KR20090089820A - Exposure apparatus and device manufacturing method - Google Patents

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KR20090089820A
KR20090089820A KR1020090014099A KR20090014099A KR20090089820A KR 20090089820 A KR20090089820 A KR 20090089820A KR 1020090014099 A KR1020090014099 A KR 1020090014099A KR 20090014099 A KR20090014099 A KR 20090014099A KR 20090089820 A KR20090089820 A KR 20090089820A
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신-이찌로 고가
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캐논 가부시끼가이샤
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Abstract

An exposure apparatus and a method for manufacturing a device are provided to control the exposure and the position determination of a substrate by projecting an original pattern on the substrate using a projection optical system. An original pattern is projected on a substrate using a projection optical system(9). Substrate stages(6a,6b) are comprised in order to maintain substrates(5a,5b). A first detector detects the positions of marks(11a,11b) on the substrate. A controller controls the position determination and the exposure of the substrate. The controller controls the first detector to detect the position while moving the substrate stage. A second detector detects the surface position of the substrate.

Description

노광 장치 및 디바이스 제조 방법{EXPOSURE APPARATUS AND DEVICE MANUFACTURING METHOD}Exposure apparatus and device manufacturing method {EXPOSURE APPARATUS AND DEVICE MANUFACTURING METHOD}

본 발명은 원판의 패턴을 투영 광학계를 이용하여 기판 상에 투영함으로써, 기판을 노광하는 노광 장치, 및 노광 장치를 이용하여 디바이스를 제조하는 방법에 관한 것이다.This invention relates to the exposure apparatus which exposes a board | substrate by projecting the pattern of an original plate onto a board | substrate using a projection optical system, and the method of manufacturing a device using an exposure apparatus.

최근 몇년 동안에, 예를 들어, 반도체 집적 회로 디바이스들 및 액정 패널 디바이스들에 있어서의 미세 패터닝의 발전 및 패킹(packing) 밀도의 증가와 더불어, 이들 디바이스들을 제조하기 위한 리소그래피에 이용되는 노광 장치의 정밀도 및 기능에 있어서의 개선이 진행중이다. 특히, 원판(마스크 또는 레티클이라고도 지칭됨) 및 기판(예를 들어, 웨이퍼 또는 유리 판)을 그 얼라인먼트를 위해 나노미터 단위로 위치결정하는 기법이 이용가능할 것으로 기대된다.In recent years, the precision of the exposure apparatus used in lithography for manufacturing these devices, with the development of fine patterning and increasing the packing density, for example in semiconductor integrated circuit devices and liquid crystal panel devices. And improvements in function are underway. In particular, it is anticipated that techniques for positioning discs (also referred to as masks or reticles) and substrates (eg, wafers or glass plates) in nanometers for alignment are available.

노광 장치는, 기판을 스텝 단위로 이동시키면서, 원판의 패턴을 기판상의 복수의 샷 영역(shot region)들에 순차적으로 전사한다. 원판 및 기판이 멈춰진 동안 이러한 전사를 행하는 노광 장치를 스텝퍼(stepper)라 칭한다. 원판 및 기판을 스캐닝하는 동안 이러한 전사를 행하는 노광 장치를 스캐너 또는 스캐닝 스텝퍼라 칭한다.The exposure apparatus sequentially transfers the pattern of the original plate to a plurality of shot regions on the substrate while moving the substrate in step units. An exposure apparatus that performs such transfer while the master and the substrate are stopped is called a stepper. An exposure apparatus that performs such transfer while scanning the original and the substrate is called a scanner or scanning stepper.

최근에는, 겹침 정밀도(overlay accuracy) 및 스루풋(throughput)의 향상이라고 하는 두가지 요구들을 만족시키기 위해 2개의 기판 스테이지들을 탑재한 노광 장치가 제공되어 왔다. 그러한 노광 장치는 기판을 노광하는 노광 스테이션과 기판을 계측하는 계측 스테이션을 포함한다. 노광 장치가 노광 스테이션에서 기판을 노광하는 동안, 다음에 노광될 기판을 계측 스테이션에서 계측한다. 이것은 겹침 정밀도를 향상하기 위해 기판의 계측 시간을 확보하면서, 스루풋을 향상하는 것을 가능케 한다(일본 특허공개공보 제2006-108582).Recently, an exposure apparatus equipped with two substrate stages has been provided to satisfy two requirements, namely, improvement in overlay accuracy and throughput. Such an exposure apparatus includes an exposure station for exposing a substrate and a measurement station for measuring the substrate. While the exposure apparatus exposes the substrate at the exposure station, the substrate to be exposed next is measured at the measurement station. This makes it possible to improve the throughput while securing the measurement time of the substrate in order to improve the overlapping accuracy (Japanese Patent Laid-Open No. 2006-108582).

기판 위치결정 방법으로서 글로벌 얼라인먼트 방식이 이용가능하다. 도 10은 기판(5) 상의 샷 영역들의 배열을 도시하는 도면이다. 도 10에 도시된 바와 같이, 전프로세스(preprocessing)에 의해 형성된 복수의 샷 영역들 ST가 기판(5) 상에 배열된다. 모든 샷 영역들에는 일반적으로 동일한 패턴들이 형성된다. 또한, 모든 샷 영역들에는 얼라인먼트 마크들이 배치된다. 기판은, 모든 이러한 샷 영역들로부터 얼라인먼트 마크들의 위치들을 계측하기 위한 샷 영역들(계측 샷 영역들)을 선택하고, 선택된 샷 영역들의 얼라인먼트 마크들의 위치들을 계측함으로써 위치결정될 수 있다.Global alignment schemes are available as substrate positioning methods. 10 is a diagram showing an arrangement of shot regions on the substrate 5. As shown in FIG. 10, a plurality of shot regions ST formed by preprocessing are arranged on the substrate 5. All shot regions are generally formed with the same patterns. Also, alignment marks are arranged in all shot regions. The substrate can be positioned by selecting shot regions (measured shot regions) for measuring positions of alignment marks from all such shot regions, and measuring positions of alignment marks of selected shot regions.

도 11은 계측 샷 영역들을 도시하는 도면이다. 예를 들어, 도 11에서는, 해칭된(hatched) 계측 샷들 MS의 얼라인먼트 마크들의 위치들이 계측된다. 기판상의 샷 영역들의 배열 정보는 각각의 얼라인먼트 마크의 계측 값을 통계적으로 계산함으로써 획득될 수 있다. 얼라인먼트 마크의 위치를 계측할 시에는, 얼라인먼트 마 크를 검출계의 시야로 이동시키고, 이 시야에서 정지시킨다. 이러한 동작은, 예를 들어, 도 11에서 화살표로 나타내어진 순서로 얼라인먼트 마크들을 선택함으로써 수행된다. 도 11의 화살표는 검출계의 시야가 기판에 대해 이동하는 상태를 개략적으로 도시한다. 실제로는, 검출계의 시야는 위치가 고정되어 있으므로, 기판, 즉, 얼라인먼트 마크들은, 검출계의 시야에 대해 화살표로 나타내어진 것들의 반대 방향으로 이동한다.11 is a diagram illustrating metrology shot regions. For example, in FIG. 11, the positions of alignment marks of hatched metrology shots MS are measured. The arrangement information of the shot regions on the substrate can be obtained by statistically calculating the measurement value of each alignment mark. When measuring the position of the alignment mark, the alignment mark is moved to the field of view of the detection system and stopped at this field of view. This operation is performed, for example, by selecting alignment marks in the order indicated by the arrows in FIG. The arrow in FIG. 11 schematically shows the state in which the field of view of the detection system moves with respect to the substrate. In practice, since the field of view of the detection system is fixed, the substrate, i.e. alignment marks, move in the opposite direction to those indicated by the arrows with respect to the field of view of the detection system.

도 12는 기판 위치결정(얼라인먼트) 계측(얼라인먼트 계측)의 시퀀스를 도시하는 흐름도이다. 단계 S401은 샷 영역들의 배열을 개략적으로 계측하는, 개략 얼라인먼트 프로세스(coarse alignment process)이다. 개략 얼라인먼트 프로세스에서는, 얼라인먼트 마크 촬상 프로세스 및 얼라인먼트 마크 위치 산출 프로세스(이하에 설명됨)에 이용되는 것보다 적은 샷 영역들이 계측 대상으로서 이용된다(후술됨). 또한, 개략 얼라인먼트 프로세스에서, 얼라인먼트 마크 촬상 프로세스에 이용되는 검출계의 시야보다 더 넓은 시야를 갖는 검출계에 의해 얼라인먼트 마크들이 촬상되고, 그것들의 위치들이 계측된다. 개략 얼라인먼트 프로세스에서, 예를 들어, 2개의 샷 영역들의 얼라인먼트 마크들이 검출된다.12 is a flowchart showing a sequence of substrate positioning (alignment) measurement (alignment measurement). Step S401 is a coarse alignment process, which roughly measures the arrangement of shot regions. In the outline alignment process, fewer shot regions are used as measurement objects (described later) than those used in the alignment mark imaging process and the alignment mark position calculation process (described below). Further, in the schematic alignment process, alignment marks are imaged by the detection system having a field of view wider than that of the detection system used in the alignment mark imaging process, and their positions are measured. In the schematic alignment process, for example, alignment marks of two shot regions are detected.

이하의 단계에서, 기판 스테이지는 개략 얼라인먼트 프로세스에서 계측된 얼라인먼트 마크들의 위치들에 기초하여 구동된다. 단계 S402는 스텝 구동 프로세스이다. 이 프로세스에서, 기판 스테이지는, 얼라인먼트 마크들이 개략 얼라인먼트 프로세스에서 획득된 계측 결과에 기초하여 검출계의 시야 내에 들어오도록 구동되고, 이 시야에 정지하여 유지된다. 단계 S403은 얼라인먼트 마크 촬상 프로세스이 다. 이 프로세스에서, 검출계는 얼라인먼트 마크 상들을 촬상한다. 단계 S404는 얼라인먼트 마크 위치 산출 프로세스이다. 이 프로세스에서, 얼라인먼트 마크들의 위치들은 촬상된 얼라인먼트 마크 상들에 기초하여 정확하게 검출된다. 단계들 S402 내지 S404는, 모든 계측 샷 영역들의 얼라인먼트 마크들이 계측되었다고 단계 S405에서 판정될 때까지 반복되고, 계측 프로세스가 종료된다.In the following steps, the substrate stage is driven based on the positions of the alignment marks measured in the schematic alignment process. Step S402 is a step driving process. In this process, the substrate stage is driven so that the alignment marks enter the field of view of the detection system based on the measurement result obtained in the schematic alignment process, and remain stationary in this field of view. Step S403 is an alignment mark imaging process. In this process, the detection system picks up the alignment mark images. Step S404 is an alignment mark position calculation process. In this process, the positions of the alignment marks are accurately detected based on the imaged alignment mark images. Steps S402 to S404 are repeated until it is determined in step S405 that the alignment marks of all the measurement shot regions have been measured, and the measurement process ends.

글로벌 얼라인먼트 방식은, 높은 스루풋 및 높은 정밀도를 획득할 수 있기 때문에 우수하다. 더욱이, 글로벌 얼라인먼트 방식은, 전체 기판 영역에 걸쳐서 동일한 보정 방식에 따른 얼라인먼트를 허용하기 때문에 편리하다(일본특허공개공보 제09-218714호).The global alignment method is excellent because high throughput and high precision can be obtained. Moreover, the global alignment method is convenient because it allows alignment according to the same correction method over the entire substrate area (Japanese Patent Laid-Open No. 09-218714).

