JP2002296806A - Exposure device and substrate positioning method therefor - Google Patents

Exposure device and substrate positioning method therefor

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JP2002296806A
JP2002296806A JP2001101881A JP2001101881A JP2002296806A JP 2002296806 A JP2002296806 A JP 2002296806A JP 2001101881 A JP2001101881 A JP 2001101881A JP 2001101881 A JP2001101881 A JP 2001101881A JP 2002296806 A JP2002296806 A JP 2002296806A
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敏幸 小塚
Kyoji Nirei
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To perform exposure processing of an exposure object substrate larger than a mask with a high precision. SOLUTION: In an exposure device which successively positions an exposure object substrate B larger than a mask A for pattern formation to prescribed positions relative to the mask and performs exposure processing in each of the prescribed positions, the positional deviation of the exposure object substrate B from the mask A, which deviation corresponds to the displacement of an exposure chuck 3 to a shaft, is corrected in each prescribed position by using a correction means 8 before the mask A is held on a mask holder 2 to set the mask A at a prescribed angle to the shaft 4 in each prescribed position. Positional deviation corresponding to the displacement of the exposure object substrate B to the shaft 4 is corrected with a table 6 before the exposure object substrate B is carried onto the exposure chuck 3.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、液晶ディスプレ
イやプラズマディスプレイ等のフラットパネルディスプ
レイの製造工程においてガラス基板やカラーフィルタ等
の面上にパターンを形成する露光装置に係り、特に、フ
ォトマスクよりも大きなガラス基板を該フォトマスクに
対して複数回に分けて所定位置に順次位置決めし、位置
決めされた各所定位置でそれぞれ露光処理を行うことに
よって、ガラス基板全体を露光処理する露光装置及びそ
の装置における基板位置決め方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an exposure apparatus for forming a pattern on a surface of a glass substrate, a color filter or the like in a manufacturing process of a flat panel display such as a liquid crystal display and a plasma display, and more particularly to an exposure apparatus for forming a pattern. An exposure apparatus and an exposure apparatus for exposing the entire glass substrate by sequentially positioning a large glass substrate at a predetermined position in a plurality of times with respect to the photomask and performing an exposure process at each of the positioned predetermined positions. The present invention relates to a substrate positioning method.

【0002】[0002]

【従来の技術】液晶ディスプレイ(LCD:Liqud Crys
tal Display)は、CRT(Cathode R-ay Tube)に比べて
薄型化、軽量化が可能であるため、CTV(Color Telev
ision) やOA機器等のディスプレイ装置として採用さ
れ、画面サイズも10型以上の大型化が図られ、より一
層の高精細化及びカラー化が押し進められている。
2. Description of the Related Art Liquid crystal displays (LCD)
tal Display) can be made thinner and lighter than a CRT (Cathode R-ay Tube).
It has been adopted as a display device such as ision) and OA equipment, and the screen size has been increased to 10 inches or more, and higher definition and color have been promoted.

【0003】液晶ディスプレイは、フォトリソグラフィ
技術によりガラス基板の表面に微細なパターンを描画し
て作られる。露光装置は、この微細パターンをガラス基
板上に描画するものである。露光装置としては、マスク
パターンをレンズまたはミラーを用いてガラス基板上に
投影するプロジェクション方式と、フォトマスクとガラ
ス基板との間に微小なギャップを設けてマスクパターン
をガラス基板上に転写するプロキシミティ方式とがあ
る。
A liquid crystal display is made by drawing a fine pattern on the surface of a glass substrate by a photolithography technique. The exposure apparatus draws this fine pattern on a glass substrate. As the exposure apparatus, there are a projection system in which a mask pattern is projected onto a glass substrate using a lens or a mirror, and a proximity system in which a minute gap is provided between a photomask and the glass substrate to transfer the mask pattern onto the glass substrate. There is a method.

【0004】プロキシミティ方式の露光装置は、プロジ
ェクション方式に比べてパターン解像性能が劣るもの
の、照射光学系が非常にシンプルであり、スループット
が高く、装置コストから見たコストパフォーマンスも優
れており、生産性の高い量産用装置に適したものであ
る。従来、プロキシミティ方式の露光装置は、インライ
ン対応パススルー方式のローダ・アンローダユニットを
採用しており、そのパススルー方向に沿って、ローダー
ユニット、基板搬入ユニット、アライメントステージユ
ニット、基板搬出ユニット、アンローダユニットが順番
に配置されて構成されている。
[0004] The proximity type exposure apparatus is inferior in pattern resolution performance to the projection type, but has a very simple irradiation optical system, high throughput, and excellent cost performance in terms of apparatus cost. It is suitable for mass production equipment with high productivity. Conventionally, the proximity type exposure apparatus has adopted a loader / unloader unit of an in-line compatible pass-through type. They are arranged in order.

【0005】ローダユニットは、ガラス基板を順次供給
するものであり、アンローダユニットは、露光処理の終
了したガラス基板を順次排出するものである。基板搬入
ユニットは、ローダユニットのガラス基板をセンタリン
グ位置決めしてから搬入アームによってアライメントス
テージの露光チャック上に搬入する。アライメントステ
ージユニットは、露光チャック、チルティングZステー
ジ、基板アライメントステージ及びマスクホルダなどで
構成される。このアライメントステージユニットには、
インラインの外側に設けられた露光チャックに保持され
るガラス基板上にフォトマスクを介して紫外線を照射す
る照射光学系などが存在する。基板搬出ユニットは、露
光チャック上の露光処理後のガラス基板をアンローダユ
ニットに搬出する。
The loader unit sequentially supplies the glass substrates, and the unloader unit sequentially discharges the glass substrates that have been subjected to the exposure processing. The substrate carrying-in unit carries out centering positioning of the glass substrate of the loader unit, and then carries the glass substrate onto the exposure chuck of the alignment stage by the carrying-in arm. The alignment stage unit includes an exposure chuck, a tilting Z stage, a substrate alignment stage, a mask holder, and the like. This alignment stage unit has
There is an irradiation optical system that irradiates ultraviolet rays via a photomask onto a glass substrate held by an exposure chuck provided outside the inline. The substrate unloading unit unloads the exposed glass substrate on the exposure chuck to the unloader unit.

【0006】上記の露光装置では、マスクホルダにパタ
ーン形成用のフォトマスクが吸着保持され、露光チャッ
クに露光対象のガラス基板が吸着保持されて、フォトマ
スクのマスクパターンがガラス基板に転写されるが、通
常、フォトマスクを複数枚用いてガラス基板に所定のマ
スクパターンを順次転写するため、フォトマスクとガラ
ス基板との位置合わせ精度が露光性能における重要な位
置を占めることになる。そこで、アライメントステージ
ユニットにおいて、露光チャックに対するガラス基板の
搬送位置のずれを補正するプリアライメントと、フォト
マスクとガラス基板とを高精度に位置合わせするアライ
メントとを行っている。また、ガラス基板がフォトマス
クよりも大きい場合には、露光チャックをマスクに対し
てステップテーブル走行軸によって所定方向にステップ
移動することによりガラス基板をフォトマスクに対して
複数回に分けて所定位置に順次位置決めし、位置決めさ
れた各所定位置でそれぞれ露光処理を行うことにより、
ガラス基板全体に露光処理を行うステップ露光方式が採
用される。
In the above exposure apparatus, a photomask for forming a pattern is suction-held by a mask holder, a glass substrate to be exposed is suction-held by an exposure chuck, and a mask pattern of the photomask is transferred to the glass substrate. Usually, since a predetermined mask pattern is sequentially transferred to a glass substrate using a plurality of photomasks, the alignment accuracy between the photomask and the glass substrate occupies an important position in the exposure performance. Therefore, in the alignment stage unit, pre-alignment for correcting a shift of the transfer position of the glass substrate with respect to the exposure chuck, and alignment for positioning the photomask and the glass substrate with high accuracy are performed. When the glass substrate is larger than the photomask, the exposure chuck is moved stepwise with respect to the mask in a predetermined direction by the step table traveling axis, so that the glass substrate is divided into the predetermined position with respect to the photomask in plural times. By sequentially positioning and performing exposure processing at each of the predetermined positions that have been positioned,
A step exposure method for performing exposure processing on the entire glass substrate is employed.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】上記ステップ露光方式
の露光装置では、露光処理工程において、ガラス基板を
保持してなる露光チャックを所定の露光位置にステップ
テーブル走行軸によってステップ移動するので、ステッ
プテーブル走行軸の搬送精度などに起因して、露光チャ
ックがステップテーブル走行軸に沿って真っ直ぐにステ
ップ移動されない場合がある。この場合、露光チャック
がステップテーブル走行軸に対して変位し、これによっ
て、該ステップテーブル走行軸の軸方向であるX方向或
いは該X方向と直角をなすY方向にガラス基板がずれた
り、該ステップテーブル走行軸に対してガラス基板がX
方向とY方向とが交わる交点回りのθ方向に斜めに傾い
たりすることがある。このため、ガラス基板がフォトマ
スクに対して位置ずれを生じ、その位置ずれによりマス
クパターンがガラス基板の所定の露光領域から一部はみ
出るようになる。その結果、マスクパターンをガラス基
板の所定の露光領域に転写することができなくなり、ガ
ラス基板に対するマスクパターンの配列精度が低下する
という問題があった。
In the above exposure apparatus of the step exposure method, in the exposure processing step, the exposure chuck holding the glass substrate is step-moved to a predetermined exposure position by the step table traveling axis. There is a case where the exposure chuck is not step-moved straight along the step table traveling axis due to the transport accuracy of the traveling axis or the like. In this case, the exposure chuck is displaced with respect to the step table traveling axis, whereby the glass substrate is displaced in the X direction which is the axial direction of the step table traveling axis or in the Y direction perpendicular to the X direction, or The glass substrate is X to the table traveling axis
It may be inclined obliquely in the θ direction around the intersection of the direction and the Y direction. For this reason, the glass substrate is displaced with respect to the photomask, and a part of the mask pattern protrudes from a predetermined exposure region of the glass substrate due to the displacement. As a result, the mask pattern cannot be transferred to a predetermined exposure region of the glass substrate, and there has been a problem that the alignment accuracy of the mask pattern on the glass substrate is reduced.

【0008】また、ガラス基板は、搬入アームによって
ステップテーブル走行軸の一端側から露光チャック上に
搬入されるが、搬入アームの搬送精度などに起因して、
ガラス基板がステップテーブル走行軸に対して変位し、
これによって、該ステップテーブル走行軸の軸方向であ
るX方向或いは該X方向と直角をなすY方向にガラス基
板がずれたり、該ステップテーブル走行軸に対してガラ
ス基板がX方向とY方向とが交わる交点回りのθ方向に
斜めに傾いたりした状態に搬入される場合がある。この
場合、ガラス基板がステップテーブル走行軸に対して位
置ずれを生じ、その位置ずれによりガラス基板がステッ
プテーブル走行軸に対して変位した状態に露光チャック
に保持されることとなるため、露光チャックに対するガ
ラス基板の面付け精度が低下するという問題があった。
Further, the glass substrate is carried into the exposure chuck from one end of the step table traveling shaft by the carry-in arm.
The glass substrate is displaced with respect to the step table travel axis,
Thereby, the glass substrate is displaced in the X direction, which is the axial direction of the step table traveling axis, or in the Y direction perpendicular to the X direction, or when the X direction and the Y direction are shifted with respect to the step table traveling axis. There is a case where the sheet is carried in a state of being inclined obliquely in the θ direction around the intersection. In this case, the glass substrate is displaced with respect to the step table traveling axis, and the glass substrate is held by the exposure chuck in a state of being displaced with respect to the step table traveling axis due to the positional displacement. There is a problem that the precision of imposition of the glass substrate is reduced.

