JPH0774084A - Substrate processor - Google Patents

Substrate processor

Info

Publication number
JPH0774084A
JPH0774084A JP24218793A JP24218793A JPH0774084A JP H0774084 A JPH0774084 A JP H0774084A JP 24218793 A JP24218793 A JP 24218793A JP 24218793 A JP24218793 A JP 24218793A JP H0774084 A JPH0774084 A JP H0774084A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
processing apparatus
substrate processing
alignment
marks
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP24218793A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP3276477B2 (en
Inventor
Yukio Yamane
幸男 山根
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP24218793A priority Critical patent/JP3276477B2/en
Publication of JPH0774084A publication Critical patent/JPH0774084A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3276477B2 publication Critical patent/JP3276477B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Abstract

PURPOSE:To perform the precise prealignment of the next substrate while a substrate processing means processes one sheet of wafer, by correcting cross marks after performing the measure for precise alignment on a carry means. CONSTITUTION:After finish of rough prealignment, in the detection precise prealignment on a carry band part 201 before delivering to an XY-stage, the cross marks 41 and 42 of a wafer W are detected by shifting the band side. Furthermore, as regards the correction drive after detection of the cross marks 41 and 42, for theta direction, they are corrected with a carrying-in band part 201, and for X- and Y-directions, they are corrected with the X- and Y-stage of an exposer body So. Accordingly, while the processing means for a substrate processes one sheet of wafer, the precise alignment of the next substrate is performed in parallel, and the throughput shortens.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子の製造に用
いられる露光装置、特に、露光されるウエハなど基板の
プリアライメントおよび基板供給装置を備えた露光装置
等の基板処理装置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an exposure apparatus used for manufacturing semiconductor elements, and more particularly to a substrate processing apparatus such as an exposure apparatus equipped with a substrate pre-alignment for a substrate such as a wafer to be exposed. .

【0002】[0002]

【従来の技術】従来の縮小投影型の露光装置(以下「ス
テッパ」という。)は、図5に示すように、台盤101
に支持された公知の6軸駆動テーブル機構によって駆動
されるXYステージ102と、XYステージ102上に
載置された微動ステージ103と、その上方に配置され
た縮小投影レンズ系104と、その上方に配置された照
明系105と、照明系105と縮小投影レンズ系104
の間においてレチクル106を支持するレチクル支持装
置(図示せず)とからなるステッパ本体S0 を有し、縮
小投影レンズ系104は、レンズ系支持体104aを介
して台盤101に支持され、また、照明系105は、レ
ンズ系支持体104aと一体である照明係支持体105
aを介して台盤101に支持されている。台盤101と
床107の間には複数のエアマウント108が設けら
れ、台盤101は、各エアマウント108によって弾力
的に支持され、これによって床107の振動が直接ステ
ッパ本体S0 に伝達するのを防止するとともに、ステッ
パ本体S0 の自己振動による共振を防ぎ、かつウエハ搬
送用コンベアなどから伝わる外部振動を吸収する。
2. Description of the Related Art A conventional reduction projection type exposure apparatus (hereinafter referred to as "stepper") has a base 101 as shown in FIG.
The XY stage 102 driven by a known 6-axis drive table mechanism supported on the XY stage 102, a fine movement stage 103 mounted on the XY stage 102, a reduction projection lens system 104 arranged above the XY stage 102, and a fine projection lens system 104 above it. Arranged illumination system 105, illumination system 105 and reduction projection lens system 104
A stepper body S 0 consisting reticle supporting device (not shown) which supports the reticle 106 during the reduction projection lens system 104 is supported by the weighing table 101 via the lens system support 104a, also The illumination system 105 is an illumination support 105 that is integral with the lens system support 104a.
It is supported by the base 101 via a. A plurality of air mounts 108 are provided between the base 101 and the floor 107, and the base 101 is elastically supported by each air mount 108, whereby the vibration of the floor 107 is directly transmitted to the stepper body S 0 . The stepper body S 0 is prevented from resonating due to self-vibration, and external vibration transmitted from a wafer transfer conveyor or the like is absorbed.

【0003】照明系105から発せられた照明光は、レ
チクル106および縮小投影レンズ系104を経てトッ
プステージ103に吸着されたウエハW0 に照射され、
ウエハW0 の表面のレジストを露光する。
The illumination light emitted from the illumination system 105 passes through the reticle 106 and the reduction projection lens system 104 and is applied to the wafer W 0 adsorbed on the top stage 103,
The resist on the surface of the wafer W 0 is exposed.

【0004】ステッパ本体S0 の側傍には、ウエハを自
動的に供給、回収するための基板供給装置F0 が配置さ
れ、該基板供給装置F0 は、図6に示すように、図示し
ないウエハ搬送用コンベアなどから搬入されたウエハを
集積する供給用カセット109と、供給用カセット10
9から図示しないロボットによって順次取り出されたウ
エハのプリアライメントを行なうプリアライメント装置
110と、プリアライメントを終えたウエハをステッパ
本体S0 に搬入する搬入ハンド111と、露光、焼付け
を終えたウエハをステッパ本体S0 から回収する搬出ハ
ンド112と、搬出ハンド112によって回収されたウ
エハを集積する回収用カセット113を有し、これらは
すべて、ステッパ本体S0 の台盤101と一体である支
持台114上に支持されており、供給用カセット109
内のウエハを前述のロボットによって順次取り出してプ
リアライメント装置110に送り、プリアライメントを
終えたウエハを搬入ハンド111によってステッパ本体
0 に搬入して露光、焼付けを行ない、露光、焼付けを
終えたウエハを搬出ハンド112によってステッパ本体
0 から回収して回収用カセット113に収納する一連
の動作が連続して行なわれる。
A substrate supply device F 0 for automatically supplying and recovering wafers is arranged beside the stepper body S 0 , and the substrate supply device F 0 is not shown as shown in FIG. A supply cassette 109 for accumulating wafers carried in from a wafer transfer conveyor or the like, and a supply cassette 10.
9, a pre-alignment apparatus 110 for pre-aligning wafers sequentially taken out by a robot (not shown), a carry-in hand 111 for carrying the pre-aligned wafers into the stepper body S 0 , and a stepper for exposing and exposing the wafers. It has a carry-out hand 112 for collecting from the main body S 0 and a collecting cassette 113 for accumulating the wafers collected by the carry-out hand 112, and these are all on a support base 114 which is integrated with the base 101 of the stepper main body S 0. Is supported by the supply cassette 109
The wafers therein are sequentially taken out by the robot described above and sent to the pre-alignment apparatus 110, and the pre-aligned wafers are carried into the stepper body S 0 by the carry-in hand 111 to be exposed and baked, and the exposed and baked wafers are completed. A series of operations for collecting the sheet from the stepper body S 0 by the carry-out hand 112 and storing it in the collecting cassette 113 are continuously performed.

