JP2002298665A - 透明導電膜の製造方法、透明導電膜及びこれを用いた光学フィルム - Google Patents
透明導電膜の製造方法、透明導電膜及びこれを用いた光学フィルムInfo
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- JP2002298665A JP2002298665A JP2001094653A JP2001094653A JP2002298665A JP 2002298665 A JP2002298665 A JP 2002298665A JP 2001094653 A JP2001094653 A JP 2001094653A JP 2001094653 A JP2001094653 A JP 2001094653A JP 2002298665 A JP2002298665 A JP 2002298665A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 帯電防止性、電磁波遮蔽性、反射防止性に加
えて生産性にも優れた透明導電膜の製造方法、透明導電
膜及びこれを用いた光学フィルムを提供すること。 【解決手段】 平均粒径が２０ｎｍ未満の範囲にある金
属微粒子Ａを含み、かつ平均粒径が２０ｎｍ以上５０ｎ
ｍ以下の範囲にある金属微粒子Ｂを含む透明導電膜形成
用塗布液を調製する工程の後に、該透明導電膜形成用塗
布液を塗設する工程を含むことを特徴とする透明導電膜
の製造方法。
えて生産性にも優れた透明導電膜の製造方法、透明導電
膜及びこれを用いた光学フィルムを提供すること。 【解決手段】 平均粒径が２０ｎｍ未満の範囲にある金
属微粒子Ａを含み、かつ平均粒径が２０ｎｍ以上５０ｎ
ｍ以下の範囲にある金属微粒子Ｂを含む透明導電膜形成
用塗布液を調製する工程の後に、該透明導電膜形成用塗
布液を塗設する工程を含むことを特徴とする透明導電膜
の製造方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、優れた電磁波遮蔽
効果及び反射防止効果を有する透明導電膜の製造方法、
透明導電膜及びこれを用いた光学フィルムに関する。
効果及び反射防止効果を有する透明導電膜の製造方法、
透明導電膜及びこれを用いた光学フィルムに関する。
【０００２】
【発明の技術的背景】ＴＶブラウン管やコンピュータデ
ィスプレイとして用いられている陰極線管やプラズマデ
ィスプレー等は、フェースパネル面に発生する静電気に
より埃が付着して視認性が低下する他、電磁波を輻射し
て周囲に悪影響を及ぼすなどの問題点を有している。ま
た陰極線管のフラット化等により、反射防止機能が必要
となっている。
ィスプレイとして用いられている陰極線管やプラズマデ
ィスプレー等は、フェースパネル面に発生する静電気に
より埃が付着して視認性が低下する他、電磁波を輻射し
て周囲に悪影響を及ぼすなどの問題点を有している。ま
た陰極線管のフラット化等により、反射防止機能が必要
となっている。
【０００３】帯電防止、電磁波遮蔽および反射防止を目
的として、金属あるいはＩＴＯ等の導電性金属酸化物を
蒸着・スパッタ等で導電性層をフェースパネル面に直接
形成させる方法が提案されているが、膜形成には真空処
理や高温処理が必要であり、製造費が高価になったり、
生産性に問題があった。
的として、金属あるいはＩＴＯ等の導電性金属酸化物を
蒸着・スパッタ等で導電性層をフェースパネル面に直接
形成させる方法が提案されているが、膜形成には真空処
理や高温処理が必要であり、製造費が高価になったり、
生産性に問題があった。
【０００４】導電性をあげるため金属微粒子からなる透
明導電膜が提案されるようになってきているが（特開平
８−７７８３２）、透明基材の上に金属微粒子を塗布し
ただけでは導電性が必ずしも十分ではない。しかも、機
械強度が弱いという問題もある。
明導電膜が提案されるようになってきているが（特開平
８−７７８３２）、透明基材の上に金属微粒子を塗布し
ただけでは導電性が必ずしも十分ではない。しかも、機
械強度が弱いという問題もある。
【０００５】また、ガラスフェースパネルに銀微粒子を
直接スピンコート法により塗布し、１５０℃近辺で焼結
反応を起こすことによる導電性の改良（特開平１０−６
６８６１）や金属コロイドを含んだ塗布液を凝集後、焼
結させる方法（特開平１０−１１−１２３）などが提案
されているが、導電性が不十分であると共に、耐熱性の
あるガラス等の基材にしか適応できず汎用性がない。
直接スピンコート法により塗布し、１５０℃近辺で焼結
反応を起こすことによる導電性の改良（特開平１０−６
６８６１）や金属コロイドを含んだ塗布液を凝集後、焼
結させる方法（特開平１０−１１−１２３）などが提案
されているが、導電性が不十分であると共に、耐熱性の
あるガラス等の基材にしか適応できず汎用性がない。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記の課題
を解決するためになされたものであって、帯電防止性、
電磁波遮蔽性、反射防止性に加えて生産性にも優れた透
明導電膜の製造方法、透明導電膜及びこれを用いた光学
フィルムを提供しようとするものである。
を解決するためになされたものであって、帯電防止性、
電磁波遮蔽性、反射防止性に加えて生産性にも優れた透
明導電膜の製造方法、透明導電膜及びこれを用いた光学
フィルムを提供しようとするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに本発明は、平均粒径が２０ｎｍ未満の金属微粒子Ａ
を含み、かつ平均粒径が２０ｎｍ以上５０ｎｍ以下の範
囲にある金属微粒子Ｂを含む透明導電膜形成用塗布液を
調製する工程の後に、該透明導電膜形成用塗布液を塗設
する工程を含むことを特徴とする透明導電膜の製造方法
により、優れた導電性を有する透明導電膜を得ることが
できる。本発明において、「２０ｎｍ以上５０ｎｍ以
下」は「２０〜５０ｎｍ」とも記載する。
めに本発明は、平均粒径が２０ｎｍ未満の金属微粒子Ａ
を含み、かつ平均粒径が２０ｎｍ以上５０ｎｍ以下の範
囲にある金属微粒子Ｂを含む透明導電膜形成用塗布液を