【0009】このようなステップ方式の露光装置におい
ては、ステップテーブル走行軸は、ガラス基板のステッ
プ移動及び露光領域の位置決めのための搬送基準軸とな
るので、ステップテーブル走行軸に対する露光チャック
の変位に応じたガラス基板とフォトマスクとの位置ずれ
を補正すれば、マスクパターンを露光対象基板の所定の
露光領域からはみ出ることなく該露光領域内に転写する
ことができて、ガラス基板に対するマスクパターンの配
列精度を向上させることができ、露光処理を高精度に行
えるようになる。また、ステップテーブル走行軸に対す
るガラス基板の位置ずれを補正すれば、ガラス基板をス
テップテーブル走行軸に対して位置ずれを生じることな
く露光チャックに保持することができて、露光チャック
に対するガラス基板の面付け精度を向上させることがで
き、露光処理を高精度に行えるようになる。
In such a step type exposure apparatus, the step table travel axis serves as a transport reference axis for the step movement of the glass substrate and the positioning of the exposure area. If the misalignment between the corresponding glass substrate and the photomask is corrected, the mask pattern can be transferred into the exposure area of the exposure target substrate without protruding from the predetermined exposure area. Accuracy can be improved, and exposure processing can be performed with high accuracy. Further, if the displacement of the glass substrate with respect to the step table travel axis is corrected, the glass substrate can be held on the exposure chuck without causing a displacement with respect to the step table travel axis, and the surface of the glass substrate with respect to the exposure chuck can be held. The mounting accuracy can be improved, and the exposure processing can be performed with high accuracy.

【0010】本発明は、上記の点に鑑みて為されたもの
で、パターン形成用のマスクよりも大きな露光対象基板
に対する露光処理を高精度に行えるよう、露光対象基板
に対するマスクの位置ずれを補正して、露光対象基板に
対するマスクパターンの配列精度を向上させた露光装置
を提供しようとするものである。また、パターン形成用
のマスクよりも大きな露光対象基板に対する露光処理を
高精度に行えるよう、露光チャックのステップ移動用の
軸に対する露光対象基板の位置ずれを補正して、露光チ
ャックに対する露光対象基板の面付け精度を向上させた
露光装置及びその露光装置における基板位置決め方法を
提供しようとするものである。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-described circumstances, and corrects a positional shift of a mask with respect to an exposure target substrate so that exposure processing on an exposure target substrate larger than a pattern forming mask can be performed with high accuracy. Accordingly, it is an object of the present invention to provide an exposure apparatus in which the arrangement accuracy of a mask pattern on an exposure target substrate is improved. Further, in order to perform the exposure processing on the exposure target substrate larger than the pattern forming mask with high accuracy, the displacement of the exposure target substrate with respect to the axis for moving the step of the exposure chuck is corrected, and the exposure target substrate with respect to the exposure chuck is corrected. An object of the present invention is to provide an exposure apparatus with improved imposition accuracy and a substrate positioning method in the exposure apparatus.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】本発明に係る露光装置
は、マスクホルダに保持されたパターン形成用のマスク
よりも大きな露光対象基板を露光チャックに保持し、該
露光チャックを該マスクに対して所定の軸によって所定
方向にステップ移動することにより、該露光対象基板を
該マスクに対して複数回に分けて所定位置に順次位置決
めし、位置決めされた各所定位置でそれぞれ露光処理を
行う露光装置において、前記マスクホルダに前記マスク
が保持される前に、前記マスクの位置補正を行う補正手
段と、前記マスクホルダに前記マスクが保持される前
に、前記マスクと前記露光チャックとにそれぞれ設けら
れた位置合わせ用のマークを前記各所定位置で検出し、
該マークの位置に応じた検出信号を出力する検出手段
と、前記検出信号に基づき前記各所定位置における前記
露光チャックに対する前記マスクの位置ずれを求め、該
位置ずれに基づいて該各所定位置で前記マスクを前記軸
に対して所定角度に設定するための補正量を算出する演
算手段と、前記補正量に基づき前記各所定位置で前記マ
スクを前記軸に対して所定角度に設定するよう前記補正
手段の駆動を制御する制御手段とを具えたものである。
これによれば、マスクホルダにマスクが保持される前
に、補正手段が各所定位置で軸に対する露光チャックの
変位に応じた露光対象基板とマスクとの位置ずれを補正
するので、該各所定位置でマスクを軸に対して所定角度
に設定することができる。これによって、パターンを露
光対象基板の所定の露光領域からはみ出ることなく該露
光領域内に転写することが可能となり、よって、露光対
象基板に対するパターンの配列精度を向上でき、露光処
理を高精度に行えるようになる。
An exposure apparatus according to the present invention holds an exposure target substrate larger than a pattern forming mask held by a mask holder on an exposure chuck, and moves the exposure chuck to the mask. In an exposure apparatus that performs step movement in a predetermined direction by a predetermined axis to sequentially position the substrate to be exposed with respect to the mask at a predetermined position in a plurality of times, and performs an exposure process at each of the positioned predetermined positions. A correcting means for correcting the position of the mask before the mask is held by the mask holder; and a correcting means for providing the mask and the exposure chuck before the mask is held by the mask holder. Detecting alignment marks at each of the predetermined positions,
Detecting means for outputting a detection signal corresponding to the position of the mark; obtaining a positional shift of the mask with respect to the exposure chuck at each of the predetermined positions based on the detection signal; Calculating means for calculating a correction amount for setting the mask at a predetermined angle with respect to the axis; and correcting means for setting the mask at a predetermined angle with respect to the axis at each of the predetermined positions based on the correction amount And control means for controlling the driving of the motor.
According to this, before the mask is held by the mask holder, the correcting means corrects the positional deviation between the exposure target substrate and the mask in accordance with the displacement of the exposure chuck with respect to the axis at each predetermined position. Can set the mask at a predetermined angle with respect to the axis. This makes it possible to transfer the pattern into the exposure area without protruding from the predetermined exposure area of the exposure target substrate, thereby improving the pattern arrangement accuracy with respect to the exposure target substrate and performing the exposure processing with high accuracy Become like

【0012】また、マスクホルダに保持されたパターン
形成用のマスクよりも大きな露光対象基板を露光チャッ
クに保持し、該露光チャックを該マスクに対して所定の
軸によって所定方向にステップ移動することにより、該
露光対象基板を該マスクに対して複数回に分けて所定位
置に順次位置決めし、位置決めされた各所定位置でそれ
ぞれ露光処理を行う露光装置において、前記マスクが前
記マスクホルダに保持された状態で、前記マスクホルダ
の位置補正を行う補正手段と、前記マスクが前記マスク
ホルダに保持された状態で、前記マスクと前記露光チャ
ックとにそれぞれ設けられた位置合わせ用のマークを前
記各所定位置で検出し、該マークの位置に応じた検出信
号を出力する検出手段と、前記検出信号に基づき前記各
所定位置における前記露光チャックに対する前記マスク
の位置ずれを求め、該位置ずれに基づいて該各所定位置
で前記マスクを前記軸に対して所定角度に設定するため
の補正量を算出する演算手段と、前記補正量に基づき前
記各所定位置で前記マスクホルダを前記軸に対して所定
角度に設定するよう前記補正手段の駆動を制御する制御
手段とを具えたものである。これによれば、マスクがマ
スクホルダに保持された状態で、補正手段が各所定位置
で軸に対する露光チャックの変位に応じた露光対象基板
とマスクとの位置ずれを補正するので、該各所定位置で
マスクをマスクホルダによって軸に対して所定角度に設
定することができる。これによって、パターンを露光対
象基板の所定の露光領域からはみ出ることなく該露光領
域内に転写することが可能となり、よって、露光対象基
板に対するパターンの配列精度を向上でき、露光処理を
高精度に行えるようになる。
Further, by holding a substrate to be exposed larger than the mask for pattern formation held by the mask holder on the exposure chuck, and moving the exposure chuck stepwise with respect to the mask in a predetermined direction by a predetermined axis. An exposure apparatus for sequentially positioning the substrate to be exposed with respect to the mask a plurality of times at predetermined positions and performing exposure processing at each of the positioned predetermined positions, wherein the mask is held by the mask holder; A correcting means for correcting the position of the mask holder, and, in a state where the mask is held by the mask holder, a mark for alignment provided on the mask and the exposure chuck at each of the predetermined positions. Detecting means for detecting and outputting a detection signal in accordance with the position of the mark; and detecting at each of the predetermined positions based on the detection signal. Calculating means for determining a displacement of the mask with respect to the exposure chuck and calculating a correction amount for setting the mask at a predetermined angle with respect to the axis at each of the predetermined positions based on the displacement; Control means for controlling the driving of the correction means so as to set the mask holder at a predetermined angle with respect to the axis at each of the predetermined positions based on the above. According to this, in a state where the mask is held by the mask holder, the correcting means corrects the positional deviation between the exposure target substrate and the mask in accordance with the displacement of the exposure chuck with respect to the axis at each predetermined position. The mask can be set at a predetermined angle with respect to the axis by the mask holder. This makes it possible to transfer the pattern into the exposure area without protruding from the predetermined exposure area of the exposure target substrate, thereby improving the pattern arrangement accuracy with respect to the exposure target substrate and performing the exposure processing with high accuracy Become like

【0013】また、マスクホルダに保持されたパターン
形成用のマスクよりも大きな露光対象基板を搬入して露
光チャックに保持し、該露光チャックを該マスクに対し
て所定の軸によって所定方向にステップ移動することに
より、該露光対象基板を該マスクに対して複数回に分け
て所定位置に順次位置決めし、位置決めされた各所定位
置でそれぞれ露光処理を行う露光装置において、前記露
光チャックを所定の方向に移動して、前記マスクに対す
る前記露光対象基板の位置合わせを行うテーブルと、前
記露光チャック上に搬入される前記露光対象基板の位置
を検出し、検出信号を出力する検出手段と、前記検出信
号に基づき前記軸に対する前記露光対象基板の位置ずれ
を求め、該位置ずれに基づいて前記露光チャックを前記
軸に対して所定角度に設定するための補正量を算出する
演算手段と、前記補正量に基づき前記露光チャックが前
記露光対象基板を保持する前に該露光チャックを前記軸
に対して所定角度に位置決めするよう前記テーブルの駆
動を制御する制御手段とを具えたものである。これによ
れば、露光対象基板が露光チャック上に搬入される前
に、テーブルが軸に対する露光対象基板の変位に応じた
位置ずれを補正するので、露光対象基板を軸に対して位
置ずれを生じることなく露光チャックに保持することが
できる。これによって、露光チャックに対する露光対象
基板の面付け精度を向上でき、露光処理を高精度に行え
るようになる。
Further, a substrate to be exposed which is larger than the pattern-forming mask held by the mask holder is carried in and held by the exposure chuck, and the exposure chuck is moved stepwise in a predetermined direction by a predetermined axis with respect to the mask. In the exposure apparatus, the exposure target substrate is sequentially positioned at a predetermined position in a plurality of times with respect to the mask with respect to the mask, and performs exposure processing at each of the positioned predetermined positions. Moving, a table for aligning the exposure target substrate with respect to the mask, a detection unit for detecting a position of the exposure target substrate carried on the exposure chuck, and outputting a detection signal; A position shift of the exposure target substrate with respect to the axis is determined based on the axis, and the exposure chuck is set at a predetermined angle with respect to the axis based on the position shift. Calculating means for calculating a correction amount for setting to the table, and positioning the exposure chuck at a predetermined angle with respect to the axis before the exposure chuck holds the exposure target substrate based on the correction amount. And control means for controlling driving. According to this, before the substrate to be exposed is loaded onto the exposure chuck, the table corrects the positional deviation according to the displacement of the substrate to be exposed with respect to the axis, so that the positional deviation of the substrate to be exposed with respect to the axis occurs. It can be held on the exposure chuck without the need. Thereby, the accuracy of imposition of the substrate to be exposed on the exposure chuck can be improved, and the exposure process can be performed with high accuracy.

