JP2002294461A - 薄膜の膜厚モニタリング方法及び基板温度測定方法 - Google Patents
薄膜の膜厚モニタリング方法及び基板温度測定方法Info
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- C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
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Abstract
(57)【要約】
【課題】ＣＶＤ装置による薄膜成膜時に、in-situで膜
厚をモニタリングできる膜厚モニタリング方法を提供す
る。 【解決手段】ＣＶＤ装置を用いて反応炉（石英チュー
ブ）１１内の基板１６上に薄膜１８を形成する際に、反
応炉１１内からの放射光を反応炉外部にて測定し、放射
光の放射率の変化と、基板１６上に形成される薄膜１８
の膜厚変化との関係を予め取得する第１工程と、この第
１工程の後、ＣＶＤ装置を用いて基板１６上に薄膜１８
を形成する際に、前記放射率の変化を測定する第２工程
と、第１工程にて取得した放射率の変化と薄膜１８の膜
厚変化との関係より、第２工程にて測定した放射率の変
化から、形成された薄膜１８の膜厚を推定する第３工程
とを有する。
厚をモニタリングできる膜厚モニタリング方法を提供す
る。 【解決手段】ＣＶＤ装置を用いて反応炉（石英チュー
ブ）１１内の基板１６上に薄膜１８を形成する際に、反
応炉１１内からの放射光を反応炉外部にて測定し、放射
光の放射率の変化と、基板１６上に形成される薄膜１８
の膜厚変化との関係を予め取得する第１工程と、この第
１工程の後、ＣＶＤ装置を用いて基板１６上に薄膜１８
を形成する際に、前記放射率の変化を測定する第２工程
と、第１工程にて取得した放射率の変化と薄膜１８の膜
厚変化との関係より、第２工程にて測定した放射率の変
化から、形成された薄膜１８の膜厚を推定する第３工程
とを有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、ＣＶＤ装置の反
応炉内における基板上薄膜の膜厚をin-situ（その場）
でモニタリングする膜厚モニタリング方法、及び拡散炉
内における基板温度測定方法を用いた、薄膜の膜厚制御
に関するものである。
応炉内における基板上薄膜の膜厚をin-situ（その場）
でモニタリングする膜厚モニタリング方法、及び拡散炉
内における基板温度測定方法を用いた、薄膜の膜厚制御
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】以下に、ＣＶＤ装置の炉内で成膜される
膜厚をin-situ（その場）でモニタリングする、従来の
膜厚モニタリング方法（第１の従来技術）について説明
する。
膜厚をin-situ（その場）でモニタリングする、従来の
膜厚モニタリング方法（第１の従来技術）について説明
する。
【０００３】従来より、半導体装置の製造においては、
ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）装置を用いた、
半導体基板（ウェハ）上への薄膜の形成が行われてい
る。
ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）装置を用いた、
半導体基板（ウェハ）上への薄膜の形成が行われてい
る。
【０００４】しかし、ＣＶＤ装置では高温な熱工程が必
要であり、このＣＶＤ装置による薄膜形成時において
は、in-situ（その場）で膜厚をモニタリングする方法
は存在していない。そこで、現状では、テスト用のウェ
ハを同時にまたは連続して成膜し、そのテストウェハを
取り出して、別途、膜厚測定装置により膜厚を測定する
という方法を用いるのが一般的である。
要であり、このＣＶＤ装置による薄膜形成時において
は、in-situ（その場）で膜厚をモニタリングする方法
は存在していない。そこで、現状では、テスト用のウェ
ハを同時にまたは連続して成膜し、そのテストウェハを
取り出して、別途、膜厚測定装置により膜厚を測定する
という方法を用いるのが一般的である。
【０００５】次に、従来の拡散炉内における基板温度測
定方法（第２の従来技術）について説明する。
定方法（第２の従来技術）について説明する。
【０００６】従来より、基板を汚染することなく、拡散
炉（熱処理炉）内の基板温度を測定するには、基板から
の放射光をグラスファイバで取り出し、放射温度計で測
定する方法がある。枚葉型の熱処理炉では、この方法を
用いた温度測定が可能である。
炉（熱処理炉）内の基板温度を測定するには、基板から
の放射光をグラスファイバで取り出し、放射温度計で測
定する方法がある。枚葉型の熱処理炉では、この方法を
用いた温度測定が可能である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記第
１の従来技術では、成膜中にin-situで膜厚を知ること
はできず、膜厚を確認できるのが成膜後であるため、成
膜時に何らかの要因で目標とする膜厚と異なる膜厚に成
膜されるようなトラブルが存在する場合でも、前もって
異なる膜厚に成膜されることを回避できない。
１の従来技術では、成膜中にin-situで膜厚を知ること
はできず、膜厚を確認できるのが成膜後であるため、成
膜時に何らかの要因で目標とする膜厚と異なる膜厚に成
膜されるようなトラブルが存在する場合でも、前もって
異なる膜厚に成膜されることを回避できない。
【０００８】そこでこの発明は、前記課題に鑑みてなさ
れたものであり、ＣＶＤ装置の反応炉内における基板上
薄膜の膜厚をin-situでモニタリングできる膜厚モニタ
リング方法を提供することを目的とする。
れたものであり、ＣＶＤ装置の反応炉内における基板上
薄膜の膜厚をin-situでモニタリングできる膜厚モニタ
リング方法を提供することを目的とする。
【０００９】また、前記第２の従来技術では、通常、ゲ
ート酸化膜の形成に用いられるバッチ式の拡散炉におい
ては、半導体素子を製造する基板の上下にダミー基板を