최근에 얼라인먼트 정밀도에 대한 요구가 엄격해지고 있기 때문에, 종래에는 양이 너무 적어서 문제가 되지 않는 오차 성분들도 무시할 수 없게 되고 있다. 이러한 상황들 하에서, 예를 들어, 계측 샷 영역의 복수의 얼라인먼트 마크들을 계측함으로써 샷 영역의 위치뿐만 아니라 그 형상을 산출하고, 패턴이 전사되는 샷 영역의 형상을 보정함으로써 얼라인먼트 정밀도를 개선하는 제안이 이루어져 있다. 이 경우, 샷 영역의 형상을 산출하기 위해, 샷 영역의 주변에 배치된 복수의 스크라이브 라인(scribe line)들 상의 얼라인먼트 마크들을 계측하는 것이 정밀도의 관점에서 이점이 있다.In recent years, since the demand for alignment precision has become more stringent, conventionally, the amount of the amount is so small that error components that are not a problem cannot be ignored. Under these circumstances, for example, a proposal to improve alignment accuracy by measuring not only the position of the shot region but also its shape by measuring a plurality of alignment marks in the measurement shot region, and correcting the shape of the shot region to which the pattern is transferred is proposed. consist of. In this case, in order to calculate the shape of the shot region, it is advantageous in terms of precision to measure alignment marks on a plurality of scribe lines arranged around the shot region.

예를 들어, 샷 영역의 형상을 나타내는 샷 배율(shot magnification)이 산출 되는 경우가 고려될 것이다. 1개의 스크라이브 라인 상에 배치된 (예를 들어, 2개의)얼라인먼트 마크들이 계측된다고 가정하면, 샷 배율은 스크라이브 라인의 방향을 따라 산출될 수 있으나, 스크라이브 라인에 대해 수직인 방향에서 산출될 수 없다. 이것은, 예를 들어, 스크라이브 라인을 따른 방향으로부터 스크라이브 라인에 대한 수직 방향에서의 샷 배율을 추정하는 방법을 이용할 필요가 있다. 반대로, 2개의 직교하는 방향의 스크라이브 라인들 상의 얼라인먼트 마크들이 계측되면, 이러한 2개 방향들에서의 샷 배율이 산출될 수 있다.For example, a case where a shot magnification representing the shape of the shot region is calculated will be considered. Assuming that (eg, two) alignment marks disposed on one scribe line are measured, the shot magnification can be calculated along the direction of the scribe line, but cannot be calculated in a direction perpendicular to the scribe line. . This requires, for example, to use a method of estimating the shot magnification in the direction perpendicular to the scribe line from the direction along the scribe line. Conversely, if alignment marks on scribe lines in two orthogonal directions are measured, shot magnification in these two directions can be calculated.

불행하게도, 계측되는 얼라인먼트 마크들의 수를 증가시키면, 차례로, 얼라인먼트 마크 계측에 필요한 기판 스테이지의 구동 동작들의 수 및 검출계의 시야에 정지되어 유지되어야 하는 횟수를 증가시킨다. 따라서, 결과적인 계측 처리 시간은 전술한 바와 같은, 2개의 기판 스테이지들을 탑재하는 노광 장치에서의 전체 스루풋에 불리하게 영향을 줄 수 있다.Unfortunately, increasing the number of alignment marks to be measured, in turn, increases the number of drive operations of the substrate stage required for alignment mark measurement and the number of times it must remain stationary in the field of view of the detection system. Therefore, the resultant measurement processing time may adversely affect the overall throughput in the exposure apparatus mounting the two substrate stages as described above.

본 발명의 예시적인 목적은, 계측 횟수가 증가된 경우에도 계측에 요구되는 시간의 증가를 억제하는 유리한 기법을 제공하는 것이다.An exemplary object of the present invention is to provide an advantageous technique for suppressing an increase in the time required for measurement even when the number of measurement is increased.

본 발명의 제1 양태에 따라, 원판의 패턴을 투영 광학계를 이용하여 기판상에 투영함으로써 상기 기판을 노광하는 노광 장치로서, 상기 기판을 유지하도록 구성된 기판 스테이지; 상기 투영 광학계의 광축 방향에 수직인 평면에서 서로 직교하는 제1 방향 및 제2 방향에서의 상기 기판상의 마크들의 위치들을 검출하도록 구성된 제1 검출기; 및 상기 기판 스테이지를 실질적으로 상기 제1 방향을 따라 이동 시키면서 상기 기판 상의 마크의 위치를 검출하도록 상기 제1 검출기를 제어하고, 상기 기판 스테이지를 실질적으로 상기 제2 방향을 따라 이동시키면서 상기 기판상의 마크의 위치를 검출하도록 상기 제1 검출기를 제어함으로써, 상기 제1 검출기에 의해 획득된 검출 결과들에 기초하여, 상기 기판의 위치 결정 및 노광을 제어하도록 구성된 제어기를 포함하는 노광 장치가 제공된다.According to a first aspect of the present invention, an exposure apparatus for exposing the substrate by projecting a pattern of the original onto a substrate using a projection optical system, comprising: a substrate stage configured to hold the substrate; A first detector configured to detect positions of marks on the substrate in a first direction and a second direction orthogonal to each other in a plane perpendicular to the optical axis direction of the projection optical system; And controlling the first detector to detect a position of a mark on the substrate while moving the substrate stage substantially in the first direction, and marking the mark on the substrate while moving the substrate stage substantially in the second direction. An exposure apparatus is provided that includes a controller configured to control exposure and positioning of the substrate based on detection results obtained by the first detector by controlling the first detector to detect a position of.

본 발명의 제2 양태에 따라, 원판의 패턴을 투영 광학계를 이용하여 기판상에 투영함으로써 상기 기판을 노광하는 노광 장치로서, 상기 기판을 유지하도록 구성된 기판 스테이지; 상기 투영 광학계의 광축 방향에 수직인 평면에서 서로 직교하는 제1 방향 및 제2 방향에서의 상기 기판상의 마크들의 위치들을 검출하도록 구성된 제1 검출기; 상기 광축 방향에서의 상기 기판의 표면 위치를 검출하도록 구성된 제2 검출기; 및 상기 광축에 수직인 평면 상에서 상기 기판을 유지하는 상기 기판 스테이지를 이동시키면서 위치 검출을 실행하도록 상기 제2 검출기를 제어하고, 상기 제2 검출기에 의해 획득된 검출 결과에 기초하여 상기 광축 방향에서의 상기 기판의 표면 위치를 제어하면서 위치 검출을 실행하도록 상기 제1 검출기를 제어함으로써, 상기 제1 검출기 및 상기 제2 검출기에 의해 획득된 검출 결과들에 기초하여 상기 기판의 위치 결정 및 노광을 제어하도록 구성된 제어기를 포함하는 노광 장치가 제공된다.According to a second aspect of the present invention, there is provided an exposure apparatus for exposing a substrate by projecting a pattern of an original onto a substrate using a projection optical system, comprising: a substrate stage configured to hold the substrate; A first detector configured to detect positions of marks on the substrate in a first direction and a second direction orthogonal to each other in a plane perpendicular to the optical axis direction of the projection optical system; A second detector configured to detect a surface position of the substrate in the optical axis direction; And controlling the second detector to perform position detection while moving the substrate stage holding the substrate on a plane perpendicular to the optical axis, and based on the detection result obtained by the second detector in the optical axis direction. To control the positioning and exposure of the substrate based on the detection results obtained by the first detector and the second detector by controlling the first detector to perform position detection while controlling the surface position of the substrate. An exposure apparatus is provided that includes a configured controller.

본 발명의 제3 양태에 따라, 전술된 노광 장치를 이용하여 기판을 노광하는 단계; 및 상기 기판을 현상하는 단계를 포함하는 디바이스 제조 방법이 제공된다.According to a third aspect of the invention, there is provided a method of exposing a substrate using the above-described exposure apparatus; And developing the substrate.

본 발명의 추가의 특징들은 첨부된 도면들을 참조하여 이하의 예시적인 실시 예들의 설명으로부터 명백해질 것이다.Further features of the present invention will become apparent from the following description of exemplary embodiments with reference to the attached drawings.

본 발명의 바람직한 실시예들이 첨부하는 도면들을 참조하여 이하에 설명될 것이다.Preferred embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings.

[제1 실시예][First Embodiment]

도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 노광 장치의 개략적 구성을 도시하는 도면이다. 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 노광 장치 EX는 계측 스테이션(1) 및 노광 스테이션(2)을 포함한다. 본 명세서에서 설명된 노광 장치 EX는 단지 일 실시예일 뿐이며, 본 발명은 계측 스테이션(1)과 노광 스테이션(2)이 일체화된 노광 장치에도 적용된다는 것을 유의한다. 또한, 기판을 스캐닝하면서 노광하는 스캐닝 노광 장치가 노광 장치 EX로서 예시될 것이나, 본 발명에 따른 노광 장치는 기판을 정지시킨 상태에서 노광하는 노광 장치(스텝퍼)일 수 있다.2 is a diagram showing a schematic configuration of an exposure apparatus according to a preferred embodiment of the present invention. The exposure apparatus EX according to a preferred embodiment of the present invention comprises a measurement station 1 and an exposure station 2. Note that the exposure apparatus EX described herein is only one embodiment, and the present invention also applies to an exposure apparatus in which the measurement station 1 and the exposure station 2 are integrated. In addition, a scanning exposure apparatus for exposing while scanning a substrate will be exemplified as the exposure apparatus EX, but the exposure apparatus according to the present invention may be an exposure apparatus (stepper) for exposing while the substrate is stopped.

노광 스테이션(2)은 원판(레티클)을 유지하는 원판 스테이지(레티클 스테이지)(4), 원판(3)을 노광 광으로 조명하는 조명 광학계(8), 및 노광 광으로 조명된 원판(3)의 패턴을 기판들(웨이퍼들)(5, 즉, 5a 및 5b) 상에 투영하는 투영 광학계(9)를 포함한다.The exposure station 2 includes a disc stage (reticle stage) 4 holding a disc (reticle), an illumination optical system 8 for illuminating the disc 3 with exposure light, and a disc 3 illuminated with exposure light. And a projection optical system 9 for projecting the pattern onto the substrates (wafers) 5, i.e. 5a and 5b.

노광 장치 EX는, 2개의 스테이션들(1 및 2) 간에서 이동할 수 있는 2개의 기판 스테이지들(웨이퍼 스테이지들)(6, 즉, 6a 및 6b)을 포함한다. 기판 스테이지들(6, 즉, 6a 및 6b)은 스테이지 정반(stage surface plate)(7)에 의해 지지된다. 하나의 기판 스테이지에 의해 유지된 기판(제1 기판)은 노광 스테이션(2)에서 노광 되며, 그외의 기판 스테이지에 의해 유지된 기판(제2 기판)은 계측 스테이션(1)에서 계측된다. 제1 기판의 노광 및 제2 기판의 계측이 종료된 경우, 2개의 기판 스테이지들의 위치들이 교체되어, 계측된 제2 기판은 노광 스테이션(2)에 반송되고, 노광된 제1 기판은 다음 프로세스를 위한 디바이스(통상적으로, 현상 디바이스)로 반송된다. 그리고 나서, 제1 기판 대신에, 기판 스테이지에 제공된 새로운 기판(제3 기판)이 계측 스테이션(1)에서 계측된다. 노광 장치 EX는 전술한 방식으로 계측 및 노광을 동시에 실행한다. 기판 스테이지들의 수는 1개 또는 3개 이상일 수 있다.The exposure apparatus EX comprises two substrate stages (wafer stages) 6, ie 6a and 6b, which can move between the two stations 1 and 2. The substrate stages 6, ie 6a and 6b, are supported by a stage surface plate 7. The substrate (first substrate) held by one substrate stage is exposed at the exposure station 2, and the substrate (second substrate) held by the other substrate stage is measured at the measurement station 1. When the exposure of the first substrate and the measurement of the second substrate are finished, the positions of the two substrate stages are swapped so that the measured second substrate is conveyed to the exposure station 2, and the exposed first substrate carries out the next process. It is conveyed to the device (usually a developing device) for the purpose. Then, instead of the first substrate, a new substrate (third substrate) provided to the substrate stage is measured at the measurement station 1. The exposure apparatus EX simultaneously performs measurement and exposure in the manner described above. The number of substrate stages may be one or more than three.

이 명세서에서는, 투영 광학계(9)의 광축에 평행한 방향이 Z 방향으로서 정의되며, Z 방향에 수직인 평면에서의 2개의 직교하는 방향들은 X 및 Y 방향들로서 정의된다. 다시 말해서, 이 명세서에서는 X-Y-Z 좌표계에 기초하여 방향이 정의된다. 편의성을 위해, 원판(3) 및 기판(5)의 스캐닝 방향은 Y 방향으로 가정한다. 또한, X-축, Y-축, 및 Z-축에 관한 회전 방향들은 각각 θX, θY, 및 θZ 방향들로 가정한다. 특허청구범위의 범주에서 설명된 제1 방향 및 제2 방향은 각각 X 방향 및 Y 방향으로서 해석될 수 있거나, 각각 Y 방향 및 X 방향으로 해석될 수 있다.In this specification, the direction parallel to the optical axis of the projection optical system 9 is defined as the Z direction, and two orthogonal directions in the plane perpendicular to the Z direction are defined as the X and Y directions. In other words, the direction is defined in this specification based on the XYZ coordinate system. For convenience, the scanning directions of the original plate 3 and the substrate 5 are assumed to be Y directions. In addition, the rotation directions about the X-axis, Y-axis, and Z-axis are respectively θ X, θ Y, and θ Z. Assume the directions. The first and second directions described in the scope of the claims may be interpreted as the X and Y directions, respectively, or may be interpreted as the Y and X directions, respectively.

원판(3)은 조명 광학계(8)에 의해 균일한 조도 분포를 갖는 노광 광으로 조명된다. 조명 광학계(8)로부터 방사되는 노광 광은, 예를 들어, 수은 램프, KrF 엑시머 레이저, ArF 엑시머 레이저, F2 레이저, 또는 EUV(Extreme Ultra Violet) 광원에 의해 방사되는 광일 수 있다. 그러나, 노광 광은 특별히 이것들에 한정되는 것은 아니다.The disc 3 is illuminated with exposure light having a uniform illuminance distribution by the illumination optical system 8. The exposure light emitted from the illumination optics 8 may be, for example, light emitted by a mercury lamp, KrF excimer laser, ArF excimer laser, F 2 laser, or Extreme Ultra Violet (EUV) light source. However, exposure light is not specifically limited to these.

원판 스테이지(4)는 투영 광학계(9)의 광축에 수직인 평면, 즉, X-Y 평면상에서 2차원적으로 이동할 수 있고, θZ 방향에서 미세하게 회전할 수 있다. 원판 스테이지(4)는, 리니어 모터(linear motor)와 같은 원판 스테이지 구동 메커니즘(도시되지 않음)에 의해 구동된다. 레이저 간섭계(도시되지 않음)에 의해 원판 스테이지(4)의 위치를 계측하기 위해 원판 스테이지(4) 상에 미러가 배치된다. X-Y 평면상에서의 원판 스테이지(4)(결과로서, 원판(3))의 위치 및 그 회전 각도 θZ가 실시간으로 레이저 간섭계에 의해 계측되며, 계측 결과들이 제어기 CNT에 전송된다. 제어기 CNT는 레이저 간섭계에 의해 획득된 계측 결과들에 기초하여 원판 스테이지 구동 메커니즘을 제어하여 원판(3)을 위치결정한다.Original stage (4) that is the plane, perpendicular to the optical axis of the projection optical system (9), can be moved two-dimensionally on the XY plane, θ Z It can rotate finely in the direction. The disc stage 4 is driven by a disc stage drive mechanism (not shown) such as a linear motor. A mirror is disposed on the disc stage 4 for measuring the position of the disc stage 4 by a laser interferometer (not shown). The position of the disc stage 4 (as a result, the disc 3) on the XY plane and its rotation angle θ Z are measured in real time by the laser interferometer, and the measurement results are transmitted to the controller CNT. The controller CNT controls the disc stage driving mechanism based on the measurement results obtained by the laser interferometer to position the disc 3.

투영 광학계(9)는 원판(3)의 패턴을 미리 결정된 투영 배율 β로 기판(5)상에 투영한다. 이러한 동작으로 기판(5)이 노광된다. 투영 광학계(9)는, 통상적으로 금속 광학계 통(metallic optical system barrel)에 의해 지지되는 복수의 광학 소자들을 포함한다. 투영 광학계(9)의 투영 배율 β는, 예를 들어, 1/4 또는 1/5로 설정될 수 있다.The projection optical system 9 projects the pattern of the original plate 3 on the substrate 5 at a predetermined projection magnification β . In this operation, the substrate 5 is exposed. The projection optical system 9 typically comprises a plurality of optical elements supported by a metallic optical system barrel. The projection magnification β of the projection optical system 9 may be set to 1/4 or 1/5, for example.

기판 스테이지(6)는, 기판(5)을 유지하는 기판 척(substrate chuk)을 포함하는 Z 스테이지, Z 스테이지를 지지하는 X-Y 스테이지, X-Y 스테이지를 지지하는 베이스(base)를 포함할 수 있다. 기판 스테이지(6)는, 리니어 모터와 같은 기판 스테이지 구동 메커니즘(도시되지 않음)에 의해 구동된다. 기판 스테이지 구동 메커니즘은 제어기 CNT에 의해 제어된다.The substrate stage 6 may include a Z stage including a substrate chuk holding the substrate 5, an X-Y stage supporting the Z stage, and a base supporting the X-Y stage. The substrate stage 6 is driven by a substrate stage driving mechanism (not shown) such as a linear motor. The substrate stage drive mechanism is controlled by the controller CNT.

레이저 간섭계(도시되지 않음)를 이용하여 기판 스테이지(6)의 위치를 계측하기 위해 기판 스테이지(6) 상에 미러가 배치된다. X-Y 평면상에서의 기판 스테이지(6)(결과로서, 기판(5))의 위치 및 그 회전 각도 θZ가 레이저 간섭계를 이용하여 실시간으로 계측되며, 계측 결과들이 제어기 CNT에 전송된다. 마찬가지로, Z 방향에서의 기판 스테이지(6)의 위치 및 그 회전 각도들 θX θY가 레이저 간섭계를 이용하여 실시간으로 계측되며, 계측 결과들이 제어기 CNT에 전송된다. 제어기 CNT는, 레이저 간섭계에 의해 획득된 계측 결과들에 기초하여 기판 스테이지 구동 메커니즘을 제어하여, X, Y, 및 Z 방향들에서의 기판(5)의 위치 및 그 회전 각도들 θX, θY, 및 θZ을 조정한다.A mirror is placed on the substrate stage 6 to measure the position of the substrate stage 6 using a laser interferometer (not shown). The position of the substrate stage 6 (as a result, the substrate 5) and its rotation angle θ Z on the XY plane are measured in real time using a laser interferometer, and the measurement results are transmitted to the controller CNT. Similarly, the position of the substrate stage 6 in the Z direction and its rotation angles θ X And θ Y are measured in real time using a laser interferometer, and the measurement results are sent to the controller CNT. The controller CNT controls the substrate stage driving mechanism based on the measurement results obtained by the laser interferometer, so that the position of the substrate 5 and its rotation angles θ X, θ Y in the X, Y, and Z directions , And θ Z.

원판 얼라인먼트 검출계는 원판 스테이지(4) 근방에 배치된다. 원판 얼라인먼트 검출계는, 원판 스테이지(4) 상에 설정된 원판 스테이지 기준 마크(10) 및 투영 광학계(9)를 통해 기판 스테이지들(6) 상의 기판 스테이지 기준 마크들(11, 즉, 11a 및 11b)을 검출한다. 원판 얼라인먼트 검출계를 이용하면 원판 스테이지 기준 마크(10)에 대해 기판 스테이지 기준 마크들(11)의 얼라인먼트를 가능케 한다.The disc alignment detection system is arranged in the vicinity of the disc stage 4. The disc alignment detection system includes the substrate stage reference marks 11 (ie, 11a and 11b) on the substrate stages 6 through the disc stage reference mark 10 and the projection optical system 9 set on the disc stage 4. Is detected. The disc alignment detection system enables the alignment of the substrate stage reference marks 11 with respect to the disc stage reference mark 10.

계측 스테이션(1)은 기판(5) 및 기판 스테이지 기준 마크(11)의 위치들을 검출하는 얼라인먼트 검출계(제1 검출기), 및 기판(5)의 표면 위치 정보(Z 방향에서의 위치 정보 및 경사 정보)를 검출하는 포커스 검출계(제2 검출기)를 포함한다. 포커스 검출계(12)는 기판(5)의 표면에 검출광을 투사하는 투사계, 및 기판(5)에 의해 반사된 광을 수광하는 수광계를 포함한다. 포커스 검출계(12)에 의해 획득된 검출 결과(계측 값)는 제어기 CNT에 전송된다. 제어기 CNT는 포커스 검출계(12)에 의해 획득된 검출 결과에 기초하여 Z 스테이지를 구동하며, Z 스테이지에 의해 유지된 기판(5)의 Z 방향에서의 위치(포커스 위치) 및 경사각을 조정한다. 얼라인먼트 검출계(13)에 의해 획득된, 기판(5) 및 기판 스테이지 기준 마크(11)의 위치 검출 결과들(계측 값들)은 위치결정 정보의 부분들로서 제어기 CNT에 전송된다.The measurement station 1 includes an alignment detection system (first detector) for detecting positions of the substrate 5 and the substrate stage reference mark 11, and surface position information (position information and tilt in the Z direction) of the substrate 5. And a focus detector (second detector) for detecting information). The focus detection system 12 includes a projection system that projects detection light onto the surface of the substrate 5, and a light reception system that receives light reflected by the substrate 5. The detection result (measurement value) obtained by the focus detection system 12 is transmitted to the controller CNT. The controller CNT drives the Z stage based on the detection result obtained by the focus detection system 12, and adjusts the position (focus position) and the inclination angle in the Z direction of the substrate 5 held by the Z stage. The position detection results (measurement values) of the substrate 5 and the substrate stage reference mark 11, obtained by the alignment detection system 13, are transmitted to the controller CNT as parts of the positioning information.

기판 스테이지 기준 마크(11)는 기판(5)의 표면과 거의 동일한 높이로 설정되며, 원판 얼라인먼트 검출계 및 얼라인먼트 검출계(13)에 의한 위치 검출에 이용된다. 또한, 기판 스테이지 기준 마크(11)는 평탄한 표면 부분을 가지므로, 포커스 검출계(12)의 기준 평면으로서 기능한다. 기판 스테이지 기준 마크들(11)은 기판 스테이지(6)의 복수의 코너들에서 설정될 수 있다.The substrate stage reference mark 11 is set to almost the same height as the surface of the substrate 5 and is used for position detection by the disc alignment detection system and the alignment detection system 13. In addition, since the substrate stage reference mark 11 has a flat surface portion, it functions as a reference plane of the focus detection system 12. The substrate stage reference marks 11 can be set at a plurality of corners of the substrate stage 6.

도 4에 도시된 바와 같이, 기판(5)은 얼라인먼트 검출계(13)에 의해 위치들이 검출되는, 복수의 얼라인먼트 마크들(이하, 간단히 마크로서 지칭되기도 함) AM1 내지 AM8을 포함한다. 이러한 역할의 복수의 얼라인먼트 마크들이 기판(5) 상의 각각의 샷 영역들 주변에 배치되며, X 및 Y 방향들에서의 얼라인먼트 마크들 및 샷 영역 간의 위치적 관계는 주지되어 있다. 따라서, 샷 영역의 위치는 얼라인먼트 마크들의 위치들을 검출함으로써 검출될 수 있다.As shown in FIG. 4, the substrate 5 includes a plurality of alignment marks (hereinafter also referred to simply as marks) AM1 to AM8, in which positions are detected by the alignment detection system 13. A plurality of alignment marks in this role are arranged around respective shot regions on the substrate 5, and the positional relationship between the alignment marks and the shot region in the X and Y directions is well known. Thus, the position of the shot region can be detected by detecting the positions of the alignment marks.

노광 장치 EX의 동작이 이하에 설명될 것이다. 기판(5)이 계측 스테이션(1) 내에 로딩된 후, 기판 스테이지 기준 마크(11)는 얼라인먼트 검출계(13)에 의해 검출된다. 이러한 동작을 구현하기 위해, 제어기 CNT는, 레이저 간섭계로부터의 출력을 모니터링하면서 X-Y 스테이지를 이동시켜서, 기판 스테이지 기준 마크(11)가 얼라인먼트 검출계(13)의 시야 내로 들어오도록 한다. 이러한 동작으로, 얼라인먼 트 검출계(13)는, 레이저 간섭계에 의해 정의된 좌표계 상에서의 기판 스테이지 기준 마크(11)의 위치 정보를 검출한다. 계측 스테이션(1)에서, 포커스 검출계(12)는 기판 스테이지 기준 마크(11)의 표면 위치 정보를 검출한다.The operation of the exposure apparatus EX will be described below. After the substrate 5 is loaded into the measurement station 1, the substrate stage reference mark 11 is detected by the alignment detection system 13. To implement this operation, the controller CNT moves the X-Y stage while monitoring the output from the laser interferometer, allowing the substrate stage reference mark 11 to enter the field of view of the alignment detection system 13. In this operation, the alignment detection system 13 detects the positional information of the substrate stage reference mark 11 on the coordinate system defined by the laser interferometer. In the measurement station 1, the focus detection system 12 detects surface position information of the substrate stage reference mark 11.

기판(5) 상에 정의된 복수의 샷 영역들의 위치들이 검출된다. 제어기 CNT는, 레이저 간섭계로부터의 출력을 모니터링하면서 X-Y 스테이지를 이동시켜서, 기판(5) 상의 각각의 샷 영역의 주변(스크라이브 라인)에 배치된 얼라인먼트 마크들이 얼라인먼트 검출계(13)의 시야를 통과하도록 한다. 이동 처리 중에, 얼라인먼트 검출계(13)는 기판(5) 상의 샷 영역의 주변에 형성된 복수의 얼라인먼트 마크들의 위치들을 검출한다. 이러한 동작은 X 및 Y 방향들을 따라 확장하는 복수의 스크라이브 라인들에 대해 반복됨으로써, 선택된 얼라인먼트 마크들을 검출한다. 이러한 동작으로, 레이저 간섭계에 의해 정의된 좌표계 상에서의 각각의 얼라인먼트 마크들의 위치가 검출된다. 얼라인먼트 마크 계측의 상세 부분은 이후에 설명될 것이다.The positions of the plurality of shot regions defined on the substrate 5 are detected. The controller CNT moves the XY stage while monitoring the output from the laser interferometer so that alignment marks disposed around the scribe line of each shot region on the substrate 5 pass through the field of view of the alignment detection system 13. do. During the movement process, the alignment detection system 13 detects the positions of the plurality of alignment marks formed around the shot area on the substrate 5. This operation is repeated for a plurality of scribe lines extending along the X and Y directions, thereby detecting the selected alignment marks. In this operation, the positions of the respective alignment marks on the coordinate system defined by the laser interferometer are detected. Details of the alignment mark measurement will be described later.

얼라인먼트 검출계(13)에 의해 획득된 기판 스테이지 기준 마크(11) 및 각각의 얼라인먼트 마크의 검출 결과들에 기초하여, 기판 스테이지 기준 마크(11)와 각각의 얼라인먼트 마크 간의 위치 관계가 획득된다. 각각의 얼라인먼트 마크와 각각의 샷 영역 간의 위치적 관계는 주지되어 있으므로, X-Y 평면에서의 기판 스테이지 기준 마크(11)와 기판(5) 상의 각각의 샷 영역 간의 위치 관계 또한 결정될 수 있다.Based on the substrate stage reference mark 11 obtained by the alignment detection system 13 and the detection results of each alignment mark, the positional relationship between the substrate stage reference mark 11 and each alignment mark is obtained. Since the positional relationship between each alignment mark and each shot region is well known, the positional relationship between the substrate stage reference mark 11 in the X-Y plane and each shot region on the substrate 5 can also be determined.

포커스 검출계(12)는 기판(5) 상의 모든 샷 영역들에서 기판(5)의 표면 위치 정보의 부분들을 검출한다. 검출 결과들은, 레이저 간섭계에 의해 정의된 좌표계 상에서의 X 및 Y 방향들에서의 위치들과 연관되며, 제어기 CNT에 기억된다.The focus detector 12 detects portions of the surface position information of the substrate 5 in all shot regions on the substrate 5. The detection results are associated with positions in the X and Y directions on the coordinate system defined by the laser interferometer and stored in the controller CNT.

포커스 검출계(12)에 의해 획득된 기판 스테이지 기준 마크(11)의 표면 위치 정보 및 기판(5)의 각각의 샷 영역 상의 표면 위치 정보의 검출 결과들에 기초하여, 기판 스테이지 기준 판(14)의 표면들과 각각의 샷 영역 간의 위치적 관계가 결정된다.The substrate stage reference plate 14 is based on the surface position information of the substrate stage reference mark 11 obtained by the focus detection system 12 and the detection results of the surface position information on each shot region of the substrate 5. The positional relationship between the surfaces of and each shot region is determined.

계측 스테이션(1)에서 획득된 기판(5)의 계측 결과들에 기초하여 기판이 노광 스테이션(2)에서 노광된다.The substrate is exposed at the exposure station 2 based on the measurement results of the substrate 5 obtained at the measurement station 1.

제어기 CNT는 X-Y 스테이지를 이동시켜, 기판 스테이지 기준 마크(11)가 원판 얼라인먼트 검출계의 시야 내에 들어오도록 한다. 원판 얼라인먼트 검출계는 원판 스테이지 기준 마크(10) 및 투영 광학계(9)를 통해 기판 스테이지 기준 마크(11)를 검출한다. 즉, X 및 Y 방향들에서의 원판 스테이지 기준 마크(10)와 기판 스테이지 기준 마크(11) 간의 위치 관계, 및 Z 방향에서의 위치적 관계가 투영 광학계(9)를 통해 검출된다. 이러한 동작으로, 투영 광학계(9)에 의해 기판 상에 투영된 원판 패턴의 상 위치가 기판 스테이지 기준 마크(11)를 이용하여 검출된다.The controller CNT moves the X-Y stage, causing the substrate stage reference mark 11 to enter the field of view of the disc alignment detection system. The disc alignment detection system detects the substrate stage reference mark 11 through the disc stage reference mark 10 and the projection optical system 9. That is, the positional relationship between the disc stage reference mark 10 and the substrate stage reference mark 11 in the X and Y directions, and the positional relationship in the Z direction is detected through the projection optical system 9. In this operation, the image position of the original pattern projected on the substrate by the projection optical system 9 is detected using the substrate stage reference mark 11.

투영 광학계(9)에 의해 형성된 원판 패턴의 상 위치가 검출되면, 제어기 CNT는 X-Y 스테이지를 이동시켜 기판(5) 상의 각각의 샷 영역을 노광한다. 계측 스테이션(1)에서 획득된 계측 결과들을 이용하여, 각각의 샷 영역이 스캐닝되고 노광된다. 각각의 샷 영역의 노광에 있어서, 제어기 CNT는, 계측 스테이션(1)에서 획득된 정보(기판 스테이지 기준 마크(11)와 각각의 샷 영역 간의 위치 관계)와, 노광 스테이션(2)에서 획득된 정보(기판 스테이지 기준 마크(11)와 원판 패턴의 상 간의 위치 관계)에 기초하여, 원판(3)과 기판(5) 상의 각각의 샷 영역 간의 정렬을 제어한다.When the image position of the original pattern formed by the projection optical system 9 is detected, the controller CNT moves the X-Y stage to expose each shot region on the substrate 5. Using the measurement results obtained at the metrology station 1, each shot area is scanned and exposed. In the exposure of each shot region, the controller CNT includes information obtained at the measurement station 1 (positional relationship between the substrate stage reference mark 11 and each shot region) and information obtained at the exposure station 2. Based on the positional relationship between the substrate stage reference mark 11 and the image of the original pattern, the alignment between the shot plate 3 and each shot region on the substrate 5 is controlled.

제어기 CNT는 또한 스캐닝 노광 동안에, 기판(5)의 표면이 투영 광학계(9)의 상면(image plane)과 정렬하도록 기판(5)의 표면 위치를 제어한다. 이러한 제어는, 계측 스테이션(1)에서 획득된, 기판 스테이지 기준 마크(11)의 표면과 기판(5)의 표면 간의 위치 관계와, 노광 스테이션(2)에서 획득된, 기판 스테이지 기준 마크(11)의 표면과 투영 광학계(9)에 의해 형성된 원판 패턴의 상면 간의 위치 관계에 기초하여 행해진다.The controller CNT also controls the surface position of the substrate 5 such that during the scanning exposure, the surface of the substrate 5 is aligned with the image plane of the projection optical system 9. This control is based on the positional relationship between the surface of the substrate stage reference mark 11 and the surface of the substrate 5, obtained at the metrology station 1, and the substrate stage reference mark 11, obtained at the exposure station 2. It is performed based on the positional relationship between the surface of and the upper surface of the original pattern formed by the projection optical system 9.

다음으로, 본 실시예에 따른 얼라인먼트 마크 계측이 상세하게 설명될 것이다. 도 3은 얼라인먼트 마크 계측 방법을 개략적으로 도시하는 도면이다. 도 4는, 기판 스테이지(6)의 이동 동안의, 기판(5) 상의 샷 영역 ST, 얼라인먼트 마크 AM1 내지 AM8, 및 얼라인먼트 검출계(13)의 시야 AF를 개략적으로 도시하는 도면이다. 전술한 바와 같이, 복수의 샷 영역들 ST이 기판(5) 상에 배치되고, 얼라인먼트 마크들은 각각의 샷 영역의 주변(스크라이브 라인)에 배치된다.Next, the alignment mark measurement according to the present embodiment will be described in detail. 3 is a diagram schematically showing an alignment mark measurement method. 4 is a diagram schematically showing the visual field AF of the shot region ST on the substrate 5, the alignment marks AM1 to AM8, and the alignment detection system 13 during the movement of the substrate stage 6. As described above, a plurality of shot regions ST are disposed on the substrate 5, and alignment marks are disposed at the periphery (scribe line) of each shot region.

이 실시예에서, 얼라인먼트 검출계(13)는, 샷 영역들의 배열에서의 X 및 Y 방향들에 평행하게 기판 스테이지(6)를 이동시키면서 복수의 얼라인먼트 마크들의 위치들을 검출한다. 얼라인먼트 검출계(13)는 이미지 센서를 포함한다는 점을 유의한다. 이미지 센서는 얼라인먼트 마크들을 촬상하고, 획득된 화상을 처리함으로써 얼라인먼트 검출계(13)의 시야에서의 얼라인먼트 마크들의 위치들을 검출한다.In this embodiment, the alignment detection system 13 detects the positions of the plurality of alignment marks while moving the substrate stage 6 parallel to the X and Y directions in the arrangement of the shot regions. Note that the alignment detection system 13 includes an image sensor. The image sensor detects the positions of the alignment marks in the field of view of the alignment detection system 13 by imaging the alignment marks and processing the obtained image.

예를 들어, 얼라인먼트 마크들은 거의 X 방향을 따라 스크라이브 라인들 상에 배치된 마크 군(도 4에서의 마크들, AM5, AM6, AM7, 및 AM8) 및 거의 Y 방향을 따라 스크라이브 라인들 상에 배치된 마크 군(도 4에서의 마크들, AM1, AM2, AM3, 및 AM4)을 포함한다. 실제로는, 스크라이브 라인들의 방향들이 샷 영역 또는 그 배열의 변형에 기인하여 X 또는 Y 방향에 정확하게 평행하지 않을 수 있다는 사실을 고려하여 본 명세서에서 "거의"가 사용된다.For example, the alignment marks are disposed on the scribe lines along the scribe lines almost in the X direction (marks in FIG. 4, AM5, AM6, AM7, and AM8) and on the scribe lines along the nearly Y direction. Group of marks (marks in Fig. 4, AM1, AM2, AM3, and AM4). In practice, “almost” is used herein in view of the fact that the directions of the scribe lines may not be exactly parallel to the X or Y direction due to the deformation of the shot area or its arrangement.

편의상, 전자는 제1 마크 군으로 지칭될 수 있으며, 후자는 제2 마크 군으로서 지칭될 수 있다. 또한, X 방향은 제1 방향으로 지칭될 수 있으며, Y 방향은 제 2 방향으로 지칭될 수 있다. 이러한 정의하에서, 제어기 CNT는 기판 스테이지(6)를 거의 제1 방향을 따라 이동시키면서 얼라인먼트 검출계(제1 검출기)(13)를 제어하여 제1 마크 군을 검출한다. 제어기 CNT는 또한, 거의 제2 방향을 따라 기판 스테이지(6)를 이동시키면서 얼라인먼트 검출계(13)를 제어하여 제2 마크 군의 각각의 마크의 위치를 검출한다. 제어기 CNT는 제2 방향에서 기판 스테이지(6)의 위치를 변경시키며, 그 위치의 모든 변경에 대하여 거의 제1 방향을 따라 기판 스테이지(6)를 이동시키면서 얼라인먼트 검출계(13)를 제어하여 위치 검출을 실행한다. 제어기 CNT는 또한, 제1 방향에서의 기판 스테이지(6)의 위치를 변경하며, 그 위치의 모든 변경에 대해 거의 제2 방향을 따라 기판 스테이지(6)를 이동시키면서 얼라인먼트 검출계(13)를 제어하여 위치 검출을 실행한다.For convenience, the former may be referred to as the first mark group and the latter may be referred to as the second mark group. In addition, the X direction may be referred to as the first direction, and the Y direction may be referred to as the second direction. Under this definition, the controller CNT controls the alignment detection system (first detector) 13 while moving the substrate stage 6 along the almost first direction to detect the first mark group. The controller CNT also controls the alignment detection system 13 while moving the substrate stage 6 along the nearly second direction to detect the position of each mark in the second mark group. The controller CNT changes the position of the substrate stage 6 in the second direction and detects the position by controlling the alignment detection system 13 while moving the substrate stage 6 along the almost first direction for every change in the position. Run The controller CNT also changes the position of the substrate stage 6 in the first direction and controls the alignment detection system 13 while moving the substrate stage 6 along a nearly second direction for every change in its position. To perform position detection.

전술한 계측 방법은, 기판 스테이지(6)를 이동시키면서 스크라이브 라인과 접하는 복수의 샷 영역(예를 들어, 스크라이브 라인과 접하는 모든 샷 영역들)에 대응하는 복수의 얼라인먼트 마크의 위치들을 검출할 수 있다.The above-described measurement method may detect positions of a plurality of alignment marks corresponding to a plurality of shot regions (for example, all shot regions in contact with the scribe line) while moving the substrate stage 6. .

도 3 및 도 4에서의 화살표들은, 얼라인먼트 검출계(13)의 시야가 기판에 대해 이동하는 상태를 개략적으로 도시한다는 점을 유의한다. 실제로는, 얼라인먼트 검출계(13)는 위치가 고정되어 있으므로, 기판, 즉, 얼라인먼트 마크들은 화살표로 나타내어진 방향들의 반대 방향들로 이동한다.Note that the arrows in FIGS. 3 and 4 schematically show the state in which the field of view of the alignment detection system 13 moves relative to the substrate. In practice, since the alignment detection system 13 is fixed in position, the substrate, i.e., alignment marks, move in directions opposite to the directions indicated by the arrows.

얼라인먼트 정밀도를 개선하고자 하는 요구를 만족하기 위해, 계측 샷 영역들의 수뿐만 아니라 각각의 계측 샷 내의 계측 얼라인먼트 마크들의 수를 증가시킬 필요가 있다. 이러한 이유로, 1개의 스크라이브 라인 상의 얼라인먼트 마크들뿐만 아니라 복수의 스크라이브 라인들 상의 얼라인먼트 마크들을 계측하는 것이 바람직하다. 동일한 방향에서의 스크라이브 라인들 상의 얼라인먼트 마크들을 계측하는 것은 각각의 샷 영역의 형상을 산출하기에 불충분하다. 예를 들어, 도 3에서의 Y 방향을 따라 스크라이브 라인 상의 얼라인먼트 마크들 만이 계측되는 경우, 오직 도 4에서의 얼라인먼트 마크들 AM1 및 AM2 (Y 방향을 따라 2개의 스크라이브 라인들이 계측되는 경우는, 얼라인먼트 마크들 AM1 내지 AM4)만이 계측될 수 있다. 이 경우, X 방향을 따라 각각의 샷 영역의 형상의 변화를 계측하는 것은 불가능하다. 따라서, X 및 Y 방향 모두를 따라 스크라이브 라인들 상에 배치된 얼라인먼트 마크들을 계측하는 것이 바람직하다.In order to meet the need to improve alignment accuracy, it is necessary to increase the number of metrology alignment marks in each metrology shot as well as the number of metrology shot regions. For this reason, it is desirable to measure alignment marks on a plurality of scribe lines as well as alignment marks on one scribe line. Measuring alignment marks on scribe lines in the same direction is insufficient to calculate the shape of each shot region. For example, when only the alignment marks on the scribe line are measured along the Y direction in FIG. 3, only the alignment marks AM1 and AM2 in FIG. 4 (when two scribe lines are measured along the Y direction, the alignment Only marks AM1 to AM4 can be measured. In this case, it is impossible to measure the change in the shape of each shot region along the X direction. Therefore, it is desirable to measure alignment marks disposed on the scribe lines along both the X and Y directions.

이것은 다수의 얼라인먼트 마크들을 계측할 뿐 아니라 각각의 샷 영역의 2차원적 형상을 계측하므로, 각각의 샷 영역의 위치 및 형상을 보정하고 노광을 행하는 것을 가능케 한다.This not only measures a plurality of alignment marks but also measures the two-dimensional shape of each shot region, thereby making it possible to correct the position and shape of each shot region and perform exposure.

도 3은 1열 걸러, 그리고 1행 걸러의 스크라이브 라인들 상에서 얼라인먼트 마크들이 계측되는 경우를 예시하고 있으나, 이것은 단지 하나의 예일 뿐이다. 요구되는 얼라인먼트 정밀도에 따라 계측하는 스크라이브 라인들이 결정될 수 있다. 기판의 주변부의 샷 영역들과 같이, 더 높은 정밀도를 요구하는 부분이 존재하는 경우, 계측하는 스크라이브 라인들의 밀도는 위치에 따라 변화할 수 있다. 또한, 얼라인먼트 마크들의 위치 및 수는 도 4에 도시된 것들에 한정되지 않는다.3 illustrates a case where alignment marks are measured on scribe lines every other row and every other row, but this is only one example. The scribe lines to measure can be determined according to the alignment accuracy required. If there is a portion that requires higher precision, such as shot regions around the periphery of the substrate, the density of the scribe lines to measure can vary with location. Also, the position and number of alignment marks are not limited to those shown in FIG.

도 1은 얼라인먼트 마크 계측의 시퀀스를 나타내는 흐름도이다. 이 시퀀스는 제어기 CNT에 의해 제어된다. 우선, 단계 S101은 샷 영역들의 배열을 개략적으로 계측하는 개략 얼라인먼트 프로세스이다. 개략 얼라인먼트 프로세스는 도 12의 단계 S401에서의 것과 동일하다.1 is a flowchart showing a sequence of alignment mark measurement. This sequence is controlled by the controller CNT. First, step S101 is a schematic alignment process for roughly measuring the arrangement of shot regions. The schematic alignment process is the same as in step S401 of FIG.

단계 S102에서, 제어기 CNT는, 스크라이브 라인 상의 얼라인먼트 마크들이 얼라인먼트 검출계(13)의 시야를 통과하도록 정해진 목표 구동 경로에 따라 기판 스테이지(6)의 구동을 개시한다. 더욱 구체적으로, 기판 스테이지(6)는 얼라인먼트 검출계(13)의 시야가 도 3의 화살표들에 의해 나타내어진 방향들로 이동하도록(기판 스테이지(6)는 화살표들에 의해 나타내어진 방향들의 반대 방향으로 이동하도록) 구동된다.In step S102, the controller CNT starts the driving of the substrate stage 6 according to the target drive path in which the alignment marks on the scribe line pass through the field of view of the alignment detection system 13. More specifically, the substrate stage 6 moves the field of view of the alignment detection system 13 in the directions indicated by the arrows in FIG. 3 (the substrate stage 6 is opposite the directions indicated by the arrows). To be moved).

단계 S103에서, 제어기 CNT는 얼라인먼트 검출계(13)가 얼라인먼트 마크를 촬상하는 순간의 기판 스테이지(6)의 위치를 산출한다. 더욱 구체적으로, 제어기 CNT는 개략 얼라인먼트 프로세스에서 계측된 샷 배열 위치들 및 미리 설정된 샷 영역에 대응하는 얼라인먼트 마크들의 설계 위치들에 기초하여, 얼라인먼트 마크가 얼라인먼트 검출계(13)의 시야로 들어가는 순간의 기판 스테이지(6)의 위치를 산출한다.In step S103, the controller CNT calculates the position of the substrate stage 6 at the moment when the alignment detection system 13 picks up the alignment mark. More specifically, the controller CNT is based on the shot arrangement positions measured in the schematic alignment process and the design positions of the alignment marks corresponding to the preset shot area, so that the moment of the alignment mark entering the field of view of the alignment detection system 13 is determined. The position of the substrate stage 6 is calculated.

기판 스테이지(6)가 X-Y 평면을 따라 이동하는 동안의 Z 방향에서의 기판 스테이지(6)(기판(5))의 위치가 본 명세서에서 설명될 것이다. 얼라인먼트 마크가 얼라인먼트 검출계(13)에 의해 촬상된 경우, 얼라인먼트 마크는 얼라인먼크 검출계(13)의 물체면(초점 위치)와 정렬될 필요가 있다. 얼라인먼트 마크가 물체면과 정렬되지 않는 경우, 얼라인먼트 마크를 촬상함으로써 획득된 화상의 콘트라스트가 감소하며, 계측 정밀도의 저하를 야기한다. 이러한 상황을 회피하기 위해, 이 실시예에서, 얼라인먼트 마크가 얼라인먼트 검출계(13)의 물체면과 정렬되는 경우, 포커스 검출계(12)에 의해 획득된 계측 값이 기억된다. 기판 스테이지(6)의 구동 동안에, 포커스 검출계(12)는 Z 방향에서의 기판(5)의 표면 위치를 계측하고, Z 방향에서의 기판 스테이지(6)의 위치는, 항상 포커스 검출계(12)에 의해 획득된 계측 값이 먼저 기억된 것과 일치하도록 제어된다. 이것은 기판 스테이지(6)의 구동 동안에 얼라인먼트 검출계(13)의 물체면과 얼라인먼트 마크가 정렬되는 것을 가능케 한다.The position of the substrate stage 6 (substrate 5) in the Z direction while the substrate stage 6 moves along the X-Y plane will be described herein. When the alignment mark is picked up by the alignment detection system 13, the alignment mark needs to be aligned with the object plane (focus position) of the alignment monk detection system 13. When the alignment mark is not aligned with the object plane, the contrast of the image obtained by imaging the alignment mark is reduced, causing a decrease in measurement accuracy. In order to avoid such a situation, in this embodiment, when the alignment mark is aligned with the object plane of the alignment detection system 13, the measurement value obtained by the focus detection system 12 is stored. During the drive of the substrate stage 6, the focus detection system 12 measures the surface position of the substrate 5 in the Z direction, and the position of the substrate stage 6 in the Z direction is always the focus detection system 12. The measured values obtained by) are controlled to match those previously stored. This makes it possible to align the alignment mark with the object plane of the alignment detection system 13 during the drive of the substrate stage 6.

단계 S104에서, 제어기 CNT는 기판 스테이지(6)가 단계 S103에서 산출된 촬상 위치에 도달할 때까지 대기한 후, 얼라인먼트 검출계(13)를 제어하여 얼라인먼트 마크를 촬상한다. 제어기 CNT는 얼라인먼트 마크의 촬상시의 기판 스테이지(6)의 위치를 저장한다.In step S104, the controller CNT waits until the substrate stage 6 reaches the imaging position calculated in step S103, and then controls the alignment detection system 13 to pick up the alignment mark. The controller CNT stores the position of the substrate stage 6 at the time of imaging the alignment mark.

단계 S105에서, 제어기 CNT는 촬상된 얼라인먼트 마크 화상에 기초하여 얼라 인먼트 검출계(13)의 시야에서의 얼라인먼트 마크의 위치를 주지된 방법을 이용하여 산출한다. 다음으로, 제어기 CNT는 얼라인먼트 마크를 촬상할 때의 기판 스테이지(6)의 위치 및 얼라인먼트 검출계(13)의 시야에서의 얼라인먼트 마크의 위치에 기초하여 기판(5) 상의 얼라인먼트 마크의 위치를 산출한다. 얼라인먼트 마크를 촬상한 직후 얼라인먼트 검출계(13)의 시야에서의 얼라인먼트 마크의 위치가 산출되는 경우가 본 명세서에서 하나의 예로서 설명되었다. 그러나, 얼라인먼트 마크의 위치는 모든 얼라인먼트 마크들을 촬상하고, 촬상된 데이터가 기억된 후에 산출될 수 있다.In step S105, the controller CNT calculates the position of the alignment mark in the field of view of the alignment detection system 13 using a known method based on the image of the alignment mark image picked up. Next, the controller CNT calculates the position of the alignment mark on the substrate 5 based on the position of the substrate stage 6 when imaging the alignment mark and the position of the alignment mark in the field of view of the alignment detection system 13. . The case where the position of the alignment mark in the visual field of the alignment detection system 13 is computed immediately after imaging the alignment mark was demonstrated as an example in this specification. However, the position of the alignment mark can be calculated after imaging all the alignment marks and after the captured data is stored.

단계들 S103 내지 S105에서의 처리는, 1개의 스크라이브 라인 상에서 계측되는 모든 얼라인먼트 마크들이 계측되었다고 단계 S106에서 판정될 때까지 반복된다.The processing in steps S103 to S105 is repeated until it is determined in step S106 that all of the alignment marks measured on one scribe line have been measured.

1개의 스크라이브 라인 상에서 계측되는 모든 얼라인먼트 마크들이 계측되었다고 단계 S106에서 판정하면, 제어기 CNT는 단계 S107에서 기판 스테이지(6)의 스캔 구동을 종료한다. 단계들 S102 내지 S107에서 전술된 처리에 의해, 1개의 스크라이브 라인 상에 배치된 얼라인먼트 마크들이 계측되었다.If it is determined in step S106 that all the alignment marks measured on one scribe line have been measured, the controller CNT ends the scan drive of the substrate stage 6 in step S107. By the processing described above in steps S102 to S107, alignment marks disposed on one scribe line were measured.

후속하여, 모든 스크라이브 라인들 상의 얼라인먼트 마크들이 계측되었다고 단계 S108에서 판정될 때까지 단계들 S102 내지 S107에서의 처리가 그외의 스크라이브 라인들 상에 배치된 얼라인먼트 마크들에 대해 실행된다.Subsequently, the processing in steps S102 to S107 is executed for the alignment marks disposed on the other scribe lines until it is determined in step S108 that the alignment marks on all the scribe lines have been measured.

이 실시예에 따라, 기판 스테이지를 이동시키면서, X 및 Y 방향들을 따라 스크라이브 라인 상의 얼라인먼트 마크들이 계측된다. 이것은 계측 정밀도를 개선하 는 한편 계측 처리에 걸리는 시간을 감소시키는 것을 가능케 한다.According to this embodiment, alignment marks on the scribe line are measured along the X and Y directions while moving the substrate stage. This makes it possible to improve the measurement accuracy while reducing the time taken for the measurement process.

[제2 실시예]Second Embodiment

제2 실시예에서, 포커스 검출계(제2 검출기)(12)는 얼라인먼트 검출계(제1 검출기)(13)에 의한 위치 검출에 병행하여, 투영 광학계(9)의 광축 방향(Z 방향)에서의 기판(5)의 표면 위치를 검출한다. 본 명세서에서 있어서, 하나의 동작과 또 다른 동작이 병행하여 실행되는 경우, 하나의 동작의 주기의 적어도 일부분이 다른 동작의 주기의 적어도 일부분과 중첩된다.In the second embodiment, the focus detection system (second detector) 12 is parallel to the position detection by the alignment detection system (first detector) 13 in the optical axis direction (Z direction) of the projection optical system 9. The surface position of the board | substrate 5 is detected. In the present specification, when one operation and another operation are executed in parallel, at least a portion of a period of one operation overlaps at least a portion of a period of another operation.

제2 실시예에 따른 노광 장치의 구성 및 동작으로서 구체적으로 언급하지 않은 세부 사항들은 제1 실시예에서와 동일할 수 있다. 이하의 설명에서, 기판 표면 위치 검출 또는 계측은 포커스 검출 또는 계측으로서 지칭될 것이다. Details not specifically mentioned as the configuration and operation of the exposure apparatus according to the second embodiment may be the same as in the first embodiment. In the following description, substrate surface position detection or metrology will be referred to as focus detection or metrology.

도 5는 얼라인먼트 마크들의 위치들 및 기판의 표면 위치를 계측하는 방법을 개략적으로 도시하는 도면이다. 도 5에서 굵은 화살표에 의해 나타내어진 방향들에서 기판 스테이지(6)를 이동시키는 중에 얼라인먼트 마크 계측 및 포커스 계측이 병행하여 실행된다. 도 5에서의 얇은 화살표에 의해 나타내어진 방향들에서 기판 스테이지(6)를 이동시키는 중에는 오직 얼라인먼트 마크 계측만이 실행된다. 포커스 검출계(12)는, 오직 기판 스테이지(6)가 도 5에서의 굵은 화살표들에 의해 나타내어진 방향들(Y 방향)에서 이동하는 경우에만 포커스 계측을 수행할 수 있도록 구성된다. 그러나, 포커스 검출계(12)는, 기판 스테이지(6)가 X 방향에서 이동하는 경우 및 Y 방향에서 이동하는 경우 모두 포커스 계측을 수행할 수 있도록 구성될 수 있다. 이러한 구성에서, 기판 스테이지(6)가 X 방향에서 이동하는 경우 및 Y 방향에서 이동하는 경우 모두 얼라인먼트 마크 계측 및 포커스 계측이 병행하여 실행될 수 있다.FIG. 5 is a diagram schematically illustrating a method of measuring positions of alignment marks and a surface position of a substrate. FIG. Alignment mark measurement and focus measurement are performed in parallel while moving the substrate stage 6 in the directions indicated by the thick arrows in FIG. 5. Only the alignment mark measurement is performed while moving the substrate stage 6 in the directions indicated by the thin arrows in FIG. 5. The focus detection system 12 is configured to be able to perform focus measurement only when the substrate stage 6 moves in the directions (Y direction) indicated by the thick arrows in FIG. 5. However, the focus detection system 12 may be configured to perform focus measurement both when the substrate stage 6 moves in the X direction and when it moves in the Y direction. In such a configuration, both alignment mark measurement and focus measurement can be performed in parallel when the substrate stage 6 moves in the X direction and in the Y direction.

얼라인먼트 마크 계측 및 포커스 계측을 병행하여 실행하면, 기판(5)을 계측하는데 소요되는 시간을 감소시키는 것이 가능하게 된다. 또한, 포커스 검출계(12)에 의해 획득된 기판 표면 위치의 검출 결과에 기초하여 기판 표면 위치를 얼라인먼트 검출계(13)의 물체면과 정렬시키면서 얼라인먼트 검출계(13)가 위치 검출을 실행하는 것이 가능하다.By performing alignment mark measurement and focus measurement in parallel, it becomes possible to reduce the time required for measuring the substrate 5. Further, the alignment detection system 13 performs position detection while aligning the substrate surface position with the object surface of the alignment detection system 13 based on the detection result of the substrate surface position acquired by the focus detection system 12. It is possible.

도 5는 얼라인먼트 검출계(13)의 시야 및 포커스 검출계(12)의 시야가 기판에 대해 이동하는 상태를 개략적으로 도시한다는 점을 유의한다. 실제로는, 얼라인먼트 검출계(13) 및 포커스 검출계(12)는 위치가 고정되어 있으므로, 기판은 화살표에 의해 나타내어진 방향들의 반대 방향으로 이동한다.5 schematically shows a state in which the field of view of the alignment detection system 13 and the field of view of the focus detection system 12 move relative to the substrate. In practice, since the alignment detection system 13 and the focus detection system 12 are fixed in position, the substrate moves in the direction opposite to the directions indicated by the arrows.

도 6은 얼라인먼트 검출계(13) 및 포커스 검출계(12)의 시야들을 개략적으로 도시하는 도면이다. 도 6에 개략적으로 도시된 바와 같이, 포커스 검출계(12)의 시야의 중심은 얼라인먼트 검출계(13)의 시야의 중심과 거의 동일할 수 있다. 또한, 도 6에 개략적으로 도시된 바와 같이, 스크라이브 라인이 얼라인먼트 검출계(13)의 시야 AF를 통과하면, 시야 FF를 갖는 포커스 검출계(12)는 스크라이브 라인을 통해 인접하는 샷 영역들 ST의 표면 위치들을 계측한다. 도 6의 화살표는 기판 이동 방향을 나타낸다.6 is a diagram schematically showing the fields of view of the alignment detection system 13 and the focus detection system 12. As schematically shown in FIG. 6, the center of view of the focus detection system 12 may be approximately the same as the center of view of the alignment detection system 13. In addition, as schematically shown in FIG. 6, when the scribe line passes the field of view AF of the alignment detection system 13, the focus detection system 12 having the field of view FF passes through the scribe line of the adjacent shot regions ST. Measure surface locations. Arrows in FIG. 6 indicate the substrate moving direction.

도 7은 얼라인먼트 마크 계측의 시퀀스를 도시하는 흐름도이다. 이러한 시퀀스는 제어기 CNT에 의해 제어된다. 우선, 단계 S201은 샷 영역들의 배열을 개략 적으로 계측하는 개략 얼라인먼트 프로세스이다. 개략 얼라인먼트 프로세스는 도 12의 단계 S401에서의 것과 동일하다.7 is a flowchart showing a sequence of alignment mark measurement. This sequence is controlled by the controller CNT. First, step S201 is a schematic alignment process that schematically measures the arrangement of shot regions. The schematic alignment process is the same as in step S401 of FIG.

단계 S202에서, 제어기 CNT는, 스크라이브 라인 상의 얼라인먼트 마크들이 얼라인먼트 검출계(13)의 시야를 통과하도록 정해진 목표 구동 경로에 따라 기판 스테이지(6)의 구동을 개시한다. 보다 구체적으로는, 기판 스테이지(6)는 얼라인먼트 검출계(13)의 시야가 도 6의 화살표에 의해 나타내어진 방향에서 이동(기판 스테이지(6)가 화살표에 의해 나타내어진 것과 반대 방행으로 이동)하도록 구동된다.In step S202, the controller CNT starts the driving of the substrate stage 6 according to the target drive path in which the alignment marks on the scribe line pass through the field of view of the alignment detection system 13. More specifically, the substrate stage 6 is moved so that the field of view of the alignment detection system 13 moves in the direction indicated by the arrow in FIG. 6 (the substrate stage 6 moves in the opposite direction as indicated by the arrow). Driven.

단계 S203에서, 제어기 CNT는 기판 스테이지(6)의 현재의 구동이, 얼라인먼트 계측만을 실행하려는 것인지 또는 얼라인먼트 계측 및 포커스 계측을 동시에 실행하려는 것인지의 여부를 판정한다. 이 구동이 얼라인먼트 계측만을 실행하려 하는 것이면, 제어기 CNT는 단계들 S204 내지 S207을 반복한다. 단계들 S204 내지 S207은 전술한 단계들 S103 내지 S106과 동일하다.In step S203, the controller CNT determines whether the current drive of the substrate stage 6 is to perform only alignment measurement or to execute alignment measurement and focus measurement at the same time. If this drive is to perform only alignment measurement, the controller CNT repeats steps S204 to S207. Steps S204 to S207 are the same as the steps S103 to S106 described above.

기판 스테이지(6)의 현재의 구동이 얼라인먼트 계측 및 포커스 계측을 동시에 실행하려는 것이면, 제어기 CNT는 단계들 S208, S204' 내지 S207', 및 S211의 처리를 실행한다. 단계 S208에서, 제어기 CNT는 포커스 검출계(12)를 제어하여 포커스 계측을 개시한다. 단계 S208에 후속하는 단계들 S208' 내지 S207'의 처리는 단계 S204 내지 S207에서의 것들과 동일하다. 단계 S211에서, 제어기 CNT는, 기판 스테이지(6)가 현재의 스크라이브 라인 상의 포커스 계측 종료 점에 대응하는 위치에 도달할 때까지 대기한 후, 포커스 계측을 종료한다.If the current driving of the substrate stage 6 is to perform alignment measurement and focus measurement at the same time, the controller CNT executes the processing of steps S208, S204 'to S207', and S211. In step S208, the controller CNT controls the focus detection system 12 to start focus measurement. The processing of steps S208 'to S207' subsequent to step S208 is the same as those in steps S204 to S207. In step S211, the controller CNT waits until the substrate stage 6 reaches a position corresponding to the focus measurement end point on the current scribe line, and then ends the focus measurement.

계측이 종료되었다고 단계 S207에서 판정하거나, 또는 단계 S211이 실행된 후에, 단계 S209에서 제어기 CNT는 기판 스테이지(6)의 스캔 구동을 종료한다. 단계 S202 내지 단계 S209로부터의 전술한 처리에 의해, 1개의 스크라이브 라인 상에 배치된 얼라인먼트 마크들의 계측 및 그것과 병행하여 실행되는 포커스 계측이 종료된다.It is determined in step S207 that the measurement is finished, or after step S211 is executed, the controller CNT finishes the scan drive of the substrate stage 6 in step S209. By the above-described processing from steps S202 to S209, the measurement of the alignment marks arranged on one scribe line and the focus measurement performed in parallel with it are terminated.

후속하여, 전술한 처리는, 모든 스크라이브 라인들 상의 얼라인먼트 마크들이 계측되었다고 단계 S210에서 판정될 때까지 목표 스크라이브 라인을 그외의 스크라이브 라인으로 변경하여 반복된다.Subsequently, the above-described processing is repeated by changing the target scribe line to another scribe line until it is determined in step S210 that the alignment marks on all the scribe lines have been measured.

노광 스테이션(2)에서의 노광은, 계측 스테이션(1)에서의 전술한 얼라인먼트 마크 계측 및 포커스 계측의 결과들에 기초하여, 각각의 샷 영역을 위치결정하고 샷 영역의 표면 위치와 투영 광학계(9)의 상면을 정렬시킴으로써 수행된다.The exposure at the exposure station 2 positions each shot area based on the above-described results of the alignment mark measurement and the focus measurement at the measurement station 1, and the surface position of the shot area and the projection optical system 9 ) By aligning the top surface of the

이 실시예에 따라, 얼라인먼트 마크 계측 및 포커스 계측은 병행하여 실행되므로, 기판 계측에 요구되는 시간을 감소시킨다.According to this embodiment, alignment mark measurement and focus measurement are performed in parallel, thereby reducing the time required for substrate measurement.

[제3 실시예]Third Embodiment

제3 실시예는 제1 또는 제2 실시예로부터 개선된 기법을 제공한다. 본 명세서에서 특별하게 언급되지 않은 세부 사항들은 제1 또는 제2 실시예에서와 동일할 수 있다.The third embodiment provides an improved technique from the first or second embodiment. Details not specifically mentioned herein may be the same as in the first or second embodiment.

제3 실시예에서, 기판(5) 상의 샷 영역들의 배열의 변형으로 인하여 얼라인먼트 마크들의 배열 방향이 X 및 Y 방향들로부터 벗어나 있는 경우, 제어기 CNT는 배열 방향에 기초하여 기판 스테이지(6)의 이동 방향을 보정한다. 예를 들어, 제 어기 CNT는 현재 계측된 얼라인먼트 마크 바로 전에 계측된 2개 이상의 얼라인먼트 마크들의 위치들에 기초하여, 기판 스테이지(6)의 이동 방향(목표 구동 경로)과 샷 영역들의 배열 방향 간의 차를 산출하고, 산출된 차에 기초하여 기판 스테이지(6)의 이동 방향(목표 구동 경로)을 보정한다.In the third embodiment, when the arrangement direction of the alignment marks deviates from the X and Y directions due to the deformation of the arrangement of the shot regions on the substrate 5, the controller CNT moves the substrate stage 6 based on the arrangement direction. Correct the direction. For example, the controller CNT is based on the positions of two or more alignment marks measured immediately before the alignment mark currently measured, and the difference between the moving direction (target drive path) of the substrate stage 6 and the arrangement direction of the shot regions. Is calculated and the moving direction (target drive path) of the substrate stage 6 is corrected based on the calculated difference.

도 8은, 2개의 얼라인먼트 마크들 AM1 및 AM2의 위치 계측 값들에 기초하여, 다음 얼라인먼트 마크를 계측하기 전에, 기판 스테이지(6)의 목표 구동 경로 TP를 제어기 CNT가 보정하는 상태를 개략적으로 도시하는 도면이다. 도 8의 화살표는 얼라인먼트 검출계(13)의 시야가 기판에 대해 이동하는 상태를 개략적으로 도시한다. 실제로는, 얼라인먼트 검출계(13)의 시야가 위치가 고정되어 있으므로, 기판, 즉, 얼라인먼트 마크들은 얼라인먼트 검출계의 시야에 대해 화살표에 의해 나타내어진 방향의 반대 방향으로 이동한다.8 schematically shows a state in which the controller CNT corrects the target drive path TP of the substrate stage 6 before measuring the next alignment mark based on the position measurement values of the two alignment marks AM1 and AM2. Drawing. The arrow in FIG. 8 schematically shows the state in which the field of view of the alignment detection system 13 moves with respect to the substrate. In reality, since the field of view of the alignment detection system 13 is fixed, the substrate, that is, the alignment marks move in the direction opposite to the direction indicated by the arrow with respect to the field of view of the alignment detection system.

목표 구동 경로의 이러한 보정은 제1 실시예에 따라 얼라인먼트 마크 계측에서 실행될 수 있거나, 또는 제2 실시예에 따라 얼라인먼트 마크 계측 및 포커스 계측의 병행 처리에서 실행될 수 있다.Such correction of the target drive path can be performed in alignment mark measurement according to the first embodiment or in parallel processing of alignment mark measurement and focus measurement according to the second embodiment.

도 9는, 제1 실시예에 따라 목표 구동 경로 보정 기능이 구성에 부가된 경우의 처리의 시퀀스를 도시하는 흐름도이다. 이러한 처리는, 도 1에 도시된 시퀀스에서, 단계들 S105와 S106 사이에 단계 S300이 부가된 경우이다.FIG. 9 is a flowchart showing a sequence of processing in the case where the target drive path correction function is added to the configuration according to the first embodiment. This processing is when step S300 is added between steps S105 and S106 in the sequence shown in FIG.

단계 S306에서, 제어기 CNT는 직전의 단계 S105에서 산출된 얼라인먼트 마크 상(예를 들어, 도 8에 도시된 얼라인먼트 마크 AM1에 대응함)의 위치, 및 이전 단계 S305에서 산출된 얼라인먼트 마크 상(예를 들어, 도 8에 도시된 얼라인먼트 마 크 AM2에 대응함)의 위치에 기초하여, 기판 스테이지(6)의 이동 방향(목표 구동 경로 TP)과 샷 영역들의 배열 방향 간의 차를 산출한다. 이동 방향과 샷 영역들의 배열 방향 간의 차가 허용 값을 초과하면, 제어기 CNT는 기판 스테이지(6)의 이동 방향(목표 구동 경로 TP)을 보정한다.In step S306, the controller CNT is positioned on the alignment mark image (e.g., corresponding to alignment mark AM1 shown in Fig. 8) calculated in the immediately preceding step S105, and the alignment mark image (e.g., calculated in the previous step S305). On the basis of the position of the alignment mark AM2 shown in FIG. 8, the difference between the moving direction (target drive path TP) of the substrate stage 6 and the arrangement direction of the shot regions is calculated. If the difference between the moving direction and the arrangement direction of the shot regions exceeds the allowable value, the controller CNT corrects the moving direction (target drive path TP) of the substrate stage 6.

[응용 예][Application Example]

본 발명의 바람직한 실시예에 따른 디바이스 제조 방법은 디바이스들(예를 들어, 반도체 디바이스 및 액정 디바이스)의 제조에 적합하다. 이러한 방법은, 포토레지스트로 피복된 기판을 전술한 노광 장치를 이용하여 광에 노광하는 단계, 및 노광 단계에서 노광된 기판을 현상하는 단계를 포함할 수 있다. 전술한 단계들에 부가하여, 디바이스 제조 방법은 그외의 주지된 단계들(예를 들어, 산화, 성막, 증발, 도핑, 평탄화, 에칭, 레지스트 제거, 다이싱(dicing), 본딩(bonding), 및 패키징(packaging) 단계들)을 포함할 수 있다.The device manufacturing method according to a preferred embodiment of the present invention is suitable for the manufacture of devices (eg, semiconductor devices and liquid crystal devices). Such a method may include exposing the substrate coated with the photoresist to light using the above-described exposure apparatus, and developing the substrate exposed in the exposing step. In addition to the steps described above, the device manufacturing method may include other well known steps (eg, oxidation, deposition, evaporation, doping, planarization, etching, resist removal, dicing, bonding, and Packaging steps).

본 발명은 예시적인 실시예들을 참조하여 설명되었으나, 본 발명은 개시된 예시적인 실시예들로 한정되지 않는다는 것이 이해되어야 한다. 이하의 특허청구범위의 범주는, 그러한 모든 변경들 및 등가 구조들 및 기능들을 포함하도록, 가장 넓게 해석되어야 한다.While the invention has been described with reference to exemplary embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments. The scope of the following claims is to be accorded the broadest interpretation so as to encompass all such modifications and equivalent structures and functions.

도 1은 얼라인먼크 마크 계측의 시퀀스를 나타내는 흐름도이다.1 is a flowchart showing a sequence of alignment mark mark measurement.

도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 노광 장치의 개략적 구성을 도시하는 도면이다.2 is a diagram showing a schematic configuration of an exposure apparatus according to a preferred embodiment of the present invention.

도 3은 얼라인먼트 마크 계측 방법을 개략적으로 도시하는 도면이다.3 is a diagram schematically showing an alignment mark measurement method.

도 4는 얼라인먼크 마크들의 배치의 예를 도시하는 도면이다4 is a diagram illustrating an example of arrangement of alignment mark marks;

도 5는 얼라인먼트 마크들의 위치들 및 기판의 표면 위치를 계측하는 방법을 개략적으로 도시하는 도면이다FIG. 5 is a schematic diagram illustrating a method of measuring positions of alignment marks and a surface position of a substrate. FIG.

도 6은 얼라인먼트 검출계 및 포커스 검출계의 시야를 개략적으로 도시하는 도면이다.6 is a diagram schematically showing the fields of view of the alignment detection system and the focus detection system.

도 7은 얼라인먼트 마크 계측의 시퀀스를 도시하는 흐름도이다7 is a flowchart showing a sequence of alignment mark measurement.

도 8은 기판 스테이지의 목표 구동 경로의 수정을 개략적으로 도시하는 도면이다.8 is a diagram schematically illustrating modification of a target drive path of a substrate stage.

도 9는 목표 구동 경로를 수정하는 기능을 포함하는, 얼라인먼트 마크 계측의 시퀀스를 도시하는 흐름도이다. 9 is a flowchart showing a sequence of alignment mark measurement, including the function of correcting a target drive path.

도 10은 샷 배치의 예를 도시하는 개략도이다. 10 is a schematic diagram showing an example of shot arrangement.

도 11은 계측 샷들의 예를 도시하는 개략도이다.11 is a schematic diagram illustrating an example of metrology shots.

도 12는 얼라인먼트 계측의 시퀀스를 도시하는 흐름도이다.12 is a flowchart showing a sequence of alignment measurement.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

2: 노광 스테이션2: exposure station

3: 원판3: disc

4: 원판 스테이지4: disc stage

5a: 기판5a: substrate

5b: 기판5b: substrate

6a: 기판 스테이지6a: substrate stage

6b: 기판 스테이지6b: substrate stage

7: 스테이지 정반7: Stage plate

8: 조명 광학계8: illumination optical system

9: 투영 광학계9: projection optical system

10: 원판 스테이지 기준 마크10: disc stage reference mark

11a: 기판 스테이지 기준 마크11a: substrate stage reference mark

11b: 기판 스테이지 기준 마크11b: substrate stage reference mark

12: 포커스 검출계12: focus detector

13: 얼라인먼트 검출계13: alignment detector

Claims (7)

원판의 패턴을 투영 광학계를 이용하여 기판 상에 투영함으로써 상기 기판을 노광하는 노광 장치로서,An exposure apparatus for exposing the substrate by projecting a pattern of the original onto a substrate using a projection optical system, 상기 기판을 유지하도록 구성된 기판 스테이지;A substrate stage configured to hold the substrate; 상기 투영 광학계의 광축 방향에 수직인 평면에서 서로 직교하는 제1 방향 및 제2 방향에서의 상기 기판 상의 마크들의 위치들을 검출하도록 구성된 제1 검출기; 및A first detector configured to detect positions of marks on the substrate in a first direction and a second direction orthogonal to each other in a plane perpendicular to the optical axis direction of the projection optical system; And 상기 기판 스테이지를 실질적으로 상기 제1 방향을 따라 이동시키면서 상기 기판 상의 마크의 위치를 검출하도록 상기 제1 검출기를 제어하고, 상기 기판 스테이지를 실질적으로 상기 제2 방향을 따라 이동시키면서 상기 기판 상의 마크의 위치를 검출하도록 상기 제1 검출기를 제어함으로써, 상기 제1 검출기에 의해 획득된 검출 결과들에 기초하여, 상기 기판의 위치 결정 및 노광을 제어하도록 구성된 제어기Control the first detector to detect a position of a mark on the substrate while moving the substrate stage substantially along the first direction, and control the first detector to move the substrate stage substantially along the second direction. A controller configured to control the positioning and exposure of the substrate based on the detection results obtained by the first detector by controlling the first detector to detect a position 를 포함하는 노광 장치.Exposure apparatus comprising a. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제어기는 상기 제2 방향에서의 상기 기판 스테이지의 위치를 변경하고, 그 위치의 모든 변경에 대해 상기 기판 스테이지를 실질적으로 상기 제1 방향을 따라 이동시키면서 위치 검출을 실행하도록 상기 제1 검출기를 제어하고, 상기 제1 방향에서의 상기 기판 스테이지의 위치를 변경하고, 그 위치의 모든 변경에 대해 상기 기판 스테이지를 실질적으로 상기 제2 방향을 따라 이동시키면서 위치 검출을 실행하도록 상기 제1 검출기를 제어하는 노광 장치.The controller controls the first detector to change the position of the substrate stage in the second direction and perform position detection while moving the substrate stage substantially along the first direction for every change in its position. And change the position of the substrate stage in the first direction, and control the first detector to perform position detection while moving the substrate stage substantially along the second direction for every change in the position. Exposure apparatus. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제1 검출기에 의한 위치 검출과 병행하여, 상기 기판을 이동시키면서 상기 광축 방향에서의 상기 기판의 표면 위치를 검출하도록 구성된 제2 검출기를 더 포함하고,A second detector configured to detect the surface position of the substrate in the optical axis direction while moving the substrate in parallel with the position detection by the first detector, 상기 제어기는, 상기 제2 검출기에 의해 획득된 검출 결과에 기초하여 상기 광축 방향에서의 상기 기판의 표면 위치를 제어하면서 위치 검출을 실행하도록 상기 제1 검출기를 제어하는 노광 장치.And the controller controls the first detector to perform position detection while controlling the surface position of the substrate in the optical axis direction based on the detection result obtained by the second detector. 제3항에 있어서,The method of claim 3, 상기 제어기는, 상기 기판의 노광 시에, 상기 제1 검출기에 의해 획득된 검출 결과들에 기초하여 상기 제1 방향 및 상기 제2 방향에서의 상기 기판의 위치를 제어하고, 상기 제2 검출기에 의해 획득된 검출 결과에 기초하여 상기 광축 방향에서의 상기 기판의 위치를 제어하는 노광 장치.The controller controls, upon exposure of the substrate, the position of the substrate in the first and second directions based on the detection results obtained by the first detector, and by the second detector. An exposure apparatus that controls the position of the substrate in the optical axis direction based on the obtained detection result. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제어기는, 상기 기판 상의 마크들의 배열 방향이 상기 제1 방향 및 상 기 제2 방향으로부터 벗어나면, 상기 배열 방향에 기초하여 상기 기판 스테이지의 이동 방향을 보정하는 노광 장치.And the controller corrects the moving direction of the substrate stage based on the arrangement direction when the arrangement direction of the marks on the substrate deviates from the first direction and the second direction. 원판의 패턴을 투영 광학계를 이용하여 기판 상에 투영함으로써 상기 기판을 노광하는 노광 장치로서,An exposure apparatus for exposing the substrate by projecting a pattern of the original onto a substrate using a projection optical system, 상기 기판을 유지하도록 구성된 기판 스테이지;A substrate stage configured to hold the substrate; 상기 투영 광학계의 광축 방향에 수직인 평면에서 서로 직교하는 제1 방향 및 제2 방향에서의 상기 기판 상의 마크들의 위치들을 검출하도록 구성된 제1 검출기;A first detector configured to detect positions of marks on the substrate in a first direction and a second direction orthogonal to each other in a plane perpendicular to the optical axis direction of the projection optical system; 상기 광축 방향에서의 상기 기판의 표면 위치를 검출하도록 구성된 제2 검출기; 및A second detector configured to detect a surface position of the substrate in the optical axis direction; And 상기 광축에 수직인 평면 상에서 상기 기판을 유지하는 상기 기판 스테이지를 이동시키면서 위치 검출을 실행하도록 상기 제2 검출기를 제어하고, 상기 제2 검출기에 의해 획득된 검출 결과에 기초하여 상기 광축 방향에서의 상기 기판의 표면 위치를 제어하면서 위치 검출을 실행하도록 상기 제1 검출기를 제어함으로써, 상기 제1 검출기 및 상기 제2 검출기에 의해 획득된 검출 결과들에 기초하여 상기 기판의 위치 결정 및 노광을 제어하도록 구성된 제어기Controlling the second detector to perform position detection while moving the substrate stage holding the substrate on a plane perpendicular to the optical axis, and based on the detection result obtained by the second detector By controlling the first detector to perform position detection while controlling the surface position of the substrate, thereby controlling positioning and exposure of the substrate based on detection results obtained by the first detector and the second detector. Controller 를 포함하는 노광 장치.Exposure apparatus comprising a. 디바이스 제조 방법으로서,As a device manufacturing method, 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 정의된 노광 장치를 이용하여 기판을 노광하는 단계; 및Exposing the substrate using an exposure apparatus as defined in any one of claims 1 to 6; And 상기 기판을 현상하는 단계Developing the substrate 를 포함하는 디바이스 제조 방법.Device manufacturing method comprising a.
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