【0014】また、本発明に係る露光装置における基板
位置決め方法は、マスクホルダに保持されたパターン形
成用のマスクよりも大きな露光対象基板を搬入して露光
チャックに保持し、該露光チャックを該マスクに対して
所定の軸によって所定方向にステップ移動することによ
り、該露光対象基板を該マスクに対して複数回に分けて
所定位置に順次位置決めし、位置決めされた各所定位置
でそれぞれ露光処理を行う露光装置において、前記露光
チャックを所定の方向に移動して前記マスクに対する前
記露光対象基板の位置合わせを行うテーブルを用いて、
前記露光対象基板を前記露光チャックに保持する前に、
該露光対象基板を前記軸に対して位置決めする基板位置
決め方法であって、前記露光チャック上に搬入される前
記露光対象基板の位置を検出し、検出信号を出力する工
程と、前記検出信号に基づき前記軸に対する前記露光対
象基板の位置ずれを求め、該位置ずれに基づいて前記露
光チャックを前記軸に対して所定角度に設定するための
補正量を算出する工程と、前記補正量に基づき前記露光
チャックを前記軸に対して所定角度に位置決めするよう
前記テーブルの駆動を制御する工程とを具えたものであ
る。これによれば、露光対象基板が露光チャック上に搬
入される前に、テーブルによって軸に対する露光対象基
板の変位に応じた位置ずれを補正することができるの
で、露光対象基板を軸に対して位置ずれを生じることな
く露光チャックに保持することができる。これによっ
て、露光チャックに対する露光対象基板の面付け精度を
向上でき、露光処理を高精度に行えるようになる。
Further, in the method of positioning a substrate in an exposure apparatus according to the present invention, a substrate to be exposed which is larger than a mask for pattern formation held by a mask holder is loaded and held on an exposure chuck, and the exposure chuck is mounted on the mask. The exposure target substrate is sequentially positioned at a predetermined position by dividing the exposure target substrate into the mask a plurality of times by performing a step movement in a predetermined direction with respect to the mask, and performing the exposure processing at each of the positioned predetermined positions. In the exposure apparatus, using a table that moves the exposure chuck in a predetermined direction and aligns the exposure target substrate with respect to the mask,
Before holding the exposure target substrate on the exposure chuck,
A substrate positioning method for positioning the substrate to be exposed with respect to the axis, wherein the step of detecting the position of the substrate to be exposed loaded on the exposure chuck and outputting a detection signal, based on the detection signal Obtaining a displacement of the exposure target substrate with respect to the axis, calculating a correction amount for setting the exposure chuck at a predetermined angle with respect to the axis based on the displacement, and performing the exposure based on the correction amount. Controlling the drive of the table to position the chuck at a predetermined angle with respect to the axis. According to this, before the substrate to be exposed is loaded onto the exposure chuck, the table can correct the positional deviation according to the displacement of the substrate to be exposed with respect to the axis. The wafer can be held on the exposure chuck without any displacement. Thereby, the accuracy of imposition of the substrate to be exposed on the exposure chuck can be improved, and the exposure process can be performed with high accuracy.

【0015】[0015]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を添付
図面に従って説明する。図1は、本発明に係る露光装置
の一実施例を示す概略構成図である。図1では、アライ
メントステージユニット1について示し、他のユニット
(ローダユニット、基板搬入ユニット、基板搬出ユニッ
ト及びアンローダユニット)については、図示を省略し
ている。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing one embodiment of an exposure apparatus according to the present invention. FIG. 1 illustrates the alignment stage unit 1 and omits other units (a loader unit, a substrate carry-in unit, a substrate carry-out unit, and an unloader unit).

【0016】図1において、露光装置は、フォトマスク
Aよりも大きなガラス基板Bを該フォトマスクAに対し
て複数回に分けて所定位置に順次位置決めし、位置決め
された各所定位置でそれぞれ露光処理を行うステップ方
式の露光装置に適用される。アライメントステージユニ
ット1は、例えば、図3に示されるような縦長長方形状
に形成されてなるフォトマスクAを吸着保持するマスク
ホルダ2の真下に露光チャック3を有する。この露光チ
ャック3上には、例えば、図4に示されるような横長長
方形状に形成されてなるガラス基板Bがステップテーブ
ル走行軸4の一端側(図示例では、ステップテーブル走
行軸4の左端側)から基板搬入ユニットの搬入アーム1
0によって搬入される。ガラス基板Bは、所定の位置で
露光チャック3によって吸着保持され、その露光チャッ
ク3がステップテーブル走行軸4によって図1に示され
る矢印X方向にステップ移動されることにより、図5及
び図6に示されるように、フォトマスクAに対して複数
回(図示例では、2回)に分けて所定位置に順次位置決
めされ、位置決めされた各所定位置でそれぞれ露光処理
が行われる。
In FIG. 1, an exposure apparatus sequentially positions a glass substrate B, which is larger than a photomask A, at a predetermined position with respect to the photomask A a plurality of times, and performs an exposure process at each of the positioned predetermined positions. Is applied to a step-type exposure apparatus that performs The alignment stage unit 1 has, for example, an exposure chuck 3 directly below a mask holder 2 for holding a photomask A formed in a vertically long rectangular shape as shown in FIG. On the exposure chuck 3, for example, a glass substrate B formed in a horizontally long rectangular shape as shown in FIG. 4 is provided on one end side of the step table traveling shaft 4 (in the illustrated example, on the left end side of the step table traveling shaft 4). ) To the loading arm 1 of the substrate loading unit
0 is carried in. The glass substrate B is sucked and held at a predetermined position by the exposure chuck 3, and the exposure chuck 3 is step-moved by the step table traveling shaft 4 in the arrow X direction shown in FIG. As shown in the figure, the photomask A is sequentially positioned at a predetermined position in a plurality of times (two times in the illustrated example), and an exposure process is performed at each of the positioned predetermined positions.

【0017】露光装置では、露光処理の前に、先ず、ア
ライメントステージ6によって露光チャック3に対する
ガラス基板Bの搬送位置ずれを補正するプリアライメン
トが行われ、次に、チルティングZステージ5によって
フォトマスクAとガラス基板B間のプロキシミティギャ
ップを適切なギャップ値に設定するプロキシミティギャ
ップ制御が行われ、最後に、アライメントステージ6に
よってフォトマスクAとガラス基板Bとを高精度に位置
合わせするアライメントが行われる。
In the exposure apparatus, before the exposure processing, first, a pre-alignment for correcting the transfer position of the glass substrate B with respect to the exposure chuck 3 is performed by the alignment stage 6, and then the photomask is corrected by the tilting Z stage 5. Proximity gap control for setting the proximity gap between A and the glass substrate B to an appropriate gap value is performed. Finally, alignment for positioning the photomask A and the glass substrate B with high accuracy by the alignment stage 6 is performed. Done.

【0018】しかし、露光処理工程においては、露光チ
ャック3をステップテーブル走行軸4によってステップ
移動するので、ステップテーブル走行軸4の搬送精度に
起因して、露光チャック3がステップテーブル走行軸4
に沿って真っ直ぐにステップ移動されない場合、露光チ
ャック3と共にガラス基板Bがステップテーブル走行軸
4に対して変位し、これによって、該ステップテーブル
走行軸4の軸方向である図3に示されるX方向或いは該
X方向と直角をなすY方向にガラス基板Bがずれたり、
該ステップテーブル走行軸4に対してガラス基板BがX
方向とY方向とが交わる交点回りのθ方向に斜めに傾い
たりして、ガラス基板BがフォトマスクAに対して位置
ずれを生じるが、その位置ずれを補正することができれ
ば、ガラス基板Bに対するマスクパターンの配列精度を
向上できる。そこで、本例では、図5及び図6に示され
る各露光位置において、フォトマスクAがマスクホルダ
2に吸着保持される前に、フォトマスクAの位置ずれを
マスク補正機構8によって補正することにより、フォト
マスクAをステップテーブル走行軸4に対して平行、か
つ、直角となる所定角度に設定するようにした。
However, in the exposure processing step, the exposure chuck 3 is moved stepwise by the step table traveling shaft 4, so that the exposure chuck 3 is moved by the step table traveling shaft 4 due to the conveyance accuracy of the step table traveling shaft 4.
If the glass substrate B is not moved stepwise along the step table, the glass substrate B is displaced with respect to the step table traveling shaft 4 together with the exposure chuck 3, whereby the X direction shown in FIG. Or, the glass substrate B is shifted in the Y direction perpendicular to the X direction,
The glass substrate B is X with respect to the step table traveling axis 4.
When the glass substrate B is tilted obliquely in the θ direction around the intersection of the direction and the Y direction, the glass substrate B shifts with respect to the photomask A. If the shift can be corrected, The arrangement accuracy of the mask pattern can be improved. Therefore, in this example, at each of the exposure positions shown in FIGS. 5 and 6, before the photomask A is sucked and held by the mask holder 2, the misalignment of the photomask A is corrected by the mask correction mechanism 8. The photomask A is set at a predetermined angle that is parallel to and perpendicular to the step table traveling axis 4.

【0019】また、ガラス基板Bの搬入工程において
は、ガラス基板Bを搬入アーム11 によってステップテ
ーブル走行軸4の一端側から露光チャック3上に搬入す
るので、搬入アーム10の搬送精度などに起因して、ガ
ラス基板Bがステップテーブル走行軸4に対して変位
し、該ステップテーブル走行軸4の軸方向である図4に
示されるX方向或いは該X方向と直角をなすY方向にガ
ラス基板Bがずれたり、該ステップテーブル走行軸4に
対してガラス基板BがX方向とY方向とが交わる交点回
りのθ方向に斜めに傾いたりした場合、ガラス基板Bが
ステップテーブル走行軸4に対して位置ずれを生じる
が、その位置ずれを補正することができれば、露光チャ
ック3に対するガラス基板Bの面付け精度を向上でき
る。そこで、本例では、ガラス基板Bが露光チャック3
に吸着保持される前に、ガラス基板Bの位置ずれをアラ
イメントステージ6によって補正することにより、ガラ
ス基板Bをステップテーブル走行軸4に対して平行、か
つ、直角となる所定角度に位置決めするようにした。
Further, in the loading process of the glass substrate B, the glass substrate B is loaded onto the exposure chuck 3 from one end of the step table traveling shaft 4 by the loading arm 11, which may be caused by the transport accuracy of the loading arm 10. As a result, the glass substrate B is displaced with respect to the step table traveling shaft 4, and the glass substrate B is moved in the X direction shown in FIG. 4 which is the axial direction of the step table traveling shaft 4 or in the Y direction perpendicular to the X direction. If the glass substrate B is displaced or tilted obliquely in the θ direction around the intersection of the X direction and the Y direction with respect to the step table travel axis 4, the glass substrate B is positioned with respect to the step table travel axis 4. Although the displacement occurs, if the displacement can be corrected, the accuracy of imposition of the glass substrate B on the exposure chuck 3 can be improved. Therefore, in this example, the glass substrate B is
Before being held by suction, the glass substrate B is corrected by the alignment stage 6 so that the glass substrate B is positioned at a predetermined angle that is parallel to the step table traveling axis 4 and at a right angle. did.

【0020】本例に示す露光装置において、ステップテ
ーブル走行軸4は、ガラス基板Aを保持した露光チャッ
ク3をそのままX方向にステップ移動するものであり、
光学式のリニアスケールを用いたクローズドループ制御
にて図2に示される制御部12により位置決めされる。
In the exposure apparatus shown in the present embodiment, the step table traveling shaft 4 moves the exposure chuck 3 holding the glass substrate A stepwise as it is in the X direction.
Positioning is performed by the control unit 12 shown in FIG. 2 by closed loop control using an optical linear scale.

【0021】チルティングZステージ5は、露光チャッ
ク3をフォトマスクAに対して平行に昇降動する粗動ス
テージと、ガラス基板Bをチルティングしてプロキシミ
ティギャップの制御を行う3点接触型のチルト駆動機構
などを有して構成される。プロキシミティギャップ制御
を行う場合、4個のギャップ検出センサ(図示せず)で
フォトマスクAとガラス基板B間のギャップ量を検出
し、その検出結果から図2に示される演算部13によっ
て演算されるギャップ量に応じて制御部12がチルト駆
動機構を駆動することにより、フォトマスクAとガラス
基板Bとの間に所定のプロキシミティギャップを設定す
る。
The tilting Z stage 5 includes a coarse movement stage that moves the exposure chuck 3 up and down in parallel with the photomask A, and a three-point contact type that tilts the glass substrate B to control the proximity gap. It has a tilt drive mechanism and the like. When performing the proximity gap control, the gap amount between the photomask A and the glass substrate B is detected by four gap detection sensors (not shown), and the calculation result is calculated by the calculation unit 13 shown in FIG. The control unit 12 drives the tilt driving mechanism according to the gap amount to set a predetermined proximity gap between the photomask A and the glass substrate B.