調製する工程の後に、該透明導電膜形成用塗布液を塗設
する工程を含むことを特徴とする透明導電膜の製造方法
により、優れた導電性を有する透明導電膜を得ることが
できる。本発明において、「２０ｎｍ以上５０ｎｍ以
下」は「２０〜５０ｎｍ」とも記載する。
【０００８】本発明の透明導電膜及び後述の低反射透明
導電膜は、陰極線管やプラズマディスプレー等の表面に
直接塗布しても良いが、好ましくは本発明の透明導電膜
及び低反射透明導電膜を透明基材上に形成させ、ＴＶブ
ラウン管やコンピュータディスプレイとして用いられて
いる陰極線管やプラズマディスプレー等の表面に直接ラ
ミネートすることにより、ＰＶＤ法やＣＶＤ法を用いる
従来の導電性被膜の形成技術やフェースパネル等に直接
導電性皮膜等を塗布する方法に比べ、設備も工程も格段
に簡易化することができる。又、該透明基材上は機械特
性の観点からハードコート層等を設けるのが好ましい。
導電膜は、陰極線管やプラズマディスプレー等の表面に
直接塗布しても良いが、好ましくは本発明の透明導電膜
及び低反射透明導電膜を透明基材上に形成させ、ＴＶブ
ラウン管やコンピュータディスプレイとして用いられて
いる陰極線管やプラズマディスプレー等の表面に直接ラ
ミネートすることにより、ＰＶＤ法やＣＶＤ法を用いる
従来の導電性被膜の形成技術やフェースパネル等に直接
導電性皮膜等を塗布する方法に比べ、設備も工程も格段
に簡易化することができる。又、該透明基材上は機械特
性の観点からハードコート層等を設けるのが好ましい。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を詳し
く説明する。本発明に用いられる透明導電膜形成用塗布
液は、平均粒径が２０ｎｍ未満の金属微粒子Ａを含み、
かつ平均粒径が２０〜５０ｎｍの範囲にある金属微粒子
Ｂを含むことを特徴としている。すなわち、該透明導電
膜形成用塗布液を調製する工程の後に、該透明導電膜形
成用塗布液を塗設する工程を含む透明導電膜の製造方法
により形成された透明導電層は、金属微粒子の粒径が異
なることにより凹凸を有する。平均粒径が２０ｎｍ未満
の範囲にある金属微粒子Ａで形成される凹部は透明性を
向上させる役割を果たし、平均粒径が２０〜５０ｎｍの
範囲にある金属微粒子Ｂで形成される凸部は導電性を向
上させる役割を果たす。又、金属微粒子Ｂは１種のスペ
ーサーの役割を果たし、機械強度を向上することができ
る。
く説明する。本発明に用いられる透明導電膜形成用塗布
液は、平均粒径が２０ｎｍ未満の金属微粒子Ａを含み、
かつ平均粒径が２０〜５０ｎｍの範囲にある金属微粒子
Ｂを含むことを特徴としている。すなわち、該透明導電
膜形成用塗布液を調製する工程の後に、該透明導電膜形
成用塗布液を塗設する工程を含む透明導電膜の製造方法
により形成された透明導電層は、金属微粒子の粒径が異
なることにより凹凸を有する。平均粒径が２０ｎｍ未満
の範囲にある金属微粒子Ａで形成される凹部は透明性を
向上させる役割を果たし、平均粒径が２０〜５０ｎｍの
範囲にある金属微粒子Ｂで形成される凸部は導電性を向
上させる役割を果たす。又、金属微粒子Ｂは１種のスペ
ーサーの役割を果たし、機械強度を向上することができ
る。
【００１０】金属微粒子Ａの平均粒径は、０．５ｎｍ以
上２０ｎｍ未満であることが好ましく、５ｎｍ以上１５
ｎｍ未満であることがより好ましい。一方、金属微粒子
Ｂの平均粒径は、２０ｎｍ以上５０ｎｍ以下であること
が好ましく、３０ｎｍ以上４０ｎｍ以下であることがよ
り好ましい。また、金属微粒子Ａ及びＢの平均粒径の差
は、５〜４０ｎｍ以上であることが好ましく、平均粒径
Ａ及びＢの粒子径分布は単分散に近い方が好ましい。な
お、本発明において平均粒径とは、粒径の数平均をい
う。
上２０ｎｍ未満であることが好ましく、５ｎｍ以上１５
ｎｍ未満であることがより好ましい。一方、金属微粒子
Ｂの平均粒径は、２０ｎｍ以上５０ｎｍ以下であること
が好ましく、３０ｎｍ以上４０ｎｍ以下であることがよ
り好ましい。また、金属微粒子Ａ及びＢの平均粒径の差
は、５〜４０ｎｍ以上であることが好ましく、平均粒径
Ａ及びＢの粒子径分布は単分散に近い方が好ましい。な
お、本発明において平均粒径とは、粒径の数平均をい
う。
【００１１】前記透明導電膜における透明導電層厚は透
明性の観点から、凹部で２０ｎｍ未満、凸部で２０〜５
０ｎｍであることが好ましい。更には、凹部と凸部の膜
厚差（Ｒａ）は５ｎｍ〜４０ｎｍが好ましい。Ｒａが５
ｎｍ未満では透明性と導電性のメリットがなく、４０ｎ
ｍ以上では表面が凹凸になりすぎるためにヘイズが悪化
する。また、凹部が２０ｎｍ以上あると、本発明におい
てＲａを好ましい範囲に調整することが困難となるため
望ましくない。
明性の観点から、凹部で２０ｎｍ未満、凸部で２０〜５
０ｎｍであることが好ましい。更には、凹部と凸部の膜
厚差（Ｒａ）は５ｎｍ〜４０ｎｍが好ましい。Ｒａが５
ｎｍ未満では透明性と導電性のメリットがなく、４０ｎ
ｍ以上では表面が凹凸になりすぎるためにヘイズが悪化
する。また、凹部が２０ｎｍ以上あると、本発明におい
てＲａを好ましい範囲に調整することが困難となるため
望ましくない。
【００１２】透明導電膜形成用塗布液の調製工程に引き
続いて、塗設工程を実施しても良く、これらの工程の間
に他の工程を実施してもよい。塗布液の調製は、バッチ
式でも、連続式でもよい。また、塗布工程の後に他の工
程を実施してもよい。他の工程としては、乾燥工程、熱
処理工程等が挙げられる。
続いて、塗設工程を実施しても良く、これらの工程の間
に他の工程を実施してもよい。塗布液の調製は、バッチ
式でも、連続式でもよい。また、塗布工程の後に他の工
程を実施してもよい。他の工程としては、乾燥工程、熱
処理工程等が挙げられる。
【００１３】すなわち、この透明導電層は、透明導電膜
中の異なる粒径の金属微粒子を複数混合することによ
り、透明導電層の表面に凹凸を形成し、高い透明性と導
電性を有することが可能となる。さらに、透明導電層の
上に低屈折率層を形成させた場合は、凹凸部が屈折率変
化膜に近い挙動を示し優れた低反射性を有する透明導電
膜（以下、「低反射透明導電膜」という。）を形成するこ
とができる。
中の異なる粒径の金属微粒子を複数混合することによ