【0005】プリアライメント装置110は、供給用カ
セット109から供給されたウエハを吸着するプリアラ
イメントステージ115と、プリアライメントステージ
115を、互いに直交する2軸(以下、それぞれ「X
軸、Y軸」という。)の方向に往復移動させるととも
に、前記2軸に垂直な軸(以下、「Z軸」という。)の
まわりに回転させるプリアライメントステージ駆動装置
116と、プリアライメントステージ115に吸着され
たウエハの位置を検出するポジションセンサ117から
なる。ポジションセンサ117は、図7の(a)および
(b)に示すように、1個のXポジションセンサ117
aと、X軸方向に所定の間隔で配置された一対のYポジ
ションセンサ117b,117cを有し、まず、プリア
ライメントステージ115を回転させながら、Xポジシ
ョンセンサ117aの出力からウエハW1 のオリフラ
(外周縁に設けられた切欠き)C1 の回転方向位置を検
出し、該オリフラC1 が両Yポジションセンサ117
b,117cに平行になる位置でプリアライメントステ
ージ115の回転を停止したうえで(図7の(b)で示
す)、プリアライメントステージ115をY軸方向へ移
動させて両Yポジションセンサ117b,117cの出
力に基づいてY軸方向の位置合わせを行ない、続いてプ
リアライメントステージ115をX軸方向へ移動させて
Xポジションセンサ117aによるX軸方向の位置合わ
せを行なう。
The pre-alignment apparatus 110 includes a pre-alignment stage 115 for adsorbing a wafer supplied from the supply cassette 109 and a pre-alignment stage 115 which are orthogonal to each other in two axes (hereinafter referred to as "X").
Axis, Y axis ". ) Direction and a pre-alignment stage drive device 116 that rotates around an axis (hereinafter, referred to as “Z axis”) perpendicular to the two axes, and a position of the wafer attracted to the pre-alignment stage 115. A position sensor 117 for detecting As shown in FIGS. 7A and 7B, the position sensor 117 includes one X position sensor 117.
a and a pair of Y position sensors 117b and 117c arranged at a predetermined interval in the X-axis direction. First, while rotating the pre-alignment stage 115, the orientation flat of the wafer W 1 from the output of the X position sensor 117a ( The rotation direction position of the notch C 1 provided on the outer peripheral edge is detected, and the orientation flat C 1 is detected by both Y position sensors 117.
After the rotation of the pre-alignment stage 115 is stopped at a position parallel to the b and 117c (shown in (b) of FIG. 7), the pre-alignment stage 115 is moved in the Y-axis direction to move both the Y position sensors 117b and 117c. The position adjustment in the Y-axis direction is performed based on the output of the above, and then the pre-alignment stage 115 is moved in the X-axis direction to perform the position adjustment in the X-axis direction by the X position sensor 117a.

【0006】このようにして、プリアライメントを終え
たウエハは搬入ハンド111によってステッパ本体S0
に搬入され、XYステージ102によるより精度の高い
最終アライメントののち、前述のように露光される。最
終アライメントは、ウエハに予め焼き付けられたアライ
メントマークを光学的に検出してXYステージ102を
駆動するもので、1/100μmの誤差を問題にする程
の高精度を必要とし、加えて、スループットの向上のた
めに、1/100秒の遅れを問題にする程の高速度で行
なわれる。
In this way, the wafer, which has been pre-aligned, is moved by the carry-in hand 111 to the stepper body S 0.
Then, after the final alignment with higher accuracy by the XY stage 102, the wafer is exposed as described above. The final alignment is to drive the XY stage 102 by optically detecting an alignment mark pre-printed on the wafer, which requires a high precision enough to make an error of 1/100 μm a problem. For improvement, it is performed at such a high speed that a delay of 1/100 second is a problem.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとしている課題】しかしながら、上
記従来例のようなプリアライメント方式では、20〜3
0μmの精度しか達成できないため、最終高精度アライ
メントのための検出必要領域(5μm程度)に入ってこ
ない。そのためにXYステージ102上で再度、ウエハ
内に設けられた2ケのプリアライメントマークを光学的
に検出し、精密プリアライメントを行なっている。この
ように、精密プリアライメントの整合マーク計測および
駆動がXYステージ上に搭載後行なわれるため、その時
間分だけ生産性(スループット)に不利となり、且つ、
XYテーブル上に粗θ回転機構を設けるなど機構が複雑
になるばかりでなく、重量増となり、XYステージ10
2のステップ時間が長くなり、スループット低下を余儀
なくされてしまっている。
However, in the pre-alignment method as in the above-mentioned conventional example, 20 to 3 is used.
Since only 0 μm accuracy can be achieved, it does not enter the detection necessary area (about 5 μm) for final high-precision alignment. Therefore, the two pre-alignment marks provided in the wafer are optically detected again on the XY stage 102 to perform precision pre-alignment. In this way, since the alignment mark measurement and driving of the precision pre-alignment are performed after mounting on the XY stage, the productivity (throughput) is disadvantageous by that amount of time, and
Not only is the mechanism complicated, such as by providing a coarse θ rotation mechanism on the XY table, but also the weight is increased.
The step time of 2 becomes long, and the throughput is inevitably reduced.