【0022】アライメントステージ6は、図4に示され
るように、露光チャック3によって吸着保持されてなる
ガラス基板Bの中心を例えば原点Oとして、X方向及び
その逆方向の−X方向に移動するX軸テーブル6aと、
Y方向及びその逆方向の−Y方向に移動するY軸テーブ
ル6bと、θ方向に移動するθ軸テーブル6cなどによ
り構成される。プリアライメントを行う場合、ガラス基
板Bが露光チャック3に保持された状態で、そのガラス
基板Bのエッジをエッジ検出センサ(図示せず)により
非接触で検出し、その検出結果から演算部13によって
演算されるずれ量に基づいて制御部12がX軸テーブル
6a、Y軸テーブル6b、θ軸テーブル6cを適宜駆動
することにより、露光チャック3に対するガラス基板B
の搬送位置ずれを補正する。また、アライメントを行う
場合、ガラス基板Bが露光チャック3に保持された状態
で、フォトマスクAとガラス基板Bの双方に設けられて
いるアライメントマークをCCDセンサ(図示せず)を
用いて検出し、その検出結果から演算部13によって演
算されるずれ量に基づいて制御部12がX軸テーブル6
a、Y軸テーブル6b、θ軸テーブル6cを適宜駆動す
ることにより、フォトマスクAに対してガラス基板Bを
高精度に位置合わせする。
As shown in FIG. 4, the alignment stage 6 moves in the X direction and in the -X direction opposite thereto, with the center of the glass substrate B held by the exposure chuck 3 as the origin O, for example. An axis table 6a;
It is composed of a Y-axis table 6b that moves in the Y direction and the −Y direction opposite thereto, a θ-axis table 6c that moves in the θ direction, and the like. When performing pre-alignment, the edge of the glass substrate B is detected in a non-contact manner by an edge detection sensor (not shown) in a state where the glass substrate B is held by the exposure chuck 3, and the calculation unit 13 uses the detection result. The control unit 12 appropriately drives the X-axis table 6a, the Y-axis table 6b, and the θ-axis table 6c based on the calculated shift amount, so that the glass substrate B
Is corrected. When alignment is performed, alignment marks provided on both the photomask A and the glass substrate B are detected using a CCD sensor (not shown) while the glass substrate B is held by the exposure chuck 3. The control unit 12 controls the X-axis table 6 based on the deviation amount calculated by the calculation unit 13 from the detection result.
a, the glass substrate B is accurately positioned with respect to the photomask A by appropriately driving the Y-axis table 6b and the θ-axis table 6c.

【0023】露光チャック3の外周周囲には、図4に示
されるように、ガラス基板Bの搬入工程において、ガラ
ス基板Bのエッジを光学的に検出する複数(図示例で
は、3つ)のエッジ検出センサ7a〜7cが設けられ
る。エッジ検出センサ7a〜7cのうち、エッジ検出セ
ンサ7a及び7bは、ガラス基板BがX方向で露光チャ
ック3に吸着保持されるべき位置に所定の間隔L1をお
いて配置されてなり、ガラス基板BにおけるX方向側の
エッジB1の異なる2箇所を検出する。エッジ検出セン
サ7cは、ガラス基板BがY方向で露光チャック3に吸
着保持されるべき位置に配置されてなり、ガラス基板B
におけるY方向側のエッジB2の1箇所を検出する。各
エッジ検出センサ7a〜7cは、ガラス基板Bのエッジ
B1及びB2を検出すると、そのエッジB1及びB2の
位置に応じたエッジ位置検出信号を図2に示される入出
力回路11に送出する。
As shown in FIG. 4, a plurality of (three in the illustrated example) edges for optically detecting the edges of the glass substrate B in the step of loading the glass substrate B around the outer periphery of the exposure chuck 3. Detection sensors 7a to 7c are provided. Among the edge detection sensors 7a to 7c, the edge detection sensors 7a and 7b are arranged at predetermined positions L1 at positions where the glass substrate B is to be sucked and held by the exposure chuck 3 in the X direction. , Two different points on the edge B1 on the X direction side are detected. The edge detection sensor 7c is disposed at a position where the glass substrate B is to be sucked and held by the exposure chuck 3 in the Y direction.
Is detected at one point on the edge B2 on the Y direction side. When the edge detection sensors 7a to 7c detect the edges B1 and B2 of the glass substrate B, they transmit an edge position detection signal corresponding to the positions of the edges B1 and B2 to the input / output circuit 11 shown in FIG.

【0024】マスク補正機構8は、図4に示されるよう
に、フォトマスクAの外周周囲に設けられた複数(図示
例では、3つ)のマスク位置補正機構8a〜8cにより
構成される。マスク位置補正機構8a〜8cは、それぞ
れリニアモータ8a1〜8c1及びプッシャー8a11
〜8c11などを有して構成される。マスク位置補正機
構8a〜8cのうち、マスク位置補正機構8a及び8b
は、リニアモータ8a1及び8b1が先端部でフォトマ
スクAにおけるX方向側の端面A1に接触し、プッシャ
ー8a11及び8b11が先端部で該端面A1と反対側
の端面A2に接触している。マスク位置補正機構8c
は、リニアモータ8c1が先端部でフォトマスクAにお
けるY方向側の端面A3に接触し、プッシャー8c11
が先端部で該端面A3と反対側の端面A4に接触してい
る。マスク位置補正機構8a及び8bにおいて、プッシ
ャー8a11及び8b11は、例えば、コイルばねなど
から構成されてなり、先端部でフォトマスクAを対応す
る反対側のリニアモータ8a1及び8b1に常時付勢す
る。リニアモータ8a1及び8b1は、制御部12によ
って同時に或いは個別に駆動されて、X方向若しくは−
X方向に同時に或いは個別に進退動されることにより、
フォトマスクAをX方向、−X方向若しくはθ方向に移
動する。マスク位置補正機構8cにおいて、プッシャー
8c11は、例えば、コイルばねなどから構成されてな
り、先端部でフォトマスクAを対応する反対側のリニア
モータ8c1に常時付勢する。リニアモータ8c1は、
制御部12によって駆動されてY方向若しくは−Y方向
に進退動されることにより、フォトマスクAをY方向若
しくは−Y方向に移動する。なお、本例では、マスク位
置補正機構8a〜8cにおいて、リニアモータ8a1〜
8c1を用いているが、このリニアモータ8a1〜8c
1に代えて流体圧シリンダを用い、該流体圧シリンダに
よってフォトマスクAをX方向、−X方向、θ方向、Y
方向若しくは−Y方向に移動するように構成してもよ
い。
As shown in FIG. 4, the mask correction mechanism 8 includes a plurality (three in the illustrated example) of mask position correction mechanisms 8a to 8c provided around the outer periphery of the photomask A. The mask position correcting mechanisms 8a to 8c include a linear motor 8a1 to 8c1 and a pusher 8a11, respectively.
To 8c11 and the like. Among the mask position correcting mechanisms 8a to 8c, the mask position correcting mechanisms 8a and 8b
The linear motors 8a1 and 8b1 are in contact with the end face A1 on the X direction side of the photomask A at the tips, and the pushers 8a11 and 8b11 are in contact with the end face A2 opposite to the end face A1 at the tips. Mask position correction mechanism 8c
The linear motor 8c1 contacts the end face A3 of the photomask A on the Y direction side at the tip end, and the pusher 8c11
Is in contact with the end face A4 opposite to the end face A3 at the tip. In the mask position correcting mechanisms 8a and 8b, the pushers 8a11 and 8b11 are composed of, for example, coil springs, and always urge the photomask A to the corresponding opposite linear motors 8a1 and 8b1 at the tips. The linear motors 8a1 and 8b1 are simultaneously or individually driven by the control unit 12, and are driven in the X direction or-
By moving back and forth simultaneously or individually in the X direction,
The photomask A is moved in the X direction, the −X direction, or the θ direction. In the mask position correcting mechanism 8c, the pusher 8c11 is formed of, for example, a coil spring, and constantly biases the photomask A to the corresponding opposite linear motor 8c1 at the tip. The linear motor 8c1 is
The photomask A is moved in the Y direction or the −Y direction by being driven by the control unit 12 to move forward and backward in the Y direction or the −Y direction. In this example, the linear motors 8a1 to 8a1 are used in the mask position correcting mechanisms 8a to 8c.
8c1, the linear motors 8a1 to 8c
1. A hydraulic cylinder is used in place of 1 and the photomask A is moved by the hydraulic cylinder in the X direction, the −X direction, the θ direction, and the Y direction.
It may be configured to move in the direction or the −Y direction.

【0025】図5(a)に示されるように、露光チャッ
ク3及びフォトマスクAには、それぞれ位置合わせ用の
任意形状のマーク3a〜3f(図示例では、×形状のマ
ーク)及びAa〜Af(図示例では、+形状のマーク)
が所定の位置に設けられる。マーク3a〜3f及びAa
〜Afは、図5及び図6に示される各露光位置におい
て、マスク位置補正機構8a〜8cと対応する位置に設
けられる。例えば、マーク3a〜3c及びAa〜Ac
は、図5に示される露光位置において、マスク位置補正
機構8a〜8cと対応する位置に設けられる。マーク3
a〜3c及びAa〜Acのうち、マーク3a及び3b
は、マスク位置補正機構8a及び8bと対応するよう露
光チャック3におけるX方向側の端部の異なる2箇所に
設けられてなるマーク付設部31a及び31bに設けら
れ、マーク3cは、マスク位置補正機構8cと対応する
よう露光チャック3におけるY方向側の端部の1箇所に
設けられてなるマーク付設部31cに設けられる。ま
た、マークAa及びAbは、マスク位置補正機構8a及
び8bと対応するようフォトマスクAにおけるX方向側
の端部の異なる2箇所に設けられてなるマーク付設部A
5a及びA5bに設けられ、マークAcは、マスク位置
補正機構8cと対応するようフォトマスクAにおけるY
方向側の端部の1箇所に設けられてなるマーク付設部A
5cに設けられる。一方、マーク3d〜3f及びAd〜
Afは、図6に示される露光位置において、マスク位置
補正機構8a〜8cと対応する位置に設けられる。例え
ば、マーク3d〜3f及びAd〜Afのうち、マーク3
d及び3eは、マスク位置補正機構8a及び8bと対応
するよう露光チャック3における−X方向側の端部の異
なる2箇所に設けられてなるマーク付設部31d及び3
1eに設けられ、マーク3fは、マスク位置補正機構8
cと対応するよう露光チャック3における−Y方向側の
端部の1箇所に設けられてなるマーク付設部31fに設
けられる。また、マークAd及びAeは、マスク位置補
正機構8a及び8bと対応するようフォトマスクAにお
ける−X方向側の端部の異なる2箇所に設けられてなる
マーク付設部A5d及びA5eに設けられ、マークAf
は、マスク位置補正機構8cと対応するようフォトマス
クAにおける−Y方向側の端部の1箇所に設けられてな
るマーク付設部A5fに設けられる。
As shown in FIG. 5A, marks 3a to 3f (in the illustrated example, X-shaped marks) and Aa to Af are provided on the exposure chuck 3 and the photomask A, respectively. (In the example shown, a + shaped mark)
Are provided at predetermined positions. Marks 3a to 3f and Aa
Af are provided at positions corresponding to the mask position correcting mechanisms 8a to 8c at the respective exposure positions shown in FIGS. For example, marks 3a to 3c and Aa to Ac
Are provided at positions corresponding to the mask position correcting mechanisms 8a to 8c in the exposure positions shown in FIG. Mark 3
Marks 3a and 3b among a to 3c and Aa to Ac
Are provided at mark attaching portions 31a and 31b provided at two different positions on the X direction side of the exposure chuck 3 so as to correspond to the mask position correcting mechanisms 8a and 8b, respectively. The mark 3c is provided at the mask position correcting mechanism. 8c, it is provided in a mark attaching portion 31c provided at one position on the Y-direction end of the exposure chuck 3. The marks Aa and Ab are provided at two different positions on the X direction side of the photomask A so as to correspond to the mask position correcting mechanisms 8a and 8b.
5a and A5b, the mark Ac is provided on the photomask A so as to correspond to the mask position correcting mechanism 8c.
Mark-attached portion A provided at one position at the end on the direction side
5c. On the other hand, marks 3d to 3f and Ad
Af is provided at a position corresponding to the mask position correcting mechanisms 8a to 8c in the exposure position shown in FIG. For example, of the marks 3d to 3f and Ad to Af, the mark 3
d and 3e are mark attaching portions 31d and 3 provided at two different positions on the -X direction end of the exposure chuck 3 so as to correspond to the mask position correcting mechanisms 8a and 8b.
1e, the mark 3f is provided by the mask position correcting mechanism 8
The mark is provided on a mark attaching portion 31f provided at one position on the end portion on the −Y direction side of the exposure chuck 3 so as to correspond to c. Further, the marks Ad and Ae are provided at two mark attaching portions A5d and A5e provided at two different positions on the -X direction end of the photomask A so as to correspond to the mask position correcting mechanisms 8a and 8b. Af
Is provided in a mark attaching portion A5f provided at one position on the -Y direction end of the photomask A so as to correspond to the mask position correcting mechanism 8c.