り、透明導電層の表面に凹凸を形成し、高い透明性と導
電性を有することが可能となる。さらに、透明導電層の
上に低屈折率層を形成させた場合は、凹凸部が屈折率変
化膜に近い挙動を示し優れた低反射性を有する透明導電
膜（以下、「低反射透明導電膜」という。）を形成するこ
とができる。
【００１４】そして、この凹凸部の面積及び構成を制御
することで高い透過率と導電性を有することが可能とな
る。具体的には、凹部、すなわち２０ｎｍ未満の金属微
粒子Ａは３０〜９０重量％の範囲が好ましい。３０重量
％未満では、透明性、低反射性の効果が少なく、９０重
量％より多いと導電性の効果が少ない。
することで高い透過率と導電性を有することが可能とな
る。具体的には、凹部、すなわち２０ｎｍ未満の金属微
粒子Ａは３０〜９０重量％の範囲が好ましい。３０重量
％未満では、透明性、低反射性の効果が少なく、９０重
量％より多いと導電性の効果が少ない。
【００１５】導電性の観点から凸部は連続して(凸部は
それぞれが導電性を示す程度の厚みを持った凹部で連結
して)いるのが好ましく、かつ凝集していないのが好ま
しい。特に好ましいのはメッシュ状や線状に形成される
ことであり、その場合は特に高い透明性及び導電性を有
する。これらの形成方法は、塗布液の状態、塗布方法及
び製造条件を最適化することによりある程度制御するこ
とが可能である。
それぞれが導電性を示す程度の厚みを持った凹部で連結
して)いるのが好ましく、かつ凝集していないのが好ま
しい。特に好ましいのはメッシュ状や線状に形成される
ことであり、その場合は特に高い透明性及び導電性を有
する。これらの形成方法は、塗布液の状態、塗布方法及
び製造条件を最適化することによりある程度制御するこ
とが可能である。
【００１６】透明導電膜形成用塗布液に分散させる金属
微粒子Ａ及び／又はＢは、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、白
金（Ｐｔ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐ
ｂ）、コバルト（Ｃｏ）、ロジウム（Ｒｈ）、ルテニウ
ム（Ｒｕ）、パラジウム（Ｐｄ）及び錫（Ｓｎ）よりな
る群から選ばれた金属及び／又はこの群から選ばれた２
種以上の金属よりなる合金であることが好ましい。
微粒子Ａ及び／又はＢは、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、白
金（Ｐｔ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐ
ｂ）、コバルト（Ｃｏ）、ロジウム（Ｒｈ）、ルテニウ
ム（Ｒｕ）、パラジウム（Ｐｄ）及び錫（Ｓｎ）よりな
る群から選ばれた金属及び／又はこの群から選ばれた２
種以上の金属よりなる合金であることが好ましい。
【００１７】このうち、電気伝導性が良好で、かつ金属
色を有しない銀（Ａｇ）が最も好ましい。ただし、銀の
みでは耐侯性が悪いためパラジウム（Ｐｄ）を組み合わ
せた合金とすることが好ましい。パラジウム（Ｐｄ）の
量を多くし過ぎると導電性が悪化するため、パラジウム
量は全金属微粒子中の１〜６０重量％であることが好ま
しい。
色を有しない銀（Ａｇ）が最も好ましい。ただし、銀の
みでは耐侯性が悪いためパラジウム（Ｐｄ）を組み合わ
せた合金とすることが好ましい。パラジウム（Ｐｄ）の
量を多くし過ぎると導電性が悪化するため、パラジウム
量は全金属微粒子中の１〜６０重量％であることが好ま
しい。
【００１８】本発明の透明導電層の屈折率と異なる屈折
率を有する少なくとも１層の透明薄膜層は、屈折率が
１．６よりも小さいことが好ましい。屈折率が１．６以
上では反射率が大きくなり反射率低下の効果が小さくな
る。屈折率が異なるとは、少なくとも屈折率の差が０．
０１以上異なることを示すが、透明導電層か反射防止層
が吸収を持っているために屈折率が複素数となる場合に
は、その虚数部が０．０１以上異なっている場合も屈折
率が異なるとみなすことができる。ここで、屈折率と反
射防止層の厚み（ｎｍ）との積が１００〜２００の範囲
に入ることがさらに好ましい。屈折率が１．６以下の物
質としては、例えばポリエステル樹脂、アクリル樹脂、
エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリ
ビニルブチラール樹脂、紫外線硬化樹脂などの有機系合
成樹脂、ケイ素などの金属アルコキシドの加水分解物、
またはシリコーンモノマー、シリコーンオリゴマーなど
の有機・無機系化合物等を挙げることができる。特に好
ましくは、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリ
レートやジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリ
レート等の放射線硬化性樹脂あるいはこれらに微粒子の
シリカやアルミナ等を添加したものが表面硬度も上げる
ことで好ましい。透明薄膜層厚は５０〜２００ｎｍが好
ましく、特に反射率低下に効果がある厚みに設定するこ
とが好ましい。
率を有する少なくとも１層の透明薄膜層は、屈折率が
１．６よりも小さいことが好ましい。屈折率が１．６以
上では反射率が大きくなり反射率低下の効果が小さくな
る。屈折率が異なるとは、少なくとも屈折率の差が０．
０１以上異なることを示すが、透明導電層か反射防止層
が吸収を持っているために屈折率が複素数となる場合に
は、その虚数部が０．０１以上異なっている場合も屈折
率が異なるとみなすことができる。ここで、屈折率と反
射防止層の厚み（ｎｍ）との積が１００〜２００の範囲
に入ることがさらに好ましい。屈折率が１．６以下の物
質としては、例えばポリエステル樹脂、アクリル樹脂、
エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリ
ビニルブチラール樹脂、紫外線硬化樹脂などの有機系合
成樹脂、ケイ素などの金属アルコキシドの加水分解物、
またはシリコーンモノマー、シリコーンオリゴマーなど
の有機・無機系化合物等を挙げることができる。特に好
ましくは、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリ
レートやジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリ
レート等の放射線硬化性樹脂あるいはこれらに微粒子の
シリカやアルミナ等を添加したものが表面硬度も上げる
ことで好ましい。透明薄膜層厚は５０〜２００ｎｍが好
ましく、特に反射率低下に効果がある厚みに設定するこ
とが好ましい。
【００１９】最外層の透明薄膜層には、公知のフッ素を
含有する低表面エネルギーの化合物を添加することによ
り防汚性を付与することができる。具体的にはフッ化炭
化水素基を含有するシリコン化合物、フッ化炭化水素基
含有ポリマー等の添加が挙げられる。
含有する低表面エネルギーの化合物を添加することによ
り防汚性を付与することができる。具体的にはフッ化炭
化水素基を含有するシリコン化合物、フッ化炭化水素基
含有ポリマー等の添加が挙げられる。
【００２０】本発明の透明導電膜形成用塗布液の塗設
は、ディッピング法、スピナー法、スプレー法、ロール
コーター法、ワイヤーバー法等の公知の薄膜塗布方法で
塗布した後、乾燥することにより、塗設することができ
る。
は、ディッピング法、スピナー法、スプレー法、ロール
コーター法、ワイヤーバー法等の公知の薄膜塗布方法で
塗布した後、乾燥することにより、塗設することができ
る。
【００２１】本発明の透明導電膜又は低反射透明導電膜
は、陰極線管やプラズマディスプレー等の表面に直接塗
布しても良いが、好ましくは本発明の透明導電膜又は低
反射透明導電膜を透明基材上に形成させ、陰極線管やプ
ラズマディスプレー等の表面に直接ラミネートすること
が設備も工程も格段に簡易化することができ好ましい。
は、陰極線管やプラズマディスプレー等の表面に直接塗
布しても良いが、好ましくは本発明の透明導電膜又は低
反射透明導電膜を透明基材上に形成させ、陰極線管やプ
ラズマディスプレー等の表面に直接ラミネートすること
が設備も工程も格段に簡易化することができ好ましい。
【００２２】上記透明基材としては、フィルム状の透明
プラスチックフィルムのものが使用でき、ポリエチレン
テレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエ
ステル、ポリカーボネート、ノルボルネン系樹脂（環状
オレフィン共重合体）、トリアセチルセルロース、ジア
セチルセルロース等のセルロース樹脂等のフィルムが好
ましい。これらのフィルムの厚みは２０〜５００μｍが
好ましく、薄すぎると膜強度が弱く、厚いとスティフネ
スが大きく貼り付けが困難になり、１００〜２００μｍ
がより好ましい。
プラスチックフィルムのものが使用でき、ポリエチレン
テレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエ
ステル、ポリカーボネート、ノルボルネン系樹脂（環状
オレフィン共重合体）、トリアセチルセルロース、ジア
セチルセルロース等のセルロース樹脂等のフィルムが好
ましい。これらのフィルムの厚みは２０〜５００μｍが
好ましく、薄すぎると膜強度が弱く、厚いとスティフネ
スが大きく貼り付けが困難になり、１００〜２００μｍ
がより好ましい。
【００２３】又、機械特性の観点から上記透明基材上に
ハードコート層を設けることが好ましい。該ハードコー
ト層には公知の硬化性樹脂を用いることができる。代表
的な硬化性樹脂としては、熱硬化性樹脂、放射線硬化型
樹脂等がある。熱硬化性樹脂としてはメラミン樹脂、ウ
レタン樹脂、エポキシ樹脂等のプレポリマーの架橋反応
を利用するものがある。放射線硬化型樹脂の例として
は、多官能モノマーが挙げられ、例としては、ペンタエ
リスリトールテトラ（メタ）アクリレートやジペンタエ
リスリトールヘキサ（メタ）アクリレート等に代表され
る放射線特に紫外線硬化性化合物が好ましい。これらの
化合物中には必要に応じて重合開始剤を添加することが
できる。
ハードコート層を設けることが好ましい。該ハードコー
ト層には公知の硬化性樹脂を用いることができる。代表
的な硬化性樹脂としては、熱硬化性樹脂、放射線硬化型
樹脂等がある。熱硬化性樹脂としてはメラミン樹脂、ウ
レタン樹脂、エポキシ樹脂等のプレポリマーの架橋反応
を利用するものがある。放射線硬化型樹脂の例として
は、多官能モノマーが挙げられ、例としては、ペンタエ
リスリトールテトラ（メタ）アクリレートやジペンタエ
リスリトールヘキサ（メタ）アクリレート等に代表され
る放射線特に紫外線硬化性化合物が好ましい。これらの
化合物中には必要に応じて重合開始剤を添加することが
できる。
【００２４】また、ハードコート層中には硬度をアップ
させるため、充填剤として、シリカ、アルミナ、ジルコ
ニア等の酸化物の微粒子やコロイダル粒子を添加するこ
とできる。これらの微粒子の粒子サイズは１〜１００ｎ
ｍが好ましい。微粒子の添加量は硬化性樹脂の５０体積
％以下が好ましい。５０体積％以上では膜が脆くなり、
少なすぎると添加した効果が得られない。ハードコート
層の層厚は２〜６０μｍが好ましく、４〜１０μｍが特
に好ましい。さらに必要に応じて、アニオン界面活性
剤、カチオン界面活性剤を添加したり、コロナ処理、グ
ロー処理等の表面処理を行い、ハードコート層の表面の
親水性、密着性を向上させることができる。
させるため、充填剤として、シリカ、アルミナ、ジルコ
ニア等の酸化物の微粒子やコロイダル粒子を添加するこ
とできる。これらの微粒子の粒子サイズは１〜１００ｎ
ｍが好ましい。微粒子の添加量は硬化性樹脂の５０体積
％以下が好ましい。５０体積％以上では膜が脆くなり、
少なすぎると添加した効果が得られない。ハードコート
層の層厚は２〜６０μｍが好ましく、４〜１０μｍが特
に好ましい。さらに必要に応じて、アニオン界面活性
剤、カチオン界面活性剤を添加したり、コロナ処理、グ
ロー処理等の表面処理を行い、ハードコート層の表面の
親水性、密着性を向上させることができる。
【００２５】金属微粒子層の形成は、金属微粒子を水を
主体とする溶液あるいは有機溶剤等に分散した塗料を調
製し、これを塗設して作製する。金属微粒子の分散安定
化のためには水を主体とする溶液が好ましく、水と混合
する溶剤としてはエチルアルコール、ｎ−プロピルアル