【0008】本発明の目的は、このような従来技術の問
題点に鑑み、基板処理装置においてスループットを向上
させることにある。
An object of the present invention is to improve the throughput in a substrate processing apparatus in view of the above problems of the prior art.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
本発明では、基板を保持する手段と、この基板保持手段
を駆動させて基板の精密なアライメントを行う手段と、
前記基板保持手段に保持され精密なアライメントが行わ
れた基板に対し所定の処理を行う基板処理手段と、基板
を保持して移動させる基板駆動手段、この基板駆動手段
によって保持された基板の端部を非接触で検出するセン
サ、および、このセンサの出力値が所定の目標値に対す
る所定のトレランス範囲内となるように前記基板駆動手
段の動作を制御して前記基板の比較的粗い位置決めを行
なう制御手段を備えるプリアライメント手段と、この粗
位置決めが行われた基板を保持して前記基板保持手段上
に搬送する搬送手段とを備えた基板処理装置において、
この搬送手段が粗位置決めされた基板を保持した状態で
その基板上の2点以上のマークを検出するマーク検出手
段と、この検出結果に基づいて、比較的精密なプリアラ
イメントを行うための、基準位置に対するX,Y方向お
よびZ軸を中心とする回転方向であるθ方向のずれ量を
得る手段とを具備するようにしている。
To achieve this object, in the present invention, means for holding a substrate, means for driving the substrate holding means to perform precise alignment of the substrate,
Substrate processing means for performing a predetermined process on the substrate held by the substrate holding means and subjected to precise alignment, substrate driving means for holding and moving the substrate, and an end portion of the substrate held by the substrate driving means And a control for performing relatively rough positioning of the substrate by controlling the operation of the substrate driving means so that the output value of the sensor is within a predetermined tolerance range with respect to a predetermined target value. In a substrate processing apparatus including a pre-alignment unit including a unit, and a transfer unit that holds the substrate on which the rough positioning is performed and transfers the substrate onto the substrate holding unit,
A mark detecting means for detecting two or more marks on the substrate while the carrying means holds the roughly positioned substrate, and a reference for performing relatively precise pre-alignment based on the detection result. And a means for obtaining the amount of deviation in the θ direction, which is the rotational direction about the Z axis and the Z axis with respect to the position.

【0010】前記搬送手段は、例えば、前記基板を保持
した状態で前記θ方向のずれを補正する手段を有し、前
記基板処理装置はさらに、前記搬送手段が前記基板保持
手段上に基板を受け渡す際に前記基板保持手段を駆動制
御しあるいは前記基板保持手段の駆動時のオフセット値
とすることにより前記X,Y方向のずれを補正する手段
を備える。また、前記搬送手段は、前記基板を保持した
状態で前記X,Y方向及びθ方向のずれを補正する手段
を有するようにしても良い。あるいは、前記基板保持手
段を駆動制御して前記X,Y方向及びθ方向のずれを補
正する手段を有するようにしても良い。
The transfer means has, for example, means for correcting the deviation in the θ direction while holding the substrate, and the substrate processing apparatus further includes the transfer means for receiving the substrate on the substrate holding means. There is provided means for correcting the displacement in the X and Y directions by drivingly controlling the substrate holding means at the time of transfer or by using an offset value when the substrate holding means is driven. Further, the carrying means may have means for correcting the displacement in the X, Y and θ directions while holding the substrate. Alternatively, the substrate holding means may be drive-controlled to have a means for correcting the deviation in the X, Y and θ directions.

【0011】前記マーク検出手段は、例えば、前記搬送
手段を駆動制御してそれに保持された前記基板上の2点
以上のマークを順次所定の検出位置に位置させ、それら
マークを検出するものである。また、前記マーク検出手
段は、2系統の検出系を有し、それにより異なる2点に
位置するマークを同時に検出することが可能であり、前
記搬送手段を駆動制御してそれに保持された基板を所定
の検出位置に位置させ、その基板上の2つのマークを同
時に検出するものであるようにしても良い。さらに前記
2系統の検出系間の距離が調整可能であるのが好まし
い。あるいは前記マーク検出手段は、前記搬送手段を駆
動制御して所定の検出位置に停止させ、それに保持され
た基板の前記2点以上のマークを自信が移動して順次検
出するものであっても良い。前記所定の検出位置は、前
記搬送手段における前記基板保持手段への搬送経路上に
位置するのが好ましい。
The mark detecting means, for example, drives and controls the conveying means to sequentially position two or more marks held on the substrate at predetermined detection positions and detect the marks. . Further, the mark detecting means has two detection systems, and by doing so, it is possible to detect marks located at two different points at the same time. It may be arranged so as to be located at a predetermined detection position and detect two marks on the substrate at the same time. Furthermore, it is preferable that the distance between the two detection systems can be adjusted. Alternatively, the mark detecting means may drive-control the conveying means to stop the conveying means at a predetermined detection position and sequentially detect the marks at two or more points on the substrate held by the mark by moving the marks. . It is preferable that the predetermined detection position is located on a transportation path of the transportation means to the substrate holding means.

【0012】前記基板処理手段は、例えば、前記基板に
半導体素子を形成するための露光手段、あるいは前記基
板を検査する検査手段である。
The substrate processing means is, for example, an exposure means for forming a semiconductor element on the substrate or an inspection means for inspecting the substrate.