【0026】フォトマスクAの上方には、図5(a)に
示されるように、上記マーク3a〜3f及びAa〜Af
に対応して複数(図示例では、6つ)のマーク検出セン
サ9a〜9fが設けられる。マーク検出センサ9a〜9
fは、例えばCCDセンサなどにより構成される。マー
ク検出センサ9a〜9fのうち、マーク検出センサ9a
〜9cが上記マーク3a〜3c及びAa〜Acに対応
し、マーク検出センサ9d〜9fが上記マーク3d〜3
f及びAd〜Afに対応している。マーク検出センサ9
a〜9cのうち、マーク検出センサ9a及び9bは、露
光チャック3及びフォトマスクAのX方向側のマーク3
a及びAaと3b及びAbとを検出するよう所定の間隔
L2をおいて配置されてなり、図5に示される露光位置
において、マーク検出センサ9aがマークAa及び3a
を検出し、マーク検出センサ9bがマークAb及び3b
を検出する。マーク検出センサ9cは、同図に示される
露光位置において、露光チャック3及びフォトマスクA
のY方向側のマーク3c及びAcを検出する。また、マ
ーク検出センサ9d〜9fのうち、マーク検出センサ9
d及び9eは、露光チャック3及びフォトマスクAの−
X方向側のマーク3d及びAdと3e及びAeとを検出
するよう所定の間隔L3をおいて配置されてなり、図6
に示される露光位置において、マーク検出センサ9dが
マークAd及び3dを検出し、マーク検出センサ9eが
マークAe及び3eを検出する。マーク検出センサ9f
は、同図に示される露光位置において、露光チャック3
及びフォトマスクAの−Y方向側のマーク3f及びAf
を検出する。このように、各マーク検出センサ9a〜9
fは、図5及び図6に示される各露光位置において、マ
ーク3a〜3f及びAa〜Afをそれぞれ検出し、その
マーク3a〜3f及びAa〜Afの位置に応じたマーク
位置検出信号を図2に示される入出力回路11に送出す
る。なお、本例では、露光チャック3にマーク3a〜3
fを設けているが、ガラス基板Bの所定の位置にマーク
を設けて、マーク検出センサ9a〜9fによりフォトマ
スクAのマークAa〜Af及びガラス基板Bのマークを
それぞれ検出し、そのマークの位置に応じたマーク位置
検出信号を入出力回路11に送出するように構成しても
よい。
As shown in FIG. 5A, the marks 3a to 3f and Aa to Af are located above the photomask A.
, A plurality of (six in the illustrated example) mark detection sensors 9a to 9f are provided. Mark detection sensors 9a to 9
f is constituted by, for example, a CCD sensor or the like. Among the mark detection sensors 9a to 9f, the mark detection sensor 9a
To 9c correspond to the marks 3a to 3c and Aa to Ac, and the mark detection sensors 9d to 9f correspond to the marks 3d to 3c.
f and Ad to Af. Mark detection sensor 9
a to 9c, the mark detection sensors 9a and 9b are the mark 3 on the X direction side of the exposure chuck 3 and the photomask A.
a and Aa, and 3b and Ab, are arranged at a predetermined interval L2. At the exposure position shown in FIG. 5, the mark detection sensor 9a detects the marks Aa and 3a.
Are detected, and the mark detection sensor 9b detects the marks Ab and 3b.
Is detected. The mark detection sensor 9c detects the exposure chuck 3 and the photomask A at the exposure position shown in FIG.
Are detected in the Y direction. Further, among the mark detection sensors 9d to 9f, the mark detection sensor 9
d and 9e are-of the exposure chuck 3 and the photomask A.
The marks 3d and Ad on the X direction side and 3e and Ae are arranged at a predetermined interval L3 so as to detect the marks 3e and Ae.
In the exposure position shown in (1), the mark detection sensor 9d detects the marks Ad and 3d, and the mark detection sensor 9e detects the marks Ae and 3e. Mark detection sensor 9f
At the exposure position shown in FIG.
And marks 3f and Af on the −Y direction side of photomask A
Is detected. Thus, each of the mark detection sensors 9a to 9
f detects the marks 3a to 3f and Aa to Af at the respective exposure positions shown in FIGS. 5 and 6, and outputs a mark position detection signal corresponding to the positions of the marks 3a to 3f and Aa to Af in FIG. To the input / output circuit 11 shown in FIG. In this example, marks 3a to 3
f, marks are provided at predetermined positions on the glass substrate B, and the marks Aa to Af on the photomask A and the marks on the glass substrate B are detected by the mark detection sensors 9a to 9f, respectively. May be sent to the input / output circuit 11 according to the mark position detection signal.

【0027】図2において、入出力回路11は、エッジ
位置検出信号及びマーク位置検出信号のA/D変換器や
アライメントステージ6及びマスク補正機構8の駆動制
御に必要な回路などを含んで構成される。ROM及びR
AMを含んで構成されるメモリ部14には、露光装置の
シーケンス動作やアライメントステージ6の駆動制御及
びガラス基板AやフォトマスクBの位置補正などに必要
とされる各種基準データ(設定データ)が記憶されてい
る。制御部12は、MPUなどから構成されてなり、メ
モリ部14に記憶されているプログラムを実行して、露
光装置のシーケンス動作やアライメントステージ6の駆
動制御処理及び位置補正処理などの各種処理を行う。演
算部13は、制御部12からの指令信号に従ってエッジ
検出センサ7a〜7cやマーク検出センサ9a〜9cか
ら得られる検出データの演算処理を行う。
In FIG. 2, an input / output circuit 11 includes an A / D converter for an edge position detection signal and a mark position detection signal, and circuits necessary for drive control of the alignment stage 6 and the mask correction mechanism 8, and the like. You. ROM and R
Various reference data (setting data) required for the sequence operation of the exposure apparatus, the drive control of the alignment stage 6, and the position correction of the glass substrate A and the photomask B are stored in the memory unit 14 including the AM. It is remembered. The control unit 12 is configured by an MPU or the like, and executes programs stored in the memory unit 14 to perform various processes such as a sequence operation of the exposure apparatus, a drive control process of the alignment stage 6, and a position correction process. . The arithmetic unit 13 performs arithmetic processing of detection data obtained from the edge detection sensors 7a to 7c and the mark detection sensors 9a to 9c according to a command signal from the control unit 12.

【0028】図7に示すフロー図に従って、本例に示さ
れる露光装置におけるガラス基板Bの位置決めのための
位置ずれ補正処理を説明する。ステップS1では、エッ
ジ検出センサ7a〜7cからエッジ位置検出信号を入力
する。
With reference to the flow chart shown in FIG. 7, a description will be given of the positional deviation correction processing for positioning the glass substrate B in the exposure apparatus shown in this embodiment. In step S1, edge position detection signals are input from the edge detection sensors 7a to 7c.

【0029】ステップS2では、エッジ検出センサ7a
〜7cからのエッジ位置検出信号に基づき演算部12で
ステップテーブル走行軸4に対するガラス基板Bの位置
ずれ量を求める。例えば、エッジ検出センサ7a及び7
bから得られるいずれか1つのエッジ位置検出信号と、
ガラス基板AにおけるX方向側のエッジB1の基準位置
データ(エッジB1がステップテーブル走行軸4に対し
て直角となる場合の基準位置データ)とを用いて所定の
演算処理を行うことにより、図3において一点鎖線で示
されるガラス基板BのX方向のずれ量Δxを求める。ま
た、そのずれ量Δxと、両エッジ検出センサ7a及び7
b間の距離L1とを用いて所定の演算を行うことによ
り、ガラス基板Bのθ方向の傾きずれ量Δθを求める。
また、エッジ検出センサ7cから得られるエッジ位置検
出信号と、ガラス基板AにおけるY方向側のエッジB2
の基準位置データ(エッジB2がステップテーブル走行
軸4に対して平行となる場合の基準位置データ)とを用
いて所定の演算処理を行うことにより、ガラス基板Bの
Y方向のずれ量Δyを求める。
In step S2, the edge detection sensor 7a
The position deviation of the glass substrate B with respect to the step table traveling axis 4 is calculated by the calculation unit 12 based on the edge position detection signals from .about.7c. For example, the edge detection sensors 7a and 7
b) any one edge position detection signal obtained from
By performing predetermined arithmetic processing using the reference position data of the edge B1 on the X direction side of the glass substrate A (reference position data when the edge B1 is perpendicular to the step table traveling axis 4), FIG. , The shift amount Δx in the X direction of the glass substrate B indicated by the dashed line is obtained. Further, the shift amount Δx and both edge detection sensors 7 a and 7
By performing a predetermined calculation using the distance L1 between b, the amount of inclination deviation Δθ in the θ direction of the glass substrate B is obtained.
Further, an edge position detection signal obtained from the edge detection sensor 7c and an edge B2 on the Y direction side of the glass substrate A
Is performed by using the reference position data (reference position data when the edge B2 is parallel to the step table traveling axis 4) to obtain the deviation amount Δy of the glass substrate B in the Y direction. .

【0030】ステップS3では、ステップS2で求めた
位置ずれ量に基づいて演算部12でガラス基板Bの位置
を補正するための補正量を算出する。例えば、ずれ量Δ
xの補正量として、該ずれ量Δxを相殺する補正量−Δ
xを算出する。また、傾きずれ量Δθの補正量として、
該ずれ量Δθを相殺する補正量−Δθを算出する。ま
た、ずれ量Δyの補正量として、該ずれ量ΔYを相殺す
る補正量−ΔYを算出する。
In step S3, the calculation unit 12 calculates a correction amount for correcting the position of the glass substrate B based on the positional deviation amount obtained in step S2. For example, the deviation amount Δ
As a correction amount of x, a correction amount −Δ that offsets the shift amount Δx
Calculate x. Further, as a correction amount of the inclination deviation amount Δθ,
A correction amount-[Delta] [theta] that cancels out the deviation [Delta] [theta] is calculated. Further, as a correction amount of the deviation amount Δy, a correction amount−ΔY that cancels out the deviation amount ΔY is calculated.

【0031】ステップS4では、ステップS3で算出し
た補正量に基づき制御部12がアライメントステージ6
を駆動して、X軸テーブル6a、Y軸テーブル6b、θ
軸テーブル6cを適宜移動することにより、ステップテ
ーブル走行軸4に対するガラス基板Bの位置ずれを補正
する。例えば、X軸テーブル6aを駆動して補正量−Δ
x分だけ移動する。また、θ軸テーブル6cを駆動して
補正量−Δθ分だけ移動する。また、Y軸テーブル6b
を駆動して補正量−Δyだけ移動する。これによって、
ガラス基板BのX方向側のエッジB1がステップテーブ
ル走行軸4に対して直角となり、ガラス基板BのY方向
側のエッジB2がステップテーブル走行軸4に対して平
行となる。
In step S4, the controller 12 controls the alignment stage 6 based on the correction amount calculated in step S3.
To drive the X-axis table 6a, the Y-axis table 6b, θ
The displacement of the glass substrate B with respect to the step table traveling axis 4 is corrected by appropriately moving the axis table 6c. For example, the X-axis table 6a is driven and the correction amount−Δ
Move x minutes. Further, the θ-axis table 6c is driven to move by the correction amount −Δθ. Also, the Y-axis table 6b
To move by the correction amount -Δy. by this,
An edge B1 on the X direction side of the glass substrate B is perpendicular to the step table traveling axis 4, and an edge B2 on the Y direction side of the glass substrate B is parallel to the step table traveling axis 4.