設置するため、基板からの放射光をグラスファイバで取
り出すことは実用上不可能である。
ート酸化膜の形成に用いられるバッチ式の拡散炉におい
ては、半導体素子を製造する基板の上下にダミー基板を
設置するため、基板からの放射光をグラスファイバで取
り出すことは実用上不可能である。
【００１０】そこでこの発明は、前記課題に鑑みてなさ
れたものであり、バッチ式の拡散炉内で基板温度を測定
できる基板温度測定方法を提供することを目的とする。
れたものであり、バッチ式の拡散炉内で基板温度を測定
できる基板温度測定方法を提供することを目的とする。
【００１１】なお、この発明は、ＣＶＤ装置の反応炉内
でin-situで膜厚をモニタリングすること、または拡散
炉内での基板温度の測定を可能にすることにより、薄膜
の膜厚制御を可能にするという共通の課題を達成するも
のである。
でin-situで膜厚をモニタリングすること、または拡散
炉内での基板温度の測定を可能にすることにより、薄膜
の膜厚制御を可能にするという共通の課題を達成するも
のである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、この発明に係る第１の膜厚モニタリング方法は、Ｃ
ＶＤ装置を用いて反応炉内の基板上に薄膜を形成する際
に、前記反応炉内からの放射光を反応炉外部にて測定
し、前記放射光の放射率の変化と、前記基板上に形成さ
れる薄膜の膜厚変化との関係を予め取得する第１工程
と、前記第１工程の後、前記ＣＶＤ装置を用いて基板上
に薄膜を形成する際に、前記放射率の変化を測定する第
２工程と、前記第１工程にて取得した放射率の変化と薄
膜の膜厚変化との関係より、前記第２工程にて測定した
放射率の変化から、形成された薄膜の膜厚を推定する第
３工程とを具備する。
に、この発明に係る第１の膜厚モニタリング方法は、Ｃ
ＶＤ装置を用いて反応炉内の基板上に薄膜を形成する際
に、前記反応炉内からの放射光を反応炉外部にて測定
し、前記放射光の放射率の変化と、前記基板上に形成さ
れる薄膜の膜厚変化との関係を予め取得する第１工程
と、前記第１工程の後、前記ＣＶＤ装置を用いて基板上
に薄膜を形成する際に、前記放射率の変化を測定する第
２工程と、前記第１工程にて取得した放射率の変化と薄
膜の膜厚変化との関係より、前記第２工程にて測定した
放射率の変化から、形成された薄膜の膜厚を推定する第
３工程とを具備する。
【００１３】また、前記目的を達成するために、この発
明に係る第２の膜厚モニタリング方法は、反応炉内に反
応ガスを供給することで反応炉内壁に薄膜が形成された
後、前記反応炉内にエッチングガスを供給して前記薄膜
をエッチングする際に、前記反応炉内からの放射光を反
応炉外部にて測定し、前記放射光の放射率の変化と、前
記反応炉内壁上の薄膜の膜厚変化との関係を予め取得す
る第１工程と、前記第１工程の後、前記反応炉内に反応
ガスを供給し反応炉内壁に薄膜を形成した後、前記反応
炉内にエッチングガスを供給して前記薄膜をエッチング
する際に、前記放射率の変化を測定する第２工程と、前
記第１工程にて取得した放射率の変化と薄膜の膜厚変化
との関係より、前記第２工程にて測定した放射率の変化
から、エッチオフされるタイミングを推定する第３工程
とを具備する。
明に係る第２の膜厚モニタリング方法は、反応炉内に反
応ガスを供給することで反応炉内壁に薄膜が形成された
後、前記反応炉内にエッチングガスを供給して前記薄膜
をエッチングする際に、前記反応炉内からの放射光を反
応炉外部にて測定し、前記放射光の放射率の変化と、前
記反応炉内壁上の薄膜の膜厚変化との関係を予め取得す
る第１工程と、前記第１工程の後、前記反応炉内に反応
ガスを供給し反応炉内壁に薄膜を形成した後、前記反応
炉内にエッチングガスを供給して前記薄膜をエッチング
する際に、前記放射率の変化を測定する第２工程と、前
記第１工程にて取得した放射率の変化と薄膜の膜厚変化
との関係より、前記第２工程にて測定した放射率の変化
から、エッチオフされるタイミングを推定する第３工程
とを具備する。
【００１４】また、前記目的を達成するために、この発
明に係る基板温度測定方法は、バッチ式の拡散炉内に配
置された複数の基板のうち、温度測定対象の基板の温度
を選択的に測定する基板温度測定方法であって、一方の
先端部に斜面を有し、この斜面と反対側の前記先端部側
面に平坦面を有する、円柱棒状のグラスファイバを、前
記平坦面が前記温度測定対象の基板の側面に対向するよ
うに配置する工程と、前記基板の側面から放射される光
を、前記平坦面からグラスファイバ内に取り込み、前記
斜面で反射させてグラスファイバの他方の先端部に導く
工程とを具備する。
明に係る基板温度測定方法は、バッチ式の拡散炉内に配
置された複数の基板のうち、温度測定対象の基板の温度
を選択的に測定する基板温度測定方法であって、一方の
先端部に斜面を有し、この斜面と反対側の前記先端部側
面に平坦面を有する、円柱棒状のグラスファイバを、前
記平坦面が前記温度測定対象の基板の側面に対向するよ
うに配置する工程と、前記基板の側面から放射される光
を、前記平坦面からグラスファイバ内に取り込み、前記
斜面で反射させてグラスファイバの他方の先端部に導く
工程とを具備する。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照してこの発明の
実施の形態について説明する。以下説明に際し、全図に
わたり、共通する部分には共通する参照符号を付す。
実施の形態について説明する。以下説明に際し、全図に
わたり、共通する部分には共通する参照符号を付す。
【００１６】［第１の実施の形態］この発明の第１の実
施の形態のＣＶＤ装置における膜厚モニタリング方法に
ついて説明する。
施の形態のＣＶＤ装置における膜厚モニタリング方法に
ついて説明する。
【００１７】図１は、第１の実施の形態の膜厚モニタリ
ング方法に用いられるＣＶＤ装置の構成を示す図であ
る。この図に示すＣＶＤ装置は、縦型のＬＰＣＶＤ装置
である。
ング方法に用いられるＣＶＤ装置の構成を示す図であ
る。この図に示すＣＶＤ装置は、縦型のＬＰＣＶＤ装置