【0013】[0013]

【作用】この構成によれば、粗いプリアライメントが行
われた基板について、基板処理手段への搬送途中におい
て、搬送手段上でさらにずれが検出されるため、より精
密なプリアライメントが可能となる。したがって、基板
処理手段が1枚のウエハを処理している間に次の基板の
精密プリアライメントが並行して行なわれ、スループッ
トが大幅に短縮する。また、基板処理手段における基板
保持手段上に基板が受け渡された時には精密なプリアラ
イメントが実質的に完了していることになり、基板処理
手段におけるプリアライメント用θ機構は不用となる。
したがって、基板処理手段において、6軸テーブル(X
Yステージ含む)等の機構が簡略、且つ、軽量化される
とともに、高精度でかつ高生産性の基板処理装置が提供
される。
According to this structure, with respect to the substrate on which the rough pre-alignment has been performed, the deviation is further detected on the carrying means during the carrying to the substrate processing means, so that more precise pre-alignment can be performed. Therefore, while the substrate processing means is processing one wafer, the precision pre-alignment of the next substrate is performed in parallel, and the throughput is greatly reduced. Further, when the substrate is transferred onto the substrate holding means in the substrate processing means, the precise pre-alignment is substantially completed, and the pre-alignment θ mechanism in the substrate processing means becomes unnecessary.
Therefore, in the substrate processing means, the 6-axis table (X
It is possible to provide a substrate processing apparatus having a high precision and a high productivity while having a simple and lightweight mechanism such as a Y stage).

【0014】[0014]

【実施例】図1は、本発明の一実施例に係る露光装置の
要部概略図である。図2は、図1の装置の基板供給装置
部分を示す模式平面図である。図3は、そのラフプリア
ライメント部の模式立面図である。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS FIG. 1 is a schematic view of a main part of an exposure apparatus according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a schematic plan view showing a substrate supply device portion of the device of FIG. FIG. 3 is a schematic elevation view of the rough pre-alignment section.

【0015】図1において、9は露光転写すべきパター
ンを有する原版(レチクル)、11は被露光体としての
レジストが塗布されている原版を露光位置において保持
するウエハチャク、8は露光照明系(不図示)からの光
束で照明されるレチクル9面上のパターンをウエハチャ
ック11上に載置されたウエハW上に投影露光する投影
レンズである。露光されたウエハW面上のレジストを公
知の現像処理工程を介して処理することにより半導体素
子が製造される。
In FIG. 1, reference numeral 9 is an original plate (reticle) having a pattern to be exposed and transferred, 11 is a wafer chuck for holding an original plate on which a resist as an exposed object is applied at an exposure position, and 8 is an exposure illumination system (not shown). A projection lens for projecting and exposing a pattern on the surface of the reticle 9 illuminated by the light flux from the drawing) onto the wafer W mounted on the wafer chuck 11. A semiconductor element is manufactured by processing the exposed resist on the surface of the wafer W through a known developing process.

【0016】1XはX方向の測長を行なうレーザ干渉
計、1YはY方向の測長を行なうレーザ干渉計、2Yθ
はヨーイング計測を行なうためのレーザ干渉計である。
3はこれらレーザ干渉系によって測定されるミラー(被
測定面XY)でありθ回転テーブル(微動ステージ)5
上に載置されている。
1X is a laser interferometer for measuring the length in the X direction, 1Y is a laser interferometer for measuring the length in the Y direction, and 2Yθ
Is a laser interferometer for performing yawing measurement.
Reference numeral 3 denotes a mirror (measurement surface XY) measured by these laser interference systems, and a θ rotation table (fine movement stage) 5
It is placed on top.

【0017】微動ステージ5はXYテーブル(X,Yス
テージ)4上に設置されている。6は圧電素子を用いて
θ回転テーブル5を回動させる回転駆動機構、7a,7
bはXYテーブル4を各々X,Y方向に駆動する駆動部
(モータ)である。θ回転テーブル5内には、ここでは
図示していないが、θ回転テーブル5をZ方向および傾
斜(チルト)方向に駆動する駆動系も内蔵している。
The fine movement stage 5 is installed on the XY table (X, Y stage) 4. Reference numeral 6 is a rotary drive mechanism for rotating the θ rotary table 5 using a piezoelectric element, and 7a, 7a.
Reference numeral b is a drive unit (motor) that drives the XY table 4 in the X and Y directions, respectively. Although not shown here, the θ rotary table 5 also has a built-in drive system for driving the θ rotary table 5 in the Z direction and the tilt direction.

【0018】10は駆動回路などを含む制御ボックスで
ある。回転テーブル5およびXYテーブル4の上には不
図示の検出マークが設けられている。16はオフアクシ
ス顕微鏡である。
Reference numeral 10 is a control box including a drive circuit and the like. Detection marks (not shown) are provided on the rotary table 5 and the XY table 4. 16 is an off-axis microscope.

【0019】図2に示すようにステッパ本体S0 の側傍
には、ウエハを自動的に供給、回収するための基板供給
装置F0 が配置され、基板供給装置F0 は図示しないウ
エハ搬送用コンベアなどから搬入されたウエハを集積す
る供給用カセット109、供給用カセット109から図
示しないロボットによって順次取り出されたウエハのプ
リアライメントを行なうラフプリアライメント装置11
0、および、ラフプリアライメントを終えたウエハをス
テッパ本体S0 に搬入する搬入ハンド部201を有して
いる。搬入ハンド部201は、直線ガイド204、およ
び直線および上下駆動部205、さらに図3に示すよう
に、回転可能に保持されたウエハ吸着ハンド203、お
よびその回転駆動部202で構成されている。ウエハス
テージ系を構成するXYテーブル4およびθ回転テーブ
ル5によってステップ&露光を繰り返し、露光を終了し
たウエハは回収ハンド112によって回収するようにな
っている。
As shown in FIG. 2, a substrate supply device F 0 for automatically supplying and recovering wafers is arranged near the side of the stepper body S 0 , and the substrate supply device F 0 is for wafer transfer (not shown). A supply cassette 109 for accumulating wafers carried in from a conveyor or the like, and a rough pre-alignment device 11 for performing pre-alignment of wafers sequentially taken out from the supply cassette 109 by a robot (not shown).
It has a carry-in hand section 201 for carrying in 0 and the wafer after rough pre-alignment into the stepper main body S 0 . The carry-in hand unit 201 includes a linear guide 204, a linear and vertical drive unit 205, and as shown in FIG. 3, a wafer suction hand 203 rotatably held and a rotary drive unit 202 thereof. The step and exposure are repeated by the XY table 4 and the θ rotation table 5 which constitute the wafer stage system, and the wafer after the exposure is recovered by the recovery hand 112.