【0032】このように、ガラス基板Bの搬入工程にお
いて、ガラス基板Bが露光チャック3に保持される前
に、各テーブル6a〜6cをガラス基板Bの位置ずれに
応じて所定の方向に補正量分だけ移動するので、ステッ
プステージ走行軸4に対するガラス基板Bの位置ずれが
補正され、これにより、図4において一点鎖線にて示さ
れるように、ガラス基板Bをステップテーブル走行軸4
に対して平行、かつ、直角となる所定角度に位置決めす
ることができる。これによって、ガラス基板Bがその所
定角度のまま露光チャック3に吸着保持されることとな
る。
As described above, in the loading step of the glass substrate B, before the glass substrate B is held by the exposure chuck 3, the tables 6a to 6c are corrected in a predetermined direction in accordance with the displacement of the glass substrate B. The position of the glass substrate B with respect to the step stage travel axis 4 is corrected because of the movement of the glass substrate B with respect to the step stage travel axis 4 as shown by a dashed line in FIG.
Can be positioned at a predetermined angle which is parallel to and at a right angle. As a result, the glass substrate B is sucked and held by the exposure chuck 3 while keeping the predetermined angle.

【0033】次に、図8に示すフロー図に従って、本例
に示される露光装置におけるフォトマスクAの位置補正
処理について説明する。ステップS11では、図9
(a)に示す1回目の露光位置において、マーク検出セ
ンサ9a〜9cからマーク3a〜3c及びAa〜Acの
マーク位置検出信号を入力する。
Next, the position correction processing of the photomask A in the exposure apparatus shown in this embodiment will be described with reference to the flowchart shown in FIG. In step S11, FIG.
At the first exposure position shown in (a), mark position detection signals of marks 3a to 3c and Aa to Ac are input from mark detection sensors 9a to 9c.

【0034】ステップS12では、マーク検出センサ9
a〜9cからのマーク位置検出信号に基づき演算部13
で露光チャック3とフォトマスクAとの位置ずれ量を求
める。例えば、マーク検出センサ9a及び9bにおい
て、いずれか1つのマーク検出センサ9a又は9bから
得られる露光チャック3のマーク位置検出信号と、フォ
トマスクAのマーク位置検出信号とを用いて所定の演算
処理を行うことにより、図3に示されるように、露光チ
ャック3とフォトマスクAとのX方向のずれ量Δxを求
める。また、そのずれ量Δxと、図5(a)に示される
マーク検出センサ9a及び9b間の距離L2とを用いて
所定の演算を行うことにより、露光チャック3とフォト
マスクAとのθ方向の傾きずれ量Δθを求める。また、
マーク検出センサ9cから得られる露光チャック3のマ
ーク位置検出信号と、フォトマスクAのマーク位置検出
信号とを用いて所定の演算処理を行うことにより、露光
チャック3とフォトマスクAとのY方向のずれ量Δyを
求める。
In step S12, the mark detection sensor 9
a calculation unit 13 based on the mark position detection signals from
Is used to determine the amount of displacement between the exposure chuck 3 and the photomask A. For example, in the mark detection sensors 9a and 9b, a predetermined calculation process is performed using a mark position detection signal of the exposure chuck 3 obtained from one of the mark detection sensors 9a or 9b and a mark position detection signal of the photomask A. As a result, as shown in FIG. 3, a shift amount Δx between the exposure chuck 3 and the photomask A in the X direction is obtained. Further, by performing a predetermined calculation using the deviation amount Δx and the distance L2 between the mark detection sensors 9a and 9b shown in FIG. 5A, the exposure chuck 3 and the photomask A in the θ direction can be obtained. The inclination deviation amount Δθ is obtained. Also,
By performing a predetermined arithmetic process using the mark position detection signal of the exposure chuck 3 obtained from the mark detection sensor 9c and the mark position detection signal of the photomask A, the Y direction between the exposure chuck 3 and the photomask A in the Y direction is determined. The shift amount Δy is obtained.

【0035】ステップS13では、ステップS12で求
めた露光チャック3とフォトマスクAとの位置ずれ量に
基づいて演算部13がフォトマスクAの位置を補正する
ための補正量を算出する。例えば、ずれ量Δxの補正量
として、該ずれ量Δxを相殺する補正量−Δxを算出す
る。また、傾きずれ量Δθの補正量として、該ずれ量Δ
θを相殺する補正量−Δθを算出する。また、ずれ量Δ
yの補正量として、該ずれ量Δyを相殺する補正量−Δ
yを算出する。
In step S13, the calculation unit 13 calculates a correction amount for correcting the position of the photomask A based on the positional shift amount between the exposure chuck 3 and the photomask A obtained in step S12. For example, as a correction amount of the shift amount Δx, a correction amount −Δx for canceling the shift amount Δx is calculated. In addition, as a correction amount of the inclination deviation amount Δθ, the deviation amount Δ
A correction amount -Δθ that cancels θ is calculated. In addition, the deviation amount Δ
As a correction amount of y, a correction amount −Δ that offsets the deviation amount Δy
Calculate y.

【0036】ステップS14では、ステップS13で算
出した補正量に基づき制御部12がマスク補正機構8の
マスク位置補正機構8a〜8cにおけるリニアモータ8
a1〜8c1を適宜駆動して、露光チャック3とフォト
マスクAとの位置ずれを補正する。例えば、マスク位置
補正機構8a及び8bのリニアモータ8a1及び8b1
を同時に或いは個別に駆動してフォトマスクAを補正量
−Δx及び−Δθに応じた分だけ移動させる。また、マ
スク位置補正機構8cのリニアモータ8c1を補正量−
Δyに応じた分だけ移動させる。これによって、フォト
マスクAのX方向側の端面A2及び−X方向側の端面A
1がステップテーブル走行軸4に対して直角となり、フ
ォトマスクAのY方向側の端面A3及び−Y方向側の端
面A4がステップテーブル走行軸4に対して平行とな
る。
In step S14, based on the correction amount calculated in step S13, the controller 12 controls the linear motor 8 in the mask position correcting mechanisms 8a to 8c of the mask correcting mechanism 8.
a1 to 8c1 are appropriately driven to correct the displacement between the exposure chuck 3 and the photomask A. For example, the linear motors 8a1 and 8b1 of the mask position correcting mechanisms 8a and 8b
Are driven simultaneously or individually to move the photomask A by an amount corresponding to the correction amounts −Δx and −Δθ. Further, the linear motor 8c1 of the mask position correcting mechanism 8c is adjusted by the correction amount−
Move by an amount corresponding to Δy. Thereby, the end face A2 on the X direction side and the end face A on the −X direction side of the photomask A
1 is perpendicular to the step table travel axis 4, and the end face A3 on the Y direction side and the end face A4 on the −Y direction side of the photomask A are parallel to the step table travel axis 4.

【0037】このように、図5に示される1回目の露光
位置において、各マスク位置補正機構8a〜8cのリニ
アモータ8a1〜8c1を駆動して、露光チャック3と
フォトマスクAとの位置ずれ量に応じた補正量分だけフ
ォトマスクAを所定の方向に移動するので、露光チャッ
ク3とフォトマスクAとの位置ずれが補正される。これ
によって、図3において一点鎖線にて示されるように、
フォトマスクAがステップテーブル走行軸4に対して平
行、かつ、直角となる所定角度に設定される。これによ
り、フォトマスクAがその所定角度のままマスクホルダ
2に吸着保持されるので、図5(b)及び図9に示され
るように、パターンをガラス基板Bの露光領域BA1か
らはみ出ることなく該露光領域BA1内に転写すること
できる。
As described above, at the first exposure position shown in FIG. 5, the linear motors 8a1 to 8c1 of the respective mask position correcting mechanisms 8a to 8c are driven to shift the amount of displacement between the exposure chuck 3 and the photomask A. Since the photomask A is moved in a predetermined direction by the correction amount according to the above, the positional deviation between the exposure chuck 3 and the photomask A is corrected. Thereby, as shown by the dashed line in FIG.
The photomask A is set at a predetermined angle which is parallel to the step table traveling axis 4 and perpendicular to the axis. As a result, the photomask A is sucked and held by the mask holder 2 at the predetermined angle, so that the pattern does not protrude from the exposure area BA1 of the glass substrate B as shown in FIGS. The image can be transferred into the exposure area BA1.

【0038】ステップS15では、図6に示す2回目の
露光位置において、マーク検出センサ9d〜9fからマ
ーク3d〜3f及びAe〜Afのマーク位置検出信号を
入力する。
In step S15, at the second exposure position shown in FIG. 6, mark position detection signals of marks 3d to 3f and Ae to Af are input from the mark detection sensors 9d to 9f.

【0039】ステップS16では、マーク検出センサ9
d〜9fからのマーク位置検出信号に基づき演算部13
で露光チャック3とフォトマスクAとの位置ずれ量を求
める。例えば、2回目の露光位置において、1回目の露
光位置における露光チャック3とフォトマスクAとの位
置ずれ量が同じであるとすると、マーク検出センサ9d
及び9eにおいて、いずれか1つのマーク検出センサ9
d又は9eから得られる露光チャック3のマーク位置検
出信号と、フォトマスクAのマーク位置検出信号とを用
いて所定の演算処理を行うことにより、図3に示される
ように、露光チャック3とフォトマスクAとのX方向の
ずれ量Δxを求める。また、そのずれ量Δxと、図5
(a)に示されるマーク検出センサ9d及び9e間の距
離L3とを用いて所定の演算を行うことにより、露光チ
ャック3とフォトマスクAとのθ方向の傾きずれ量Δθ
を求める。また、マーク検出センサ9fから得られる露
光チャック3のマーク位置検出信号と、フォトマスクA
のマーク位置検出信号とを用いて所定の演算処理を行う
ことにより、露光チャック3とフォトマスクAとのY方
向のずれ量Δyを求める。
In step S16, the mark detection sensor 9
calculation unit 13 based on the mark position detection signals from
Is used to determine the amount of displacement between the exposure chuck 3 and the photomask A. For example, assuming that the amount of displacement between the exposure chuck 3 and the photomask A at the first exposure position is the same at the second exposure position, the mark detection sensor 9d
And 9e, one of the mark detection sensors 9
By performing predetermined arithmetic processing using the mark position detection signal of the exposure chuck 3 obtained from d or 9e and the mark position detection signal of the photomask A, as shown in FIG. The shift amount Δx in the X direction from the mask A is obtained. In addition, the deviation amount Δx and FIG.
By performing a predetermined calculation using the distance L3 between the mark detection sensors 9d and 9e shown in (a), the inclination shift amount Δθ between the exposure chuck 3 and the photomask A in the θ direction.
Ask for. A mark position detection signal of the exposure chuck 3 obtained from the mark detection sensor 9f and a photomask A
By performing a predetermined arithmetic processing using the mark position detection signal of the above, the shift amount Δy between the exposure chuck 3 and the photomask A in the Y direction is obtained.

【0040】ステップS17では、ステップS16で求
めた露光チャック3とフォトマスクAとの位置ずれ量に
基づいて演算部13がフォトマスクAの位置を補正する
ための補正量を算出する。例えば、ずれ量Δxの補正量
として、該ずれ量Δxを相殺する補正量−Δxを算出す
る。また、傾きずれ量Δθの補正量として、該傾きずれ
量Δθを相殺する補正量−Δθを算出する。また、ずれ
量Δyの補正量として、該ずれ量Δyを相殺する補正量
−Δyを算出する。
In step S17, the calculation unit 13 calculates a correction amount for correcting the position of the photomask A based on the positional shift amount between the exposure chuck 3 and the photomask A obtained in step S16. For example, as a correction amount of the shift amount Δx, a correction amount −Δx for canceling the shift amount Δx is calculated. Further, as a correction amount of the inclination deviation amount Δθ, a correction amount −Δθ that cancels out the inclination deviation amount Δθ is calculated. In addition, as a correction amount of the shift amount Δy, a correction amount −Δy that cancels out the shift amount Δy is calculated.

