、すべて
のヒータエレメントを並列に結線したものや、隣接する
所定数のヒータエレメントを直列に接続した複数の回路
を形成し、当該回路を並列に結線して配線構造を単純化
したものが用いられている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、複数の
ヒータエレメントから構成されたヒータでは、一部のヒ
ータエレメントが断線すると、反応室内の一部のみが加
熱されなくなり、反応室内を均一に加熱することができ
なくなってしまう。特に、隣接する所定数のヒータエレ
メントを直列に接続した複数の回路を形成した場合に
は、同じ回路を構成する隣接した複数のヒータエレメン
トも同時に加熱されなくなり、さらに、反応室内を均一
に加熱することができなくなってしまう。このため、一
部のヒータエレメントの断線により、被処理体を均一に
熱処理することができなくなってしまうという問題があ
る。

【０００５】本発明は、上記問題に鑑みてなされたもの
であり、一部のヒータエレメントが断線しても、被処理
体を均一に熱処理することができる熱処理装置用ヒータ
の結線方法及び熱処理装置を提供することを目的とす
る。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明の第１の観点にかかる熱処理装置用ヒータ
の結線方法は、被処理体を収容する反応室を覆うように
設けられた断熱体と、前記断熱体と前記反応室との間に
該反応室を囲むように設けられた複数のヒータエレメン
トから構成されたヒータとを備え、前記反応室内を加熱
して、該反応室に収容された被処理体を熱処理する熱処
理装置に用いられる熱処理装置用ヒータの結線方法であ
って、前記ヒータエレメントの周方向の均等な位置に設
けられた所定数のヒータエレメントを直列に接続した複
数の回路を形成し、当該回路を並列に結線する、ことを
特徴とする。

【０００７】この構成によれば、ヒータエレメントの周
方向の均等な位置に設けられた所定数のヒータエレメン
トを直列に接続した複数の回路が形成されている。そし
て、当該回路が並列に結線されている。このため、一部
のヒータエレメントが断線すると、断線したヒータエレ
メントが含まれる回路を構成するヒータエレメントが加
熱されなくなる。この加熱されないヒータエレメント
は、その周方向の均等な位置に設けられているので、こ
れらのヒータエレメントが加熱しなくても、反応室内が
ほぼ均一に加熱される。したがって、一部のヒータエレ
メントが断線しても、被処理体が均一に熱処理される。

【０００８】前記ヒータエレメントの周方向に沿って所
定数おきに配置されたヒータエレメントを直列に接続し
て複数の回路を形成することが好ましい。ヒータエレメ
ントの周方向に沿って所定数おきに配置されたヒータエ
レメントを直列に接続して複数の回路を形成することに
より、ヒータエレメントの周方向の均等な位置に設けら
れた所定数のヒータエレメントを直列に接続した複数の
回路が形成される。

【０００９】前記回路を複数のグループに分け、各グル
ープの回路を並列に結線することが好ましい。さらに、
前記グループ分けした回路を構成するヒータエレメント
のうち、各グループのヒータエレメントが、その周方向
に沿って所定数おきに配置されるように、複数のグルー
プに分けて結線することが好ましい。このように、回路
を複数のグループに分けて結線することにより、一部の
ヒータエレメントが断線しても、反応室内がさらに均一
に加熱される。このグループは独立して回路に電力を供
給可能に配線することが好ましい。

【００１０】前記ヒータエレメントは、例えば、抵抗発
熱体をセラミック中に封入した加熱部材が用いられる。
そして、前記抵抗発熱体には炭素素材が用いられ、前記
セラミックには石英が用いられる。

【００１１】この発明の第２の観点にかかる熱処理装置
は、被処理体を収容する反応室を囲むように設けられた
断熱体と、前記断熱体と前記反応室との間に該反応室を
囲むように配置された複数のヒータエレメントから構成
されたヒータとを備え、前記反応室内を加熱して、該反
応室に収容された被処理体を熱処理する熱処理装置であ
って、前記ヒータエレメントの周方向の均等な位置に設
けられた所定数のヒータエレメントを直列に接続した複
数の回路が形成され、当該回路は並列に結線されてい
る、ことを特徴とする。