【0020】プリアライメント装置110は、従来例で
説明したものと同様に供給用カセット109から取り出
されたウエハを載置するプリアライメントステージ11
5、これをX軸、Y軸方向およびZ軸のまわりに移動さ
せるプリアライメントステージ駆動装置116、ウエハ
のオリフラを検出するポジションセンサ117を有す
る。
The pre-alignment apparatus 110 has a pre-alignment stage 11 on which a wafer taken out of the supply cassette 109 is placed, as in the case of the conventional example.
5, a pre-alignment stage drive unit 116 for moving the unit around the X-axis, Y-axis direction and Z-axis, and a position sensor 117 for detecting the orientation flat of the wafer.

【0021】供給用カセット109から取り出され、プ
リアライメントステージ115に載置されたウエハW
は、プリアライメント装置110によって所定の位置に
位置合せされた後、搬入ハンド203(搬入ハンド部2
01)によって吸着保持される。その後、図4に示すよ
うに、ウエハW上の十字マーク41がオフアクシス顕微
鏡16の下に来るまで直線ガイド204に沿って移動さ
れ(図4の位置)、次にウエハ面がこのオフアクシス
顕微鏡16のピント面に位置するまで上下駆動部205
によって上昇される。なお、この代わりに、予めオフア
クシス顕微鏡16のピント面をウエハ通過位置に合わせ
ておくか、さらにはオフアクシス顕微鏡16にフォーカ
ス系を設けてオフアクシス顕微鏡16もしくはウエハを
動作させてピントをとっても良い。
The wafer W taken out of the supply cassette 109 and placed on the pre-alignment stage 115.
After being aligned at a predetermined position by the pre-alignment device 110, the carry-in hand 203 (the carry-in hand unit 2
It is adsorbed and held by 01). After that, as shown in FIG. 4, the cross mark 41 on the wafer W is moved along the linear guide 204 until it comes under the off-axis microscope 16 (position in FIG. 4), and then the wafer surface is moved to the off-axis microscope 16. Vertical drive unit 205 until it is located on the focus surface of 16
Is raised by. Instead of this, the focus surface of the off-axis microscope 16 may be adjusted in advance to the wafer passage position, or a focus system may be provided in the off-axis microscope 16 to operate the off-axis microscope 16 or the wafer to focus. .

【0022】この位置でウエハ上に設けたTV画像計測
用の十字マーク41を検出し、基準位置からのずれを計
測する。同様にウエハをさらに、直線ガイド204に沿
ってウエハ上のもう一方の十字マーク42がオフアクシ
ス顕微鏡16の下に来る位置(図4のの位置)まで移
動させ、オフアクシス顕微鏡によって十字マーク42を
検出する。この十字マーク41,42の2点の位置情報
からX,Yおよびθ方向の基準位置に対するウエハ位置
の誤差を算出し、θ回転方向については回転駆動部20
2によって吸着ハンド203を所定量回転させて誤差を
補正する。
At this position, the cross mark 41 for TV image measurement provided on the wafer is detected, and the deviation from the reference position is measured. Similarly, the wafer is further moved along the linear guide 204 to the position where the other cross mark 42 on the wafer is below the off-axis microscope 16 (the position in FIG. 4), and the cross mark 42 is moved by the off-axis microscope. To detect. The error of the wafer position with respect to the reference position in the X, Y and θ directions is calculated from the position information of the two points of the cross marks 41 and 42, and the rotation drive unit 20 in the θ rotation direction.
2, the suction hand 203 is rotated by a predetermined amount to correct the error.

【0023】その後、ハンド部201をウエハ供給位置
(図4のの位置)まで移動させ、ウエハWをウエハチ
ャック11に受け渡す際にX,YについてXYステージ
4側を補正駆動し受渡しを行なう。
After that, the hand section 201 is moved to the wafer supply position (the position shown in FIG. 4), and when the wafer W is transferred to the wafer chuck 11, the XY stage 4 side is corrected and driven for X and Y transfer.

【0024】ここで、ウエハWのX,Y基準位置に対す
る一定量のずれ、およびステッパ本体のY軸(ないしX
軸)に対する直線ガイド204の軸(Y軸)の一定量の
角度誤差はオフセットとして予め入力されている。
Here, a certain amount of deviation of the wafer W from the X and Y reference positions, and the Y axis (or X) of the stepper body.
A certain amount of angular error of the axis (Y axis) of the linear guide 204 with respect to the axis is input in advance as an offset.

【0025】また、ウエハステージに受け渡す際に生じ
る受渡しずれ、および回転機構202による回転誤差の
誤差残量は、最終アライメント時における検出領域内で
の誤差である。したがって、受け渡されたウエハWは、
最終アライメント時に、図示しないアライメント光学
系、ならびにXYステージ4とθ回転テーブル5を駆動
させるX,Yおよびファインθ機構によって、最終位置
合せがなされ、公知の方法でウエハの露光が行なわれ
る。この最終アライメント計測およびステップ&リピー
トの繰返し露光中に、次のウエハのラフプリアライメン
トおよび精密プリアライメント計測およびθ駆動が行な
われる。
Further, the delivery deviation that occurs when the wafer is delivered to the wafer stage and the remaining error of the rotation error by the rotation mechanism 202 are the errors in the detection area at the time of the final alignment. Therefore, the delivered wafer W is
At the time of final alignment, final alignment is performed by an alignment optical system (not shown) and X, Y and fine θ mechanisms that drive the XY stage 4 and the θ rotary table 5, and the wafer is exposed by a known method. During the final alignment measurement and the step-and-repeat repeated exposure, rough pre-alignment and precise pre-alignment measurement of the next wafer and θ drive are performed.