である。
【００１８】図１に示すように、縦型のＬＰＣＶＤ装置
は、石英チューブ１１を有する反応炉、シールキャップ
１２、放射温度計（パイロメータ）１３、ヒータ１４を
備えている。反応炉上部の石英チューブ１１上には、導
入管１５を介して放射温度計１３が設置されている。石
英チューブ１１の側面及び上面上には、ヒータ１４が設
置されている。さらに、反応炉内の中央付近のシールキ
ャップ１２上には、複数枚の半導体基板（ウェハ）１６
を保持するボートロッド１７が載置されている。
は、石英チューブ１１を有する反応炉、シールキャップ
１２、放射温度計（パイロメータ）１３、ヒータ１４を
備えている。反応炉上部の石英チューブ１１上には、導
入管１５を介して放射温度計１３が設置されている。石
英チューブ１１の側面及び上面上には、ヒータ１４が設
置されている。さらに、反応炉内の中央付近のシールキ
ャップ１２上には、複数枚の半導体基板（ウェハ）１６
を保持するボートロッド１７が載置されている。
【００１９】図２は、図１中に破線２にて示した、石英
チューブ１１上に設置された放射温度計１３近傍の拡大
図である。放射温度計１３と石英チューブ１１との間に
は、筒状の導入管１５が設けられている。導入管１５
は、石英チューブ１１内部から放射される放射光を放射
温度計１３に導くためのものであり、石英チューブ１１
内部以外の周囲から来る光を遮断する働きも持つ。
チューブ１１上に設置された放射温度計１３近傍の拡大
図である。放射温度計１３と石英チューブ１１との間に
は、筒状の導入管１５が設けられている。導入管１５
は、石英チューブ１１内部から放射される放射光を放射
温度計１３に導くためのものであり、石英チューブ１１
内部以外の周囲から来る光を遮断する働きも持つ。
【００２０】次に、前記ＬＰＣＶＤ装置を用いてウェハ
１６上に形成する薄膜の膜厚モニタリング方法を述べ
る。
１６上に形成する薄膜の膜厚モニタリング方法を述べ
る。
【００２１】前述したように、放射温度計１３へのヒー
タ１４などからの光による影響、つまり迷光による影響
を防ぐため、筒状の導入管１５により、石英チューブ１
１内部からの光１９が放射温度計１３へ導かれるように
なっている。これにより、放射温度計１３は、石英チュ
ーブ１１内部からの放射率のみを測定できる。
タ１４などからの光による影響、つまり迷光による影響
を防ぐため、筒状の導入管１５により、石英チューブ１
１内部からの光１９が放射温度計１３へ導かれるように
なっている。これにより、放射温度計１３は、石英チュ
ーブ１１内部からの放射率のみを測定できる。
【００２２】前記ＬＰＣＶＤ装置によって、ウェハ１６
上に薄膜１８を堆積していく。すると、ウェハ１６上へ
の薄膜１８の成膜が進行していくのと同時に、石英チュ
ーブ１１内壁にも同様に薄膜１８が付着していく。
上に薄膜１８を堆積していく。すると、ウェハ１６上へ
の薄膜１８の成膜が進行していくのと同時に、石英チュ
ーブ１１内壁にも同様に薄膜１８が付着していく。
【００２３】この薄膜成膜中における石英チューブ１１
内部の放射率を、放射温度計１３にて測定すると、石英
チューブ１１内壁に、薄膜１８が付着していくにつれ
て、放射温度計１３から見た石英チューブ１１内部の放
射率が変化していく。これは、石英チューブ１１内壁に
付着した薄膜１８によって、反応炉内部からの光が透過
しにくくなるからである。
内部の放射率を、放射温度計１３にて測定すると、石英
チューブ１１内壁に、薄膜１８が付着していくにつれ
て、放射温度計１３から見た石英チューブ１１内部の放
射率が変化していく。これは、石英チューブ１１内壁に
付着した薄膜１８によって、反応炉内部からの光が透過
しにくくなるからである。
【００２４】そこで、薄膜１８及び石英チューブ１１を
透過した光１９の各波長における放射率の変化と、ウェ
ハ１６上の薄膜１８の膜厚変化との関係を予め調べてお
く。
透過した光１９の各波長における放射率の変化と、ウェ
ハ１６上の薄膜１８の膜厚変化との関係を予め調べてお
く。
【００２５】その後、実際の成膜時において、放射温度
計１３にて放射率の変化を読み取り、予め調べた放射率
と膜厚との関係より、ウェハ１６上の薄膜１８の膜厚を
推定する。これにより、薄膜成膜時において、ウェハ上
の薄膜の膜厚をin-situでモニタリングすることができ
る。なお、放射温度計１３にて測定する光の波長範囲
は、例えば３００ｎｍ〜１３０００ｎｍ程度である。
計１３にて放射率の変化を読み取り、予め調べた放射率
と膜厚との関係より、ウェハ１６上の薄膜１８の膜厚を
推定する。これにより、薄膜成膜時において、ウェハ上
の薄膜の膜厚をin-situでモニタリングすることができ
る。なお、放射温度計１３にて測定する光の波長範囲
は、例えば３００ｎｍ〜１３０００ｎｍ程度である。
【００２６】次に、実際にＣＶＤ装置を用いてルテニウ
ム（Ｒｕ）の成膜を行った場合のＲｕ膜の膜厚モニタリ
ング方法を説明する。
ム（Ｒｕ）の成膜を行った場合のＲｕ膜の膜厚モニタリ
ング方法を説明する。
【００２７】ウェハ１６上へのＲｕ膜１８の成膜が進む
につれ、反応炉内壁に、ウェハ１６上と同じ膜厚のＲｕ
膜１８が付着する。図３は、このときの放射率とウェハ
上のＲｕ膜厚との関係を示すグラフである。縦軸は、反
応炉全体を一つの物質として考え、反応炉内の放射輝度
を炉外から見た場合の放射率である。放射率の測定に
は、単波長（５μｍ）の放射温度計を用いている。横軸
は、反応炉内に置いたウェハ上のＲｕ膜の膜厚を示す。
につれ、反応炉内壁に、ウェハ１６上と同じ膜厚のＲｕ
膜１８が付着する。図３は、このときの放射率とウェハ
上のＲｕ膜厚との関係を示すグラフである。縦軸は、反
応炉全体を一つの物質として考え、反応炉内の放射輝度
を炉外から見た場合の放射率である。放射率の測定に
は、単波長（５μｍ）の放射温度計を用いている。横軸
は、反応炉内に置いたウェハ上のＲｕ膜の膜厚を示す。
【００２８】図３に示すように、ウェハ上のＲｕ膜の膜
厚が厚くなるのに従って、放射率は右下がりのサインカ
ーブを描く。その際、放射率の値とサインカーブの山の
数を把握することにより、反応炉内のＲｕ膜厚、すなわ