【0041】ステップS18では、ステップS17で算
出した補正量に基づき制御部12がマスク補正機構8の
マスク位置補正機構8a〜8cにおけるリニアモータ8
a1〜8c1を適宜駆動して、露光チャック3とフォト
マスクAとの位置ずれを補正する。例えば、マスク位置
補正機構8a及び8bのリニアモータ8a1及び8b1
を同時に或いは個別に駆動してフォトマスクAを補正量
−Δx及び−Δθに応じた分だけ移動させる。また、マ
スク位置補正機構8cのリニアモータ8c1を補正量−
Δyに応じた分だけ移動させる。これによって、フォト
マスクAのX方向側の端面A2及び−X方向側の端面A
1がステップテーブル走行軸4に対して直角となり、フ
ォトマスクAのY方向側の端面A3及び−Y方向側の端
面A4がステップテーブル走行軸4に対して平行とな
る。
In step S18, based on the correction amount calculated in step S17, the control unit 12 controls the linear motor 8 in the mask position correcting mechanisms 8a to 8c of the mask correcting mechanism 8.
a1 to 8c1 are appropriately driven to correct the displacement between the exposure chuck 3 and the photomask A. For example, the linear motors 8a1 and 8b1 of the mask position correcting mechanisms 8a and 8b
Are driven simultaneously or individually to move the photomask A by an amount corresponding to the correction amounts −Δx and −Δθ. Further, the linear motor 8c1 of the mask position correcting mechanism 8c is adjusted by the correction amount−
Move by an amount corresponding to Δy. Thereby, the end face A2 on the X direction side and the end face A on the −X direction side of the photomask A
1 is perpendicular to the step table travel axis 4, and the end face A3 on the Y direction side and the end face A4 on the −Y direction side of the photomask A are parallel to the step table travel axis 4.

【0042】このように、図6に示される2回目の露光
位置において、各マスク位置補正機構8a〜8cのリニ
アモータ8a1〜8c1を駆動して、露光チャック3と
フォトマスクAとの位置ずれ量に応じた補正量分だけフ
ォトマスクAを所定の方向に駆動するので、露光チャッ
ク3とフォトマスクAとの位置ずれが補正される。これ
によって、図3において一点鎖線にて示されるように、
フォトマスクAをステップテーブル走行軸4に対して平
行、かつ、直角となる所定角度に設定することができ
る。これによって、フォトマスクAがその所定角度のま
まマスクホルダ2に吸着保持されるので、図6(b)及
び図9に示されるように、パターンをガラス基板Bの露
光領域BA2からはみ出ることなく該露光領域BA2内
に転写することできる。
As described above, at the second exposure position shown in FIG. 6, the linear motors 8a1 to 8c1 of the mask position correcting mechanisms 8a to 8c are driven to shift the position of the exposure chuck 3 and the photomask A. Since the photomask A is driven in a predetermined direction by the correction amount corresponding to the above, the positional deviation between the exposure chuck 3 and the photomask A is corrected. Thereby, as shown by the dashed line in FIG.
The photomask A can be set at a predetermined angle that is parallel to and perpendicular to the step table traveling axis 4. As a result, the photomask A is sucked and held by the mask holder 2 at the predetermined angle, so that the pattern does not protrude from the exposure area BA2 of the glass substrate B as shown in FIGS. The image can be transferred into the exposure area BA2.

【0043】このように、1回目及び2回目の各露光位
置において、ガラス基板Bの露光領域BA1及びBA2
内にマスクパターンが収まるようにフォトマスクAの位
置が補正されるので、ガラス基板Bに対するマスクパタ
ーンの配列精度を向上できて、フォトマスクAよりも大
きなガラス基板Bに対する露光処理を高精度に行えるよ
うになる。
As described above, at each of the first and second exposure positions, the exposure regions BA1 and BA2 of the glass substrate B are exposed.
Since the position of the photomask A is corrected so that the mask pattern fits within the mask pattern, the arrangement accuracy of the mask pattern on the glass substrate B can be improved, and the exposure processing on the glass substrate B larger than the photomask A can be performed with high accuracy. Become like

【0044】本例に示される露光装置において、露光チ
ャック3とマスクホルダ2との位置ずれを補正するた
め、マスク機構8に代えて、アライメントステージ6と
同じように、X軸テーブル、Y軸テーブル及びθ軸テー
ブルなどにより構成されるマスク補正機構(図示せず)
をマスクホルダ2に設けてもよい。その場合、マスクホ
ルダ2にフォトマスクAが吸着保持された状態で、前記
マスク補正機構を制御部12によって駆動制御すること
により、露光チャック3とマスクホルダ2との位置ずれ
が補正される。これにより、フォトマスクAをステップ
テーブル走行軸4に対して平行、かつ、直角となる所定
角度に設定することができる。しかし、マスクホルダ2
に前記マスク補正機構を設けた場合、装置の大型化は免
れないので、前述したマスク機構8を用いて露光チャッ
ク3とマスクホルダ2との位置ずれを補正する構成とす
れば、装置の小型化を図れるという点で有利である。
In the exposure apparatus shown in this embodiment, an X-axis table and a Y-axis table are used in place of the mask mechanism 8 in order to correct the displacement between the exposure chuck 3 and the mask holder 2 in the same manner as the alignment stage 6. And a mask correction mechanism (not shown) composed of a θ axis table, etc.
May be provided on the mask holder 2. In this case, while the photomask A is suction-held by the mask holder 2, the mask correction mechanism is driven and controlled by the control unit 12, thereby correcting the displacement between the exposure chuck 3 and the mask holder 2. Thus, the photomask A can be set at a predetermined angle that is parallel to the step table traveling axis 4 and perpendicular to the step table traveling axis 4. However, mask holder 2
In the case where the mask correction mechanism is provided, the size of the apparatus is inevitably increased. Therefore, if the mask mechanism 8 is used to correct the displacement between the exposure chuck 3 and the mask holder 2, the apparatus can be downsized. This is advantageous in that

【0045】なお、本例に示される露光装置において
は、図9に示されるように、1回目の露光でフォトマス
クAのパターンをガラス基板Bの右側半分に転写し、2
回目の露光でフォトマスクAのパターンをガラス基板B
の左半分に転写するが、ステップ露光におけるステップ
数や露光位置は上記のものに限られるものではない。
In the exposure apparatus shown in this example, as shown in FIG. 9, the pattern of the photomask A is transferred to the right half of the glass substrate B by the first exposure, and
In the second exposure, the pattern of the photomask A is changed to the glass substrate B.
Is transferred to the left half, but the number of steps and the exposure position in the step exposure are not limited to those described above.

【0046】[0046]

【発明の効果】以上、説明したように、本発明によれ
ば、マスクホルダにマスクが保持される前に、補正手段
によって各所定位置で軸に対する露光チャックの変位に
応じた露光対象基板とマスクとの位置ずれを補正するよ
うにしたので、該各所定位置でマスクを軸に対して所定
角度に設定することができ、これによって、パターンを
露光対象基板の所定の露光領域からはみ出ることなく該
露光領域内に転写することが可能となり、よって、露光
対象基板に対するパターンの配列精度を向上でき、露光
処理を高精度に行えるという優れた効果を奏する。
As described above, according to the present invention, before the mask is held by the mask holder, the exposure target substrate and the mask corresponding to the displacement of the exposure chuck with respect to the axis at each predetermined position by the correction means. Is corrected, the mask can be set at a predetermined angle with respect to the axis at each of the predetermined positions, whereby the pattern does not protrude from the predetermined exposure area of the exposure target substrate. Transfer can be performed within the exposure region, and therefore, the arrangement accuracy of the pattern on the substrate to be exposed can be improved, and an excellent effect that the exposure process can be performed with high accuracy is achieved.

【0047】また、マスクがマスクホルダに保持された
状態で、補正手段によって各所定位置で軸に対する露光
チャックの変位に応じた露光対象基板とマスクとの位置
ずれを補正するようにしたので、該各所定位置でマスク
をマスクホルダによって軸に対して所定角度に設定する
ことができ、これによって、パターンを露光対象基板の
所定の露光領域からはみ出ることなく該露光領域内に転
写することが可能となり、よって、露光対象基板に対す
るパターンの配列精度を向上でき、露光処理を高精度に
行えるという優れた効果を奏する。
In the state where the mask is held by the mask holder, the misalignment between the exposure target substrate and the mask in accordance with the displacement of the exposure chuck with respect to the axis at each predetermined position is corrected by the correction means. At each predetermined position, the mask can be set at a predetermined angle with respect to the axis by the mask holder, so that the pattern can be transferred into the exposure area of the substrate to be exposed without protruding from the exposure area. Accordingly, the arrangement accuracy of the pattern on the substrate to be exposed can be improved, and an excellent effect that the exposure processing can be performed with high accuracy is achieved.

【0048】また、露光対象基板が露光チャック上に搬
入される前に、テーブルによって軸に対する露光対象基
板の変位に応じた位置ずれを補正するようにしたので、
露光対象基板を軸に対して位置ずれを生じることなく露
光チャックに保持することができ、これによって、露光
チャックに対する露光対象基板の面付け精度を向上で
き、露光処理を高精度に行えるという優れた効果を奏す
る。
Further, before the substrate to be exposed is loaded onto the exposure chuck, the table is used to correct the positional deviation corresponding to the displacement of the substrate to be exposed with respect to the axis.
The substrate to be exposed can be held on the exposure chuck without causing a displacement with respect to the axis, thereby improving the accuracy of imposition of the substrate to be exposed on the exposure chuck and performing the exposure process with high accuracy. It works.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本実施の形態に係る露光装置の一実施例を示
す概略構成図。
FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing an example of an exposure apparatus according to the present embodiment.

【図2】 本例の露光装置の制御ブロック図。FIG. 2 is a control block diagram of the exposure apparatus of the present embodiment.

【図3】 マスク補正機構によるフォトマスクの位置ず
れ補正の説明図。
FIG. 3 is an explanatory diagram of correction of a position shift of a photomask by a mask correction mechanism.

【図4】 ガラス基板の位置決めのためのアライメント
テーブルによる位置ずれ補正の説明図。
FIG. 4 is an explanatory diagram of position shift correction by an alignment table for positioning a glass substrate.

【図5】 ガラス基板に1回目の露光処理を行う場合の
説明図であり、(a)はガラス基板及びフォトマスクの
配置態様を示す平面図、(b)は(a)の側面図。
5A and 5B are explanatory diagrams of a case where a first exposure process is performed on a glass substrate, wherein FIG. 5A is a plan view showing an arrangement of a glass substrate and a photomask, and FIG. 5B is a side view of FIG.

【図6】 ガラス基板に2回目の露光処理を行う場合の
説明図であり、(a)はガラス基板及びフォトマスクの
配置態様を示す平面図、(b)は(a)の側面図。
6A and 6B are explanatory diagrams of a case where a second exposure process is performed on a glass substrate, wherein FIG. 6A is a plan view showing an arrangement of a glass substrate and a photomask, and FIG. 6B is a side view of FIG.

【図7】 ガラス基板の位置決めのための位置ずれ補正
処理を示すフロー図。
FIG. 7 is a flowchart showing a position shift correction process for positioning a glass substrate.

【図8】 フォトマスクの位置補正処理を示すフロー
図。
FIG. 8 is a flowchart showing a photomask position correction process.