【0026】露光が終了したウエハは、ウエハステージ
(4,5)によって回収位置に移動され、回収ハンド1
12によって回収され、引き続いて次のウエハについて
XYステージ4がオフアクシス顕微鏡16の検出結果に
基づいてX,Yの補正移動を行った後、搬入ハンド部2
01による受渡しが行なわれる。
The exposed wafer is moved to the collecting position by the wafer stage (4, 5), and the collecting hand 1
After the wafer is recovered by 12, the XY stage 4 performs the X and Y correction movement on the next wafer based on the detection result of the off-axis microscope 16, and then the loading hand unit 2
Delivery by 01 is performed.

【0027】なお、本実施例では、ラフプリアライメン
ト終了後、XYステージ4に受け渡す前の搬入ハンド部
201上の精密プリアライメントの検出においてはハン
ド側を移動してウエハW上のマーク41,42を検出す
るようにしているが、図8に示すように、オフアクシス
顕微鏡16を2眼にしてこれらマークを同時検出するよ
うにしても良い。また、この際、ウエハ上のマーク4
1,42位置に対応して顕微鏡16のスパンを調節出来
るようにしておけば種々のレイアウトに対応可能とな
る。
In this embodiment, after the rough pre-alignment is completed, the hand side is moved to detect the precise pre-alignment on the carry-in hand section 201 before the transfer to the XY stage 4, and the marks 41, 41 on the wafer W are moved. Although 42 is detected, the marks may be detected simultaneously with the off-axis microscope 16 having two eyes as shown in FIG. At this time, the mark 4 on the wafer
If the span of the microscope 16 can be adjusted according to the positions 1, 42, various layouts can be supported.

【0028】また、検出するオフアクシス顕微鏡16が
単眼である場合、オフアクシス顕微鏡16側を駆動して
マーク41,42を検出するようにしても良い。
When the off-axis microscope 16 to be detected is a monocular, the off-axis microscope 16 side may be driven to detect the marks 41 and 42.

【0029】さらに、マーク41,42検出後の補正駆
動について、θ方向は搬入ハンド部201により補正
し、X,Y方向は露光装置本体S0 のXYステージ4で
補正するようにしているが、X,Y,θ全方向について
搬入ハンド部201により補正し、あるいは露光装置本
体S0 側で補正するようにしても良い。
Further, regarding the correction drive after detecting the marks 41, 42, the θ direction is corrected by the carry-in hand unit 201, and the X, Y directions are corrected by the XY stage 4 of the exposure apparatus main body S 0 . The X, Y, and θ all directions may be corrected by the carry-in hand unit 201 or may be corrected on the exposure apparatus main body S 0 side.

【0030】[0030]

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、搬
送手段上で精密なプリアライメント用の計測を行い、さ
らには補正するようにしたため、基板処理手段が1枚の
ウエハを処理している間に次の基板の精密プリアライメ
ントを並行して行なうことができるため、スループット
を大幅に短縮することができる。
As described above, according to the present invention, since the precise pre-alignment measurement is carried out on the transfer means and the correction is further performed, the substrate processing means processes one wafer. Since the pre-alignment of the next substrate can be performed in parallel while it is in the middle, the throughput can be significantly reduced.

【0031】また、基板処理手段において精密プリアラ
イメント用のθ駆動機構が不用となり、レーザ測長光を
当てるミラー面ごと回転する最終アライメント用微θ機
構のみを設けることで足りるため、構造を簡素化するこ
とができ、精度向上やステップ時間等の短縮を図ること
ができ、生産性の大幅な向上が可能となる。
Further, the θ driving mechanism for precise pre-alignment is not required in the substrate processing means, and it is sufficient to provide only the final fine alignment θ mechanism for rotating the mirror surface to which the laser length measuring light is applied, so that the structure is simplified. Therefore, it is possible to improve the accuracy, shorten the step time, etc., and significantly improve the productivity.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】 本発明の一実施例に係る露光装置の要部概略
図である。
FIG. 1 is a schematic view of a main part of an exposure apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図2】 図1の装置の基板供給装置部分を示す模式平
面図である。
FIG. 2 is a schematic plan view showing a substrate supply device portion of the device of FIG.

【図3】 図1の装置のラフプリアライメント部の模式
立面図である。
FIG. 3 is a schematic elevational view of a rough pre-alignment unit of the apparatus shown in FIG.

【図4】 図1の装置における精密プリアライメント計
測の様子を示す模式平面図である。
4 is a schematic plan view showing a state of precision pre-alignment measurement in the apparatus of FIG.

【図5】 従来例に係る露光装置を示す模式立面図であ
る。
FIG. 5 is a schematic elevational view showing an exposure apparatus according to a conventional example.

【図6】 図5の装置の模式平面図である。6 is a schematic plan view of the device of FIG.

【図7】 図1及び図5の装置におけるプリアライメン
ト装置のポジションセンサを説明するもので、ウエハの
オリフラを検出する前の状態、および該オリフラが検出
された状態を示す説明図である。
FIG. 7 is a diagram for explaining the position sensor of the pre-alignment apparatus in the apparatus of FIGS. 1 and 5, and is an explanatory diagram showing a state before detecting the orientation flat of the wafer and a state in which the orientation flat is detected.