【００１２】この構成によれば、ヒータエレメントの周
方向の均等な位置に設けられた所定数のヒータエレメン
トを直列に接続した複数の回路が形成され、当該回路は
並列に結線されているので、一部のヒータエレメントが
断線しても、反応室内をほぼ均一に加熱でき、被処理体
を均一に熱処理することができる。

【００１３】前記回路は、前記ヒータエレメントの周方
向に沿って所定数おきに配置されたヒータエレメントに
直列に接続されていることが好ましい。この場合、ヒー
タエレメントの周方向の均等な位置に設けられた所定数
のヒータエレメントを直列に接続した複数の回路が形成
される。

【００１４】前記回路は複数のグループに分けられ、各
グループの回路は並列に結線されていることが好まし
い。さらに、前記グループは、各グループのヒータエレ
メントが、その周方向に沿って所定数おきに配置される
ように分けられていることが好ましい。この場合、一部
のヒータエレメントが断線しても、反応室内がさらに均
一に加熱される。前記各グループは、独立して回路に電
力を供給可能に配線されていることが好ましい。

【００１５】前記ヒータエレメントとしては、例えば、
抵抗発熱体をセラミック中に封入した加熱部材がある。
前記抵抗発熱体としては、例えば、炭素素材があり、前
記セラミックとしては、例えば、石英がある。

【００１６】前記被処理体を回転可能な回転機構をさら
に備えることが好ましい。この場合、熱処理中に回転機
構により被処理体を回転させることができ、被処理体を
さらに均一に熱処理することができる。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態にかか
る熱処理装置用ヒータの結線方法及び熱処理装置につい
て、図１に示すバッチ式縦型熱処理装置を用いた場合を
例に説明する。

【００１８】図１に示すように、熱処理装置１は、長手
方向が垂直方向に向けられた略円筒状の反応管２を備え
ている。反応管２は、内管３と、内管３を覆うとともに
内管３と所定の間隔を有するように形成された有天井の
外管４とから構成された二重管構造を有する。内管３及
び外管４は、耐熱材料、例えば、石英により形成されて
いる。

【００１９】外管４の下方には、筒状に形成されたステ
ンレス鋼（ＳＵＳ）からなるマニホールド５が配置され
ている。マニホールド５は、外管４の下端と気密に接続
されている。また、内管３は、マニホールド５の内壁か
ら突出するとともに、マニホールド５と一体に形成され
た支持リング６に支持されている。

【００２０】マニホールド５の下方には蓋体７が配置さ
れ、ボートエレベータ８により蓋体７は上下動可能に構
成されている。そして、ボートエレベータ８により蓋体
７が上昇すると、マニホールド５の下方側が閉鎖され
る。

【００２１】蓋体７には、蓋体７を貫通するとともに、
モータＭにより回転する回転軸９が形成されている。回
転軸９上には、回転可能なターンテーブル１０が形成さ
れている。ターンテーブル１０上には、保温ユニット１
１を介して、例えば、石英からなるウエハボート１２が
載置されている。ウエハボート１２には、被処理体、例
えば、半導体ウエハＷが垂直方向に所定の間隔をおいて
複数枚収容される。そして、モータＭにより回転軸９が
回転することによりターンテーブル１０、保温ユニット
１１を介してウエハボート１２が回転され、ウエハボー
ト１２の回転により半導体ウエハＷが回転される。

【００２２】マニホールド５の側面には、複数の処理ガ
ス導入管１３が挿通されている。なお、図１では処理ガ
ス導入管１３を一つだけ描いている。処理ガス導入管１
３は内管３内を臨むように配設されている。例えば、図
１に示すように、支持リング６より下方（内管３の下
方）のマニホールド５の側面から処理ガス導入管１３が
挿通され、処理ガス導入管１３の先端が内管３（上方）
に向けて曲折りされている。そして、図示しないガス供
給源から供給された処理ガスが処理ガス導入管１３を通
って内管３内に導入される。

【００２３】また、マニホールド５の側面には排気管１
４が接続されている。排気管１４は支持リング６より上
方に接続され、反応管２内の内管３と外管４との間に形
成された空間に連通する。そして、反応管２内の排ガス
が、内管３と外管４との間の空間、排気管１４を通って
熱処理装置１外に排出される。また、排気管１４は、図
示しない真空ポンプ等からなる排気ユニットに接続さ
れ、排気ユニットにより反応管２内の圧力が所定の圧力
に設定される。

【００２４】反応管２の周囲には、反応管２を覆うよう
に、ステンレス鋼（ＳＵＳ）からなる断熱体１５が設け
られている。断熱体１５は、反応管２より大径の有天井
の筒状に形成されている。なお、断熱体１５の内部に
は、図示しない冷媒流路としての冷却水路が設けられ、
冷却水路に冷却水を供給することにより、放熱を防止す
ることができる。

【００２５】反応管２と断熱体１５との間には、ヒータ
としてのヒータエレメント１６が複数個配置されてい
る。図２にヒータエレメント１６の配置例を示す。図２
に示すように、各ヒータエレメント１６は、反応管２を
囲むように配置されている。また、各ヒータエレメント
１６は、反応管２の外周面から一定の間隔を有するよう
に配置されている。さらに、各ヒータエレメント１６
は、反応管２の外周を等配するように配置されている。

【００２６】図３にヒータエレメント１６の概略図を示
す。図３に示すように、ヒータエレメント１６は、抵抗
発熱体１６ａと、封止部材１６ｂとを備えている。抵抗
発熱体１６ａは、例えば、線状で可撓性のある高純度の
カーボンワイヤから構成されている。このカーボンワイ
ヤは、例えば、線径１０μｍ前後のカーボン部材である
カーボンファイバーの複数の束を編み込むことにより形
成される。封止部材１６ｂはセラミックからなり、抵抗
発熱体１６ａを封止する。本実施の形態では、カーボン
ワイヤを、外径が十数ｍｍの透明な石英管の中に封入し
ている。抵抗発熱体１６ａの両端は、電極部材１７に接
続されている。電極部材１７は、その端部が封止部材１
６ｂに封止され、この電極部材１７を介して抵抗発熱体
１６ａが封止部材１６ｂに封入されている。

【００２７】電極部材１７は外部のケーブル１８に接続
されている。図４に、ヒータエレメント１６とケーブル
１８との接続状態を示す。図４に示すように、ヒータエ
レメント１６に接続された電極部材１７は、ケーブル１
８の芯線１８ａに接続されている。電極部材１７と芯線
１８ａとは、例えば、ロウ付けまたは圧着により接続さ
れている。そして、各ヒータエレメント１６に接続され
たケーブル１８が電源１９に接続され、電源１９からケ
ーブル１８、電極部材１７を介して抵抗発熱体１６ａに
電力が供給され、ヒータエレメント１６が加熱される。

【００２８】本実施の形態では、ヒータは、６０個のヒ
ータエレメント１６から構成され、２０個のヒータエレ
メント１６からなる３つのグループに分けられている。
各グループは５つの回路に分けて並列に接続されてい
る。このため、本実施の形態では、１５個の回路が並列
に接続されている。そして、各回路は、４個のヒータエ
レメント１６が直列に接続されている。以下、ヒータエ
レメント１６の結線方法について説明する。図５にヒー
タエレメント１６が熱処理装置１に配置された状態を示
し、図６〜図８に各グループのヒータエレメント１６が
直列に接続された回路図を示す。図６は、第１グループ
のヒータエレメントの回路図を示し、図７は、第２グル
ープのヒータエレメントの回路図を示し、図８は、第３
グループのヒータエレメントの回路図を示している。

【００２９】図６に示すように、第１グループの回路
（１）は、ヒータエレメント（Ｈ−１）、ヒータエレメ
ント（Ｈ−１６）、ヒータエレメント（Ｈ−３１）、ヒ
ータエレメント（Ｈ−４６）が直列に接続されている。
また、第１グループの回路（２）は、ヒータエレメント
（Ｈ−４）、ヒータエレメント（Ｈ−１９）、ヒータエ
レメント（Ｈ−３４）、ヒータエレメント（Ｈ−４９）
が直列に接続されている。このように、各回路を構成す
るヒータエレメントは、ヒータエレメント１６の周方向
に沿って１５個おきに配置された４個のヒータエレメン
ト１６から構成されている。この回路を構成する各ヒー
タエレメントは、図５に示すように、ヒータエレメント
１６が配置された円周上において、９０度の角度を有す
る位置のヒータエレメント１６から構成され、ヒータエ
レメント１６の周方向の均等な位置に設けられた４つの
ヒータエレメント１６から構成されている。第１グルー
プの回路（３）、回路（４）、回路（５）も同様の関係
を有する４つのヒータエレメント１６から構成され、さ
らに、第２グループの回路（１）〜回路（５）、第３グ
ループの回路（１）〜回路（５）も同様の関係を有する
４つのヒータエレメント１６から構成されている。

【００３０】また、図５及び図６に示すように、第１グ
ループのヒータエレメントは、回路（１）のヒータエレ
メント（Ｈ−１）、回路（２）のヒータエレメント（Ｈ
−４）、回路（３）のヒータエレメント（Ｈ−７）のよ
うに、ヒータエレメント１６の周方向に沿って２個おき
に配置された２０個のヒータエレメント１６から構成さ
れている。図５及び図７に示すように、第２グループの
ヒータエレメントは、回路（１）のヒータエレメント
（Ｈ−２）、回路（２）のヒータエレメント（Ｈ−
５）、回路（３）のヒータエレメント（Ｈ−８）のよう
に、ヒータエレメント１６の周方向に沿って２個おきに
配置された２０個のヒータエレメント１６から構成され
ている。図５及び図８に示すように、第３グループのヒ
ータエレメントは、回路（１）のヒータエレメント（Ｈ
−３）、回路（２）のヒータエレメント（Ｈ−６）、回
路（３）のヒータエレメント（Ｈ−９）のように、ヒー
タエレメント１６の周方向に沿って２個おきに配置され
た２０個のヒータエレメント１６から構成されている。
このように、３つにグループ分けした回路を構成するヒ
ータエレメント１６が、ヒータエレメント１６の周方向
に沿って２個おき（均等）に配置されるように、３個の
グループに分けて結線されている。各グループは電源１
９に並列に接続されている場合の他、各グループ毎に独
立して電力を供給可能に配線してもよい。

【００３１】ボートエレベータ８、モータＭ、処理ガス
導入管１３、電源１９には、図示しない制御部が接続さ
れている。制御部は、マイクロプロセッサ、プロセスコ
ントローラ等から構成され、熱処理装置１の各部の温
度、圧力等を測定し、測定データに基づいて、上記各部
に制御信号等を出力して、熱処理装置１の各部を制御す
る。

【００３２】次に、以上のように構成された熱処理装置
１を用いて、半導体ウエハＷの熱処理について説明す
る。

【００３３】まず、ボートエレベータ８により蓋体７が
下げられた状態で、半導体ウエハＷをウエハボート１２
に所定枚数収容する。次に、ボートエレベータ８を上昇
させることにより、半導体ウエハＷを反応管２（内管
３）内にロードする。続いて、ヒータエレメント１６に
より、反応管２内を所定の温度に昇温するとともに、排
気管１４に接続された図示しない排気ユニットにより反
応管２内の圧力を所定の圧力に設定する。

【００３４】ここで、例えば、回路（１）のヒータエレ
メント（Ｈ−１）が断線した場合、、ヒータエレメント
（Ｈ−１）が加熱されなくなるとともに、同じ回路
（１）内のヒータエレメント（Ｈ−１６）、ヒータエレ
メント（Ｈ−３１）、ヒータエレメント（Ｈ−４６）も
加熱されなくなる。この状態を図９に示す。なお、図９
中、ヒータエレメント（Ｈ−１）、ヒータエレメント
（Ｈ−１６）、ヒータエレメント（Ｈ−３１）、ヒータ
エレメント（Ｈ−４６）の位置が分かりやすいように塗
りつぶしてある。

【００３５】図９に示すように、ヒータエレメント（Ｈ
−１）、ヒータエレメント（Ｈ−１６）、ヒータエレメ
ント（Ｈ−３１）、ヒータエレメント（Ｈ−４６）は、
ヒータエレメント１６の周方向の均等な位置に設けられ
ており、これらが加熱されなくとも反応管２内の温度は
ほぼ均一な状態に保つことができる。

【００３６】反応管２が所定の圧力及び温度で安定する
と、処理ガス導入管１３から処理ガスを供給して所定の
熱処理を行う。また、熱処理中はモータＭによりウエハ
ボート１２を回転させる。ここで、熱処理中にウエハボ
ート１２を回転させているので、半導体ウエハＷをさら
に均一に加熱することができ、半導体ウエハＷを均一に
熱処理することができる。そして、所定の熱処理が行わ
れると、処理ガス導入管１３からの処理ガスの供給を停
止する。最後に、反応管２内を所定の温度に降温すると
ともに、反応管２内を常圧に戻し、ウエハボート１２
（半導体ウエハＷ）を反応管２からアンロードする。

【００３７】本発明の効果を確認するため、図９に示す
ように、図６に示した回路（１）に電力を供給しない状
態、すなわち、ヒータエレメント（Ｈ−１）、ヒータエ
レメント（Ｈ−１６）、ヒータエレメント（Ｈ−３
１）、ヒータエレメント（Ｈ−４６）を加熱しない状態
の反応管２内に半導体ウエハＷを収容した後、半導体ウ
エハＷを所定の温度に加熱し、この半導体ウエハＷの温
度を測定した。そして、すべてのヒータエレメント（Ｈ
−１〜Ｈ−６０）が加熱された状態の反応管２内で半導
体ウエハＷを所定の温度に加熱した場合の半導体ウエハ
Ｗの温度と比較した。この結果、両方法により加熱され
た半導体ウエハＷは、ほぼ同じ温度であり、両者の温度
差は１℃未満であった。

【００３８】また、例えば、図６に示した回路（２）に
電力を供給しない状態、すなわち、ヒータエレメント
（Ｈ−４）、ヒータエレメント（Ｈ−１９）、ヒータエ
レメント（Ｈ−３４）、ヒータエレメント（Ｈ−４９）
を加熱しない状態の反応管２内で半導体ウエハＷを所定
の温度に加熱した場合のように、異なる回路が断線した
ことを想定したものについて、同様に、すべてのヒータ
エレメント（Ｈ−１〜Ｈ−６０）が加熱された状態の反
応管２内で半導体ウエハＷを所定の温度に加熱した場合
の半導体ウエハＷの温度と比較した。この結果、半導体
ウエハＷは、ほぼ同じ温度であり、両者の温度差は１℃
未満であった。

【００３９】このため、本発明のヒータの結線方法によ
り結線されているヒータエレメント１６を用いることに
より、すべてのヒータエレメント（Ｈ−１〜Ｈ−６０）
が加熱された場合とほぼ同様に加熱できることを確認し
た。このように、一部のヒータエレメントが断線して
も、半導体ウエハＷを均一に熱処理できることが確認で
きた。

【００４０】さらに、この結果は、半導体ウエハＷを回
転させずに加熱した結果であり、熱処理中に半導体ウエ
ハＷを回転させることにより、さらに両者の温度差を小
さくすることができる。

【００４１】以上説明したように、本実施の形態によれ
ば、ヒータエレメント１６の周方向の均等な位置に設け
られた４個のヒータエレメント１６が直列に接続されて
いるので、一部のヒータエレメントが断線しても反応管
２内の温度はほぼ均一な状態に保つことができる。この
ため、一部のヒータエレメントが断線しても、半導体ウ
エハＷを均一に熱処理することができる。

【００４２】本実施の形態によれば、各回路を構成する
ヒータエレメント１６が、ヒータエレメント１６の周方
向に沿って２個おきに配置されるように、３つのグルー
プに分けて結線しているので、一部のヒータエレメント
が断線しても、半導体ウエハＷをさらに均一に熱処理す
ることができる。

【００４３】本実施の形態によれば、熱処理中にウエハ
ボート１２を回転させているので、半導体ウエハＷをさ
らに均一に加熱することができ、半導体ウエハＷをさら
に均一に熱処理することができる。

【００４４】なお、本発明は、上記の実施の形態に限ら
れず、種々の変形、応用が可能である。以下、本発明に
適用可能な他の実施の形態について説明する。

【００４５】上記実施の形態では、各回路を３つのグル
ープに分けて結線した場合を例に本発明を説明したが、
例えば、各回路をグループ分けせずにすべての回路を並
列に接続してもよい。この場合にも、一部のヒータエレ
メントが断線しても、半導体ウエハＷを均一に熱処理す
ることができる。

【００４６】上記実施の形態では、ヒータが６０個のヒ
ータエレメント１６から構成されている場合を例に本発
明を説明したが、ヒータエレメント１６の数はこれに限
定されるものではなく、例えば、９０個のヒータエレメ
ント１６から構成されていてもよい。このように、ヒー
タエレメント１６が多いほど、本発明の結線方法により
結線された熱処理装置１の反応管２内の温度は均一な状
態に保つことができる。また、グループの数、回路数に
ついても任意の数に分けることが可能である。

【００４７】図１０に示すように、断熱体１５の天井の
下方側に、反応管２と対向するように、面状の第１サブ
ヒータ２０を設けてもよい。この場合、反応管２内の均
一に加熱されにくい反応管２上部を所定の温度に加熱す
ることができ、反応管２内をさらに均一に加熱すること
ができる。このため、被処理体をさらに均一に熱処理す
ることができる。また、断熱体１５の下部にヒータエレ
メント１６より短い第２サブヒータ２１を設けてもよ
い。この場合、反応管２下部を所定の温度に加熱するこ
とができ、被処理体をさらに均一に熱処理することがで
きる。

【００４８】上記実施の形態では、直管構造のヒータエ
レメント１６の場合を例に本発明を説明したが、本発明
はこれに限定されるものではなく、例えば、Ｕ字管であ
ってもよい。

【００４９】上記実施の形態では、ヒータエレメント１
６の抵抗発熱体１６ａがカーボンワイヤから構成されて
いる場合を例に本発明を説明したが、抵抗発熱体１６ａ
はカーボンワイヤ以外の線状で可撓性のある高純度の抵
抗発熱体であってもよい。

【００５０】上記実施の形態では、断熱体１５がステン
レス鋼（ＳＵＳ）から構成されている場合を例に本発明
を説明したが、断熱体１５にアルミナ、シリカ等により
形成してもよく、断熱体１５の内壁をアルミナ、シリカ
等でコーティングしたものであってもよい。また、断熱
体１５の内部に冷却水路が設けられていなくてもよい。

【００５１】上記実施の形態では、排気管１４がマニホ
ールド５の側面に接続されている場合を例に本発明を説
明したが、例えば、排気管１４を反応管２の上部に接続
した、いわゆる上引きの熱処理装置であってもよい。

【００５２】本実施の形態では、熱処理装置として、反
応管２が内管３と外管４とから構成された二重管構造の
バッチ式縦型熱処理装置の場合を例に本発明を説明した
が、本発明はこれに限定されるものではなく、単管構造
の熱処理装置に適用することも可能である。また、被処
理体は半導体ウエハＷに限定されるものではなく、例え
ばＬＣＤ用のガラス基板等にも適用することができる。

【００５３】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
一部のヒータエレメントが断線しても、被処理体を均一
に熱処理することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態の熱処理装置の概略図であ
る。

【図２】本発明の実施の形態のヒータエレメントの配置
を示す模式図である。

【図３】本発明の実施の形態のヒータエレメントの模式
図である。

【図４】本発明の実施の形態のヒータエレメントとケー
ブルとの接続状態を示す模式図である。

【図５】本発明の実施の形態のヒータエレメントの配置
を示す模式図である。

【図６】本発明の実施の形態の第１グループのヒータエ
レメントの回路図である。

【図７】本発明の実施の形態の第２グループのヒータエ
レメントの回路図である。

【図８】本発明の実施の形態の第３グループのヒータエ
レメントの回路図である。

【図９】本発明の実施の形態のヒータエレメントの一部
が断線した状態を示す図ある。

【図１０】他の実施の形態の熱処理装置の概略図であ
る。

【符号の説明】

１ 熱処理装置 ２ 反応管 ３ 内管 ４ 外管 ９ 回転軸 １０ ターンテーブル １５ 断熱体 １６ ヒータエレメント １８ ケーブル Ｈ−１〜Ｈ−６０ ヒータエレメント Ｍ モータ Ｗ 半導体ウエハ

フロントページの続き (72)発明者 滝澤 剛 東京都港区赤坂五丁目３番６号 ＴＢＳ放 送センター 東京エレクトロン株式会社内 (72)発明者 アイクマン 香留樹 東京都港区赤坂五丁目３番６号 ＴＢＳ放 送センター 東京エレクトロン株式会社内 Ｆターム(参考） 3K058 AA45 BA19 CE13 4K061 AA01 BA11 DA05 4K063 AA05 BA12 CA03 FA04 FA05 FA07 5F045 AA20 AB32 AF03 AF07 BB20 DP19 EK08 EK09

Claims (15)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】被処理体を収容する反応室を覆うように設
   けられた断熱体と、 前記断熱体と前記反応室との間に該反応室を囲むように
   設けられた複数のヒータエレメントから構成されたヒー
   タとを備え、 前記反応室内を加熱して、該反応室に収容された被処理
   体を熱処理する熱処理装置に用いられる熱処理装置用ヒ
   ータの結線方法であって、 前記ヒータエレメントの周方向の均等な位置に設けられ
   た所定数のヒータエレメントを直列に接続した複数の回
   路を形成し、当該回路を並列に結線する、ことを特徴と
   する熱処理装置用ヒータの結線方法。
2. 【請求項２】前記ヒータエレメントの周方向に沿って所
   定数おきに配置されたヒータエレメントを直列に接続し
   て複数の回路を形成する、ことを特徴とする請求項１に
   記載の熱処理装置用ヒータの結線方法。
3. 【請求項３】前記回路を複数のグループに分け、各グル
   ープの回路を並列に結線する、ことを特徴とする請求項
   １または２に記載の熱処理装置用ヒータの結線方法。
4. 【請求項４】前記グループ分けした回路を構成するヒー
   タエレメントのうち、各グループのヒータエレメント
   が、その周方向に沿って所定数おきに配置されるよう
   に、複数のグループに分けて結線する、ことを特徴とす
   る請求項３に記載の熱処理装置用ヒータの結線方法。
5. 【請求項５】前記各グループの回路に独立して電力を供
   給可能に配線する、ことを特徴とする請求項３または４
   に記載の熱処理装置用ヒータの結線方法。
6. 【請求項６】前記ヒータエレメントに抵抗発熱体をセラ
   ミック中に封入した加熱部材を用いる、ことを特徴とす
   る請求項１乃至５のいずれか１項に記載の熱処理装置用
   ヒータの結線方法。
7. 【請求項７】前記抵抗発熱体に炭素素材を用い、前記セ
   ラミックに石英を用いる、ことを特徴とする請求項６に
   記載の熱処理装置用ヒータの結線方法。
8. 【請求項８】被処理体を収容する反応室を囲むように設
   けられた断熱体と、 前記断熱体と前記反応室との間に該反応室を囲むように
   配置された複数のヒータエレメントから構成されたヒー
   タとを備え、 前記反応室内を加熱して、該反応室に収容された被処理
   体を熱処理する熱処理装置であって、 前記ヒータエレメントの周方向の均等な位置に設けられ
   た所定数のヒータエレメントを直列に接続した複数の回
   路が形成され、当該回路は並列に結線されている、こと
   を特徴とする熱処理装置。
9. 【請求項９】前記回路は、前記ヒータエレメントの周方
   向に沿って所定数おきに配置されたヒータエレメントに
   直列に接続されている、ことを特徴とする請求項８に記
   載の熱処理装置。
10. 【請求項１０】前記回路は複数のグループに分けられ、
    各グループの回路は並列に結線されている、ことを特徴
    とする請求項８または９に記載の熱処理装置。
11. 【請求項１１】前記グループは、各グループのヒータエ
    レメントが、その周方向に沿って所定数おきに配置され
    るように分けられている、ことを特徴とする請求項１０
    に記載の熱処理装置。
12. 【請求項１２】前記各グループは、独立して回路に電力
    を供給可能に配線されている、ことを特徴とする請求項
    １０または１１に記載の熱処理装置。
13. 【請求項１３】前記ヒータエレメントは、抵抗発熱体を
    セラミック中に封入した加熱部材である、ことを特徴と
    する請求項８乃至１２のいずれか１項に記載の熱処理装
    置。
14. 【請求項１４】前記抵抗発熱体は炭素素材であり、前記
    セラミックは石英である、ことを特徴とする請求項１３
    に記載の熱処理装置。
15. 【請求項１５】前記被処理体を回転可能な回転機構をさ
    らに備える、ことを特徴とする請求項８乃至１４のいず
    れか１項に記載の熱処理装置。