コール、ｉ−プロピルアルコール、ブチルアルコール、
メチルセロソルブ、ブチルセロソルブ等のアルコールま
たはアルコール系溶剤が好ましい。金属の塗布量として
は、５０〜１５０ｍｇ／ｍ２が好ましく、塗布量が少な
いと導電性が低く、塗布量が多いと透過性が劣る。
主体とする溶液あるいは有機溶剤等に分散した塗料を調
製し、これを塗設して作製する。金属微粒子の分散安定
化のためには水を主体とする溶液が好ましく、水と混合
する溶剤としてはエチルアルコール、ｎ−プロピルアル
コール、ｉ−プロピルアルコール、ブチルアルコール、
メチルセロソルブ、ブチルセロソルブ等のアルコールま
たはアルコール系溶剤が好ましい。金属の塗布量として
は、５０〜１５０ｍｇ／ｍ２が好ましく、塗布量が少な
いと導電性が低く、塗布量が多いと透過性が劣る。
【００２６】
【実施例】以下、実施例によって本発明を更に具体的に
説明する。 塗料の調製： ハードコート層塗布液の調製： （シリカ微粒子の表面処理）平均粒径が１５ｎｍのシリ
カ微粒子の４０重量％メタノール分散液２００ｇを、撹
拌装置、温度計および還流冷却管を装着した５００ｍｌ
のガラス製三口フラスコに入れた。ここに２Ｎ塩酸０．
２ｇを加え、窒素気流下で６０℃に昇温した後、３−メ
タクリロイルオキシプロピルトリメトキシシラン１０ｇ
を添加し、４時間撹拌を続け、シリカ微粒子を表面処理
した。
説明する。 塗料の調製： ハードコート層塗布液の調製： （シリカ微粒子の表面処理）平均粒径が１５ｎｍのシリ
カ微粒子の４０重量％メタノール分散液２００ｇを、撹
拌装置、温度計および還流冷却管を装着した５００ｍｌ
のガラス製三口フラスコに入れた。ここに２Ｎ塩酸０．
２ｇを加え、窒素気流下で６０℃に昇温した後、３−メ
タクリロイルオキシプロピルトリメトキシシラン１０ｇ
を添加し、４時間撹拌を続け、シリカ微粒子を表面処理
した。
【００２７】（ハードコート層用塗布液の調製）表面処
理したシリカ微粒子の４３重量％メタノール分散液１１
６ｇに、メタノール９７ｇ、イソプロパノール１６３ｇ
および酢酸ブチル１６３ｇを加えた。混合液に、ジペン
タエリスリトールペンタアクリレートとジペンタエリス
リトールヘキサアクリレートの混合物（ＤＰＨＡ、日本
化薬（株）製）２００ｇを加えて溶解した。得られた溶
液に、光重合開始剤（イルガキュア９０７、チバガイギ
ー社製）７．５ｇおよび光増感剤（カヤキュアーＤＥＴ
Ｘ、日本化薬（株）製）５．０ｇを加えて溶解した。混
合物を３０分間撹拌した後、孔径１μｍのポリプロピレ
ン製フィルターで濾過してハードコート層用塗布液を調
製した。
理したシリカ微粒子の４３重量％メタノール分散液１１
６ｇに、メタノール９７ｇ、イソプロパノール１６３ｇ
および酢酸ブチル１６３ｇを加えた。混合液に、ジペン
タエリスリトールペンタアクリレートとジペンタエリス
リトールヘキサアクリレートの混合物（ＤＰＨＡ、日本
化薬（株）製）２００ｇを加えて溶解した。得られた溶
液に、光重合開始剤（イルガキュア９０７、チバガイギ
ー社製）７．５ｇおよび光増感剤（カヤキュアーＤＥＴ
Ｘ、日本化薬（株）製）５．０ｇを加えて溶解した。混
合物を３０分間撹拌した後、孔径１μｍのポリプロピレ
ン製フィルターで濾過してハードコート層用塗布液を調
製した。
【００２８】コロイド塗布液の調製：（銀パラジウム
コロイド分散液の調製） ・銀パラジウムコロイド分散液Ａ ３０％硫酸鉄（ＩＩ）ＦｅＳＯ４・７Ｈ２Ｏ、４０％の
クエン酸を調製、混合し、２０℃に保持、攪拌しながら
これに１０％の硝酸銀と硝酸パラジウム（モル比９／１
に混合したもの）溶液を２００ｍｌ／ｍｉｎの速度で添
加混合し、その後生成した遠心分離により水洗を繰り返
し、最終的に３重量％になるように純水を加え、銀パラ
ジウムコロイド分散液Ａを調製した。得られた銀パラジ
ウムコロイド粒子はＴＥＭ観察の結果、平均粒径が約１
１ｎｍであった。ＩＣＰによる測定の結果、銀とパラジ
ウムの比は９／１の仕込み比と同一であった。 ・銀パラジウムコロイド分散液Ｂ 攪拌温度を４０℃に保持する以外は上記銀パラジウムコ
ロイド分散液Ａと同様に銀パラジウムコロイド分散液Ｂ
を調製した。得られた銀パラジウムコロイド粒子はＴＥ
Ｍ観察の結果、平均粒径が約３８ｎｍであった。
コロイド分散液の調製） ・銀パラジウムコロイド分散液Ａ ３０％硫酸鉄（ＩＩ）ＦｅＳＯ４・７Ｈ２Ｏ、４０％の
クエン酸を調製、混合し、２０℃に保持、攪拌しながら
これに１０％の硝酸銀と硝酸パラジウム（モル比９／１
に混合したもの）溶液を２００ｍｌ／ｍｉｎの速度で添
加混合し、その後生成した遠心分離により水洗を繰り返
し、最終的に３重量％になるように純水を加え、銀パラ
ジウムコロイド分散液Ａを調製した。得られた銀パラジ
ウムコロイド粒子はＴＥＭ観察の結果、平均粒径が約１
１ｎｍであった。ＩＣＰによる測定の結果、銀とパラジ
ウムの比は９／１の仕込み比と同一であった。 ・銀パラジウムコロイド分散液Ｂ 攪拌温度を４０℃に保持する以外は上記銀パラジウムコ
ロイド分散液Ａと同様に銀パラジウムコロイド分散液Ｂ
を調製した。得られた銀パラジウムコロイド粒子はＴＥ
Ｍ観察の結果、平均粒径が約３８ｎｍであった。
【００２９】（銀コロイド分散液の調製） ・銀コロイド分散液Ａ ３０％硫酸鉄（ＩＩ）ＦｅＳＯ４・７Ｈ２Ｏ、４０％の
クエン酸を調製、混合し、２０℃に保持、攪拌しながら
これに１０％の硝酸銀溶液を２００ｍｌ／ｍｉｎの速度
で添加混合し、その後生成した遠心分離により水洗を繰
り返し、最終的に３重量％になるように純水を加え、銀
コロイド分散液Ａを調製した。得られた銀コロイド粒子
はＴＥＭ観察の結果、平均粒径が約１１ｎｍであった。 ・銀コロイド分散液Ｂ 攪拌温度を４０℃に保持する以外は上記銀コロイド分散
液Ａと同様に銀コロイド分散液Ｂを調製した。得られた
銀コロイド粒子はＴＥＭ観察の結果、平均粒径が約３８
ｎｍであった。
クエン酸を調製、混合し、２０℃に保持、攪拌しながら
これに１０％の硝酸銀溶液を２００ｍｌ／ｍｉｎの速度
で添加混合し、その後生成した遠心分離により水洗を繰
り返し、最終的に３重量％になるように純水を加え、銀
コロイド分散液Ａを調製した。得られた銀コロイド粒子