【図8】 本発明の他の実施例に係る露光装置を示す模
式平面図である。
FIG. 8 is a schematic plan view showing an exposure apparatus according to another embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

0 :ステッパ本体、F0 :基板供給装置、101:ヘ
ンス定盤、1X,1Y,2Yθ:レーザ干渉計、3:レ
ーザ測長用参照ミラー、4,102:XYステージ、
5,103:微動ステージ、6:θ微動アクチュエー
タ、7a,7b:XY駆動部、8,104:レンズ、
9,106:レチクル、10:制御部、W,W0 :ウエ
ハ、105:照明系、107:床、16:オフアクシス
顕微鏡、108:マウント、109:供給用カセット、
110:ラフプリアライメント装置、111:搬入ハン
ド、112:搬出ハンド、113:回収用カセット、1
14:搬送系支持台、115:プリアライメントステー
ジ、116:プリアライメント駆動装置、117(a,
b,c):ポジションセンサ、201:搬入ハンド部、
202:吸着ハンド回転駆動部、203:ウエハ吸着ハ
ンド、204:直線ガイド、205:直線および上下駆
動部。
S 0 : Stepper body, F 0 : Substrate supply device, 101: Hens surface plate, 1X, 1Y, 2Yθ: Laser interferometer, 3: Laser length reference mirror, 4, 102: XY stage,
5, 103: fine movement stage, 6: θ fine movement actuator, 7a, 7b: XY drive unit, 8, 104: lens,
9, 106: reticle, 10: control unit, W, W 0 : wafer, 105: illumination system, 107: floor, 16: off-axis microscope, 108: mount, 109: supply cassette,
110: rough pre-alignment device, 111: carry-in hand, 112: carry-out hand, 113: collection cassette, 1
14: transport system support, 115: pre-alignment stage, 116: pre-alignment drive device, 117 (a,
b, c): position sensor, 201: carry-in hand section,
202: suction hand rotation drive unit, 203: wafer suction hand, 204: linear guide, 205: linear and vertical drive unit.

フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 21/68 G Continuation of front page (51) Int.Cl. 6 Identification code Office reference number FI technical display location H01L 21/68 G

Claims (11)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板を保持する手段と、 この基板保持手段を駆動させて基板の精密なアライメン
トを行う手段と、 前記基板保持手段に保持され精密なアライメントが行わ
れた基板に対し所定の処理を行う基板処理手段と、 基板を保持して移動させる基板駆動手段、この基板駆動
手段によって保持された基板の端部を非接触で検出する
センサ、および、このセンサの出力値が所定の目標値に
対する所定のトレランス範囲内となるように前記基板駆
動手段の動作を制御して前記基板の比較的粗い位置決め
を行なう制御手段を備えるプリアライメント手段と、 この粗位置決めが行われた基板を保持して前記基板保持
手段上に搬送する搬送手段とを備えた基板処理装置にお
いて、 この搬送手段が粗位置決めされた基板を保持した状態で
その基板上の2点以上のマークを検出するマーク検出手
段と、この検出結果に基づいて、比較的精密なプリアラ
イメントを行うための、基準位置に対するX,Y方向お
よびZ軸を中心とする回転方向であるθ方向のずれ量を
得る手段とを具備することを特徴とする基板処理装置。
1. A means for holding a substrate, a means for driving the substrate holding means to perform a precise alignment of the substrate, and a predetermined treatment for the substrate held by the substrate holding means and subjected to the precise alignment. Substrate processing means for performing the above, a substrate driving means for holding and moving the substrate, a sensor for non-contact detection of the edge of the substrate held by the substrate driving means, and an output value of this sensor is a predetermined target value. A pre-alignment means including a control means for controlling the operation of the substrate driving means so that the substrate is relatively coarsely positioned within a predetermined tolerance range with respect to In a substrate processing apparatus comprising a transfer means for transferring the substrate onto the substrate holding means, the transfer means holds the roughly positioned substrate on the substrate. Mark detection means for detecting marks at or above points, and θ direction, which is a rotation direction about the X and Y directions and the Z axis with respect to the reference position, for performing relatively precise prealignment based on the detection result. And a means for obtaining a deviation amount of the substrate processing apparatus.
【請求項2】 前記搬送手段は、前記基板を保持した状
態で前記θ方向のずれを補正する手段を有し、前記基板
処理装置はさらに、前記搬送手段が前記基板保持手段上
に基板を受け渡す際に前記基板保持手段を駆動制御しあ
るいは前記基板保持手段の駆動時のオフセット値とする
ことにより前記X,Y方向のずれを補正する手段を備え
ることを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。
2. The transfer means has means for correcting the deviation in the θ direction while holding the substrate, and the substrate processing apparatus further comprises the transfer means for receiving the substrate on the substrate holding means. 2. The substrate according to claim 1, further comprising means for correcting the displacement in the X and Y directions by controlling the driving of the substrate holding means at the time of transfer or by using an offset value when the substrate holding means is driven. Processing equipment.
【請求項3】 前記搬送手段は、前記基板を保持した状
態で前記X,Y方向及びθ方向のずれを補正する手段を
有することを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。
3. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the transfer unit has a unit that corrects the deviation in the X, Y and θ directions while holding the substrate.
【請求項4】 前記基板保持手段を駆動制御して前記
X,Y方向及びθ方向のずれを補正する手段を有する請
求項1記載の基板処理装置。
4. The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising means for driving and controlling the substrate holding means to correct the deviation in the X, Y and θ directions.
【請求項5】 前記マーク検出手段は、前記搬送手段を
駆動制御してそれに保持された前記基板上の2点以上の
マークを順次所定の検出位置に位置させ、それらマーク
を検出するものであることを特徴とする請求項1記載の
基板処理装置。
5. The mark detecting means is for driving and controlling the conveying means to sequentially position two or more marks on the substrate held by the conveying means at predetermined detection positions and detect the marks. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein:
【請求項6】 前記マーク検出手段は、2系統の検出系
を有し、それにより異なる2点に位置するマークを同時
に検出することが可能であり、前記搬送手段を駆動制御
してそれに保持された基板を所定の検出位置に位置さ
せ、その基板上の2つのマークを同時に検出するもので
あることを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。
6. The mark detecting means has two detection systems, whereby it is possible to detect marks located at two different points at the same time, and the drive means is driven and held. 2. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the substrate is positioned at a predetermined detection position, and two marks on the substrate are detected at the same time.
【請求項7】 前記2系統の検出系間の距離が調整可能
であることを特徴とする請求項6記載の基板処理装置。
7. The substrate processing apparatus according to claim 6, wherein the distance between the two detection systems is adjustable.
【請求項8】 前記マーク検出手段は、前記搬送手段を
駆動制御して所定の検出位置に停止させ、それに保持さ
れた基板の前記2点以上のマークを自信が移動して順次
検出するものであることを特徴とする請求項1記載の基
板処理装置。
8. The mark detecting means drives and controls the conveying means to stop at a predetermined detection position, and the self-moving marks sequentially detect the two or more marks on the substrate held thereby. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the substrate processing apparatus is provided.
【請求項9】 前記所定の検出位置は、前記搬送手段に
おける前記基板保持手段への搬送経路上に位置すること
を特徴とする請求項6〜8記載の基板処理装置。
9. The substrate processing apparatus according to claim 6, wherein the predetermined detection position is located on a transportation path of the transportation means to the substrate holding means.
【請求項10】 前記基板処理手段は、前記基板に半導
体素子を形成するための露光手段であることを特徴とす
る請求項1記載の基板処理装置。
10. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the substrate processing means is an exposure means for forming a semiconductor element on the substrate.
【請求項11】 前記基板処理手段は、前記基板を検査
する検査手段であることを特徴とする請求項1記載の基
板処理装置。
11. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the substrate processing unit is an inspection unit that inspects the substrate.
JP24218793A 1993-09-03 1993-09-03 Substrate processing equipment Expired - Fee Related JP3276477B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP24218793A JP3276477B2 (en) 1993-09-03 1993-09-03 Substrate processing equipment