【図9】 本例の露光装置によるステップ露光処理の説
明図。
FIG. 9 is an explanatory diagram of a step exposure process by the exposure apparatus of the present example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 アライメントステージユニット 2 マスクホルダ 3 露光チャック 3a〜3f 位置合わせ用のマーク 4 ステップテーブル走行軸 6 アライメントステージ 6a X軸テーブル 6b Y軸テーブル 6c θ軸テーブル 7a〜7c エッジ検出センサ 8 マスク補正機構 8a〜8c マスク位置補正機構 9a〜9f マーク検出センサ 10 搬入アーム 12 制御部 13 演算部 A フォトマスク Aa〜Af 位置合わせ用のマーク B ガラス基板 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Alignment stage unit 2 Mask holder 3 Exposure chuck 3a-3f Positioning mark 4 Step table traveling axis 6 Alignment stage 6a X-axis table 6b Y-axis table 6c θ-axis table 7a-7c Edge detection sensor 8 Mask correction mechanism 8a- 8c Mask position correction mechanism 9a to 9f Mark detection sensor 10 Loading arm 12 Control unit 13 Operation unit A Photomask Aa to Af Positioning mark B Glass substrate

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2H097 GA45 KA03 KA13 KA16 KA28 LA12 5F046 BA02 CC01 CC02 CC04 CC05 CC08 CC09 CC10 CD01 CD04 EB01 EB02 ED01 FA10 FC04 FC05 FC08  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 2H097 GA45 KA03 KA13 KA16 KA28 LA12 5F046 BA02 CC01 CC02 CC04 CC05 CC08 CC09 CC10 CD01 CD04 EB01 EB02 ED01 FA10 FC04 FC05 FC08

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 マスクホルダに保持されたパターン形成
用のマスクよりも大きな露光対象基板を露光チャックに
保持し、該露光チャックを該マスクに対して所定の軸に
よって所定方向にステップ移動することにより、該露光
対象基板を該マスクに対して複数回に分けて所定位置に
順次位置決めし、位置決めされた各所定位置でそれぞれ
露光処理を行う露光装置において、 前記マスクホルダに前記マスクが保持される前に、前記
マスクの位置補正を行う補正手段と、 前記マスクホルダに前記マスクが保持される前に、前記
マスクと前記露光チャックとにそれぞれ設けられた位置
合わせ用のマークを前記各所定位置で検出し、該マーク
の位置に応じた検出信号を出力する検出手段と、 前記検出信号に基づき前記各所定位置における前記露光
チャックに対する前記マスクの位置ずれを求め、該位置
ずれに基づいて該各所定位置で前記マスクを前記軸に対
して所定角度に設定するための補正量を算出する演算手
段と、 前記補正量に基づき前記各所定位置で前記マスクを前記
軸に対して所定角度に設定するよう前記補正手段の駆動
を制御する制御手段とを具えた露光装置。
1. An exposure target substrate larger than a pattern forming mask held by a mask holder is held by an exposure chuck, and the exposure chuck is moved stepwise in a predetermined direction by a predetermined axis with respect to the mask. An exposure apparatus that sequentially positions the substrate to be exposed at a predetermined position in a plurality of times with respect to the mask and performs an exposure process at each of the positioned predetermined positions, wherein before the mask is held by the mask holder, Correcting means for correcting the position of the mask; and detecting alignment marks provided on the mask and the exposure chuck at the respective predetermined positions before the mask is held in the mask holder. Detecting means for outputting a detection signal corresponding to the position of the mark; and the exposure chuck at each of the predetermined positions based on the detection signal. Calculating means for calculating a correction amount for setting the mask at a predetermined angle with respect to the axis at each of the predetermined positions based on the position deviation of the mask with respect to the mask; Control means for controlling driving of the correction means so as to set the mask at a predetermined angle with respect to the axis at each of the predetermined positions.
【請求項2】 前記補正手段は、前記軸の軸方向におい
て、前記マスクに少なくとも2箇所で接して該マスクの
位置補正を行う第1及び第2の位置補正機構と、前記軸
の軸方向と該軸方向と直角をなす直角方向において、前
記マスクに少なくとも1箇所で接して該マスクの位置補
正を行う第3の位置補正機構とを具えることを特徴とす
る請求項1に記載の露光装置。
2. The apparatus according to claim 1, wherein the correcting unit is configured to contact the mask at least at two points in the axial direction of the axis to perform position correction of the mask, 2. The exposure apparatus according to claim 1, further comprising: a third position correction mechanism configured to correct a position of the mask by contacting the mask at least at one position in a direction perpendicular to the axial direction. .
【請求項3】 マスクホルダに保持されたパターン形成
用のマスクよりも大きな露光対象基板を露光チャックに
保持し、該露光チャックを該マスクに対して所定の軸に
よって所定方向にステップ移動することにより、該露光
対象基板を該マスクに対して複数回に分けて所定位置に
順次位置決めし、位置決めされた各所定位置でそれぞれ
露光処理を行う露光装置において、 前記マスクが前記マスクホルダに保持された状態で、前
記マスクホルダの位置補正を行う補正手段と、 前記マスクが前記マスクホルダに保持された状態で、前
記マスクと前記露光チャックとにそれぞれ設けられた位
置合わせ用のマークを前記各所定位置で検出し、該マー
クの位置に応じた検出信号を出力する検出手段と、 前記検出信号に基づき前記各所定位置における前記露光
チャックに対する前記マスクの位置ずれを求め、該位置
ずれに基づいて該各所定位置で前記マスクを前記軸に対
して所定角度に設定するための補正量を算出する演算手
段と、 前記補正量に基づき前記各所定位置で前記マスクホルダ
を前記軸に対して所定角度に設定するよう前記補正手段
の駆動を制御する制御手段とを具えた露光装置。
3. An exposure target substrate larger than a pattern forming mask held by a mask holder is held by an exposure chuck, and the exposure chuck is step-moved in a predetermined direction by a predetermined axis with respect to the mask. An exposure apparatus for sequentially positioning the substrate to be exposed at a predetermined position in a plurality of times with respect to the mask and performing an exposure process at each of the positioned predetermined positions, wherein the mask is held by the mask holder; A correcting means for correcting the position of the mask holder; and, in a state where the mask is held by the mask holder, aligning marks provided on the mask and the exposure chuck at the respective predetermined positions. Detecting means for detecting and outputting a detection signal in accordance with the position of the mark; and Calculating means for calculating a positional shift of the mask with respect to the exposure chuck, calculating a correction amount for setting the mask at a predetermined angle with respect to the axis at each of the predetermined positions based on the positional shift; Control means for controlling driving of the correction means so as to set the mask holder at a predetermined angle with respect to the axis at each of the predetermined positions.
【請求項4】 前記補正手段は、前記軸の軸方向に前記
マスクホルダの位置補正を行う第1の位置補正テーブル
と、前記軸と直角をなす直角方向に前記マスクホルダの
位置補正を行う第2の位置補正テーブルと、前記軸の軸
方向と前記直角方向とが交わる交点回り方向に前記マス
クホルダの位置補正を行う第3の位置補正テーブルとを
具えることを特徴とする請求項3に記載の露光装置。
4. A first position correction table for correcting the position of the mask holder in the axial direction of the axis, and a correcting means for correcting the position of the mask holder in a direction perpendicular to the axis. And a third position correction table for performing position correction of the mask holder in a direction around an intersection point where the axis direction of the axis and the perpendicular direction intersect with each other. Exposure apparatus according to the above.
【請求項5】 マスクホルダに保持されたパターン形成
用のマスクよりも大きな露光対象基板を搬入して露光チ
ャックに保持し、該露光チャックを該マスクに対して所
定の軸によって所定方向にステップ移動することによ
り、該露光対象基板を該マスクに対して複数回に分けて
所定位置に順次位置決めし、位置決めされた各所定位置
でそれぞれ露光処理を行う露光装置において、 前記露光チャックを所定の方向に移動して、前記マスク
に対する前記露光対象基板の位置合わせを行うテーブル
と、 前記露光チャック上に搬入される前記露光対象基板の位
置を検出し、検出信号を出力する検出手段と、 前記検出信号に基づき前記軸に対する前記露光対象基板
の位置ずれを求め、該位置ずれに基づいて前記露光チャ
ックを前記軸に対して所定角度に設定するための補正量
を算出する演算手段と、 前記補正量に基づき前記露光チャックが前記露光対象基
板を保持する前に該露光チャックを前記軸に対して所定
角度に位置決めするよう前記テーブルの駆動を制御する
制御手段とを具えた露光装置。
5. An exposure target substrate larger than a pattern forming mask held by a mask holder is loaded and held on an exposure chuck, and the exposure chuck is step-moved with respect to the mask in a predetermined direction by a predetermined axis. In the exposure apparatus, the exposure target substrate is sequentially positioned at a predetermined position by dividing the exposure target substrate into a plurality of times with respect to the mask, and performs an exposure process at each of the positioned predetermined positions, wherein the exposure chuck is moved in a predetermined direction. A table for moving and aligning the exposure target substrate with respect to the mask, detecting means for detecting a position of the exposure target substrate carried on the exposure chuck, and outputting a detection signal; The position shift of the exposure target substrate with respect to the axis is obtained based on the position shift, and the exposure chuck is set at a predetermined angle with respect to the axis based on the position shift. Calculating means for calculating a correction amount for setting; and driving the table to position the exposure chuck at a predetermined angle with respect to the axis before the exposure chuck holds the substrate to be exposed based on the correction amount. An exposure apparatus, comprising: a control unit for controlling the exposure.
【請求項6】 前記テーブルは、前記軸の軸方向に移動
して、前記マスクに対する前記露光対象基板の位置合わ
せを行う第1のテーブルと、前記軸と直角をなす直角方
向に移動して、前記マスクに対する前記露光対象基板の
位置合わせを行う第2のテーブルと、前記軸の軸方向と
前記直角方向とが交わる交点回り方向に移動して、前記
マスクに対する前記露光対象基板の位置合わせを行う第
3のテーブルとを具えることを特徴とする請求項5に記
載の露光装置。
6. The first table, which moves in the axial direction of the axis, aligns the substrate to be exposed with the mask, and moves in a direction perpendicular to the axis, A second table for aligning the exposure target substrate with respect to the mask; and a second table for moving the exposure target substrate with respect to the mask by moving in a direction around an intersection where the axis direction of the axis intersects the perpendicular direction. The exposure apparatus according to claim 5, further comprising a third table.
【請求項7】 マスクホルダに保持されたパターン形成
用のマスクよりも大きな露光対象基板を搬入して露光チ
ャックに保持し、該露光チャックを該マスクに対して所
定の軸によって所定方向にステップ移動することによ
り、該露光対象基板を該マスクに対して複数回に分けて
所定位置に順次位置決めし、位置決めされた各所定位置
でそれぞれ露光処理を行う露光装置において、前記露光
チャックを所定の方向に移動して前記マスクに対する前
記露光対象基板の位置合わせを行うテーブルを用いて、
前記露光対象基板を前記露光チャックに保持する前に、
該露光対象基板を前記軸に対して位置決めする基板位置
決め方法であって、 前記露光チャック上に搬入される前記露光対象基板の位
置を検出し、検出信号を出力する工程と、 前記検出信号に基づき前記軸に対する前記露光対象基板
の位置ずれを求め、該位置ずれに基づいて前記露光チャ
ックを前記軸に対して所定角度に設定するための補正量
を算出する工程と、 前記補正量に基づき前記露光チャックを前記軸に対して
所定角度に位置決めするよう前記テーブルの駆動を制御
する工程とを具えた露光装置における基板位置決め方
法。
7. An exposure target substrate larger than a pattern forming mask held by a mask holder is loaded and held by an exposure chuck, and the exposure chuck is step-moved with respect to the mask by a predetermined axis in a predetermined direction. In the exposure apparatus, the exposure target substrate is sequentially positioned at a predetermined position in a plurality of times with respect to the mask with respect to the mask, and performs exposure processing at each of the positioned predetermined positions. Using a table to move and align the exposure target substrate with respect to the mask,
Before holding the exposure target substrate on the exposure chuck,
A substrate positioning method for positioning the substrate to be exposed with respect to the axis, wherein the step of detecting the position of the substrate to be exposed loaded on the exposure chuck and outputting a detection signal; and Calculating a displacement of the exposure target substrate with respect to the axis, calculating a correction amount for setting the exposure chuck at a predetermined angle with respect to the axis based on the displacement, and performing the exposure based on the correction amount. Controlling the drive of the table to position the chuck at a predetermined angle with respect to the axis.
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