はＴＥＭ観察の結果、平均粒径が約１１ｎｍであった。 ・銀コロイド分散液Ｂ 攪拌温度を４０℃に保持する以外は上記銀コロイド分散
液Ａと同様に銀コロイド分散液Ｂを調製した。得られた
銀コロイド粒子はＴＥＭ観察の結果、平均粒径が約３８
ｎｍであった。
【００３０】（パラジウムコロイド分散液の調製） ・パラジウムコロイド分散液Ａ ３０％硫酸鉄（ＩＩ）ＦｅＳＯ４・７Ｈ２Ｏ、４０％の
クエン酸を調製、混合し、２０℃に保持、攪拌しながら
これに１０％の硝酸パラジウム溶液を２００ｍｌ／ｍｉ
ｎの速度で添加混合し、その後生成した遠心分離により
水洗を繰り返し、最終的に３重量％になるように純水を
加え、パラジウムコロイド分散液Ａを調製した。得られ
たパラジウムコロイド粒子はＴＥＭ観察の結果、平均粒
径が約１１ｎｍであった。 ・パラジウムコロイド分散液Ｂ 攪拌温度を４０℃に保持する以外は上記パラジウムコロ
イド分散液Ａと同様にパラジウムコロイド分散液Ｂを調
製した。得られたパラジウムコロイド粒子はＴＥＭ観察
の結果、平均粒径が約３８ｎｍであった。
クエン酸を調製、混合し、２０℃に保持、攪拌しながら
これに１０％の硝酸パラジウム溶液を２００ｍｌ／ｍｉ
ｎの速度で添加混合し、その後生成した遠心分離により
水洗を繰り返し、最終的に３重量％になるように純水を
加え、パラジウムコロイド分散液Ａを調製した。得られ
たパラジウムコロイド粒子はＴＥＭ観察の結果、平均粒
径が約１１ｎｍであった。 ・パラジウムコロイド分散液Ｂ 攪拌温度を４０℃に保持する以外は上記パラジウムコロ
イド分散液Ａと同様にパラジウムコロイド分散液Ｂを調
製した。得られたパラジウムコロイド粒子はＴＥＭ観察
の結果、平均粒径が約３８ｎｍであった。
【００３１】（透明導電膜形成用塗布液の調製）前記で
作成した各種コロイド分散液を用い、透明導電膜形成用
塗布液を下記組成で作成した。溶媒はｉ−プロピルアル
コールを用い、全ての塗布液は金属が１重量％になるよ
うにした。 塗布液（１）銀パラジウム分散液Ａ／銀パラジウム分散
液Ｂ＝７０／３０ 塗布液（２）銀パラジウム分散液Ａ／銀パラジウム分散
液Ｂ＝５０／５０ 塗布液（３）銀パラジウム分散液Ａ／銀パラジウム分散
液Ｂ＝９０／１０ 塗布液（４）銀パラジウム分散液Ａ／銀パラジウム分散
液Ｂ＝３０／７０ 塗布液（５）銀分散液Ａ／銀分散液Ｂ＝７０／３０ 塗布液（６）銀分散液Ａ／パラジウム分散液Ａ／銀分散
液Ｂ＝６０／１０／３０ 塗布液（７）銀分散液Ａ／パラジウム分散液Ｂ＝８０／
２０ 塗布液（８）銀パラジウム分散液Ａ／銀パラジウム分散
液Ｂ＝１０／９０ 塗布液（９）銀パラジウム分散液Ａ＝１００ 塗布液（１０）銀パラジウム分散液Ｂ＝１００ 最後に超音波分散し孔径１μｍのポリプロピレン製フィ
ルターで濾過して塗布液を調製した。
作成した各種コロイド分散液を用い、透明導電膜形成用
塗布液を下記組成で作成した。溶媒はｉ−プロピルアル
コールを用い、全ての塗布液は金属が１重量％になるよ
うにした。 塗布液（１）銀パラジウム分散液Ａ／銀パラジウム分散
液Ｂ＝７０／３０ 塗布液（２）銀パラジウム分散液Ａ／銀パラジウム分散
液Ｂ＝５０／５０ 塗布液（３）銀パラジウム分散液Ａ／銀パラジウム分散
液Ｂ＝９０／１０ 塗布液（４）銀パラジウム分散液Ａ／銀パラジウム分散
液Ｂ＝３０／７０ 塗布液（５）銀分散液Ａ／銀分散液Ｂ＝７０／３０ 塗布液（６）銀分散液Ａ／パラジウム分散液Ａ／銀分散
液Ｂ＝６０／１０／３０ 塗布液（７）銀分散液Ａ／パラジウム分散液Ｂ＝８０／
２０ 塗布液（８）銀パラジウム分散液Ａ／銀パラジウム分散
液Ｂ＝１０／９０ 塗布液（９）銀パラジウム分散液Ａ＝１００ 塗布液（１０）銀パラジウム分散液Ｂ＝１００ 最後に超音波分散し孔径１μｍのポリプロピレン製フィ
ルターで濾過して塗布液を調製した。
【００３２】透明薄膜層用塗布液の調製 ジペンタエリスリトールペンタアクリレートとジペンタ
エリスリトールヘキサアクリレートの混合物（ＤＰＨ
Ａ、日本化薬（株）製）２ｇと光重合開始剤（イルガキ
ュア９０７、チバガイギー社製）８０ｍｇおよび光増感
剤（カヤキュアーＤＥＴＸ、日本化薬（株）製）３０ｍ
ｇをメチルイソプロピルケトン３８ｇ、２−ブタノール
３８ｇ、メタノール１９ｇの混合液に加えて溶解した。
混合物を３０分間撹拌した後、孔径１μｍのポリプロピ
レン製フィルターで濾過して透明薄膜層用塗布液を調製
した。
エリスリトールヘキサアクリレートの混合物（ＤＰＨ
Ａ、日本化薬（株）製）２ｇと光重合開始剤（イルガキ
ュア９０７、チバガイギー社製）８０ｍｇおよび光増感
剤（カヤキュアーＤＥＴＸ、日本化薬（株）製）３０ｍ
ｇをメチルイソプロピルケトン３８ｇ、２−ブタノール
３８ｇ、メタノール１９ｇの混合液に加えて溶解した。
混合物を３０分間撹拌した後、孔径１μｍのポリプロピ
レン製フィルターで濾過して透明薄膜層用塗布液を調製
した。
【００３３】［実施例１］低反射透明導電性積層フィル
ムの作製：１７５μｍのポリエチレンテレフタレートフ
ィルムにワイヤーバーを用いてハードコート層用塗布液
を膜厚８μｍになるように塗布・乾燥し、紫外線照射し
ハードコート層を作製した。コロナ処理を施した後、透
明導電膜形成用の上記塗布液（１）をワイヤーバーで塗
布量が７０ｍｇ／ｍ２になるように塗布し、１２０℃、
３０ｍｉｎで加熱した。その後透明薄膜層用塗布液をワ
イヤーバーで膜厚１２０ｎｍになるよう塗布した後、紫
外線照射をして低反射透明導電性積層フィルムを得た。
ムの作製：１７５μｍのポリエチレンテレフタレートフ
ィルムにワイヤーバーを用いてハードコート層用塗布液
を膜厚８μｍになるように塗布・乾燥し、紫外線照射し
ハードコート層を作製した。コロナ処理を施した後、透
明導電膜形成用の上記塗布液（１）をワイヤーバーで塗
布量が７０ｍｇ／ｍ２になるように塗布し、１２０℃、
３０ｍｉｎで加熱した。その後透明薄膜層用塗布液をワ
イヤーバーで膜厚１２０ｎｍになるよう塗布した後、紫
外線照射をして低反射透明導電性積層フィルムを得た。
【００３４】［実施例２］透明導電膜形成用の塗布液が
塗布液（２）を使用する以外は実施例１と同様にして低
反射透明導電性積層フィルムを作成した。 ［実施例３］透明導電膜形成用の塗布液が塗布液（３）
を使用する以外は実施例１と同様にして低反射透明導電
性積層フィルムを作成した。 ［実施例４］透明導電膜形成用の塗布液が塗布液（４）
を使用する以外は実施例１と同様にして低反射透明導電
性積層フィルムを作成した。 ［実施例５］透明導電膜形成用の塗布液が塗布液（５）
を使用する以外は実施例１と同様にして低反射透明導電
性積層フィルムを作成した。 ［実施例６］透明導電膜形成用の塗布液が塗布液（６）
を使用する以外は実施例１と同様にして低反射透明導電
性積層フィルムを作成した。 ［実施例７］透明導電膜形成用の塗布液が塗布液（７）
を使用する以外は実施例１と同様にして低反射透明導電
性積層フィルムを作成した。 ［比較例１］透明導電膜形成用の塗布液が塗布液（８）
を使用する以外は実施例１と同様にして低反射透明導電
性積層フィルムを作成した。 ［比較例２］透明導電膜形成用の塗布液が塗布液（９）
を使用する以外は実施例１と同様にして低反射透明導電
性積層フィルムを作成した。 ［比較例３］透明導電膜形成用の塗布液が塗布液（１
０）を使用する以外は実施例１と同様にして低反射透明
導電性積層フィルムを作成した。
塗布液（２）を使用する以外は実施例１と同様にして低
反射透明導電性積層フィルムを作成した。 ［実施例３］透明導電膜形成用の塗布液が塗布液（３）
を使用する以外は実施例１と同様にして低反射透明導電
性積層フィルムを作成した。 ［実施例４］透明導電膜形成用の塗布液が塗布液（４）
を使用する以外は実施例１と同様にして低反射透明導電
性積層フィルムを作成した。 ［実施例５］透明導電膜形成用の塗布液が塗布液（５）
を使用する以外は実施例１と同様にして低反射透明導電
性積層フィルムを作成した。 ［実施例６］透明導電膜形成用の塗布液が塗布液（６）
を使用する以外は実施例１と同様にして低反射透明導電
性積層フィルムを作成した。 ［実施例７］透明導電膜形成用の塗布液が塗布液（７）
を使用する以外は実施例１と同様にして低反射透明導電
性積層フィルムを作成した。 ［比較例１］透明導電膜形成用の塗布液が塗布液（８）
を使用する以外は実施例１と同様にして低反射透明導電
性積層フィルムを作成した。 ［比較例２］透明導電膜形成用の塗布液が塗布液（９）
を使用する以外は実施例１と同様にして低反射透明導電
性積層フィルムを作成した。 ［比較例３］透明導電膜形成用の塗布液が塗布液（１
０）を使用する以外は実施例１と同様にして低反射透明
導電性積層フィルムを作成した。
【００３５】作製した低反射透明導電性積層フィルムの
特性を測定した結果を表１に示す。実施例１〜７および
比較例１は何れもＲａが２５〜３０ｎｍであった。ま
た、何れのフィルムも鉛筆硬度は３Ｈであった。
特性を測定した結果を表１に示す。実施例１〜７および
比較例１は何れもＲａが２５〜３０ｎｍであった。ま
た、何れのフィルムも鉛筆硬度は３Ｈであった。
【００３６】
【表１】
【００３７】実施例１〜実施例５及び比較例１〜３につ
いて、スチールウール擦り評価を実施した。実施例１〜
４、比較例１及び３が○、実施例５は△、比較例２は×
であった。
いて、スチールウール擦り評価を実施した。実施例１〜
４、比較例１及び３が○、実施例５は△、比較例２は×
であった。
【００３８】各測定は以下に示す方法で行った。 （低反射透明導電性積層フィルムの評価） （１）表面抵抗 ４端子法表面抵抗率計（三菱化学（株）製「ロレスタＧ
Ｐ」）による測定値。 （２）透過率、ヘイズ （株）島津製作所製分光光度計（ＵＶ−２４００ＰＣ）
を用いて、４００〜８００ｎｍの波長の平均透過率。 （３）反射率 分光光度計（日本分光（株）製）を用いて、４５０〜６
５０ｎｍの波長領域における入射光５゜における正反射
の平均反射率。 （４）スチールウール試験 フィルムを温度２５℃、相対湿度６０％の条件で２時間
調湿した後、＃００００のスチールウールを接地面積１
ｃｍ２、加重２００ｇにて５０往復した後の傷で判定
（○は傷がなし、△は弱い傷が発生、×は傷が明らかに
認められるもの）。
Ｐ」）による測定値。 （２）透過率、ヘイズ （株）島津製作所製分光光度計（ＵＶ−２４００ＰＣ）
を用いて、４００〜８００ｎｍの波長の平均透過率。 （３）反射率 分光光度計（日本分光（株）製）を用いて、４５０〜６
５０ｎｍの波長領域における入射光５゜における正反射
の平均反射率。 （４）スチールウール試験 フィルムを温度２５℃、相対湿度６０％の条件で２時間
調湿した後、＃００００のスチールウールを接地面積１
ｃｍ２、加重２００ｇにて５０往復した後の傷で判定
（○は傷がなし、△は弱い傷が発生、×は傷が明らかに
認められるもの）。
【００３９】
【発明の効果】表１に示す結果より、基材上にハードコ
ート層を設けたものに、透明導電層、透明薄膜を積層し
た低反射透明導電性積層フィルムにおいて、透明導電層
として異なる平均粒径の金属微粒子を有する透明導電膜
形成用塗布液を塗設することより、優れた透明性、導電
性、低反射性及び機械特性を得ることが可能である。従
って、陰極線管やプラズマディスプレー等の表面に積層
することにより、電磁波遮蔽、反射防止を付加できる。
ート層を設けたものに、透明導電層、透明薄膜を積層し
た低反射透明導電性積層フィルムにおいて、透明導電層
として異なる平均粒径の金属微粒子を有する透明導電膜
形成用塗布液を塗設することより、優れた透明性、導電
性、低反射性及び機械特性を得ることが可能である。従
って、陰極線管やプラズマディスプレー等の表面に積層
することにより、電磁波遮蔽、反射防止を付加できる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｂ 5/14 Ｈ０１Ｂ 5/14 Ａ (72)発明者 畑山 剣一郎 神奈川県南足柄市中沼210番地 富士写真 フイルム株式会社内 Ｆターム(参考） 4F100 AB01B AB15B AB16B AB17B AB21B AB23B AB25B AB31B AB40B AK01A AK01C AK42 BA03 BA07 BA10A EH462 GB41 JD20B JG01 JM10B JN01 JN01A JN01C JN06 JN18C YY00B 5G301 DA02 DA03 DA05 DA06 DA10 DA11 DA12 DA13 DD02 5G307 FA02 FB02 FC08 FC10 5G323 BA01 BB01 BB02
Claims (9)
- 【請求項１】 平均粒径が２０ｎｍ未満の範囲にある金
属微粒子Ａを含み、かつ平均粒径が２０ｎｍ以上５０ｎ
ｍ以下の範囲にある金属微粒子Ｂを含む透明導電膜形成
用塗布液を調製する工程の後に、該透明導電膜形成用塗
布液を塗設する工程を含むことを特徴とする透明導電膜
の製造方法。 - 【請求項２】 該金属微粒子Ａ及びＢがそれぞれ独立
に、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、白金（Ｐｔ）、銅（Ｃ
ｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、コバルト（Ｃ
ｏ）、ロジウム（Ｒｈ）、ルテニウム（Ｒｕ）、パラジ
ウム（Ｐｄ）及び錫（Ｓｎ）よりなる群より選ばれた金
属又はその群より選ばれた２以上の金属を含む合金であ
る請求項１に記載の透明導電膜の製造方法。 - 【請求項３】 該金属微粒子Ａ及び／又はＢが銀、パラ
ジウム又はこれらの合金よりなる請求項１記載の透明導
電膜の製造方法。 - 【請求項４】 該金属微粒子Ａ及び／又はＢが銀−パラ
ジウム合金微粒子である請求項１記載の透明導電膜の製
造方法。 - 【請求項５】 該金属微粒子Ａと該金属微粒子Ｂが、３
０／７０〜９０／１０の重量比率である請求項１記載の
透明導電膜の製造方法。 - 【請求項６】 請求項１ないし５いずれか１つに記載さ
れた透明導電膜の製造方法に用いられる透明導電膜形成
用塗布液。 - 【請求項７】 請求項１ないし５いずれか１つに記載さ
れた透明導電膜の製造方法により得られた透明導電膜。 - 【請求項８】 請求項７に記載された透明導電膜上に、
該透明導電膜の屈折率と異なる屈折率を有する少なくと
も１層の透明薄膜を形成した低反射透明導電膜。 - 【請求項９】 請求項７又は８に記載された透明導電膜
を用いた光学フィルム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001094653A JP2002298665A (ja) | 2001-03-29 | 2001-03-29 | 透明導電膜の製造方法、透明導電膜及びこれを用いた光学フィルム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001094653A JP2002298665A (ja) | 2001-03-29 | 2001-03-29 | 透明導電膜の製造方法、透明導電膜及びこれを用いた光学フィルム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002298665A true JP2002298665A (ja) | 2002-10-11 |
Family
ID=18948816
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001094653A Pending JP2002298665A (ja) | 2001-03-29 | 2001-03-29 | 透明導電膜の製造方法、透明導電膜及びこれを用いた光学フィルム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002298665A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008070459A (ja) * | 2006-09-12 | 2008-03-27 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 反射防止膜及び光学部材並びに表示装置 |
| JP2009143026A (ja) * | 2007-12-11 | 2009-07-02 | Tosoh Corp | 透明導電性フィルム |
| JP2011154674A (ja) * | 2009-09-02 | 2011-08-11 | Sony Corp | タッチパネル、情報入力装置、および表示装置 |
| WO2018212114A1 (ja) * | 2017-05-18 | 2018-11-22 | 田中貴金属工業株式会社 | 金属配線を備える導電基板、及び、該導電基板の製造方法 |
| WO2020100934A1 (ja) * | 2018-11-16 | 2020-05-22 | 田中貴金属工業株式会社 | 金属配線を備える導電基板及び該導電基板の製造方法、並びに金属配線形成用の金属インク |
-
2001
- 2001-03-29 JP JP2001094653A patent/JP2002298665A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| WO2020100934A1 (ja) * | 2018-11-16 | 2020-05-22 | 田中貴金属工業株式会社 | 金属配線を備える導電基板及び該導電基板の製造方法、並びに金属配線形成用の金属インク |
| JP2020088014A (ja) * | 2018-11-16 | 2020-06-04 | 田中貴金属工業株式会社 | 金属配線を備える導電基板及び該導電基板の製造方法、並びに金属配線形成用の金属インク |
| JP7120890B2 (ja) | 2018-11-16 | 2022-08-17 | 田中貴金属工業株式会社 | 金属配線を備える導電基板及び該導電基板の製造方法、並びに金属配線形成用の金属インク |
| US12035470B2 (en) | 2018-11-16 | 2024-07-09 | Tanaka Kikinzoku Kogyo K.K. | Electroconductive substrate having metal wiring, method for producing the electroconductive substrate, and metal ink for forming metal wiring |
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