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP24218793A JP3276477B2 (en) 1993-09-03 1993-09-03 Substrate processing equipment

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0774084A true JPH0774084A (en) 1995-03-17
JP3276477B2 JP3276477B2 (en) 2002-04-22

Family

ID=17085604

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP24218793A Expired - Fee Related JP3276477B2 (en) 1993-09-03 1993-09-03 Substrate processing equipment

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3276477B2 (en)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6727978B2 (en) 1995-06-19 2004-04-27 Nikon Corporation Projection exposure apparatus and projection exposure method
JP2004200726A (en) * 2004-03-26 2004-07-15 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate processing device
JP2004247548A (en) * 2003-02-14 2004-09-02 Nikon Corp Exposure system and process for fabricating device
US7126689B2 (en) 2000-02-15 2006-10-24 Nikon Corporation Exposure method, exposure apparatus, and method for producing device
JP2008083520A (en) * 2006-09-28 2008-04-10 Fujifilm Corp Exposure apparatus and alignment method
JP2009054964A (en) * 2007-08-29 2009-03-12 Nikon Corp Wafer transfer apparatus, and semiconductor manufacturing apparatus equipped with the same
JP2009135442A (en) * 2007-10-10 2009-06-18 Asml Netherlands Bv Method of transferring substrate, transfer system and lithographic projection apparatus
JP2013148395A (en) * 2012-01-17 2013-08-01 Seiko Epson Corp Handler and inspection device

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6727978B2 (en) 1995-06-19 2004-04-27 Nikon Corporation Projection exposure apparatus and projection exposure method
US7126689B2 (en) 2000-02-15 2006-10-24 Nikon Corporation Exposure method, exposure apparatus, and method for producing device
JP2004247548A (en) * 2003-02-14 2004-09-02 Nikon Corp Exposure system and process for fabricating device
JP2004200726A (en) * 2004-03-26 2004-07-15 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate processing device
JP2008083520A (en) * 2006-09-28 2008-04-10 Fujifilm Corp Exposure apparatus and alignment method
JP2009054964A (en) * 2007-08-29 2009-03-12 Nikon Corp Wafer transfer apparatus, and semiconductor manufacturing apparatus equipped with the same
JP2009135442A (en) * 2007-10-10 2009-06-18 Asml Netherlands Bv Method of transferring substrate, transfer system and lithographic projection apparatus
US8086348B2 (en) 2007-10-10 2011-12-27 Asml Netherlands B.V. Method of transferring a substrate, transfer system and lithographic projection apparatus
JP2013148395A (en) * 2012-01-17 2013-08-01 Seiko Epson Corp Handler and inspection device

Also Published As

Publication number Publication date
JP3276477B2 (en) 2002-04-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2829642B2 (en) Exposure equipment
KR100530676B1 (en) Projection Exposure Method
US20010055117A1 (en) Alignment method, exposure method, exposure apparatus and device manufacturing method
US20020113218A1 (en) Method and apparatus for positioning substrate and the like
KR101384440B1 (en) Article loading/unloading method and article loading/unloading device, exposure method and exposure apparatus, and method of manufacturing device
JP2002050560A (en) Stage device, measuring apparatus and method, aligner and exposure method
JP2007335613A (en) Substrate position detector, substrate conveyer, exposure device, substrate position detecting method, and manufacturing method of micro device
JP3276477B2 (en) Substrate processing equipment
JPH08241857A (en) Reticle tip alignment device and method
JP2003156322A (en) Method and apparatus for position measurement, positioning method, aligner as well as method of manufacturing microdevice
JPH11219999A (en) Delivery method for substrate and aligner using the same
JP2908153B2 (en) Exposure equipment
JP2756865B2 (en) Exposure equipment
JP2007188987A (en) Object conveying apparatus, exposure device, measuring system, object processing system, and measuring method
JP4631497B2 (en) Proximity exposure equipment
JP2007115829A (en) Mask carrying device, mask carrying method, and exposure method
JPH10247681A (en) Method and device for detecting positional deviation, positioning device, and aligner
JPH1022369A (en) Wafer pre-aligning apparatus
JPH10177942A (en) Aligner and method for delivering photosensitive substrate in aligner
JP3408057B2 (en) Exposure apparatus and method
JP2860569B2 (en) Exposure equipment
JP3531899B2 (en) Projection exposure apparatus and device manufacturing method
JP2882821B2 (en) Alignment device
JPH11288878A (en) Mask transfer device and method therefor, and exposure system provided therewith
JP3315584B2 (en) Exposure equipment

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080208

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090208

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100208

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100208

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110208

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120208

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130208

Year of fee payment: 11

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees