JP2001092156A - Automatic alignment method for exposure device - Google Patents

Automatic alignment method for exposure device

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JP2001092156A
JP2001092156A JP26662599A JP26662599A JP2001092156A JP 2001092156 A JP2001092156 A JP 2001092156A JP 26662599 A JP26662599 A JP 26662599A JP 26662599 A JP26662599 A JP 26662599A JP 2001092156 A JP2001092156 A JP 2001092156A
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JP
Japan
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alignment
glass substrate
target position
mask
exposure
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JP26662599A
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Japanese (ja)
Inventor
Toshiyuki Kozuka
塚 敏 幸 小
Masayoshi Kodama
玉 正 吉 児
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Hitachi High Tech Corp
Original Assignee
Hitachi Electronics Engineering Co Ltd
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Publication date
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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To maintain the alignment accuracy between a mask and a glass substrate of an exposure device until exposure. SOLUTION: In the alignment of the mask and the glass substrate, a target position forcibly offset with respect to a desired target position is set (S11) and first the mask and the glass substrate are aligned to the offset target position (S12, S13) and are then aligned to the desired target position (S14 to S18). The offset quantity of the target position is specified to the backlash of an alignment stage or above, by which the backlash is surely absorbed at the correction to the desired target position.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は露光装置におけるオ
ートアライメント方法に関し、詳しくは、マスクパター
ンを基板に転写するプロキシミティ露光装置において、
前記マスクと基板とを位置合わせするための方法に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an automatic alignment method in an exposure apparatus, and more particularly, to a proximity exposure apparatus for transferring a mask pattern onto a substrate.
A method for aligning the mask and the substrate.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来から、例えばカラー液晶パネルの製
造工程において、ガラス基板上に微細パターンを形成す
る工程で、プロキシミティ露光方式が用いられている。
このプロキシミティ露光方式は、マスクとガラス基板と
の間にわずかな隙間(プロキシミティギャップ)を設け
て、マスクパターンを平行光によってガラス基板上へ転
写する方式である。
2. Description of the Related Art Conventionally, for example, in a process of manufacturing a color liquid crystal panel, a proximity exposure method has been used in a process of forming a fine pattern on a glass substrate.
The proximity exposure method is a method in which a slight gap (proximity gap) is provided between a mask and a glass substrate, and the mask pattern is transferred onto the glass substrate by parallel light.

【0003】前記カラー液晶パネルの製造工程において
は、前記マスクパターンの転写を数回繰り返す必要があ
り、マスクとガラス基板と位置合わせ精度が、露光性能
における重要な位置を占めることになる。
In the manufacturing process of the color liquid crystal panel, it is necessary to repeat the transfer of the mask pattern several times, and the alignment accuracy between the mask and the glass substrate occupies an important position in the exposure performance.

【0004】そこで、露光チャックに搬送されたガラス
基板を、固定のマスクに対して予備的に位置決めするプ
リアライメントを行った後、マスクとガラス基板とを高
精度に位置合わせるアライメントを行っていた。
Therefore, after pre-alignment for preliminarily positioning the glass substrate conveyed to the exposure chuck with respect to a fixed mask, alignment for positioning the mask and the glass substrate with high accuracy has been performed.

【0005】前記アライメントにおいては、マスクとガ
ラス基板との双方に設けられたアライメントマークを光
学系によって同時に重ねて取り込んでCCDセンサで検
出し、該検出結果から演算されるずれ量に基づいてXY
θのアライメントステージを駆動し、ずれ量が許容値に
なるまで前記プロセスを繰り返し行うようになっていた
(特許公報第2623366号等参照)。
In the alignment, alignment marks provided on both the mask and the glass substrate are simultaneously captured by the optical system, detected by the CCD sensor, and XY based on the displacement calculated from the detection result.
The alignment stage of θ is driven, and the above-described process is repeatedly performed until the deviation amount reaches an allowable value (see Japanese Patent Publication No. 2623366).

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかし、前記XYθの
各アライメントステージそれぞれにはバックラッシュが
あるため、補正量が小さくバックラッシュを除く前にア
ライメントが終了してしまうと、アライメント終了後
に、他の駆動系(例えばアライメントマーク検出用光学
系の移動機構)が動作することによる振動が伝達したと
きに、位置ずれが生じてしまう可能性があった。
However, since each of the XYθ alignment stages has a backlash, if the amount of correction is small and the alignment is completed before the backlash is removed, other alignment stages are completed after the alignment is completed. When vibration caused by the operation of a drive system (for example, a moving mechanism of an optical system for detecting an alignment mark) is transmitted, there is a possibility that a displacement occurs.

【0007】特に、大型ガラス基板を露光させる装置で
は、アライメントステージが大型化することでバックラ
ッシュも大きくなり、前記アライメント終了後の位置ず
れ量が大きくなってしまう傾向があった。
In particular, in an apparatus for exposing a large glass substrate, the backlash increases due to the increase in the size of the alignment stage, and the amount of displacement after the completion of the alignment tends to increase.

【0008】そこで、本発明は、このような問題点に対
処し、アライメント終了後に他の駆動系が動作しても、
オートアライメント時の位置精度を確保することが可能
な露光装置におけるオートアライメント方法を提供する
ことを目的とする。
Accordingly, the present invention addresses such a problem, and even if another drive system operates after the alignment is completed,
It is an object of the present invention to provide an automatic alignment method in an exposure apparatus that can ensure position accuracy at the time of automatic alignment.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明による露光装置におけるオートアライメント
方法は、マスクパターンを基板に転写する露光装置にお
いて、前記マスクと基板とを位置合わせするオートアラ
イメント方法であって、強制的にオフセットさせた目標
位置に向けて位置合わせを行わせた後、所期の目標位置
に向けて位置合わせを行わせるよう構成したものであ
る。
To achieve the above object, an automatic alignment method in an exposure apparatus according to the present invention is directed to an automatic alignment method for aligning a mask and a substrate in an exposure apparatus for transferring a mask pattern onto a substrate. The method is configured to perform positioning toward a target position forcibly offset, and then perform positioning toward an intended target position.

【0010】ここで、前記強制的な目標位置のオフセッ
ト量を、前記マスク又は基板の位置合わせ駆動系のバッ
クラッシュ以上とすることが好ましい。
Here, it is preferable that the forcible offset amount of the target position is equal to or larger than the backlash of the mask or substrate positioning drive system.

【0011】[0011]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を添付
図面に基づいて詳細に説明する。図1は、本実施の形態
に係るプロキシミティ露光方式の露光装置におけるアラ
イメントステージ部を示し、カラー液晶パネル用のガラ
ス基板1を吸着して保持する露光チャック2と、露光チ
ャック2をX方向に駆動するためのアライメントXステ
ージ3と、露光チャック2をY方向に駆動するためのア
ライメントYステージ4と、露光チャック2をθ方向に
駆動するためのアライメントθステージ5と、前記露光
チャック2を上昇させてガラス基板1を固定のマスク6
に近づけるチルトモータ7と、ガラス基板1及びマスク
6の両端にそれぞれ設けられたアライメントマークを検
出するための光学検出系8,9とから構成される。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 shows an alignment stage section in a proximity exposure type exposure apparatus according to the present embodiment, in which an exposure chuck 2 for sucking and holding a glass substrate 1 for a color liquid crystal panel and an exposure chuck 2 in an X direction. An alignment X stage 3 for driving, an alignment Y stage 4 for driving the exposure chuck 2 in the Y direction, an alignment θ stage 5 for driving the exposure chuck 2 in the θ direction, and raising the exposure chuck 2 Then, the glass substrate 1 is fixed to the mask 6.
, And optical detection systems 8 and 9 for detecting alignment marks provided at both ends of the glass substrate 1 and the mask 6, respectively.

【0012】尚、マスク6には、図2(a)に示すよう
に、#形のアライメントマーク10が両端に設けられ、
ガラス基板1には、図2(b)に示すように、×形のア
ライメントマーク11が両端に設けられる。
As shown in FIG. 2A, the mask 6 is provided with # -shaped alignment marks 10 at both ends.
As shown in FIG. 2B, the glass substrate 1 is provided with X-shaped alignment marks 11 at both ends.

【0013】本実施の形態に係る露光装置は、上記アラ
イメントステージ部の他、ローダ部、ローダ基板搬送ロ
ボット、露光照射部、プリアライメント部、アンローダ
基板搬送ロボット、アンローダ部、マスクホルダ部など
を含んで構成される。
The exposure apparatus according to the present embodiment includes a loader section, a loader substrate transport robot, an exposure irradiator, a pre-alignment section, an unloader substrate transport robot, an unloader section, a mask holder section, etc., in addition to the alignment stage section. It consists of.

【0014】上記構成の露光装置の基本動作を、図3の
フローチャートに従って説明する。まず、ガラス基板1
のローディング/アンローディングを行う(S1)。該
ローディング/アンローディングは、露光が終了したガ
ラス基板1を露光チャック2から取り外して搬出する動
作と、露光を行わせるガラス基板1を露光チャック2に
搬送して取り付ける動作とを示す。
The basic operation of the exposure apparatus having the above configuration will be described with reference to the flowchart of FIG. First, the glass substrate 1
Is performed (S1). The loading / unloading refers to an operation of removing the glass substrate 1 from which exposure has been completed from the exposure chuck 2 and carrying it out, and an operation of transporting and mounting the glass substrate 1 to be exposed to the exposure chuck 2.

【0015】ガラス基板1のローディング/アンローデ
ィングが終了すると、プリアライメントを行う(S
2)。該プリアライメントは、後述するアライメント動
作に先立って、露光チャック2上でガラス基板1を予備
的に位置決めするものである。
When the loading / unloading of the glass substrate 1 is completed, pre-alignment is performed (S
2). In the pre-alignment, the glass substrate 1 is preliminarily positioned on the exposure chuck 2 prior to an alignment operation described later.

【0016】例えば、図4(a),(b)に示すよう
に、ガラス基板1の搬送方向先端縁の2箇所、及び、側
縁の1箇所でレーザ光電スイッチ21a,21b,21
cをスキャンさせることで、露光チャック2上のガラス
基板1のエッジを前記3箇所でそれぞれ検出して搬送ず
れ量を演算し、係る搬送ずれ量をXYθのアライメント
ステージ3〜5で補正する。
For example, as shown in FIGS. 4 (a) and 4 (b), laser photoelectric switches 21a, 21b and 21 are provided at two positions on the leading edge of the glass substrate 1 in the transport direction and at one position on the side edge.
By scanning c, the edge of the glass substrate 1 on the exposure chuck 2 is detected at each of the three locations to calculate the transport shift amount, and the transport shift amount is corrected by the XYθ alignment stages 3 to 5.

【0017】前記プリアライメントにおいては、ガラス
基板1のアライメントマーク11が光学検出系8,9の
認識視野内に入るようにすれば良く、認識視野内での位
置ばらつきが許容されるため、搬送ずれ量の測定及び補
正動作をそれぞれ1回だけ行う。
In the pre-alignment, the alignment mark 11 of the glass substrate 1 may be positioned within the recognition field of view of the optical detection systems 8 and 9, and positional deviation within the recognition field is allowed. The quantity measurement and correction operations are each performed only once.

【0018】プリアライメント後は、露光チャック2を
上昇させることで、露光チャック2の上方に固定される
マスク6に対してガラス基板1を近づける(S3)。続
いて、マスク6とガラス基板1との間の隙間(プロキシ
ミティギャップ)が所定値になるように制御する(S
4)。プロキシミティギャップの制御は、4つのギャッ
プ検出センサでマスク6とガラス基板1との間のギャッ
プ量を検出し、該検出されたギャップ量に応じて面内の
3箇所に配置したチルト機構を駆動して行われる。
After the pre-alignment, the glass substrate 1 is brought closer to the mask 6 fixed above the exposure chuck 2 by raising the exposure chuck 2 (S3). Subsequently, control is performed such that a gap (proximity gap) between the mask 6 and the glass substrate 1 becomes a predetermined value (S
4). The proximity gap is controlled by detecting the gap amount between the mask 6 and the glass substrate 1 by using four gap detection sensors, and driving the tilt mechanisms arranged at three places in the plane according to the detected gap amount. It is done.

【0019】プロキシミティギャップの制御が終了する
と、マスク6とガラス基板1とを高精度に位置合わせす
るアライメントを行う(S5)。前記アライメントは、
マスク6及びガラス基板1のアライメントマーク10,
11を、光学検出系8,9によって同時に重ねて取り込
んで、マスク6の#形アライメントマーク10の2組の
平行な2線条と、ガラス基板1の×形アライメントマー
ク11の各線条との位置関係からガラス基板1の位置ず
れ量を演算し、XYθのアライメントステージ3〜5で
前記位置ずれ量を補正する処理であり、位置ずれ量が許
容値になるまで、位置ずれ量の測定と補正とを繰り返
す。
When the control of the proximity gap is completed, an alignment for positioning the mask 6 and the glass substrate 1 with high accuracy is performed (S5). The alignment is
The alignment mark 10 of the mask 6 and the glass substrate 1,
11 are superimposed at the same time by the optical detection systems 8 and 9, and the positions of the two parallel two lines of the # -type alignment mark 10 of the mask 6 and the respective lines of the X-type alignment mark 11 of the glass substrate 1 are obtained. This is a process of calculating the amount of displacement of the glass substrate 1 from the relationship, and correcting the amount of displacement using the XYθ alignment stages 3 to 5, and measuring and correcting the amount of displacement until the amount of displacement becomes an allowable value. repeat.

【0020】アライメントが終了すると、光学検出系
(検出顕微鏡)8,9を退避させ(S6)、続いて露光
を行わせる(S7)。露光が終了すると、露光チャック
2をガラス基板1と共に下降させ(S8)、次のガラス
基板1の露光を行わせるべく、ガラス基板1のローディ
ング/アンローディング処理(S1)に戻る。
When the alignment is completed, the optical detection systems (detection microscopes) 8, 9 are retracted (S6), and exposure is performed (S7). When the exposure is completed, the exposure chuck 2 is lowered together with the glass substrate 1 (S8), and the process returns to the loading / unloading process (S1) of the glass substrate 1 so as to expose the next glass substrate 1.

【0021】ここで、前記アライメント処理(S5)に
ついて、図5のフローチャートに従って詳細に説明す
る。プリアライメントが終了すると、アライメントの目
標位置、即ち、#形アライメントマーク10と×形アラ
イメントマーク11との相対位置の目標として、強制的
にオフセットされた目標を設定する(S11)。
Here, the alignment processing (S5) will be described in detail with reference to the flowchart of FIG. When the pre-alignment is completed, a forced offset target is set as the target position of the alignment, that is, the target of the relative position between the # -type alignment mark 10 and the X-type alignment mark 11 (S11).

【0022】所期の目標位置は、#形アライメントマー
ク10の中心であり、この中心に×形アライメントマー
ク11の交差部分を重ねるように補正するが(図6参
照)、上記S11では、#形アライメントマーク10の
中心よりも所定方向に所定距離だけ離れた位置を、×形
アライメントマーク11の交差部分を重ねる目標として
設定する(図7参照)。
The intended target position is the center of the # -shaped alignment mark 10, and the intersection of the X-shaped alignment mark 11 is corrected so as to overlap the center (see FIG. 6). A position that is separated from the center of the alignment mark 10 by a predetermined distance in a predetermined direction is set as a target at which the intersection of the X-shaped alignment marks 11 overlaps (see FIG. 7).

【0023】ここで、前記所定方向はいずれの方向であ
っても良いが、前記所定距離は、XYθのアライメント
ステージ3〜5(位置合わせ駆動系)のバックラッシュ
以上とすることが好ましい。これは、所期の目標位置よ
りもバックラッシュ以上にオフセットした位置に補正
し、該オフセットした位置から前記所期の目標位置に向
けて補正を行わせれば、バックラッシュ分以上に補正す
る必要が発生し、以って、バックラッシュを確実に吸収
させることができるためである。
Here, the predetermined direction may be any direction, but it is preferable that the predetermined distance is equal to or larger than the backlash of the XYθ alignment stages 3 to 5 (positioning drive system). This is because if the correction is made to a position offset by more than the backlash from the intended target position, and if the correction is made from the offset position toward the intended target position, it is necessary to compensate for the backlash or more. This is because backlash can be reliably absorbed.

【0024】オフセットされた目標位置を設定すると、
次に、前記アライメントマーク10,11の検出結果か
ら、前記オフセットされた目標位置に対する位置ずれ量
を演算させる(S12)。
When the offset target position is set,
Next, from the detection results of the alignment marks 10 and 11, the amount of positional deviation from the offset target position is calculated (S12).

【0025】前記光学検出系8,9は、前記アライメン
トマーク10,11を重ねた光学像を、ハーフミラーで
2方向に分解した後、CCDリニアイメージセンサで検
出する構成であり、各CCDリニアイメージセンサは、
図8に示すように、#形アライメントマーク10の2組
の平行な2線条の一方の検出信号P,P′と、×形アラ
イメントマーク11の一方の線条の検出信号Qとを、前
記アライメントマーク10,11の反射率の違いに基づ
いて区別して出力する。
The optical detection systems 8 and 9 are configured such that an optical image on which the alignment marks 10 and 11 are superimposed is decomposed in two directions by a half mirror and then detected by a CCD linear image sensor. The sensor is
As shown in FIG. 8, the detection signals P and P 'of one pair of two parallel lines of the # -type alignment mark 10 and the detection signal Q of one line of the X-type alignment mark 11 are combined with each other. The alignment marks 10 and 11 are output based on the difference in reflectance.

【0026】従って、各CCDリニアイメージセンサか
らの検出信号に基づいて、#形アライメントマーク10
の平行な2線条を基準として×形アライメントマーク1
1の線条の位置が検出され、×形アライメントマーク1
1の各線条から目標位置までの距離が位置ずれ量とな
り、該位置ずれ量に基づく補正によって×形アライメン
トマーク11の各線条が目標位置を通るようにすること
で、目標位置への補正が行われる。
Therefore, based on the detection signal from each CCD linear image sensor, the # -shaped alignment mark 10
X-shaped alignment mark 1 based on two parallel lines
1 is detected, and the X-shaped alignment mark 1 is detected.
The distance from each line to the target position is the amount of positional deviation, and correction to the target position is performed by causing each line of the X-shaped alignment mark 11 to pass through the target position by correction based on the amount of positional deviation. Will be

【0027】前記オフセットされた目標位置に対する位
置ずれ量が演算されると、該位置ずれ量に応じてXYθ
のアライメントステージ3〜5を駆動して、前記オフセ
ットされた目標位置に補正する(S13)。
When the amount of displacement relative to the offset target position is calculated, XYθ is calculated according to the amount of displacement.
The alignment stages 3 to 5 are driven to correct to the offset target position (S13).

【0028】上記処理によって、プリアライメント後の
ガラス基板1の位置を、前記オフセットされた目標位置
に補正すると、アライメントの目標を、本来の#形アラ
イメントマーク10の中心に戻し(S14)、係る所期
目標に対するガラス基板1の位置ずれ量を演算させる
(S15)。
When the position of the glass substrate 1 after the pre-alignment is corrected to the offset target position by the above processing, the alignment target is returned to the center of the original # -shaped alignment mark 10 (S14). The amount of displacement of the glass substrate 1 with respect to the target is calculated (S15).

【0029】そして、前記位置ずれ量に基づいてXYθ
のアライメントステージ3〜5を駆動して、前記位置ず
れ量の補正を図る(S15)。位置ずれの補正を行う
と、再度、位置ずれ量の演算を行わせ(S16)、演算
された位置ずれ量が許容範囲内であるか否かを判断する
(S17)。
Then, XYθ is calculated based on the displacement amount.
The alignment stages 3 to 5 are driven to correct the displacement (S15). After the correction of the displacement, the calculation of the displacement is performed again (S16), and it is determined whether or not the calculated displacement is within the allowable range (S17).

【0030】ここで、位置ずれ量が許容範囲内であれ
ば、アライメント処理を終了させるが、位置ずれ量が許
容範囲内でない場合には、再度補正を行わせてその結果
としての位置ずれ量を検出させ、位置ずれ量が許容範囲
内になるまで、ずれ量検出→補正→ずれ量検出を繰り返
し行わせる。
Here, if the positional deviation is within the allowable range, the alignment processing is terminated. If the positional deviation is not within the allowable range, correction is performed again and the resulting positional deviation is reduced. Until the position shift amount falls within the allowable range, the shift amount detection → correction → shift amount detection is repeatedly performed.

【0031】尚、所期目標位置へのアライメント時に
は、補正によって目標を通り過ぎることがないように、
検出された位置ずれ量に対する補正量を、駆動ばらつき
を考慮して制限し、所期目標位置に対するアライメント
の開始から終了まで同一方向にガラス基板1を駆動させ
て、目標位置で追い込むことが好ましい。
At the time of alignment to the desired target position, the target is not passed by correction so that the target is not passed.
It is preferable that the correction amount for the detected positional deviation amount is limited in consideration of the drive variation, and the glass substrate 1 is driven in the same direction from the start to the end of the alignment with respect to the intended target position to drive in the target position.

【0032】上記のように、アライメント処理におい
て、最初にオフセットされた目標に補正し、その後、該
オフセットされた位置から本来の目標に向けて補正させ
ることで、所期目標に対するアライメントが常に一定方
向でかつ略一定距離について行われることになり、アラ
イメント処理において駆動系のバックラッシュを確実に
吸収させることができる。従って、アライメント処理後
に、光学検出系8,9を退避させるなどの動作を行わせ
ても、これに影響されてガラス基板の位置ずれが発生す
ることを防止でき、アライメント終了時の精度を維持さ
せて露光を行わせることができる。
As described above, in the alignment process, correction is first made to the offset target, and then correction is made from the offset position toward the original target, so that the alignment with respect to the target is always performed in a fixed direction. This is performed for a substantially constant distance, so that the backlash of the drive system can be reliably absorbed in the alignment processing. Therefore, even if an operation such as retreating the optical detection systems 8 and 9 is performed after the alignment process, it is possible to prevent the occurrence of a positional shift of the glass substrate due to the operation, thereby maintaining the accuracy at the time of completing the alignment. Exposure can be performed.

【0033】[0033]

【発明の効果】本発明は以上のように、強制的にオフセ
ットさせた目標位置に向けて位置合わせを行わせた後、
所期の目標位置に向けて位置合わせを行わせるよう構成
したことにより、プリアライメントにおける位置ばらつ
きに関わらずに、所期目標に位置合わせするときに方向
及び位置ずれ量を略一定とすることができ、特に、前記
オフセット量を位置合わせ駆動系のバックラッシュ以上
とすることで、アライメントにおいて前記バックラッシ
ュを吸収でき、アライメント終了時の位置精度を維持さ
せて露光を行わせることができるという効果がある。
As described above, according to the present invention, after the positioning is performed toward the target position forcibly offset,
With the configuration for performing alignment toward the intended target position, the direction and the amount of positional deviation can be made substantially constant when aligning with the intended target, regardless of positional variations in pre-alignment. Particularly, by setting the offset amount to be equal to or more than the backlash of the alignment drive system, the backlash can be absorbed in the alignment, and the exposure can be performed while maintaining the positional accuracy at the end of the alignment. is there.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】実施の形態における露光装置のアライメントス
テージ部を示す斜視図である。
FIG. 1 is a perspective view showing an alignment stage of an exposure apparatus according to an embodiment.

【図2】実施の形態においてマスク及びガラス基板に設
けられるアライメントマークを示す平面図であり、
(a)がマスクの#形アライメントマークを示す図で、
(b)がガラス基板の×形アライメントマークを示す図
である。
FIG. 2 is a plan view showing an alignment mark provided on a mask and a glass substrate in the embodiment;
(A) is a diagram showing a # -shaped alignment mark of a mask,
(B) is a figure which shows the x-shaped alignment mark of a glass substrate.

【図3】実施の形態における露光装置の基本動作を示す
フローチャートである。
FIG. 3 is a flowchart showing a basic operation of the exposure apparatus in the embodiment.

【図4】実施の形態におけるプリアライメントにおいて
エッジ検出を行うレーザ光電スイッチの配置を示す図で
あり、(a)が平面図、(b)が(a)のA−A′矢視
による側面図である。
4A and 4B are diagrams showing the arrangement of laser photoelectric switches for performing edge detection in pre-alignment according to the embodiment, wherein FIG. 4A is a plan view and FIG. 4B is a side view taken along line AA ′ of FIG. It is.

【図5】実施の形態におけるアライメント動作の詳細を
示すフローチャートである。
FIG. 5 is a flowchart showing details of an alignment operation in the embodiment.

【図6】実施の形態における所期目標に補正した状態の
アライメントマークの重ね合わせ状態を示す平面図であ
る。
FIG. 6 is a plan view showing a state in which alignment marks are superimposed in a state corrected to an intended target in the embodiment.

【図7】実施の形態におけるオフセットされた目標に補
正した状態のアライメントマークの重ね合わせ状態を示
す平面図である。
FIG. 7 is a plan view showing a state in which an alignment mark is superimposed on an offset target and corrected in the embodiment.

【図8】実施の形態におけるアライメントマークの検出
信号を示す特性図である。
FIG. 8 is a characteristic diagram showing a detection signal of an alignment mark in the embodiment.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…ガラス基板 2…露光チャック 3…アライメントXステージ 4…アライメントYステージ 5…アライメントθステージ 6…マスク 7…チルト機構 8,9…光学検出系 10,11…アライメントマーク 21a〜21c…レーザ光電スイッチ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Glass substrate 2 ... Exposure chuck 3 ... Alignment X stage 4 ... Alignment Y stage 5 ... Alignment θ stage 6 ... Mask 7 ... Tilt mechanism 8,9 ... Optical detection system 10,11 ... Alignment marks 21a-21c ... Laser photoelectric switch

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Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 マスクパターンを基板に転写する露光装
置において、前記マスクと基板とを位置合わせするオー
トアライメント方法であって、 強制的にオフセットさせた目標位置に向けて位置合わせ
を行わせた後、所期の目標位置に向けて位置合わせを行
わせるよう構成したことを特徴とする露光装置における
オートアライメント方法。
1. An exposure apparatus for transferring a mask pattern onto a substrate, comprising: an automatic alignment method for aligning the mask and the substrate, wherein the alignment is performed toward a target position forcibly offset. An automatic alignment method in an exposure apparatus, wherein the alignment is performed to a desired target position.
【請求項2】 前記強制的な目標位置のオフセット量
が、前記マスク又は基板の位置合わせ駆動系のバックラ
ッシュ以上であることを特徴とする請求項1記載の露光
装置におけるオートアライメント方法。
2. The auto-alignment method according to claim 1, wherein the forcible offset amount of the target position is equal to or more than a backlash of the mask or substrate alignment drive system.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005062706A (en) * 2003-08-20 2005-03-10 Adtec Engineeng Co Ltd Exposure apparatus
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JP2008185922A (en) * 2007-01-31 2008-08-14 Nikon Corp Microscope
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