ちウェハ上のＲｕ膜の膜厚をモニタリングすることが可
能となる。
厚が厚くなるのに従って、放射率は右下がりのサインカ
ーブを描く。その際、放射率の値とサインカーブの山の
数を把握することにより、反応炉内のＲｕ膜厚、すなわ
ちウェハ上のＲｕ膜の膜厚をモニタリングすることが可
能となる。
【００２９】なお、この実施の形態では、単波長の放射
温度計を用いた場合を説明したが、多波長の放射温度計
を用いることにより、さらに放射率の測定精度を上げる
ことで、膜厚のモニタリング精度を高めることができ
る。
温度計を用いた場合を説明したが、多波長の放射温度計
を用いることにより、さらに放射率の測定精度を上げる
ことで、膜厚のモニタリング精度を高めることができ
る。
【００３０】次に、ガスクリーニング時に、前述した膜
厚モニタリング方法を用いて、クリーニング対象である
薄膜のエンドポイント（エッチング終了時点）を判断す
る例を述べる。前記ガスクリーニングとは、ＣＶＤプロ
セスを行うために反応炉内に反応ガスを供給することで
反応炉内壁に薄膜が形成された後、エッチングガスを供
給して前記薄膜をエッチングするものである。
厚モニタリング方法を用いて、クリーニング対象である
薄膜のエンドポイント（エッチング終了時点）を判断す
る例を述べる。前記ガスクリーニングとは、ＣＶＤプロ
セスを行うために反応炉内に反応ガスを供給することで
反応炉内壁に薄膜が形成された後、エッチングガスを供
給して前記薄膜をエッチングするものである。
【００３１】図４は、ガスクリーニング時における放射
率と反応炉内壁に形成された薄膜の膜厚との関係を示す
グラフである。
率と反応炉内壁に形成された薄膜の膜厚との関係を示す
グラフである。
【００３２】図４に示すように、反応炉内壁の薄膜がエ
ッチングされ、膜厚が薄くなるのに従って、放射温度計
１３から見た石英チューブ１１内部の放射率は右上がり
のサインカーブを描く。その際、薄膜成膜時と同様に、
放射率の値とサインカーブの山の数を把握することによ
り、クリーニング時におけるエンドポイントをモニタリ
ングすることが可能となる。ここでは、放射率が０．９
で一定となったところが、薄膜のエンドポイントである
と判断できる。
ッチングされ、膜厚が薄くなるのに従って、放射温度計
１３から見た石英チューブ１１内部の放射率は右上がり
のサインカーブを描く。その際、薄膜成膜時と同様に、
放射率の値とサインカーブの山の数を把握することによ
り、クリーニング時におけるエンドポイントをモニタリ
ングすることが可能となる。ここでは、放射率が０．９
で一定となったところが、薄膜のエンドポイントである
と判断できる。
【００３３】すなわち、ガスクリーニング時において
も、薄膜がエッチオフされた時の放射率と膜厚との関係
を予め把握しておくことで、後にエッチングする際に放
射率を測定することにより、in-situで薄膜のエンドポ
イントを知ることが可能である。
も、薄膜がエッチオフされた時の放射率と膜厚との関係
を予め把握しておくことで、後にエッチングする際に放
射率を測定することにより、in-situで薄膜のエンドポ
イントを知ることが可能である。
【００３４】以上説明したようにこの発明の第１の実施
の形態では、予め放射率と膜厚との関係を把握してお
き、ＣＶＤ装置による薄膜の成膜時において、炉内から
透過してくる光の放射率の変化を放射温度計にて読み取
ることにより、前記放射率と膜厚との関係に基づいて、
in-situ（その場）でウェハ上の薄膜の膜厚をモニタリ
ングすることができる。
の形態では、予め放射率と膜厚との関係を把握してお
き、ＣＶＤ装置による薄膜の成膜時において、炉内から
透過してくる光の放射率の変化を放射温度計にて読み取
ることにより、前記放射率と膜厚との関係に基づいて、
in-situ（その場）でウェハ上の薄膜の膜厚をモニタリ
ングすることができる。
【００３５】さらに、ガスクリーニング時においても、
反応炉内壁上に形成された薄膜がエッチングされ薄くな
ると、放射率が変化することから、予め放射率と膜厚と
の関係を把握しておき、エッチング時において、炉内か
ら透過してくる光の放射率の変化を放射温度計にて読み
取ることにより、前記放射率と膜厚との関係に基づい
て、in-situでエッチングのエンドポイントをモニタリ
ングすることができる。
反応炉内壁上に形成された薄膜がエッチングされ薄くな
ると、放射率が変化することから、予め放射率と膜厚と
の関係を把握しておき、エッチング時において、炉内か
ら透過してくる光の放射率の変化を放射温度計にて読み
取ることにより、前記放射率と膜厚との関係に基づい
て、in-situでエッチングのエンドポイントをモニタリ
ングすることができる。
【００３６】次に、この発明の第２〜第５の実施の形態
の拡散炉内での基板温度測定方法について説明する。
の拡散炉内での基板温度測定方法について説明する。
【００３７】［第２の実施の形態］図５は、第２の実施
の形態の基板温度測定方法に使用される拡散炉内の構成
を示す断面図である。
の形態の基板温度測定方法に使用される拡散炉内の構成
を示す断面図である。
【００３８】図に示すように、石英炉芯管２１内には、
半導体基板（ウェハ）２２を複数枚保持するボートロッ
ド２３が載置されている。石英炉芯管２１の炉口にはフ
ランジ２４が設置され、石英炉芯管２１の周囲にはヒー
タ２５が設置されている。さらに、半導体基板２２の側
面には、グラスファイバ２６の２つある先端部のうち、
一方の先端部が配置され、他方の先端部には放射温度計
２７が接続されている。前記グラスファイバ２６は、石
英からなる。
半導体基板（ウェハ）２２を複数枚保持するボートロッ
ド２３が載置されている。石英炉芯管２１の炉口にはフ
ランジ２４が設置され、石英炉芯管２１の周囲にはヒー
タ２５が設置されている。さらに、半導体基板２２の側
面には、グラスファイバ２６の２つある先端部のうち、
一方の先端部が配置され、他方の先端部には放射温度計
２７が接続されている。前記グラスファイバ２６は、石
英からなる。
【００３９】図６は、図５中の半導体基板２２とグラス
ファイバ２６を拡大した断面図である。図に示すよう
に、グラスファイバ２６の前記一方の先端部には、グラ
スファイバの中心軸に対して４５°でカットされた斜面
２６Ａが形成されている。この斜面２６Ａは、鏡面処理
されて、光が全反射する面になっている。さらに、グラ
スファイバ２６の一方の先端部において、斜面２６Ａと
反対側の側面には、グラスファイバの中心軸と斜面２６
Ａの法線を含む面に対して垂直で、かつ平坦、平滑化さ
れた入射面２６Ｂが形成されている。
ファイバ２６を拡大した断面図である。図に示すよう
に、グラスファイバ２６の前記一方の先端部には、グラ
スファイバの中心軸に対して４５°でカットされた斜面
２６Ａが形成されている。この斜面２６Ａは、鏡面処理
されて、光が全反射する面になっている。さらに、グラ
スファイバ２６の一方の先端部において、斜面２６Ａと
反対側の側面には、グラスファイバの中心軸と斜面２６
Ａの法線を含む面に対して垂直で、かつ平坦、平滑化さ
れた入射面２６Ｂが形成されている。
【００４０】バッチ式の縦型拡散炉内において、温度測
定対象の半導体基板２２の側面に、前記入射面２６Ｂが
対向するように、グラスファイバ２６を配置する。これ
により、拡散炉を用いた熱処理時に、半導体基板２２の
側面から放射される放射光を、入射面２６Ｂからグラス
ファイバ２６に取り込み、斜面２６Ａで反射させて放射
温度計２７に入射させる。このように、半導体基板２２
からの放射光を放射温度計２７に導くことにより、半導
体基板２２の温度を正確に測定できる。
定対象の半導体基板２２の側面に、前記入射面２６Ｂが
対向するように、グラスファイバ２６を配置する。これ
により、拡散炉を用いた熱処理時に、半導体基板２２の
側面から放射される放射光を、入射面２６Ｂからグラス
ファイバ２６に取り込み、斜面２６Ａで反射させて放射
温度計２７に入射させる。このように、半導体基板２２
からの放射光を放射温度計２７に導くことにより、半導
体基板２２の温度を正確に測定できる。
【００４１】このような基板温度測定法を用いて基板温
度を測定しつつ、基板温度を制御して、半導体基板上に
薄膜を形成する。この薄膜形成工程では、前記手法にて
測定した基板温度、炉内の圧力、ガス流量を用いて形成
される薄膜の膜厚を計算し、計算値が目標の膜厚になっ
た段階で薄膜形成を終了する。
度を測定しつつ、基板温度を制御して、半導体基板上に
薄膜を形成する。この薄膜形成工程では、前記手法にて
測定した基板温度、炉内の圧力、ガス流量を用いて形成
される薄膜の膜厚を計算し、計算値が目標の膜厚になっ
た段階で薄膜形成を終了する。
【００４２】以上説明したようにこの第２の実施の形態
では、グラスファイバ２６の先端部に鏡面の斜面２６Ａ
を形成することにより、半導体基板２２の側面から放射
される光をグラスファイバ２６の斜面２６Ａで反射させ
て、放射温度計２７に導く。これにより、基板温度を正
確に測定することができる。さらに、薄膜形成工程にお
いて、このような基板温度測定方法を用いて基板温度を
測定し、基板温度を正確に制御すれば、形成される薄膜
の膜厚を正確に算出することが可能となり、目標膜厚か
らのずれ量を低減することができる。
では、グラスファイバ２６の先端部に鏡面の斜面２６Ａ
を形成することにより、半導体基板２２の側面から放射
される光をグラスファイバ２６の斜面２６Ａで反射させ
て、放射温度計２７に導く。これにより、基板温度を正
確に測定することができる。さらに、薄膜形成工程にお
いて、このような基板温度測定方法を用いて基板温度を
測定し、基板温度を正確に制御すれば、形成される薄膜
の膜厚を正確に算出することが可能となり、目標膜厚か
らのずれ量を低減することができる。
【００４３】［第３の実施の形態］図７は、第３の実施
の形態の基板温度測定方法に使用される拡散炉内の構成
を示す断面図である。
の形態の基板温度測定方法に使用される拡散炉内の構成
を示す断面図である。
【００４４】この第３の実施の形態の基板温度測定方法
に使用される拡散炉は、図６に示した第２の実施の形態
の構成に加えて、グラスファイバ２６の一方の先端部に
形成された斜面２６Ａ上に、空間を空けて不透明石英基
板３１を設けたものである。この不透明石英基板３１
は、図７に示すように、斜面２６Ａの一端側に接触さ
せ、他端側は離すように配置すればよい。斜面２６Ａと
不透明石英基板３１との間には空間が存在していれば良
く、その空間は、加工可能な最小の距離、例えば０．２
ｍｍ程度とすればよい。その他の構成は、前記第２の実
施の形態における構成と同様であり、同じ符号を付して
その説明は省略する。
に使用される拡散炉は、図６に示した第２の実施の形態
の構成に加えて、グラスファイバ２６の一方の先端部に
形成された斜面２６Ａ上に、空間を空けて不透明石英基
板３１を設けたものである。この不透明石英基板３１
は、図７に示すように、斜面２６Ａの一端側に接触さ
せ、他端側は離すように配置すればよい。斜面２６Ａと
不透明石英基板３１との間には空間が存在していれば良
く、その空間は、加工可能な最小の距離、例えば０．２
ｍｍ程度とすればよい。その他の構成は、前記第２の実
施の形態における構成と同様であり、同じ符号を付して
その説明は省略する。
【００４５】前記第２の実施の形態では、グラスファイ
バ２６の先端部に鏡面状態の斜面２６Ａを形成しただけ
であるため、拡散炉上部の高温部から放射光の一部（迷
光）がグラスファイバ２６に取り込まれ、基板温度の測
定精度が不充分となる場合がある。
バ２６の先端部に鏡面状態の斜面２６Ａを形成しただけ
であるため、拡散炉上部の高温部から放射光の一部（迷
光）がグラスファイバ２６に取り込まれ、基板温度の測
定精度が不充分となる場合がある。
【００４６】そこで、この第３の実施の形態では、グラ
スファイバ２６の先端部の斜面２６Ａ上に不透明石英基
板３１を設けている。これにより、拡散炉上部の高温部
からの放射光が不透明石英基板３１で散乱し、グラスフ
ァイバ２６に取り込まれる量を大幅に減少させることが
できる。この結果、基板温度の測定精度を、前記第２の
実施の形態に比べてさらに向上させることができるた
め、前記第２の実施の形態よりさらに形成される薄膜の
目標膜厚からのずれ量を低減することができる。
スファイバ２６の先端部の斜面２６Ａ上に不透明石英基
板３１を設けている。これにより、拡散炉上部の高温部
からの放射光が不透明石英基板３１で散乱し、グラスフ
ァイバ２６に取り込まれる量を大幅に減少させることが
できる。この結果、基板温度の測定精度を、前記第２の
実施の形態に比べてさらに向上させることができるた
め、前記第２の実施の形態よりさらに形成される薄膜の
目標膜厚からのずれ量を低減することができる。
【００４７】なお、この第３の実施の形態では、斜面２
６Ａに不透明石英基板３１が接触してしまうと、斜面２
６Ａで放射光の全反射が起こらなくなり、基板温度の測
定精度が上がらなくなってしまう。このため、グラスフ
ァイバ２６の斜面２６Ａと不透明石英基板３１とは、接
触しないように間隔を空ける必要がある。
６Ａに不透明石英基板３１が接触してしまうと、斜面２
６Ａで放射光の全反射が起こらなくなり、基板温度の測
定精度が上がらなくなってしまう。このため、グラスフ
ァイバ２６の斜面２６Ａと不透明石英基板３１とは、接
触しないように間隔を空ける必要がある。
【００４８】［第４の実施の形態］図８は、第４の実施
の形態の基板温度測定方法に使用される拡散炉内の構成
を示す断面図である。
の形態の基板温度測定方法に使用される拡散炉内の構成
を示す断面図である。
【００４９】この第４の実施の形態の基板温度測定方法
に使用される拡散炉は、図７に示した第３の実施の形態
の構成に加えて、ボートロッド２３に石英プリズム４１
を保持させ、この石英プリズム４１を半導体基板２２の
下側主面（下面）の下に配置したものである。
に使用される拡散炉は、図７に示した第３の実施の形態
の構成に加えて、ボートロッド２３に石英プリズム４１
を保持させ、この石英プリズム４１を半導体基板２２の
下側主面（下面）の下に配置したものである。
【００５０】前記石英プリズム４１は、２つある先端部
のうちの一方の先端部が４５度の角度でカットされ、他
方の先端部が直角にカットされている。そして、一方の
先端部において４５度にカットされていない面が半導体
基板２２の表面に対向するように配置され、他方の先端
部の直角にカットされた面がグラスファイバ２６の入射
面２６Ｂに対向するように配置されている。
のうちの一方の先端部が４５度の角度でカットされ、他
方の先端部が直角にカットされている。そして、一方の
先端部において４５度にカットされていない面が半導体
基板２２の表面に対向するように配置され、他方の先端
部の直角にカットされた面がグラスファイバ２６の入射
面２６Ｂに対向するように配置されている。
【００５１】この第４の実施の形態では、形状や表面状
態が安定した半導体基板２２の主面の表面温度を測定で
きるため、基板温度の測定精度を向上させることができ
る。これにより、形成される薄膜の目標膜厚からのずれ
量を低減することができる。なお、ここでは、図８にお
いて基板の下側主面（下面）の温度を測定した例を示し
たが、基板の上側主面（上面）の温度を測定することも
できる。基板の上面の温度を測定するには、石英プリズ
ム４１の４５度の斜面を上向きに変えればよい。
態が安定した半導体基板２２の主面の表面温度を測定で
きるため、基板温度の測定精度を向上させることができ
る。これにより、形成される薄膜の目標膜厚からのずれ
量を低減することができる。なお、ここでは、図８にお
いて基板の下側主面（下面）の温度を測定した例を示し
たが、基板の上側主面（上面）の温度を測定することも
できる。基板の上面の温度を測定するには、石英プリズ
ム４１の４５度の斜面を上向きに変えればよい。
【００５２】［第５の実施の形態］図９は、第５の実施
の形態の基板温度測定方法に使用される拡散炉内の構成
を示す断面図である。
の形態の基板温度測定方法に使用される拡散炉内の構成
を示す断面図である。
【００５３】この第５の実施の形態の基板温度測定方法
に使用される拡散炉は、図６に示した第１の実施の形態
の構成において、ボートロッド５１を中空として、ボー
トロッド５１の内部にグラスファイバ２６を設置したも
のである。
に使用される拡散炉は、図６に示した第１の実施の形態
の構成において、ボートロッド５１を中空として、ボー
トロッド５１の内部にグラスファイバ２６を設置したも
のである。
【００５４】前記第１の実施の形態と同様に、グラスフ
ァイバ２６の一方の先端部には、４５度にカットされた
斜面２６Ａと、この斜面２６Ａと反対側に形成された入
射面２６Ｂが形成されている。そして、グラスファイバ
２６の入射面２６Ｂが、温度測定対象の半導体基板２２
の側面に対向するように配置される。なお、ボートロッ
ド５１はシリコンカーバイド（ＳｉＣ）で形成され、内
部が中空になっているため、半導体基板２２とグラスフ
ァイバ２６の入射面２６Ｂとの間にはＳｉＣ層は存在し
ない。
ァイバ２６の一方の先端部には、４５度にカットされた
斜面２６Ａと、この斜面２６Ａと反対側に形成された入
射面２６Ｂが形成されている。そして、グラスファイバ
２６の入射面２６Ｂが、温度測定対象の半導体基板２２
の側面に対向するように配置される。なお、ボートロッ
ド５１はシリコンカーバイド（ＳｉＣ）で形成され、内
部が中空になっているため、半導体基板２２とグラスフ
ァイバ２６の入射面２６Ｂとの間にはＳｉＣ層は存在し
ない。
【００５５】この第５の実施の形態では、ボートロッド
５１内部に設けられたグラスファイバ２６を用いて、半
導体基板２２の側面からの放射光を入射面２６Ｂからグ
ラスファイバ２６内に取り込み、前記斜面２６Ａで反射
させて、放射温度計２７に入射させる。この結果、正確
な基板温度を得ることができる。
５１内部に設けられたグラスファイバ２６を用いて、半
導体基板２２の側面からの放射光を入射面２６Ｂからグ
ラスファイバ２６内に取り込み、前記斜面２６Ａで反射
させて、放射温度計２７に入射させる。この結果、正確
な基板温度を得ることができる。
【００５６】そこで、薄膜形成工程において、このよう
な基板温度測定方法を用いて基板温度を測定し、基板温
度を正確に制御すれば、形成される薄膜の膜厚を正確に
算出することが可能となり、目標膜厚からのずれ量を低
減することができる。
な基板温度測定方法を用いて基板温度を測定し、基板温
度を正確に制御すれば、形成される薄膜の膜厚を正確に
算出することが可能となり、目標膜厚からのずれ量を低
減することができる。
【００５７】以下に、前記第２〜第５の実施の形態、第
１の比較例、及び第２の比較例のそれぞれの縦型拡散炉
を用い、７５０°の温度で水素燃焼酸化を行って、酸化
膜をシリコン半導体基板上に形成した結果について記し
ておく。前記第１の比較例は、基板温度を知るために、
炉内に設置した熱電対にて炉内温度を測定した場合であ
る。第２の比較例は、第３の実施の形態で斜面と不透明
石英基板とを接触させた場合、例えば空間を０．００５
ｍｍとした場合である。
１の比較例、及び第２の比較例のそれぞれの縦型拡散炉
を用い、７５０°の温度で水素燃焼酸化を行って、酸化
膜をシリコン半導体基板上に形成した結果について記し
ておく。前記第１の比較例は、基板温度を知るために、
炉内に設置した熱電対にて炉内温度を測定した場合であ
る。第２の比較例は、第３の実施の形態で斜面と不透明
石英基板とを接触させた場合、例えば空間を０．００５
ｍｍとした場合である。
【００５８】この酸化膜の形成工程では、モニタした炉
内圧力、基板温度あるいは炉内温度、ガス流量から、基
板上の酸化膜の膜厚を計算し、計算値が８ｎｍになった
段階で酸化工程を終了した。
内圧力、基板温度あるいは炉内温度、ガス流量から、基
板上の酸化膜の膜厚を計算し、計算値が８ｎｍになった
段階で酸化工程を終了した。
【００５９】その後、それぞれの基板上に形成された酸
化膜の膜厚を、エリプソメトリーで測定した。その結
果、目標膜厚８ｎｍからのずれ量の大小関係は、第４の
実施の形態＜第３の実施の形態＜第２、第５の実施の形
態＜第２の比較例＜第１の比較例であった。いずれの実
施の形態も、目標膜厚８ｎｍからの膜厚ずれ量を±２％
以下に抑制できた。以上により、前記第２〜第５の実施
の形態の基板温度測定方法を用いれば、基板上に形成さ
れる酸化膜の目標膜厚からのずれ量を低減できることを
確認できた。
化膜の膜厚を、エリプソメトリーで測定した。その結
果、目標膜厚８ｎｍからのずれ量の大小関係は、第４の
実施の形態＜第３の実施の形態＜第２、第５の実施の形
態＜第２の比較例＜第１の比較例であった。いずれの実
施の形態も、目標膜厚８ｎｍからの膜厚ずれ量を±２％
以下に抑制できた。以上により、前記第２〜第５の実施
の形態の基板温度測定方法を用いれば、基板上に形成さ
れる酸化膜の目標膜厚からのずれ量を低減できることを
確認できた。
【００６０】また、前記第２〜第５の実施の形態では、
グラスファイバに石英を用いた例を説明したが、石英以
外にサファイヤを用いてもこれら実施の形態と同様の結
果が得られることを確認した。
グラスファイバに石英を用いた例を説明したが、石英以
外にサファイヤを用いてもこれら実施の形態と同様の結
果が得られることを確認した。
【００６１】また、前述した各実施の形態はそれぞれ、
単独で実施できるばかりでなく、適宜組み合わせて実施
することも可能である。さらに、前述した各実施の形態
には種々の段階の発明が含まれており、各実施の形態に
おいて開示した複数の構成要件の適宜な組み合わせによ
り、種々の段階の発明を抽出することも可能である。
単独で実施できるばかりでなく、適宜組み合わせて実施
することも可能である。さらに、前述した各実施の形態
には種々の段階の発明が含まれており、各実施の形態に
おいて開示した複数の構成要件の適宜な組み合わせによ
り、種々の段階の発明を抽出することも可能である。
【００６２】
【発明の効果】以上述べたようにこの発明によれば、Ｃ
ＶＤ装置の反応炉内における基板上薄膜の膜厚をin-sit
uでモニタリングできる膜厚モニタリング方法を提供す
ることが可能である。また、バッチ式の拡散炉内で基板
温度を測定できる基板温度測定方法を提供することが可
能である。
ＶＤ装置の反応炉内における基板上薄膜の膜厚をin-sit
uでモニタリングできる膜厚モニタリング方法を提供す
ることが可能である。また、バッチ式の拡散炉内で基板
温度を測定できる基板温度測定方法を提供することが可
能である。
【図１】この発明の第１の実施の形態の膜厚モニタリン
グ方法に用いられるＣＶＤ装置の構成を示す図である。
グ方法に用いられるＣＶＤ装置の構成を示す図である。
【図２】図１中に破線２にて示した、石英チューブ上に
設置された放射温度計近傍の拡大図である。
設置された放射温度計近傍の拡大図である。
【図３】Ｒｕ膜成膜時における放射率とウェハ上のＲｕ
膜厚との関係を示す図である。
膜厚との関係を示す図である。
【図４】ガスクリーニング時における放射率とウェハ上
の薄膜の膜厚との関係を示す図である。
の薄膜の膜厚との関係を示す図である。
【図５】この発明の第２の実施の形態の基板温度測定方
法に使用される拡散炉内の構成を示す断面図である。
法に使用される拡散炉内の構成を示す断面図である。
【図６】図５中の半導体基板とグラスファイバを拡大し
た断面図である。
た断面図である。
【図７】この発明の第３の実施の形態の基板温度測定方
法に使用される拡散炉内の構成を示す断面図である。
法に使用される拡散炉内の構成を示す断面図である。
【図８】この発明の第４の実施の形態の基板温度測定方
法に使用される拡散炉内の構成を示す断面図である。
法に使用される拡散炉内の構成を示す断面図である。
【図９】この発明の第５の実施の形態の基板温度測定方
法に使用される拡散炉内の構成を示す断面図である。
法に使用される拡散炉内の構成を示す断面図である。
１１…石英チューブ １２…シールキャップ １３…放射温度計（パイロメータ） １４…ヒータ １５…導入管 １６…半導体基板（ウェハ） １７…ボートロッド １８…薄膜 １９…光 ２１…石英炉芯管 ２２…半導体基板（ウェハ） ２３…ボートロッド ２４…フランジ ２５…ヒータ ２６…グラスファイバ ２６Ａ…グラスファイバの斜面 ２６Ｂ…グラスファイバの入射面 ２７…放射温度計（パイロメータ） ３１…不透明石英基板 ４１…石英プリズム ５１…ボートロッド
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/285 ３０１ Ｈ０１Ｌ 21/285 ３０１Ｚ 21/3065 21/66 Ｔ 21/66 Ｐ 21/302 Ｅ Ｆターム(参考） 4K030 CA12 HA17 JA01 JA20 KA39 4M104 BB04 DD44 HH20 4M106 AA01 AA11 CA48 DH02 5F004 CB16 5F045 AA08 GB01 GB04
Claims (10)
- 【請求項１】 ＣＶＤ装置を用いて反応炉内の基板上に
薄膜を形成する際に、前記反応炉内からの放射光を反応
炉外部にて測定し、前記放射光の放射率の変化と、前記
基板上に形成される薄膜の膜厚変化との関係を予め取得
する第１工程と、 前記第１工程の後、前記ＣＶＤ装置を用いて基板上に薄
膜を形成する際に、前記放射率の変化を測定する第２工
程と、 前記第１工程にて取得した放射率の変化と薄膜の膜厚変
化との関係より、前記第２工程にて測定した放射率の変
化から、形成された薄膜の膜厚を推定する第３工程と、 を具備することを特徴とする膜厚モニタリング方法。 - 【請求項２】 反応炉内に反応ガスを供給することで反
応炉内壁に薄膜が形成された後、前記反応炉内にエッチ
ングガスを供給して前記薄膜をエッチングする際に、前
記反応炉内からの放射光を反応炉外部にて測定し、前記
放射光の放射率の変化と、前記反応炉内壁上の薄膜の膜
厚変化との関係を予め取得する第１工程と、 前記第１工程の後、前記反応炉内に反応ガスを供給し反
応炉内壁に薄膜を形成した後、前記反応炉内にエッチン
グガスを供給して前記薄膜をエッチングする際に、前記
放射率の変化を測定する第２工程と、 前記第１工程にて取得した放射率の変化と薄膜の膜厚変
化との関係より、前記第２工程にて測定した放射率の変
化から、エッチオフされるタイミングを推定する第３工
程と、 を具備することを特徴とする膜厚モニタリング方法。 - 【請求項３】 前記放射光は、前記反応炉内部から放射
された光が反応炉内壁に付着した薄膜と反応炉壁材とを
透過した光であることを特徴とする請求項１または２に
記載の膜厚モニタリング方法。 - 【請求項４】 前記放射率は、前記反応炉の外部に設け
られた放射温度計によって測定されることを特徴とする
請求項１乃至３のいずれか１つに記載の膜厚モニタリン
グ方法。 - 【請求項５】 前記反応炉と前記放射温度計との間に
は、導入管が設けられており、この導入管は前記反応炉
内部以外の周囲からの光を排除し、前記放射光のみを前
記放射温度計に導くことを特徴とする請求項１乃至４の
いずれか１つに記載の膜厚モニタリング方法。 - 【請求項６】 バッチ式の拡散炉内に配置された複数の
基板のうち、温度測定対象の基板の温度を選択的に測定
する基板温度測定方法であって、 一方の先端部に斜面を有し、この斜面と反対側の前記先
端部側面に平坦面を有する、円柱棒状のグラスファイバ
を、前記平坦面が前記温度測定対象の基板の側面に対向
するように配置する工程と、 前記基板の側面から放射される光を、前記平坦面からグ
ラスファイバ内に取り込み、前記斜面で反射させてグラ
スファイバの他方の先端部に導く工程と、 を具備することを特徴とする基板温度測定方法。 - 【請求項７】 前記グラスファイバの前記斜面は、グラ
スファイバの中心軸に対して４５度にカットされている
とともに、その表面が鏡面状態になっていることを特徴
とする請求項６に記載の基板温度測定方法。 - 【請求項８】 前記グラスファイバの前記斜面上には、
前記斜面の表面と空間を空けて不透明基板が形成されて
いることを特徴とする請求項６または７に記載の基板温
度測定方法。 - 【請求項９】 前記温度測定対象の基板の主面に、一方
の先端部の側面が対向するように配置され、他方の先端
部が前記グラスファイバの前記平坦面に対向するように
配置されたプリズムをさらに具備し、 前記プリズムは、前記側面と反対側の前記一方の先端部
に、プリズムの中心軸に対して４５度にカットされた斜
面を有していることを特徴とする請求項６乃至８のいず
れか１つに記載の基板温度測定方法。 - 【請求項１０】 前記複数の基板は、内部が中空になっ
ている保持材により保持されており、前記グラスファイ
バは前記保持材の内部に配置されていることを特徴とす
る請求項６に記載の基板温度測定方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001094164A JP3954319B2 (ja) | 2001-03-28 | 2001-03-28 | 薄膜の膜厚モニタリング方法及び基板温度測定方法 |
| TW091105325A TWI290727B (en) | 2001-03-28 | 2002-03-20 | Method for monitoring thin-film thickness and method for measuring substrate temperature |
| KR10-2002-0016618A KR100441737B1 (ko) | 2001-03-28 | 2002-03-27 | 박막의 막두께 모니터링 방법 및 기판 온도 측정 방법 |
| CNB021083274A CN1194398C (zh) | 2001-03-28 | 2002-03-28 | 薄膜的膜厚监控方法 |
| CNB2004100476442A CN1284218C (zh) | 2001-03-28 | 2002-03-28 | 基板温度测定方法 |
| US10/107,361 US20020141477A1 (en) | 2001-03-28 | 2002-03-28 | Thin film thickness monitoring method and substrate temperature measuring method |
Applications Claiming Priority (1)
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